JPH0897519A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH0897519A JPH0897519A JP1732795A JP1732795A JPH0897519A JP H0897519 A JPH0897519 A JP H0897519A JP 1732795 A JP1732795 A JP 1732795A JP 1732795 A JP1732795 A JP 1732795A JP H0897519 A JPH0897519 A JP H0897519A
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- H10H20/823—Materials of the light-emitting regions comprising only Group II-VI materials, e.g. ZnO
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- Electromagnetism (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 II−VI族化合物半導体発光装置において、室
温で短波長発光が可能であり、電流ー電圧特性、電流−
光出力特性等の動作特性の安定化、高寿命化をはかる。 【構成】 基板１上に、少なくとも第１導電型の第１の
クラッド層２と、活性層３と、第２導電型の第２のクラ
ッド層４とを有し、少なくともその活性層３が、II−VI
族化合物半導体よりなり、またこの活性層３が、ｎ型、
ｐ型のいづれか一方もしくは双方のドーパントがドープ
された構成とする。
温で短波長発光が可能であり、電流ー電圧特性、電流−
光出力特性等の動作特性の安定化、高寿命化をはかる。 【構成】 基板１上に、少なくとも第１導電型の第１の
クラッド層２と、活性層３と、第２導電型の第２のクラ
ッド層４とを有し、少なくともその活性層３が、II−VI
族化合物半導体よりなり、またこの活性層３が、ｎ型、
ｐ型のいづれか一方もしくは双方のドーパントがドープ
された構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光装置、例え
ばII−VI族化合物半導体によるレーザダイオードあるい
は発光ダイオードに係わる。
ばII−VI族化合物半導体によるレーザダイオードあるい
は発光ダイオードに係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えば光ディスク、光磁気ディスクに対
する記録・再生の高密度、高解像度の要求から、短波長
の緑色ないしは青色発光の半導体レーザの要求が高まっ
ている。
する記録・再生の高密度、高解像度の要求から、短波長
の緑色ないしは青色発光の半導体レーザの要求が高まっ
ている。
【０００３】Japan Journal of Applied Pysics Vol.31
(1992)pp.L340-L342には、活性層およびクラッド層を、
それぞれＺｎＳｅおよびＺｎＭｇＳＳｅにより構成した
ＤＨ(Double Hetero) 構造半導体レーザの室温での光励
起による発振について示されている。このＺｎＳｅを活
性層として用いた半導体レーザの発振波長は、４７５．
０ｎｍであった。
(1992)pp.L340-L342には、活性層およびクラッド層を、
それぞれＺｎＳｅおよびＺｎＭｇＳＳｅにより構成した
ＤＨ(Double Hetero) 構造半導体レーザの室温での光励
起による発振について示されている。このＺｎＳｅを活
性層として用いた半導体レーザの発振波長は、４７５．
０ｎｍであった。
【０００４】また、Japan Journal of Applied Pysics
Vol.33(1994)pp.L938-L940には、活性層、ガイド層およ
びクラッド層を、それぞれＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳＳｅお
よびＺｎＭｇＳＳｅにより構成したＳＣＨ(Separate Co
nfinement Heterostructure)構造半導体レーザが示され
ている。
Vol.33(1994)pp.L938-L940には、活性層、ガイド層およ
びクラッド層を、それぞれＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳＳｅお
よびＺｎＭｇＳＳｅにより構成したＳＣＨ(Separate Co
nfinement Heterostructure)構造半導体レーザが示され
ている。
【０００５】そして、上述の半導体レーザは、いずれも
活性層へのドーピングは行われていない。
活性層へのドーピングは行われていない。
【０００６】Ｚｎ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｂｅ等のII族元
素と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等のVI族元素のうちのそれぞれ少
なくとも１種類からなるII−VI族化合物半導体発光装置
は、その発光層である活性層に多くの非発光再結合中心
が存在し、電流−光出力特性、電流−電圧特性等の動作
特性の低下、ひいては半導体発光装置の信頼性の低下が
もたらされる。
素と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等のVI族元素のうちのそれぞれ少
なくとも１種類からなるII−VI族化合物半導体発光装置
は、その発光層である活性層に多くの非発光再結合中心
が存在し、電流−光出力特性、電流−電圧特性等の動作
特性の低下、ひいては半導体発光装置の信頼性の低下が
もたらされる。
【０００７】この非発光再結合中心として作用するもの
には、不一致転位、貫通転位などの転位および積層欠
陥、更に点欠陥、およびそのクラスタ等があり、いづれ
もダングリングボンドを有する。
には、不一致転位、貫通転位などの転位および積層欠
陥、更に点欠陥、およびそのクラスタ等があり、いづれ
もダングリングボンドを有する。
【０００８】上述した半導体発光装置の劣化核は、いわ
ゆる非発光再結合促進欠陥増殖運動（以下ＮＲＲＥＤＭ
という）を通して非発光部の増殖がもたらされ、動作特
性の低下が問題となる。特に点欠陥は、これが高密度に
存在するとか、この点欠陥が集合（クラスタ）をなして
いる場合に劣化核として作用し易く、また、単に劣化核
として作用するでけなく、ＮＲＲＥＤＭにより運動をす
るすなわち劣化過程を担うという点から、半導体発光装
置の劣化にとってきわめて重要な役割を担っている。
ゆる非発光再結合促進欠陥増殖運動（以下ＮＲＲＥＤＭ
という）を通して非発光部の増殖がもたらされ、動作特
性の低下が問題となる。特に点欠陥は、これが高密度に
存在するとか、この点欠陥が集合（クラスタ）をなして
いる場合に劣化核として作用し易く、また、単に劣化核
として作用するでけなく、ＮＲＲＥＤＭにより運動をす
るすなわち劣化過程を担うという点から、半導体発光装
置の劣化にとってきわめて重要な役割を担っている。
【０００９】上述した劣化核のうち、巨大欠陥である上
述の不一致転位、貫通転位等の転位、積層欠陥について
は、使用する基板、基板の処理、半導体層の構造、結晶
成長条件等で改善され得るもの、すなわち外因的である
が、点欠陥に関しては、結晶成長条件等から外因的に発
生するだけではなく、熱力学原理からフリーエネルギー
を下げるために真性的に存在するものがあるため、これ
らの点欠陥の低減は困難であり、同時にこれらの関与す
る劣化を抑制することが問題である。
述の不一致転位、貫通転位等の転位、積層欠陥について
は、使用する基板、基板の処理、半導体層の構造、結晶
成長条件等で改善され得るもの、すなわち外因的である
が、点欠陥に関しては、結晶成長条件等から外因的に発
生するだけではなく、熱力学原理からフリーエネルギー
を下げるために真性的に存在するものがあるため、これ
らの点欠陥の低減は困難であり、同時にこれらの関与す
る劣化を抑制することが問題である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、II−VI族化
合物半導体発光装置において、室温で短波長発光が可能
であり、電流ー電圧特性、電流−光出力特性等の動作特
性の安定化、高寿命化をはかる。
合物半導体発光装置において、室温で短波長発光が可能
であり、電流ー電圧特性、電流−光出力特性等の動作特
性の安定化、高寿命化をはかる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、少
なくとも第１導電型の第１のクラッド層と、活性層と、
第２導電型の第２のクラッド層とを有し、少なくともそ
の活性層が、II−VI族化合物半導体よりなり、またこの
活性層が、ｎ型、ｐ型のいづれか一方もしくは双方のド
ーパントがドープされた構成とする。
なくとも第１導電型の第１のクラッド層と、活性層と、
第２導電型の第２のクラッド層とを有し、少なくともそ
の活性層が、II−VI族化合物半導体よりなり、またこの
活性層が、ｎ型、ｐ型のいづれか一方もしくは双方のド
ーパントがドープされた構成とする。
【００１２】
【作用】本発明では、活性層に不純物ドーパントをドー
プしたことにより、活性層における劣化核となる点欠陥
密度の低減化、ＮＲＲＥＤＭに関与する点欠陥の運動の
抑制、活性層に関与する空乏層内の点欠陥密度分布の勾
配を緩やかにすることによって点欠陥の拡散を抑制す
る。
プしたことにより、活性層における劣化核となる点欠陥
密度の低減化、ＮＲＲＥＤＭに関与する点欠陥の運動の
抑制、活性層に関与する空乏層内の点欠陥密度分布の勾
配を緩やかにすることによって点欠陥の拡散を抑制す
る。
【００１３】
【実施例】以下図１を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。この実施例においては、ＧａＡｓ基板１上
に、ＺｎＭｇＳＳｅ系II-VI 族化合物半導体層をエピタ
キシーしてII−VI族化合物半導体発光装置例えば半導体
レーザを構成した場合である。
説明する。この実施例においては、ＧａＡｓ基板１上
に、ＺｎＭｇＳＳｅ系II-VI 族化合物半導体層をエピタ
キシーしてII−VI族化合物半導体発光装置例えば半導体
レーザを構成した場合である。
【００１４】この場合、基板１上への各半導体層のエピ
タキシーは、図２にその概略構成を示すＭＢＥ（分子線
エピタキシー）装置によって行った。このＭＢＥ装置
は、真空蒸着装置の１種であり、超高真空排気装置（図
示せず）を備えた真空のチェンバ−４１を有し、このチ
ェンバー４１内にII-VI 族化合物半導体を成膜する被成
膜の基板１が保持される基板ホルダー４２が配置され
る。
タキシーは、図２にその概略構成を示すＭＢＥ（分子線
エピタキシー）装置によって行った。このＭＢＥ装置
は、真空蒸着装置の１種であり、超高真空排気装置（図
示せず）を備えた真空のチェンバ−４１を有し、このチ
ェンバー４１内にII-VI 族化合物半導体を成膜する被成
膜の基板１が保持される基板ホルダー４２が配置され
る。
【００１５】また、チェンバー４１には、基板１に向か
ってそのII-VI 族化合物半導体の材料源の複数の分子線
源（Ｋセル）４３が配置される。また、このチェンバー
４１に、基板１に対してプラズマ化したＮ（窒素）を照
射するプラズマ発生室４４が設けられる。このプラズマ
発生室４４は、例えば図示のように、ＥＣＲ（電子サイ
クロトロン共鳴）セル構成による。すなわち、この場合
プラズマ発生室４４にはマグネット４５が配置され、マ
イクロ波を供給するマイクロ波端子４６が配置されると
ともに、窒素ガスを供給する窒素ガス導入管４７が設け
られる。
ってそのII-VI 族化合物半導体の材料源の複数の分子線
源（Ｋセル）４３が配置される。また、このチェンバー
４１に、基板１に対してプラズマ化したＮ（窒素）を照
射するプラズマ発生室４４が設けられる。このプラズマ
発生室４４は、例えば図示のように、ＥＣＲ（電子サイ
クロトロン共鳴）セル構成による。すなわち、この場合
プラズマ発生室４４にはマグネット４５が配置され、マ
イクロ波を供給するマイクロ波端子４６が配置されると
ともに、窒素ガスを供給する窒素ガス導入管４７が設け
られる。
【００１６】この装置によって、分子線源４３のII-VI
族化合物半導体の構成材料の分子線源からの基板１への
分子線照射によって基板１上に、II-VI 族化合物半導体
をエピタキシーする。
族化合物半導体の構成材料の分子線源からの基板１への
分子線照射によって基板１上に、II-VI 族化合物半導体
をエピタキシーする。
【００１７】そして、窒素ドープによるｐ型II-VI 族化
合物半導体をエピタキシーする場合は、プラズマ発生装
置４４において、磁界およびマイクロ波の印加によって
電子サイクロトロン共鳴によって窒素ガスのプラズマ化
を行い、このプラズマ化した窒素Ｎを、上述の分子線照
射とともにプラズマ発生室４４のプラズマ導出口４８か
ら導出して基板１に照射しつつ分子線源４３からの基板
１への分子線照射を行って窒素ドープのすなわちｐ型の
II-VI 族化合物半導体をエピタキシーすることができ
る。
合物半導体をエピタキシーする場合は、プラズマ発生装
置４４において、磁界およびマイクロ波の印加によって
電子サイクロトロン共鳴によって窒素ガスのプラズマ化
を行い、このプラズマ化した窒素Ｎを、上述の分子線照
射とともにプラズマ発生室４４のプラズマ導出口４８か
ら導出して基板１に照射しつつ分子線源４３からの基板
１への分子線照射を行って窒素ドープのすなわちｐ型の
II-VI 族化合物半導体をエピタキシーすることができ
る。
【００１８】また、例えばＣｌドープによるｎ型II-VI
族化合物半導体をエピタキシーする場合は、分子線源４
３のII-VI 族化合物半導体の構成材料の分子線源および
Ｃｌの分子線源からの基板１への分子線照射によって基
板１上にＣｌドープのｎ型II-VI 族化合物半導体をエピ
タキシーすることができる。
族化合物半導体をエピタキシーする場合は、分子線源４
３のII-VI 族化合物半導体の構成材料の分子線源および
Ｃｌの分子線源からの基板１への分子線照射によって基
板１上にＣｌドープのｎ型II-VI 族化合物半導体をエピ
タキシーすることができる。
【００１９】このエピタキシャル成長装置を用いて、図
１に示す構成の半導体発光装置を形成した。すなわちこ
の場合、第１導電型例えばｎ型のＧａＡｓより成る基板
１上に、例えばＺｎＳｅによるバッファー層５をエピタ
キシーし、これの上に順次厚さ例えば１μｍ程度の例え
ばｎ型不純物としてＣｌをドープしたＺｎＭｇＳＳｅに
よる第１導電型の第１のクラッド層２、厚さ例えば７０
ｎｍ程度のＺｎＳｅより成る活性層３、厚さ例えば１μ
ｍ程度の第２導電型この例ではｐ型不純物のＮ（窒素）
をドープしたＺｎＭｇＳＳｅ等より成る第２のクラッド
層４を順次エピタキシャル成長する。
１に示す構成の半導体発光装置を形成した。すなわちこ
の場合、第１導電型例えばｎ型のＧａＡｓより成る基板
１上に、例えばＺｎＳｅによるバッファー層５をエピタ
キシーし、これの上に順次厚さ例えば１μｍ程度の例え
ばｎ型不純物としてＣｌをドープしたＺｎＭｇＳＳｅに
よる第１導電型の第１のクラッド層２、厚さ例えば７０
ｎｍ程度のＺｎＳｅより成る活性層３、厚さ例えば１μ
ｍ程度の第２導電型この例ではｐ型不純物のＮ（窒素）
をドープしたＺｎＭｇＳＳｅ等より成る第２のクラッド
層４を順次エピタキシャル成長する。
【００２０】続いてすなわち連続エピタキシーによって
このクラッド層４上に、第１導電型この例ではｐ側電極
と良好なオーミックコンタクトをとるための各層を成長
する。例えば厚さ２００ｎｍの第１導電型のｐ型不純物
としてＮをドープしたＺｎＳＳｅ等より成る第１の半導
体層６、厚さ例えば７００ｎｍ程度のＺｎＳｅ等より成
る第２の半導体層７、同様に例えばＮをドープしたＺｎ
ＴｅとＺｎＳｅとが交互に積層された超格子構造半導体
層８、同様に例えばＮをドープしたＺｎＴｅ等より成る
コンタクト層９を順次エピタキシーする。
このクラッド層４上に、第１導電型この例ではｐ側電極
と良好なオーミックコンタクトをとるための各層を成長
する。例えば厚さ２００ｎｍの第１導電型のｐ型不純物
としてＮをドープしたＺｎＳＳｅ等より成る第１の半導
体層６、厚さ例えば７００ｎｍ程度のＺｎＳｅ等より成
る第２の半導体層７、同様に例えばＮをドープしたＺｎ
ＴｅとＺｎＳｅとが交互に積層された超格子構造半導体
層８、同様に例えばＮをドープしたＺｎＴｅ等より成る
コンタクト層９を順次エピタキシーする。
【００２１】そしてコンタクト層９の上にポリイミド等
の絶縁層１０を被着し、これにフォトリソグラフィ等に
より例えば図１において紙面と垂直方向に延長するスト
ライプ状パターンの電流通路部分に開口１０Ｗを穿設す
る。その後、全面的にコンタクト層９側から順次例えば
厚さ１０ｎｍのＰｄ、厚さ１００ｎｍのＰｔ、厚さ３０
０ｎｍのＡｕを蒸着した積層構造のｐ側の電極１１を絶
縁層１０の開口１０Ｗを通じてコンタクト層９にオーミ
ックにコンタクトさせて形成する。
の絶縁層１０を被着し、これにフォトリソグラフィ等に
より例えば図１において紙面と垂直方向に延長するスト
ライプ状パターンの電流通路部分に開口１０Ｗを穿設す
る。その後、全面的にコンタクト層９側から順次例えば
厚さ１０ｎｍのＰｄ、厚さ１００ｎｍのＰｔ、厚さ３０
０ｎｍのＡｕを蒸着した積層構造のｐ側の電極１１を絶
縁層１０の開口１０Ｗを通じてコンタクト層９にオーミ
ックにコンタクトさせて形成する。
【００２２】また基板１の裏面側にもＩｎ等の電極１２
を被着して、半導体発光装置例えば半導体レーザを構成
する。
を被着して、半導体発光装置例えば半導体レーザを構成
する。
【００２３】活性層３には、ｎ型、ｐ型のいづれか一方
もしくは双方のドーパントすなわち不純物をドーピング
する。この活性層３におけるドーパントの濃度は、１×
１０ 15/cm -3以上とする。このとき、点欠陥密度を制御
でき、劣化速度を制御できて寿命の向上をはかることが
できる。
もしくは双方のドーパントすなわち不純物をドーピング
する。この活性層３におけるドーパントの濃度は、１×
１０ 15/cm -3以上とする。このとき、点欠陥密度を制御
でき、劣化速度を制御できて寿命の向上をはかることが
できる。
【００２４】この活性層３は、例えばＺｎＳｅにより構
成され、これにｎ型のドーパントとしてＣｌをドーパン
トの原子濃度を、１×１０15〜５×１０16cm-3にドープ
する。この場合、Ｃｌのドープ原料としては、すなわ
ち、図２の分子線源４３の１つにＣｌの不純物源として
のＺｎＣｌ2 を用いる。
成され、これにｎ型のドーパントとしてＣｌをドーパン
トの原子濃度を、１×１０15〜５×１０16cm-3にドープ
する。この場合、Ｃｌのドープ原料としては、すなわ
ち、図２の分子線源４３の１つにＣｌの不純物源として
のＺｎＣｌ2 を用いる。
【００２５】クラッド層、特にｐ型のクラッド層４は、
そのバンドギャップ（７７Ｋにおける）Ｅｇを、Ｅｇ＝
３．０ｅＶ±０．０５ｅＶに選定する。図３は、本出願
人の出願に係わる特願平5-288653号出願「半導体レー
ザ」において導かれたバンドギャップエネルギーＥｇと
正孔濃度Ｎp （ｃｍ-3）との関係を示す。ここで、Ｔは
半導体レーザの動作温度（Ｋ）、ｋはボルツマン定数
（ｅＶ／Ｋ）である。図３から明らかなように高い正孔
濃度を得るには、このクラッド層４のバンドギャップＥ
ｇは、Ｅｇ＝３．０ｅＶ±０．０５ｅＶに選定すること
が望ましいものである。
そのバンドギャップ（７７Ｋにおける）Ｅｇを、Ｅｇ＝
３．０ｅＶ±０．０５ｅＶに選定する。図３は、本出願
人の出願に係わる特願平5-288653号出願「半導体レー
ザ」において導かれたバンドギャップエネルギーＥｇと
正孔濃度Ｎp （ｃｍ-3）との関係を示す。ここで、Ｔは
半導体レーザの動作温度（Ｋ）、ｋはボルツマン定数
（ｅＶ／Ｋ）である。図３から明らかなように高い正孔
濃度を得るには、このクラッド層４のバンドギャップＥ
ｇは、Ｅｇ＝３．０ｅＶ±０．０５ｅＶに選定すること
が望ましいものである。
【００２６】図４は、活性層３が、ｎ型のＣｌがドープ
されたＺｎＳｅによる場合で、図１で説明した構成とし
た本発明による半導体レーザの発振スペクトル図で、こ
の場合４７１ｎｍの発振がなされ、その半値幅は、狭小
で急峻な発振スペクトルを示している。この場合、しき
い値電流密度は２０ｋＡ／cm2 である。
されたＺｎＳｅによる場合で、図１で説明した構成とし
た本発明による半導体レーザの発振スペクトル図で、こ
の場合４７１ｎｍの発振がなされ、その半値幅は、狭小
で急峻な発振スペクトルを示している。この場合、しき
い値電流密度は２０ｋＡ／cm2 である。
【００２７】因みに、従来の、活性層３として不純物の
ドーピングがなされていないＺｎＳｅによる半導体レー
ザは、室温で発振ができないものであっったが、本発明
によるときは、活性層３をＺｎＳｅによって構成したに
も係わらず、室温で４７１ｎｍの短波長発振ができた。
ドーピングがなされていないＺｎＳｅによる半導体レー
ザは、室温で発振ができないものであっったが、本発明
によるときは、活性層３をＺｎＳｅによって構成したに
も係わらず、室温で４７１ｎｍの短波長発振ができた。
【００２８】一方、図５と図６とは、ＧａＡｓ基板上に
ＺｎＳｅをエピタキシーしたＰＬにおいて、そのＺｎＳ
ｅ中のＣｌドープのドーパントの原子濃度（cm-3）を変
化させたときの、光励起によるＰＬ（フォトルミネセン
ス）の発光強度とＰＬ発光スペクトルの半値幅とのそれ
ぞれの測定結果を示すものである。
ＺｎＳｅをエピタキシーしたＰＬにおいて、そのＺｎＳ
ｅ中のＣｌドープのドーパントの原子濃度（cm-3）を変
化させたときの、光励起によるＰＬ（フォトルミネセン
ス）の発光強度とＰＬ発光スペクトルの半値幅とのそれ
ぞれの測定結果を示すものである。
【００２９】これによれば、ドーパント濃度を高めるこ
とによってＰＬ強度を高めることができ、また後述する
ように点欠陥密度、劣化速度の抑制したがって寿命の向
上をはかることができる。しかしながら、ドーパントの
原子濃度が１×１０15cm-3を超えると半値幅を大とする
ことになって発光動作電流、しきい値電流Ｉthを高める
傾向を示す。したがって、このドーパントの原子濃度を
１×１０15〜５×１０ 16cm-3とするときは、ＺｎＳｅを
用いて室温での短波長発振が可能となり、しかもその発
振スペクトルの半値幅の低減化によって発光効率の向
上、動作電流およびしきい値電流Ｉthの低減化をはかる
ことができる。
とによってＰＬ強度を高めることができ、また後述する
ように点欠陥密度、劣化速度の抑制したがって寿命の向
上をはかることができる。しかしながら、ドーパントの
原子濃度が１×１０15cm-3を超えると半値幅を大とする
ことになって発光動作電流、しきい値電流Ｉthを高める
傾向を示す。したがって、このドーパントの原子濃度を
１×１０15〜５×１０ 16cm-3とするときは、ＺｎＳｅを
用いて室温での短波長発振が可能となり、しかもその発
振スペクトルの半値幅の低減化によって発光効率の向
上、動作電流およびしきい値電流Ｉthの低減化をはかる
ことができる。
【００３０】このように、その活性層におけるｎ型のド
ーパントの原子濃度を１×１０15〜５×１０16cm-3に選
定するときは、より発光効率の向上、しきい値電流Ｉth
の低減化をはかることができた。このようにドーパント
濃度を１×１０15cm-3以上とするのは、これ未満では、
例えばＺｎＳｅ活性層で室温発振がなされず、他の例え
ばＺｎＣｄＳｅ等においてもその発光強度が低いことが
認められたことによるが、これは、活性層にドーパント
を全く入れない場合、非発光センターが多くなることに
よると思われる。
ーパントの原子濃度を１×１０15〜５×１０16cm-3に選
定するときは、より発光効率の向上、しきい値電流Ｉth
の低減化をはかることができた。このようにドーパント
濃度を１×１０15cm-3以上とするのは、これ未満では、
例えばＺｎＳｅ活性層で室温発振がなされず、他の例え
ばＺｎＣｄＳｅ等においてもその発光強度が低いことが
認められたことによるが、これは、活性層にドーパント
を全く入れない場合、非発光センターが多くなることに
よると思われる。
【００３１】上述の例では、活性層３にＣｌによるドー
ピングを行った場合であるが、この場合活性層のエピタ
キシー時のドーパントの原料、例えば図２で説明したＭ
ＢＥ装置における分子線源４３の１つとして、ＺｎＣｌ
2 を用いることによってそのドーピングを行うことがで
きる。
ピングを行った場合であるが、この場合活性層のエピタ
キシー時のドーパントの原料、例えば図２で説明したＭ
ＢＥ装置における分子線源４３の１つとして、ＺｎＣｌ
2 を用いることによってそのドーピングを行うことがで
きる。
【００３２】そして、このようにＺｎＣｌ2 による分子
線源を用いてＣｌのドーピングを行うことができること
から、この場合例えばドーパントをプラズマ化してドー
ピングする場合に比し、結晶性にすぐれた活性層をエピ
タキシャル成長し易い。
線源を用いてＣｌのドーピングを行うことができること
から、この場合例えばドーパントをプラズマ化してドー
ピングする場合に比し、結晶性にすぐれた活性層をエピ
タキシャル成長し易い。
【００３３】図１で示した実施例は、活性層３を直接的
に第１および第２のクラッド層２および４によって挟み
込んだいわゆるＤＨ構造による半導体レーザ構成とした
場合であるが、活性層と第１および第２のクラッド層と
の間に第１および第２のガイド層を介在させるＳＣＨ構
造の半導体レーザに本発明を適用することができる。
に第１および第２のクラッド層２および４によって挟み
込んだいわゆるＤＨ構造による半導体レーザ構成とした
場合であるが、活性層と第１および第２のクラッド層と
の間に第１および第２のガイド層を介在させるＳＣＨ構
造の半導体レーザに本発明を適用することができる。
【００３４】図７を参照して、このＳＣＨ構造に本発明
を適用した場合の一例を説明する。図７において、図１
と対応する部分には同一符号を付す。
を適用した場合の一例を説明する。図７において、図１
と対応する部分には同一符号を付す。
【００３５】この例においても、第１導電型第１導電型
例えばｎ型のＧａＡｓより成る基板１上に、例えばＺｎ
Ｓｅによるバッファー層５をエピタキシーし、これの上
に順次第１導電型例えばｎ型不純物としてＣｌをドープ
したＺｎＭｇＳＳｅによる第１のクラッド層２と、同様
に第１導電型の例えばｎ型不純物としてＣｌをドープし
たＺｎＳＳｅによる第１のガイド層２１と、同様に第１
導電型例えばｎ型不純物としてＣｌをドープしたＺｎＣ
ｄＳｅより成る活性層３と、第２導電型この例ではｐ型
不純物のＮ（窒素）をドープしたＺｎＳＳｅによる第２
のガイド層２２と、同様に第２導電型の例えばＮ（窒
素）をドープした第２のクラッド層４を順次エピタキシ
ャル成長する。
例えばｎ型のＧａＡｓより成る基板１上に、例えばＺｎ
Ｓｅによるバッファー層５をエピタキシーし、これの上
に順次第１導電型例えばｎ型不純物としてＣｌをドープ
したＺｎＭｇＳＳｅによる第１のクラッド層２と、同様
に第１導電型の例えばｎ型不純物としてＣｌをドープし
たＺｎＳＳｅによる第１のガイド層２１と、同様に第１
導電型例えばｎ型不純物としてＣｌをドープしたＺｎＣ
ｄＳｅより成る活性層３と、第２導電型この例ではｐ型
不純物のＮ（窒素）をドープしたＺｎＳＳｅによる第２
のガイド層２２と、同様に第２導電型の例えばＮ（窒
素）をドープした第２のクラッド層４を順次エピタキシ
ャル成長する。
【００３６】続いてすなわち連続エピタキシーによって
このクラッド層４上に、ｐ側電極と良好なオーミックコ
ンタクトをとるための各層を成長する。この例では、第
２導電型のｐ型不純物としてＮをドープしたＺｎＳＳｅ
等より成る第１の半導体層６上に、同様に例えばＮをド
ープしたＺｎＴｅとＺｎＳｅとが交互に積層された超格
子構造半導体層８、ＮをドープしたＺｎＴｅ等より成る
コンタクト層９を順次エピタキシーする。
このクラッド層４上に、ｐ側電極と良好なオーミックコ
ンタクトをとるための各層を成長する。この例では、第
２導電型のｐ型不純物としてＮをドープしたＺｎＳＳｅ
等より成る第１の半導体層６上に、同様に例えばＮをド
ープしたＺｎＴｅとＺｎＳｅとが交互に積層された超格
子構造半導体層８、ＮをドープしたＺｎＴｅ等より成る
コンタクト層９を順次エピタキシーする。
【００３７】そして、この例では中央にストライプ部を
残してその両側において、コンタクト層９と超格子構造
半導体層８を横切る溝２３をフォトリソグラフィによる
選択的エッチングによって形成する。また、その選択的
エッチングに用いたエッチングレジスト上から溝２３内
を含んで全面的にに例えばＡｌ2 Ｏ3 等を例えば蒸着に
よって被着し、その後エッチングレジストの除去によっ
て上述のストライプ部のＡｌ2 Ｏ3 をリフトオフするこ
とによって溝２３内に選択的に上述の例えばＡｌ2 Ｏ3
による絶縁層１０を充填して電流狭搾層を形成するとと
もに、ストライプ部のコンタクト層１０を外部に露呈さ
せる。
残してその両側において、コンタクト層９と超格子構造
半導体層８を横切る溝２３をフォトリソグラフィによる
選択的エッチングによって形成する。また、その選択的
エッチングに用いたエッチングレジスト上から溝２３内
を含んで全面的にに例えばＡｌ2 Ｏ3 等を例えば蒸着に
よって被着し、その後エッチングレジストの除去によっ
て上述のストライプ部のＡｌ2 Ｏ3 をリフトオフするこ
とによって溝２３内に選択的に上述の例えばＡｌ2 Ｏ3
による絶縁層１０を充填して電流狭搾層を形成するとと
もに、ストライプ部のコンタクト層１０を外部に露呈さ
せる。
【００３８】その後、コンタクト層９側に全面的に前述
したと同様の例えばＰｄ、Ｐｔ、Ａｕを蒸着させること
によりコンタクト層にオーミックコンタクトした積層構
造のｐ側の電極１１を形成する。
したと同様の例えばＰｄ、Ｐｔ、Ａｕを蒸着させること
によりコンタクト層にオーミックコンタクトした積層構
造のｐ側の電極１１を形成する。
【００３９】また基板１の裏面側にもＩｎ等の電極１２
を被着して、半導体発光装置例えば半導体レーザを構成
する。
を被着して、半導体発光装置例えば半導体レーザを構成
する。
【００４０】上述の図７の構成による半導体レーザ装置
において、室温連続動作で光出力を０．１[mＷ] とする
ときの動作時間に対する動作電流特性を図８に示す。図
８中曲線８１および８２は、、それぞれ活性層３をＣｌ
を１０17cm-3ドープした場合の２つのレーザ装置に関す
るそれぞれの動作電流の測定結果を示す。また、図８
中、曲線８３および８４は、図７と同様の構成によるも
のの、その活性層３にドーパントのドーピングを行わな
かったＳＣＨ構造の２つレーザ装置に関する同様の測定
結果を示す。これら本発明によるレーザ装置と、従来の
レーザ装置を比較することによって明らかなように、本
発明装置による場合、格段に特性の劣化改善がはかられ
ていることがわかる。
において、室温連続動作で光出力を０．１[mＷ] とする
ときの動作時間に対する動作電流特性を図８に示す。図
８中曲線８１および８２は、、それぞれ活性層３をＣｌ
を１０17cm-3ドープした場合の２つのレーザ装置に関す
るそれぞれの動作電流の測定結果を示す。また、図８
中、曲線８３および８４は、図７と同様の構成によるも
のの、その活性層３にドーパントのドーピングを行わな
かったＳＣＨ構造の２つレーザ装置に関する同様の測定
結果を示す。これら本発明によるレーザ装置と、従来の
レーザ装置を比較することによって明らかなように、本
発明装置による場合、格段に特性の劣化改善がはかられ
ていることがわかる。
【００４１】これは、本発明による場合、活性層に不純
物のドーピングを行ったことによって、非発光再結合中
心となる点欠陥密度の低減化がはかられること、更にこ
の点欠陥密度の低減化およびこれによる点欠陥の集合
（クラスタ）の抑制によってこの点欠陥が劣化核として
作用して、ＮＲＲＥＤＭをとおして非発光部の増殖を来
す現象の発生を回避できること、また活性層における欠
陥密度の分布の勾配を緩やかにできることによって活性
層への点欠陥の拡散を抑制できることなどによる。
物のドーピングを行ったことによって、非発光再結合中
心となる点欠陥密度の低減化がはかられること、更にこ
の点欠陥密度の低減化およびこれによる点欠陥の集合
（クラスタ）の抑制によってこの点欠陥が劣化核として
作用して、ＮＲＲＥＤＭをとおして非発光部の増殖を来
す現象の発生を回避できること、また活性層における欠
陥密度の分布の勾配を緩やかにできることによって活性
層への点欠陥の拡散を抑制できることなどによる。
【００４２】そして、活性層３へのドーパントの濃度
は、１×１０15cm-3を超えて例えば１×１０17cm-3以上
とすることによって、より確実に空格子密度すなわち点
欠陥密度の低減化をはかることができることがわかる。
は、１×１０15cm-3を超えて例えば１×１０17cm-3以上
とすることによって、より確実に空格子密度すなわち点
欠陥密度の低減化をはかることができることがわかる。
【００４３】このように、本発明構成によれば、点欠陥
密度の低減化をはかることができることから、この点欠
陥による非発光再結合中心の低減化をはかることがで
き、発光効率の向上、電流−光出力特性、電流−電圧特
性等の動作特性の向上がはかられる。また前述したよう
に点欠陥は、これが高密度に存在する場合、もしくは点
欠陥が集合（クラスタ）をなしている場合に劣化核とし
て作用し易く、また、ＮＲＲＥＤＭにより運動をするす
なわち劣化過程を担うことから、この点欠陥密度の低減
化をはかることができることは、半導体発光装置の特
性、例えば上述した発光効率、電流−光出力特性、電流
−電圧特性等の動作特性の劣化の回避、すなわち信頼性
および寿命の向上がはかられることになる。
密度の低減化をはかることができることから、この点欠
陥による非発光再結合中心の低減化をはかることがで
き、発光効率の向上、電流−光出力特性、電流−電圧特
性等の動作特性の向上がはかられる。また前述したよう
に点欠陥は、これが高密度に存在する場合、もしくは点
欠陥が集合（クラスタ）をなしている場合に劣化核とし
て作用し易く、また、ＮＲＲＥＤＭにより運動をするす
なわち劣化過程を担うことから、この点欠陥密度の低減
化をはかることができることは、半導体発光装置の特
性、例えば上述した発光効率、電流−光出力特性、電流
−電圧特性等の動作特性の劣化の回避、すなわち信頼性
および寿命の向上がはかられることになる。
【００４４】そして、上述の特性の劣化は、特に点欠陥
の集まりによる例えば線欠陥の転位からその欠陥が活性
層において増殖することによって顕著に生じるが、この
増殖は、II族原子の空格子とVI族原子の空格子が同時に
同数存在することによって生じやすいものであるが、本
発明構成では、不純物ドーピングによるケミカルキテン
シャルの移動によってII族の原子の例えばＺｎの帯電空
格子と、VI族原子例えばＳｅの帯電空格子の一方が増加
すれば、他方は減少することから、この増殖が生じにく
くなり、特性の劣化が生じにくくなる。
の集まりによる例えば線欠陥の転位からその欠陥が活性
層において増殖することによって顕著に生じるが、この
増殖は、II族原子の空格子とVI族原子の空格子が同時に
同数存在することによって生じやすいものであるが、本
発明構成では、不純物ドーピングによるケミカルキテン
シャルの移動によってII族の原子の例えばＺｎの帯電空
格子と、VI族原子例えばＳｅの帯電空格子の一方が増加
すれば、他方は減少することから、この増殖が生じにく
くなり、特性の劣化が生じにくくなる。
【００４５】また、上述の構成によれば、活性層におけ
る点欠陥分布の勾配が緩やかになることから、活性層へ
の点欠陥の拡散も生じにくくなって、活性層の特性劣化
をより抑制する効果が生じる。すなわち、いま、図９
に、活性層にｎ型のドーパントがドーピングされた場合
の、この活性層とその近傍のｎ型およびｐ型の各クラッ
ド層もしくはガイド層におけるバンドモデルを示すと、
この場合活性層にｎ型のドーパントがドーピングされて
いることにより、この活性層におけるケミカルポテンシ
ャルμは、この活性層に隣接するｎ型のクラッド層もし
くはガイド層のケミカルポテンシャルと同程度の平坦な
レベルないしは緩やかな勾配となることから、点欠陥
（空格子）の活性層、すなわち空乏層内における分布
は、平坦ないしは緩やかになる。したがって、この活性
層における点欠陥の拡散は生じにくくなる。
る点欠陥分布の勾配が緩やかになることから、活性層へ
の点欠陥の拡散も生じにくくなって、活性層の特性劣化
をより抑制する効果が生じる。すなわち、いま、図９
に、活性層にｎ型のドーパントがドーピングされた場合
の、この活性層とその近傍のｎ型およびｐ型の各クラッ
ド層もしくはガイド層におけるバンドモデルを示すと、
この場合活性層にｎ型のドーパントがドーピングされて
いることにより、この活性層におけるケミカルポテンシ
ャルμは、この活性層に隣接するｎ型のクラッド層もし
くはガイド層のケミカルポテンシャルと同程度の平坦な
レベルないしは緩やかな勾配となることから、点欠陥
（空格子）の活性層、すなわち空乏層内における分布
は、平坦ないしは緩やかになる。したがって、この活性
層における点欠陥の拡散は生じにくくなる。
【００４６】尚、図１および図７に示した例では、その
共振器長方向が活性層３の膜面方向で、かつストライプ
状電極１１の延長方向に沿う方向（図１および図７にお
ける紙面と直交する方向）の水平共振器構成とした場合
であるが、図１０に図７のＡ−Ａ線上の断面図を示すよ
うに、この水平共振器の両端面すなわち発光の出射面に
は、例えばＡｌ2 Ｏ3 膜による第１の膜２１とＳｉ膜に
よる第２の膜２２との多層構造によるコーティング膜３
０を被着形成してこの端面におけるの反射率、透過率の
設定を行うようにすることができる。
共振器長方向が活性層３の膜面方向で、かつストライプ
状電極１１の延長方向に沿う方向（図１および図７にお
ける紙面と直交する方向）の水平共振器構成とした場合
であるが、図１０に図７のＡ−Ａ線上の断面図を示すよ
うに、この水平共振器の両端面すなわち発光の出射面に
は、例えばＡｌ2 Ｏ3 膜による第１の膜２１とＳｉ膜に
よる第２の膜２２との多層構造によるコーティング膜３
０を被着形成してこの端面におけるの反射率、透過率の
設定を行うようにすることができる。
【００４７】また、図１、図７および図１０に示した例
では、水平方向から発光の出射を行うようにした場合で
あるが、例えば電極１１の厚さを１００ｎｍ以下の厚さ
として、活性層３の面と直交する方向に発光の出射をお
こなうようにしたいわゆる面発光構造とすることもでき
る。また、発光効率を有利にするために、例えば基板１
と第１のクラッド層２との間に例えばＣｌをドーピング
した例えばＺｎＭｇＳＳｅ薄膜とＺｎＳＳｅ薄膜による
超格子からなるブラッグリフレクタを配置することもで
きる。このとき上述したｐ型ＺｎＴｅからなるコンタク
ト層９や超格子構造半導体層８は設けない構造とするこ
とができる。
では、水平方向から発光の出射を行うようにした場合で
あるが、例えば電極１１の厚さを１００ｎｍ以下の厚さ
として、活性層３の面と直交する方向に発光の出射をお
こなうようにしたいわゆる面発光構造とすることもでき
る。また、発光効率を有利にするために、例えば基板１
と第１のクラッド層２との間に例えばＣｌをドーピング
した例えばＺｎＭｇＳＳｅ薄膜とＺｎＳＳｅ薄膜による
超格子からなるブラッグリフレクタを配置することもで
きる。このとき上述したｐ型ＺｎＴｅからなるコンタク
ト層９や超格子構造半導体層８は設けない構造とするこ
とができる。
【００４８】また、上述した例では、第１導電型がｎ型
で、第２導電型がｐ型である場合について説明したが、
これらが逆導電型であってもよいなど、そのほか、上述
した例に限らず、種々の構成によるII−VI族半導体発光
装置の構成に本発明を適用することができる。
で、第２導電型がｐ型である場合について説明したが、
これらが逆導電型であってもよいなど、そのほか、上述
した例に限らず、種々の構成によるII−VI族半導体発光
装置の構成に本発明を適用することができる。
【００４９】また、活性層がＺｎＳｅである場合、波長
が４７１ｎｍの短波長の発光を行うことができ、しかも
その発光効率、動作電流の低減化をはかることができる
が、前述したＺｎＣｄＳｅ、或いは他のII−VI族のＺｎ
ＳＳｅ等によって構成することもできる。
が４７１ｎｍの短波長の発光を行うことができ、しかも
その発光効率、動作電流の低減化をはかることができる
が、前述したＺｎＣｄＳｅ、或いは他のII−VI族のＺｎ
ＳＳｅ等によって構成することもできる。
【００５０】また、活性層３のドーピングするドーパン
トは、ｎ型あるいはｐ型のドーパントのいづれか一方で
あるに限られるものではなく、ｎ型およびｐ型の双方の
ドーパントを所要の濃度にドーピングすることによっ
て、空格子すなわち点欠陥密度の制御およびII族原子と
VI族原子の各空格子の濃度制御を行うようにすることも
できる。
トは、ｎ型あるいはｐ型のドーパントのいづれか一方で
あるに限られるものではなく、ｎ型およびｐ型の双方の
ドーパントを所要の濃度にドーピングすることによっ
て、空格子すなわち点欠陥密度の制御およびII族原子と
VI族原子の各空格子の濃度制御を行うようにすることも
できる。
【００５１】また、活性層３に対するｎ型ドーパントを
Ｃｌとすることで、クラッド層等の他のｎ型半導体層の
不純物と同一にすることができ、生産性に有利であると
共に、イオン半径が母体の例えばＺｎＣｄＳｅより小さ
いことから結晶を固化できＮＲＲＥＤによる転位の増殖
運動の抑制にも効果的である。しかしながら、このドー
パントとしては、上述したＣｌに限られるものではな
く、Ｇａを用いることもできる。
Ｃｌとすることで、クラッド層等の他のｎ型半導体層の
不純物と同一にすることができ、生産性に有利であると
共に、イオン半径が母体の例えばＺｎＣｄＳｅより小さ
いことから結晶を固化できＮＲＲＥＤによる転位の増殖
運動の抑制にも効果的である。しかしながら、このドー
パントとしては、上述したＣｌに限られるものではな
く、Ｇａを用いることもできる。
【００５２】また、活性層に対するドーパントは、ｎ型
ドーパントに限られるものではなく、ｐ型ドーパントに
よることもでき、特にｐ型ドーパントによるときはＮ
（窒素）を例えばプラズマドーピングによってドープす
ることができる。更にｎ型およびｐ型の双方のドーパン
トをドーピングすることもできる。
ドーパントに限られるものではなく、ｐ型ドーパントに
よることもでき、特にｐ型ドーパントによるときはＮ
（窒素）を例えばプラズマドーピングによってドープす
ることができる。更にｎ型およびｐ型の双方のドーパン
トをドーピングすることもできる。
【００５３】更に、基板１上への各半導体層のエピタキ
シャル成長は、ＭＢＥに限られるものではなく、ＭＯＣ
ＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition)等に
よることもできる。
シャル成長は、ＭＢＥに限られるものではなく、ＭＯＣ
ＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition)等に
よることもできる。
【００５４】また、上述した例では、例えば電極１１を
コンタクト層９にストライプ状にコンタクトさせてスト
ライプ構成の半導体レーザを構成した場合であるが、ス
トライプ形成部の両側に電流狭搾部を形成してストライ
プ部の構成する半導体レーザ構成とすることもできるな
ど、上述した構成に限られるものではなく、種々の変形
変更を行うことができるものである。
コンタクト層９にストライプ状にコンタクトさせてスト
ライプ構成の半導体レーザを構成した場合であるが、ス
トライプ形成部の両側に電流狭搾部を形成してストライ
プ部の構成する半導体レーザ構成とすることもできるな
ど、上述した構成に限られるものではなく、種々の変形
変更を行うことができるものである。
【００５５】また、本発明は、半導体レーザに限られる
ものではなく例えばストライプ構成による共振器構成を
とることなく発光ダイオードに本発明を適用することも
できるものである。
ものではなく例えばストライプ構成による共振器構成を
とることなく発光ダイオードに本発明を適用することも
できるものである。
【００５６】
【発明の効果】上述したように、本発明によるII-VI 族
化合物半導体発光装置においては、その活性層３にｎ型
またはｐ型の少なくともいづれか一方のドーパントドー
ピングすることによって、特性にすぐれ、長寿命の半導
体発光装置を構成することができる。
化合物半導体発光装置においては、その活性層３にｎ型
またはｐ型の少なくともいづれか一方のドーパントドー
ピングすることによって、特性にすぐれ、長寿命の半導
体発光装置を構成することができる。
【００５７】また、活性層としてＺｎＳｅを用いて室温
での発振が可能となり、短波長（４７１ｎｍ）の半導体
発光装置を構成することができ、また、他の活性層例え
ばＺｎＣｄＳｅ，ＺｎＳＳｅ等を用いる場合において
は、より発光効率を高めることができ、また動作電流の
低減化、しきい値電流Ｉthの低減化をはかることができ
るので、例えば光記録再生の光源として用いて、短波長
発光によって高記録密度、高解像度化をはかることがで
き、また消費電力の低減化をはかることができるなど多
くの利益をもたらす。
での発振が可能となり、短波長（４７１ｎｍ）の半導体
発光装置を構成することができ、また、他の活性層例え
ばＺｎＣｄＳｅ，ＺｎＳＳｅ等を用いる場合において
は、より発光効率を高めることができ、また動作電流の
低減化、しきい値電流Ｉthの低減化をはかることができ
るので、例えば光記録再生の光源として用いて、短波長
発光によって高記録密度、高解像度化をはかることがで
き、また消費電力の低減化をはかることができるなど多
くの利益をもたらす。
【図１】本発明による半導体発光装置の一実施例の概略
断面図である。
断面図である。
【図２】エピタキシー装置の一例の説明図である
【図３】バンドギャップと正孔濃度の関係を示す図であ
る。
る。
【図４】本発明による半導体発光装置の発光スペクトル
図である。
図である。
【図５】本発明の説明に供するＰＬ発光強度の不純物濃
度依存性を示す図である。
度依存性を示す図である。
【図６】本発明の説明に供するＰＬ発光スペクトルの半
値幅の不純物濃度依存性を示す図である。
値幅の不純物濃度依存性を示す図である。
【図７】本発明による半導体発光装置の他の実施例の概
略断面図である。
略断面図である。
【図８】本発明および従来の各半導体発光装置の動作電
流−電圧特性の測定結果を示す図である。
流−電圧特性の測定結果を示す図である。
【図９】本発明による半導体発光装置の説明に供するエ
ネルギーバンドモデル図である。
ネルギーバンドモデル図である。
【図１０】本発明による半導体発光装置の他の実施例の
概略断面図である。
概略断面図である。
１ 基板 ２ 第１のクラッド層 ３ 活性層 ４ 第２のクラッド層 １１，１２ 電極 ２１ 第１のガイド層 ２２ 第２のガイド層
フロントページの続き (72)発明者 吉田 浩 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 中野 一志 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 浮田 昌一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 喜嶋 悟 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 岡本 桜子 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に、 少なくとも第１導電型の第１のクラッド層と、 活性層と、 第２導電型の第２のクラッド層とを有し、 少なくとも前記活性層はII−VI族化合物半導体よりな
り、 前記活性層が、ｎ型、ｐ型のいづれか一方もしくは双方
のドーパントがドープされてなることを特徴とする半導
体発光装置。 - 【請求項２】 前記活性層がＺｎＳｅであることを特徴
とする請求項１に記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】 前記活性層がＺｎＣｄＳｅであることを
特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。 - 【請求項４】 前記活性層のｎ型ドーパントがＣｌであ
ることを特徴とする請求項１、２または３に記載の半導
体発光装置。 - 【請求項５】 前記Ｃｌのドープ原料が、ＺｎＣｌ2 で
あることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装
置。 - 【請求項６】 前記活性層のｐ型ドーパントがＮ（窒
素）であることを特徴とする請求項１、２または３に記
載の半導体発光装置。
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|---|---|---|---|
| JP1732795A JPH0897519A (ja) | 1994-07-29 | 1995-02-03 | 半導体発光装置 |
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| JP17877394 | 1994-07-29 | ||
| JP1732795A JPH0897519A (ja) | 1994-07-29 | 1995-02-03 | 半導体発光装置 |
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1997
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