JPH0897588A - 磁気シールド積層体及びこれを用いた磁気シールド材 - Google Patents
磁気シールド積層体及びこれを用いた磁気シールド材Info
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- JPH0897588A JPH0897588A JP6232726A JP23272694A JPH0897588A JP H0897588 A JPH0897588 A JP H0897588A JP 6232726 A JP6232726 A JP 6232726A JP 23272694 A JP23272694 A JP 23272694A JP H0897588 A JPH0897588 A JP H0897588A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化物超電導組成物の使用量に対して貴金属
箔の使用量が少なくて済み、軽量でかつ高い磁気遮蔽能
を有する 。 【構成】 片面に超電導体層１１が形成された貴金属箔
１２が複数積層圧延され焼成された磁気シールド積層体
１０に関し、貴金属箔１２の全厚に対する超電導体層１
１の全厚の比が０．５〜１．４であって、貴金属箔１２
の一枚の厚さが少なくとも９０μｍであることを特徴と
する。磁気シールド複合積層体１５，…，１５は複数個
その積層面方向に密接に並べて、エポキシ樹脂のような
接着剤により接着され、シート状の磁気シールド材２０
となる。
箔の使用量が少なくて済み、軽量でかつ高い磁気遮蔽能
を有する 。 【構成】 片面に超電導体層１１が形成された貴金属箔
１２が複数積層圧延され焼成された磁気シールド積層体
１０に関し、貴金属箔１２の全厚に対する超電導体層１
１の全厚の比が０．５〜１．４であって、貴金属箔１２
の一枚の厚さが少なくとも９０μｍであることを特徴と
する。磁気シールド複合積層体１５，…，１５は複数個
その積層面方向に密接に並べて、エポキシ樹脂のような
接着剤により接着され、シート状の磁気シールド材２０
となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外部磁場を遮蔽する磁
気シールド積層体に関する。更に詳しくは複数の磁気シ
ールド積層体を組立てて作られる磁気シールド材に関す
るものである。
気シールド積層体に関する。更に詳しくは複数の磁気シ
ールド積層体を組立てて作られる磁気シールド材に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の磁気シールド積層体の製造方法
として、熱処理により超電導体になる酸化物粉末及び酸
化物超電導体粉末のうちの少なくとも一種を銀パイプの
ような金属管に充填して金属酸化物複合体を作製し、こ
れを銀テープのような線材に加工し、この線材を熱処理
して超電導体した後、線材に結晶配向を高める処理をし
て複数本の銀テープを別の銀テープでスパイラル状に巻
くことにより、線材を束ね一体化し、更に再熱処理して
酸化物超電導線材を得る方法が開示されている（特開平
５−２７４９３３）。また別の磁気シールド積層体とし
て、基材上に必要に応じて下地層を形成した後、溶射法
によりビスマス系酸化物超電導体の低Ｔｃ相（８０Ｋ
相）と高Ｔｃ相（１１０Ｋ相）の組成を基本とする超電
導体皮膜を交互に積層させて作られたものが提案されて
いる（特開平５−２８３８８１）。
として、熱処理により超電導体になる酸化物粉末及び酸
化物超電導体粉末のうちの少なくとも一種を銀パイプの
ような金属管に充填して金属酸化物複合体を作製し、こ
れを銀テープのような線材に加工し、この線材を熱処理
して超電導体した後、線材に結晶配向を高める処理をし
て複数本の銀テープを別の銀テープでスパイラル状に巻
くことにより、線材を束ね一体化し、更に再熱処理して
酸化物超電導線材を得る方法が開示されている（特開平
５−２７４９３３）。また別の磁気シールド積層体とし
て、基材上に必要に応じて下地層を形成した後、溶射法
によりビスマス系酸化物超電導体の低Ｔｃ相（８０Ｋ
相）と高Ｔｃ相（１１０Ｋ相）の組成を基本とする超電
導体皮膜を交互に積層させて作られたものが提案されて
いる（特開平５−２８３８８１）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に超電導体からな
る磁気シールド材において外部磁場からの磁気を遮蔽す
るための電流（以下、シールド電流という）が流れる部
位は、超電導体の表面と考えられている。しかしなが
ら、前者の磁気シールド積層体では銀パイプの全厚に比
較して超電導体層の厚さの割合が小さい。このため磁気
シールド積層体を厚くしないと所望の磁気遮蔽能が得ら
れない不具合があった。これを回避するために磁気シー
ルド積層体の厚さを大きくすると、磁気シールド積層体
の重量が増加し、例えば移動型ＭＲＩ等の磁気シールド
材としては適さない問題点があった。また後者の磁気シ
ールド積層体では、超電導体層が複数積層されるため、
超電導体の容積は高まるものの超電導体の界面が少な
く、やはり磁気遮蔽能に劣る不具合があった。本発明の
目的は、酸化物超電導組成物の使用量に対して貴金属箔
の使用量が少なくて済み、軽量でかつ高い磁気遮蔽能を
有する磁気シールド積層体及びこれを用いた磁気シール
ド材を提供することにある。
る磁気シールド材において外部磁場からの磁気を遮蔽す
るための電流（以下、シールド電流という）が流れる部
位は、超電導体の表面と考えられている。しかしなが
ら、前者の磁気シールド積層体では銀パイプの全厚に比
較して超電導体層の厚さの割合が小さい。このため磁気
シールド積層体を厚くしないと所望の磁気遮蔽能が得ら
れない不具合があった。これを回避するために磁気シー
ルド積層体の厚さを大きくすると、磁気シールド積層体
の重量が増加し、例えば移動型ＭＲＩ等の磁気シールド
材としては適さない問題点があった。また後者の磁気シ
ールド積層体では、超電導体層が複数積層されるため、
超電導体の容積は高まるものの超電導体の界面が少な
く、やはり磁気遮蔽能に劣る不具合があった。本発明の
目的は、酸化物超電導組成物の使用量に対して貴金属箔
の使用量が少なくて済み、軽量でかつ高い磁気遮蔽能を
有する磁気シールド積層体及びこれを用いた磁気シール
ド材を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】図１（ａ）〜図１（ｄ）
に示すように、本発明の磁気シールド積層体１０は片面
に超電導体層１１が形成された貴金属箔１２が複数積層
圧延され焼成されたものである。その特徴ある構成は貴
金属箔１２の全厚に対する超電導体層１１の全厚の比が
０．５〜１．４であって、貴金属箔１２の一枚の厚さが
少なくとも９０μｍであることにある。図１（ｃ）及び
図１（ｅ）に示すように、本発明の磁気シールド複合積
層体１５は片面に超電導体層１１が形成された貴金属箔
１２が複数積層圧延された、２組の磁気シールド圧延体
１３，１３がその積層面方向に互いに所定の距離だけず
らして接合され焼成されることにより一体化したもので
ある。その特徴ある構成は貴金属箔１２の全厚に対する
超電導体層１１の全厚の比が０．５〜１．４であって、
貴金属箔１２の一枚の厚さが少なくとも９０μｍである
ことにある。図２（ａ）に示すように、本発明の磁気シ
ールド材２０は複数の磁気シールド複合積層体１５，
…，１５がその積層面方向に密接に並べて接着されたも
のである。
に示すように、本発明の磁気シールド積層体１０は片面
に超電導体層１１が形成された貴金属箔１２が複数積層
圧延され焼成されたものである。その特徴ある構成は貴
金属箔１２の全厚に対する超電導体層１１の全厚の比が
０．５〜１．４であって、貴金属箔１２の一枚の厚さが
少なくとも９０μｍであることにある。図１（ｃ）及び
図１（ｅ）に示すように、本発明の磁気シールド複合積
層体１５は片面に超電導体層１１が形成された貴金属箔
１２が複数積層圧延された、２組の磁気シールド圧延体
１３，１３がその積層面方向に互いに所定の距離だけず
らして接合され焼成されることにより一体化したもので
ある。その特徴ある構成は貴金属箔１２の全厚に対する
超電導体層１１の全厚の比が０．５〜１．４であって、
貴金属箔１２の一枚の厚さが少なくとも９０μｍである
ことにある。図２（ａ）に示すように、本発明の磁気シ
ールド材２０は複数の磁気シールド複合積層体１５，
…，１５がその積層面方向に密接に並べて接着されたも
のである。
【０００５】以下、本発明を詳述する。本発明の貴金属
箔は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ又はその合金からなる金
属箔である。Ａｇ又はその合金が比較的安価であって、
酸素の拡散が速く、酸化物超電導体の酸素量を制御し易
いため、好ましい。貴金属箔を用いるのは、超電導体と
の反応性が低いためである。この貴金属箔の厚さは５０
μｍ〜２００μｍの範囲のものが好ましく、８０μｍ〜
１００μｍの範囲のものが更に好ましい。厚さが５０μ
ｍ未満では積層圧延時に強度上問題があり、２００μｍ
を越えるとそれに応じて超電導体層を厚くする必要があ
り、磁気シールド積層体の厚さが増大し、それぞれ好ま
しくない。また上記厚さの範囲は磁気シールド積層体の
成形性を考慮して決められる。超電導体層は貴金属箔の
片面に均一に形成される。例えば酸化物超電導組成物を
含む超電導体ペーストをドクタブレード法等により貴金
属箔の片面にコーティングし、脱脂乾燥後、仮焼して作
られる。この酸化物超電導組成物はＢｉ2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃ
ｕ3Ｏ10系（以下、Ｂｉ２２２３系という）酸化物超電
導組成物が好ましい。この酸化物超電導組成物には不可
避不純物として、０．１〜４．０重量％のＫと、０．１
〜１．１重量％のＣとをそれぞれ含むことが酸化物超電
導組成物の密度を高めて、これにより高い磁気エネルギ
に耐え得るため、好ましい。
箔は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ又はその合金からなる金
属箔である。Ａｇ又はその合金が比較的安価であって、
酸素の拡散が速く、酸化物超電導体の酸素量を制御し易
いため、好ましい。貴金属箔を用いるのは、超電導体と
の反応性が低いためである。この貴金属箔の厚さは５０
μｍ〜２００μｍの範囲のものが好ましく、８０μｍ〜
１００μｍの範囲のものが更に好ましい。厚さが５０μ
ｍ未満では積層圧延時に強度上問題があり、２００μｍ
を越えるとそれに応じて超電導体層を厚くする必要があ
り、磁気シールド積層体の厚さが増大し、それぞれ好ま
しくない。また上記厚さの範囲は磁気シールド積層体の
成形性を考慮して決められる。超電導体層は貴金属箔の
片面に均一に形成される。例えば酸化物超電導組成物を
含む超電導体ペーストをドクタブレード法等により貴金
属箔の片面にコーティングし、脱脂乾燥後、仮焼して作
られる。この酸化物超電導組成物はＢｉ2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃ
ｕ3Ｏ10系（以下、Ｂｉ２２２３系という）酸化物超電
導組成物が好ましい。この酸化物超電導組成物には不可
避不純物として、０．１〜４．０重量％のＫと、０．１
〜１．１重量％のＣとをそれぞれ含むことが酸化物超電
導組成物の密度を高めて、これにより高い磁気エネルギ
に耐え得るため、好ましい。
【０００６】図１（ａ）〜図１（ｄ）に示すように、超
電導体層１１が形成された貴金属箔１２は複数積層圧延
されて磁気シールド圧延体１３にした後、焼成されて磁
気シールド積層体１０となる。このときの積層数は要求
される磁気遮蔽能が応じて決められる。例えば高い磁気
遮蔽能が求められるときには積層数を増大する。本発明
の磁気シールド積層体１０はその積層断面をを観察した
場合に、貴金属箔１２の全厚に対する超電導体層１１の
全厚の比が０．５〜１．４であることが必要である。好
ましい比率は０．７５〜０．９である。０．５未満では
超電導相の結晶粒子の配向性が劣り、１．４を越えると
超電導相の密度が不十分でしかもその均一性が劣るよう
になる。
電導体層１１が形成された貴金属箔１２は複数積層圧延
されて磁気シールド圧延体１３にした後、焼成されて磁
気シールド積層体１０となる。このときの積層数は要求
される磁気遮蔽能が応じて決められる。例えば高い磁気
遮蔽能が求められるときには積層数を増大する。本発明
の磁気シールド積層体１０はその積層断面をを観察した
場合に、貴金属箔１２の全厚に対する超電導体層１１の
全厚の比が０．５〜１．４であることが必要である。好
ましい比率は０．７５〜０．９である。０．５未満では
超電導相の結晶粒子の配向性が劣り、１．４を越えると
超電導相の密度が不十分でしかもその均一性が劣るよう
になる。
【０００７】図１（ｃ）で得られた磁気シールド圧延体
１３は、図１（ｅ）に示すように２組ずつその積層面方
向に互いに所定の距離だけずらして接合しその状態で再
度焼成することにより、一方の磁気シールド圧延体１３
の上面の超電導体層１１と他方の磁気シールド圧延体１
３の下面の貴金属箔１２が密着して磁気シールド複合積
層体１５を形成することもできる。
１３は、図１（ｅ）に示すように２組ずつその積層面方
向に互いに所定の距離だけずらして接合しその状態で再
度焼成することにより、一方の磁気シールド圧延体１３
の上面の超電導体層１１と他方の磁気シールド圧延体１
３の下面の貴金属箔１２が密着して磁気シールド複合積
層体１５を形成することもできる。
【０００８】図２（ａ）に示すように、このように得ら
れた磁気シールド複合積層体１５，…，１５は複数個そ
の積層面方向に密接に並べて、エポキシ樹脂のような接
着剤により接着され、シート状の磁気シールド材２０と
なる。磁気シールド圧延体１３を所望の曲率で湾曲して
成形し、図２（ｂ）に示すように、これらを接合して磁
気シールド複合積層体１６にした後、その積層面方向に
同様に並べて接着すれば、ドーム状磁気シールド材２
１、或いは図示しないが円筒状の磁気シールド材が得ら
れる。
れた磁気シールド複合積層体１５，…，１５は複数個そ
の積層面方向に密接に並べて、エポキシ樹脂のような接
着剤により接着され、シート状の磁気シールド材２０と
なる。磁気シールド圧延体１３を所望の曲率で湾曲して
成形し、図２（ｂ）に示すように、これらを接合して磁
気シールド複合積層体１６にした後、その積層面方向に
同様に並べて接着すれば、ドーム状磁気シールド材２
１、或いは図示しないが円筒状の磁気シールド材が得ら
れる。
【０００９】
【作用】単一の超電導体層と比べて、積層した磁気シー
ルド積層体は磁気遮蔽能は増大する。特に図２（ａ）に
示すように多数の磁気シールド複合積層体１５を組み立
てた磁気シールド材２０は、積層体１５の継ぎ目の部分
から磁気が漏洩することがなく、所望の面積にわたって
磁気を遮蔽することができる。理論的解明は未だ十分に
なされていないが、超電導体層を構成する酸化物超電導
組成物の主成分がＢｉ２２２３系であって、その中にＣ
とＫとを含むと、超電導組成物になるまでの過程でＣと
Ｋとにより炭酸カリウム（Ｋ2ＣＯ3）が生成され、それ
が炭酸カリウムの融点に近い温度での焼成により溶融液
となり、この溶融液が酸化物超電導組成物となる粒子の
間に介在しながら粒成長し、組成物の結晶粒子の配向度
が高くなり、組成物が高密度になると考えられる。また
積層圧延工程で粒子配向が更に機械的に促進される。特
に酸化物超電導組成物中のＫとＣの含有量を上記所定の
範囲にすることにより、結晶粒子の配向度がより一層高
まって、理論密度に対する酸化物超電導組成物の密度比
は９０％以上となり、この組成物の薄層を貴金属箔表面
に形成し積層した磁気シールド積層体はより高い磁気遮
蔽能を有するようになる。
ルド積層体は磁気遮蔽能は増大する。特に図２（ａ）に
示すように多数の磁気シールド複合積層体１５を組み立
てた磁気シールド材２０は、積層体１５の継ぎ目の部分
から磁気が漏洩することがなく、所望の面積にわたって
磁気を遮蔽することができる。理論的解明は未だ十分に
なされていないが、超電導体層を構成する酸化物超電導
組成物の主成分がＢｉ２２２３系であって、その中にＣ
とＫとを含むと、超電導組成物になるまでの過程でＣと
Ｋとにより炭酸カリウム（Ｋ2ＣＯ3）が生成され、それ
が炭酸カリウムの融点に近い温度での焼成により溶融液
となり、この溶融液が酸化物超電導組成物となる粒子の
間に介在しながら粒成長し、組成物の結晶粒子の配向度
が高くなり、組成物が高密度になると考えられる。また
積層圧延工程で粒子配向が更に機械的に促進される。特
に酸化物超電導組成物中のＫとＣの含有量を上記所定の
範囲にすることにより、結晶粒子の配向度がより一層高
まって、理論密度に対する酸化物超電導組成物の密度比
は９０％以上となり、この組成物の薄層を貴金属箔表面
に形成し積層した磁気シールド積層体はより高い磁気遮
蔽能を有するようになる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例を比較例とともに説明
する。 ＜実施例１〜４＞出発原料として、硝酸ビスマスと硝酸
鉛と炭酸ストロンチウムと炭酸カルシウムと酸化銅をそ
れぞれ用意し、各金属の原子比がＢｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕ＝１．７：０．３：２：２：３になるように、
これらの化合物を秤量しシュウ酸共沈法で原料粉末を合
成した。この原料粉末を７５０℃に仮焼した後、乾式ボ
ールミルで粉砕混合し、得られた粉末を８１０℃に仮焼
した後、同様に粉砕混合し、更に得られた粉末を８４０
℃に仮焼した後、同様に粉砕混合した。得られた粉末は
超電導化合物相を生成していた。この超電導化合物を１
００ｇ採取し、これに溶媒としてノルマルヘキサン１０
０ｍｌを加えた後、この超電導化合物を粉砕媒体として
直径５ｍｍのＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）ボ
ールが１００ｇ入った湿式ボールミルで１０時間一次粉
砕した。この一次粉砕した超電導化合物１００ｇに更に
ノルマルヘキサン１００ｍｌを溶媒として加え、粉砕媒
体として直径２ｍｍのＹＳＺボールが１００ｇ入った湿
式ボールミルで１５時間二次粉砕した。二次粉砕したサ
ブミクロンオーダーの超電導化合物を１０ｇ採取し、こ
れにエチルセルロース６．５ｍｌと解膠剤６ｍｌとＡｇ
粉末１ｇを均一に混合して超電導体ペーストを調製し
た。
する。 ＜実施例１〜４＞出発原料として、硝酸ビスマスと硝酸
鉛と炭酸ストロンチウムと炭酸カルシウムと酸化銅をそ
れぞれ用意し、各金属の原子比がＢｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕ＝１．７：０．３：２：２：３になるように、
これらの化合物を秤量しシュウ酸共沈法で原料粉末を合
成した。この原料粉末を７５０℃に仮焼した後、乾式ボ
ールミルで粉砕混合し、得られた粉末を８１０℃に仮焼
した後、同様に粉砕混合し、更に得られた粉末を８４０
℃に仮焼した後、同様に粉砕混合した。得られた粉末は
超電導化合物相を生成していた。この超電導化合物を１
００ｇ採取し、これに溶媒としてノルマルヘキサン１０
０ｍｌを加えた後、この超電導化合物を粉砕媒体として
直径５ｍｍのＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）ボ
ールが１００ｇ入った湿式ボールミルで１０時間一次粉
砕した。この一次粉砕した超電導化合物１００ｇに更に
ノルマルヘキサン１００ｍｌを溶媒として加え、粉砕媒
体として直径２ｍｍのＹＳＺボールが１００ｇ入った湿
式ボールミルで１５時間二次粉砕した。二次粉砕したサ
ブミクロンオーダーの超電導化合物を１０ｇ採取し、こ
れにエチルセルロース６．５ｍｌと解膠剤６ｍｌとＡｇ
粉末１ｇを均一に混合して超電導体ペーストを調製し
た。
【００１１】縦１００ｍｍ、横５０ｍｍ、厚さ１００μ
ｍのＡｇ箔を１２枚用意し、１２枚のＡｇ箔の片面に上
記超電導体ペーストをドクターブレード法によりそれぞ
れ１００μｍの厚さでコーティングした。これらのＡｇ
箔を大気中で１２０℃、２時間熱処理し、続いて大気中
で２５０℃、１時間熱処理し、更に大気中で３５０℃、
２時間熱処理することにより脱脂処理した。次にこれら
のＡｇ箔を酸素と窒素の混合ガス雰囲気下で８２５℃〜
８３５℃、２０時間焼成した後、Ａｇ箔を３枚ずつ重ね
て４組の積層体を作り、積層体毎に圧力を変えて圧延し
た。圧延した積層体を酸素と窒素の混合ガス雰囲気下で
８３２℃、４０時間焼成することにより、４種類（実施
例１〜実施例４）の磁気シールド積層体を得た。
ｍのＡｇ箔を１２枚用意し、１２枚のＡｇ箔の片面に上
記超電導体ペーストをドクターブレード法によりそれぞ
れ１００μｍの厚さでコーティングした。これらのＡｇ
箔を大気中で１２０℃、２時間熱処理し、続いて大気中
で２５０℃、１時間熱処理し、更に大気中で３５０℃、
２時間熱処理することにより脱脂処理した。次にこれら
のＡｇ箔を酸素と窒素の混合ガス雰囲気下で８２５℃〜
８３５℃、２０時間焼成した後、Ａｇ箔を３枚ずつ重ね
て４組の積層体を作り、積層体毎に圧力を変えて圧延し
た。圧延した積層体を酸素と窒素の混合ガス雰囲気下で
８３２℃、４０時間焼成することにより、４種類（実施
例１〜実施例４）の磁気シールド積層体を得た。
【００１２】＜実施例５〜８＞実施例１〜４と同じ超電
導体ペーストを用意し、このペーストを縦１００ｍｍ、
横５０ｍｍ、厚さ１００μｍの１２枚のＡｇ箔の片面に
ドクターブレード法によりそれぞれ５０μｍ、８０μ
ｍ、１５０μｍ、２００μｍの厚さで３枚ずつコーティ
ングした以外は、実施例１〜４と同様にして、４種類
（実施例５〜実施例８）の磁気シールド積層体を得た。
導体ペーストを用意し、このペーストを縦１００ｍｍ、
横５０ｍｍ、厚さ１００μｍの１２枚のＡｇ箔の片面に
ドクターブレード法によりそれぞれ５０μｍ、８０μ
ｍ、１５０μｍ、２００μｍの厚さで３枚ずつコーティ
ングした以外は、実施例１〜４と同様にして、４種類
（実施例５〜実施例８）の磁気シールド積層体を得た。
【００１３】＜実施例９〜１２＞実施例１〜４のシュウ
酸共沈法の代わりに、実施例１〜４と同じ比率で秤量し
た実施例１〜４と同じ出発原料の化合物をｐＨ調整過程
の一部にＫＯＨ水溶液を使用するシュウ酸エタノール共
沈法で原料粉末を合成した以外は、実施例１〜４と同様
にして、４種類（実施例９〜実施例１２）の磁気シール
ド積層体を得た。なお、ＫＯＨ水溶液はＫ（カリウム）
を、またエタノール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）は同じくＣ（炭素）
をそれぞれ酸化物超電導組成物の不可避成分として含有
するために用いた。
酸共沈法の代わりに、実施例１〜４と同じ比率で秤量し
た実施例１〜４と同じ出発原料の化合物をｐＨ調整過程
の一部にＫＯＨ水溶液を使用するシュウ酸エタノール共
沈法で原料粉末を合成した以外は、実施例１〜４と同様
にして、４種類（実施例９〜実施例１２）の磁気シール
ド積層体を得た。なお、ＫＯＨ水溶液はＫ（カリウム）
を、またエタノール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）は同じくＣ（炭素）
をそれぞれ酸化物超電導組成物の不可避成分として含有
するために用いた。
【００１４】＜比較例１〜４＞縦１００ｍｍ、横５０ｍ
ｍ、厚さ１００μｍのＡｇ箔を４枚用意し、４枚のＡｇ
箔の片面に実施例１〜４と同一の超電導体ペーストを同
様にコーティング、熱処理及び脱脂処理をした。４枚の
Ａｇ箔を実施例１〜４と同様に圧力を変えて圧延し、超
電導体層が一層でＡｇ箔が一枚だけの４種類（比較例１
〜比較例４）の磁気シールド積層体を得た。
ｍ、厚さ１００μｍのＡｇ箔を４枚用意し、４枚のＡｇ
箔の片面に実施例１〜４と同一の超電導体ペーストを同
様にコーティング、熱処理及び脱脂処理をした。４枚の
Ａｇ箔を実施例１〜４と同様に圧力を変えて圧延し、超
電導体層が一層でＡｇ箔が一枚だけの４種類（比較例１
〜比較例４）の磁気シールド積層体を得た。
【００１５】＜比較例５〜８＞実施例１〜４と同じ超電
導体ペーストを用意し、このペーストを縦１００ｍｍ、
横５０ｍｍ、厚さ１００μｍの１２枚のＡｇ箔の片面に
ドクターブレード法によりそれぞれ５μｍ、４０μｍ、
２５０μｍ、５００μｍの厚さで３枚ずつコーティング
した以外は、実施例１〜４と同様にして、４種類（比較
例５〜比較例８）の磁気シールド積層体を得た。
導体ペーストを用意し、このペーストを縦１００ｍｍ、
横５０ｍｍ、厚さ１００μｍの１２枚のＡｇ箔の片面に
ドクターブレード法によりそれぞれ５μｍ、４０μｍ、
２５０μｍ、５００μｍの厚さで３枚ずつコーティング
した以外は、実施例１〜４と同様にして、４種類（比較
例５〜比較例８）の磁気シールド積層体を得た。
【００１６】＜評価＞実施例１〜１２及び比較例１〜８
の磁気シールド積層体をそれぞれ液体窒素に浸漬し、磁
場発生コイルとピックアップコイルとにより磁気シール
ド積層体を挟むようにして両コイルを設置した。磁場発
生コイルとピックアップコイルの間に１エルステッドの
磁界を加え、室温での電圧と絶対温度７７Ｋでの電圧の
比を求めることにより磁界の減衰率を測定した。その結
果を表１に示す。表１において、「圧下比」及び「厚さ
の比」は次の式（１）及び式（２）によりそれぞれ算出
した。また「積層体の全厚」は圧延焼成後の積層体の全
厚を意味する。 圧下比 ＝ （圧延後の厚さ／圧延前の厚さ） ……（１） 厚さの比 ＝ （超電導体層の全厚／Ａｇ箔の全厚）……（２）
の磁気シールド積層体をそれぞれ液体窒素に浸漬し、磁
場発生コイルとピックアップコイルとにより磁気シール
ド積層体を挟むようにして両コイルを設置した。磁場発
生コイルとピックアップコイルの間に１エルステッドの
磁界を加え、室温での電圧と絶対温度７７Ｋでの電圧の
比を求めることにより磁界の減衰率を測定した。その結
果を表１に示す。表１において、「圧下比」及び「厚さ
の比」は次の式（１）及び式（２）によりそれぞれ算出
した。また「積層体の全厚」は圧延焼成後の積層体の全
厚を意味する。 圧下比 ＝ （圧延後の厚さ／圧延前の厚さ） ……（１） 厚さの比 ＝ （超電導体層の全厚／Ａｇ箔の全厚）……（２）
【００１７】
【表１】
【００１８】表１から明らかなように、比較例１〜８の
磁界の減衰率は１．０×１０-2〜１．０×１０-1の範囲
にあって磁気シールド材として不十分であるのに対し
て、実施例１〜１２の磁界の減衰率は１．０×１０-5〜
１．０×１０-4の範囲にあって磁気シールド材として十
分に機能することが判明した。特に酸化物超電導組成物
に不可避不純物としてＫ及びＣを含んだ実施例９〜１２
は、より減衰率が小さく磁気遮蔽能がより高いことが判
った。
磁界の減衰率は１．０×１０-2〜１．０×１０-1の範囲
にあって磁気シールド材として不十分であるのに対し
て、実施例１〜１２の磁界の減衰率は１．０×１０-5〜
１．０×１０-4の範囲にあって磁気シールド材として十
分に機能することが判明した。特に酸化物超電導組成物
に不可避不純物としてＫ及びＣを含んだ実施例９〜１２
は、より減衰率が小さく磁気遮蔽能がより高いことが判
った。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、超
電導体層と貴金属箔とを交互に積層し、所定の厚さ比に
することにより、酸化物超電導組成物の使用量に比して
貴金属箔の使用量を少なくして、超電導体層の表面積を
増大できるため、シールド電流の流れる部位が広範囲に
なる。その結果、軽量で高い磁気遮蔽能を有する磁気シ
ールド積層体が得られる。特に、酸化物超電導組成物を
Ｂｉ２２２３系にして、不可避不純物としてＫとＣとを
それぞれ含む場合には、より高い磁気遮蔽効果を奏す
る。更に多数の磁気シールド複合積層体を組み立てた磁
気シールド材は、積層体の継ぎ目の部分から磁気が漏洩
することがなく、所望の面積にわたって磁気を遮蔽する
ことができる。
電導体層と貴金属箔とを交互に積層し、所定の厚さ比に
することにより、酸化物超電導組成物の使用量に比して
貴金属箔の使用量を少なくして、超電導体層の表面積を
増大できるため、シールド電流の流れる部位が広範囲に
なる。その結果、軽量で高い磁気遮蔽能を有する磁気シ
ールド積層体が得られる。特に、酸化物超電導組成物を
Ｂｉ２２２３系にして、不可避不純物としてＫとＣとを
それぞれ含む場合には、より高い磁気遮蔽効果を奏す
る。更に多数の磁気シールド複合積層体を組み立てた磁
気シールド材は、積層体の継ぎ目の部分から磁気が漏洩
することがなく、所望の面積にわたって磁気を遮蔽する
ことができる。
【図１】本発明の磁気シールド積層体及び磁気シールド
複合積層体の製造工程図。
複合積層体の製造工程図。
【図２】本発明の磁気シールド材の側面図。
１０ 磁気シールド積層体 １１ 超電導体層 １２ 貴金属箔（Ａｇ箔） １３ 磁気シールド圧延体 １５，１６ 磁気シールド複合積層体 ２０，２１ 磁気シールド材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/14 39/00 ＺＡＡ Ｓ
Claims (4)
- 【請求項１】 片面に超電導体層(11)が形成された貴金
属箔(12)が複数積層圧延され焼成された磁気シールド積
層体(10)であって、 前記貴金属箔(12)の全厚に対する前記超電導体層(11)の
全厚の比が０．５〜１．４であって、前記貴金属箔(12)
の一枚の厚さが少なくとも９０μｍであることを特徴と
する磁気シールド積層体。 - 【請求項２】 超電導体層(11)を構成する酸化物超電導
組成物の主成分がＢｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ及びＯ
であって、不可避不純物としてＫ及びＣを含む請求項１
記載の磁気シールド積層体。 - 【請求項３】 片面に超電導体層(11)が形成された貴金
属箔(12)が複数積層圧延された２組の磁気シールド圧延
体(13)がその積層面方向に互いに所定の距離だけずらし
て接合され焼成されることにより一体化した磁気シール
ド複合積層体(15)であって、 前記貴金属箔(12)の全厚に対する前記超電導体層(11)の
全厚の比が０．５〜１．４であって、前記貴金属箔(12)
の一枚の厚さが少なくとも９０μｍであることを特徴と
する磁気シールド複合積層体。 - 【請求項４】 請求項３記載の複数の磁気シールド複合
積層体(15)がその積層面方向に密接に並べて接着された
磁気シールド材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6232726A JPH0897588A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 磁気シールド積層体及びこれを用いた磁気シールド材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6232726A JPH0897588A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 磁気シールド積層体及びこれを用いた磁気シールド材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897588A true JPH0897588A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16943828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6232726A Withdrawn JPH0897588A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 磁気シールド積層体及びこれを用いた磁気シールド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897588A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023144882A (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-11 | 株式会社プロテリアル | 磁性シート、巻体状磁性シート、及び多層磁性シート |
-
1994
- 1994-09-28 JP JP6232726A patent/JPH0897588A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023144882A (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-11 | 株式会社プロテリアル | 磁性シート、巻体状磁性シート、及び多層磁性シート |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |