JPH0898521A - Switching power supply - Google Patents
Switching power supplyInfo
- Publication number
- JPH0898521A JPH0898521A JP6228553A JP22855394A JPH0898521A JP H0898521 A JPH0898521 A JP H0898521A JP 6228553 A JP6228553 A JP 6228553A JP 22855394 A JP22855394 A JP 22855394A JP H0898521 A JPH0898521 A JP H0898521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- resistor
- fet
- gate
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】スイッチング素子としてのFETが完全にオン
動作をするようにする。
【構成】スイッチング素子としてのFET3の開閉制御
回路をFET3に並列に接続されたダイオード15およ
びコンデンサ16からなる直列回路と、この直列回路の
ダイオード15とコンデンサ16の接続点とFET3の
ゲートとの間に接続されたゲート抵抗8と、そのコレク
タが抵抗10を介しFET3のゲートにそのエミッタが
コンデンサ5とインダクタ6の接続点に接続され、その
ベースに電圧検出回路40からの検出信号が入力される
トランジスタ11からなる開閉制御回路42で構成す
る。
(57) [Abstract] [Purpose] The FET as a switching element should be turned on completely. A series circuit composed of a diode 15 and a capacitor 16 connected in parallel to the FET3 as a switching control circuit of a FET3 as a switching element, and a connection point between the diode 15 and the capacitor 16 of the series circuit and the gate of the FET3. The gate resistor 8 connected to the gate of the FET 3 has its collector connected to the gate of the FET 3 via the resistor 10, its emitter connected to the connection point of the capacitor 5 and the inductor 6, and the base thereof receives the detection signal from the voltage detection circuit 40. The switching control circuit 42 including the transistor 11 is used.
Description
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は漏電警報付配線用遮断器
の内部電源などに用いられるスイッチング電源装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a switching power supply device used as an internal power supply for a circuit breaker with an earth leakage alarm.
【0002】[0002]
【従来の技術】図13はこの種のスイッチング電源装置
の従来例を示す回路図である。図13において、スイッ
チング電源装置は正側直流電源端子Pと負側直流電源端
子Nとの間に、接続されたスイッチング素子としてのF
ET3のドレイン・ソース,ダイオード4のアノード・
カソード,コンデンサ5およびインダクタ6からなる直
列回路と、ダイオード4のカソードと負側直流電源端子
Nとの間に接続されたダイオード7のカソード・アノー
ドと、コンデンサ5に並列に接続されたツェナーダイオ
ード12のカソード・アノードおよび抵抗13とからな
り、これらツェナーダイオード12と抵抗13の接続点
から検出信号を出力する電圧検出回路40と、そのコレ
クタが抵抗10を介しFET3のゲートに、そのエミッ
タがコンデンサ5とインダクタ6の接続点に、そのベー
スに限流抵抗14を介し電圧検出回路40からの検出信
号が入力されるトランジスタ11と、FET3のドレイ
ン・ゲート間に接続されたゲート抵抗8と、FET3の
ソース・ゲート間に接続されたツェナーダイオード9の
アノード・カソードとから構成され、負荷2はコンデン
サ5に並列に接続される。ここでゲート抵抗8,抵抗1
0,限流抵抗14およびトランジスタ11は、FET3
の開閉制御回路45を構成する。なお、ツェナーダイオ
ード9はFET3のゲート・ソース間電圧の過電圧防止
用のツェナーダイオードである。2. Description of the Related Art FIG. 13 is a circuit diagram showing a conventional example of this type of switching power supply device. In FIG. 13, the switching power supply device has an F as a switching element connected between a positive side DC power supply terminal P and a negative side DC power supply terminal N.
Drain / source of ET3, anode of diode 4
A series circuit including a cathode, a capacitor 5, and an inductor 6, a cathode / anode of a diode 7 connected between the cathode of the diode 4 and the negative side DC power supply terminal N, and a zener diode 12 connected in parallel with the capacitor 5. A voltage detection circuit 40 that outputs a detection signal from the connection point between the Zener diode 12 and the resistor 13, its collector to the gate of the FET 3 via the resistor 10, and its emitter to the capacitor 5 At the connection point of the inductor 6 and the inductor 6, the transistor 11 to which the detection signal from the voltage detection circuit 40 is input via the current limiting resistor 14 at its base, the gate resistor 8 connected between the drain and gate of the FET 3, and the FET 3 Anode / Caso of Zener diode 9 connected between source and gate It is composed of a load 2 is connected in parallel with the capacitor 5. Here, gate resistance 8 and resistance 1
0, current limiting resistor 14 and transistor 11 are FET3
The open / close control circuit 45 of FIG. The Zener diode 9 is a Zener diode for preventing overvoltage of the gate-source voltage of the FET 3.
【0003】このスイッチング電源装置の動作は次の通
りである。正側および負側直流電源端子P,N間に直流
電圧を印加すると、この直流電圧はゲート抵抗8を介し
てFET3のゲートに入力されてこのゲート・ソース間
容量が充電されてゲート電圧が上昇し、FET3がオン
する。FET3がオンするとダイオード4を通してコン
デンサ5が充電される。充電によってコンデンサ5の電
圧が上昇し、電圧検出回路40のツェナーダイオード1
2の電圧を越えると、検出信号が出力され、この検出信
号は限流抵抗14を介してトランジスタ11のベースに
入力され、トランジスタ11がオンする。トランジスタ
11がオンするとFET3のゲート電圧が低下してFE
T3がオフし、インダクタ6からコンデンサ5を通して
このインダクタ6に蓄積されたエネルギの放出が終るま
で、充電電流が流れる。コンデンサ5に並列に接続され
た負荷2への通電などによりコンデンサ5の電圧が低下
し、ツェナーダイオード12の電圧以下に下がると、ト
ランジスタ11のベース電流が遮断されてトランジスタ
11がオフする。トランジスタ11がオフするとFET
3のゲート電圧が上昇しFET3がオンする。この動作
は繰り返されて、コンデンサ5の両端子間にほぼ一定の
直流電圧が得られる。The operation of this switching power supply device is as follows. When a DC voltage is applied between the positive and negative DC power supply terminals P and N, this DC voltage is input to the gate of the FET 3 via the gate resistor 8 to charge the gate-source capacitance and raise the gate voltage. Then, FET3 turns on. When the FET 3 turns on, the capacitor 5 is charged through the diode 4. The voltage of the capacitor 5 rises due to charging, and the Zener diode 1 of the voltage detection circuit 40
When the voltage of 2 is exceeded, a detection signal is output, and this detection signal is input to the base of the transistor 11 via the current limiting resistor 14 to turn on the transistor 11. When the transistor 11 is turned on, the gate voltage of the FET3 drops and FE
The charging current flows until T3 is turned off and the energy stored in the inductor 6 is completely discharged from the inductor 6 through the capacitor 5. When the voltage of the capacitor 5 drops due to energization of the load 2 connected in parallel with the capacitor 5 and falls below the voltage of the Zener diode 12, the base current of the transistor 11 is cut off and the transistor 11 is turned off. FET turns off when transistor 11 turns off
The gate voltage of 3 rises and FET3 turns on. This operation is repeated to obtain a substantially constant DC voltage between both terminals of the capacitor 5.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】前述のスイッチング電
源装置では、スイッチング素子としてのFETは正側直
流電源端子とこのFETのゲート間に接続したゲート抵
抗を通してゲートに印加される電圧によって、ゲート・
ソース間容量が充電され、所定のゲート電圧を越えると
オン動作するが、FETがオン動作を始めるとFETの
ドレイン・ソース間の抵抗値が低下するので、ゲートに
印加される電圧が低下してFETが完全にオン動作せ
ず、オン損失が増加する問題がある。このために、通常
ゲート抵抗の抵抗値を、FETのドレイン・ソース間容
量の充電電流を供給するのに必要な抵抗値より低く設定
してゲートに印加される電圧の低下を防止しているが、
ゲート抵抗の抵抗値を低く設定すると、FETのオフ時
にこのゲート抵抗を通して電源に帰流する電流が増え、
ゲート抵抗の損失が増大する問題を生じる。In the above-mentioned switching power supply device, the FET as a switching element is operated by a voltage applied to the gate through a gate resistor connected between the positive side DC power supply terminal and the gate of this FET.
When the source capacitance is charged and the voltage exceeds a predetermined gate voltage, it turns on, but when the FET starts turning on, the resistance value between the drain and source of the FET decreases, so the voltage applied to the gate decreases. There is a problem that the FET does not turn on completely and the on loss increases. For this reason, the resistance value of the gate resistance is usually set lower than the resistance value required to supply the charging current of the drain-source capacitance of the FET to prevent the voltage applied to the gate from decreasing. ,
When the resistance value of the gate resistance is set low, the current flowing back to the power supply through this gate resistance increases when the FET is off,
This causes a problem of increased loss of gate resistance.
【0005】本発明の目的はゲート抵抗の抵抗値を低く
設定してゲート損失を増大させることなく、スイッチン
グ素子としてのFETが完全にオン動作するようにした
スイッチング電源装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a switching power supply device in which the FET as a switching element is completely turned on without increasing the gate loss by setting the resistance value of the gate resistance low.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、請求項1に記載した第1の発明のスイッチング電
源装置は正側および負側直流電源端子との間に接続され
たFET,ダイオード,コンデンサおよびインダクタか
らなる直列回路と、前記ダイオードと前記コンデンサの
接続点と負側直流電源端子との間に接続されたダイオー
ドと、前記コンデンサに並列に接続された電圧検出回路
と、この電圧検出回路の検出信号が入力され、前記コン
デンサの電圧が一定になるように前記FETを開閉制御
する開閉制御回路とを備えたスイッチング電源装置にお
いて、前記開閉制御回路は前記FETに並列に接続され
たダイオードおよびコンデンサからなる直列回路と、こ
の直列回路のダイオードとコンデンサの接続点と前記F
ETのゲートとの間に接続されたゲート抵抗と、そのコ
レクタが抵抗を介し前記FETのゲートにそのエミッタ
が前記コンデンサと前記インダクタの接続点に接続さ
れ、そのベースに前記電圧検出回路からの検出信号が入
力されるトランジスタとからなるようにする。In order to achieve the above-mentioned object, a switching power supply device according to a first aspect of the present invention is an FET connected between a positive side and a negative side DC power supply terminal. A series circuit including a diode, a capacitor and an inductor, a diode connected between a connection point of the diode and the capacitor and a negative side DC power supply terminal, a voltage detection circuit connected in parallel with the capacitor, and this voltage In a switching power supply device comprising a switching control circuit for inputting a detection signal of a detection circuit and controlling switching of the FET so that the voltage of the capacitor becomes constant, the switching control circuit is connected in parallel to the FET. A series circuit including a diode and a capacitor, a connection point of the diode and the capacitor of the series circuit, and the F
A gate resistor connected between the gate of ET, a collector of which is connected through a resistor to a gate of the FET, an emitter of which is connected to a connection point of the capacitor and the inductor, and a base of which is detected by the voltage detection circuit. It is composed of a transistor to which a signal is input.
【0007】また、請求項2に記載した第2の発明のス
イッチング電源装置は前記開閉制御回路は正側電源端子
と前記FETのゲートとの間に接続されたゲート抵抗
と、そのコレクタが抵抗を介し前記FETのゲートにそ
のエミッタが前記コンデンサと前記インダクタとの間に
接続され、そのベースに前記電圧検出回路からの検出信
号が入力されるトランジスタと、前記コンデンサと並列
に接続された第1の抵抗,コンデンサおよび第2の抵抗
からなり、この第1の抵抗とコンデンサの接続点が抵抗
およびダイオードを介し前記FETのゲートに接続され
た直列回路と、この第1の抵抗とコンデンサに並列に接
続され前記トランジスタと相反した開閉動作をするトラ
ンジスタとからなるようにする。In the switching power supply device according to the second aspect of the present invention, the switching control circuit has a gate resistance connected between the positive power supply terminal and the gate of the FET, and its collector has a resistance. A first transistor connected in parallel to the capacitor, and a transistor whose emitter is connected to the gate of the FET via the capacitor and the inductor, and whose base receives a detection signal from the voltage detection circuit. A series circuit including a resistor, a capacitor and a second resistor, the connection point of the first resistor and the capacitor being connected to the gate of the FET through the resistor and the diode, and the series circuit connected in parallel to the first resistor and the capacitor And a transistor that opens and closes contrary to the transistor.
【0008】更に請求項2に記載の発明において、請求
項3に記載の発明のようにそのコレクタが抵抗を介しF
ETのゲートにそのエミッタがコンデンサとインダクタ
との間に接続され、そのベースに電圧検出回路からの検
出信号が入力されるトランジスタのコレクタと前記抵抗
との間にツェナーダイオードを介挿すると好便である。
更にまた、前述の各発明において、請求項4に記載の発
明のように電圧検出回路とコンデンサとの間に抵抗を介
挿すると好適である。Further, in the invention described in claim 2, as in the invention described in claim 3, the collector is F through a resistor.
It is convenient to insert a Zener diode between the resistor and the collector of the transistor, whose emitter is connected to the gate of ET between the capacitor and the inductor, and whose base receives the detection signal from the voltage detection circuit. is there.
Furthermore, in each of the above-mentioned inventions, it is preferable to interpose a resistor between the voltage detection circuit and the capacitor as in the invention described in claim 4.
【0009】[0009]
【作用】請求項1に記載の発明では、スイッチング素子
としてのFETがオン動作を始め、このFETのドレイ
ン・ソース間抵抗が低下しても、FETのゲートにはこ
のFETに並列に接続されたダイオードおよびコンデン
サからなる直列回路のコンデンサに充電された電荷がゲ
ート抵抗を通して印加されるのでゲートに印加される電
圧が低下することはなく、FETは完全にオン動作をす
る。従って、従来例のようにゲート抵抗の抵抗値をFE
Tのゲート・ソース間容量の充電電流を供給するに必要
な抵抗値より低く設定する必要はなくなる。According to the first aspect of the invention, the FET as the switching element starts the ON operation, and even if the resistance between the drain and the source of the FET is reduced, the gate of the FET is connected in parallel with the FET. Since the electric charge charged in the capacitor of the series circuit including the diode and the capacitor is applied through the gate resistance, the voltage applied to the gate does not decrease, and the FET is completely turned on. Therefore, as in the conventional example, the resistance value of the gate resistance is set to FE.
It is not necessary to set the resistance lower than the resistance value required to supply the charging current for the gate-source capacitance of T.
【0010】請求項2に記載の発明では、FETがオン
動作を始め、このFETのドレイン・ソース間抵抗が低
下したとき、コンデンサに並列に接続された第1の抵
抗,コンデンサおよび第2の抵抗からなる直列回路のコ
ンデンサに充電された電圧が、そのコレクタが抵抗を介
しFETのゲートにそのコレクタがコンデンサとインダ
クタとの間に接続され、そのゲートに電圧検出回路から
の検出信号が入力されトランジスタと相反した開閉動作
をするトランジスタのオフ動作によってFETのゲート
に印加されるので、このFETのゲートに印加される電
圧が、請求項1に記載の発明と同様に低下することはな
い。According to the second aspect of the present invention, when the FET starts the ON operation and the resistance between the drain and the source of the FET decreases, the first resistor, the capacitor and the second resistor connected in parallel to the capacitor. The voltage charged in the capacitor of the series circuit consisting of is connected to the gate of the FET through the resistor between the collector of the capacitor and the inductor and the detection signal from the voltage detection circuit is input to the gate of the transistor. Since it is applied to the gate of the FET by the turning-off operation of the transistor that opens and closes contrary to the above, the voltage applied to the gate of the FET does not drop as in the invention described in claim 1.
【0011】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の発明でそのコレクタが抵抗を介しFETのゲートにそ
のエミッタがコンデンサとインダクタとの間に接続さ
れ、そのベースに電圧検出回路からの検出信号が入力さ
れるトランジスタのコレクタと前記抵抗との間にツェナ
ーダイオードを介挿したので、このトランジスタがオン
したとき、このツェナーダイオードの電圧分コレクタ電
圧がより低下するので、このトランジスタと相反した開
閉動作をするトランジスタのオフ動作がより確実にな
る。According to a third aspect of the invention, in the second aspect of the invention, the collector is connected to the gate of the FET through a resistor, the emitter is connected between the capacitor and the inductor, and the base is connected to the voltage detection circuit. Since a Zener diode is inserted between the collector of the transistor to which the detection signal of is input and the resistor, when this transistor is turned on, the collector voltage drops by the voltage of this Zener diode. The off operation of the transistor that performs the opening / closing operation becomes more reliable.
【0012】請求項4に記載の発明は、前述の各発明に
おいて電圧検出回路とコンデンサとの間に抵抗を介挿し
たもので、この抵抗を介挿することにより電圧検出回路
にはコンデンサの電圧とこのコンデンサの充電電流が流
れる抵抗の電圧降下の和が入力されるので、電圧検出回
路の検出信号がより大きくなる。According to a fourth aspect of the present invention, a resistor is inserted between the voltage detecting circuit and the capacitor in each of the above-mentioned inventions. By inserting this resistor, the voltage of the capacitor is included in the voltage detecting circuit. Since the sum of the voltage drop of the resistor through which the charging current of this capacitor flows is input, the detection signal of the voltage detection circuit becomes larger.
【0013】[0013]
【実施例】図1は第1の発明のスイッチング電源装置の
一実施例を示す回路図である。図1に示す実施例が図1
3に示す実施例と異なるところは、スイッチング素子と
してのFET3のドレイン・ソース間にダイオード15
のアノード・カソードおよびコンデンサ16からなる直
列回路を接続してゲート抵抗8をこのダイオード15の
カソードとコンデンサ16の接続点とFET3のゲート
の間に接続し、これらダイオード15,コンデンサ1
6,トランジスタ11,ゲート抵抗8,抵抗10および
限流抵抗14で開閉制御回路42を構成した点にある。1 is a circuit diagram showing an embodiment of a switching power supply device of the first invention. The embodiment shown in FIG.
3 is different from that of the embodiment shown in FIG.
The gate resistor 8 is connected between the cathode of the diode 15 and the capacitor 16 and the gate of the FET 3 by connecting a series circuit composed of the anode / cathode and the capacitor 16 of the diode 15 and the capacitor 1.
6, the transistor 11, the gate resistor 8, the resistor 10 and the current limiting resistor 14 constitute the switching control circuit 42.
【0014】この実施例では、正側および負側直流電源
端子P,N間に直流電圧を印加すると、この直流電圧は
ダイオード15を介してコンデンサ16に印加されてコ
ンデンサ16を充電し、同時にダイオード15およびゲ
ート抵抗8を介してFET3のゲートに印加されてゲー
ト・ソース間容量を充電してこのゲート電圧が上昇し、
FET3はオンする。この場合FET3がオン動作を始
め、このFET3のドレイン・ソース間抵抗が低下して
も、FET3のゲートにはコンデンサ16に充電された
電荷がゲート抵抗8を通して印加されるので、ゲートに
印加される電圧が低下することはなく、FET3は完全
にオン動作をする。従って図13に示す従来例のよう
に、ゲート抵抗の抵抗値をFET3のゲート・ソース間
容量の充電電流を供給するに必要な抵抗値より低く設定
する必要はなく、ゲート損失が増大することはない。な
お、運転に入ればコンデンサ16は、コンデンサ5の電
圧が上昇しFET3がオフしたときに充電され、次のサ
イクルでFET3がオンするまで保持される。In this embodiment, when a DC voltage is applied between the positive and negative DC power supply terminals P and N, this DC voltage is applied to the capacitor 16 via the diode 15 to charge the capacitor 16, and at the same time, the diode 16 is charged. 15 is applied to the gate of the FET 3 via the gate resistor 8 and the gate-source capacitance is charged to increase the gate voltage.
FET3 turns on. In this case, even if the FET3 starts the ON operation and the resistance between the drain and the source of the FET3 is lowered, the charge charged in the capacitor 16 is applied to the gate of the FET3 through the gate resistor 8, so that it is applied to the gate. The voltage never drops, and the FET 3 is completely turned on. Therefore, unlike the conventional example shown in FIG. 13, it is not necessary to set the resistance value of the gate resistance lower than the resistance value required to supply the charging current of the gate-source capacitance of the FET 3, and the gate loss is not increased. Absent. When the operation starts, the capacitor 16 is charged when the voltage of the capacitor 5 rises and the FET 3 is turned off, and is held until the FET 3 is turned on in the next cycle.
【0015】図2は第1の発明のスイッチング電源装置
の異なる実施例を示す回路図である。図2に示す実施例
が図1に示す実施例と異なるところは、電圧検出回路4
0に変えて電圧検出回路41を設けた点にある。電圧検
出回路41はコンデンサ5に並列に接続された抵抗30
およびツェナーダイオード12のカソード・アノードか
らなる直列回路と、この直列回路に並列に接続されたト
ランジスタ28のエミッタ・コレクタ,抵抗26および
抵抗27とからなる直列回路とから構成され、このトラ
ンジスタ28のベースは抵抗29を介し、抵抗30とツ
ェナーダイオード12のカソードに接続され、抵抗26
と抵抗27の接続点から検出信号が出力される。そして
開閉制御回路42のトランジスタ11のベースには、電
圧検出回路41からの検出信号が入力される。なお、こ
の場合電圧検出回路41の抵抗26および抵抗27は限
流抵抗としても作用するので、図1における限流抵抗1
4は必要ない。FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the switching power supply device of the first invention. The difference between the embodiment shown in FIG. 2 and the embodiment shown in FIG.
The point is that the voltage detection circuit 41 is provided instead of 0. The voltage detection circuit 41 includes a resistor 30 connected in parallel with the capacitor 5.
And a series circuit composed of the cathode and anode of the Zener diode 12, and a series circuit composed of the emitter / collector of the transistor 28, the resistor 26 and the resistor 27 connected in parallel to the series circuit, and the base of the transistor 28. Is connected to the resistor 30 and the cathode of the Zener diode 12 via the resistor 29, and the resistor 26
A detection signal is output from the connection point of the resistor 27 and the resistor 27. The detection signal from the voltage detection circuit 41 is input to the base of the transistor 11 of the switching control circuit 42. In this case, since the resistors 26 and 27 of the voltage detection circuit 41 also function as current limiting resistors, the current limiting resistor 1 in FIG.
4 is not necessary.
【0016】この電圧検出回路41はツェナーダイオー
ド12に流れる電流をトランジスタ28で増幅したもの
であり、この図2に示す実施例は図1に示す実施例に比
較して、出力電圧の精度が向上する。図3は第2の発明
のスイッチング電源装置の一実施例を示す回路図であ
る。図3に示す実施例が図13に示す従来例と異なると
ころは、図13に示す回路にコンデンサ5に並列に接続
された抵抗19(第1の抵抗),コンデンサ18および
抵抗20(第2の抵抗)からなる直列回路と、ダイオー
ド4のカソードとトランジスタ11のコレクタとの間に
接続された抵抗24およびダイオード23のアノード・
カソードからなる直列回路と、FET3のゲートと抵抗
19とコンデンサ18の接続点bの間に接続されたダイ
オード21のカソード・アノードおよび抵抗22からな
る直列回路と、そのコレクタがダイオード4のアノード
にそのエミッタがコンデンサ18と抵抗20の接続点a
にそのベースがダイオード23のアノードに接続された
トランジスタ17とを設け、ゲート抵抗8,抵抗10,
トランジスタ11,限流抵抗14,抵抗19,コンデン
サ18,抵抗20,トランジスタ17,抵抗24,ダイ
オード23で開閉制御回路43を構成した点にある。The voltage detection circuit 41 is one in which the current flowing through the Zener diode 12 is amplified by the transistor 28, and the embodiment shown in FIG. 2 has an improved output voltage accuracy as compared with the embodiment shown in FIG. To do. FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the switching power supply device of the second invention. The embodiment shown in FIG. 3 is different from the conventional example shown in FIG. 13 in that the resistor 19 (first resistor), the capacitor 18 and the resistor 20 (second resistor) connected in parallel to the capacitor 5 in the circuit shown in FIG. A series circuit composed of a resistor), a resistor 24 connected between the cathode of the diode 4 and the collector of the transistor 11, and an anode of the diode 23.
A series circuit composed of a cathode, a series circuit composed of a cathode / anode of a diode 21 and a resistor 22 connected between the gate of the FET 3 and the connection point b of the resistor 19 and the capacitor 18, and its collector connected to the anode of the diode 4. The emitter is a connection point a between the capacitor 18 and the resistor 20.
Is provided with a transistor 17 whose base is connected to the anode of the diode 23, and a gate resistor 8, a resistor 10,
The open / close control circuit 43 is composed of the transistor 11, the current limiting resistor 14, the resistor 19, the capacitor 18, the resistor 20, the transistor 17, the resistor 24, and the diode 23.
【0017】この実施例では、スイッチング電源装置が
動作し、コンデンサ5の電圧が上昇してFET3がオフ
している状態では、トランジスタ11はオン,トランジ
スタ17はオフする。ここでトランジスタ17がオフす
るとコンデンサ18は抵抗19および20を通して充電
される。そしてコンデンサ5の電圧が低下してトランジ
スタ11がオフすると、トランジスタ17がオンし、コ
ンデンサ18と抵抗20の接続点aの電圧はコンデンサ
5の電圧まで上昇するので、抵抗19とコンデンサ18
の接続点bの電圧は、このコンデンサ18の充電電圧分
が更に上昇する。このコンデンサ18の電圧は抵抗2
2,ダイオード21を介してFET3のゲートに印加さ
れるので、ゲートに印加される電圧が低下することはな
く、FET3は完全にオン動作をする。その他の動作に
ついては図13に示す従来例と同様である。In this embodiment, the transistor 11 is on and the transistor 17 is off when the switching power supply operates and the voltage of the capacitor 5 rises and the FET 3 is off. When the transistor 17 is turned off, the capacitor 18 is charged through the resistors 19 and 20. When the voltage of the capacitor 5 drops and the transistor 11 turns off, the transistor 17 turns on and the voltage at the connection point a between the capacitor 18 and the resistor 20 rises to the voltage of the capacitor 5, so the resistor 19 and the capacitor 18
As for the voltage at the connection point b, the charging voltage of the capacitor 18 further increases. The voltage of this capacitor 18 is the resistance 2
2. Since the voltage is applied to the gate of the FET 3 via the diode 21, the voltage applied to the gate does not decrease, and the FET 3 is completely turned on. Other operations are similar to those of the conventional example shown in FIG.
【0018】図4は第2の発明のスイッチング電源装置
の異なる実施例を示す回路図である。図4に示す実施例
が図3に示す実施例と異なるところは、電圧検出回路4
0に変えて電圧検出回路41を設けた点にある。その作
用・効果は図2に示す実施例と同様である。図5および
図6はそれぞれ第2の発明のスイッチング電源装置の更
に異なる実施例を示す回路図である。図5および図6に
示す各実施例が図3および図4に示す各実施例と異なる
ところは、開閉制御回路43の抵抗10とトランジスタ
11のコレクタの間にツェナーダイオード25のカソー
ド・アノードを介挿して開閉制御回路44とした点にあ
る。FIG. 4 is a circuit diagram showing another embodiment of the switching power supply device of the second invention. 4 differs from the embodiment shown in FIG. 3 in that the voltage detection circuit 4
The point is that the voltage detection circuit 41 is provided instead of 0. The action and effect are similar to those of the embodiment shown in FIG. 5 and 6 are circuit diagrams showing further different embodiments of the switching power supply device of the second invention. 5 and 6 are different from the embodiments shown in FIGS. 3 and 4 in that the cathode / anode of the Zener diode 25 is interposed between the resistor 10 of the switching control circuit 43 and the collector of the transistor 11. It is a point that the switching control circuit 44 is inserted.
【0019】ツェナーダイオード25の介挿によってト
ランジスタ11のコレクタ電圧がこのツェナーダイオー
ドの電圧分低下するので、ダイオード23が導通し易く
なりトランジスタ11がオンしたときトランジスタ17
のオフ動作がより確実になる。その他は図3および図4
に示す実施例と同様である。図7および図8は第1の発
明のスイッチング電源装置の更に異なる実施例を示す回
路図、図9ないし図12は第2の発明のスイッチング電
源装置の更に異なる実施例を示す回路図である。図7な
いし図12に示す各実施例が図1ないし図6に示す各実
施例と異なるところは、それぞれ電圧検出回路40ある
いは41とコンデンサ5との間に抵抗31を介挿した点
にある。By inserting the Zener diode 25, the collector voltage of the transistor 11 is reduced by the voltage of the Zener diode, so that the diode 23 is easily turned on and the transistor 17 is turned on when the transistor 17 is turned on.
The off operation of is more reliable. Others are shown in FIG. 3 and FIG.
The same as the embodiment shown in FIG. 7 and 8 are circuit diagrams showing still another embodiment of the switching power supply device of the first invention, and FIGS. 9 to 12 are circuit diagrams showing still another embodiment of the switching power supply device of the second invention. The embodiments shown in FIGS. 7 to 12 differ from the embodiments shown in FIGS. 1 to 6 in that a resistor 31 is interposed between the voltage detection circuit 40 or 41 and the capacitor 5, respectively.
【0020】抵抗31を介挿することにより電圧検出回
路40あるいは41にはコンデンサ5の電圧と、このコ
ンデンサ5の充電電流が流れる抵抗31の電圧降下の和
が入力されるので、電圧検出回路の検出信号が大きくな
り、FET3のオン・オフ動作がより確実になる。By inserting the resistor 31, the voltage of the capacitor 5 and the sum of the voltage drop of the resistor 31 through which the charging current of the capacitor 5 flows are input to the voltage detecting circuit 40 or 41. The detection signal becomes large, and the on / off operation of the FET 3 becomes more reliable.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上に説明したように請求項1,2に記
載した発明のスイッチング電源装置では、スイッチング
素子としてのFETが完全にオン動作するので、従来例
のように、FETのオン動作を完全にするためFETの
ゲート抵抗の抵抗値をFETのドレイン・ソース間容量
の充電電流を供給するに必要な抵抗値より低く設定する
必要はなく、ゲート抵抗値を低く設定することによって
生じるゲート損失の増大が防止され、効率が向上する。As described above, in the switching power supply device according to the first and second aspects of the present invention, since the FET as a switching element is completely turned on, the FET is turned on like the conventional example. For completeness, it is not necessary to set the resistance value of the gate resistance of the FET lower than the resistance value required to supply the charging current of the drain-source capacitance of the FET, and the gate loss caused by setting the gate resistance value low. Is prevented and the efficiency is improved.
【図1】第1の発明のスイッチング電源装置の一実施例
を示す回路図FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a switching power supply device of a first invention.
【図2】第1の発明のスイッチング電源装置の異なる実
施例を示す回路図FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the switching power supply device of the first invention.
【図3】第2の発明のスイッチング電源装置の一実施例
を示す回路図FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of a switching power supply device of the second invention.
【図4】第2の発明のスイッチング電源装置の異なる実
施例を示す回路図FIG. 4 is a circuit diagram showing another embodiment of the switching power supply device of the second invention.
【図5】第2の発明のスイッチング電源装置の更に異な
る実施例を示す回路図FIG. 5 is a circuit diagram showing still another embodiment of the switching power supply device of the second invention.
【図6】第2の発明のスイッチング電源装置の更に異な
る実施例を示す回路図FIG. 6 is a circuit diagram showing still another embodiment of the switching power supply device of the second invention.
【図7】第2の発明のスイッチング電源装置の更に異な
る実施例を示す回路図FIG. 7 is a circuit diagram showing still another embodiment of the switching power supply device of the second invention.
【図8】第2の発明のスイッチング電源装置の更に異な
る実施例を示す回路図FIG. 8 is a circuit diagram showing still another embodiment of the switching power supply device of the second invention.
【図9】第1の発明のスイッチング電源装置の更に異な
る実施例を示す回路図FIG. 9 is a circuit diagram showing a further different embodiment of the switching power supply device of the first invention.
【図10】第1の発明のスイッチング電源装置の更に異
なる実施例を示す回路図FIG. 10 is a circuit diagram showing still another embodiment of the switching power supply device of the first invention.
【図11】第2の発明のスイッチング電源装置の更に異
なる実施例を示す回路図FIG. 11 is a circuit diagram showing a further different embodiment of the switching power supply device of the second invention.
【図12】第2の発明のスイッチング電源装置の更に異
なる実施例を示す回路図FIG. 12 is a circuit diagram showing still another embodiment of the switching power supply device of the second invention.
【図13】従来のスイッチング電源装置の一例を示す回
路図FIG. 13 is a circuit diagram showing an example of a conventional switching power supply device.
3 FET 4 ダイオード 5 コンデンサ 6 インダクタ 7 ダイオード 8 ゲート抵抗 10 抵抗 11 トランジスタ 15 ダイオード 16 コンデンサ 17 トランジスタ 18 コンデンサ 19 第1の抵抗 20 第2の抵抗 21 ダイオード 22 抵抗 23 ダイオード 25 ツェナーダイオード 31 抵抗 40 電圧検出回路 41 電圧検出回路 42 開閉制御回路 43 開閉制御回路 44 開閉制御回路 3 FET 4 Diode 5 Capacitor 6 Inductor 7 Diode 8 Gate Resistance 10 Resistance 11 Transistor 15 Diode 16 Capacitor 17 Transistor 18 Capacitor 19 First Resistor 20 Second Resistor 21 Diode 22 Resistor 23 Diode 25 Zener Diode 31 Resistor 40 Voltage Detection Circuit 41 voltage detection circuit 42 switching control circuit 43 switching control circuit 44 switching control circuit
Claims (4)
されたFET,ダイオード,コンデンサおよびインダク
タからなる直列回路と、前記ダイオードと前記コンデン
サの接続点と負側直流電源端子との間に接続されたダイ
オードと、前記コンデンサに並列に接続された電圧検出
回路と、この電圧検出回路の検出信号が入力され、前記
コンデンサの電圧が一定になるように前記FETを開閉
制御する開閉制御回路とを備えたスイッチング電源装置
において、前記開閉制御回路は前記FETに並列に接続
されたダイオードおよびコンデンサからなる直列回路
と、この直列回路のダイオードとコンデンサの接続点と
前記FETのゲートとの間に接続されたゲート抵抗と、
そのコレクタが抵抗を介し前記FETのゲートにそのエ
ミッタが前記コンデンサと前記インダクタの接続点に接
続され、そのベースに前記電圧検出回路からの検出信号
が入力されるトランジスタとからなることを特徴とする
スイッチング電源装置。1. A series circuit comprising an FET, a diode, a capacitor and an inductor connected between a positive side and a negative side DC power supply terminal, and a connection point between the diode and the capacitor and a negative side DC power supply terminal. A diode connected to the capacitor, a voltage detection circuit connected in parallel to the capacitor, and a detection signal of the voltage detection circuit are input, and an opening / closing control circuit that controls opening / closing of the FET so that the voltage of the capacitor becomes constant. And a series circuit including a diode and a capacitor connected in parallel to the FET, and a connection point between the diode and the capacitor of the series circuit and the gate of the FET. With the connected gate resistance,
The collector of the FET is connected to the gate of the FET through a resistor, the emitter of the FET is connected to the connection point of the capacitor and the inductor, and the base of the FET is a transistor to which the detection signal from the voltage detection circuit is input. Switching power supply.
されたFET,ダイオード,コンデンサおよびインダク
タからなる直列回路と、前記ダイオードと前記コンデン
サの接続点と負側直流電源端子との間に接続されたダイ
オードと、前記コンデンサに並列に接続された電圧検出
回路と、この電圧検出回路の検出信号が入力され、前記
コンデンサの電圧が一定になるように前記FETを開閉
制御する開閉制御回路とを備えたスイッチング電源装置
において、前記開閉制御回路は正側電源端子と前記FE
Tのゲートとの間に接続されたゲート抵抗と、そのコレ
クタが抵抗を介し前記FETのゲートにそのエミッタが
前記コンデンサと前記インダクタとの間に接続され、そ
のベースに前記電圧検出回路からの検出信号が入力され
るトランジスタと、前記コンデンサと並列に接続された
第1の抵抗,コンデンサおよび第2の抵抗からなり、こ
の第1の抵抗とコンデンサの接続点が抵抗およびダイオ
ードを介し前記FETのゲートに接続された直列回路
と、この第1の抵抗とコンデンサに並列に接続され前記
トランジスタと相反した開閉動作をするトランジスタと
からなることを特徴とするスイッチング電源装置。2. A series circuit composed of an FET, a diode, a capacitor and an inductor connected between a positive side and a negative side DC power supply terminal, and a connection point between the diode and the capacitor and a negative side DC power supply terminal. A diode connected to the capacitor, a voltage detection circuit connected in parallel to the capacitor, and a detection signal of the voltage detection circuit are input, and an opening / closing control circuit that controls opening / closing of the FET so that the voltage of the capacitor becomes constant. In a switching power supply device including:
A gate resistor connected to the gate of T, a collector of which is connected through a resistor to the gate of the FET, an emitter of which is connected to the capacitor and the inductor, and a base of which is detected by the voltage detection circuit. It is composed of a transistor to which a signal is input, a first resistor connected in parallel with the capacitor, a capacitor and a second resistor, and the connection point between the first resistor and the capacitor is a gate of the FET via the resistor and the diode. A switching power supply device comprising a series circuit connected to the first resistor and a transistor connected in parallel with the first resistor and a capacitor to perform an opening / closing operation contrary to the transistor.
おいて、そのコレクタが抵抗を介しFETのゲートにそ
のエミッタがコンデンサとインダクタとの間に接続さ
れ、そのベースに電圧検出回路からの検出信号が入力さ
れるトランジスタのコレクタと前記抵抗との間にツェナ
ーダイオードを介挿したことを特徴とするスイッチング
電源装置。3. The switching power supply device according to claim 2, wherein the collector is connected through a resistor to the gate of the FET, the emitter is connected between the capacitor and the inductor, and the detection signal from the voltage detection circuit is connected to the base. A switching power supply device, wherein a Zener diode is inserted between the collector of an input transistor and the resistor.
ッチング電源装置において、電圧検出回路とコンデンサ
との間に抵抗を介挿したことを特徴とするスイッチング
電源装置。4. The switching power supply device according to claim 1, wherein a resistor is inserted between the voltage detection circuit and the capacitor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6228553A JPH0898521A (en) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | Switching power supply |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6228553A JPH0898521A (en) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | Switching power supply |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0898521A true JPH0898521A (en) | 1996-04-12 |
Family
ID=16878183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6228553A Pending JPH0898521A (en) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | Switching power supply |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0898521A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109995354A (en) * | 2019-05-08 | 2019-07-09 | 博为科技有限公司 | A kind of delay switch circuit of the reactance voltage fluctuation based on rising edge sampling |
-
1994
- 1994-09-26 JP JP6228553A patent/JPH0898521A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109995354A (en) * | 2019-05-08 | 2019-07-09 | 博为科技有限公司 | A kind of delay switch circuit of the reactance voltage fluctuation based on rising edge sampling |
| CN109995354B (en) * | 2019-05-08 | 2024-04-09 | 博为科技有限公司 | Voltage fluctuation resistant delay switch circuit based on rising edge sampling |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4267865B2 (en) | Load drive device | |
| US7403366B2 (en) | Control circuit for an electromagnetic drive | |
| JP3633522B2 (en) | Load drive circuit | |
| EP0763882A1 (en) | Load driving device | |
| US20210075312A1 (en) | Power source input circuit and inverter-integrated electric compressor for vehicle comprising said circuit | |
| US7710700B2 (en) | DC/DC converter with current limit protection | |
| CN100392966C (en) | buck converter | |
| US6784645B2 (en) | Step-down converter | |
| CN101002375B (en) | Method and circuit arrangement for limiting the maximum primary current of a switched-mode power supply, and power supply | |
| JP2002084174A (en) | Load drive circuit | |
| JPS63501539A (en) | Low leakage AC proximity switch circuit | |
| JPH0898521A (en) | Switching power supply | |
| JP2003133926A (en) | Inrush current suppression circuit | |
| CN112421970A (en) | A synchronous rectifier device and its control method | |
| JP3574599B2 (en) | Inrush current prevention circuit with input overvoltage limit function | |
| JP4517579B2 (en) | Current control circuit | |
| JP2005102474A (en) | Abnormal current detector | |
| JPH11164549A (en) | DC-DC converter | |
| US6310331B1 (en) | Circuit configuration for driving an ignition coil | |
| JP2876172B2 (en) | Switch circuit | |
| JPH07288981A (en) | Constant voltage device | |
| SU748630A1 (en) | Device for protecting electric equipment | |
| RU2121190C1 (en) | For control of electromagnetic relay | |
| JP2696168B2 (en) | AC 2-wire non-contact switch | |
| JPH05127762A (en) | Series Regulator Power Supply Circuit |