JPH08988B2 - 金めつき剥離液 - Google Patents
金めつき剥離液Info
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- JPH08988B2 JPH08988B2 JP9554787A JP9554787A JPH08988B2 JP H08988 B2 JPH08988 B2 JP H08988B2 JP 9554787 A JP9554787 A JP 9554787A JP 9554787 A JP9554787 A JP 9554787A JP H08988 B2 JPH08988 B2 JP H08988B2
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- thallium
- nickel
- gold
- gold plating
- compound
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/40—Alkaline compositions for etching other metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ニッケルを含む金属を下地とする金めっき
の金めっき剥離液に関する。
の金めっき剥離液に関する。
（従来の技術とその問題点） 一般に外装めっき等がめっき不良である場合に、当該
不良めっきを剥離して、製品に再めっきを施すことが行
われる。この場合、剥離液として下地素材や下地めっき
を傷めぬように、下地素材や下地めっきへのアタックの
少ないものが要求される。
不良めっきを剥離して、製品に再めっきを施すことが行
われる。この場合、剥離液として下地素材や下地めっき
を傷めぬように、下地素材や下地めっきへのアタックの
少ないものが要求される。
ところで、従来、ニッケルや鉄−ニッケル合金、鉄−
ニッケル−コバルト合金等のニッケルを含む下地金属上
に施した金めっきを、下地を傷めることなく、しかも高
速に剥離する剥離液には適当なものがなかった。
ニッケル−コバルト合金等のニッケルを含む下地金属上
に施した金めっきを、下地を傷めることなく、しかも高
速に剥離する剥離液には適当なものがなかった。
例えば、ニトロ置換安息香酸と、シアン化アルカリ、
酢酸鉛をベースとする剥離液が知られているが、この剥
離液は比較的大きな剥離速度は有するものの、ニッケル
へのアタックが大きく、ニッケルを含む下地金属を傷め
る問題点がある。
酢酸鉛をベースとする剥離液が知られているが、この剥
離液は比較的大きな剥離速度は有するものの、ニッケル
へのアタックが大きく、ニッケルを含む下地金属を傷め
る問題点がある。
発明者は上記問題点を解消すべく鋭意検討を重ねた結
果、酢酸鉛に替えて、タリウム化合物とイオウ化合物と
を添加することで所望の剥離液が得られることに想到し
た。
果、酢酸鉛に替えて、タリウム化合物とイオウ化合物と
を添加することで所望の剥離液が得られることに想到し
た。
すなわち本発明の目的は、ニッケルを含む下地金属を
傷めることなく金めっきを高速で剥離することのできる
金めっき剥離液を提供するにある。
傷めることなく金めっきを高速で剥離することのできる
金めっき剥離液を提供するにある。
（発明の概要） 上記目的による本発明に係る金めっき剥離液は次の構
成を備える。
成を備える。
すなわち、Ｐ−ニトロ安息香酸、２−クロロ−４−ニ
トロ安息香酸等のニトロ置換安息香酸と、シアン化アル
カリと、水酸化アルカリ等のPH調整剤と、硝酸タリウ
ム、酢酸タリウム等のタリウム化合物と、＝Ｓ基または
−SH基をもつ、チアゾリジン−４−カルボン酸、Ｌ−シ
スティン等のイオウ化合物とを含むことを特徴とする。
トロ安息香酸等のニトロ置換安息香酸と、シアン化アル
カリと、水酸化アルカリ等のPH調整剤と、硝酸タリウ
ム、酢酸タリウム等のタリウム化合物と、＝Ｓ基または
−SH基をもつ、チアゾリジン−４−カルボン酸、Ｌ−シ
スティン等のイオウ化合物とを含むことを特徴とする。
ニトロ置換安息香酸は、Ｐ−ニトロ安息香酸、２−ク
ロロ−４−ニトロ安息香酸、２−クロロ−５−ニトロ安
息香酸、３−クロロ−２−ニトロ安息香酸、ｍ−ニトロ
安息香酸等を用いることができ、量的には１〜100g/lが
好適である。これらニトロ置換安息香酸は酸化剤として
作用する。
ロロ−４−ニトロ安息香酸、２−クロロ−５−ニトロ安
息香酸、３−クロロ−２−ニトロ安息香酸、ｍ−ニトロ
安息香酸等を用いることができ、量的には１〜100g/lが
好適である。これらニトロ置換安息香酸は酸化剤として
作用する。
シアン化アルカリはシアン化カリウム、シアン化ナト
リウム等を用いることができ、量的には１〜100g/lが好
適である。シアン化アルカリは溶解した金を錯体として
液中に保有する。上記のニトロ置換安息香酸はその際の
酸化剤として作用する。
リウム等を用いることができ、量的には１〜100g/lが好
適である。シアン化アルカリは溶解した金を錯体として
液中に保有する。上記のニトロ置換安息香酸はその際の
酸化剤として作用する。
PH調整剤としては、水酸化アルカリ、リン酸塩等を用
いることができる。
いることができる。
タリウム化合物としては、硝酸タリウム、酢酸タリウ
ム、硫酸タリウム、マロン酸タリウム等を用いることが
でき、量的には0.005〜10g/lが好適である。
ム、硫酸タリウム、マロン酸タリウム等を用いることが
でき、量的には0.005〜10g/lが好適である。
またイオウ化合物としては、チアゾリジン−４−カル
ボン酸、Ｌ−システィン、メルカプトベンゾチアゾー
ル、メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、β−メル
カプトプロピオン酸等の＝Ｓ基、−SH基をもつものを用
い、量的には0.005〜10g/lが好適である。
ボン酸、Ｌ−システィン、メルカプトベンゾチアゾー
ル、メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、β−メル
カプトプロピオン酸等の＝Ｓ基、−SH基をもつものを用
い、量的には0.005〜10g/lが好適である。
タリウム化合物とイオウ化合物は相乗的に作用して、
金の溶解を促進すると共に、金めっき剥離後は、露出し
たニッケルを含む金属の下地上に選択的に吸着されて一
種の保護膜を形成し、ニッケルの剥離液中への溶出を抑
制するものと考えられる。
金の溶解を促進すると共に、金めっき剥離後は、露出し
たニッケルを含む金属の下地上に選択的に吸着されて一
種の保護膜を形成し、ニッケルの剥離液中への溶出を抑
制するものと考えられる。
なお、タリウム化合物とイオウ化合物に加えて、EDTA
や、EDTAナトリウム、EDTAカリウム、EDTA・4H、メチル
EDTA等のEDTAの派生化合物を添加すると、一層ニッケル
の溶出を抑制することができた。
や、EDTAナトリウム、EDTAカリウム、EDTA・4H、メチル
EDTA等のEDTAの派生化合物を添加すると、一層ニッケル
の溶出を抑制することができた。
（実施例） 次の比較例１、２と実施例１、２、３の金めっき剥離
液を調整した。
液を調整した。
比較例１ Ｐ−ニトロ安息香酸 12g/l KCN 50g/l KOH 20g/l 酢酸鉛 0.6g/l 比較例２ Ｐ−ニトロ安息香酸 12g/l KCN 50g/l KOH 20g/l 酢酸鉛 0.6g/l Ｌ−システイン 0.02g/l EDTA・3K 0.1g/l 実施例１ Ｐ−ニトロ安息香酸 12g/l KCN 50g/l KOH 20g/l 硝酸第１タリウム 0.6g/l Ｌ−システイン 0.02g/l 実施例２ Ｐ−ニトロ安息香酸 12g/l KCN 50g/l KOH 20g/l 硝酸第１タリウム 0.6g/l Ｌ−システイン 0.02g/l EDTA・3K 0.1g/l 実施例３ ２−クロロ−４−ニトロ安息香酸 12g/l KCN 50g/l KOH 20g/l 酢酸第１タリウム 0.6g/l チアゾリジン−４−カルボン酸 0.1g/l メチルEDTA 0.1g/l サンプルとして、アイレット（金属外環）が鉄−ニッ
ケル−コバルト合金製である気密ガラス端子にニッケル
下地めっきを施し、その上に1.3μｍの金めっきを施し
たものを採用した。
ケル−コバルト合金製である気密ガラス端子にニッケル
下地めっきを施し、その上に1.3μｍの金めっきを施し
たものを採用した。
上記各例の剥離液150ml（40℃）中で１回につき30個
のサンプルを計10回剥離した。その際の平均剥離速度、
最終金濃度、最終溶出ニッケル濃度を表１に示す。
のサンプルを計10回剥離した。その際の平均剥離速度、
最終金濃度、最終溶出ニッケル濃度を表１に示す。
表１から明らかなように、比較例１は溶出ニッケル量
が多く、下地ニッケルに対するアタックが大きい。これ
に対して実施例１では溶出ニッケル量が10分の１以下と
少なく、下地ニッケルへのアタックが緩やかである。ま
た剥離速度は比較例１に対して約1.5倍と速く、実用上
は全く問題ない。実施例２は実施例１の組成にEDTA・3K
を添加したものであり、より下地ニッケルに対するアタ
ックが緩やかであり、また剥離速度もほぼ同様となって
いる。比較例２は、実施例２の硝酸第１タリウムを酢酸
鉛に替えたものである。比較例２と実施例２との比較か
らも明らかなように、タリウム化合物を使用した場合、
鉛化合物を使用した場合より下地ニッケルに対するアタ
ックが格段に低いことがわかる。実施例３は、酸化剤と
して２−クロロ−４−ニトロ安息香酸を、硝酸第１タリ
ウムの替りに酢酸タリウムを、Ｌ−システィンの替りに
チアゾリン−４−カルボン酸を、EDTA・3Kの替りにメチ
ルEDTAを用いた組成であり、剥離速度は若干遅いものの
実施例２と同様の効果が得られた。
が多く、下地ニッケルに対するアタックが大きい。これ
に対して実施例１では溶出ニッケル量が10分の１以下と
少なく、下地ニッケルへのアタックが緩やかである。ま
た剥離速度は比較例１に対して約1.5倍と速く、実用上
は全く問題ない。実施例２は実施例１の組成にEDTA・3K
を添加したものであり、より下地ニッケルに対するアタ
ックが緩やかであり、また剥離速度もほぼ同様となって
いる。比較例２は、実施例２の硝酸第１タリウムを酢酸
鉛に替えたものである。比較例２と実施例２との比較か
らも明らかなように、タリウム化合物を使用した場合、
鉛化合物を使用した場合より下地ニッケルに対するアタ
ックが格段に低いことがわかる。実施例３は、酸化剤と
して２−クロロ−４−ニトロ安息香酸を、硝酸第１タリ
ウムの替りに酢酸タリウムを、Ｌ−システィンの替りに
チアゾリン−４−カルボン酸を、EDTA・3Kの替りにメチ
ルEDTAを用いた組成であり、剥離速度は若干遅いものの
実施例２と同様の効果が得られた。
なお、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合
金を下地素材として金めっきを施したものの場合には、
ニッケルの溶出量だけでなく鉄の溶出量も抑制すること
ができ、下地金属へのアタックが少なかった。
金を下地素材として金めっきを施したものの場合には、
ニッケルの溶出量だけでなく鉄の溶出量も抑制すること
ができ、下地金属へのアタックが少なかった。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。
（発明の効果） 以上のように本発明に係る金めっき剥離液によれば、
下地のニッケルを含む金属を傷めることなく、かつ高速
で金めっきを剥離することができるという著効を奏す
る。
下地のニッケルを含む金属を傷めることなく、かつ高速
で金めっきを剥離することができるという著効を奏す
る。
Claims (4)
- 【請求項１】Ｐ−ニトロ安息香酸、２−クロロ−４−ニ
トロ安息香酸等のニトロ置換安息香酸と、シアン化アル
カリと、水酸化アルカリ等のPH調整剤と、硝酸タリウ
ム、酢酸タリウム等のタリウム化合物と、＝Ｓ基または
−SH基をもつ、チアゾリジン−４−カルボン酸、Ｌ−シ
スティン等のイオウ化合物とを含む、ニッケルを含む金
属を下地とする金めっきの金めっき剥離液。 - 【請求項２】タリウム化合物の含有量が0.005〜10g/lで
ある特許請求の範囲第１項記載の金めっき剥離液。 - 【請求項３】イオウ化合物含有量が0.005〜10g/lである
特許請求の範囲第１項または第２項記載の金めっき剥離
液。 - 【請求項４】EDTAまたはその派生化合物を添加して成る
特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の金め
っき剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9554787A JPH08988B2 (ja) | 1987-04-18 | 1987-04-18 | 金めつき剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9554787A JPH08988B2 (ja) | 1987-04-18 | 1987-04-18 | 金めつき剥離液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63262482A JPS63262482A (ja) | 1988-10-28 |
| JPH08988B2 true JPH08988B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=14140598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9554787A Expired - Fee Related JPH08988B2 (ja) | 1987-04-18 | 1987-04-18 | 金めつき剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08988B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5380400A (en) * | 1993-12-29 | 1995-01-10 | At&T Corp. | Chemical etchant for palladium |
| JP3331260B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2002-10-07 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 無電解金めっき液 |
| JP4696565B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2011-06-08 | 三菱化学株式会社 | エッチング液及びエッチング方法 |
| JP5369975B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2013-12-18 | 大日本印刷株式会社 | ステンレス基板への金めっきパターンの形成方法 |
| JP5302140B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2013-10-02 | 新光電気工業株式会社 | 置換めっき層の剥離方法 |
| JP5302139B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2013-10-02 | 新光電気工業株式会社 | 置換めっき層の剥離方法 |
-
1987
- 1987-04-18 JP JP9554787A patent/JPH08988B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63262482A (ja) | 1988-10-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |