JPH0899014A - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
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- JPH0899014A JPH0899014A JP6236566A JP23656694A JPH0899014A JP H0899014 A JPH0899014 A JP H0899014A JP 6236566 A JP6236566 A JP 6236566A JP 23656694 A JP23656694 A JP 23656694A JP H0899014 A JPH0899014 A JP H0899014A
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
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- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
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Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Gas Separation By Absorption (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】排ガス処理装置において、多孔板２の清掃を行
なうことなく長時間排気能力を維持し運転できるように
する。 【構成】貫通穴１４，１５が略同一位置に開けられた２
枚の板部材である摺動板２ａと固定板２ｂを重ね合わせ
て配設し多孔板２としそれぞれの貫通穴１４，１５が重
ねて形成される実効貫通穴１０の有効面積を可変できる
手段をこの多孔板２に設け、導入されるガスの洗浄液３
の気液接触で生成される反応生成物が実効貫通穴１０周
囲に付着しコンダクタンスを低下させても摺動板２ａの
位置を動かすことにより実効貫通穴の面積を広げてコン
ダグタンスを上げ、塔内の圧力を背圧より高く維持し安
定して運転する。
なうことなく長時間排気能力を維持し運転できるように
する。 【構成】貫通穴１４，１５が略同一位置に開けられた２
枚の板部材である摺動板２ａと固定板２ｂを重ね合わせ
て配設し多孔板２としそれぞれの貫通穴１４，１５が重
ねて形成される実効貫通穴１０の有効面積を可変できる
手段をこの多孔板２に設け、導入されるガスの洗浄液３
の気液接触で生成される反応生成物が実効貫通穴１０周
囲に付着しコンダクタンスを低下させても摺動板２ａの
位置を動かすことにより実効貫通穴の面積を広げてコン
ダグタンスを上げ、塔内の圧力を背圧より高く維持し安
定して運転する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置から発
生するガスの有害物質を除去処理して無害なガスとして
排出する排ガス処理装置に関する。
生するガスの有害物質を除去処理して無害なガスとして
排出する排ガス処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の排ガス処理装置の代表的
なものとして漏れ棚型の排ガス処理装置がある。この漏
れ棚型の排ガス処理装置は比較的に建設費が安く済むこ
とで半導体製造装置の排ガス処理装置として広く用いら
れていた。
なものとして漏れ棚型の排ガス処理装置がある。この漏
れ棚型の排ガス処理装置は比較的に建設費が安く済むこ
とで半導体製造装置の排ガス処理装置として広く用いら
れていた。
【０００３】図４（ａ）および（ｂ）は従来の一例を示
す排ガス処理装置の模式断面図およびＢ部を拡大して示
す図である。この漏れ棚型の排ガス処理装置は、例え
ば、図４（ａ）に示すように、下方に洗浄液３を蓄える
とともに上方より洗浄液３を散布するスプレーノズル１
を配置しガス吸入口５とガス排気口６をもつ塔８と、こ
の塔８内にあって散布される洗浄液３が通過する複数の
貫通穴を有し複数段に配設される多孔板１２と、塔８内
の導入されるガスを排気する排気ファン４とを備えてい
る。また、多孔板１２は、図４（ｂ）に示すように、円
状の板に約φ８ｍｍの貫通穴が多数あけられている。
す排ガス処理装置の模式断面図およびＢ部を拡大して示
す図である。この漏れ棚型の排ガス処理装置は、例え
ば、図４（ａ）に示すように、下方に洗浄液３を蓄える
とともに上方より洗浄液３を散布するスプレーノズル１
を配置しガス吸入口５とガス排気口６をもつ塔８と、こ
の塔８内にあって散布される洗浄液３が通過する複数の
貫通穴を有し複数段に配設される多孔板１２と、塔８内
の導入されるガスを排気する排気ファン４とを備えてい
る。また、多孔板１２は、図４（ｂ）に示すように、円
状の板に約φ８ｍｍの貫通穴が多数あけられている。
【０００４】この排ガス処理装置の動作は、まず、半導
体製造装置から発生するガスがガス吸入口５より導入さ
れると、ガスは排気ファン４により塔８内に導びかれ多
孔板１２の貫通穴を通り抜ける際にスプレーノズル１よ
り放出される洗浄液３と貫通穴部で向流接触する。この
ガスと洗浄液３が接触することによりガスに含まれた有
害物質が吸収され無害化されたガスはガス排出口６から
大気に放出される。
体製造装置から発生するガスがガス吸入口５より導入さ
れると、ガスは排気ファン４により塔８内に導びかれ多
孔板１２の貫通穴を通り抜ける際にスプレーノズル１よ
り放出される洗浄液３と貫通穴部で向流接触する。この
ガスと洗浄液３が接触することによりガスに含まれた有
害物質が吸収され無害化されたガスはガス排出口６から
大気に放出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の漏れ棚
型の排ガス処理装置では、運転を重ねるにつれて、洗浄
液と導入されるガスとの化学反応により生成分質が成長
し、図４（ｂ）に示すように、貫通穴の周囲に蓄積しス
ケール７となる。その結果、貫通穴の開口面積が小さく
なり背圧が上昇し処理できる排ガスの流量が低下し処理
能力が落ちてくる。さらに、このスケール７の成長が進
むにつれて、ガス導入口側の塔内圧力が背圧に対し負圧
となり半導体製造装置のガス排気フードの排気風速が得
られなくなり、ついには有害分質が逆流しフードから漏
れたり危険な事態を引起す問題がある。
型の排ガス処理装置では、運転を重ねるにつれて、洗浄
液と導入されるガスとの化学反応により生成分質が成長
し、図４（ｂ）に示すように、貫通穴の周囲に蓄積しス
ケール７となる。その結果、貫通穴の開口面積が小さく
なり背圧が上昇し処理できる排ガスの流量が低下し処理
能力が落ちてくる。さらに、このスケール７の成長が進
むにつれて、ガス導入口側の塔内圧力が背圧に対し負圧
となり半導体製造装置のガス排気フードの排気風速が得
られなくなり、ついには有害分質が逆流しフードから漏
れたり危険な事態を引起す問題がある。
【０００６】この防止策として現状では、装置を停止し
手作業により成長したスケール７を１つ１つ落としてい
る。しかしながら、この作業は多大な時間を浪費するば
がりか危険な作業であり、しかも半導体製造装置の稼働
率をも低下させるという問題がある。
手作業により成長したスケール７を１つ１つ落としてい
る。しかしながら、この作業は多大な時間を浪費するば
がりか危険な作業であり、しかも半導体製造装置の稼働
率をも低下させるという問題がある。
【０００７】従って、本発明の目的は、多孔板の清掃を
行なうことなく長時間排気能力を維持し運転できる排ガ
ス処理装置を提供することである。
行なうことなく長時間排気能力を維持し運転できる排ガ
ス処理装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、下方に
洗浄液を蓄えるとともに上方より該洗浄液を散布するス
プレーノズルを配置しガスを導入するガス吸入口をもつ
塔と、この塔内にあって前記ガスが通過する複数の第１
の貫通穴を有し複数段に配設される多孔板と、前記塔内
の導入される前記ガスを前記洗浄液に接触させ前記塔の
ガス排出口より排気させる排気ファンとを備える排ガス
処理装置において、前記ガス吸入口側の前記塔内の圧力
に応じて前記多孔板が該第１の貫通穴のガスが通過し得
る有効面積を変える有効面積可変手段を備える排ガス処
理装置である。
洗浄液を蓄えるとともに上方より該洗浄液を散布するス
プレーノズルを配置しガスを導入するガス吸入口をもつ
塔と、この塔内にあって前記ガスが通過する複数の第１
の貫通穴を有し複数段に配設される多孔板と、前記塔内
の導入される前記ガスを前記洗浄液に接触させ前記塔の
ガス排出口より排気させる排気ファンとを備える排ガス
処理装置において、前記ガス吸入口側の前記塔内の圧力
に応じて前記多孔板が該第１の貫通穴のガスが通過し得
る有効面積を変える有効面積可変手段を備える排ガス処
理装置である。
【０００９】また、前記開口面積可変手段は、複数の第
２の貫通穴を略相対的に同一位置にもつ少くとも２枚の
前記板部材を重ね配設するとともに該板部材を互にずら
すことによりそれぞれの前記第２の貫通穴の重なりでな
る前記第１の貫通穴の有効面積を変える機構であること
が望ましい。
２の貫通穴を略相対的に同一位置にもつ少くとも２枚の
前記板部材を重ね配設するとともに該板部材を互にずら
すことによりそれぞれの前記第２の貫通穴の重なりでな
る前記第１の貫通穴の有効面積を変える機構であること
が望ましい。
【００１０】さらに、上記開口面積可変手段とは別に前
記重なり合った前記板部材を周期的に互いにすり合せ運
動させる駆動機構を備えると良い。
記重なり合った前記板部材を周期的に互いにすり合せ運
動させる駆動機構を備えると良い。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１（ａ）および（ｂ）ならびに（ｃ）は
本発明の一実施例における排ガス処理装置を示す模式断
面図および多孔板のＡ部を拡大して示す上面図（ｂ）な
らびに断面図である。この排ガス処理装置は、図１に示
すように、ガス吸入口側の塔８内の圧力に応じて多孔板
２が実効貫通穴１０のガスが通過し得る有効面積を変え
る有効面積可変機構を備えている。
本発明の一実施例における排ガス処理装置を示す模式断
面図および多孔板のＡ部を拡大して示す上面図（ｂ）な
らびに断面図である。この排ガス処理装置は、図１に示
すように、ガス吸入口側の塔８内の圧力に応じて多孔板
２が実効貫通穴１０のガスが通過し得る有効面積を変え
る有効面積可変機構を備えている。
【００１３】この有効面積可変機構は、貫通穴１４，１
５を略相対的に同一位置にもつ摺動板２ａと固定板２ｂ
とを重ね配設するとともに固定板２ｂに対し摺動板２ａ
をずらすことによりそれぞれの貫通穴１４と１５とが重
なり合って形成される実効貫通穴１０の有効面積を変え
る機構である。
５を略相対的に同一位置にもつ摺動板２ａと固定板２ｂ
とを重ね配設するとともに固定板２ｂに対し摺動板２ａ
をずらすことによりそれぞれの貫通穴１４と１５とが重
なり合って形成される実効貫通穴１０の有効面積を変え
る機構である。
【００１４】また、この有効面積可変機構は、ガス吸入
口５側の塔８内の圧力を検知する圧力計９と、この圧力
計９の圧力値を入力し背圧と比較し基準値より下ったと
きその減少値に応じてモータ１３に出力を与える制御回
路１１と、摺動板２ａの端部に取付けられるナット（図
示せず）を送るモータ１３と連結する送りねじ（図示せ
ず）とから構成される送り機構とを備えている。
口５側の塔８内の圧力を検知する圧力計９と、この圧力
計９の圧力値を入力し背圧と比較し基準値より下ったと
きその減少値に応じてモータ１３に出力を与える制御回
路１１と、摺動板２ａの端部に取付けられるナット（図
示せず）を送るモータ１３と連結する送りねじ（図示せ
ず）とから構成される送り機構とを備えている。
【００１５】次に、この排ガス処理装置の動作を説明す
る。まず、ＣＶＤ装置などの半導体製造装置から排気さ
れたガスがガス吸入口５から塔８内に導入される。そし
て、排気ファン４で送風され導入されたガスは複数段の
多孔板２の実効貫通穴１０を通過するとともにスプレー
ノズル１から散布される洗浄液３と気液接触しながらガ
ス排出口６より排出される。この気液接触によりガス中
に含まれる有害物資は洗浄液３に吸着し塔８の下方に滴
下される。
る。まず、ＣＶＤ装置などの半導体製造装置から排気さ
れたガスがガス吸入口５から塔８内に導入される。そし
て、排気ファン４で送風され導入されたガスは複数段の
多孔板２の実効貫通穴１０を通過するとともにスプレー
ノズル１から散布される洗浄液３と気液接触しながらガ
ス排出口６より排出される。この気液接触によりガス中
に含まれる有害物資は洗浄液３に吸着し塔８の下方に滴
下される。
【００１６】一方、運転中は圧力計９は導入されるガス
の圧力を常に監視している。ここで、長時間の運転後、
もし、実効貫通穴１０にスケールが生成され圧力計９の
圧力値が基準値より下ったとすると、制御回路１１は基
準値より下る値のアナログ値を増幅しデジタル信号値に
変換し、変換されたデジタルパルス数をモータ１３に送
る。そして、送られたパルス数に応じてモータ１３は回
転して送りねじの回転により摺動板２ａを固定板２ｂを
すべり貫通穴１４，１５の重なり度が変化し実効貫通穴
１０の有効面積が増加する。このことにより多孔板２の
実効貫通穴１０のコンダクタンスが増加し圧力計９の圧
力値が上る。
の圧力を常に監視している。ここで、長時間の運転後、
もし、実効貫通穴１０にスケールが生成され圧力計９の
圧力値が基準値より下ったとすると、制御回路１１は基
準値より下る値のアナログ値を増幅しデジタル信号値に
変換し、変換されたデジタルパルス数をモータ１３に送
る。そして、送られたパルス数に応じてモータ１３は回
転して送りねじの回転により摺動板２ａを固定板２ｂを
すべり貫通穴１４，１５の重なり度が変化し実効貫通穴
１０の有効面積が増加する。このことにより多孔板２の
実効貫通穴１０のコンダクタンスが増加し圧力計９の圧
力値が上る。
【００１７】そして、再び圧力計９を監視し、圧力値が
基準値より下る毎に実効貫通穴１０の有効面積を広げ
る。そして、機械的に移動限界に達したら従来通り多孔
板２の清掃作業を行なう。この結果、従来、２箇月毎に
清掃点検していたものが年１回で済みその分半導体製造
装置の稼働率を上げることができた。
基準値より下る毎に実効貫通穴１０の有効面積を広げ
る。そして、機械的に移動限界に達したら従来通り多孔
板２の清掃作業を行なう。この結果、従来、２箇月毎に
清掃点検していたものが年１回で済みその分半導体製造
装置の稼働率を上げることができた。
【００１８】図２（ａ）および（ｂ）は図１の多孔板の
種々の実効貫通穴の例を示す図である。上述した実施例
では実効貫通穴がコンダクタンス係数の高い楕円形であ
るが、むしろ、ガスの流れに乱流を生じさせ、反応物質
が付着し難くい形状にした方がより効果があるという知
見を得た。この実効貫通穴は、例えば、図２（ａ）に示
すように、三角形の貫通穴を重ねて形成される菱形の実
効貫通穴１０ａやあるいは図２（ｂ）の矩形状の貫通穴
を重ねて形成される矩形の実効貫通穴などが考えられ
る。
種々の実効貫通穴の例を示す図である。上述した実施例
では実効貫通穴がコンダクタンス係数の高い楕円形であ
るが、むしろ、ガスの流れに乱流を生じさせ、反応物質
が付着し難くい形状にした方がより効果があるという知
見を得た。この実効貫通穴は、例えば、図２（ａ）に示
すように、三角形の貫通穴を重ねて形成される菱形の実
効貫通穴１０ａやあるいは図２（ｂ）の矩形状の貫通穴
を重ねて形成される矩形の実効貫通穴などが考えられ
る。
【００１９】図３は本発明の排ガス処理装置の他の実施
例における塔部の半分を示す模式断面図である。この排
ガス処理装置は、図３に示すように、重なり合った固定
板２摺動板２ａとが周期的に互いにすり合せ運動させる
駆動機構を前述の有効面積可変機構とは別に設けたこと
である。この駆動機構は、固定板２ｂと連結する連結棒
１７と、この連結棒１７とピストンロッド１６ａを介し
て接続されるエアシリンダ１６とで構成されている。
例における塔部の半分を示す模式断面図である。この排
ガス処理装置は、図３に示すように、重なり合った固定
板２摺動板２ａとが周期的に互いにすり合せ運動させる
駆動機構を前述の有効面積可変機構とは別に設けたこと
である。この駆動機構は、固定板２ｂと連結する連結棒
１７と、この連結棒１７とピストンロッド１６ａを介し
て接続されるエアシリンダ１６とで構成されている。
【００２０】この駆動機構は、半導体製造装置が一時停
止している僅かな時間だけ動作し前述の有効面積可変機
構が動作している間は停止している。そして、エアシリ
ンダ１６の往復運動で固定板２ｂを停止している摺動板
２ａに対しすり合せ動作をさせ、積層しない内に付着し
た反応物質を取除くことである。
止している僅かな時間だけ動作し前述の有効面積可変機
構が動作している間は停止している。そして、エアシリ
ンダ１６の往復運動で固定板２ｂを停止している摺動板
２ａに対しすり合せ動作をさせ、積層しない内に付着し
た反応物質を取除くことである。
【００２１】この駆動機構を設けることによって、クリ
ーニングすべき期間が延長され、数年に１回程度でメン
テナンスフリーであった。
ーニングすべき期間が延長され、数年に１回程度でメン
テナンスフリーであった。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、貫通穴が
略同一位置に開けられた２枚の板部材を重ね合わせて配
設し多孔板としそれぞれの貫通穴が重ねて形成される実
効貫通穴の有効面積を可変できる手段をこの多孔板に設
けることよって、導入されるガスの洗浄液の気液接触で
生成される反応生成物が実効貫通穴周囲に付着しコンダ
クタンスを低下させてもこの板部材の位置を動かすこと
により実効貫通穴の面積を広げることができ、従来行な
っていた多孔板の付着したスケールの除去作業における
メンテナンスの頻度が少くなり長期間連続して運転でき
るとともに前段の半導体製造装置の稼働率を向上するこ
とができるという効果がある。
略同一位置に開けられた２枚の板部材を重ね合わせて配
設し多孔板としそれぞれの貫通穴が重ねて形成される実
効貫通穴の有効面積を可変できる手段をこの多孔板に設
けることよって、導入されるガスの洗浄液の気液接触で
生成される反応生成物が実効貫通穴周囲に付着しコンダ
クタンスを低下させてもこの板部材の位置を動かすこと
により実効貫通穴の面積を広げることができ、従来行な
っていた多孔板の付着したスケールの除去作業における
メンテナンスの頻度が少くなり長期間連続して運転でき
るとともに前段の半導体製造装置の稼働率を向上するこ
とができるという効果がある。
【００２３】さらに、２枚の板部材を互いに周期的にす
り合せる機構を設けることによって付着する反応生成物
を必要に応じて取去ることができるので、メンテナンス
フリーとなる効果が得られた。
り合せる機構を設けることによって付着する反応生成物
を必要に応じて取去ることができるので、メンテナンス
フリーとなる効果が得られた。
【図１】本発明の一実施例における排ガス処理装置を示
す模式断面図（ａ）および多孔板のＡ部を拡大して示す
上面図（ｂ）ならびに断面図（ｃ）である。
す模式断面図（ａ）および多孔板のＡ部を拡大して示す
上面図（ｂ）ならびに断面図（ｃ）である。
【図２】図１の多孔板の種々の実効貫通穴の例を示す図
である。
である。
【図３】本発明の排ガス処理装置の他の実施例における
塔部の半分を示す模式断面図である。
塔部の半分を示す模式断面図である。
【図４】従来の一例を示す排ガス処理装置の模式断面図
およびＢ部を拡大して示す図である。
およびＢ部を拡大して示す図である。
１ スプレーノズル ２，１２ 多孔板 ２ａ 摺動板 ２ｂ 固定板 ３ 洗浄液 ４ 排気ファン ５ ガス吸入口 ６ ガス排出口 ７ スケール ８ 塔 ９ 圧力計 １０，１０ａ，１０ｂ 実効貫通穴 １１ 制御回路 １３ モータ １４，１５ 貫通穴 １６ エアシリンダ １６ａ ピストンロッド １７ 連結棒
Claims (3)
- 【請求項１】 下方に洗浄液を蓄えるとともに上方より
該洗浄液を散布するスプレーノズルを配置しガスを導入
するガス吸入口をもつ塔と、この塔内にあって前記ガス
が通過する複数の第１の貫通穴を有し複数段に配設され
る多孔板と、前記塔内の導入される前記ガスを前記洗浄
液に接触させ前記塔のガス排出口より排気させる排気フ
ァンとを備える排ガス処理装置において、前記ガス吸入
口側の前記塔内の圧力に応じて前記多孔板が該第１の貫
通穴のガスが通過し得る有効面積を変える有効面積可変
手段を備えることを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項２】 前記開口面積可変手段は、複数の第２の
貫通穴を略相対的に同一位置にもつ少くとも２枚の前記
板部材を重ね配設するとともに該板部材を互にずらすこ
とによりそれぞれの前記第２の貫通穴の重なりでなる前
記第１の貫通穴の有効面積を変える機構であることを特
徴とする請求項１記載の排ガス処理装置。 - 【請求項３】 前記重なり合った前記板部材を周期的に
互いにすり合せ運動させる駆動機構を備えることを特徴
とする請求項２記載の排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6236566A JP2636751B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6236566A JP2636751B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 排ガス処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0899014A true JPH0899014A (ja) | 1996-04-16 |
| JP2636751B2 JP2636751B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=17002539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6236566A Expired - Fee Related JP2636751B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2636751B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011258795A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 変圧器 |
| JP2013215691A (ja) * | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Ihi Corp | 排煙脱硫装置及び排煙脱硫方法 |
| KR101341479B1 (ko) * | 2013-05-03 | 2013-12-13 | 한국기계연구원 | 금속 다공판을 이용한 유해가스 처리장치 |
| CN112044190A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-12-08 | 王凯 | 一种用于纺织材料的智能蒸汽回收处理设备 |
| JP2023518338A (ja) * | 2020-02-12 | 2023-05-01 | ムンタース ユーロフォルム ゲーエムベーハー | ガス流チャネルにおける可変設備 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5429148U (ja) * | 1977-07-30 | 1979-02-26 | ||
| JPS5595822U (ja) * | 1978-12-26 | 1980-07-03 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP6236566A patent/JP2636751B2/ja not_active Expired - Fee Related
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