JPH09102484A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置Info
- Publication number
- JPH09102484A JPH09102484A JP7255972A JP25597295A JPH09102484A JP H09102484 A JPH09102484 A JP H09102484A JP 7255972 A JP7255972 A JP 7255972A JP 25597295 A JP25597295 A JP 25597295A JP H09102484 A JPH09102484 A JP H09102484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- vacuum container
- sample
- silicon carbide
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の課題は加工精度、加工形状と選択比の
間のトレ−ドオフの関係を解消すること、及び加工精
度、加工形状と選択比を同時に満足するプラズマ処理方
法及び装置を提供することである。 【解決手段】電磁波によってプラズマを発生させて試料
を処理する方法において、放電領域となる真空容器の内
部に炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の炭素を含む物質を設置す
る構成とした。
間のトレ−ドオフの関係を解消すること、及び加工精
度、加工形状と選択比を同時に満足するプラズマ処理方
法及び装置を提供することである。 【解決手段】電磁波によってプラズマを発生させて試料
を処理する方法において、放電領域となる真空容器の内
部に炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の炭素を含む物質を設置す
る構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波によってプ
ラズマを発生させて試料を処理する方法または装置、特
に半導体製造プロセスに関する発明であり、メタル配線
膜のエッチングプロセスに適用できる。
ラズマを発生させて試料を処理する方法または装置、特
に半導体製造プロセスに関する発明であり、メタル配線
膜のエッチングプロセスに適用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術の一例は、例えば公知例では
ない特願平５−３３４９６１号に記載されている。生成
されるプラズマに対して真空容器内の物質が与える影響
に対して考慮されていなかった。
ない特願平５−３３４９６１号に記載されている。生成
されるプラズマに対して真空容器内の物質が与える影響
に対して考慮されていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】プラズマを利用した半
導体製造プロセスに対する要求は大変厳しくなってきて
おり、加工精度、加工形状、選択比（材料間の処理速度
比）、均一性、処理速度を同時に満足させなければなら
ない。
導体製造プロセスに対する要求は大変厳しくなってきて
おり、加工精度、加工形状、選択比（材料間の処理速度
比）、均一性、処理速度を同時に満足させなければなら
ない。
【０００４】積層メタル配線のエッチングプロセスにお
いては、垂直加工を行うために側壁保護膜を形成する技
術が用いられている。側壁保護膜となる物質は主にフォ
トレジストから供給されているため、対フォトレジスト
選択比を大きくすると側壁保護膜となる物質の供給が不
足して横方向のエッチングが進行して垂直加工を行うこ
とが困難となる。逆に垂直加工を行うために側壁保護膜
となる物質の供給を充分に行おうとすると、フォトレジ
ストのエッチング速度を上げざるを得ず、対フォトレジ
スト選択比が小さくなってしまう。このように加工精
度、加工形状と選択比は互いにトレ−ドオフの関係とな
っている。
いては、垂直加工を行うために側壁保護膜を形成する技
術が用いられている。側壁保護膜となる物質は主にフォ
トレジストから供給されているため、対フォトレジスト
選択比を大きくすると側壁保護膜となる物質の供給が不
足して横方向のエッチングが進行して垂直加工を行うこ
とが困難となる。逆に垂直加工を行うために側壁保護膜
となる物質の供給を充分に行おうとすると、フォトレジ
ストのエッチング速度を上げざるを得ず、対フォトレジ
スト選択比が小さくなってしまう。このように加工精
度、加工形状と選択比は互いにトレ−ドオフの関係とな
っている。
【０００５】本発明の目的は加工精度、加工形状と選択
比の間のトレ−ドオフの関係を解消し、加工精度、加工
形状と選択比を同時に満足するプラズマ処理方法及び装
置を提供することである。
比の間のトレ−ドオフの関係を解消し、加工精度、加工
形状と選択比を同時に満足するプラズマ処理方法及び装
置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の処理及び装置を以下に記す。
の処理及び装置を以下に記す。
【０００７】加工精度、加工形状と選択比を同時に満足
するためには側壁保護膜の材料となる物質（主に炭素）
の供給をフォトレジスト以外から行ってやればよい。プ
ラズマ中に側壁保護膜の材料となる物質が被処理物の垂
直加工を行うために必要なだけ存在するならばフォトレ
ジストを積極的にエッチングする必要がなくなるため、
対レジスト選択比を大きくすることが可能になる。
するためには側壁保護膜の材料となる物質（主に炭素）
の供給をフォトレジスト以外から行ってやればよい。プ
ラズマ中に側壁保護膜の材料となる物質が被処理物の垂
直加工を行うために必要なだけ存在するならばフォトレ
ジストを積極的にエッチングする必要がなくなるため、
対レジスト選択比を大きくすることが可能になる。
【０００８】そのためには、放電領域となる真空容器の
内部の少なくとも一部に炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の炭素
を含む物質を設置すること、例えば真空容器の壁を炭化
ケイ素（ＳｉＣ）等の炭素を含む物質で覆うこと、資料
台の表面を炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の炭素を含む物質で
覆うこと等である。
内部の少なくとも一部に炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の炭素
を含む物質を設置すること、例えば真空容器の壁を炭化
ケイ素（ＳｉＣ）等の炭素を含む物質で覆うこと、資料
台の表面を炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の炭素を含む物質で
覆うこと等である。
【０００９】電磁波によってプラズマを発生させて試料
を処理するプラズマ処理装置では、放電領域となる真空
容器の内部にある物質の表面は、生成されたプラズマに
曝された状態になっており、表面はプラズマによってエ
ッチングされて，真空容器の表面を構成する物質がプラ
ズマ中に放出される。
を処理するプラズマ処理装置では、放電領域となる真空
容器の内部にある物質の表面は、生成されたプラズマに
曝された状態になっており、表面はプラズマによってエ
ッチングされて，真空容器の表面を構成する物質がプラ
ズマ中に放出される。
【００１０】放電領域となる真空容器の内部に炭化ケイ
素（ＳｉＣ）等の炭素を含む物質を設置することによっ
て、表面がエッチングされてプラズマ中にケイ素（Ｓ
ｉ）、炭素（Ｃ）が放出される。プラズマ中に放出され
た炭素（Ｃ）が被処理物のエッチングの際に側壁保護膜
として作用するため、垂直加工が可能となる。そのた
め、側壁保護膜の材料となる物質を供給する目的でフォ
トレジストをエッチングする必要がなくなり、被処理物
の加工形状を垂直に保ったままフォトレジストのエッチ
ング速度を低下させることができるため、対フォトレジ
スト選択比が向上す
素（ＳｉＣ）等の炭素を含む物質を設置することによっ
て、表面がエッチングされてプラズマ中にケイ素（Ｓ
ｉ）、炭素（Ｃ）が放出される。プラズマ中に放出され
た炭素（Ｃ）が被処理物のエッチングの際に側壁保護膜
として作用するため、垂直加工が可能となる。そのた
め、側壁保護膜の材料となる物質を供給する目的でフォ
トレジストをエッチングする必要がなくなり、被処理物
の加工形状を垂直に保ったままフォトレジストのエッチ
ング速度を低下させることができるため、対フォトレジ
スト選択比が向上す
【００１１】る。
（実施例１）本発明の一実施例を図１、図２によって説
明する。本実施例は半導体製造装置の真空容器内面に炭
素（Ｃ）を含む物質として炭化ケイ素（ＳｉＣ）の筒を
設置した例である。プラズマを生成する手段としてマイ
クロ波と磁界を利用し、塩素ガス（Ｃｌ2）を用いてメ
タル配線膜ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮのエッチングを行う場
合について記す。図１は装置構成を、図２は装置内の試
料台に積載されたメタル配線膜ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮの
エッチングの概念図を示す。
明する。本実施例は半導体製造装置の真空容器内面に炭
素（Ｃ）を含む物質として炭化ケイ素（ＳｉＣ）の筒を
設置した例である。プラズマを生成する手段としてマイ
クロ波と磁界を利用し、塩素ガス（Ｃｌ2）を用いてメ
タル配線膜ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮのエッチングを行う場
合について記す。図１は装置構成を、図２は装置内の試
料台に積載されたメタル配線膜ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮの
エッチングの概念図を示す。
【００１２】図１において、１はマイクロ波を発生する
マグネトロン、２はマイクロ波を伝播する導波管、３は
円矩形変換導波管、４はマイクロ波を共振励起する空洞
部、５は磁場を発生するソレノイドコイル、６は電磁波
透過部材（例えば石英平板）、７は真空容器、８は被処
理物を搭載するホルダ、９は炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の
内筒、１０はガス導入経路、１１は真空容器７を真空に
減圧するためのタ−ボ分子ポンプ、１２は真空容器７の
圧力の調整を行うバリアブルバルブ、１３は粗引用真空
ポンプ、１４はホルダにエッチングのためのＲＦバイア
ス電圧を印加するための高周波電源である。１５は生成
されたプラズマを示す。
マグネトロン、２はマイクロ波を伝播する導波管、３は
円矩形変換導波管、４はマイクロ波を共振励起する空洞
部、５は磁場を発生するソレノイドコイル、６は電磁波
透過部材（例えば石英平板）、７は真空容器、８は被処
理物を搭載するホルダ、９は炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の
内筒、１０はガス導入経路、１１は真空容器７を真空に
減圧するためのタ−ボ分子ポンプ、１２は真空容器７の
圧力の調整を行うバリアブルバルブ、１３は粗引用真空
ポンプ、１４はホルダにエッチングのためのＲＦバイア
ス電圧を印加するための高周波電源である。１５は生成
されたプラズマを示す。
【００１３】図２において、９は炭化ケイ素（ＳｉＣ）
製の内筒、１５は生成されたプラズマ、１６はホルダ８
に積載された試料のＳｉ基板、１７は積層メタル配線膜
のＴｉＮバリア層、１８は積層メタル配線膜のＡｌ層、
１９は積層メタル配線膜のＴｉＮキャップ層、２０はフ
ォトレジストを示す。
製の内筒、１５は生成されたプラズマ、１６はホルダ８
に積載された試料のＳｉ基板、１７は積層メタル配線膜
のＴｉＮバリア層、１８は積層メタル配線膜のＡｌ層、
１９は積層メタル配線膜のＴｉＮキャップ層、２０はフ
ォトレジストを示す。
【００１４】マグネトロン１で発生したマイクロ波は導
波管２、円矩形変換導波管３を経由し、空洞部４、電磁
波透過部材６を経て真空容器７に導かれる。真空容器７
の内部はターボ分子ポンプ１１と粗引用真空ポンプ１３
によって減圧されている。試料を処理する場合、プロセ
スガスをガス導入経路１０から真空容器７に導く。真空
容器７の内部圧力を調節するためにバリアブルバルブ１
２を設けている。真空容器７の周囲にはソレノイドコイ
ル５が設けられており、真空容器７の内部では磁界が存
在する。電子は磁界と電磁波の相互作用によって効率良
く加速されてイオンと衝突し、プラズマ１５を生成す
る。真空容器７内で生成されたプラズマ１５は壁に向か
って拡散し、炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の内筒９の表面に
衝突する。このとき、炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の内筒９
の表面がエッチングされ、プラズマ１５中に炭素（Ｃ）
が遊離する。
波管２、円矩形変換導波管３を経由し、空洞部４、電磁
波透過部材６を経て真空容器７に導かれる。真空容器７
の内部はターボ分子ポンプ１１と粗引用真空ポンプ１３
によって減圧されている。試料を処理する場合、プロセ
スガスをガス導入経路１０から真空容器７に導く。真空
容器７の内部圧力を調節するためにバリアブルバルブ１
２を設けている。真空容器７の周囲にはソレノイドコイ
ル５が設けられており、真空容器７の内部では磁界が存
在する。電子は磁界と電磁波の相互作用によって効率良
く加速されてイオンと衝突し、プラズマ１５を生成す
る。真空容器７内で生成されたプラズマ１５は壁に向か
って拡散し、炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の内筒９の表面に
衝突する。このとき、炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の内筒９
の表面がエッチングされ、プラズマ１５中に炭素（Ｃ）
が遊離する。
【００１５】積層メタル配線膜のＡｌ１８、ＴｉＮ１
７、１９はプラズマ中の塩素（Ｃｌ）によってエッチン
グが進行する。特に塩素（Ｃｌ）によるＡｌのエッチン
グは等方性であるが、炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の内筒９
の表面から供給された炭素（Ｃ）がプラズマ１５中に充
分に存在するため、炭素（Ｃ）がＡｌ１８の表面を覆っ
て保護膜として作用し、エッチングは進行しない。Ｓｉ
基板１６に平行な面に対してはＲＦバイアスがかかるた
め炭素（Ｃ）がＡｌ１８の表面から除去されてエッチン
グが進行するが、Ｓｉ基板１６に垂直な面に対してはＲ
Ｆバイアスがかからないため炭素（Ｃ）がＡｌ１８の表
面から除去されずエッチングが進行しないためＡｌのエ
ッチング形状は垂直となる。
７、１９はプラズマ中の塩素（Ｃｌ）によってエッチン
グが進行する。特に塩素（Ｃｌ）によるＡｌのエッチン
グは等方性であるが、炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の内筒９
の表面から供給された炭素（Ｃ）がプラズマ１５中に充
分に存在するため、炭素（Ｃ）がＡｌ１８の表面を覆っ
て保護膜として作用し、エッチングは進行しない。Ｓｉ
基板１６に平行な面に対してはＲＦバイアスがかかるた
め炭素（Ｃ）がＡｌ１８の表面から除去されてエッチン
グが進行するが、Ｓｉ基板１６に垂直な面に対してはＲ
Ｆバイアスがかからないため炭素（Ｃ）がＡｌ１８の表
面から除去されずエッチングが進行しないためＡｌのエ
ッチング形状は垂直となる。
【００１６】なお、炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の内筒とし
ては、１〜３０ｍｍ程度の厚さを有するＳｉＣの焼結体
や、カ−ボン円筒に数十ミクロン〜数ｍｍ厚の高純度Ｓ
ｉＣをコ−ティングしたもの等を、用いることができ
る。
ては、１〜３０ｍｍ程度の厚さを有するＳｉＣの焼結体
や、カ−ボン円筒に数十ミクロン〜数ｍｍ厚の高純度Ｓ
ｉＣをコ−ティングしたもの等を、用いることができ
る。
【００１７】炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の内筒９の代わり
に、カ−ボン製内筒を用いても同様な効果が得られた。
但し、クリ−ニング用に酸素ガスプラズマを用いる場
合、カ−ボン製内筒は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）製内筒に
比べ消耗が大きい欠点がある。
に、カ−ボン製内筒を用いても同様な効果が得られた。
但し、クリ−ニング用に酸素ガスプラズマを用いる場
合、カ−ボン製内筒は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）製内筒に
比べ消耗が大きい欠点がある。
【００１８】尚、これまでは ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮ積
層膜の例を示したが、被エッチング膜の材質や構造はこ
れに限定されるものではない。Ａｌの代わりにＳｉ、Ｃ
ｕ等を含むＡｌ合金膜で有る場合はもちろん、上部／下
部のＴｉＮの代わりに、Ｔｉ，Ｗ，Ｓｉを含む材料（例
えば，ＴｉＷ，ＷＳｉ，Ｔｉ，Ｗ，アモルファスシリコ
ン）を用いる場合にも有効であることは、いうまでもな
い。但し、上記効果は、メタルの単層膜に比べ、２層以
上の多層膜において、とくに顕著な効果が得られる。
層膜の例を示したが、被エッチング膜の材質や構造はこ
れに限定されるものではない。Ａｌの代わりにＳｉ、Ｃ
ｕ等を含むＡｌ合金膜で有る場合はもちろん、上部／下
部のＴｉＮの代わりに、Ｔｉ，Ｗ，Ｓｉを含む材料（例
えば，ＴｉＷ，ＷＳｉ，Ｔｉ，Ｗ，アモルファスシリコ
ン）を用いる場合にも有効であることは、いうまでもな
い。但し、上記効果は、メタルの単層膜に比べ、２層以
上の多層膜において、とくに顕著な効果が得られる。
【００１９】また、使用するガスとしては、塩素単独ガ
スに限定されず、塩素をふくむガスを用いれば、同様な
効果が得られる。臭素をふくむガスを用いる場合には、
塩素ガスの場合に比べて、効果が少し弱まるが、近い効
果が得られる。
スに限定されず、塩素をふくむガスを用いれば、同様な
効果が得られる。臭素をふくむガスを用いる場合には、
塩素ガスの場合に比べて、効果が少し弱まるが、近い効
果が得られる。
【００２０】（実施例２）本発明の２つめの実施例を図
３、によって説明する。本実施例は炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）のカバ−で半導体製造装置の試料台を覆った例であ
る。
３、によって説明する。本実施例は炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）のカバ−で半導体製造装置の試料台を覆った例であ
る。
【００２１】図３において２１は炭化ケイ素（ＳｉＣ）
のカバ−である。他の構成部品については図１と共通で
ある。
のカバ−である。他の構成部品については図１と共通で
ある。
【００２２】炭素（Ｃ）の供給が炭化ケイ素（ＳｉＣ）
のカバ−２１から行われること以外は実施例１と同様で
ある。但し、炭素（Ｃ）の供給が、試料の周辺に近いた
め、試料に対して、より効果的である利点がある。な
お、炭化ケイ素（ＳｉＣ）やカ−ボンは、導電性を有し
ている。このため、静電吸着膜を試料台に使用するとき
等には、試料台とプラズマ間の直流的なリ−クを排除す
る目的で、カバ−２１と試料台間に絶縁体を設置する方
が好ましい。
のカバ−２１から行われること以外は実施例１と同様で
ある。但し、炭素（Ｃ）の供給が、試料の周辺に近いた
め、試料に対して、より効果的である利点がある。な
お、炭化ケイ素（ＳｉＣ）やカ−ボンは、導電性を有し
ている。このため、静電吸着膜を試料台に使用するとき
等には、試料台とプラズマ間の直流的なリ−クを排除す
る目的で、カバ−２１と試料台間に絶縁体を設置する方
が好ましい。
【００２３】（実施例３）図１、図３では、マイクロ波
電力と磁場とによりプラズマを生成させる例を述べた
が、プラズマの生成方法は、何らこれに限定されるもの
ではない。図４に１〜２０ＭＨｚのＲＦ電力源２３の出
力をコイル２２に印加しプラズマ１５を発生させる例を
示す。ホルダ８上に被処理物２６を搭載している。ＲＦ
電力は、誘電体２４を通って、プラズマ中に投入され
る。誘電体２４と金属容器２５とで構成される真空容器
の内部に、炭化ケイ素（ＳｉＣ）製等の炭素を含む物質
の内筒９を設置することにより、図１と同様な効果が得
られる。
電力と磁場とによりプラズマを生成させる例を述べた
が、プラズマの生成方法は、何らこれに限定されるもの
ではない。図４に１〜２０ＭＨｚのＲＦ電力源２３の出
力をコイル２２に印加しプラズマ１５を発生させる例を
示す。ホルダ８上に被処理物２６を搭載している。ＲＦ
電力は、誘電体２４を通って、プラズマ中に投入され
る。誘電体２４と金属容器２５とで構成される真空容器
の内部に、炭化ケイ素（ＳｉＣ）製等の炭素を含む物質
の内筒９を設置することにより、図１と同様な効果が得
られる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば放
電領域となる真空容器の内部に炭化ケイ素（ＳｉＣ）等
の炭素を含む物質を設置することによって、被処理物を
垂直加工するための側壁保護膜の材料となる炭素（Ｃ）
がプラズマ中にフォトレジスト以外から供給されるので
フォトレジストのエッチング速度を低下させることが可
能となり、対フォトレジスト選択比が向上する。従っ
て、半導体製造装置、特にメタル配線膜のエッチングプ
ロセスに本発明を適用することによって加工精度、加工
形状と選択比の間のトレ−ドオフの関係を解消し、加工
精度、加工形状と選択比を同時に満足させることができ
る。
電領域となる真空容器の内部に炭化ケイ素（ＳｉＣ）等
の炭素を含む物質を設置することによって、被処理物を
垂直加工するための側壁保護膜の材料となる炭素（Ｃ）
がプラズマ中にフォトレジスト以外から供給されるので
フォトレジストのエッチング速度を低下させることが可
能となり、対フォトレジスト選択比が向上する。従っ
て、半導体製造装置、特にメタル配線膜のエッチングプ
ロセスに本発明を適用することによって加工精度、加工
形状と選択比の間のトレ−ドオフの関係を解消し、加工
精度、加工形状と選択比を同時に満足させることができ
る。
【図１】図１は本発明の一実施例を示す炭化ケイ素（Ｓ
ｉＣ）の筒を半導体製造装置の真空容器内面に沿って設
置した例である。
ｉＣ）の筒を半導体製造装置の真空容器内面に沿って設
置した例である。
【図２】図２は図１の半導体製造装置内に置かれた被処
理物（メタル配線膜）の表面で起こるエッチング反応の
概念図である。
理物（メタル配線膜）の表面で起こるエッチング反応の
概念図である。
【図３】図３は本発明の一実施例を示す炭化ケイ素（Ｓ
ｉＣ）のカバ−で半導体製造装置の試料台を覆った例で
ある。
ｉＣ）のカバ−で半導体製造装置の試料台を覆った例で
ある。
【図４】図４は本発明の一実施例を示す炭化ケイ素（Ｓ
ｉＣ）の筒を半導体製造装置の真空容器内面に沿って設
置した他の例である。
ｉＣ）の筒を半導体製造装置の真空容器内面に沿って設
置した他の例である。
１はマイクロ波を発生するマグネトロン、２はマイクロ
波を伝播する導波管、３は円矩形変換導波管、４はマイ
クロ波を共振励起する空洞部、５は磁場を発生するソレ
ノイドコイル、６は電磁波透過部材（例えば石英平
板）、７は真空容器、８は被処理物を搭載するホルダ、
９は炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の内筒、１０はガス導入経
路、１１は真空容器７を真空に減圧するためのタ−ボ分
子ポンプ、１２は真空容器７の圧力の調整を行うバリア
ブルバルブ、１３は粗引用真空ポンプ、１４はホルダに
エッチングのためのＲＦバイアス電圧を印加するための
高周波電源である。１５は生成されたプラズマを示す。
１６はホルダ８に積載された試料のＳｉ基板、１７は積
層メタル配線膜のＴｉＮバリア層、１８は積層メタル配
線膜のＡｌ層、１９は積層メタル配線膜のＴｉＮキャッ
プ層、２０はフォトレジストを示す。２１は炭化ケイ素
（ＳｉＣ）製カバ−、２２はコイル、２３は、１〜２０
ＭＨｚのＲＦ電力源、誘電体２４。
波を伝播する導波管、３は円矩形変換導波管、４はマイ
クロ波を共振励起する空洞部、５は磁場を発生するソレ
ノイドコイル、６は電磁波透過部材（例えば石英平
板）、７は真空容器、８は被処理物を搭載するホルダ、
９は炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の内筒、１０はガス導入経
路、１１は真空容器７を真空に減圧するためのタ−ボ分
子ポンプ、１２は真空容器７の圧力の調整を行うバリア
ブルバルブ、１３は粗引用真空ポンプ、１４はホルダに
エッチングのためのＲＦバイアス電圧を印加するための
高周波電源である。１５は生成されたプラズマを示す。
１６はホルダ８に積載された試料のＳｉ基板、１７は積
層メタル配線膜のＴｉＮバリア層、１８は積層メタル配
線膜のＡｌ層、１９は積層メタル配線膜のＴｉＮキャッ
プ層、２０はフォトレジストを示す。２１は炭化ケイ素
（ＳｉＣ）製カバ−、２２はコイル、２３は、１〜２０
ＭＨｚのＲＦ電力源、誘電体２４。
フロントページの続き (72)発明者 濱崎 良二 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 吉田 剛 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内 (72)発明者 大本 豊 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 児島 雅之 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 笹部 俊二 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (12)
- 【請求項１】電磁波によってプラズマを発生させて試料
を処理する方法において、放電領域となる真空容器の内
部の少なくとも一部に炭素を含む物質を設置することを
特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】電磁波によってプラズマを発生させて試料
を処理する方法において、放電領域となる真空容器の内
面の少なくとも一部に炭素を含む物質を覆うことを特徴
とするプラズマ処理方法。 - 【請求項３】電磁波によってプラズマを発生させて試料
を処理する方法において、被処理物を設置する試料台の
表面の少なくとも一部に炭素を含む物質を覆うことを特
徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項４】電磁波によってプラズマを発生させて試料
を処理する装置において、放電領域となる真空容器の内
部の少なくとも一部に炭化ケイ素（ＳｉＣ）を設置する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】電磁波によってプラズマを発生させて試料
を処理する装置において、放電領域となる真空容器の内
面の少なくとも一部を炭化ケイ素（ＳｉＣ）で覆うこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項６】電磁波によってプラズマを発生させて試料
を処理する装置において、被処理物を設置する試料台の
表面の少なくとも一部を炭化ケイ素（ＳｉＣ）で覆うこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項７】プラズマを用いた積層メタル配線膜のエッ
チングプロセスにおいて、放電領域となる真空容器の内
部の少なくとも一部に炭素を含む物質を設置することを
特徴とするエッチング処理方法。 - 【請求項８】ハロゲン原子を含むガスを用いた積層メタ
ル配線膜のエッチングプロセスにおいて、放電領域とな
る真空容器の内面の少なくとも一部を炭素を含む物質で
覆うことを特徴とするエッチング処理方法。 - 【請求項９】ハロゲン原子を含むガスを含むプラズマを
用いた積層メタル配線膜のエッチングプロセスにおい
て、被処理物を設置する試料の表面の少なくとも一部を
炭素を含む物質で覆うことを特徴とするエッチング処理
方法。 - 【請求項１０】ハロゲン原子を含むガスを含むプラズマ
を用いた積層メタル配線膜のエッチングプロセスにおい
て、放電領域となる真空容器の内部の表面の少なくとも
一部に炭化ケイ素（ＳｉＣ）を設置することを特徴とす
るエッチング処理方法。 - 【請求項１１】ハロゲン原子を含むガスを含むプラズマ
を用いた積層メタル配線膜のエッチングプロセスにおい
て、放電領域となる真空容器の内面の表面の少なくとも
一部を炭化ケイ素（ＳｉＣ）で覆うことを特徴とするエ
ッチング処理方法。 - 【請求項１２】ハロゲン原子を含むガスを用いた積層メ
タル配線膜のエッチングプロセスにおいて、被処理物を
設置する試料台の表面の少なくとも一部を炭化ケイ素
（ＳｉＣ）で覆うことを特徴とするエッチング処理方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7255972A JPH09102484A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | プラズマ処理方法及び装置 |
| US08/721,732 US6156663A (en) | 1995-10-03 | 1996-09-27 | Method and apparatus for plasma processing |
| TW085111969A TW318265B (ja) | 1995-10-03 | 1996-10-01 | |
| KR1019960043707A KR100369789B1 (ko) | 1995-10-03 | 1996-10-02 | 플라즈마처리방법및장치 |
| EP96307204A EP0779651A3 (en) | 1995-10-03 | 1996-10-02 | Method and apparatus for plasma processing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7255972A JPH09102484A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102484A true JPH09102484A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17286136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7255972A Pending JPH09102484A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343769A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | クロム系フォトマスクの形成方法 |
-
1995
- 1995-10-03 JP JP7255972A patent/JPH09102484A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343769A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | クロム系フォトマスクの形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100552645B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| US3971684A (en) | Etching thin film circuits and semiconductor chips | |
| TW516113B (en) | Plasma processing device and plasma processing method | |
| JP3868925B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100269552B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| US6096176A (en) | Sputtering method and a sputtering apparatus thereof | |
| JP2000173985A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH09102484A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2004214609A (ja) | プラズマ処理装置の処理方法 | |
| JP2797307B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
| US6228210B1 (en) | Surface wave coupled plasma etching apparatus | |
| JP3595885B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ装置 | |
| JPH0964019A (ja) | 半導体製造装置およびそのドライクリーニング方法 | |
| JP3940467B2 (ja) | 反応性イオンエッチング装置及び方法 | |
| JP4061691B2 (ja) | 表面加工方法 | |
| JP2945420B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2669249B2 (ja) | プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法 | |
| JP3373466B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP3055888B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP3082702B2 (ja) | プラズマ処理装置及び金属配線のエッチング方法 | |
| JP2001237098A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2956640B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH08127885A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法及び成膜装置 | |
| JP2001217224A (ja) | 試料の表面処理方法および装置 | |
| JP4332230B2 (ja) | 反応性イオンエッチング方法及び装置 |