JPH09104976A - 光学薄膜の成膜方法および成膜装置 - Google Patents
光学薄膜の成膜方法および成膜装置Info
- Publication number
- JPH09104976A JPH09104976A JP7260115A JP26011595A JPH09104976A JP H09104976 A JPH09104976 A JP H09104976A JP 7260115 A JP7260115 A JP 7260115A JP 26011595 A JP26011595 A JP 26011595A JP H09104976 A JPH09104976 A JP H09104976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- target
- frequency power
- plasma
- emission intensity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 14
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光吸収が少なく、機械的強度が大きな光学薄
膜をスパッタリングによって確実に形成する。 【解決手段】 少なくとも金属フッ化物を含む材料をタ
ーゲットとし、放電ガスを成膜室に導入しながら高周波
電力をターゲットに投入してプラズマを発生させ、スパ
ッタリングするのに際し、プラズマ中の金属を含む分子
又は原子の発光強度を監視し、この監視結果をフィード
バックパラメータとして前記高周波電力又は／及び前記
放電ガスの圧力を制御して成膜する。飛散粒子の状態と
成膜速度を制御できるため、光吸収が少なく、機械的強
度が大きな薄膜となる。
膜をスパッタリングによって確実に形成する。 【解決手段】 少なくとも金属フッ化物を含む材料をタ
ーゲットとし、放電ガスを成膜室に導入しながら高周波
電力をターゲットに投入してプラズマを発生させ、スパ
ッタリングするのに際し、プラズマ中の金属を含む分子
又は原子の発光強度を監視し、この監視結果をフィード
バックパラメータとして前記高周波電力又は／及び前記
放電ガスの圧力を制御して成膜する。飛散粒子の状態と
成膜速度を制御できるため、光吸収が少なく、機械的強
度が大きな薄膜となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は反射防止膜等の光学
薄膜をスパッタリング法によって成膜する方法及びこの
方法に使用される成膜装置に関する。
薄膜をスパッタリング法によって成膜する方法及びこの
方法に使用される成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】反射防止膜などの光学薄膜を光学部品等
の基板に成膜する場合、材料を加熱し蒸発させて基板に
付着させる真空蒸着法が従来、主に使われてきた。この
真空蒸着法に対して、スパッタリング法は自動化・省力
化・大面積基板への適用性、あるいはスパッタ粒子のエ
ネルギーが蒸着粒子に比べて１〜２桁高いことによる低
温成膜の可能性などの点で有利であり、このため近年、
スパッタリング法によるコーティングが多く行われてい
る。
の基板に成膜する場合、材料を加熱し蒸発させて基板に
付着させる真空蒸着法が従来、主に使われてきた。この
真空蒸着法に対して、スパッタリング法は自動化・省力
化・大面積基板への適用性、あるいはスパッタ粒子のエ
ネルギーが蒸着粒子に比べて１〜２桁高いことによる低
温成膜の可能性などの点で有利であり、このため近年、
スパッタリング法によるコーティングが多く行われてい
る。
【０００３】ところで、反射防止膜を構成する物質とし
ては、ＳｉＯ2 やＺｒＯ2 などの金属酸化物の他に、屈
折率が低いなどの理由により、ＣａＦ2 やＭｇＦ2 など
の金属フッ化物がしばしば用いられている。ところが、
ＣａＦ2 やＭｇＦ2 などの金属フッ化物は３００℃程度
の基板加熱を行いながら真空蒸着することによって、光
吸収が少なく、機械的強度の高い良質な薄膜となるのに
対し、スパッタリング法に用いる場合には、スパッタリ
ングの際にフッ素が金属フッ化物から解離し易く、これ
により成膜した膜に可視域の光吸収が生じ易いという問
題がある。
ては、ＳｉＯ2 やＺｒＯ2 などの金属酸化物の他に、屈
折率が低いなどの理由により、ＣａＦ2 やＭｇＦ2 など
の金属フッ化物がしばしば用いられている。ところが、
ＣａＦ2 やＭｇＦ2 などの金属フッ化物は３００℃程度
の基板加熱を行いながら真空蒸着することによって、光
吸収が少なく、機械的強度の高い良質な薄膜となるのに
対し、スパッタリング法に用いる場合には、スパッタリ
ングの際にフッ素が金属フッ化物から解離し易く、これ
により成膜した膜に可視域の光吸収が生じ易いという問
題がある。
【０００４】そこで従来、スパッタガスとしてフッ素を
含有するガスを用いることにより、解離したフッ素を補
充する技術が開発されている。その一例として、特開平
４−２８９１６５号公報には、金属フッ化物をスパッタ
する際に、スパッタガスとして不活性ガスとフッ素ガス
またはフッ素含有化合物ガスとの混合ガスを用いること
が記載されている。
含有するガスを用いることにより、解離したフッ素を補
充する技術が開発されている。その一例として、特開平
４−２８９１６５号公報には、金属フッ化物をスパッタ
する際に、スパッタガスとして不活性ガスとフッ素ガス
またはフッ素含有化合物ガスとの混合ガスを用いること
が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら特開平４
−２８９１６５号公報等の従来技術で成膜したＭｇＦ2
等の金属フッ化物の薄膜は目視では透明であるが、分光
光度計で測定したところ、可視域での光吸収が充分少な
いものではなく、反射防止膜としての機能を充分に有す
るものではなかった。又、補充するフッ素ガスやフッ素
含有化合物ガスなどのフッ素系ガスは、腐食性が極めて
高い特性を有し、この腐食性によって装置に使用されて
いる真空チャンバーやポンプ、真空油などを劣化させる
問題を有している。さらに人体にも有害で、特別な排ガ
ス処理装置が必要となるなど、生産性、安全性の点でも
問題点がある。
−２８９１６５号公報等の従来技術で成膜したＭｇＦ2
等の金属フッ化物の薄膜は目視では透明であるが、分光
光度計で測定したところ、可視域での光吸収が充分少な
いものではなく、反射防止膜としての機能を充分に有す
るものではなかった。又、補充するフッ素ガスやフッ素
含有化合物ガスなどのフッ素系ガスは、腐食性が極めて
高い特性を有し、この腐食性によって装置に使用されて
いる真空チャンバーやポンプ、真空油などを劣化させる
問題を有している。さらに人体にも有害で、特別な排ガ
ス処理装置が必要となるなど、生産性、安全性の点でも
問題点がある。
【０００６】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、ＭｇＦ2 等の金属フッ化物を用いスパ
ッタリング法で成膜するのに際して、光吸収が少なく、
しかも機械的強度を有し、さらには腐食性で有害なフッ
素系等のガスを補充することなく成膜することができる
光学薄膜の成膜方法を提供することを目的とする。又、
本発明はこの方法を好適に実施できる成膜装置を提供す
ることを目的とする。
れたものであり、ＭｇＦ2 等の金属フッ化物を用いスパ
ッタリング法で成膜するのに際して、光吸収が少なく、
しかも機械的強度を有し、さらには腐食性で有害なフッ
素系等のガスを補充することなく成膜することができる
光学薄膜の成膜方法を提供することを目的とする。又、
本発明はこの方法を好適に実施できる成膜装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する請求
項１の光学薄膜の成膜方法は、少なくとも金属フッ化物
を含む材料をターゲットとし、放電ガスを成膜室に導入
しながら高周波電力をターゲットに投入してプラズマを
発生させ、スパッタリングするのに際し、プラズマ中の
金属を含む分子又は原子の発光強度を監視し、この監視
結果をフィードバックパラメータとして前記高周波電力
又は／及び前記ガス圧を変化させて飛散粒子の状態と成
膜速度を制御し成膜することを特徴とする。
項１の光学薄膜の成膜方法は、少なくとも金属フッ化物
を含む材料をターゲットとし、放電ガスを成膜室に導入
しながら高周波電力をターゲットに投入してプラズマを
発生させ、スパッタリングするのに際し、プラズマ中の
金属を含む分子又は原子の発光強度を監視し、この監視
結果をフィードバックパラメータとして前記高周波電力
又は／及び前記ガス圧を変化させて飛散粒子の状態と成
膜速度を制御し成膜することを特徴とする。
【０００８】ここで使用される金属フッ化物としては、
ＭｇＦ2 を始めとして、ＡｌＦ3 、ＬｉＦ、ＮａＦ、Ｃ
ａＦ2 、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＣｅＦ3 、ＮｄＦ3 、Ｌ
ａＦ 3 、ＳｍＦ3 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 、Ｎａ5 ＡｌＦ14等
の内の一種又は２種以上を選択することができる。
ＭｇＦ2 を始めとして、ＡｌＦ3 、ＬｉＦ、ＮａＦ、Ｃ
ａＦ2 、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＣｅＦ3 、ＮｄＦ3 、Ｌ
ａＦ 3 、ＳｍＦ3 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 、Ｎａ5 ＡｌＦ14等
の内の一種又は２種以上を選択することができる。
【０００９】一般に、通常のスパッタリング法では、水
冷されたバッキングプレートに結合された板状の金属フ
ッ化物、例えばＭｇＦ2 をターゲットとしてＡｒなどの
希ガスを含むガス中でスパッタリングするが、この場合
のプラズマの発光を分光してスペクトルとすると、図１
のように放電ガス（Ａｒ）以外ではＭｇ原子（２８５ｎ
ｍ付近や５１８ｎｍ付近）の発光しか観察できない。こ
れは、プラズマ中に存在して飛散する粒子が主にＭｇ原
子であることを示しており、放電ガスのイオンがターゲ
ットに衝突した際に、ターゲットであるＭｇＦ2 がＭｇ
とＦとに解離してスパッタされていることを示唆してい
る。このような状態で成膜された膜はＦが不足し、化学
量論比から外れた状態となり、光吸収が生じる。この解
離したＦを補充するため、従来ではフッ素系ガスを成膜
室内に導入している。
冷されたバッキングプレートに結合された板状の金属フ
ッ化物、例えばＭｇＦ2 をターゲットとしてＡｒなどの
希ガスを含むガス中でスパッタリングするが、この場合
のプラズマの発光を分光してスペクトルとすると、図１
のように放電ガス（Ａｒ）以外ではＭｇ原子（２８５ｎ
ｍ付近や５１８ｎｍ付近）の発光しか観察できない。こ
れは、プラズマ中に存在して飛散する粒子が主にＭｇ原
子であることを示しており、放電ガスのイオンがターゲ
ットに衝突した際に、ターゲットであるＭｇＦ2 がＭｇ
とＦとに解離してスパッタされていることを示唆してい
る。このような状態で成膜された膜はＦが不足し、化学
量論比から外れた状態となり、光吸収が生じる。この解
離したＦを補充するため、従来ではフッ素系ガスを成膜
室内に導入している。
【００１０】本発明者らがターゲットの形態や放電ガス
の種類、ガス圧力、投入電力など種々の条件を変えて実
験を行い、鋭意研究を重ねた結果、条件によっては図２
のようにプラズマ中にＭｇ原子の他にＭｇＦ分子の発光
（３９５ｎｍ付近）が観察できることを見いだした。こ
のようにＭｇＦ分子の発光があるということは、飛散す
る粒子にＭｇＦ2 分子があることを示している。ＭｇＦ
分子の発光強度が強くなる。すなわちＭｇＦ2 分子の状
態で飛散する確率が高くなると、Ｆが解離することが少
なくなり、結果として成膜される膜の光吸収が少なくな
る。
の種類、ガス圧力、投入電力など種々の条件を変えて実
験を行い、鋭意研究を重ねた結果、条件によっては図２
のようにプラズマ中にＭｇ原子の他にＭｇＦ分子の発光
（３９５ｎｍ付近）が観察できることを見いだした。こ
のようにＭｇＦ分子の発光があるということは、飛散す
る粒子にＭｇＦ2 分子があることを示している。ＭｇＦ
分子の発光強度が強くなる。すなわちＭｇＦ2 分子の状
態で飛散する確率が高くなると、Ｆが解離することが少
なくなり、結果として成膜される膜の光吸収が少なくな
る。
【００１１】このＭｇＦ分子の発光が出現する条件は、
一義的に規定できないが、例えばＭｇＦ2 の顆粒状材料
や熱的に断熱されたＭｇＦ2 の板状材料などをターゲッ
トとし、Ｏ2 やＨ2 Ｏ、あるいはＮ2 ガスなどを放電ガ
スに用いて、ガス圧力を０．０５〜５Ｐａ程度に保ち、
２Ｗ／ｃｍ2 程度以上の高周波電力を投入したときなど
によく発光が現れることを見いだした。このようにＭｇ
Ｆ分子の発光が現れる条件では、ターゲットの温度が７
００℃程度以上の高温になっていることが赤外放射温度
計により確認されている。これらのことから、ＭｇＦ2
分子の状態で飛散するのは、ＭｇＦ2 の材料が高温に加
熱され、分子の状態で蒸発するか、しないかの状態の時
に、放電ガスイオンによりたたかれて（スパッタされ
て）飛散したためであると考えられる。
一義的に規定できないが、例えばＭｇＦ2 の顆粒状材料
や熱的に断熱されたＭｇＦ2 の板状材料などをターゲッ
トとし、Ｏ2 やＨ2 Ｏ、あるいはＮ2 ガスなどを放電ガ
スに用いて、ガス圧力を０．０５〜５Ｐａ程度に保ち、
２Ｗ／ｃｍ2 程度以上の高周波電力を投入したときなど
によく発光が現れることを見いだした。このようにＭｇ
Ｆ分子の発光が現れる条件では、ターゲットの温度が７
００℃程度以上の高温になっていることが赤外放射温度
計により確認されている。これらのことから、ＭｇＦ2
分子の状態で飛散するのは、ＭｇＦ2 の材料が高温に加
熱され、分子の状態で蒸発するか、しないかの状態の時
に、放電ガスイオンによりたたかれて（スパッタされ
て）飛散したためであると考えられる。
【００１２】しかし、ＭｇＦ分子の発光強度が強ければ
良いという訳ではなく、Ｍｇ原子の発光に比べてＭｇＦ
分子の発光強度が高くなりすぎると、膜の光吸収は少な
くなるけれども、基板加熱を行わない場合、膜の機械的
強度が低くなり易いことがわかった。このような条件で
は、ターゲットの温度が１０００℃程度以上に高くなっ
ていることが赤外放射温度計により確認されている。こ
のことから、こうした条件ではＭｇＦ2 がスパッタされ
るよりも分子の状態で蒸発する確率が高くなり、飛散す
る蒸発粒子のエネルギーがスパッタ粒子に比べて１〜２
桁程度低くなってしまうために、真空蒸着と同様に基板
の加熱を行わないかぎり、得られる膜の機械的強度が低
くなってしまうと考えられる。
良いという訳ではなく、Ｍｇ原子の発光に比べてＭｇＦ
分子の発光強度が高くなりすぎると、膜の光吸収は少な
くなるけれども、基板加熱を行わない場合、膜の機械的
強度が低くなり易いことがわかった。このような条件で
は、ターゲットの温度が１０００℃程度以上に高くなっ
ていることが赤外放射温度計により確認されている。こ
のことから、こうした条件ではＭｇＦ2 がスパッタされ
るよりも分子の状態で蒸発する確率が高くなり、飛散す
る蒸発粒子のエネルギーがスパッタ粒子に比べて１〜２
桁程度低くなってしまうために、真空蒸着と同様に基板
の加熱を行わないかぎり、得られる膜の機械的強度が低
くなってしまうと考えられる。
【００１３】以上のことから、光吸収が少なく、且つ基
板加熱を行わなくても機械的強度が高いＭｇＦ2 膜を得
るためには、Ｍｇ原子の発光強度に対するＭｇＦ分子の
発光強度をある一定の範囲に保ちながら成膜を行う必要
がある。Ｍｇ原子の発光強度に対するＭｇＦ分子の発光
強度は、既述したようにターゲットの形態、放電ガスの
種類、ガス圧力、投入電力などの条件によって変わる
が、この発光強度を成膜時に積極的に制御するという観
点では、投入電力、またはガス圧力を制御することが望
ましい。
板加熱を行わなくても機械的強度が高いＭｇＦ2 膜を得
るためには、Ｍｇ原子の発光強度に対するＭｇＦ分子の
発光強度をある一定の範囲に保ちながら成膜を行う必要
がある。Ｍｇ原子の発光強度に対するＭｇＦ分子の発光
強度は、既述したようにターゲットの形態、放電ガスの
種類、ガス圧力、投入電力などの条件によって変わる
が、この発光強度を成膜時に積極的に制御するという観
点では、投入電力、またはガス圧力を制御することが望
ましい。
【００１４】図３は投入電力を変えた時のプラズマの発
光スペクトルの変化を示す。投入電力によってスペクト
ルの形態が変化し、投入電力が高くなるに従い、Ｍｇ原
子に比べてＭｇＦ分子の発光が強くなっていることが判
る。これに対して、放電ガスの圧力を変える場合におい
ては、ガス圧を高くすると、Ｍｇ原子の発光に比べて、
ＭｇＦ分子の発光強度が大きくなり、膜の光吸収が少な
くなるが、機械的強度が低下する傾向にあり、逆に、ガ
ス圧を低くすると、ＭｇＦ分子の発光強度が弱くなり、
膜の機械的強度が向上するが、膜の光吸収が高くなる傾
向にある。
光スペクトルの変化を示す。投入電力によってスペクト
ルの形態が変化し、投入電力が高くなるに従い、Ｍｇ原
子に比べてＭｇＦ分子の発光が強くなっていることが判
る。これに対して、放電ガスの圧力を変える場合におい
ては、ガス圧を高くすると、Ｍｇ原子の発光に比べて、
ＭｇＦ分子の発光強度が大きくなり、膜の光吸収が少な
くなるが、機械的強度が低下する傾向にあり、逆に、ガ
ス圧を低くすると、ＭｇＦ分子の発光強度が弱くなり、
膜の機械的強度が向上するが、膜の光吸収が高くなる傾
向にある。
【００１５】以上のような本発明は、プラズマ中の金属
を含む分子または原子の発光強度をフィードバックパラ
メータとして監視しながら、投入する高周波電力又は／
及び放電ガスの圧力を変化させているので、金属フッ化
物が分子の状態でスパッタされるように制御しながら薄
膜を成膜でき、光吸収が少なく、且つ基板加熱を行わな
くても機械的強度の高い光学薄膜を得ることが可能とな
る。また、フッ素の解離が少ないので、有害なフッ素系
ガスを用いる必要もなく、低温で成膜可能であることか
ら生産性、安全性も高い。
を含む分子または原子の発光強度をフィードバックパラ
メータとして監視しながら、投入する高周波電力又は／
及び放電ガスの圧力を変化させているので、金属フッ化
物が分子の状態でスパッタされるように制御しながら薄
膜を成膜でき、光吸収が少なく、且つ基板加熱を行わな
くても機械的強度の高い光学薄膜を得ることが可能とな
る。また、フッ素の解離が少ないので、有害なフッ素系
ガスを用いる必要もなく、低温で成膜可能であることか
ら生産性、安全性も高い。
【００１６】又、図３から明らかなように、投入電力が
変化するに従い、ＭｇＦ分子およびＭｇ原子の発光強度
が変化している。これは、プラズマ中のＭｇＦ分子ある
いはＭｇ原子の存在量、すなわち基板に向かって飛散す
る粒子の量（成膜速度）が変化していることを示唆して
いる。例として図４にＭｇＦ分子およびＭｇ原子の発光
強度と膜の成膜速度との関係を示すが、ＭｇＦ分子およ
びＭｇ原子の発光強度と膜の成膜速度に相関が認められ
る。このように、プラズマ中における少なくとも金属を
含む分子または原子の発光強度を監視することにより、
成膜速度が監視でき、この発光強度をフィードバックパ
ラメータとして、投入電力、またはガス圧力を変化させ
ることにより、膜の成膜速度を制御しながら光学薄膜を
成膜することが可能となる。
変化するに従い、ＭｇＦ分子およびＭｇ原子の発光強度
が変化している。これは、プラズマ中のＭｇＦ分子ある
いはＭｇ原子の存在量、すなわち基板に向かって飛散す
る粒子の量（成膜速度）が変化していることを示唆して
いる。例として図４にＭｇＦ分子およびＭｇ原子の発光
強度と膜の成膜速度との関係を示すが、ＭｇＦ分子およ
びＭｇ原子の発光強度と膜の成膜速度に相関が認められ
る。このように、プラズマ中における少なくとも金属を
含む分子または原子の発光強度を監視することにより、
成膜速度が監視でき、この発光強度をフィードバックパ
ラメータとして、投入電力、またはガス圧力を変化させ
ることにより、膜の成膜速度を制御しながら光学薄膜を
成膜することが可能となる。
【００１７】請求項２の成膜装置は、少なくとも金属フ
ッ化物を含む材料からなるターゲットと、放電ガスを成
膜室に導入するガス導入手段と、高周波電力をターゲッ
トに投入してプラズマを発生させるプラズマ発生手段
と、プラズマ中における金属を含む分子または原子の発
光強度を監視する監視手段と、この監視手段からの前記
発光強度に基づいて前記ターゲットへの高周波電力又は
／及び放電ガスの圧力を制御する制御手段とを備えてい
ることを特徴とする。
ッ化物を含む材料からなるターゲットと、放電ガスを成
膜室に導入するガス導入手段と、高周波電力をターゲッ
トに投入してプラズマを発生させるプラズマ発生手段
と、プラズマ中における金属を含む分子または原子の発
光強度を監視する監視手段と、この監視手段からの前記
発光強度に基づいて前記ターゲットへの高周波電力又は
／及び放電ガスの圧力を制御する制御手段とを備えてい
ることを特徴とする。
【００１８】このような成膜装置は、プラズマ中におけ
る少なくとも金属を含む分子または原子の発光強度を監
視する監視手段と、この発光強度を投入電力、またはガ
ス圧力にフィードバックをさせる制御手段とを有してる
ので、金属フッ化物、例えばＭｇＦ2 分子の状態でスパ
ッタされるように制御しながら膜を成膜できる。このた
め光吸収が少なく、且つ基板加熱を行わなくても機械的
強度の高い光学薄膜を生産性良く安全に得ることが可能
であると同時に、成膜速度を制御しながら成膜すること
ができるため、所望の膜厚の光学薄膜とすることが可能
となる。
る少なくとも金属を含む分子または原子の発光強度を監
視する監視手段と、この発光強度を投入電力、またはガ
ス圧力にフィードバックをさせる制御手段とを有してる
ので、金属フッ化物、例えばＭｇＦ2 分子の状態でスパ
ッタされるように制御しながら膜を成膜できる。このた
め光吸収が少なく、且つ基板加熱を行わなくても機械的
強度の高い光学薄膜を生産性良く安全に得ることが可能
であると同時に、成膜速度を制御しながら成膜すること
ができるため、所望の膜厚の光学薄膜とすることが可能
となる。
【００１９】
（実施の形態１）図５は成膜装置を示す。同図におい
て、１は成膜室としての真空槽であり、内部にはターゲ
ット３が上面に充填された状態の石英製の皿４が配置さ
れている。この皿４は直径４インチ程度のマグネトロン
カソード５に載置されており、カソード５はスパッタリ
ング用高周波電源６に接続されている。ターゲット３と
しては、粒径０．５〜１ｍｍの顆粒状のＭｇＦ2 が使用
される。
て、１は成膜室としての真空槽であり、内部にはターゲ
ット３が上面に充填された状態の石英製の皿４が配置さ
れている。この皿４は直径４インチ程度のマグネトロン
カソード５に載置されており、カソード５はスパッタリ
ング用高周波電源６に接続されている。ターゲット３と
しては、粒径０．５〜１ｍｍの顆粒状のＭｇＦ2 が使用
される。
【００２０】真空槽１の上方には光学薄膜を成膜するた
めの基板２が配置される。この基板２は回転可能に真空
槽１内に設けられるものである。この基板２とターゲッ
ト３との間にはシャッター１４が設けられている。この
シャッター１４はシャッター開閉装置１５によって回転
駆動されることで、ターゲット３及び基板２の間に進退
して、これらの間を開閉する。
めの基板２が配置される。この基板２は回転可能に真空
槽１内に設けられるものである。この基板２とターゲッ
ト３との間にはシャッター１４が設けられている。この
シャッター１４はシャッター開閉装置１５によって回転
駆動されることで、ターゲット３及び基板２の間に進退
して、これらの間を開閉する。
【００２１】また、真空槽１の側面には、放電ガスの導
入口７が挿入されている。この導入口７からの放電ガス
はマスフローコントローラ８によって、その流量が制御
され、これにより真空室１内の放電ガスのガス圧が制御
される。さらに、真空槽１の側面には、ガイド通路１６
が延びており、このガイド通路１６の終端に石英製の監
視窓１１が取り付けられている。この監視窓１１は真空
槽１内で発生したプラズマ９からの発光が通過し、監視
窓１１を通過した光は分光器１２に取り込まれるように
なっている。分光器１２はプラズマ９内の金属分子又は
原子の発光強度を検出するものである。
入口７が挿入されている。この導入口７からの放電ガス
はマスフローコントローラ８によって、その流量が制御
され、これにより真空室１内の放電ガスのガス圧が制御
される。さらに、真空槽１の側面には、ガイド通路１６
が延びており、このガイド通路１６の終端に石英製の監
視窓１１が取り付けられている。この監視窓１１は真空
槽１内で発生したプラズマ９からの発光が通過し、監視
窓１１を通過した光は分光器１２に取り込まれるように
なっている。分光器１２はプラズマ９内の金属分子又は
原子の発光強度を検出するものである。
【００２２】図５において、１３は制御手段としての制
御回路装置である。この制御回路装置１３は分光器１２
が検出したプラズマ９中の金属分子又は原子の発光強度
が入力され、この入力によってスパッタリング用高周波
電源６又は／及びマスフローコントローラ８を制御す
る。これによりターゲット３に投入される高周波電圧又
は／及び真空槽１内の放電ガスの圧力圧が制御される。
なお、この制御回路装置１３はシャッター開閉装置１５
の制御をも行うものである。
御回路装置である。この制御回路装置１３は分光器１２
が検出したプラズマ９中の金属分子又は原子の発光強度
が入力され、この入力によってスパッタリング用高周波
電源６又は／及びマスフローコントローラ８を制御す
る。これによりターゲット３に投入される高周波電圧又
は／及び真空槽１内の放電ガスの圧力圧が制御される。
なお、この制御回路装置１３はシャッター開閉装置１５
の制御をも行うものである。
【００２３】上記構成において、基板２として屈折率
１．５２のＢＫ７からなる光学ガラスを用い、この基板
２を真空槽１内にセットすると共に、ＭｇＦ2 からなる
ターゲット３が充填された皿４をマグネトロンカソード
５上に載置し、この状態で真空ポンプ（図示省略）によ
り真空槽１内を１×１０-4Ｐａの真空度まで排気する。
このとき基板１２の加熱を行わなかった。その後、放電
ガスとしてのＯ2 ガスをマスフローコントローラ８によ
り流量を制御しながら、ガス導入口７から真空室１内に
導入し、真空室１内を４×１０-1Ｐａの真空度とした。
１．５２のＢＫ７からなる光学ガラスを用い、この基板
２を真空槽１内にセットすると共に、ＭｇＦ2 からなる
ターゲット３が充填された皿４をマグネトロンカソード
５上に載置し、この状態で真空ポンプ（図示省略）によ
り真空槽１内を１×１０-4Ｐａの真空度まで排気する。
このとき基板１２の加熱を行わなかった。その後、放電
ガスとしてのＯ2 ガスをマスフローコントローラ８によ
り流量を制御しながら、ガス導入口７から真空室１内に
導入し、真空室１内を４×１０-1Ｐａの真空度とした。
【００２４】この状態で高周波電源６から高周波電力を
マグネトロンカソード５に投入して、プラズマ９を発生
させた。このプラズマ９により、ＭｇＦ2 ターゲット３
が加熱され、同時にプラズマ９中の放電ガスのイオンに
より、スパッタリングされて飛散する。
マグネトロンカソード５に投入して、プラズマ９を発生
させた。このプラズマ９により、ＭｇＦ2 ターゲット３
が加熱され、同時にプラズマ９中の放電ガスのイオンに
より、スパッタリングされて飛散する。
【００２５】一方、プラズマ９からの発光は波長２００
〜２０００ｎｍ程度の波長光を透過する監視窓１１を通
過し、真空槽１外に設置された分光器１２に取り込まれ
る。この分光器１２は波長２２０〜８００ｎｍの範囲の
光を分光し、ラインセンサーにより瞬時にそれぞれの波
長の相対強度を測定する。ここで監視窓１１はガイド通
路１６によってターゲット３から充分に離れているた
め、飛散した粒子が監視窓１１に付着して発光強度に影
響を与えることを無視することができる。
〜２０００ｎｍ程度の波長光を透過する監視窓１１を通
過し、真空槽１外に設置された分光器１２に取り込まれ
る。この分光器１２は波長２２０〜８００ｎｍの範囲の
光を分光し、ラインセンサーにより瞬時にそれぞれの波
長の相対強度を測定する。ここで監視窓１１はガイド通
路１６によってターゲット３から充分に離れているた
め、飛散した粒子が監視窓１１に付着して発光強度に影
響を与えることを無視することができる。
【００２６】この実施の形態では、プラズマ９からの発
光を分光器１２によって分光して得たスペクトルの発光
強度が図６のようになるように、高周波電力を上昇さ
せ、さらにそのスペクトルが一定となるように、制御回
路装置１３により高周波電力を制御した。このときの高
周波電力は４５０〜５００Ｗ程度であった。
光を分光器１２によって分光して得たスペクトルの発光
強度が図６のようになるように、高周波電力を上昇さ
せ、さらにそのスペクトルが一定となるように、制御回
路装置１３により高周波電力を制御した。このときの高
周波電力は４５０〜５００Ｗ程度であった。
【００２７】次に、基板２を回転させ、シャッター開閉
装置１５によってシャッター１４を開き、基板２上にＭ
ｇＦ2 膜を成膜した。スペクトル強度は図６のとき、実
験から求めたＭｇＦ2 の成膜速度は４００ｎｍ／分程度
であることが予め、判明しているので、ＭｇＦ2 膜の膜
厚を物理的膜厚にして１００ｎｍとするために、１５秒
間でシャッター１４を閉じた。加えて、スペクトル強度
から成膜速度を算出し、所望の膜厚となるようにシャッ
ター１４の開放時間を制御した。
装置１５によってシャッター１４を開き、基板２上にＭ
ｇＦ2 膜を成膜した。スペクトル強度は図６のとき、実
験から求めたＭｇＦ2 の成膜速度は４００ｎｍ／分程度
であることが予め、判明しているので、ＭｇＦ2 膜の膜
厚を物理的膜厚にして１００ｎｍとするために、１５秒
間でシャッター１４を閉じた。加えて、スペクトル強度
から成膜速度を算出し、所望の膜厚となるようにシャッ
ター１４の開放時間を制御した。
【００２８】以上のようにして成膜されたＭｇＦ2 膜の
屈折率は１．３８と真空蒸着法で成膜したものと同等に
低く、しかも光学膜厚も１３８ｎｍ（これは１００ｎｍ
の物理的膜厚に相当する。）程度となっていた。図７は
このＭｇＦ2 膜の分光反射特性を示し、波長４３０ｎｍ
〜６５０ｎｍの範囲で反射率が２％以下であり、可視域
の反射防止膜として極めて有効であった。又、可視域
（波長４００〜７００ｎｍ）での光吸収も０．５％以下
と真空蒸着法で得た膜と同等に少なく、光学的になんら
問題はなかった。さらには基板２の加熱を行っていない
にも関わらず、密着性、擦傷性等の膜の機械的強度も充
分に高いものであった。
屈折率は１．３８と真空蒸着法で成膜したものと同等に
低く、しかも光学膜厚も１３８ｎｍ（これは１００ｎｍ
の物理的膜厚に相当する。）程度となっていた。図７は
このＭｇＦ2 膜の分光反射特性を示し、波長４３０ｎｍ
〜６５０ｎｍの範囲で反射率が２％以下であり、可視域
の反射防止膜として極めて有効であった。又、可視域
（波長４００〜７００ｎｍ）での光吸収も０．５％以下
と真空蒸着法で得た膜と同等に少なく、光学的になんら
問題はなかった。さらには基板２の加熱を行っていない
にも関わらず、密着性、擦傷性等の膜の機械的強度も充
分に高いものであった。
【００２９】なお、この実施の形態では、ＭｇＦ2 以外
の金属フッ化物であるＡｌＦ3 、ＬｉＦ、ＮａＦ、Ｃａ
Ｆ2 、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＣｅＦ3 、ＮｄＦ3 、Ｌａ
Ｆ3、ＳｍＦ3 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 、Ｎａ5 ＡｌＦ14を用
いて成膜しても同様な効果を得ることができた。さら
に、単層の反射防止膜としたが、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5
等の他の高屈折率の酸化物からなる薄膜と組み合わせた
多層膜としても良く、これにより反射防止膜以外のエッ
ジフィルターやビームスプリッター等の光学部品を作製
することができる。
の金属フッ化物であるＡｌＦ3 、ＬｉＦ、ＮａＦ、Ｃａ
Ｆ2 、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＣｅＦ3 、ＮｄＦ3 、Ｌａ
Ｆ3、ＳｍＦ3 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 、Ｎａ5 ＡｌＦ14を用
いて成膜しても同様な効果を得ることができた。さら
に、単層の反射防止膜としたが、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5
等の他の高屈折率の酸化物からなる薄膜と組み合わせた
多層膜としても良く、これにより反射防止膜以外のエッ
ジフィルターやビームスプリッター等の光学部品を作製
することができる。
【００３０】（実施の形態２）この実施の形態では、Ｍ
ｇＦ2 をターゲット３として図５に示す成膜装置を用い
て成膜するが、基板２としてアモルファスポリオレフィ
ンからなるプラスチックを使用した。放電ガスとしてＯ
2 ガスをガス導入口７から導入して真空槽１内を５×１
０-1Ｐａの真空度とし、マグネトロンカソード５に５０
０Ｗの高周波電力を投入してプラズマ９を発生させた。
ｇＦ2 をターゲット３として図５に示す成膜装置を用い
て成膜するが、基板２としてアモルファスポリオレフィ
ンからなるプラスチックを使用した。放電ガスとしてＯ
2 ガスをガス導入口７から導入して真空槽１内を５×１
０-1Ｐａの真空度とし、マグネトロンカソード５に５０
０Ｗの高周波電力を投入してプラズマ９を発生させた。
【００３１】そしてプラズマ９からの発光を分光器１２
によって分光し、得られたスペクトルの発光強度が図６
のようになるように、Ｏ2 ガスの流量を制御回路装置１
３によって制御した。この結果、真空槽１内のガス圧力
は３〜７×１０-1Ｐａ程度の真空度となった。また、ス
ペクトル強度が図６のとき、ＭｇＦ2 の成膜速度は４０
０ｎｍ／分程度になることから、制御回路装置１３によ
り１５秒間でシャッター１４を閉じ、ＭｇＦ2 膜の膜厚
を物理的膜厚にして１００ｎｍとした。
によって分光し、得られたスペクトルの発光強度が図６
のようになるように、Ｏ2 ガスの流量を制御回路装置１
３によって制御した。この結果、真空槽１内のガス圧力
は３〜７×１０-1Ｐａ程度の真空度となった。また、ス
ペクトル強度が図６のとき、ＭｇＦ2 の成膜速度は４０
０ｎｍ／分程度になることから、制御回路装置１３によ
り１５秒間でシャッター１４を閉じ、ＭｇＦ2 膜の膜厚
を物理的膜厚にして１００ｎｍとした。
【００３２】以上のようにして得られたＭｇＦ2 膜は、
実施の形態１と同様に、屈折率が低く、可視域での光吸
収が少なく、可視域の反射防止膜として極めて有効であ
った。また、密着性、擦傷性等の膜の機械的強度も実用
上、充分に高かった。
実施の形態１と同様に、屈折率が低く、可視域での光吸
収が少なく、可視域の反射防止膜として極めて有効であ
った。また、密着性、擦傷性等の膜の機械的強度も実用
上、充分に高かった。
【００３３】（比較例）この比較例においても、ＭｇＦ
2 をターゲット3 とし、図５の成膜装置を使用して成膜
した。実施の形態１と同様に、真空槽１内のＯ2 ガスの
圧力を４×１０ -1Ｐａの真空度としたが、プラズマ９の
スペクトルの発光強度を高周波電力にフィードバックせ
ずに、高周波電力を５００Ｗに固定した。このときスペ
クトル９の発光強度は経時的に不安定であり、成膜速度
が５０〜７００ｎｍ／分と安定せず、しかも膜の光吸収
が若干増えたり、膜の機械的強度が若干劣化するなど、
再現性に乏しかった。
2 をターゲット3 とし、図５の成膜装置を使用して成膜
した。実施の形態１と同様に、真空槽１内のＯ2 ガスの
圧力を４×１０ -1Ｐａの真空度としたが、プラズマ９の
スペクトルの発光強度を高周波電力にフィードバックせ
ずに、高周波電力を５００Ｗに固定した。このときスペ
クトル９の発光強度は経時的に不安定であり、成膜速度
が５０〜７００ｎｍ／分と安定せず、しかも膜の光吸収
が若干増えたり、膜の機械的強度が若干劣化するなど、
再現性に乏しかった。
【００３４】この比較例では、スペクトルの発光強度が
図８のようになるように、制御回路装置１３によって高
周波電力を制御した。この制御で得られた膜の機械的強
度は実用上充分であったが、波長４００ｎｍでの光吸収
が４％以上あり、反射防止膜としての実用性に問題があ
った。一方、スペクトルの発光強度が図９のようになる
ように、制御回路装置１３で高周波電力を制御したとこ
ろ、成膜された膜は可視域での光吸収が０．５％以下と
少なかったが、基板２の加熱を行わない限り、膜の機械
的強度が不十分で、実用性に問題があった。
図８のようになるように、制御回路装置１３によって高
周波電力を制御した。この制御で得られた膜の機械的強
度は実用上充分であったが、波長４００ｎｍでの光吸収
が４％以上あり、反射防止膜としての実用性に問題があ
った。一方、スペクトルの発光強度が図９のようになる
ように、制御回路装置１３で高周波電力を制御したとこ
ろ、成膜された膜は可視域での光吸収が０．５％以下と
少なかったが、基板２の加熱を行わない限り、膜の機械
的強度が不十分で、実用性に問題があった。
【００３５】
【発明の効果】請求項１の成膜方法は、高周波電力によ
って発生するプラズマ中の金属を含む分子又は原子の発
光強度を監視し、この監視結果をフィードバックパラメ
ータとして高周波電力又は／及び放電ガスの圧力を制御
するため、光吸収が少なく、機械的強度が大きな光学薄
膜を形成することができる。
って発生するプラズマ中の金属を含む分子又は原子の発
光強度を監視し、この監視結果をフィードバックパラメ
ータとして高周波電力又は／及び放電ガスの圧力を制御
するため、光吸収が少なく、機械的強度が大きな光学薄
膜を形成することができる。
【００３６】請求項２の成膜装置は、プラズマ中の金属
の分子又は原子の発光強度を監視する監視手段と、この
監視手段からの発光強度に基づいてターゲットへの高周
波電力又は／及び放電ガスの圧力を制御する制御手段と
を備えているため、光吸収が少なく、機械的強度が大き
な光学薄膜を形成する上述した成膜方法を好適に実施す
ることができる。
の分子又は原子の発光強度を監視する監視手段と、この
監視手段からの発光強度に基づいてターゲットへの高周
波電力又は／及び放電ガスの圧力を制御する制御手段と
を備えているため、光吸収が少なく、機械的強度が大き
な光学薄膜を形成する上述した成膜方法を好適に実施す
ることができる。
【図１】スパッタリング時に発生するプラズマのスペク
トルの特性図である。
トルの特性図である。
【図２】ＭｇＦ分子の発光を示すスペクトルの特性図で
ある。
ある。
【図３】高周波電力を変化させたときのプラズマの特性
図である。
図である。
【図４】プラズマの発光スペクトル強度と成膜速度との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図５】成膜装置の構成を示す断面図である。
【図６】高周波電力を制御するためのスペクトルの発光
強度の特性図である。
強度の特性図である。
【図７】反射防止膜の分光反射率特性図である。
【図８】高周波電力を制御するためのスペクトルの発光
強度の特性図である。
強度の特性図である。
【図９】高周波電力を制御するためのスペクトルの発光
強度の特性図である。
強度の特性図である。
１ 真空槽 ２ 基板 ３ ターゲット ５ マグネトロンカソード ６ 高周波電源 ９ プラズマ １２ 分光器 １３ 制御回路装置
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも金属フッ化物を含む材料をタ
ーゲットとし、放電ガスを成膜室に導入しながら高周波
電力をターゲットに投入してプラズマを発生させ、スパ
ッタリングするのに際し、プラズマ中の金属を含む分子
又は原子の発光強度を監視し、この監視結果をフィード
バックパラメータとして前記高周波電力又は／及び前記
放電ガスの圧力を制御して飛散粒子の状態と成膜速度を
制御し成膜することを特徴とする光学薄膜の成膜方法。 - 【請求項２】 少なくとも金属フッ化物を含む材料から
なるターゲットと、放電ガスを成膜室に導入するガス導
入手段と、高周波電力をターゲットに投入してプラズマ
を発生させるプラズマ発生手段と、プラズマ中における
金属を含む分子または原子の発光強度を監視する監視手
段と、この監視手段からの前記発光強度に基づいて前記
ターゲットへの高周波電力又は／及び放電ガスの圧力を
制御する制御手段とを備えていることを特徴とする光学
薄膜の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7260115A JPH09104976A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 光学薄膜の成膜方法および成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7260115A JPH09104976A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 光学薄膜の成膜方法および成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09104976A true JPH09104976A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17343499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7260115A Withdrawn JPH09104976A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 光学薄膜の成膜方法および成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09104976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009041091A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Olympus Corp | 成膜方法および成膜装置 |
-
1995
- 1995-10-06 JP JP7260115A patent/JPH09104976A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009041091A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Olympus Corp | 成膜方法および成膜装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3808917B2 (ja) | 薄膜の製造方法及び薄膜 | |
| JP3064301B2 (ja) | 薄膜形成装置及び方法 | |
| US5753319A (en) | Method for ion plating deposition | |
| US12448325B2 (en) | Optical film, sputtering target, and method of producing optical film | |
| US20130122252A1 (en) | Ion beam deposition of fluorine-based optical films | |
| JPH0247256A (ja) | 反応形スパッタリングによる酸化物膜の形成 | |
| US7483226B2 (en) | ND filter, manufacturing method thereof, and aperture device | |
| JP7585638B2 (ja) | 光学膜とその製造方法 | |
| JP2002339084A (ja) | 金属膜および金属膜被覆部材 | |
| JP4873455B2 (ja) | 光学薄膜形成方法および装置 | |
| JP3967416B2 (ja) | 光学薄膜の成膜方法および成膜装置 | |
| JPH09104976A (ja) | 光学薄膜の成膜方法および成膜装置 | |
| JP2009041091A (ja) | 成膜方法および成膜装置 | |
| JP2001207260A (ja) | 成膜方法および成膜装置 | |
| JPH11106910A (ja) | 薄膜の成膜方法 | |
| JPH09263936A (ja) | 薄膜の製造方法および薄膜 | |
| JP2007284772A (ja) | フッ素化合物薄膜の製造方法 | |
| JPH09302463A (ja) | 光学薄膜の製造装置及び製造方法 | |
| US20050008775A1 (en) | Method of forming dielectric optical thin film | |
| JPH0314906B2 (ja) | ||
| JP2001214266A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JP4022849B2 (ja) | 金属酸化膜被覆部材の製造方法 | |
| JPH10183332A (ja) | 光学薄膜の製造方法及び製造装置 | |
| JPH09243802A (ja) | 光学薄膜の成膜方法および成膜装置 | |
| JP3933218B2 (ja) | 光学薄膜の製造方法及び光学薄膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |