JPH09106531A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH09106531A JPH09106531A JP26186195A JP26186195A JPH09106531A JP H09106531 A JPH09106531 A JP H09106531A JP 26186195 A JP26186195 A JP 26186195A JP 26186195 A JP26186195 A JP 26186195A JP H09106531 A JPH09106531 A JP H09106531A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐久性に優れ、かつ定着性の高い保護層を磁
性層の表面に設けた磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 基体例えばポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ：polyethyleneterephthalate ）等から成るベ
ースフィルム３上にデータを記録する磁性層４を有して
成る磁気記録媒体において、磁性層４の表面に成膜され
るＤＬＣ薄膜から成る第１の薄膜層１と、第１の薄膜層
１の表面に成膜される炭素及び水素を主成分としフッ素
を含む第２の薄膜層２とを備えて成るものである。
性層の表面に設けた磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 基体例えばポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ：polyethyleneterephthalate ）等から成るベ
ースフィルム３上にデータを記録する磁性層４を有して
成る磁気記録媒体において、磁性層４の表面に成膜され
るＤＬＣ薄膜から成る第１の薄膜層１と、第１の薄膜層
１の表面に成膜される炭素及び水素を主成分としフッ素
を含む第２の薄膜層２とを備えて成るものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基体上にデータを
記録する磁性層を有して成る磁気記録媒体に関する。
記録する磁性層を有して成る磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、強磁性金属あるいは合金を真空
蒸着、スパッタリング等により基体上に被着するか、ま
たは、磁性粉末を結合剤成分とともに基体上に結着して
作られる磁気記録媒体は、記録再生時に磁気ヘッド等と
激しく摺接するため、磁性層が摩耗しやすく、特に真空
蒸着等によって形成される強磁性金属薄膜層は、高密度
記録に適した特性を有する反面、磁気ヘッドとの摩擦係
数が大きく、摩耗や損傷を受けやすく、耐久性に劣ると
いう難点があった。
蒸着、スパッタリング等により基体上に被着するか、ま
たは、磁性粉末を結合剤成分とともに基体上に結着して
作られる磁気記録媒体は、記録再生時に磁気ヘッド等と
激しく摺接するため、磁性層が摩耗しやすく、特に真空
蒸着等によって形成される強磁性金属薄膜層は、高密度
記録に適した特性を有する反面、磁気ヘッドとの摩擦係
数が大きく、摩耗や損傷を受けやすく、耐久性に劣ると
いう難点があった。
【０００３】従って、従来から磁性層上に種々の保護膜
層を設ける等して耐摩耗性を改善する試みがなされてお
り、例えば炭化水素系化合物を用いて炭素を主成分とす
る薄膜を設けたり、ダイヤモンド構造を持つ炭素系薄
膜、いわゆるダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ：diamon
d like carbon ）薄膜を設けること等が提案されてい
る。
層を設ける等して耐摩耗性を改善する試みがなされてお
り、例えば炭化水素系化合物を用いて炭素を主成分とす
る薄膜を設けたり、ダイヤモンド構造を持つ炭素系薄
膜、いわゆるダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ：diamon
d like carbon ）薄膜を設けること等が提案されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、炭化水素系
化合物を用いて炭素を主成分とする薄膜やＤＬＣ薄膜を
磁性層の表面に成膜したものは、耐摩耗性を改善するで
はあるが、十分に良好な耐久性が得られるに至ってはい
ない。
化合物を用いて炭素を主成分とする薄膜やＤＬＣ薄膜を
磁性層の表面に成膜したものは、耐摩耗性を改善するで
はあるが、十分に良好な耐久性が得られるに至ってはい
ない。
【０００５】そこで、特開昭６２−２７９５２１号公報
である「磁気記録媒体の製造方法」において開示されて
いる技術によれば、炭化水素化合物とフッ素ラジカルを
生成する非重合性フッ素含有ガスの混合気中でグロー放
電を行い、磁性層上に含フッ素ＤＬＣ薄膜が形成された
磁気記録媒体が提供される。
である「磁気記録媒体の製造方法」において開示されて
いる技術によれば、炭化水素化合物とフッ素ラジカルを
生成する非重合性フッ素含有ガスの混合気中でグロー放
電を行い、磁性層上に含フッ素ＤＬＣ薄膜が形成された
磁気記録媒体が提供される。
【０００６】しかし、上記磁気記録媒体の製造方法で得
られた磁気記録媒体は、耐久性は向上したものの定着性
が悪く磁性層の表面より剥離しやすい。
られた磁気記録媒体は、耐久性は向上したものの定着性
が悪く磁性層の表面より剥離しやすい。
【０００７】そこで、本発明は、上述の実情に鑑みてな
されたものであり、耐久性に優れ、かつ定着性の高い保
護層を磁性層の表面に設けた磁気記録媒体を提供するこ
とを目的とする。
されたものであり、耐久性に優れ、かつ定着性の高い保
護層を磁性層の表面に設けた磁気記録媒体を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気記録媒
体は、上述の問題を解決するために、基体上にデータを
記録する磁性層を有して成る磁気記録媒体において、上
記磁性層の表面に成膜されるダイヤモンド状カーボン薄
膜から成る第１の薄膜層と、上記第１の薄膜層の表面に
成膜される炭素及び水素を主成分としフッ素を含む第２
の薄膜層とを備えて成ることを特徴としている。
体は、上述の問題を解決するために、基体上にデータを
記録する磁性層を有して成る磁気記録媒体において、上
記磁性層の表面に成膜されるダイヤモンド状カーボン薄
膜から成る第１の薄膜層と、上記第１の薄膜層の表面に
成膜される炭素及び水素を主成分としフッ素を含む第２
の薄膜層とを備えて成ることを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気記録媒体
が適用される好ましい具体例について、図面を参照しな
がら説明する。
が適用される好ましい具体例について、図面を参照しな
がら説明する。
【００１０】上記磁気記録媒体は、図１に示すように、
基体例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：poly
ethyleneterephthalate ）等から成るベースフィルム３
上にデータを記録する磁性層４を有して成る磁気記録媒
体において、磁性層４の表面に成膜されるＤＬＣ薄膜か
ら成る第１の薄膜層１と、第１の薄膜層１の表面に成膜
される炭素及び水素を主成分としフッ素を含む第２の薄
膜層２とを備えて成るものである。
基体例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：poly
ethyleneterephthalate ）等から成るベースフィルム３
上にデータを記録する磁性層４を有して成る磁気記録媒
体において、磁性層４の表面に成膜されるＤＬＣ薄膜か
ら成る第１の薄膜層１と、第１の薄膜層１の表面に成膜
される炭素及び水素を主成分としフッ素を含む第２の薄
膜層２とを備えて成るものである。
【００１１】また、第２の薄膜層２は、表面に一部がフ
ッ素原子に置換されたダイヤモンド状カーボン薄膜から
成ることが挙げられる。
ッ素原子に置換されたダイヤモンド状カーボン薄膜から
成ることが挙げられる。
【００１２】また、第２の薄膜層２は、フッ素原子を骨
格に取り込んだアモルファスカーボン薄膜から成ること
が挙げられる。
格に取り込んだアモルファスカーボン薄膜から成ること
が挙げられる。
【００１３】また、第２の薄膜層２の膜厚は５ｎｍ程度
であり、また、第１の薄膜層１及び第２の薄膜層２を合
わせた膜厚は１０ｎｍである。
であり、また、第１の薄膜層１及び第２の薄膜層２を合
わせた膜厚は１０ｎｍである。
【００１４】上記磁気記録媒体によれば、磁性層に対し
て密着性の高いＤＬＣ薄膜から成る第１の薄膜層１を磁
性層４の表面に成膜し、この第１の薄膜層１の表面にフ
ッ素を含む炭素及び水素を主成分とする第２の薄膜層２
を成膜することで、直接含フッ素の炭素及び水素を主成
分とする薄膜層を磁性層４に成膜するのに比べて、この
薄膜層の磁気記録媒体に対する密着性が向上する。従っ
て、耐久性に優れ、かつ定着性の高い保護層５を磁性層
４の表面に設けた磁気記録媒体を提供することが可能に
なる。
て密着性の高いＤＬＣ薄膜から成る第１の薄膜層１を磁
性層４の表面に成膜し、この第１の薄膜層１の表面にフ
ッ素を含む炭素及び水素を主成分とする第２の薄膜層２
を成膜することで、直接含フッ素の炭素及び水素を主成
分とする薄膜層を磁性層４に成膜するのに比べて、この
薄膜層の磁気記録媒体に対する密着性が向上する。従っ
て、耐久性に優れ、かつ定着性の高い保護層５を磁性層
４の表面に設けた磁気記録媒体を提供することが可能に
なる。
【００１５】上記磁気記録媒体において、第１の薄膜層
１は、減圧系で原料気体に対して放電電圧を印加するこ
とでグロー放電を起こし、すなわち原料気体をプラズマ
化し、電子状態を活性化させて基体となる磁性層４の表
面で分解・結合等の化学反応をさせて薄膜を形成するい
わゆるプラズマ気相成長（以下単にＣＶＤという：chem
ical vapor deposition ）法にて成膜される。
１は、減圧系で原料気体に対して放電電圧を印加するこ
とでグロー放電を起こし、すなわち原料気体をプラズマ
化し、電子状態を活性化させて基体となる磁性層４の表
面で分解・結合等の化学反応をさせて薄膜を形成するい
わゆるプラズマ気相成長（以下単にＣＶＤという：chem
ical vapor deposition ）法にて成膜される。
【００１６】ここで、原料気体としては、例えばベンゼ
ン、メタン、プロパン、エチレン、プロピレン、スチレ
ン、トルエン等の炭化水素ガスが用いられる。
ン、メタン、プロパン、エチレン、プロピレン、スチレ
ン、トルエン等の炭化水素ガスが用いられる。
【００１７】続いて、第２の薄膜層２は、例えば上述の
ように、ＤＬＣ薄膜を形成した後、フッ素含有ガス例え
ば４フッ化メタン（ＣＦ4 ）を用いてエッチングを行っ
て、ＤＬＣ薄膜の表面の水素原子の一部をフッ素原子で
置換したものである。
ように、ＤＬＣ薄膜を形成した後、フッ素含有ガス例え
ば４フッ化メタン（ＣＦ4 ）を用いてエッチングを行っ
て、ＤＬＣ薄膜の表面の水素原子の一部をフッ素原子で
置換したものである。
【００１８】また、一旦ＤＬＣ薄膜を形成してから一部
の水素原子をフッ素原子に置換する他に、フッ素を分子
中に含まない炭化水素ガスと、フッ素を分子中に含む炭
化水素ガスとを、例えば２：１にて混合した気体（以下
単に混合気体という）を用いたプラズマＣＶＤ法にて得
られる。なお、ここで用いられる炭化水素ガスは、炭素
原子に対する水素原子の原子数比が小さいものが好まし
く用いられる。
の水素原子をフッ素原子に置換する他に、フッ素を分子
中に含まない炭化水素ガスと、フッ素を分子中に含む炭
化水素ガスとを、例えば２：１にて混合した気体（以下
単に混合気体という）を用いたプラズマＣＶＤ法にて得
られる。なお、ここで用いられる炭化水素ガスは、炭素
原子に対する水素原子の原子数比が小さいものが好まし
く用いられる。
【００１９】ここで、混合気体の２種の気体を混合する
割合は、２：１から１０：１程度まで変更可能である
が、フッ素を分子中に含む炭化水素ガスの割合が低くな
ればなるほど第２の薄膜層２の物性は、第１の薄膜層１
の物性に近づくため、潤滑性は下がる。すなわち、耐久
性が低くなる。逆に２：１よりフッ素を分子中に含む炭
化水素ガスの割合が高くなると、グロー放電しラジカル
化するフッ素原子が形成されたＤＬＣ薄膜に衝突しＤＬ
Ｃ薄膜の表面が削られてしまう虞がある。
割合は、２：１から１０：１程度まで変更可能である
が、フッ素を分子中に含む炭化水素ガスの割合が低くな
ればなるほど第２の薄膜層２の物性は、第１の薄膜層１
の物性に近づくため、潤滑性は下がる。すなわち、耐久
性が低くなる。逆に２：１よりフッ素を分子中に含む炭
化水素ガスの割合が高くなると、グロー放電しラジカル
化するフッ素原子が形成されたＤＬＣ薄膜に衝突しＤＬ
Ｃ薄膜の表面が削られてしまう虞がある。
【００２０】ここで、上記混合気体をグロー放電させる
と、４フッ化メタンガスがフッ素ラジカルを発生する。
さらに、第２の薄膜層２を成膜する際に、このフッ素ラ
ジカルが炭化水素ガスの水素原子を引き抜いて、水素原
子等の異種原子が形成されるＤＬＣ薄膜に取り込まれる
ことを防止することができる。
と、４フッ化メタンガスがフッ素ラジカルを発生する。
さらに、第２の薄膜層２を成膜する際に、このフッ素ラ
ジカルが炭化水素ガスの水素原子を引き抜いて、水素原
子等の異種原子が形成されるＤＬＣ薄膜に取り込まれる
ことを防止することができる。
【００２１】すなわち、グロー放電によって、分解した
炭化水素ガス中の水素原子と、ＣＦ4 ガスから得られた
フッ素ラジカルとが反応してフッ化水素（ＨＦ）として
排出される。この水素原子は、重合反応が進む炭素−炭
素の結合の端に結合することで、この重合反応を阻害し
てしまうことが知られており、水素原子を取り除くこと
で重合反応が阻害されることを回避することができる。
また、この場合、ＣＦ4 ガスは、非重合性物質であるこ
とから、水素原子による重合反応の阻害を回避し、かつ
ＣＦ4 ガスにより重合反応が阻害される虞もなく、炭素
−炭素間の架橋生成が進行する。
炭化水素ガス中の水素原子と、ＣＦ4 ガスから得られた
フッ素ラジカルとが反応してフッ化水素（ＨＦ）として
排出される。この水素原子は、重合反応が進む炭素−炭
素の結合の端に結合することで、この重合反応を阻害し
てしまうことが知られており、水素原子を取り除くこと
で重合反応が阻害されることを回避することができる。
また、この場合、ＣＦ4 ガスは、非重合性物質であるこ
とから、水素原子による重合反応の阻害を回避し、かつ
ＣＦ4 ガスにより重合反応が阻害される虞もなく、炭素
−炭素間の架橋生成が進行する。
【００２２】第２の薄膜層２は、ＤＬＣ薄膜を主骨格に
持つものの他に、ＣＦ4 ガス等をプラズマ化した後重合
させて得られる、すなわちプラズマ重合法により得られ
る、主骨格にフッ素原子を取り込んだアモルファスカー
ボン薄膜から成るものでもよい。
持つものの他に、ＣＦ4 ガス等をプラズマ化した後重合
させて得られる、すなわちプラズマ重合法により得られ
る、主骨格にフッ素原子を取り込んだアモルファスカー
ボン薄膜から成るものでもよい。
【００２３】磁性層４は、例えばコバルト−ニッケル合
金を真空蒸着して形成した膜厚が２００ｎｍの層（以下
単にＣｏ−Ｎｉ層という）が挙げられる。また、Ｃｏ−
Ｎｉ層の他に、酸素含有のコバルト（Ｃｏ−Ｏ）、酸素
含有のコバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｏ）合金、コバルト
−クロム（Ｃｏ−Ｃｒ）合金、コバルト−チタン（Ｃｏ
−Ｔｉ）合金、コバルト−ロジウム（Ｃｏ−Ｒｈ）合
金、コバルト−ルテニウム（Ｃｏ−Ｒｕ）合金、コバル
ト−白金（Ｃｏ−Ｐｔ）合金、コバルト−モリブデン
（Ｃｏ−Ｍｏ）合金、コバルト−マグネシウム（Ｃｏ−
Ｍｇ）合金、コバルト−タングステン（Ｃｏ−Ｗ）合
金、コバルト−タンタル（Ｃｏ−Ｔａ）合金等を真空蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、メ
ッキ法等により形成された膜が用いられる。
金を真空蒸着して形成した膜厚が２００ｎｍの層（以下
単にＣｏ−Ｎｉ層という）が挙げられる。また、Ｃｏ−
Ｎｉ層の他に、酸素含有のコバルト（Ｃｏ−Ｏ）、酸素
含有のコバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｏ）合金、コバルト
−クロム（Ｃｏ−Ｃｒ）合金、コバルト−チタン（Ｃｏ
−Ｔｉ）合金、コバルト−ロジウム（Ｃｏ−Ｒｈ）合
金、コバルト−ルテニウム（Ｃｏ−Ｒｕ）合金、コバル
ト−白金（Ｃｏ−Ｐｔ）合金、コバルト−モリブデン
（Ｃｏ−Ｍｏ）合金、コバルト−マグネシウム（Ｃｏ−
Ｍｇ）合金、コバルト−タングステン（Ｃｏ−Ｗ）合
金、コバルト−タンタル（Ｃｏ−Ｔａ）合金等を真空蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、メ
ッキ法等により形成された膜が用いられる。
【００２４】ここで、本具体例の磁気記録媒体と、従来
の磁気記録媒体とで密着性や耐久性を比較した結果を示
す。ここで、本具体例の磁気記録媒体として、第２の薄
膜層にＤＬＣ薄膜を主骨格とする薄膜を用いた。
の磁気記録媒体とで密着性や耐久性を比較した結果を示
す。ここで、本具体例の磁気記録媒体として、第２の薄
膜層にＤＬＣ薄膜を主骨格とする薄膜を用いた。
【００２５】先ず、本具体例の磁気記録媒体は、図２の
Ａに示すように、保護層として、Ｃｏ−Ｎｉ層１４の表
面に５ｎｍの膜厚のＤＬＣ層１１が被着され、さらにＤ
ＬＣ層１１の表面に５ｎｍの膜厚の含フッ素ＤＬＣ層１
２が被着されて形成されるものである。以下、このタイ
プの磁気記録媒体をタイプＩという。
Ａに示すように、保護層として、Ｃｏ−Ｎｉ層１４の表
面に５ｎｍの膜厚のＤＬＣ層１１が被着され、さらにＤ
ＬＣ層１１の表面に５ｎｍの膜厚の含フッ素ＤＬＣ層１
２が被着されて形成されるものである。以下、このタイ
プの磁気記録媒体をタイプＩという。
【００２６】また、このタイプＩの磁気記録媒体の比較
例として、比較例１及び比較例２を用いた。この比較例
１は、図２のＢに示すように、保護層として、Ｃｏ−Ｎ
ｉ層１４の表面に５ｎｍの膜厚のＤＬＣ層１１が設けら
れたものである。以下、このタイプの磁気記録媒体をタ
イプＩＩという。
例として、比較例１及び比較例２を用いた。この比較例
１は、図２のＢに示すように、保護層として、Ｃｏ−Ｎ
ｉ層１４の表面に５ｎｍの膜厚のＤＬＣ層１１が設けら
れたものである。以下、このタイプの磁気記録媒体をタ
イプＩＩという。
【００２７】比較例２は、図２のＣに示すように、Ｃｏ
−Ｎｉ層１４の表面に５ｎｍの膜厚の含フッ素ＤＬＣ層
１２が被着されて形成されるものである。以下、このタ
イプの磁気記録媒体をタイプＩＩＩという。
−Ｎｉ層１４の表面に５ｎｍの膜厚の含フッ素ＤＬＣ層
１２が被着されて形成されるものである。以下、このタ
イプの磁気記録媒体をタイプＩＩＩという。
【００２８】また、各タイプの磁気記録媒体に対して剥
離試験を行った。この剥離試験は、例えば粘着性のテー
プを、保護層の上から貼り付け、続いて、この貼り付け
たテープを貼り付けた方向と反対の方向に向けて剥がし
て、テープの表面の状態を肉眼にて確認して行ったもの
である。
離試験を行った。この剥離試験は、例えば粘着性のテー
プを、保護層の上から貼り付け、続いて、この貼り付け
たテープを貼り付けた方向と反対の方向に向けて剥がし
て、テープの表面の状態を肉眼にて確認して行ったもの
である。
【００２９】この剥離試験によれば、タイプＩ及びタイ
プＩＩの磁気記録媒体の方は、保護層の表面に変化が見
られなかった、すなわち保護層は剥離しなかったが、タ
イプＩＩＩの磁気記録媒体の保護層は剥離した。このこ
とから、Ｃｏ−Ｎｉ層には、含フッ素ＤＬＣ層を成膜す
るよりもＤＬＣ層を成膜する方が、保護層のＣｏ−Ｎｉ
層に対する密着性が高いことがわかる。また、タイプＩ
の磁気記録媒体では、ＤＬＣ層１１と含フッ素ＤＬＣ層
１２とでは、供にＤＬＣ薄膜が主な構成であるため、互
いに密着性がよいと考えられる。
プＩＩの磁気記録媒体の方は、保護層の表面に変化が見
られなかった、すなわち保護層は剥離しなかったが、タ
イプＩＩＩの磁気記録媒体の保護層は剥離した。このこ
とから、Ｃｏ−Ｎｉ層には、含フッ素ＤＬＣ層を成膜す
るよりもＤＬＣ層を成膜する方が、保護層のＣｏ−Ｎｉ
層に対する密着性が高いことがわかる。また、タイプＩ
の磁気記録媒体では、ＤＬＣ層１１と含フッ素ＤＬＣ層
１２とでは、供にＤＬＣ薄膜が主な構成であるため、互
いに密着性がよいと考えられる。
【００３０】また、各タイプの磁気記録媒体の対ステン
レスの摩擦係数μを調べた。タイプＩ及びタイプＩＩＩ
の磁気記録媒体の摩擦係数μは０．１０、タイプＩＩの
磁気記録媒体の摩擦係数μは、０．２１である。このこ
とから、保護層の表面は、ＤＬＣ層よりも含フッ素ＤＬ
Ｃ層で構成した方が、摩擦係数は低くなる。すなわち、
耐摩耗性が向上し、耐久性の向上化が可能になる。
レスの摩擦係数μを調べた。タイプＩ及びタイプＩＩＩ
の磁気記録媒体の摩擦係数μは０．１０、タイプＩＩの
磁気記録媒体の摩擦係数μは、０．２１である。このこ
とから、保護層の表面は、ＤＬＣ層よりも含フッ素ＤＬ
Ｃ層で構成した方が、摩擦係数は低くなる。すなわち、
耐摩耗性が向上し、耐久性の向上化が可能になる。
【００３１】以上をまとめると以下の表１のようにな
る。
る。
【００３２】
【表１】
【００３３】表１によれば、Ｃｏ−Ｎｉ層１４の表面に
ＤＬＣ層１１を成膜し、このＤＬＣ層１１の表面に含フ
ッ素ＤＬＣ層１２を成膜することで、剥離がしにくく摩
擦係数を落としたすなわち耐摩耗性が向上する磁気記録
媒体を提供することが可能になる。
ＤＬＣ層１１を成膜し、このＤＬＣ層１１の表面に含フ
ッ素ＤＬＣ層１２を成膜することで、剥離がしにくく摩
擦係数を落としたすなわち耐摩耗性が向上する磁気記録
媒体を提供することが可能になる。
【００３４】また、ここでは、第２の薄膜層にＤＬＣ薄
膜を主骨格に用いた薄膜を用いたが、主骨格にフッ素を
取り込んだアモルファスカーボン薄膜を用いても同様の
傾向を示す。
膜を主骨格に用いた薄膜を用いたが、主骨格にフッ素を
取り込んだアモルファスカーボン薄膜を用いても同様の
傾向を示す。
【００３５】以上、本発明が適用される具体例について
説明したが、これに限定されず、種々の変更が可能であ
る。
説明したが、これに限定されず、種々の変更が可能であ
る。
【００３６】例えば、保護層の各膜厚を５ｎｍとした
が、他の膜厚であっても差し替えない。また、磁性層の
膜厚を２００ｎｍとしたが、保護層と同様に、他の膜厚
であっても差し支えない。また、磁性層を成膜する基体
として、ＰＥＴから成るベースフィルムを例に挙げて説
明したが、他の基体例えば、ガラスや、ポリカーボネー
トから成るプラスティックや、金属板を用いてもよい。
が、他の膜厚であっても差し替えない。また、磁性層の
膜厚を２００ｎｍとしたが、保護層と同様に、他の膜厚
であっても差し支えない。また、磁性層を成膜する基体
として、ＰＥＴから成るベースフィルムを例に挙げて説
明したが、他の基体例えば、ガラスや、ポリカーボネー
トから成るプラスティックや、金属板を用いてもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る磁気
記録媒体によれば、磁性層に対して密着性の高いＤＬＣ
薄膜から成る第１の薄膜層を磁性層の表面に成膜し、こ
の第１の薄膜層の表面に、炭素及び水素を主成分としフ
ッ素を含む第２の薄膜層を成膜することで、直接炭素及
び水素を主成分としフッ素を含む薄膜層を磁性層に成膜
するのに比べて、炭素及び水素を主成分としフッ素を含
む薄膜層の磁気記録媒体に対する密着性が向上する。従
って、耐久性に優れ、かつ、定着性の高い保護層を磁性
層の表面に設けた磁気記録媒体を提供することが可能に
なる。
記録媒体によれば、磁性層に対して密着性の高いＤＬＣ
薄膜から成る第１の薄膜層を磁性層の表面に成膜し、こ
の第１の薄膜層の表面に、炭素及び水素を主成分としフ
ッ素を含む第２の薄膜層を成膜することで、直接炭素及
び水素を主成分としフッ素を含む薄膜層を磁性層に成膜
するのに比べて、炭素及び水素を主成分としフッ素を含
む薄膜層の磁気記録媒体に対する密着性が向上する。従
って、耐久性に優れ、かつ、定着性の高い保護層を磁性
層の表面に設けた磁気記録媒体を提供することが可能に
なる。
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の構成を示す図であ
る。
る。
【図２】上記磁気記録媒体の具体的は構成例及びこの構
成例に対する比較例を示す図である。
成例に対する比較例を示す図である。
１ 第１の薄膜層 ２ 第２の薄膜層 ３ 磁性層 ４ ベースフィルム １１ ＤＬＣ層 １２ 含フッ素ＤＬＣ層 １４ Ｃｏ−Ｎｉ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 天野 俊二 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 林 弘志 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 基体上にデータを記録する磁性層を有し
て成る磁気記録媒体において、 上記磁性層の表面に成膜されるダイヤモンド状カーボン
薄膜から成る第１の薄膜層と、 上記第１の薄膜層の表面に成膜される炭素及び水素を主
成分としフッ素を含む第２の薄膜層とを備えて成ること
を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 上記第１の薄膜層は、少なくともコバル
ト−ニッケル系、コバルト−酸素系、コバルト−鉄−酸
素系、コバルト−クロム系、コバルト−チタン系、コバ
ルト−ロジウム系、コバルト−ルテニウム系、コバルト
−白金系、コバルト−モリブデン系、コバルト−マグネ
シウム系、コバルト−タングステン系、コバルト−タン
タル系の何れか１つから成る磁性層の表面に成膜される
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上記第２の薄膜層は、表面に一部がフッ
素原子に置換されたダイヤモンド状カーボン薄膜から成
ることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 上記第２の薄膜層は、フッ素原子を骨格
に取り込んだアモルファスカーボン薄膜から成ることを
特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26186195A JPH09106531A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26186195A JPH09106531A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106531A true JPH09106531A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17367780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26186195A Pending JPH09106531A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09106531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417403B1 (ko) * | 2001-04-16 | 2004-02-05 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광자기 기록매체 및 그 제조방법 |
| CN104246885A (zh) * | 2012-10-29 | 2014-12-24 | 富士电机（马来西亚）有限公司 | 用于制造磁记录介质及其保护膜的方法 |
-
1995
- 1995-10-09 JP JP26186195A patent/JPH09106531A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417403B1 (ko) * | 2001-04-16 | 2004-02-05 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광자기 기록매체 및 그 제조방법 |
| CN104246885A (zh) * | 2012-10-29 | 2014-12-24 | 富士电机（马来西亚）有限公司 | 用于制造磁记录介质及其保护膜的方法 |
| JP2015513168A (ja) * | 2012-10-29 | 2015-04-30 | フジ エレクトリック （マレーシア） エスディーエヌ ビーエイチディー | 磁気記録媒体及びその保護膜の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050315 |