JPH09107032A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH09107032A JPH09107032A JP28925195A JP28925195A JPH09107032A JP H09107032 A JPH09107032 A JP H09107032A JP 28925195 A JP28925195 A JP 28925195A JP 28925195 A JP28925195 A JP 28925195A JP H09107032 A JPH09107032 A JP H09107032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum
- semiconductor device
- based film
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルミ系膜の流動化によるコンタクト孔の埋
め込みを既存の設備で行って、アルミ系膜の信頼性が高
い半導体装置を低コストで製造する。 【解決手段】 アルミ系膜１５とＴｉ膜１６とを真空中
で連続的に形成し、Ｔｉ膜１６の除去とアルミ系膜１５
の流動化とを同一のチャンバー内で行う。このため、Ｔ
ｉ膜１６の形成後に半導体基板１１を大気に曝しても、
アルミナがアルミ系膜１５の表面に形成されず、アルミ
系膜１５を十分に流動化させることができる。さらに、
Ｔｉ膜１６の除去とアルミ系膜１５の加熱とは既存の設
備でも同一のチャンバー内で行うことができる。
め込みを既存の設備で行って、アルミ系膜の信頼性が高
い半導体装置を低コストで製造する。 【解決手段】 アルミ系膜１５とＴｉ膜１６とを真空中
で連続的に形成し、Ｔｉ膜１６の除去とアルミ系膜１５
の流動化とを同一のチャンバー内で行う。このため、Ｔ
ｉ膜１６の形成後に半導体基板１１を大気に曝しても、
アルミナがアルミ系膜１５の表面に形成されず、アルミ
系膜１５を十分に流動化させることができる。さらに、
Ｔｉ膜１６の除去とアルミ系膜１５の加熱とは既存の設
備でも同一のチャンバー内で行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、アルミニウムを含有する導電膜の流
動化によってコンタクト孔の埋め込みを行う半導体装置
の製造方法に関する。
方法に関し、特に、アルミニウムを含有する導電膜の流
動化によってコンタクト孔の埋め込みを行う半導体装置
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の金属配線としてはアルミ系
配線が最も一般的に用いられているが、アルミ系膜のコ
ンタクト孔部分での段差被覆性は元々良くない。このた
め、半導体装置の微細化に伴ってコンタクト孔のアスペ
クト比が高くなってきていることと相まって、アルミ系
膜をスパッタ法で形成するだけでは、コンタクト孔にお
けるアルミ系膜の段差被覆性が悪く、アルミ系配線の導
通不良や断線を引き起こして、半導体装置の歩留りや信
頼性が低くなってしまう。
配線が最も一般的に用いられているが、アルミ系膜のコ
ンタクト孔部分での段差被覆性は元々良くない。このた
め、半導体装置の微細化に伴ってコンタクト孔のアスペ
クト比が高くなってきていることと相まって、アルミ系
膜をスパッタ法で形成するだけでは、コンタクト孔にお
けるアルミ系膜の段差被覆性が悪く、アルミ系配線の導
通不良や断線を引き起こして、半導体装置の歩留りや信
頼性が低くなってしまう。
【０００３】そこで、このような問題を解決するため
に、アルミ系膜をスパッタ法で形成した後に、半導体基
板を５００℃前後に加熱してアルミ系膜を流動化させる
ことによって、コンタクト孔をアルミ系膜で埋め込むい
わゆるアルミリフロー法が行われるようになってきてい
る。
に、アルミ系膜をスパッタ法で形成した後に、半導体基
板を５００℃前後に加熱してアルミ系膜を流動化させる
ことによって、コンタクト孔をアルミ系膜で埋め込むい
わゆるアルミリフロー法が行われるようになってきてい
る。
【０００４】図２は、半導体基板に形成された不純物拡
散層とアルミ系配線とを電気的に接続すべく、コンタク
ト孔に対してアルミリフロー法を用いる半導体装置の製
造方法の一従来例を示している。
散層とアルミ系配線とを電気的に接続すべく、コンタク
ト孔に対してアルミリフロー法を用いる半導体装置の製
造方法の一従来例を示している。
【０００５】この一従来例では、まず、図２（ａ）に示
すように、不純物がドープされた多結晶シリコン膜やシ
リコン半導体基板に形成された不純物拡散層のような下
地導電層２１上に、シリコン酸化膜などからなる層間絶
縁膜２２を形成する。そして、下地導電層２１に達する
コンタクト孔２３を層間絶縁膜２２に形成した後、バリ
アメタル膜２４を全面に形成する。
すように、不純物がドープされた多結晶シリコン膜やシ
リコン半導体基板に形成された不純物拡散層のような下
地導電層２１上に、シリコン酸化膜などからなる層間絶
縁膜２２を形成する。そして、下地導電層２１に達する
コンタクト孔２３を層間絶縁膜２２に形成した後、バリ
アメタル膜２４を全面に形成する。
【０００６】次に、図２（ｂ）に示すように、バリアメ
タル膜２４上にアルミ系膜２５をスパッタ法で形成す
る。このとき、コンタクト孔２３におけるアルミ系膜２
５の段差被覆性が良くないので、コンタクト孔２３の開
孔部においてアルミ系膜２５がオーバハング状態にな
る。
タル膜２４上にアルミ系膜２５をスパッタ法で形成す
る。このとき、コンタクト孔２３におけるアルミ系膜２
５の段差被覆性が良くないので、コンタクト孔２３の開
孔部においてアルミ系膜２５がオーバハング状態にな
る。
【０００７】次に、高真空状態で基板を５００℃前後に
加熱してアルミ系膜２５を流動化させることによって、
図２（ｃ）に示すように、コンタクト孔２３をアルミ系
膜２５で埋め込む。その後、アルミ系膜２５をアルミ系
配線のパターンに加工し、さらに、従来公知の工程を実
行して、この半導体装置を完成させる。
加熱してアルミ系膜２５を流動化させることによって、
図２（ｃ）に示すように、コンタクト孔２３をアルミ系
膜２５で埋め込む。その後、アルミ系膜２５をアルミ系
配線のパターンに加工し、さらに、従来公知の工程を実
行して、この半導体装置を完成させる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、アルミ系膜
２５をスパッタ法で形成した状態の下地導電層２１を大
気に曝すと、アルミ系膜１２の表面にアルミニウムの酸
化物であるアルミナが形成される。しかも、アルミ系膜
２５に対するアルミナのエッチング選択比が低いので、
アルミ系膜２５の表面からアルミナのみを選択的に除去
することが困難である。そして、このアルミナはアルミ
系膜２５の流動性を低下させるので、熱処理を施しても
図２（ｃ）に示したようにコンタクト孔２３をアルミ系
膜２５で十分には埋め込むことができなくて、アルミ系
配線の信頼性が低下してしまう。
２５をスパッタ法で形成した状態の下地導電層２１を大
気に曝すと、アルミ系膜１２の表面にアルミニウムの酸
化物であるアルミナが形成される。しかも、アルミ系膜
２５に対するアルミナのエッチング選択比が低いので、
アルミ系膜２５の表面からアルミナのみを選択的に除去
することが困難である。そして、このアルミナはアルミ
系膜２５の流動性を低下させるので、熱処理を施しても
図２（ｃ）に示したようにコンタクト孔２３をアルミ系
膜２５で十分には埋め込むことができなくて、アルミ系
配線の信頼性が低下してしまう。
【０００９】このため、上述の従来例では、アルミ系膜
２５をスパッタ法で形成した後、高真空状態を維持した
まま基板を加熱チャンバーへ搬送してアルミ系膜２５を
流動化させるための加熱を行うことができるように、ス
パッタ装置と加熱チャンバーとが一体化された装置を新
たに導入していた。
２５をスパッタ法で形成した後、高真空状態を維持した
まま基板を加熱チャンバーへ搬送してアルミ系膜２５を
流動化させるための加熱を行うことができるように、ス
パッタ装置と加熱チャンバーとが一体化された装置を新
たに導入していた。
【００１０】しかし、スパッタ装置と加熱チャンバーと
が一体化された装置は高価であるので、アルミリフロー
法を用いる上述の一従来例では、低コストで半導体装置
を製造することが困難であった。
が一体化された装置は高価であるので、アルミリフロー
法を用いる上述の一従来例では、低コストで半導体装置
を製造することが困難であった。
【００１１】そこで、本発明の目的は、コンタクト孔を
アルミリフロー法で十分に埋めることができてアルミ系
配線の信頼性が高い半導体装置を、低コストで製造する
ことができる半導体装置の製造方法を提供することであ
る。
アルミリフロー法で十分に埋めることができてアルミ系
配線の信頼性が高い半導体装置を、低コストで製造する
ことができる半導体装置の製造方法を提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、下地導電層上の
絶縁膜に形成されたコンタクト孔部分に、アルミニウム
を含有する導電膜と、前記導電膜に対するエッチング選
択性を有する被覆膜とを連続的に形成する工程と、エッ
チングによる前記被覆膜の除去と、前記導電膜を流動化
させることによる前記接続孔の埋め込みとを同一のチャ
ンバー内で連続的に行う工程とを具備する。
に、本発明の半導体装置の製造方法は、下地導電層上の
絶縁膜に形成されたコンタクト孔部分に、アルミニウム
を含有する導電膜と、前記導電膜に対するエッチング選
択性を有する被覆膜とを連続的に形成する工程と、エッ
チングによる前記被覆膜の除去と、前記導電膜を流動化
させることによる前記接続孔の埋め込みとを同一のチャ
ンバー内で連続的に行う工程とを具備する。
【００１３】本発明の一態様においては、前記被覆膜
は、前記導電膜に対するエッチング選択比が１００以上
のものである。
は、前記導電膜に対するエッチング選択比が１００以上
のものである。
【００１４】本発明の一態様においては、前記被覆膜
は、Ｔｉ膜、Ｗ膜、ＴｉＷ膜および非晶質シリコン膜か
らなる群より選択されたいずれかである。
は、Ｔｉ膜、Ｗ膜、ＴｉＷ膜および非晶質シリコン膜か
らなる群より選択されたいずれかである。
【００１５】本発明では、アルミニウムを含有する導電
膜とその被覆膜とを連続的に形成しているので、被覆膜
を形成する前に導電膜の表面にアルミナが形成されるの
を防止することができる。しかも、導電膜を被覆膜で被
覆しているので、被覆膜の除去および導電膜の流動化を
行うためのチャンバーへ搬送する際に半導体基板を大気
に曝しても、導電膜の表面にアルミナが形成されるのを
防止することができる。
膜とその被覆膜とを連続的に形成しているので、被覆膜
を形成する前に導電膜の表面にアルミナが形成されるの
を防止することができる。しかも、導電膜を被覆膜で被
覆しているので、被覆膜の除去および導電膜の流動化を
行うためのチャンバーへ搬送する際に半導体基板を大気
に曝しても、導電膜の表面にアルミナが形成されるのを
防止することができる。
【００１６】また、被覆膜の除去および導電膜の流動化
を同一のチャンバー内で連続的に行っているので、被覆
膜を除去した後に導電膜の表面にアルミナが形成される
のを防止することができる。従って、導電膜の流動性を
低下させるアルミナが導電膜の表面に形成されるのを完
全に防止し、導電膜を十分に流動化させて、導電膜でコ
ンタクト孔を十分に埋め込むことができる。
を同一のチャンバー内で連続的に行っているので、被覆
膜を除去した後に導電膜の表面にアルミナが形成される
のを防止することができる。従って、導電膜の流動性を
低下させるアルミナが導電膜の表面に形成されるのを完
全に防止し、導電膜を十分に流動化させて、導電膜でコ
ンタクト孔を十分に埋め込むことができる。
【００１７】しかも、導電膜に対する被覆膜のエッチン
グ選択比を１００以上と非常に高くした場合には、被覆
膜をエッチングで除去しても導電膜は実質的にエッチン
グされず、形成当初の導電膜の膜厚を実質的に維持する
ことができる。
グ選択比を１００以上と非常に高くした場合には、被覆
膜をエッチングで除去しても導電膜は実質的にエッチン
グされず、形成当初の導電膜の膜厚を実質的に維持する
ことができる。
【００１８】さらに、被覆膜の除去および導電膜の流動
化を同一のチャンバー内で行うためには、加熱チャンバ
ーにプラズマ印加機構が備っている必要があるが、例え
ば現状の殆どのプラズマＣＶＤ装置がこの要件を満たし
ているので、既存の設備を利用することができて、新た
な設備を導入する必要がない。
化を同一のチャンバー内で行うためには、加熱チャンバ
ーにプラズマ印加機構が備っている必要があるが、例え
ば現状の殆どのプラズマＣＶＤ装置がこの要件を満たし
ているので、既存の設備を利用することができて、新た
な設備を導入する必要がない。
【００１９】また、被覆膜をＴｉ（チタン）膜、Ｗ（タ
ングステン）膜、ＴｉＷ（チタンタングステン）膜また
は非晶質シリコン（アモルファスシリコン）膜とした場
合には、導電膜に対する被覆膜のエッチング選択比が実
質的に無限大であり、被覆膜をエッチングで除去しても
導電膜は全くエッチングされないので、形成当初の導電
膜の膜厚を完全に維持することができる。
ングステン）膜、ＴｉＷ（チタンタングステン）膜また
は非晶質シリコン（アモルファスシリコン）膜とした場
合には、導電膜に対する被覆膜のエッチング選択比が実
質的に無限大であり、被覆膜をエッチングで除去しても
導電膜は全くエッチングされないので、形成当初の導電
膜の膜厚を完全に維持することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を一実施形態につき
図１を参照して説明する。
図１を参照して説明する。
【００２１】本実施形態は、シリコン半導体基板の表面
部に形成された不純物拡散層と電気的に接続されるアル
ミ系配線を有する半導体装置の製造に、本発明を適用し
たものである。
部に形成された不純物拡散層と電気的に接続されるアル
ミ系配線を有する半導体装置の製造に、本発明を適用し
たものである。
【００２２】本実施形態では、まず、図１（ａ）に示す
ように、シリコン半導体基板１１に不純物をイオン注入
するなどして不純物拡散層１７を形成する。そして、こ
の半導体基板１１上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁
膜１２を形成した後、不純物拡散層１７に達するコンタ
クト孔１３を層間絶縁膜１２に形成する。
ように、シリコン半導体基板１１に不純物をイオン注入
するなどして不純物拡散層１７を形成する。そして、こ
の半導体基板１１上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁
膜１２を形成した後、不純物拡散層１７に達するコンタ
クト孔１３を層間絶縁膜１２に形成する。
【００２３】次に、図１（ｂ）に示すように、膜厚１０
〜３０ｎｍ程度のＴｉ膜をスパッタ法で形成し、引き続
き、膜厚１００〜２００ｎｍ程度のＴｉＮ膜を反応性ス
パッタ法で形成することによって、Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜
が積層されたバリアメタル膜１４をコンタクト孔１３内
面を含む全面に形成する。
〜３０ｎｍ程度のＴｉ膜をスパッタ法で形成し、引き続
き、膜厚１００〜２００ｎｍ程度のＴｉＮ膜を反応性ス
パッタ法で形成することによって、Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜
が積層されたバリアメタル膜１４をコンタクト孔１３内
面を含む全面に形成する。
【００２４】なお、バリアメタル膜１４中のＴｉ膜は、
コンタクト孔１３内で露出している半導体基板１１の表
面における自然酸化膜を還元してオーミック接続を得る
ためのものである。また、バリアメタル膜１４中のＴｉ
Ｎ膜は、後に形成するアルミ系膜１５中のアルミが半導
体基板１１中に拡散して半導体基板１１と反応すること
によるアロイスパイクの防止を主な目的にしている。
コンタクト孔１３内で露出している半導体基板１１の表
面における自然酸化膜を還元してオーミック接続を得る
ためのものである。また、バリアメタル膜１４中のＴｉ
Ｎ膜は、後に形成するアルミ系膜１５中のアルミが半導
体基板１１中に拡散して半導体基板１１と反応すること
によるアロイスパイクの防止を主な目的にしている。
【００２５】次に、図１（ｃ）に示すように、膜厚３０
０〜８００ｎｍ程度で約０．５％のＣｕ（銅）が添加さ
れているアルミ系膜１５と、膜厚２０〜５０ｎｍ程度の
Ｔｉ膜１６とを、同一のチャンバー内におけるスパッタ
法で連続的に形成して、アルミ系膜１５をＴｉ膜１６で
被覆する。このときも、コンタクト孔１３の開孔部にお
いてアルミ系膜１５がオーバハング状態になる。なお、
このときチャンバー内は、アルミ系膜１５の表面にアル
ミナが形成されるのを防止するために高真空状態である
ことが好ましく、具体的には５×１０-8Ｔｏｒｒ〜１×
１０-7Ｔｏｒｒ程度の圧力とすることが好ましい。
０〜８００ｎｍ程度で約０．５％のＣｕ（銅）が添加さ
れているアルミ系膜１５と、膜厚２０〜５０ｎｍ程度の
Ｔｉ膜１６とを、同一のチャンバー内におけるスパッタ
法で連続的に形成して、アルミ系膜１５をＴｉ膜１６で
被覆する。このときも、コンタクト孔１３の開孔部にお
いてアルミ系膜１５がオーバハング状態になる。なお、
このときチャンバー内は、アルミ系膜１５の表面にアル
ミナが形成されるのを防止するために高真空状態である
ことが好ましく、具体的には５×１０-8Ｔｏｒｒ〜１×
１０-7Ｔｏｒｒ程度の圧力とすることが好ましい。
【００２６】なお、アルミ系膜１５中のＣｕは、アルミ
系膜１５中におけるアルミの粒界拡散を抑制して、アル
ミ系配線のストレスマイグレーション耐性およびエレク
トロマイグレーション耐性を向上させるために添加され
ている。
系膜１５中におけるアルミの粒界拡散を抑制して、アル
ミ系配線のストレスマイグレーション耐性およびエレク
トロマイグレーション耐性を向上させるために添加され
ている。
【００２７】次に、大気中を経由して、プラズマ印加機
構を備えている加熱チャンバーへ半導体基板１１を搬送
し、図１（ｄ）に示すように、フルオロカーボン系のガ
スでＴｉ膜１６を選択的にエッチング除去する。この搬
送の際にも、アルミ系膜１５がＴｉ膜１６で被覆されて
いるために、アルミ系膜１５の表面にはアルミナが形成
されることはない。
構を備えている加熱チャンバーへ半導体基板１１を搬送
し、図１（ｄ）に示すように、フルオロカーボン系のガ
スでＴｉ膜１６を選択的にエッチング除去する。この搬
送の際にも、アルミ系膜１５がＴｉ膜１６で被覆されて
いるために、アルミ系膜１５の表面にはアルミナが形成
されることはない。
【００２８】このときのエッチングの代表的な条件とし
ては、平行平板型の高周波チャンバーで、圧力１Ｔｏｒ
ｒ、Ｃ2 Ｆ6 ガス流量５００ｓｃｃｍ、下部電極温度５
００℃、印加電力５００Ｗである。この条件であれば、
アルミ系膜１５に対するＴｉ膜１６のエッチング選択比
が実質的に無限大にとることができるので、Ｔｉ膜１６
のみがエッチングされて、アルミ系膜１５は全くエッチ
ングされない。
ては、平行平板型の高周波チャンバーで、圧力１Ｔｏｒ
ｒ、Ｃ2 Ｆ6 ガス流量５００ｓｃｃｍ、下部電極温度５
００℃、印加電力５００Ｗである。この条件であれば、
アルミ系膜１５に対するＴｉ膜１６のエッチング選択比
が実質的に無限大にとることができるので、Ｔｉ膜１６
のみがエッチングされて、アルミ系膜１５は全くエッチ
ングされない。
【００２９】次に、Ｔｉ膜１６のエッチングを行ったチ
ャンバー内で、平行平板型電極の下部電極の温度および
圧力をＴｉ膜１６のエッチング時のまま維持し、アルミ
系膜１５を流動化させることによって、図１（ｅ）に示
すように、コンタクト孔１３をアルミ系膜１５で埋め込
む。これにより、下地導電層である不純物拡散層１７と
アルミ系膜１５とをバリアメタル膜１４を介して接続す
ることができる。この際、アルミ系膜１５の表面にアル
ミナが形成されていないために、アルミ系膜１５の流動
性が低下することがなく、コンタクト孔１３は完全にア
ルミ系膜１５で埋め込まれる。その後、アルミ系膜１５
をアルミ系配線のパターンに加工し、さらに、従来公知
の工程を実行して、この半導体装置を完成させる。
ャンバー内で、平行平板型電極の下部電極の温度および
圧力をＴｉ膜１６のエッチング時のまま維持し、アルミ
系膜１５を流動化させることによって、図１（ｅ）に示
すように、コンタクト孔１３をアルミ系膜１５で埋め込
む。これにより、下地導電層である不純物拡散層１７と
アルミ系膜１５とをバリアメタル膜１４を介して接続す
ることができる。この際、アルミ系膜１５の表面にアル
ミナが形成されていないために、アルミ系膜１５の流動
性が低下することがなく、コンタクト孔１３は完全にア
ルミ系膜１５で埋め込まれる。その後、アルミ系膜１５
をアルミ系配線のパターンに加工し、さらに、従来公知
の工程を実行して、この半導体装置を完成させる。
【００３０】なお、以上説明した実施形態では、アルミ
系膜１５の被覆膜としてＴｉ膜１６を用いたが、Ｗ膜、
ＴｉＷ膜または非晶質シリコン膜のいずれかをＴｉ膜１
６の代わりに用いてもよい。これらの膜でも、アルミ系
膜１５の流動化に先立つエッチングで、Ｔｉ膜１６に対
するエッチングと同じ条件でこれらの膜のみがエッチン
グされて、アルミ系膜１５は全くエッチングされない。
また、アルミ系膜１５の被覆膜としては、Ｔｉ膜１６な
どに限られず、アルミ系膜１５に対するエッチング選択
比を有するものであれば本発明に適用することができ
る。ただし、アルミ系膜１５が過度にエッチングされる
のを防止するためには、被覆膜としてアルミ系膜１５に
対するエッチング選択比が１００以上のものを用いるこ
とが好ましい。
系膜１５の被覆膜としてＴｉ膜１６を用いたが、Ｗ膜、
ＴｉＷ膜または非晶質シリコン膜のいずれかをＴｉ膜１
６の代わりに用いてもよい。これらの膜でも、アルミ系
膜１５の流動化に先立つエッチングで、Ｔｉ膜１６に対
するエッチングと同じ条件でこれらの膜のみがエッチン
グされて、アルミ系膜１５は全くエッチングされない。
また、アルミ系膜１５の被覆膜としては、Ｔｉ膜１６な
どに限られず、アルミ系膜１５に対するエッチング選択
比を有するものであれば本発明に適用することができ
る。ただし、アルミ系膜１５が過度にエッチングされる
のを防止するためには、被覆膜としてアルミ系膜１５に
対するエッチング選択比が１００以上のものを用いるこ
とが好ましい。
【００３１】また、以上の実施形態は半導体基板の拡散
層と電気的に接続されるアルミ系配線を有する半導体装
置の製造に本発明を適用したものであるが、例えば不純
物がドープされた多結晶シリコン膜からなる下層側の配
線と電気的に接続される上層側のアルミ系配線を有する
半導体装置の製造にも本発明を適用することができる。
層と電気的に接続されるアルミ系配線を有する半導体装
置の製造に本発明を適用したものであるが、例えば不純
物がドープされた多結晶シリコン膜からなる下層側の配
線と電気的に接続される上層側のアルミ系配線を有する
半導体装置の製造にも本発明を適用することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法によると、導電膜の流動性を低下させるア
ルミナが導電膜の表面に形成されるのを完全に防止し、
導電膜を十分に流動化させて、導電膜でコンタクト孔を
十分に埋め込むことができ、しかも、形成当初の導電膜
の膜厚を実質的に維持することができ、さらに、既存の
設備を利用することができて、新たな設備を導入する必
要がない。従って、導電膜の信頼性が高い半導体装置を
低コストで製造することができる。
置の製造方法によると、導電膜の流動性を低下させるア
ルミナが導電膜の表面に形成されるのを完全に防止し、
導電膜を十分に流動化させて、導電膜でコンタクト孔を
十分に埋め込むことができ、しかも、形成当初の導電膜
の膜厚を実質的に維持することができ、さらに、既存の
設備を利用することができて、新たな設備を導入する必
要がない。従って、導電膜の信頼性が高い半導体装置を
低コストで製造することができる。
【００３３】また、被覆膜をＴｉ膜、Ｗ膜、ＴｉＷ膜ま
たは非晶質シリコン膜とした場合には、導電膜に対する
被覆膜のエッチング選択比が実質的に無限大であり、被
覆膜をエッチングで除去しても導電膜は全くエッチング
されないので、形成当初の導電膜の膜厚を完全に維持す
ることができる。従って、導電膜の信頼性がさらに高い
半導体装置を低コストで製造することができる。
たは非晶質シリコン膜とした場合には、導電膜に対する
被覆膜のエッチング選択比が実質的に無限大であり、被
覆膜をエッチングで除去しても導電膜は全くエッチング
されないので、形成当初の導電膜の膜厚を完全に維持す
ることができる。従って、導電膜の信頼性がさらに高い
半導体装置を低コストで製造することができる。
【図１】本発明の一実施形態を工程順に示す断面図であ
る。
る。
【図２】従来例を工程順に示す断面図である。
１１ 半導体基板 １２ 層間絶縁膜 １３ コンタクト孔 １４ バリアメタル膜 １５ アルミ系膜 １６ Ｔｉ膜 １７ 不純物拡散層
Claims (3)
- 【請求項１】 下地導電層上の絶縁膜に形成されたコン
タクト孔部分に、アルミニウムを含有する導電膜と、前
記導電膜に対するエッチング選択性を有する被覆膜とを
連続的に形成する工程と、 エッチングによる前記被覆膜の除去と、前記導電膜を流
動化させることによる前記接続孔の埋め込みとを同一の
チャンバー内で連続的に行う工程とを具備することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記被覆膜は、前記導電膜に対するエッ
チング選択比が１００以上のものであることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記被覆膜は、Ｔｉ膜、Ｗ膜、ＴｉＷ膜
および非晶質シリコン膜からなる群より選択されたいず
れかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28925195A JPH09107032A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28925195A JPH09107032A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107032A true JPH09107032A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17740740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28925195A Withdrawn JPH09107032A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09107032A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266073A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-10-11 JP JP28925195A patent/JPH09107032A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266073A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4926237A (en) | Device metallization, device and method | |
| US4994410A (en) | Method for device metallization by forming a contact plug and interconnect using a silicide/nitride process | |
| US6391777B1 (en) | Two-stage Cu anneal to improve Cu damascene process | |
| JP3330495B2 (ja) | 電気的相互接続用薄膜金属バリア層 | |
| JP3588275B2 (ja) | 半導体装置の形成方法 | |
| EP0310108A2 (en) | Interconnection structure of a semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| EP0525637A1 (en) | Method for the formation of tin barrier layer with preferential (111) crystallographic orientation | |
| US7163893B2 (en) | Advanced barrier liner formation for vias | |
| JPH07115074A (ja) | 配線形成方法 | |
| JP2002509356A (ja) | パターニングされた導電層の空隙をｈｓｑで充填した高集積度ボーダレスビア | |
| US7199043B2 (en) | Method of forming copper wiring in semiconductor device | |
| JPH06181212A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6344691B1 (en) | Barrier materials for metal interconnect in a semiconductor device | |
| JPH07254642A (ja) | 多層配線構造およびその製造方法 | |
| JPH09107032A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08139190A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001319930A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003218199A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3087692B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2564786B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100296708B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| JP3183341B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05299418A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3407516B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11297699A (ja) | 拡散バリア層およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |