JPH09107148A - 自励発振垂直共振器型半導体レーザ - Google Patents
自励発振垂直共振器型半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH09107148A JPH09107148A JP26181795A JP26181795A JPH09107148A JP H09107148 A JPH09107148 A JP H09107148A JP 26181795 A JP26181795 A JP 26181795A JP 26181795 A JP26181795 A JP 26181795A JP H09107148 A JPH09107148 A JP H09107148A
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- Japan
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- layer
- self
- reflecting mirror
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 構造に対する制御性を大きくでき、自励発振
の動作範囲を広くする。 【解決手段】 半導体多層膜反射鏡を形成する１つの半
導体層の中に、量子井戸構造を有する可飽和吸収層を配
置する。これにより、可飽和吸収層の共振モードの受け
る吸収量を井戸幅、井戸数およびＩn 組成によって自由
に設計し、自励発振の動作範囲を広げる。
の動作範囲を広くする。 【解決手段】 半導体多層膜反射鏡を形成する１つの半
導体層の中に、量子井戸構造を有する可飽和吸収層を配
置する。これにより、可飽和吸収層の共振モードの受け
る吸収量を井戸幅、井戸数およびＩn 組成によって自由
に設計し、自励発振の動作範囲を広げる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ間またはボ
ード間の信号を光で結合する光インターコネクションや
２次元並列信号処理、あるいはコンパクトディスクの信
号読み出し、光磁気ディスクへの信号書き込み・読み出
しを行う光源として有望な自励発振垂直共振器型半導体
レーザに関する。
ード間の信号を光で結合する光インターコネクションや
２次元並列信号処理、あるいはコンパクトディスクの信
号読み出し、光磁気ディスクへの信号書き込み・読み出
しを行う光源として有望な自励発振垂直共振器型半導体
レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】垂直共振器型半導体レーザは、極微共振
器構造による極低閾値化が可能であること、２次元アレ
ー化が容易であること、複雑な光学系を組み合わせずに
円形の発光パターンを出射できることなどの特徴を有す
る。一方、自励発振半導体レーザは、反射戻り光雑音の
低減に有利な特徴を有する。自励発振垂直共振器型半導
体レーザはこの両者の特徴を併せ持っており、上記の光
源として注目されている。
器構造による極低閾値化が可能であること、２次元アレ
ー化が容易であること、複雑な光学系を組み合わせずに
円形の発光パターンを出射できることなどの特徴を有す
る。一方、自励発振半導体レーザは、反射戻り光雑音の
低減に有利な特徴を有する。自励発振垂直共振器型半導
体レーザはこの両者の特徴を併せ持っており、上記の光
源として注目されている。
【０００３】図５は、従来の自励発振垂直共振器型半導
体レーザの構成を示す。ここでは、結晶成長面に垂直方
向の断面構造を示す。図において、ｎ−ＧaＡs基板２１
上に、半導体多層膜反射鏡であるｎ−ＡlyＧa1-yＡs／
ＡlZＧa1-ZＡs (０＜ｙ＜ｚ）ＤＢＲ（分布ブラッグ反
射）型反射鏡２２、１つの半導体層に挿入されたＧaＡs
バルク可飽和吸収層２３、ＡluＧa1-uＡs スペーサ層２
４、ＧaＡsバルク活性層２５、ＡluＧa1-uＡs スペーサ
層２６、半導体多層膜反射鏡であるｐ−ＡlyＧa1-yＡs
／ＡlZＧa1-ZＡs (０＜ｙ＜ｚ）ＤＢＲ型反射鏡２７が
積層される。ｎ−ＧaＡs基板２１の下にはｎ電極２８、
ｐ−ＡlyＧa1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡsＤＢＲ型反射鏡２７
の上にはｐ電極２９が配置される。
体レーザの構成を示す。ここでは、結晶成長面に垂直方
向の断面構造を示す。図において、ｎ−ＧaＡs基板２１
上に、半導体多層膜反射鏡であるｎ−ＡlyＧa1-yＡs／
ＡlZＧa1-ZＡs (０＜ｙ＜ｚ）ＤＢＲ（分布ブラッグ反
射）型反射鏡２２、１つの半導体層に挿入されたＧaＡs
バルク可飽和吸収層２３、ＡluＧa1-uＡs スペーサ層２
４、ＧaＡsバルク活性層２５、ＡluＧa1-uＡs スペーサ
層２６、半導体多層膜反射鏡であるｐ−ＡlyＧa1-yＡs
／ＡlZＧa1-ZＡs (０＜ｙ＜ｚ）ＤＢＲ型反射鏡２７が
積層される。ｎ−ＧaＡs基板２１の下にはｎ電極２８、
ｐ−ＡlyＧa1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡsＤＢＲ型反射鏡２７
の上にはｐ電極２９が配置される。
【０００４】自励発振する注入電流の範囲（動作範囲）
は、ＧaＡs可飽和吸収層２３のキャリア寿命および垂直
共振器の光モードの受ける吸収量により変化する。後者
について具体的には、ＧaＡsバルク可飽和吸収層２３と
ＧaＡsバルク活性層２５との距離およびＧaＡsバルク可
飽和吸収層２３の吸収係数が影響する。
は、ＧaＡs可飽和吸収層２３のキャリア寿命および垂直
共振器の光モードの受ける吸収量により変化する。後者
について具体的には、ＧaＡsバルク可飽和吸収層２３と
ＧaＡsバルク活性層２５との距離およびＧaＡsバルク可
飽和吸収層２３の吸収係数が影響する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図５に示す
構成では、ＧaＡsバルク可飽和吸収層２３とＧaＡsバル
ク活性層２５との距離については自由度をもたせられ
る。しかし、ＧaＡsバルク可飽和吸収層２３の吸収係数
は、バルクを用いているために発振波長と吸収端との波
長差という制御性の小さい要素でしか設計することがで
きなかった。例えば、1.3 μｍ帯あるいは1.55μｍ帯で
は半導体ＤＢＲを通常のＩnＰとＩnＧaＡsＰの組み合わ
せで構成するので、高屈折率層であるＩnＧaＡsＰ をそ
れよりさらにバンドギャップの狭いＩnＧaＡsＰまたは
ＩnＧaＡsに置き換えることにより、発振波長における
吸収係数を調節することが可能である。しかし、ＧaＡs
バルク可飽和吸収層２３の厚みに関しては、ＤＢＲを構
成する必要性から発振波長の１／４、あるいはその奇数
倍でしか制御することができなかった。
構成では、ＧaＡsバルク可飽和吸収層２３とＧaＡsバル
ク活性層２５との距離については自由度をもたせられ
る。しかし、ＧaＡsバルク可飽和吸収層２３の吸収係数
は、バルクを用いているために発振波長と吸収端との波
長差という制御性の小さい要素でしか設計することがで
きなかった。例えば、1.3 μｍ帯あるいは1.55μｍ帯で
は半導体ＤＢＲを通常のＩnＰとＩnＧaＡsＰの組み合わ
せで構成するので、高屈折率層であるＩnＧaＡsＰ をそ
れよりさらにバンドギャップの狭いＩnＧaＡsＰまたは
ＩnＧaＡsに置き換えることにより、発振波長における
吸収係数を調節することが可能である。しかし、ＧaＡs
バルク可飽和吸収層２３の厚みに関しては、ＤＢＲを構
成する必要性から発振波長の１／４、あるいはその奇数
倍でしか制御することができなかった。
【０００６】本発明は、構造に対する制御性を大きくで
き、自励発振の動作範囲を広くとることができる自励発
振垂直共振器型半導体レーザを提供することを目的とす
る。
き、自励発振の動作範囲を広くとることができる自励発
振垂直共振器型半導体レーザを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の自励発振垂直共
振器型半導体レーザは、半導体多層膜反射鏡を形成する
１つの半導体層の中に、量子井戸構造を有する可飽和吸
収層を配置した構成である。これにより、可飽和吸収層
の共振モードの受ける吸収量を井戸幅、井戸数およびＩ
n 組成によって自由に設計することができ、自励発振の
動作範囲を広げることができる。
振器型半導体レーザは、半導体多層膜反射鏡を形成する
１つの半導体層の中に、量子井戸構造を有する可飽和吸
収層を配置した構成である。これにより、可飽和吸収層
の共振モードの受ける吸収量を井戸幅、井戸数およびＩ
n 組成によって自由に設計することができ、自励発振の
動作範囲を広げることができる。
【０００８】また、この可飽和吸収層にイオン注入を施
す。これにより、可飽和吸収層のキャリア寿命が短くな
るので、自励発振の動作範囲をさらに拡大することがで
きる。また、可飽和吸収層に不純物をドーピングする。
これにより、可飽和吸収層の量子井戸の組成が活性層の
量子井戸の組成と同じであっても、発振波長における可
飽和吸収層での吸収が増加するので、自励発振の動作範
囲を拡大することができる。
す。これにより、可飽和吸収層のキャリア寿命が短くな
るので、自励発振の動作範囲をさらに拡大することがで
きる。また、可飽和吸収層に不純物をドーピングする。
これにより、可飽和吸収層の量子井戸の組成が活性層の
量子井戸の組成と同じであっても、発振波長における可
飽和吸収層での吸収が増加するので、自励発振の動作範
囲を拡大することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の自励発振垂直共
振器型半導体レーザの第１の実施形態を示す。ここで
は、結晶成長面に垂直方向の断面構造を示す。図におい
て、ｎ−ＧaＡs基板１上に半導体多層膜反射鏡であるｎ
−ＡlyＧa1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡs (０＜ｙ＜ｚ) ＤＢＲ
型反射鏡２、ＡlyＧa1-yＡs 層中に挿入されたＩnＧaＡ
s またはＧaＡs量子井戸構造可飽和吸収層３、ＡluＧa
1-uＡsスペーサ層４、ＩnＧaＡs／ＡlWＧa1-WＡs (ｕ≧
ｗ）多重量子井戸活性層５、ＡluＧa1-uＡs スペーサ層
６、半導体多層膜反射鏡であるｐ−ＡlyＧa1-yＡs／Ａl
ZＧa1-ZＡs(０＜ｙ＜ｚ）ＤＢＲ型反射鏡７が積層され
る。ｎ−ＧaＡs基板１の下にはｎ電極８、ｐ−ＡlyＧa
1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡsＤＢＲ型反射鏡７の上にはｐ電
極９が配置される。
振器型半導体レーザの第１の実施形態を示す。ここで
は、結晶成長面に垂直方向の断面構造を示す。図におい
て、ｎ−ＧaＡs基板１上に半導体多層膜反射鏡であるｎ
−ＡlyＧa1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡs (０＜ｙ＜ｚ) ＤＢＲ
型反射鏡２、ＡlyＧa1-yＡs 層中に挿入されたＩnＧaＡ
s またはＧaＡs量子井戸構造可飽和吸収層３、ＡluＧa
1-uＡsスペーサ層４、ＩnＧaＡs／ＡlWＧa1-WＡs (ｕ≧
ｗ）多重量子井戸活性層５、ＡluＧa1-uＡs スペーサ層
６、半導体多層膜反射鏡であるｐ−ＡlyＧa1-yＡs／Ａl
ZＧa1-ZＡs(０＜ｙ＜ｚ）ＤＢＲ型反射鏡７が積層され
る。ｎ−ＧaＡs基板１の下にはｎ電極８、ｐ−ＡlyＧa
1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡsＤＢＲ型反射鏡７の上にはｐ電
極９が配置される。
【００１０】ＩnＧaＡs またはＧaＡs量子井戸構造可飽
和吸収層３で共振モードの受ける吸収量は、図２に示す
ように、井戸幅、井戸数、およびＩn 組成によって自由
に設計可能である。図２(a) は井戸幅Ｌw と吸収量αと
の関係を示し、図２(b) は井戸数Ｎw と吸収量α×Ｌw
×Ｎwとの関係を示し、図２(c) はＩn 組成と吸収量α
との関係を示す。
和吸収層３で共振モードの受ける吸収量は、図２に示す
ように、井戸幅、井戸数、およびＩn 組成によって自由
に設計可能である。図２(a) は井戸幅Ｌw と吸収量αと
の関係を示し、図２(b) は井戸数Ｎw と吸収量α×Ｌw
×Ｎwとの関係を示し、図２(c) はＩn 組成と吸収量α
との関係を示す。
【００１１】なお、可飽和吸収層での位相変化による発
振波長の変動は実用上問題となるが、バルクで構成する
場合と異なり、ＤＢＲの１つの半導体層中に形成された
量子井戸層の空間的占有率は低い（例えば波長0.98μｍ
のＧaＡs１／４波長厚69.6ｎｍに対して、ＩnＧaＡs 単
一量子井戸８ｎｍは11.4％）ので、その問題は容易に回
避することができる。
振波長の変動は実用上問題となるが、バルクで構成する
場合と異なり、ＤＢＲの１つの半導体層中に形成された
量子井戸層の空間的占有率は低い（例えば波長0.98μｍ
のＧaＡs１／４波長厚69.6ｎｍに対して、ＩnＧaＡs 単
一量子井戸８ｎｍは11.4％）ので、その問題は容易に回
避することができる。
【００１２】図３は、従来構造および本発明構造の動作
範囲を示す。(a) は従来構造における注入電流と光出力
との関係であり、黒丸と黒丸との間が自励発振範囲を示
す。，，の順に、活性層と可飽和吸収層との距離
を小さくしていったものである。従来構造では、可飽和
吸収層の厚みが厚いために吸収量の変化に敏感に反応し
てしまい、吸収量が小さくなると自励発振が現れず、逆
に吸収量が大きくなると自励発振範囲の拡大に留まらず
発振閾値の上昇によって発振が停止してしまう。
範囲を示す。(a) は従来構造における注入電流と光出力
との関係であり、黒丸と黒丸との間が自励発振範囲を示
す。，，の順に、活性層と可飽和吸収層との距離
を小さくしていったものである。従来構造では、可飽和
吸収層の厚みが厚いために吸収量の変化に敏感に反応し
てしまい、吸収量が小さくなると自励発振が現れず、逆
に吸収量が大きくなると自励発振範囲の拡大に留まらず
発振閾値の上昇によって発振が停止してしまう。
【００１３】(b) は本発明構造における注入電流と光出
力との関係であり、黒丸と黒丸との間が自励発振範囲を
示す。，，，の順に、井戸幅、井戸数、Ｉn 組
成を大きくしていったものである。本発明構造では、可
飽和吸収層の井戸幅、井戸数、Ｉn 組成の変化により微
妙な吸収量の制御が可能であるので、広い範囲での自励
発振を実現できる。なお、活性層と可飽和吸収層との間
隔を制御することにより、従来構造と同様に自励発振範
囲の拡大が可能である。さらに、本実施形態のように、
活性層に多重量子井戸構造を導入した場合には、利得向
上により閾値低減、光出力の増大効果を得ることができ
る。
力との関係であり、黒丸と黒丸との間が自励発振範囲を
示す。，，，の順に、井戸幅、井戸数、Ｉn 組
成を大きくしていったものである。本発明構造では、可
飽和吸収層の井戸幅、井戸数、Ｉn 組成の変化により微
妙な吸収量の制御が可能であるので、広い範囲での自励
発振を実現できる。なお、活性層と可飽和吸収層との間
隔を制御することにより、従来構造と同様に自励発振範
囲の拡大が可能である。さらに、本実施形態のように、
活性層に多重量子井戸構造を導入した場合には、利得向
上により閾値低減、光出力の増大効果を得ることができ
る。
【００１４】本実施形態は、活性層の下の半導体多層膜
反射鏡の１つの半導体層中に、量子井戸構造を有する可
飽和吸収層を形成したものであるが、活性層の上の半導
体多層膜反射鏡の１つの半導体層中に形成してもよい。
また、可飽和吸収層にイオン注入領域を施してもよい。
イオン注入により可飽和吸収層のキャリア寿命が短くな
るので、自励発振の動作範囲をさらに拡大することがで
きる。イオン種としては、プロトン（Ｈ+ ) 、酸素（Ｏ
+ ) などがある。
反射鏡の１つの半導体層中に、量子井戸構造を有する可
飽和吸収層を形成したものであるが、活性層の上の半導
体多層膜反射鏡の１つの半導体層中に形成してもよい。
また、可飽和吸収層にイオン注入領域を施してもよい。
イオン注入により可飽和吸収層のキャリア寿命が短くな
るので、自励発振の動作範囲をさらに拡大することがで
きる。イオン種としては、プロトン（Ｈ+ ) 、酸素（Ｏ
+ ) などがある。
【００１５】また、可飽和吸収層にｎ型またはｐ型の不
純物をドーピングしてもよい。これにより、励起子吸収
自体の急峻性は低減するが、可飽和吸収層の量子井戸の
組成が活性層の量子井戸の組成と同じであっても、発振
波長における可飽和吸収層での吸収が増加するので、可
飽和吸収の効果を強化することができる。ここで、活性
層の上のｐ−ＡlyＧa1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡsＤＢＲ型反
射鏡７のＡlyＧa1-yＡs 層中に、ＩnＧaＡs またはＧa
Ａs量子井戸構造可飽和吸収層３を形成し、かつその可
飽和吸収層に投影飛程がくるようにイオン注入領域１０
を形成した実施形態を図４に示す。
純物をドーピングしてもよい。これにより、励起子吸収
自体の急峻性は低減するが、可飽和吸収層の量子井戸の
組成が活性層の量子井戸の組成と同じであっても、発振
波長における可飽和吸収層での吸収が増加するので、可
飽和吸収の効果を強化することができる。ここで、活性
層の上のｐ−ＡlyＧa1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡsＤＢＲ型反
射鏡７のＡlyＧa1-yＡs 層中に、ＩnＧaＡs またはＧa
Ａs量子井戸構造可飽和吸収層３を形成し、かつその可
飽和吸収層に投影飛程がくるようにイオン注入領域１０
を形成した実施形態を図４に示す。
【００１６】本実施形態では、上面のｐ電極９は、イオ
ン注入により高抵抗化したイオン注入領域１０を避ける
ため、その下部までｐ−ＡlyＧa1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡs
ＤＢＲ型反射鏡７をエッチングし、数層を残した上に形
成される。また、ＩnＧaＡs／ＡlWＧa1-WＡs 多重量子
井戸活性層５の端部には、電流狭窄用イオン注入領域１
１が形成される。
ン注入により高抵抗化したイオン注入領域１０を避ける
ため、その下部までｐ−ＡlyＧa1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡs
ＤＢＲ型反射鏡７をエッチングし、数層を残した上に形
成される。また、ＩnＧaＡs／ＡlWＧa1-WＡs 多重量子
井戸活性層５の端部には、電流狭窄用イオン注入領域１
１が形成される。
【００１７】以上示した各実施形態は、ＩnＧaＡs ／Ｇ
aＡs歪量子井戸系を用いたものであるが、ＩnＧaＡsＰ
／ＩnＰ系、ＧaＡs／ＡlＧaＡs 系においても同様の作
用・効果を得ることができる。
aＡs歪量子井戸系を用いたものであるが、ＩnＧaＡsＰ
／ＩnＰ系、ＧaＡs／ＡlＧaＡs 系においても同様の作
用・効果を得ることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の自励発振
垂直共振器型半導体レーザは、半導体多層膜反射鏡の１
つの半導体層中に量子井戸構造の可飽和吸収層を配置す
ることにより、吸収量の制御性を高めて自励発振の動作
範囲を広げることができる。さらに、可飽和吸収層にイ
オン注入や不純物をドーピングすることにより、構造に
対する制御性を大きくでき、自励発振の動作範囲を拡大
することができる。
垂直共振器型半導体レーザは、半導体多層膜反射鏡の１
つの半導体層中に量子井戸構造の可飽和吸収層を配置す
ることにより、吸収量の制御性を高めて自励発振の動作
範囲を広げることができる。さらに、可飽和吸収層にイ
オン注入や不純物をドーピングすることにより、構造に
対する制御性を大きくでき、自励発振の動作範囲を拡大
することができる。
【図１】本発明の自励発振垂直共振器型半導体レーザの
第１の実施形態を示す断面図。
第１の実施形態を示す断面図。
【図２】本発明による吸収量制御を説明する図。
【図３】従来構造および本発明構造の動作範囲を示す
図。
図。
【図４】本発明の自励発振垂直共振器型半導体レーザの
第２の実施形態を示す断面図。
第２の実施形態を示す断面図。
【図５】従来の自励発振垂直共振器型半導体レーザの構
成を示す断面図。
成を示す断面図。
１ ｎ−ＧaＡs基板 ２ ｎ−ＡlyＧa1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡsＤＢＲ型反射鏡 ３ ＩnＧaＡs またはＧaＡs量子井戸構造可飽和吸収層 ４ ＡluＧa1-uＡsスペーサ層 ５ ＩnＧaＡs／ＡlWＧa1-WＡs多重量子井戸活性層 ６ ＡluＧa1-uＡsスペーサ層 ７ ｐ−ＡlyＧa1-yＡs／ＡlZＧa1-ZＡsＤＢＲ型反射鏡 ８ ｎ電極 ９ ｐ電極９ １０ イオン注入領域 １１ 電流狭窄用イオン注入領域
Claims (3)
- 【請求項１】 活性層の上下に半導体多層膜反射鏡を備
えた自励発振垂直共振器型半導体レーザにおいて、 前記半導体多層膜反射鏡を形成する１つの半導体層の中
に、量子井戸構造を有する可飽和吸収層が配置された構
成であることを特徴とする自励発振垂直共振器型半導体
レーザ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の自励発振垂直共振器型
半導体レーザにおいて、 可飽和吸収層にイオン注入が施されていることを特徴と
する自励発振垂直共振器型半導体レーザ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の自励発振垂直共振器型
半導体レーザにおいて、 可飽和吸収層に不純物がドーピングされていることを特
徴とする自励発振垂直共振器型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26181795A JPH09107148A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 自励発振垂直共振器型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26181795A JPH09107148A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 自励発振垂直共振器型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107148A true JPH09107148A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17367142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26181795A Pending JPH09107148A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 自励発振垂直共振器型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09107148A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010232425A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Nec Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| CN112803240A (zh) * | 2021-01-15 | 2021-05-14 | 陕西科技大学 | 一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用 |
| JP2025086542A (ja) * | 2023-11-28 | 2025-06-09 | キヤノン株式会社 | 光源装置及び測距装置 |
-
1995
- 1995-10-09 JP JP26181795A patent/JPH09107148A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010232425A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Nec Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| CN112803240A (zh) * | 2021-01-15 | 2021-05-14 | 陕西科技大学 | 一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用 |
| CN112803240B (zh) * | 2021-01-15 | 2022-06-21 | 陕西科技大学 | 一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用 |
| JP2025086542A (ja) * | 2023-11-28 | 2025-06-09 | キヤノン株式会社 | 光源装置及び測距装置 |
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