JPH09110432A - Ｚ型六方晶系酸化物磁性材料 - Google Patents
Ｚ型六方晶系酸化物磁性材料Info
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- JPH09110432A JPH09110432A JP7263391A JP26339195A JPH09110432A JP H09110432 A JPH09110432 A JP H09110432A JP 7263391 A JP7263391 A JP 7263391A JP 26339195 A JP26339195 A JP 26339195A JP H09110432 A JPH09110432 A JP H09110432A
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- type
- mol
- oxide magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】初透磁率がインダクタンス素子として使用する
に耐えることができ、かつ高周波領域においても初透磁
率の減少することのないインダクタンス素子材料を提供
することを目的とする。 【解決手段】、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂ
の少なくとも１種）、Ｓｉ、Ｃａ、およびＯ等を含有さ
せ、生成相の相対強度比でＺ型が６０％以上であるＺ型
六方晶系酸化物磁性材料を製造する。
に耐えることができ、かつ高周波領域においても初透磁
率の減少することのないインダクタンス素子材料を提供
することを目的とする。 【解決手段】、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂ
の少なくとも１種）、Ｓｉ、Ｃａ、およびＯ等を含有さ
せ、生成相の相対強度比でＺ型が６０％以上であるＺ型
六方晶系酸化物磁性材料を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｚ型六方晶系酸化物磁
性材料に関するものである。
性材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化に伴い
高周波化が進められ、電子機器の構成部品についても高
周波化への対応が不可欠のものとなっている。そのよう
な状況の中で酸化物磁性材料によるインダクタンス素子
においても例外ではなく、高周波化への対応が求められ
ている。
高周波化が進められ、電子機器の構成部品についても高
周波化への対応が不可欠のものとなっている。そのよう
な状況の中で酸化物磁性材料によるインダクタンス素子
においても例外ではなく、高周波化への対応が求められ
ている。
【０００３】また、小型化、軽量化に伴い電子部品は表
面実装される場合が多いため、表面実装化のための強度
も要求され、酸化物磁性材料によるインダクタンス素子
では、酸化物磁性材料そのものの高密度焼結体化が必要
である。
面実装される場合が多いため、表面実装化のための強度
も要求され、酸化物磁性材料によるインダクタンス素子
では、酸化物磁性材料そのものの高密度焼結体化が必要
である。
【０００４】インダクタンス素子に用いる材料としては
磁性体及び誘電体が使われ、磁性体としてはスピネル型
酸化物磁性材料、誘電体としてはガラスまたは誘電体セ
ラミックスが使われている。
磁性体及び誘電体が使われ、磁性体としてはスピネル型
酸化物磁性材料、誘電体としてはガラスまたは誘電体セ
ラミックスが使われている。
【０００５】スピネル型酸化物磁性材料は結晶構造が立
方晶であって比較的透磁率が高いことから各種インダク
タンス素子、電源トランス等に用いられ、特に高周波領
域において使用されるインダクタンス素子についてはニ
ッケル系酸化物磁性材料が使用されている。
方晶であって比較的透磁率が高いことから各種インダク
タンス素子、電源トランス等に用いられ、特に高周波領
域において使用されるインダクタンス素子についてはニ
ッケル系酸化物磁性材料が使用されている。
【０００６】しかし、スピネル型酸化物磁性材料にはあ
る周波数以上で透磁率が急激に減少するという欠点があ
り、前記ニッケル系酸化物磁性材料では３００ＭＨｚ付
近から透磁率の減少が始まり、それ以上の周波数で使用
するインダクタンス素子には使用することができない。
る周波数以上で透磁率が急激に減少するという欠点があ
り、前記ニッケル系酸化物磁性材料では３００ＭＨｚ付
近から透磁率の減少が始まり、それ以上の周波数で使用
するインダクタンス素子には使用することができない。
【０００７】そこで、高周波で使用されるインダクタン
ス素子にはガラスまたは誘電体セラミックスが使われ実
用化されている場合が多い。
ス素子にはガラスまたは誘電体セラミックスが使われ実
用化されている場合が多い。
【０００８】しかしながら、ガラスまたは誘電体セラミ
ックスは非磁性体のため必要なインダクタンスを得るた
めにはコイルの巻き数が多くなり、小型化への障害とな
っている。また、比透磁率が１であるため磁束の漏れが
生じ隣接部品に磁気的影響を及ぼす欠点があり、回路設
計を困難にする要因となっていた。
ックスは非磁性体のため必要なインダクタンスを得るた
めにはコイルの巻き数が多くなり、小型化への障害とな
っている。また、比透磁率が１であるため磁束の漏れが
生じ隣接部品に磁気的影響を及ぼす欠点があり、回路設
計を困難にする要因となっていた。
【０００９】そこで、インダクタンス素子の材料として
磁性体でありながら、高周波領域での透磁率の減少がな
い材料が望まれ、該要求に対応するものとして六方晶系
酸化物磁性材料が、特公昭３３ー７３６号公報、特公昭
３３ー６７７８号公報等に開示されている。
磁性体でありながら、高周波領域での透磁率の減少がな
い材料が望まれ、該要求に対応するものとして六方晶系
酸化物磁性材料が、特公昭３３ー７３６号公報、特公昭
３３ー６７７８号公報等に開示されている。
【００１０】六方晶系酸化物磁性材料にはハードフェラ
イトであるＭ型、コバルトを含まないＷ型、コバルトを
含まないＺ型とソフトフェライトであるＹ型、コバルト
を含むＷ型、コバルトを含むＺ型があり、ハードフェラ
イトは磁石、磁気記録媒体等に、ソフトフェライトはイ
ンダクタンス素子、電波吸収体等に使われている。
イトであるＭ型、コバルトを含まないＷ型、コバルトを
含まないＺ型とソフトフェライトであるＹ型、コバルト
を含むＷ型、コバルトを含むＺ型があり、ハードフェラ
イトは磁石、磁気記録媒体等に、ソフトフェライトはイ
ンダクタンス素子、電波吸収体等に使われている。
【００１１】このように、六方晶系酸化物磁性材料はＭ
型（ＡＦｅ12Ｏ19）、Ｗ型（ＡＢ2Ｆｅ16Ｏ27）、Ｙ型
（Ａ2Ｂ2Ｆｅ12Ｏ22）、Ｚ型（Ａ3Ｂ2Ｆｅ24Ｏ41）等に
分類される。
型（ＡＦｅ12Ｏ19）、Ｗ型（ＡＢ2Ｆｅ16Ｏ27）、Ｙ型
（Ａ2Ｂ2Ｆｅ12Ｏ22）、Ｚ型（Ａ3Ｂ2Ｆｅ24Ｏ41）等に
分類される。
【００１２】ここで、Ｚ型の六方晶系酸化物磁性材料
は、一般式Ｍ3Ｍｅ2Ｆｅ24Ｏ41で表され、Ｍがアルカリ
土類金属イオンでＭｅが２価の金属イオンである化合物
である。ＭｅがＣｏであるＺ型は磁化容易軸が六方晶結
晶の面内にあり、異方性が大きいため透磁率がスピネル
型酸化物磁性材料より高周波領域まで高透磁率を有する
ことが可能であるため、高周波領域で使われるインダク
タンス素子の材料として最適である。
は、一般式Ｍ3Ｍｅ2Ｆｅ24Ｏ41で表され、Ｍがアルカリ
土類金属イオンでＭｅが２価の金属イオンである化合物
である。ＭｅがＣｏであるＺ型は磁化容易軸が六方晶結
晶の面内にあり、異方性が大きいため透磁率がスピネル
型酸化物磁性材料より高周波領域まで高透磁率を有する
ことが可能であるため、高周波領域で使われるインダク
タンス素子の材料として最適である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｚ型の六方晶
系酸化物磁性材料は焼結体密度が低いという欠点があ
る。現在、多くの電子機器部品が表面実装部品となる傾
向にあり部品の機械的強度が必要となっているなかで、
インダクタンス素子も例外ではないからインダクタンス
素子自体の機械的強度を上げる必要がある。したがっ
て、インダクタンス素子では酸化物磁性材料自体の強度
を上げる必要があるがＺ型の六方晶系酸化物磁性材料は
焼結体密度が低いため強度が劣化してしまう。また、透
磁率と焼結体密度とは密接な関係があり焼結体密度が低
いと透磁率自体も低くなってしまうため、Ｚ型の六方晶
系酸化物磁性材料の有している本来の特性を反映するこ
とができない。
系酸化物磁性材料は焼結体密度が低いという欠点があ
る。現在、多くの電子機器部品が表面実装部品となる傾
向にあり部品の機械的強度が必要となっているなかで、
インダクタンス素子も例外ではないからインダクタンス
素子自体の機械的強度を上げる必要がある。したがっ
て、インダクタンス素子では酸化物磁性材料自体の強度
を上げる必要があるがＺ型の六方晶系酸化物磁性材料は
焼結体密度が低いため強度が劣化してしまう。また、透
磁率と焼結体密度とは密接な関係があり焼結体密度が低
いと透磁率自体も低くなってしまうため、Ｚ型の六方晶
系酸化物磁性材料の有している本来の特性を反映するこ
とができない。
【００１４】Ｚ型の六方晶系酸化物磁性材料の焼結密度
を高くするためには、一般的に本焼成温度を高温にする
ことによって達成できることが知られている。
を高くするためには、一般的に本焼成温度を高温にする
ことによって達成できることが知られている。
【００１５】しかし、Ｚ型の六方晶系酸化物磁性材料を
高温で本焼成すると酸化物磁性材料中のＦｅ3+が還元さ
れてＦｅ2+が生成される。Ｆｅ2+の生成は酸化物磁性材
料の比抵抗を低下させるため高周波領域にてうず電流損
を引き起こしインダクタンス素子の損失が大きくなる。
高温で本焼成すると酸化物磁性材料中のＦｅ3+が還元さ
れてＦｅ2+が生成される。Ｆｅ2+の生成は酸化物磁性材
料の比抵抗を低下させるため高周波領域にてうず電流損
を引き起こしインダクタンス素子の損失が大きくなる。
【００１６】また、Ｚ型の六方晶系酸化物磁性材料中の
Ｆｅ3+の還元はＺ型からＷ型、Ｙ型への分解を引き起こ
し、密度は上がったとしてもＺ型の生成量が減少してし
まう。
Ｆｅ3+の還元はＺ型からＷ型、Ｙ型への分解を引き起こ
し、密度は上がったとしてもＺ型の生成量が減少してし
まう。
【００１７】以上のように、本焼成温度を高温にしてＺ
型の六方晶系酸化物磁性材料の焼結密度を高くすること
は好ましくなく前記の問題点は解決するにいたっていな
い。
型の六方晶系酸化物磁性材料の焼結密度を高くすること
は好ましくなく前記の問題点は解決するにいたっていな
い。
【００１８】そこで本発明は、インダクタンス素子とし
て使用するに耐えることができる強度を有し、かつ高周
波領域においても透磁率の減少することのないインダク
タンス素子材料を提供することを目的とする。
て使用するに耐えることができる強度を有し、かつ高周
波領域においても透磁率の減少することのないインダク
タンス素子材料を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の発明は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍ（ＭはＢａ，
Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）、Ｓｉ、Ｃａ、およびＯ
を含有し、生成相の相対強度比でＺ型が６０％以上であ
ることを特徴とするＺ型六方晶系酸化物磁性材料を提供
する。
に請求項１記載の発明は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍ（ＭはＢａ，
Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）、Ｓｉ、Ｃａ、およびＯ
を含有し、生成相の相対強度比でＺ型が６０％以上であ
ることを特徴とするＺ型六方晶系酸化物磁性材料を提供
する。
【００２０】更に請求項２記載の発明によれば、Ｍｅ
（ＭｅはＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｍｎの少なくとも１
種）を含有することを特徴とする請求項１記載のＺ型六
方晶系酸化物磁性材料を提供することによって上記目的
を達成するものである。
（ＭｅはＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｍｎの少なくとも１
種）を含有することを特徴とする請求項１記載のＺ型六
方晶系酸化物磁性材料を提供することによって上記目的
を達成するものである。
【００２１】また請求項３記載の発明によれば、請求項
１記載のＺ型六方晶系酸化物磁性材料において、酸化物
換算で、 Ｆｅ2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％ ＭＯ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）を１５
乃至２２ｍｏｌ％ ＣｏＯを９乃至１３ｍｏｌ％ ＳｉＯ2を０．０４乃至１．０ｍｏｌ％ ＣａＯを０．０３乃至１．０ｍｏｌ％ の範囲で含有することによって目的を達成する。
１記載のＺ型六方晶系酸化物磁性材料において、酸化物
換算で、 Ｆｅ2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％ ＭＯ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）を１５
乃至２２ｍｏｌ％ ＣｏＯを９乃至１３ｍｏｌ％ ＳｉＯ2を０．０４乃至１．０ｍｏｌ％ ＣａＯを０．０３乃至１．０ｍｏｌ％ の範囲で含有することによって目的を達成する。
【００２２】請求項４記載の発明によれば、請求項２記
載のＺ型六方晶系酸化物磁性材料において、酸化物換算
で、 Ｆｅ2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％ ＭＯ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）を１５
乃至２２ｍｏｌ％ ＣｏＯおよびＭｅＯ（ＭｅはＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｍｇ，
Ｍｎの少なくとも１種）を９乃至１３ｍｏｌ％ ＳｉＯ2を０．０４乃至１．０ｍｏｌ％ ＣａＯを０．０４乃至１．０ｍｏｌ％ の範囲で含有することによって目的を達成する。
載のＺ型六方晶系酸化物磁性材料において、酸化物換算
で、 Ｆｅ2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％ ＭＯ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）を１５
乃至２２ｍｏｌ％ ＣｏＯおよびＭｅＯ（ＭｅはＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｍｇ，
Ｍｎの少なくとも１種）を９乃至１３ｍｏｌ％ ＳｉＯ2を０．０４乃至１．０ｍｏｌ％ ＣａＯを０．０４乃至１．０ｍｏｌ％ の範囲で含有することによって目的を達成する。
【００２３】
【実施例】次に実施例を示し本発明を詳細に説明する。
【００２４】酸化物磁性材料が図１に示す表１のような
割合となるよう、Ｆｅ2Ｏ3，Ｃｏ3Ｏ4，ＢａＣＯ3，Ｓ
ｒＣＯ3，ＳｉＯ2，ＣａＣＯ3等を秤量しボールミルで
２０時間混合した。ここで、ＳｉＯ2，ＣａＣＯ3につい
ては仮焼成後に行う粉砕時に加えてもよい。
割合となるよう、Ｆｅ2Ｏ3，Ｃｏ3Ｏ4，ＢａＣＯ3，Ｓ
ｒＣＯ3，ＳｉＯ2，ＣａＣＯ3等を秤量しボールミルで
２０時間混合した。ここで、ＳｉＯ2，ＣａＣＯ3につい
ては仮焼成後に行う粉砕時に加えてもよい。
【００２５】次に、ボールミルにて２０時間混合した材
料を１２００〜１３００℃の温度で酸素分圧２０〜１０
０％で２時間仮焼成し、その後ボールミルにて４０時間
粉砕した。ここで作製した材料にバインダー等を加えて
成形し、１１５０〜１３５０℃の温度で酸素分圧２０〜
１００％で２時間焼成する。
料を１２００〜１３００℃の温度で酸素分圧２０〜１０
０％で２時間仮焼成し、その後ボールミルにて４０時間
粉砕した。ここで作製した材料にバインダー等を加えて
成形し、１１５０〜１３５０℃の温度で酸素分圧２０〜
１００％で２時間焼成する。
【００２６】このようにして得られた各実施例の資料に
ついてのＺ型相対強度比、１００ＭＨｚの複素透磁率の
実数成分（以後単に「透磁率」と称す。）、共鳴周波
数、焼結体密度を測定し、その結果を図２に示す表２に
表した。
ついてのＺ型相対強度比、１００ＭＨｚの複素透磁率の
実数成分（以後単に「透磁率」と称す。）、共鳴周波
数、焼結体密度を測定し、その結果を図２に示す表２に
表した。
【００２７】ここでＺ型相対強度比とは、Ｘ線回折法を
用いた分析方法の一種である。Ｘ線回折は試料にＸ線を
照射し、反射したＸ線を検出して試料の分析を行う方法
である。反射したＸ線は入射方向に対してある角度に強
く反射され、これを回折線と呼ぶ。この回折線の現れる
位置、強度は物質によって異なるが、ある単元物質を測
定した場合いくつかの角度に回折線が現れ、現れた回折
線の中で最も強いものを最強回折線として抽出する。
用いた分析方法の一種である。Ｘ線回折は試料にＸ線を
照射し、反射したＸ線を検出して試料の分析を行う方法
である。反射したＸ線は入射方向に対してある角度に強
く反射され、これを回折線と呼ぶ。この回折線の現れる
位置、強度は物質によって異なるが、ある単元物質を測
定した場合いくつかの角度に回折線が現れ、現れた回折
線の中で最も強いものを最強回折線として抽出する。
【００２８】測定試料中に２種以上の物質が混在してい
る場合には、この最強回折線も複数本抽出され、最強回
折線ごとに物質が特定される。この物質ごとの最強回折
線の強度比を表したものが相対強度比である。
る場合には、この最強回折線も複数本抽出され、最強回
折線ごとに物質が特定される。この物質ごとの最強回折
線の強度比を表したものが相対強度比である。
【００２９】したがって、Ｚ型の六方晶系酸化物磁性材
料と各物質の最強回折線強度の和の比を求めたものがＺ
型相対強度比である。
料と各物質の最強回折線強度の和の比を求めたものがＺ
型相対強度比である。
【００３０】Ｚ型相対強度比測定のためのＸ線回折の測
定は、本焼成後の試料をメノウ乳鉢にて粉砕し粉末試料
にした後行い、２θは２２〜４２度の範囲でスキャン速
度を毎分１分とし、ステップ角度０.０１度とした。ま
た、Ｚ型相対強度比を算出するのに使用した生成相の回
折線はそれぞれの最強回折線であるＺ（１０１６）、Ｙ
（１１９）、Ｗ（１１６）、Ｍ（１０７）、ＢａＦｅ2
Ｏ4（２１２）、ＣｏＦｅ2Ｏ4（３１１）、Ｆｅ2Ｏ
3（１０４）を用いた。
定は、本焼成後の試料をメノウ乳鉢にて粉砕し粉末試料
にした後行い、２θは２２〜４２度の範囲でスキャン速
度を毎分１分とし、ステップ角度０.０１度とした。ま
た、Ｚ型相対強度比を算出するのに使用した生成相の回
折線はそれぞれの最強回折線であるＺ（１０１６）、Ｙ
（１１９）、Ｗ（１１６）、Ｍ（１０７）、ＢａＦｅ2
Ｏ4（２１２）、ＣｏＦｅ2Ｏ4（３１１）、Ｆｅ2Ｏ
3（１０４）を用いた。
【００３１】もし、他の生成相が生成され回折線が出現
した場合、ＡＳＴＭカードに従い同定を行いその最強回
折線を用いて相対強度比を算出する。
した場合、ＡＳＴＭカードに従い同定を行いその最強回
折線を用いて相対強度比を算出する。
【００３２】透磁率の測定は、直径２０ｍｍ、厚さ４ｍ
ｍの円板状に成型した試料を本焼成した後外形１４ｍ
ｍ、内径７ｍｍ、厚さ２ｍｍのトロイダル型に加工し、
ネットワークアナライザーを用いた短絡同軸式測定法
（ＪＩＳ Ｃ ２５６１）にて１０〜３０００ＭＨｚの
範囲において行った。
ｍの円板状に成型した試料を本焼成した後外形１４ｍ
ｍ、内径７ｍｍ、厚さ２ｍｍのトロイダル型に加工し、
ネットワークアナライザーを用いた短絡同軸式測定法
（ＪＩＳ Ｃ ２５６１）にて１０〜３０００ＭＨｚの
範囲において行った。
【００３３】焼結体の密度測定は外形寸法を測定して体
積を算出し、重量を測定することによって算出した。
積を算出し、重量を測定することによって算出した。
【００３４】図２に示す表２からわかるようにＺ型相対
強度比が大きいもの、特に６０％以上のもの（ナンバー
１から１６）については透磁率または共鳴周波数のどち
らかが極めて大きくなっているか透磁率および共鳴周波
数のどちらも比較的大きくなっていることがわかる。こ
のような材料のうち透磁率が大となるものは高周波領域
内であっても比較的低周波領域に使用するインダクタン
ス素子に使用され、共鳴周波数が高いものについては高
周波領域内であって特に高周波領域の分野に使用するイ
ンダクタンス素子に使われることとなり高周波領域の各
周波数域に使用する製品に対応することができる。
強度比が大きいもの、特に６０％以上のもの（ナンバー
１から１６）については透磁率または共鳴周波数のどち
らかが極めて大きくなっているか透磁率および共鳴周波
数のどちらも比較的大きくなっていることがわかる。こ
のような材料のうち透磁率が大となるものは高周波領域
内であっても比較的低周波領域に使用するインダクタン
ス素子に使用され、共鳴周波数が高いものについては高
周波領域内であって特に高周波領域の分野に使用するイ
ンダクタンス素子に使われることとなり高周波領域の各
周波数域に使用する製品に対応することができる。
【００３５】また、Ｚ型相対強度比が小さいもの、特に
６０％未満のもの（ナンバー１７から２１）では透磁
率、共鳴周波数とも小さくインダクタンス素子として使
用することは困難である。
６０％未満のもの（ナンバー１７から２１）では透磁
率、共鳴周波数とも小さくインダクタンス素子として使
用することは困難である。
【００３６】なお、図１に示す表１および図２に示す表
２よりＺ型相対強度比が小さいもの、特に６０％未満の
もの（ナンバー１７から２１）とＺ型相対強度比が大き
いもの、特に６０％以上のもの（ナンバー１７から２
１）との間に燒結体密度に差がなく、Ｚ型相対強度比が
大きいもの、特に６０％以上のものであっても、インダ
クタンス素子としての強度は十分であることがわかる。
２よりＺ型相対強度比が小さいもの、特に６０％未満の
もの（ナンバー１７から２１）とＺ型相対強度比が大き
いもの、特に６０％以上のもの（ナンバー１７から２
１）との間に燒結体密度に差がなく、Ｚ型相対強度比が
大きいもの、特に６０％以上のものであっても、インダ
クタンス素子としての強度は十分であることがわかる。
【００３７】ここで、Ｃｏは本発明の酸化物を構成する
上で不可欠の材料であるが、Ｍｅ（ＭｅはＮｉ，Ｚｎ，
Ｃｕ，Ｍｇ，Ｍｎの少なくとも１種）によってその一部
を置換することができる。したがって、Ｃｏと比較して
比較的廉価な材料を使用しても同等の特性を得ることが
可能であることが図１および図２の表からわかるので、
Ｍｅ（ＭｅはＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｍｎの少なくと
も１種）を加えることにより製造原価を下げることがで
きる。
上で不可欠の材料であるが、Ｍｅ（ＭｅはＮｉ，Ｚｎ，
Ｃｕ，Ｍｇ，Ｍｎの少なくとも１種）によってその一部
を置換することができる。したがって、Ｃｏと比較して
比較的廉価な材料を使用しても同等の特性を得ることが
可能であることが図１および図２の表からわかるので、
Ｍｅ（ＭｅはＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｍｎの少なくと
も１種）を加えることにより製造原価を下げることがで
きる。
【００３８】また、Ｆｅ、Ｃｏ、ＭＯ（ＭはＢａ，Ｓ
ｒ，Ｐｂの少なくとも１種）、Ｍｅ（ＭｅはＮｉ，Ｚ
ｎ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｍｎの少なくとも１種）は酸化物換算
で、例えばＦｅ2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％、ＭＯ（Ｍ
はＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）を１５乃至２２
ｍｏｌ％、ＣｏＯを９乃至１３ｍｏｌ％、ＳｉＯ2を
０．０４乃至１．０ｍｏｌ％、ＣａＯを０．０４乃至
１．０ｍｏｌ％の範囲外となったり、酸化物換算でＦｅ
2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％、ＭＯ（ＭはＢａ，Ｓｒ，
Ｐｂの少なくとも１種）を１５乃至２２ｍｏｌ％、Ｃｏ
Ｏを９乃至１３ｍｏｌ％、ＳｉＯ2を０．０４乃至１．
０ｍｏｌ％、ＣａＯを０．０４乃至１．０ｍｏｌ％の範
囲で外となるＺ型六方晶系酸化物磁性材料は、図２に示
す表２のナンバー１７から２１に示すようにＺ型生成相
が６０％以下となりやすい。
ｒ，Ｐｂの少なくとも１種）、Ｍｅ（ＭｅはＮｉ，Ｚ
ｎ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｍｎの少なくとも１種）は酸化物換算
で、例えばＦｅ2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％、ＭＯ（Ｍ
はＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）を１５乃至２２
ｍｏｌ％、ＣｏＯを９乃至１３ｍｏｌ％、ＳｉＯ2を
０．０４乃至１．０ｍｏｌ％、ＣａＯを０．０４乃至
１．０ｍｏｌ％の範囲外となったり、酸化物換算でＦｅ
2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％、ＭＯ（ＭはＢａ，Ｓｒ，
Ｐｂの少なくとも１種）を１５乃至２２ｍｏｌ％、Ｃｏ
Ｏを９乃至１３ｍｏｌ％、ＳｉＯ2を０．０４乃至１．
０ｍｏｌ％、ＣａＯを０．０４乃至１．０ｍｏｌ％の範
囲で外となるＺ型六方晶系酸化物磁性材料は、図２に示
す表２のナンバー１７から２１に示すようにＺ型生成相
が６０％以下となりやすい。
【００３９】また、ＳｉＯ2およびＣａＯを表１に示す
範囲以上、即ち１．０ｍｏｌ％を越えて添加すると透磁
率の低下が発生し、酸化物磁性材料表面へのＳｉ−Ｃａ
ガラスの析出も生じるため、接触面同士が固着したり外
観が汚くなる等の問題が生じる。
範囲以上、即ち１．０ｍｏｌ％を越えて添加すると透磁
率の低下が発生し、酸化物磁性材料表面へのＳｉ−Ｃａ
ガラスの析出も生じるため、接触面同士が固着したり外
観が汚くなる等の問題が生じる。
【００４０】したがって、酸化物換算でＦｅ2Ｏ3を６８
乃至７３ｍｏｌ％、ＭＯ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少な
くとも１種）を１５乃至２２ｍｏｌ％、ＣｏＯを９乃至
１３ｍｏｌ％、ＳｉＯ2を０．０４乃至１．０ｍｏｌ
％、ＣａＯを０．０４乃至１．０ｍｏｌ％の範囲、若し
くは酸化物換算でＦｅ2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％、Ｍ
Ｏ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）を１５乃
至２２ｍｏｌ％、ＣｏＯを９乃至１３ｍｏｌ％、ＳｉＯ
2を０．０４乃至１．０ｍｏｌ％、ＣａＯを０．０４乃
至１．０ｍｏｌ％の範囲で含有させることによってＺ型
生成相が６０％以上のＺ型六方晶系酸化物磁性材料を容
易に製造することができる。
乃至７３ｍｏｌ％、ＭＯ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少な
くとも１種）を１５乃至２２ｍｏｌ％、ＣｏＯを９乃至
１３ｍｏｌ％、ＳｉＯ2を０．０４乃至１．０ｍｏｌ
％、ＣａＯを０．０４乃至１．０ｍｏｌ％の範囲、若し
くは酸化物換算でＦｅ2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％、Ｍ
Ｏ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）を１５乃
至２２ｍｏｌ％、ＣｏＯを９乃至１３ｍｏｌ％、ＳｉＯ
2を０．０４乃至１．０ｍｏｌ％、ＣａＯを０．０４乃
至１．０ｍｏｌ％の範囲で含有させることによってＺ型
生成相が６０％以上のＺ型六方晶系酸化物磁性材料を容
易に製造することができる。
【００４１】ここで、上記のような組成で生成したＺ型
生成相が６０％以上のＺ型六方晶系酸化物磁性材料であ
る表１記載のナンバー１１乃至１５およびＺ型生成相が
６０％未満のＺ型六方晶系酸化物磁性材料であるナンバ
ー２１の燒結体密度および比抵抗を図３に示す表３に表
した。
生成相が６０％以上のＺ型六方晶系酸化物磁性材料であ
る表１記載のナンバー１１乃至１５およびＺ型生成相が
６０％未満のＺ型六方晶系酸化物磁性材料であるナンバ
ー２１の燒結体密度および比抵抗を図３に示す表３に表
した。
【００４２】一般に、燒結体の密度を上げれば比抵抗に
ついては下がる傾向にある。しかし、図３に示す表３か
らわかるように本発明にかかるＺ型生成相が６０％以上
のＺ型六方晶系酸化物磁性材料（ナンバー１１乃至１
５）は、Ｚ型生成相が６０％未満のＺ型六方晶系酸化物
磁性材料（ナンバー２１）と比して燒結体密度が大きく
なっているのにもかかわらず比抵抗はＺ型生成相が６０
％未満のＺ型六方晶系酸化物磁性材料（ナンバー２１）
と同等以上の値を保っている。これは、インダクタンス
素子として本発明にかかるＺ型生成相が６０％以上のＺ
型六方晶系酸化物磁性材料を使用すれば損失を低減する
効果をもつことを示す。
ついては下がる傾向にある。しかし、図３に示す表３か
らわかるように本発明にかかるＺ型生成相が６０％以上
のＺ型六方晶系酸化物磁性材料（ナンバー１１乃至１
５）は、Ｚ型生成相が６０％未満のＺ型六方晶系酸化物
磁性材料（ナンバー２１）と比して燒結体密度が大きく
なっているのにもかかわらず比抵抗はＺ型生成相が６０
％未満のＺ型六方晶系酸化物磁性材料（ナンバー２１）
と同等以上の値を保っている。これは、インダクタンス
素子として本発明にかかるＺ型生成相が６０％以上のＺ
型六方晶系酸化物磁性材料を使用すれば損失を低減する
効果をもつことを示す。
【００４３】さらに、インダクタンス素子を構成する
際、電極部の信頼性向上のため電極を覆うようにメッキ
処理するが磁性材料の抵抗が低いと電極部から磁性材料
部にメッキの伸びが生じ短絡事故を引き起こしやすいの
で、製造工程に余分な工程が必要となる。
際、電極部の信頼性向上のため電極を覆うようにメッキ
処理するが磁性材料の抵抗が低いと電極部から磁性材料
部にメッキの伸びが生じ短絡事故を引き起こしやすいの
で、製造工程に余分な工程が必要となる。
【００４４】ここで、本発明にかかるＺ型生成相が６０
％以上のＺ型六方晶系酸化物磁性材料を使用すれば、比
抵抗が高いため、メッキの伸びを防止し製造工程を簡略
化することができる。
％以上のＺ型六方晶系酸化物磁性材料を使用すれば、比
抵抗が高いため、メッキの伸びを防止し製造工程を簡略
化することができる。
【００４５】
【発明の効果】インダクタンス素子として使用するに耐
えることができる強度を有し、かつ高周波領域において
も透磁率の減少することのないインダクタンス素子材料
を提供をすることが可能となった。
えることができる強度を有し、かつ高周波領域において
も透磁率の減少することのないインダクタンス素子材料
を提供をすることが可能となった。
【図１】組成表（表１）
【図２】表１の組成に基づく特性表（表２）
【図３】燒結体密度、比抵抗の特性表（表３）
Claims (4)
- 【請求項１】Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの
少なくとも１種）、Ｓｉ、Ｃａ、およびＯを含有し、 生成相の相対強度比でＺ型相が６０％以上であることを
特徴とするＺ型六方晶系酸化物磁性材料。 - 【請求項２】Ｍｅ（ＭｅはＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｍ
ｎの少なくとも１種）を含有することを特徴とする請求
項１記載のＺ型六方晶系酸化物磁性材料。 - 【請求項３】酸化物換算で、 Ｆｅ2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％ ＭＯ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）を１５
乃至２２ｍｏｌ％ ＣｏＯを９乃至１３ｍｏｌ％ ＳｉＯ2を０．０４乃至１．０ｍｏｌ％ ＣａＯを０．０４乃至１．０ｍｏｌ％ の範囲で含有することを特徴とする請求項１記載のＺ型
六方晶系酸化物磁性材料。 - 【請求項４】酸化物換算で、 Ｆｅ2Ｏ3を６８乃至７３ｍｏｌ％ ＭＯ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの少なくとも１種）を１５
乃至２２ｍｏｌ％ ＣｏＯおよびＭｅＯ（ＭｅはＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｍｇ，
Ｍｎの少なくとも１種）を９乃至１３ｍｏｌ％ ＳｉＯ2を０．０４乃至１．０ｍｏｌ％ ＣａＯを０．０４乃至１．０ｍｏｌ％ の範囲で含有することを特徴とする請求項２記載のＺ型
六方晶系酸化物磁性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7263391A JPH09110432A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | Ｚ型六方晶系酸化物磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7263391A JPH09110432A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | Ｚ型六方晶系酸化物磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09110432A true JPH09110432A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=17388848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7263391A Withdrawn JPH09110432A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | Ｚ型六方晶系酸化物磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09110432A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10335133A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| US6033593A (en) * | 1997-06-17 | 2000-03-07 | Tdk Corporation | BALUN transformer core material, BALUN transformer core and BALUN transformer |
| JP2002075723A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Qinghua Univ | 高周波特性に優れた低温焼結多層チップインダクタ材料およびその製造方法 |
| JP2004014620A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 酸化物磁性材料及びその製造方法 |
| US6749768B2 (en) * | 2000-04-28 | 2004-06-15 | Tdk Corporation | Magnetic ferrite powder, magnetic ferrite sinter, layered ferrite part, and process for producing layered ferrite part |
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| EP1707536A2 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Ferrite sintered body and method of manufacturing same |
| KR100725546B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-06-08 | 요업기술원 | 자기 코어용 자성재료 및 그 제조방법 |
| JP2008162845A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Metals Ltd | 軟磁性フェライト、磁気回路およびインダクタンス素子 |
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| CN105321670A (zh) * | 2014-07-30 | 2016-02-10 | 三星电机株式会社 | 复合磁性粉末和使用其的片式线圈组件 |
-
1995
- 1995-10-12 JP JP7263391A patent/JPH09110432A/ja not_active Withdrawn
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| US7390425B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-06-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Ferrite sintered body and method of manufacturing same |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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