JPH09111441A - Ｍｇ蒸発方法 - Google Patents
Ｍｇ蒸発方法Info
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- JPH09111441A JPH09111441A JP29733995A JP29733995A JPH09111441A JP H09111441 A JPH09111441 A JP H09111441A JP 29733995 A JP29733995 A JP 29733995A JP 29733995 A JP29733995 A JP 29733995A JP H09111441 A JPH09111441 A JP H09111441A
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 title description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 title 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 96
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スプラッシュの発生を抑え、安定した条件下
でＭｇを蒸発させる。 【解決手段】 蒸発槽２に送り込んだ溶融Ｍｇ２を表面
から加熱して蒸発させる際、溶融Ｍｇ２の表層から下方
に向かう熱流がない温度勾配となるように、Ｍｇ融液２
の下部又は側部を加熱する。温度センサー９で溶融Ｍｇ
浴２の上部温度及び下部温度を測定し、測定結果に基づ
き上部加熱装置７と下部加熱装置８又は側部加熱装置に
供給する電力を制御することが好ましい。
でＭｇを蒸発させる。 【解決手段】 蒸発槽２に送り込んだ溶融Ｍｇ２を表面
から加熱して蒸発させる際、溶融Ｍｇ２の表層から下方
に向かう熱流がない温度勾配となるように、Ｍｇ融液２
の下部又は側部を加熱する。温度センサー９で溶融Ｍｇ
浴２の上部温度及び下部温度を測定し、測定結果に基づ
き上部加熱装置７と下部加熱装置８又は側部加熱装置に
供給する電力を制御することが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スプラッシュや蒸気漏
れの発生を防止しながら蒸発槽から蒸着用の金属蒸気を
安定して蒸発させる方法に関する。
れの発生を防止しながら蒸発槽から蒸着用の金属蒸気を
安定して蒸発させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｄ等の比較的低い温度で
高い蒸気圧が得られる材料では、閉じた構造をもつ蒸発
槽を使用し、蒸発槽からシャッターを介して金属蒸気を
蒸発させ、流出した金属蒸気をダクトによって基板まで
輸送し、基板表面に蒸着させている。このとき、シャッ
ター部分を蒸気流速が音速となるチョーキング条件に設
定すると、シャッター開度に応じて蒸気が流出するため
蒸気流量の制御が容易になる。蒸発材料の供給方法とし
ては、大気中の溶解槽で蒸発材料を溶解し、大気圧によ
って蒸発槽に金属蒸気を送り込む方式が日新技報第５６
巻（１９８７）第４１頁で紹介されている。この方式で
は、溶解槽の上下動により蒸発面の高さが調整される。
高い蒸気圧が得られる材料では、閉じた構造をもつ蒸発
槽を使用し、蒸発槽からシャッターを介して金属蒸気を
蒸発させ、流出した金属蒸気をダクトによって基板まで
輸送し、基板表面に蒸着させている。このとき、シャッ
ター部分を蒸気流速が音速となるチョーキング条件に設
定すると、シャッター開度に応じて蒸気が流出するため
蒸気流量の制御が容易になる。蒸発材料の供給方法とし
ては、大気中の溶解槽で蒸発材料を溶解し、大気圧によ
って蒸発槽に金属蒸気を送り込む方式が日新技報第５６
巻（１９８７）第４１頁で紹介されている。この方式で
は、溶解槽の上下動により蒸発面の高さが調整される。
【０００３】蒸発速度は、蒸発材料の温度を高くするこ
とによって大きくなる。しかし、蒸発温度を単純に高く
するだけでは種々の問題があり、加熱方法も含めて改善
すべき点がある。すなわち、蒸発材料の温度を上げる
と、蒸発材料内部の蒸気圧が高くなる。蒸気圧が静圧
（＝蒸発材料の浴深圧＋蒸発槽内の空間圧力）を超える
と、蒸発材料の内部に蒸気が発生するようになる。内部
に発生した蒸気は、図１に示すように気泡となって融液
表面まで浮上する沸騰現象を起こす。蒸発材料内部を上
昇した気泡は、融液表面で破裂する。このとき、ある一
定の大きさ以上の気泡が破裂すると、表面にある蒸発材
料がスプラッシュとなって弾き飛ばされる。気泡が小さ
い場合、表面張力の影響によって蒸発材料は弾き飛ばさ
れず、スプラッシュが発生しない。
とによって大きくなる。しかし、蒸発温度を単純に高く
するだけでは種々の問題があり、加熱方法も含めて改善
すべき点がある。すなわち、蒸発材料の温度を上げる
と、蒸発材料内部の蒸気圧が高くなる。蒸気圧が静圧
（＝蒸発材料の浴深圧＋蒸発槽内の空間圧力）を超える
と、蒸発材料の内部に蒸気が発生するようになる。内部
に発生した蒸気は、図１に示すように気泡となって融液
表面まで浮上する沸騰現象を起こす。蒸発材料内部を上
昇した気泡は、融液表面で破裂する。このとき、ある一
定の大きさ以上の気泡が破裂すると、表面にある蒸発材
料がスプラッシュとなって弾き飛ばされる。気泡が小さ
い場合、表面張力の影響によって蒸発材料は弾き飛ばさ
れず、スプラッシュが発生しない。
【０００４】スプラッシュは、溶融状態にある蒸発材料
の小さな粒子である。スプラッシュの発生は、実質的な
蒸発面積を急激に大きくし、蒸発速度を不安定化させ
る。また、スプラッシュがシャッターを通過すると、多
量の蒸発材料がシャッターの開度に関係なく通過するこ
とになり、蒸着速度が不安定になる。更には、スプラッ
シュが基板まで到達すると、蒸着膜の欠陥となる。ま
た、蒸発材料が蒸気になるとき、多量の熱が蒸発熱とし
て消費されるため、蒸発材料の表面温度が内部温度より
下がる。表面温度の低下は、蒸発速度が大きい場合に顕
著になり、蒸発速度を低下させる。下がった蒸発速度を
回復させるためには、加熱が必要になる。しかし、より
高温に蒸発材料を加熱すると、そのことによって蒸発材
料の内部温度が上昇し、気泡が深部より発生し、多量の
スプラッシュが発生するようになる。深部で発生した気
泡は、融液表面に達したときに大きな気泡となることか
ら、スプラッシュの発生をより激化させる。
の小さな粒子である。スプラッシュの発生は、実質的な
蒸発面積を急激に大きくし、蒸発速度を不安定化させ
る。また、スプラッシュがシャッターを通過すると、多
量の蒸発材料がシャッターの開度に関係なく通過するこ
とになり、蒸着速度が不安定になる。更には、スプラッ
シュが基板まで到達すると、蒸着膜の欠陥となる。ま
た、蒸発材料が蒸気になるとき、多量の熱が蒸発熱とし
て消費されるため、蒸発材料の表面温度が内部温度より
下がる。表面温度の低下は、蒸発速度が大きい場合に顕
著になり、蒸発速度を低下させる。下がった蒸発速度を
回復させるためには、加熱が必要になる。しかし、より
高温に蒸発材料を加熱すると、そのことによって蒸発材
料の内部温度が上昇し、気泡が深部より発生し、多量の
スプラッシュが発生するようになる。深部で発生した気
泡は、融液表面に達したときに大きな気泡となることか
ら、スプラッシュの発生をより激化させる。
【０００５】特に密度の小さなＭｇの蒸発では、浴深圧
が小さく、表面からの同じ深さにおいても他の金属材料
に比較して静圧が小さくなる。そのため、大きな気泡が
発生し、スプラッシュが発生し易くなる。また、Ｍｇ
は、他の金属材料に比較して融点６５０℃近傍ですでに
高い蒸気圧を呈することから、潜在的にスプラッシュが
発生し易い蒸発材料である。しかし、実用的には多少の
温度変動があっても凝固が生じないように、融点６５０
℃以上で蒸発させることが必要とされる。たとえば、溶
解槽（図示せず）からシュノーケル１を経て蒸発槽２に
送り込まれたＺｎ，Ｍｇ等の蒸発材料３を、図２に示す
ようにヒータ４で蒸発槽２の底面から加熱すると、溶融
した蒸発材料３は、原理的に表面層より内部の温度が高
くなる温度勾配をもつ。この状態で蒸発材料３の蒸発が
始まると、蒸発により表面層の温度が低下し、温度勾配
が一層大きくなり、スプラッシュが加速される。
が小さく、表面からの同じ深さにおいても他の金属材料
に比較して静圧が小さくなる。そのため、大きな気泡が
発生し、スプラッシュが発生し易くなる。また、Ｍｇ
は、他の金属材料に比較して融点６５０℃近傍ですでに
高い蒸気圧を呈することから、潜在的にスプラッシュが
発生し易い蒸発材料である。しかし、実用的には多少の
温度変動があっても凝固が生じないように、融点６５０
℃以上で蒸発させることが必要とされる。たとえば、溶
解槽（図示せず）からシュノーケル１を経て蒸発槽２に
送り込まれたＺｎ，Ｍｇ等の蒸発材料３を、図２に示す
ようにヒータ４で蒸発槽２の底面から加熱すると、溶融
した蒸発材料３は、原理的に表面層より内部の温度が高
くなる温度勾配をもつ。この状態で蒸発材料３の蒸発が
始まると、蒸発により表面層の温度が低下し、温度勾配
が一層大きくなり、スプラッシュが加速される。
【０００６】また、図３に示すように蒸発槽２の側面か
ら加熱する方式では、上下を同時に加熱しているため、
蒸発材料３の表面温度が内部温度より低くなる現象を本
質的に修正できない。また、ヒータ４から離れた蒸発槽
２の中央部には、熱エネルギーを効率よく供給できず、
水平方向に関する温度勾配も大きくなり、これによって
もスプラッシュの抑制が困難になる。中央部まで熱エネ
ルギーを効率よく供給するためには側面の温度を上げざ
るを得ず、結果として蒸発槽２の側面が高温になる。そ
のため、側面で多量のスプラッシュを発生させることに
なる。このように、何れの加熱方式にあっても、スプラ
ッシュの発生を抑制できない。スプラッシュは、シャッ
ター５を通過して、ダクト６により基板まで輸送される
ものもあり、蒸着膜に欠陥を発生させ易い。また、蒸発
槽２を底面又は側面から加熱するとき、蒸発槽２と蒸発
材料３が接する部分が高温になるため、蒸発槽２が侵食
され易く、蒸発槽２の寿命が短くなる。そこで、日新技
報第５６巻（１９８７）第４１頁では、図４に示すよう
に、ヒータ４を蒸発槽２の上方に配置することを紹介し
ている。蒸発槽２の上方に配置したヒータ４は、上面か
ら蒸発材料３を加熱するので、表層部から内部に掛けて
高温となる温度勾配が修正され、スプラッシュの発生が
抑制される。また、加熱される部分が蒸発材料３の表面
のみであるため、蒸発槽２と蒸発材料３が接する部分の
温度が比較的低く、蒸発槽２の長寿命化も図られる。
ら加熱する方式では、上下を同時に加熱しているため、
蒸発材料３の表面温度が内部温度より低くなる現象を本
質的に修正できない。また、ヒータ４から離れた蒸発槽
２の中央部には、熱エネルギーを効率よく供給できず、
水平方向に関する温度勾配も大きくなり、これによって
もスプラッシュの抑制が困難になる。中央部まで熱エネ
ルギーを効率よく供給するためには側面の温度を上げざ
るを得ず、結果として蒸発槽２の側面が高温になる。そ
のため、側面で多量のスプラッシュを発生させることに
なる。このように、何れの加熱方式にあっても、スプラ
ッシュの発生を抑制できない。スプラッシュは、シャッ
ター５を通過して、ダクト６により基板まで輸送される
ものもあり、蒸着膜に欠陥を発生させ易い。また、蒸発
槽２を底面又は側面から加熱するとき、蒸発槽２と蒸発
材料３が接する部分が高温になるため、蒸発槽２が侵食
され易く、蒸発槽２の寿命が短くなる。そこで、日新技
報第５６巻（１９８７）第４１頁では、図４に示すよう
に、ヒータ４を蒸発槽２の上方に配置することを紹介し
ている。蒸発槽２の上方に配置したヒータ４は、上面か
ら蒸発材料３を加熱するので、表層部から内部に掛けて
高温となる温度勾配が修正され、スプラッシュの発生が
抑制される。また、加熱される部分が蒸発材料３の表面
のみであるため、蒸発槽２と蒸発材料３が接する部分の
温度が比較的低く、蒸発槽２の長寿命化も図られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上部から加熱
する図４の方式でも、Ｍｇを蒸発されるとき０．５ｍｍ
以下のスプラッシュが発生する場合がある。これは、Ｍ
ｇの密度が低いことに加え、蒸発槽の下部から放出され
る熱エネルギーを加算した熱量の熱エネルギーを上方の
みから供給するため、Ｍｇの表層温度が過度に高くなり
過ぎることに原因がある。その結果、図２，３の加熱方
式と同様に、蒸気流出量を大きくした場合、蒸発槽２内
の圧力が低下し、スプラッシュが発生し易くなる。これ
は、蒸発槽２内の圧力低下に応じて融液の静圧が下が
り、図１で説明した気泡の発生位置が下方にずれるため
である。その結果、スプラッシュの発生が多くなり、ま
たそのサイズも大きくなる。本発明は、このような問題
を解消すべく案出されたものであり、蒸発材料内部の温
度勾配を制御することにより、スプラッシュの発生を抑
制し、安定した条件下でＭｇを蒸発させることを目的と
する。
する図４の方式でも、Ｍｇを蒸発されるとき０．５ｍｍ
以下のスプラッシュが発生する場合がある。これは、Ｍ
ｇの密度が低いことに加え、蒸発槽の下部から放出され
る熱エネルギーを加算した熱量の熱エネルギーを上方の
みから供給するため、Ｍｇの表層温度が過度に高くなり
過ぎることに原因がある。その結果、図２，３の加熱方
式と同様に、蒸気流出量を大きくした場合、蒸発槽２内
の圧力が低下し、スプラッシュが発生し易くなる。これ
は、蒸発槽２内の圧力低下に応じて融液の静圧が下が
り、図１で説明した気泡の発生位置が下方にずれるため
である。その結果、スプラッシュの発生が多くなり、ま
たそのサイズも大きくなる。本発明は、このような問題
を解消すべく案出されたものであり、蒸発材料内部の温
度勾配を制御することにより、スプラッシュの発生を抑
制し、安定した条件下でＭｇを蒸発させることを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のは、その目的を
達成するため、蒸発槽に送り込んだ溶融Ｍｇ浴を表面か
ら加熱して蒸発させる際、溶融Ｍｇ浴の表層から下方に
向かう熱流がない温度勾配となるように、溶融Ｍｇ浴の
下部又は側部を加熱することを特徴とする。また、溶融
Ｍｇ浴の上部温度及び下部温度を測定し、測定結果に基
づき溶融Ｍｇ浴を表面から加熱する上部加熱装置と下部
又は側部から加熱する下部加熱装置又は側部加熱装置に
供給する電力を制御することが良い。
達成するため、蒸発槽に送り込んだ溶融Ｍｇ浴を表面か
ら加熱して蒸発させる際、溶融Ｍｇ浴の表層から下方に
向かう熱流がない温度勾配となるように、溶融Ｍｇ浴の
下部又は側部を加熱することを特徴とする。また、溶融
Ｍｇ浴の上部温度及び下部温度を測定し、測定結果に基
づき溶融Ｍｇ浴を表面から加熱する上部加熱装置と下部
又は側部から加熱する下部加熱装置又は側部加熱装置に
供給する電力を制御することが良い。
【０００９】本発明は、たとえば図５，６に示すよう
に、蒸発材料３を上方から加熱する上部加熱装置７に下
部加熱装置８を追加した装置を使用する。加熱装置７，
８としては、ヒータや誘導加熱コイル等が使用される。
上部加熱装置７は、蒸発槽２の内部（図５）に、或いは
外部上方（図６）に配置することができる。また、蒸発
槽２内にある蒸発材料３の上部や下部に熱電対等の温度
センサー９を設け、上下方向及び水平方向に関する温度
勾配が所定範囲になるように加熱装置７，８の加熱条件
を制御する。たとえば、蒸発材料３の表層から下層に向
かった熱流を抑制するため、下部温度が上部温度と同等
又は上部温度以上になるように設定する。上部の温度セ
ンサー９は、蒸発による温度変動が大きな表層部分を避
け、融液表面から１０ｍｍ以上深い部分に設置すること
が好ましい。下部加熱装置８に代えて、図７に示すよう
に蒸発槽２の下部側面を加熱する高周波加熱装置等の側
部加熱装置１０を使用することもできる。
に、蒸発材料３を上方から加熱する上部加熱装置７に下
部加熱装置８を追加した装置を使用する。加熱装置７，
８としては、ヒータや誘導加熱コイル等が使用される。
上部加熱装置７は、蒸発槽２の内部（図５）に、或いは
外部上方（図６）に配置することができる。また、蒸発
槽２内にある蒸発材料３の上部や下部に熱電対等の温度
センサー９を設け、上下方向及び水平方向に関する温度
勾配が所定範囲になるように加熱装置７，８の加熱条件
を制御する。たとえば、蒸発材料３の表層から下層に向
かった熱流を抑制するため、下部温度が上部温度と同等
又は上部温度以上になるように設定する。上部の温度セ
ンサー９は、蒸発による温度変動が大きな表層部分を避
け、融液表面から１０ｍｍ以上深い部分に設置すること
が好ましい。下部加熱装置８に代えて、図７に示すよう
に蒸発槽２の下部側面を加熱する高周波加熱装置等の側
部加熱装置１０を使用することもできる。
【００１０】上部加熱装置７と下部加熱装置８又は側部
加熱装置１０とを組み合わせることにより、蒸発材料３
の上部温度以上に下部温度を設定するとき、蒸発材料３
の表層から下部に向かった熱流がない状態が得られる。
また、蒸発槽の下部から放出される熱量は、下部加熱装
置８又は側部加熱装置１０で補償される。そのため、上
部から加熱しても蒸発材料３の表層部が過度に加熱され
ず、表層の高温化に起因したスプラッシュの発生が抑制
される。更に、下部からの熱供給により表層部へ向かっ
た熱流が存在する状態にすると、表層部の温度上昇が抑
えられ、結果としてスプラッシュの発生が一層抑制され
る。このようにして、本発明によるとき、スプラッシュ
のない状態で蒸発速度を大きくできる。また、蒸着速度
を上げるためにシャッター開度を大きくし、蒸発槽２内
部の圧力が低下した場合にあっても、スプラッシュが発
生しなくなる。
加熱装置１０とを組み合わせることにより、蒸発材料３
の上部温度以上に下部温度を設定するとき、蒸発材料３
の表層から下部に向かった熱流がない状態が得られる。
また、蒸発槽の下部から放出される熱量は、下部加熱装
置８又は側部加熱装置１０で補償される。そのため、上
部から加熱しても蒸発材料３の表層部が過度に加熱され
ず、表層の高温化に起因したスプラッシュの発生が抑制
される。更に、下部からの熱供給により表層部へ向かっ
た熱流が存在する状態にすると、表層部の温度上昇が抑
えられ、結果としてスプラッシュの発生が一層抑制され
る。このようにして、本発明によるとき、スプラッシュ
のない状態で蒸発速度を大きくできる。また、蒸着速度
を上げるためにシャッター開度を大きくし、蒸発槽２内
部の圧力が低下した場合にあっても、スプラッシュが発
生しなくなる。
【００１１】
【実施例】ダクト６，シャッター５に連なった３５０ｍ
ｍ×５５ｍｍサイズの鉄製蒸発槽２を真空槽に設置し、
図５の加熱方式で蒸発材料３を加熱した。上部加熱装置
７及び下部加熱装置８には黒鉛ヒータを使用した。蒸発
材料３としてのＭｇは、大気雰囲気中で下方に配置され
ている溶解槽（図示せず）からシュノーケル１を介して
蒸発槽２に供給した。蒸発槽２内にある蒸発材料３の表
面高さは、溶解槽を上下動させることによって一定値１
５０ｍｍに維持した。蒸発材料３の温度は、上部では融
液表面から１２ｍｍ下の位置で測定し、下部では底面か
ら３５ｍｍ上の位置で測定した。発生した蒸気は、シャ
ッター５から流出し、ダクト６を経由して基板（めっき
原板）に到達した。シャッター５の開度は、１５００ｍ
ｍ2 に設定した。
ｍ×５５ｍｍサイズの鉄製蒸発槽２を真空槽に設置し、
図５の加熱方式で蒸発材料３を加熱した。上部加熱装置
７及び下部加熱装置８には黒鉛ヒータを使用した。蒸発
材料３としてのＭｇは、大気雰囲気中で下方に配置され
ている溶解槽（図示せず）からシュノーケル１を介して
蒸発槽２に供給した。蒸発槽２内にある蒸発材料３の表
面高さは、溶解槽を上下動させることによって一定値１
５０ｍｍに維持した。蒸発材料３の温度は、上部では融
液表面から１２ｍｍ下の位置で測定し、下部では底面か
ら３５ｍｍ上の位置で測定した。発生した蒸気は、シャ
ッター５から流出し、ダクト６を経由して基板（めっき
原板）に到達した。シャッター５の開度は、１５００ｍ
ｍ2 に設定した。
【００１２】この条件下でスプラッシュの発生状況を調
査した。粒径が０．５ｍｍ以下のスプラッシュは、シャ
ッター５及びダクト６を通過するため、ダクト６の先端
を通過する基板上でスプラッシュの有無を調査した。数
ｍｍ以上の大きなスプラッシュは、シャッター５を通過
しにくいため、蒸発槽２の側方に設けた覗き窓から観測
し、スプラッシュの有無を調査した。なお、覗き窓に
は、曇り防止用にＡｒガスを吹き付けた。比較のため、
図２及び図４の加熱方式によってＭｇを蒸発させ、スプ
ラッシュ発生の有無を調査した。この場合、蒸発槽２及
びヒータ４には前述した本発明例と同じものを使用し、
また温度センサーも同じ位置にセットした。
査した。粒径が０．５ｍｍ以下のスプラッシュは、シャ
ッター５及びダクト６を通過するため、ダクト６の先端
を通過する基板上でスプラッシュの有無を調査した。数
ｍｍ以上の大きなスプラッシュは、シャッター５を通過
しにくいため、蒸発槽２の側方に設けた覗き窓から観測
し、スプラッシュの有無を調査した。なお、覗き窓に
は、曇り防止用にＡｒガスを吹き付けた。比較のため、
図２及び図４の加熱方式によってＭｇを蒸発させ、スプ
ラッシュ発生の有無を調査した。この場合、蒸発槽２及
びヒータ４には前述した本発明例と同じものを使用し、
また温度センサーも同じ位置にセットした。
【００１３】以上の各蒸発槽２で、Ｍｇを蒸発させた。
なお、真空槽は、真空中の残留ガスが窒素となるよう
に、真空度０．０５トールの真空雰囲気に維持した。各
蒸発法ごとにスプラッシュの有無を調査した結果を表１
に示す。表１から明らかなように、上部及び下部から蒸
発材料３を加熱した本発明例では、数ｍｍ以上の大きい
スプラッシュ及び０．５ｍｍ以下の小さなスプラッシュ
の何れも発生しておらず、安定条件下でＭｇの蒸発を継
続できることが判った。これに対し、図２の加熱方式を
採用した比較例では、大径スプラッシュが観察され、蒸
発条件が不安定であった。また、図４の上部加熱方式を
採用した場合でも、小径スプラッシュの発生が抑制でき
ず、蒸着物にスプラッシュ起因に欠陥が持ち込まれがち
であった。
なお、真空槽は、真空中の残留ガスが窒素となるよう
に、真空度０．０５トールの真空雰囲気に維持した。各
蒸発法ごとにスプラッシュの有無を調査した結果を表１
に示す。表１から明らかなように、上部及び下部から蒸
発材料３を加熱した本発明例では、数ｍｍ以上の大きい
スプラッシュ及び０．５ｍｍ以下の小さなスプラッシュ
の何れも発生しておらず、安定条件下でＭｇの蒸発を継
続できることが判った。これに対し、図２の加熱方式を
採用した比較例では、大径スプラッシュが観察され、蒸
発条件が不安定であった。また、図４の上部加熱方式を
採用した場合でも、小径スプラッシュの発生が抑制でき
ず、蒸着物にスプラッシュ起因に欠陥が持ち込まれがち
であった。
【００１４】
【００１５】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、蒸発材料であるＭｇ融液に表層から下部に向かった
熱流が生じないように温度勾配を制御することにより、
融液表面で発生しがちなスプラッシュを抑制している。
そのため、蒸発条件が安定化し、ダクトを介して一定量
の蒸気を送り出すことができ、またスプラッシュに起因
した欠陥がない高品質の蒸着めっきが得られる。このよ
うに、本発明のＭｇ蒸発法は、蒸着めっきラインにおい
て高品質の蒸着めっきを形成する有効な蒸発法となる。
は、蒸発材料であるＭｇ融液に表層から下部に向かった
熱流が生じないように温度勾配を制御することにより、
融液表面で発生しがちなスプラッシュを抑制している。
そのため、蒸発条件が安定化し、ダクトを介して一定量
の蒸気を送り出すことができ、またスプラッシュに起因
した欠陥がない高品質の蒸着めっきが得られる。このよ
うに、本発明のＭｇ蒸発法は、蒸着めっきラインにおい
て高品質の蒸着めっきを形成する有効な蒸発法となる。
【図１】 融液表面でスプラッシュが発生するメカニズ
ムを説明する図
ムを説明する図
【図２】 従来の下部加熱方式でＭｇを蒸発させる蒸発
槽
槽
【図３】 従来の側部加熱方式でＭｇを蒸発させる蒸発
槽
槽
【図４】 従来の上部加熱方式でＭｇを蒸発させる蒸発
槽
槽
【図５】 本発明に従って上部加熱及び下部加熱を組み
合わせた加熱方式でＭｇを蒸発させる蒸発槽
合わせた加熱方式でＭｇを蒸発させる蒸発槽
【図６】 同じく上部加熱及び下部加熱を組み合わせた
加熱方式でＭｇを蒸発させる蒸発槽
加熱方式でＭｇを蒸発させる蒸発槽
【図７】 同じく上部加熱及び側部加熱を組み合わせた
加熱方式でＭｇを蒸発させる蒸発槽
加熱方式でＭｇを蒸発させる蒸発槽
１：シュノーケル ２：蒸発槽 ３：蒸発材料（Ｍ
ｇ） ４：ヒータ ５：シャッター ６：ダクト ７：上部加熱装置
８：下部加熱装置 ９：温度センサー １０：側部加熱装置
ｇ） ４：ヒータ ５：シャッター ６：ダクト ７：上部加熱装置
８：下部加熱装置 ９：温度センサー １０：側部加熱装置
Claims (2)
- 【請求項１】 蒸発槽に送り込んだ溶融Ｍｇ浴を表面か
ら加熱して蒸発させる際、溶融Ｍｇ浴の表層から下方に
向かう熱流がない温度勾配となるように、溶融Ｍｇ浴の
下部又は側部を加熱することを特徴とするＭｇ蒸発方
法。 - 【請求項２】 溶融Ｍｇ浴の上部温度及び下部温度を測
定し、測定結果に基づき溶融Ｍｇ浴を表面から加熱する
上部加熱装置と下部又は側部から加熱する下部加熱装置
又は側部加熱装置に供給する電力を制御する請求項１記
載のＭｇ蒸発方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29733995A JPH09111441A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | Ｍｇ蒸発方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29733995A JPH09111441A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | Ｍｇ蒸発方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09111441A true JPH09111441A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=17845248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29733995A Withdrawn JPH09111441A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | Ｍｇ蒸発方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09111441A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337105B1 (en) | 1997-07-14 | 2002-01-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for forming thin functional film |
| JP2007063660A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Samsung Sdi Co Ltd | 無機蒸着源及びこれの加熱源制御方法 |
| US7905961B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-03-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Linear type deposition source |
| US8048229B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-11-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing an organic layer and method for controlling a heating unit thereof |
| KR101101339B1 (ko) * | 2003-06-27 | 2012-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 제조장치 |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP29733995A patent/JPH09111441A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337105B1 (en) | 1997-07-14 | 2002-01-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for forming thin functional film |
| KR101101339B1 (ko) * | 2003-06-27 | 2012-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 제조장치 |
| JP2007063660A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Samsung Sdi Co Ltd | 無機蒸着源及びこれの加熱源制御方法 |
| US7905961B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-03-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Linear type deposition source |
| US8048229B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-11-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing an organic layer and method for controlling a heating unit thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |