JPH09113501A - 一酸化炭素ガス検知用検知材料及び一酸化炭素ガス検知方法 - Google Patents
一酸化炭素ガス検知用検知材料及び一酸化炭素ガス検知方法Info
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- JPH09113501A JPH09113501A JP29337895A JP29337895A JPH09113501A JP H09113501 A JPH09113501 A JP H09113501A JP 29337895 A JP29337895 A JP 29337895A JP 29337895 A JP29337895 A JP 29337895A JP H09113501 A JPH09113501 A JP H09113501A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一酸化炭素ガスとエタノール蒸気とが混在す
るような雰囲気下においても、一酸化炭素ガスのみを選
択的に検知することが可能な検知材料と、その検知材料
を使用した検知方法を提供する。 【解決手段】 一酸化炭素ガスとの接触によって変色作
用が可逆的に起こる特性を有する一酸化炭素ガス検知用
検知材料であって、前記検知材料は三酸化タングステ
ン、三酸化モリブデン及び白金族触媒を含有しているこ
とを特徴とする一酸化炭素ガス検知用検知材料。上記検
知材料の変色作用による光の強度変化を利用して一酸化
炭素ガスを検知することを特徴とする一酸化炭素ガス検
知方法。
るような雰囲気下においても、一酸化炭素ガスのみを選
択的に検知することが可能な検知材料と、その検知材料
を使用した検知方法を提供する。 【解決手段】 一酸化炭素ガスとの接触によって変色作
用が可逆的に起こる特性を有する一酸化炭素ガス検知用
検知材料であって、前記検知材料は三酸化タングステ
ン、三酸化モリブデン及び白金族触媒を含有しているこ
とを特徴とする一酸化炭素ガス検知用検知材料。上記検
知材料の変色作用による光の強度変化を利用して一酸化
炭素ガスを検知することを特徴とする一酸化炭素ガス検
知方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一酸化炭素ガス検
知用検知材料と、その検知材料を利用した一酸化炭素ガ
ス検知方法に係り、特に、一酸化炭素ガスとエタノール
蒸気とが混在するような雰囲気下においても、一酸化炭
素ガスのみを選択的に検知することができるように工夫
したものに関する。
知用検知材料と、その検知材料を利用した一酸化炭素ガ
ス検知方法に係り、特に、一酸化炭素ガスとエタノール
蒸気とが混在するような雰囲気下においても、一酸化炭
素ガスのみを選択的に検知することができるように工夫
したものに関する。
【0002】
【従来の技術】一酸化炭素ガス、水素ガス、メタンガス
等の可燃性ガスは、引火により爆発を伴ったり、人体や
生物に対して極めて毒性の高いガスであるため、従来よ
り、これらの可燃性ガスを検知するための方法について
様々な提案がなされている。それらの中でも、例えば、
特公平6−72876号公報には、一酸化炭素ガス、水
素ガス、アルコール蒸気等各種の可燃性ガスとの接触に
より光吸収率が変化し、その際の光の強度変化を利用し
て可燃性ガスを検知する可燃性ガス検知方法が開示され
ている。この検知方法は、近年急速に発展している光情
報システムや光制御システムとの組み合わせが可能であ
るとともに、防爆性に優れ極めて安全であるという利点
がある。
等の可燃性ガスは、引火により爆発を伴ったり、人体や
生物に対して極めて毒性の高いガスであるため、従来よ
り、これらの可燃性ガスを検知するための方法について
様々な提案がなされている。それらの中でも、例えば、
特公平6−72876号公報には、一酸化炭素ガス、水
素ガス、アルコール蒸気等各種の可燃性ガスとの接触に
より光吸収率が変化し、その際の光の強度変化を利用し
て可燃性ガスを検知する可燃性ガス検知方法が開示され
ている。この検知方法は、近年急速に発展している光情
報システムや光制御システムとの組み合わせが可能であ
るとともに、防爆性に優れ極めて安全であるという利点
がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法は、上述したように一酸化炭素ガス、水素ガス、アル
コール蒸気等の可燃性ガス全般を検知対象としたもので
あるため、例えば、一般家庭で使用されている各種燃焼
機器が不完全燃焼した場合に発生する一酸化炭素ガスの
みを選択的に検知しようとした場合に、調理時に発生す
る可能性の高いエタノール蒸気によって誤動作する恐れ
があった。
法は、上述したように一酸化炭素ガス、水素ガス、アル
コール蒸気等の可燃性ガス全般を検知対象としたもので
あるため、例えば、一般家庭で使用されている各種燃焼
機器が不完全燃焼した場合に発生する一酸化炭素ガスの
みを選択的に検知しようとした場合に、調理時に発生す
る可能性の高いエタノール蒸気によって誤動作する恐れ
があった。
【0004】本発明はこのような点に基づいてなされた
ものでその目的とするところは、一酸化炭素ガスとエタ
ノール蒸気とが混在するような雰囲気下においても、一
酸化炭素ガスのみを選択的に検知することが可能な検知
材料と、その検知材料を使用した検知方法を提供するこ
とにある。
ものでその目的とするところは、一酸化炭素ガスとエタ
ノール蒸気とが混在するような雰囲気下においても、一
酸化炭素ガスのみを選択的に検知することが可能な検知
材料と、その検知材料を使用した検知方法を提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するべく、鋭意研究を重ねた結果、全く驚くべ
きことに、三酸化タングステンと三酸化モリブデンと白
金族触媒とを含有した材料は、エタノール蒸気との接触
によっては変色作用が発現せず、一酸化炭素ガスと接触
した場合にのみ変色作用が発現することを見い出した。
また、この変色作用による光の強度変化を利用すること
によって一酸化炭素ガスの検知が可能となることを見い
出した。本発明者らはこれらの知見に基づいて本発明を
完成したのである。
的を達成するべく、鋭意研究を重ねた結果、全く驚くべ
きことに、三酸化タングステンと三酸化モリブデンと白
金族触媒とを含有した材料は、エタノール蒸気との接触
によっては変色作用が発現せず、一酸化炭素ガスと接触
した場合にのみ変色作用が発現することを見い出した。
また、この変色作用による光の強度変化を利用すること
によって一酸化炭素ガスの検知が可能となることを見い
出した。本発明者らはこれらの知見に基づいて本発明を
完成したのである。
【0006】即ち、本発明による一酸化炭素ガス検知材
料は、一酸化炭素ガスとの接触によって変色作用が可逆
的に起こる特性を有する一酸化炭素ガス検知材料であっ
て、前記検知材料は、三酸化タングステン、三酸化モリ
ブデン及び白金族触媒を含有していることを特徴とする
ものである。また、本発明による一酸化炭素ガス検知方
法は、上記検知材料の変色作用による光の強度変化を利
用して一酸化炭素ガスを検知することを特徴とするもの
である。
料は、一酸化炭素ガスとの接触によって変色作用が可逆
的に起こる特性を有する一酸化炭素ガス検知材料であっ
て、前記検知材料は、三酸化タングステン、三酸化モリ
ブデン及び白金族触媒を含有していることを特徴とする
ものである。また、本発明による一酸化炭素ガス検知方
法は、上記検知材料の変色作用による光の強度変化を利
用して一酸化炭素ガスを検知することを特徴とするもの
である。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明にかかる検知材料の形状と
しては、例えば、多孔質焼結体状、厚膜状、薄膜状など
とすることが考えられる。多孔質焼結体を形成する場合
は、三酸化タングステン及び三酸化モリブデンに塩化白
金酸等の白金族化合物を混合した後、適当なバインダー
を加えてペースト状にし、これを600℃以上で焼成し
てディスク状等の所望形状とする。厚膜を形成する場合
には、三酸化タングステン及び三酸化モリブデンに塩化
白金酸等の白金族化合物を混合し、適当なバインダーを
加えてペースト状にしたものをスクリーン印刷機を使用
して各種の基板表面に印刷し、その後600℃以上で焼
成する。薄膜を形成する場合には、三酸化タングステン
及び三酸化モリブデンを主成分とし、これに白金族触媒
を含む薄膜を、各種の基板上に真空蒸着法、スパッタリ
ング法等の従来公知の方法を用いて形成する。この際、
三酸化タングステン、三酸化モリブデン及び白金族触媒
は、それぞれ層状に分離して形成しても良いし、一層の
混合膜として形成しても良い。これら検知材料の形状や
形成方法は、後述する検知方法等を考慮して適宜に選択
する。
しては、例えば、多孔質焼結体状、厚膜状、薄膜状など
とすることが考えられる。多孔質焼結体を形成する場合
は、三酸化タングステン及び三酸化モリブデンに塩化白
金酸等の白金族化合物を混合した後、適当なバインダー
を加えてペースト状にし、これを600℃以上で焼成し
てディスク状等の所望形状とする。厚膜を形成する場合
には、三酸化タングステン及び三酸化モリブデンに塩化
白金酸等の白金族化合物を混合し、適当なバインダーを
加えてペースト状にしたものをスクリーン印刷機を使用
して各種の基板表面に印刷し、その後600℃以上で焼
成する。薄膜を形成する場合には、三酸化タングステン
及び三酸化モリブデンを主成分とし、これに白金族触媒
を含む薄膜を、各種の基板上に真空蒸着法、スパッタリ
ング法等の従来公知の方法を用いて形成する。この際、
三酸化タングステン、三酸化モリブデン及び白金族触媒
は、それぞれ層状に分離して形成しても良いし、一層の
混合膜として形成しても良い。これら検知材料の形状や
形成方法は、後述する検知方法等を考慮して適宜に選択
する。
【0008】本発明にかかる検知材料を構成する三酸化
タングステン、三酸化モリブデン及び白金族触媒の混合
割合は特に限定されないが、例えば、三酸化タングステ
ン、三酸化モリブデン及び白金族触媒をそれぞれ層状に
分離した薄膜状に形成する場合には、白金族触媒の質量
膜厚が500Å以下となるように調節することが好まし
い。白金族触媒の質量膜厚が500Åを超えると白金族
触媒自体が金属光沢を示すようになり、光の強度変化を
利用した一酸化炭素ガスの検知が困難になる場合があ
る。
タングステン、三酸化モリブデン及び白金族触媒の混合
割合は特に限定されないが、例えば、三酸化タングステ
ン、三酸化モリブデン及び白金族触媒をそれぞれ層状に
分離した薄膜状に形成する場合には、白金族触媒の質量
膜厚が500Å以下となるように調節することが好まし
い。白金族触媒の質量膜厚が500Åを超えると白金族
触媒自体が金属光沢を示すようになり、光の強度変化を
利用した一酸化炭素ガスの検知が困難になる場合があ
る。
【0009】本発明にかかる一酸化炭素ガス検知方法
は、本発明にかかる検知材料が一酸化炭素ガスと接触し
た際に発現する変色作用による光の強度変化を測定する
ものである。光の強度変化を測定する方法としては、従
来公知の方法をいずれも適用することができるが、例え
ば、図1乃至図3に示すような実施の形態が考えられ
る。
は、本発明にかかる検知材料が一酸化炭素ガスと接触し
た際に発現する変色作用による光の強度変化を測定する
ものである。光の強度変化を測定する方法としては、従
来公知の方法をいずれも適用することができるが、例え
ば、図1乃至図3に示すような実施の形態が考えられ
る。
【0010】図1は、白熱ランプ、発光ダイオード、レ
ーザ等の発光手段2によって出力された光3を本発明に
かかる検知材料1に照射し、透過光4をフォトダイオー
ド等の受光手段5によって受光するように構成したもの
である。発光手段2には図示しない電源が接続され、ま
た、受光手段5には図示しない検知回路が接続されてい
る。この場合、検知材料1に一酸化炭素ガスが接触する
と、検知材料1は変色して光吸収率が変化する。従っ
て、受光手段5によって受光される透過光4の強度が変
化し(透過光量の変化)、この強度変化を受光手段5に
接続された図示しない検知回路で処理して一酸化炭素ガ
スを検知することが可能となる。尚、この方法によって
一酸化炭素ガスの検知を行う場合には、光が透過し易い
ように、検知材料1を石英ガラス基板等の透明基板上に
薄膜状に形成しておくことが好ましい。また、この際、
透明基板にITO等からなる透明状のヒータを設け、検
知材料1を100〜400℃程度に加熱することにより
応答性を高めることができる。勿論、セラミックヒータ
等の透明状でないヒータを使用しても良いが、この場合
には光の透過を妨げない位置に配置する必要がある。
ーザ等の発光手段2によって出力された光3を本発明に
かかる検知材料1に照射し、透過光4をフォトダイオー
ド等の受光手段5によって受光するように構成したもの
である。発光手段2には図示しない電源が接続され、ま
た、受光手段5には図示しない検知回路が接続されてい
る。この場合、検知材料1に一酸化炭素ガスが接触する
と、検知材料1は変色して光吸収率が変化する。従っ
て、受光手段5によって受光される透過光4の強度が変
化し(透過光量の変化)、この強度変化を受光手段5に
接続された図示しない検知回路で処理して一酸化炭素ガ
スを検知することが可能となる。尚、この方法によって
一酸化炭素ガスの検知を行う場合には、光が透過し易い
ように、検知材料1を石英ガラス基板等の透明基板上に
薄膜状に形成しておくことが好ましい。また、この際、
透明基板にITO等からなる透明状のヒータを設け、検
知材料1を100〜400℃程度に加熱することにより
応答性を高めることができる。勿論、セラミックヒータ
等の透明状でないヒータを使用しても良いが、この場合
には光の透過を妨げない位置に配置する必要がある。
【0011】図2は、白熱ランプ、発光ダイオード、レ
ーザ等の発光手段2によって出力された光3を本発明に
かかる検知材料1に照射し、反射光6をフォトダイオー
ド等の受光手段5によって受光するように構成したもの
である。発光手段2には図示しない電源が接続され、受
光手段5には図示しない検知回路が接続されている。こ
の場合、検知材料1に一酸化炭素ガスが接触すると、検
知材料1は変色して光吸収率が変化する。従って、受光
手段5によって受光される反射光6の強度が変化し(反
射光量の変化)、この強度変化を図示しない検知回路で
処理して一酸化炭素ガスを検知することが可能となる。
尚、この方法によって一酸化炭素ガスの検知を行う場
合、検知材料の形状は多孔質焼結体状、厚膜状、薄膜状
のいずれの形状であっても良いが、基板としては、より
光が反射し易いように反射基板を使用することが好まし
い。反射基板としては、例えば、石英ガラス基板、アル
ミナ基板等の表面に銀、錫等の金属薄膜を形成して鏡面
処理したものや、銀、錫等の金属薄板などが挙げられ
る。勿論、検知材料の形状や構成(混合割合)によって
は反射基板を使用しなくても充分に反射光を受光できる
ため、これらは適宜に選択する。また、この際、反射基
板に従来公知の各種のヒータ(例えば、ITO等からな
る透明状のヒータ、セラミックヒータ等)を設け、検知
材料1を100〜400℃程度に加熱することにより応
答性を高めることができる。
ーザ等の発光手段2によって出力された光3を本発明に
かかる検知材料1に照射し、反射光6をフォトダイオー
ド等の受光手段5によって受光するように構成したもの
である。発光手段2には図示しない電源が接続され、受
光手段5には図示しない検知回路が接続されている。こ
の場合、検知材料1に一酸化炭素ガスが接触すると、検
知材料1は変色して光吸収率が変化する。従って、受光
手段5によって受光される反射光6の強度が変化し(反
射光量の変化)、この強度変化を図示しない検知回路で
処理して一酸化炭素ガスを検知することが可能となる。
尚、この方法によって一酸化炭素ガスの検知を行う場
合、検知材料の形状は多孔質焼結体状、厚膜状、薄膜状
のいずれの形状であっても良いが、基板としては、より
光が反射し易いように反射基板を使用することが好まし
い。反射基板としては、例えば、石英ガラス基板、アル
ミナ基板等の表面に銀、錫等の金属薄膜を形成して鏡面
処理したものや、銀、錫等の金属薄板などが挙げられ
る。勿論、検知材料の形状や構成(混合割合)によって
は反射基板を使用しなくても充分に反射光を受光できる
ため、これらは適宜に選択する。また、この際、反射基
板に従来公知の各種のヒータ(例えば、ITO等からな
る透明状のヒータ、セラミックヒータ等)を設け、検知
材料1を100〜400℃程度に加熱することにより応
答性を高めることができる。
【0012】図3は、本発明にかかる検知材料1を光フ
ァイバー7のクラッド層として使用したものである。即
ち、白熱ランプ、発光ダイオード、レーザ等の発光手段
2によって出力された光3を光ファイバー7内に照射
し、出射光8をフォトダイオード等の受光手段5によっ
て受光するように構成している。発光手段2には図示し
ない電源が接続され、受光手段5には図示しない検知回
路が接続されている。この場合、光ファイバー7表面の
検知材料1に一酸化炭素ガスが接触すると、検知材料1
は変色して光吸収率が変化する。従って、エバネッセン
ト波9の強度変化に起因して出射光8の強度が変化し、
この強度変化を図示しない検知回路で処理して一酸化炭
素ガスを検知することが可能となる。この方法によれ
ば、線状の全ての箇所において一酸化炭素ガスを検知す
ることができるという利点がある。尚、この方法によっ
て一酸化炭素ガスの検知を行う場合、発光手段2によっ
て出力される光とは別に赤外光を光ファイバー7内に照
射し、検知材料1を100〜400℃に加熱することに
より応答性を高めることができる。勿論、発光手段2に
よって出力される光を赤外光としても良い。また、コー
ド状ヒータを光ファイバーの周囲に巻回することによっ
て検知材料1を加熱しても良い。
ァイバー7のクラッド層として使用したものである。即
ち、白熱ランプ、発光ダイオード、レーザ等の発光手段
2によって出力された光3を光ファイバー7内に照射
し、出射光8をフォトダイオード等の受光手段5によっ
て受光するように構成している。発光手段2には図示し
ない電源が接続され、受光手段5には図示しない検知回
路が接続されている。この場合、光ファイバー7表面の
検知材料1に一酸化炭素ガスが接触すると、検知材料1
は変色して光吸収率が変化する。従って、エバネッセン
ト波9の強度変化に起因して出射光8の強度が変化し、
この強度変化を図示しない検知回路で処理して一酸化炭
素ガスを検知することが可能となる。この方法によれ
ば、線状の全ての箇所において一酸化炭素ガスを検知す
ることができるという利点がある。尚、この方法によっ
て一酸化炭素ガスの検知を行う場合、発光手段2によっ
て出力される光とは別に赤外光を光ファイバー7内に照
射し、検知材料1を100〜400℃に加熱することに
より応答性を高めることができる。勿論、発光手段2に
よって出力される光を赤外光としても良い。また、コー
ド状ヒータを光ファイバーの周囲に巻回することによっ
て検知材料1を加熱しても良い。
【0013】
【実施例】以下に実施例を示して本発明を更に詳しく説
明する。
明する。
【0014】実施例1 縦、横及び厚さが18×18×1mmの石英ガラス基板
上に、質量膜厚100Åの三酸化タングステン薄膜層、
質量膜厚20Åの三酸化モリブデン薄膜層、質量膜厚2
0Åの白金触媒層を、真空蒸着法によって順次形成し
た。
上に、質量膜厚100Åの三酸化タングステン薄膜層、
質量膜厚20Åの三酸化モリブデン薄膜層、質量膜厚2
0Åの白金触媒層を、真空蒸着法によって順次形成し
た。
【0015】実施例2 縦、横及び厚さが18×18×1mmの石英ガラス基板
上に、質量膜厚1000Åの三酸化タングステン薄膜
層、質量膜厚200Åの三酸化モリブデン薄膜層、質量
膜厚20Åの白金触媒層を、真空蒸着法によって順次形
成した。
上に、質量膜厚1000Åの三酸化タングステン薄膜
層、質量膜厚200Åの三酸化モリブデン薄膜層、質量
膜厚20Åの白金触媒層を、真空蒸着法によって順次形
成した。
【0016】実施例3 縦、横及び厚さが18×18×1mmの石英ガラス基板
上に、質量膜厚5000Åの三酸化タングステン薄膜
層、質量膜厚1000Åの三酸化モリブデン薄膜層、質
量膜厚20Åの白金触媒層を、真空蒸着法によって順次
形成した。
上に、質量膜厚5000Åの三酸化タングステン薄膜
層、質量膜厚1000Åの三酸化モリブデン薄膜層、質
量膜厚20Åの白金触媒層を、真空蒸着法によって順次
形成した。
【0017】実施例4 縦、横及び厚さが18×18×1mmの石英ガラス基板
上に、三酸化タングステンと三酸化モリブデンを同時に
真空蒸着させて質量膜厚1000Åの混合膜層を形成し
た後、その上面に質量膜厚20Åの白金触媒層を、真空
蒸着法によって形成した。
上に、三酸化タングステンと三酸化モリブデンを同時に
真空蒸着させて質量膜厚1000Åの混合膜層を形成し
た後、その上面に質量膜厚20Åの白金触媒層を、真空
蒸着法によって形成した。
【0018】比較例1 縦、横及び厚さが18×18×1mmの石英ガラス基板
上に、質量膜厚1000Åの三酸化タングステン薄膜層
を、真空蒸着法によって形成した。
上に、質量膜厚1000Åの三酸化タングステン薄膜層
を、真空蒸着法によって形成した。
【0019】比較例2 縦、横及び厚さが18×18×1mmの石英ガラス基板
上に、質量膜厚200Åの三酸化モリブデン薄膜層を、
真空蒸着法によって形成した。
上に、質量膜厚200Åの三酸化モリブデン薄膜層を、
真空蒸着法によって形成した。
【0020】比較例3 縦、横及び厚さが18×18×1mmの石英ガラス基板
上に、質量膜厚20Åの白金触媒層を、真空蒸着法によ
って形成した。
上に、質量膜厚20Åの白金触媒層を、真空蒸着法によ
って形成した。
【0021】比較例4 縦、横及び厚さが18×18×1mmの石英ガラス基板
上に、質量膜厚1000Åの三酸化タングステン薄膜
層、質量膜厚200Åの三酸化モリブデン薄膜層を、真
空蒸着法によって順次形成した。
上に、質量膜厚1000Åの三酸化タングステン薄膜
層、質量膜厚200Åの三酸化モリブデン薄膜層を、真
空蒸着法によって順次形成した。
【0022】比較例5 縦、横及び厚さが18×18×1mmの石英ガラス基板
上に、質量膜厚1000Åの三酸化タングステン薄膜
層、質量膜厚20Åの白金触媒層を、真空蒸着法によっ
て順次形成した。
上に、質量膜厚1000Åの三酸化タングステン薄膜
層、質量膜厚20Åの白金触媒層を、真空蒸着法によっ
て順次形成した。
【0023】比較例6 縦、横及び厚さが18×18×1mmの石英ガラス基板
上に、質量膜厚1000Åの三酸化モリブデン薄膜層、
質量膜厚20Åの白金触媒層を、真空蒸着法によって順
次形成した。
上に、質量膜厚1000Åの三酸化モリブデン薄膜層、
質量膜厚20Åの白金触媒層を、真空蒸着法によって順
次形成した。
【0024】ここで、上記7種をホットプレート上で2
00℃に加熱した状態で一酸化炭素ガス、エタノール蒸
気を直接注射器で吹きかけ、変色作用の発現の有無を目
視で確認した。尚、これらは全て空気中では灰色を示し
ていた。その結果、本実施例によるものはどれも、エタ
ノール蒸気には全く反応せず、一酸化炭素ガスを吹きか
けた場合にのみ藍色に変色した。このとき、一酸化炭素
ガスを取り除くと瞬時に灰色に戻った。一方、比較例に
よるものは、一酸化炭素ガス、エタノール蒸気のいずれ
にも全く反応せず変色作用は発現しなかった。これによ
り、三酸化タングステン、三酸化モリブデン及び白金族
触媒をすべて含有した検知材料を使用した場合にのみ、
一酸化炭素ガスとの接触によって変色作用が可逆的に起
こることが明らかとなった。
00℃に加熱した状態で一酸化炭素ガス、エタノール蒸
気を直接注射器で吹きかけ、変色作用の発現の有無を目
視で確認した。尚、これらは全て空気中では灰色を示し
ていた。その結果、本実施例によるものはどれも、エタ
ノール蒸気には全く反応せず、一酸化炭素ガスを吹きか
けた場合にのみ藍色に変色した。このとき、一酸化炭素
ガスを取り除くと瞬時に灰色に戻った。一方、比較例に
よるものは、一酸化炭素ガス、エタノール蒸気のいずれ
にも全く反応せず変色作用は発現しなかった。これによ
り、三酸化タングステン、三酸化モリブデン及び白金族
触媒をすべて含有した検知材料を使用した場合にのみ、
一酸化炭素ガスとの接触によって変色作用が可逆的に起
こることが明らかとなった。
【0025】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、一
酸化炭素ガスとエタノール蒸気とが混在するような雰囲
気下においても、光信号を利用して一酸化炭素ガスのみ
を選択的に検知することができる。よって、これを家庭
用ガス警報機等へ搭載することにより、安全で快適な住
環境作りに大いに貢献することができる。
酸化炭素ガスとエタノール蒸気とが混在するような雰囲
気下においても、光信号を利用して一酸化炭素ガスのみ
を選択的に検知することができる。よって、これを家庭
用ガス警報機等へ搭載することにより、安全で快適な住
環境作りに大いに貢献することができる。
【図1】本発明の一実施例を示す図で、透過光量の変化
を利用して一酸化炭素ガスを検知する場合の説明図であ
る。
を利用して一酸化炭素ガスを検知する場合の説明図であ
る。
【図2】本発明の一実施例を示す図で、反射光量の変化
を利用して一酸化炭素ガスを検知する場合の説明図であ
る。
を利用して一酸化炭素ガスを検知する場合の説明図であ
る。
【図3】本発明の一実施例を示す図で、光ファイバーを
利用して一酸化炭素ガスを検知する場合の説明図であ
る。
利用して一酸化炭素ガスを検知する場合の説明図であ
る。
1 検知材料 2 発光手段 3 光 4 透過光 5 受光手段 6 反射光 7 光ファイバー 8 出射光 9 エバネッセント波
Claims (2)
- 【請求項1】 一酸化炭素ガスとの接触によって変色作
用が可逆的に起こる特性を有する一酸化炭素ガス検知用
検知材料であって、前記検知材料は三酸化タングステ
ン、三酸化モリブデン及び白金族触媒を含有しているこ
とを特徴とする一酸化炭素ガス検知用検知材料。 - 【請求項2】 請求項1に記載の検知材料の変色作用に
よる光の強度変化を利用して一酸化炭素ガスを検知する
ことを特徴とする一酸化炭素ガス検知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29337895A JPH09113501A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 一酸化炭素ガス検知用検知材料及び一酸化炭素ガス検知方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29337895A JPH09113501A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 一酸化炭素ガス検知用検知材料及び一酸化炭素ガス検知方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09113501A true JPH09113501A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17794007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29337895A Pending JPH09113501A (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 一酸化炭素ガス検知用検知材料及び一酸化炭素ガス検知方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09113501A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003329592A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-19 | Shinji Okazaki | ガスセンサ用の膜の製造方法 |
| WO2007108261A1 (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Kabushiki Kaisha Atsumitec | 水素ガス検知装置 |
| JP2012098279A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-24 | General Electric Co <Ge> | ガス検知システム |
| JPWO2017188340A1 (ja) * | 2016-04-27 | 2018-12-13 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 希薄ガス濃度測定方法 |
| KR20220067022A (ko) * | 2020-11-17 | 2022-05-24 | 한국생산기술연구원 | 변색형 일산화탄소 센서 및 그 제조 방법 |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP29337895A patent/JPH09113501A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7852480B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-12-14 | Kabushiki Kaisha Atsumitec | Hydrogen gas detection device |
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