JPH09115476A - プラズマイオン質量分析装置 - Google Patents

プラズマイオン質量分析装置

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JPH09115476A
JPH09115476A JP7271405A JP27140595A JPH09115476A JP H09115476 A JPH09115476 A JP H09115476A JP 7271405 A JP7271405 A JP 7271405A JP 27140595 A JP27140595 A JP 27140595A JP H09115476 A JPH09115476 A JP H09115476A
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JP
Japan
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ion
ions
mass
mass spectrometer
plasma
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Application number
JP7271405A
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English (en)
Inventor
Shinichi Takada
紳一 高田
Yoshitomo Nakagawa
良知 中川
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/06Electron- or ion-optical arrangements
    • H01J49/061Ion deflecting means, e.g. ion gates

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 試料による装置内部の汚染を軽減して安定な
測定を行うための機構を提供する。 【解決手段】 イオンレンズが、イオンビームを収束さ
せるためのアインツェルレンズとイオンビームを偏向さ
せる偏向器および1対以上で構成された補正電極を持
ち、これらの電極に印加する電圧を任意に制御できる機
構を持つ。またはイオンビームの流路の途中に遮蔽版を
持ちこの遮蔽版をイオン流路に出し入れするための駆動
機構を有する。 【効果】 試料中の微量不純物を効率よく検出できるば
かりでなく、安定した測定ができるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】この発明は、試料中の微量元素の
同定・定量測定を行うプラズマイオン質量分析装置に関
するものである。 【0002】 【従来の技術】従来の技術の構成例を図3を用いて説明
する。図3において、1はプラズマ発生装置、2はプラ
ズマ発生装置1により発生したプラズマである。プラズ
マ発生装置1は、例えば「ICP発光分析の基礎と応
用」(原口:著、講談社サイエンティフィク)に開示さ
れている誘導結合プラズマの発生装置や、例えば特開平
1−309300に開示されているマイクロ波誘導プラ
ズマの発生装置がある。分析する試料(図示せず)は、
プラズマ発生装置1によって維持されたプラズマ2に導
入されてイオン化する。3はサンプリングコーン、4は
スキマーコーン、5は真空ポンプである。サンプリング
コーン3は円錐の先端に径が0.8から1.2mmの穴
の開いた形状をしており、スキマーコーン4は円錐の先
端に径が0.3から0.6mmの穴の開いた形状をして
いる。サンプリングインターフェースは、サンプリング
コーン3とスキマーコーン4で構成されている。サンプ
リングコーン3とスキマーコーン4の間は、分析時には
5の真空ポンプ(一般的にはロータリーポンプが使用さ
れる)により1Toor程度に排気される。6は真空容
器、7はイオンレンズ、8は質量分析器、9は検出器、
12はデータ処理部である。真空容器6の内部は、別の
真空ポンプ5、5により排気されており、イオンレンズ
7の設置された部屋で10のマイナス4乗Torr程
度、検出器9の設置された部屋で10のマイナス6乗T
orr程度に維持される。なお別の真空ポンプ5、5
は、ターボ分子ポンプや油拡散ポンプが一般的に使用さ
れている。 【0003】プラズマ2でイオン化した試料はプラズマ
2の光と共に、サンプリングコーン3およびスキマーコ
ーン4の穴を通過してイオンレンズ7に入射する。イオ
ンレンズ7は、イオンを収束し、入射した成分のうちイ
オンのみを質量分析器8に導く働きをしている。質量分
析器8は入射したイオンのうち所定の質量のみを通過さ
せる働きをしており、例えば四重極質量分析計が使用さ
れる。検出器9は質量分析器8を通過したイオンを検出
して電気信号としてデータ処理部12に送る働きをして
おり、例えばガリレオ社のチャンネルトロンが使用され
る。データ処理部12では検出器9で検出されたときの
質量分析器8の設定からイオンの質量を算出してイオン
種の同定を行い、検出器9の検出強度から同定したイオ
ンすなわち試料中の不純物の濃度を算出する。 【0004】次にイオンレンズ7について図2を用いて
説明する。図2はイオンレンズの概略構成図である。図
2において、13はサンプリングインターフェース軸、
14a・14b・14cは収束レンズ15の電極、15
a・15bは偏向器15の偏向電極、16はアパーチ
ャ、17は質量分析器軸である。イオンレンズ7は、収
束レンズとしての電極14a・14b・14c、偏向器
15としての偏向電極15a・15bおよびアパーチャ
16で構成されている。サンプリングインターフェース
軸13はサンプリングコーン3の穴とスキマーコーン4
の穴の中心を外挿したもので、スキマーコーン4の穴を
通過したイオンのビームはサンプリングインターフェー
ス軸13に沿ってイオンレンズに入射する。収束レンズ
14は電極14a・14b・14c構成されており、サ
ンプリングインターフェース軸13を中心とする穴の開
いた板状の形状をしている。収束レンズ14の電極14
a・14b・14cの各々に適当な電圧を印加するとイ
オンのビームは収束する。この様な収束レンズ14は、
アインツェルレンズと呼ばれる。 【0005】偏向器15は、サンプリングインターフェ
ース軸13に沿って入射したビーム状となっているイオ
ンビームの軸を平行にずらすために設けられている。つ
まり、偏向器15の一対である電極15aにて入射した
イオンビームは所定の角度にて偏向され、そしてその偏
向されたイオンビームは、偏向器15の一対である電極
15bにて、その所定の角度にて逆方向に偏向される。
質量分析器軸17は質量分析器8により選択されたイオ
ンが入射する入射窓の光軸に相当するもので、サンプリ
ングインターフェース軸13とは10mm程度の間隔で
平行に位置する。これにより、イオンビームの軸(光
軸)は、偏向器15により、サンプリングインターフェ
ース軸13から質量分析器軸17に偏向されることにな
る。ここで、イオンビームは偏向器15により偏向され
るが、プラズマ2からの光は、サンプリングインターフ
ェースであるサンプリングコーン3とスキマーコーン4
の穴を通過するが、偏向器15にて直進するため、質量
分析器8や検出器9に入射しなくなる。 【0006】質量分析器8により、試料中の検出すべき
成分のイオンのみが、質量分析器8を質量分析器軸17
に沿って通過する。質量分析器8を通過したイオンは、
検出器9の入射窓9aに到達し、検出器9により所望の
成分のイオンが検出される。そして、検出器9からの検
出信号は、データ処理部12に入力され、試料中の所定
成分(微量の不純物)の濃度として計算される。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】プラズマイオン質量分
析装置は高感度であるある反面、高濃度の試料や試料中
に高濃度のマトリックス成分が含まれている場合、これ
らの高濃度成分が装置内部を汚染してメモリーとして残
留して測定値に変動を与えたり、装置内部のインターフ
ェース部、イオンレンズ、質量分析器及び検出器に付着
して分析装置としての性能劣化をひきおこすものであっ
た。 【0008】試料測定の場合、実測定時間の他に試料が
プラズマに導入される信号が安定するまでの時間及び測
定終了後プラズマから試料が無くなるまでの時間も試料
成分のイオンがプラズマイオン質量分析装置の特に検出
器にも入るために前記の不具合の発生を加速していた。 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するために、実測定時間以外には試料成分を装置内部
に入れないようにするための装置および方法を提供する
物であり、試料をプラズマ中でイオン化するプラズマイ
オン源と、生成したイオンを真空容器内に導くサンプリ
ングインターフェースと、前記真空容器内に設置された
イオンレンズ、質量分析器および検出器を有するプラズ
マイオン質量分析装置において、90度偏向電極が作る
四重極場を電極に与える電位や極性を変化させることに
より前記イオンビームの方向を高速にスイッチングさせ
ることやサンプリングコーンとイオンの質量により分離
する質量分析器の間に設けたシャッターにより、試料の
測定時間のみイオンビームを質量分析器及び検出器に導
入させることを特徴とするプラズマイオン質量分析装置
である。 【0010】前記プラズマイオン質量分析装置におい
て、軸ずらし型イオンレンズ電極に与える電位や極性を
変化させることにより前記イオンビームの方向を高速に
スイッチングさせることにより、試料の測定時間のみイ
オンビームを質量分析器及び検出器に導入させることを
特徴とするプラズマイオン質量分析装置である。 【0011】前記プラズマイオン質量分析装置におい
て、プラズマから生成したイオンの流路の途中に電磁ソ
レノイド等のアクチュエータにより遮蔽板を高速に出し
入れすることによりプラズマイオン源から前記検出器へ
のイオン又は粒子の流入を防ぐためのシャッター手段を
有し、試料の測定時間のみイオンビームを質量分析器及
び検出器に導入させることを特徴とするプラズマイオン
質量分析装置である。 【0012】 【実施例】次に本発明の実施例を図を用いて詳細に述べ
る。図1及び図4は90度偏向型の偏向器を用いた本発明
の一実施例である。図3と同様にサンプリングコーン3
とスキマーコーン4よりなるサンプリングインターフェ
ース22等は、図3と同様のものであり、従来技術の項
で示した図2及び3と主にイオンレンズ7が異なるるも
のである。サンプリングインターフェース22を通過
し、サンプリングインターフェース軸13に沿って収束
レンズ14にビームとして入射したイオンは、従来と同
様に、収束レンズ14により収束される。 【0013】収束レンズ14を通過したイオンビーム
は、四重極偏向器20のイオンビーム入射部前方に配置
された偏向器入り口アパーチャ19を通過する。偏向器
入り口アパーチャ19通過するイオンビームの外形を成
形するものである。偏向器15としてほぼ円柱を1/4
に分割した形状でそれぞれ平行且つ対象位置にR面を向
かい合わせた配置の四重極電極20a・20b・20c
・20dよりなる四重極偏向器20に入射口に、イオン
ビームは入射し、1つの四重極電極20cのR面に沿っ
て90度偏向される。四重極偏向器20のイオンビーム
の出射口に配置された補正電極21(補正電極21は4
つの電極、21a・21b・21c・21dにより構成
される。 【0014】収束レンズ14の各電極18a・18b・
18cに適当な電圧を印加することにより、サンプリン
グインターフェース軸13に沿って入射したイオンビー
ムは質量分析器の入口近傍で焦点を結ぶように収束させ
ることができる。四重極偏向器20の四重極電極20a
・20b・20c・20dに適当な電圧を印加すること
により入射したイオンビームを90度偏向させることが
できる。質量分析器入口アパーチャ19は質量分析器軸
17を中心とする穴の開いた板状の形状をしており、適
当な電圧を印加することにより質量分析器8に対して適
当なエネルギーのイオンのビームを送り込む働きをして
いる。この質量分析器入口アパーチャ19は1枚とは限
らず、数枚で構成されることもある。 このように構成
されたイオンレンズでは、検出すべきイオンのビームは
質量分析器8に導く働きをすると共に、検出器9(図1
には図示せず)に対してバックグランドノイズとして悪
影響を及ぼすプラズマの光25や中性粒子23は四重極
偏向器20中で直進して質量分析器8以降には至らせな
い働きをしている。 【0015】補正電極21の各電極、21a・21b・
21c・21dに適当な電圧を印加することにより四重
極偏向器20を出射したイオンビームの軸を質量分析器
入口アパーチャ19の穴に合わせることができる。つま
り、図1に示したイオンビームの軌道24が得られる。 【0016】次に、イオンビームを検出器9に到達しな
いようするシャッター手段について説明する。補正電極
21の各電極、21a・21b・21c・21dの内、
一組の対向した電極(例えば電極21aと電極21b)
には、ブランキング電源30が接続されている。ブラン
キング電源30は、ある程度高い電圧を一組の対向した
電極に印加するものであり、補正電極21を通過しよう
としたイオンビームを質量分析器入口アパーチャ19や
質量分析器8に到達しないようにするものである。つま
り、一組の対向した電極(例えば電極21aと電極21
b)をブランキング電極として作用させるものである。
また、ブランキング電源30には、図示しないスイッチ
が設けられており、任意にブランキング電極としての作
用を制御することができる。つまり、シャッター機構の
機能を有するものである。更には、ブランキング電源3
0のスイッチは、プラズマイオン質量分析装置の実質的
な分析操作を行うスイッチと連動することにより、測定
時以外に自動的に、イオンビームが質量分析器入口アパ
ーチャ19や質量分析器8に到達しないようにすること
ができる。 【0017】更に、別の実施例、特にシャッター手段に
ついておもに説明する。ブランキング電源30の替わり
に、四重極偏向器20の各電極に印加する電圧を変える
ことにより、イオンビームが質量分析器入口アパーチャ
19や質量分析器8に到達しないようにすることができ
る。サンプリングインターフェースから入射したイオン
ビームは測定時には前記の質量分析器8を経て検出器9
に導入して電気信号に変換されるが、測定していない時
には四重極偏向器20の各電極20a・20b・20c
・20dの印加電圧を0Vに設定し偏向角を0度として
イオンビームを直進させることによりシャッター機構を
実現することができる。このシャッター機構により測定
時以外は補正電極21、アパーチャ16、質量分析器
8、検出器9(図示せず)にイオンビームが入射されし
ないため、これらの電極や検出器9に対してイオンに由
来する汚染が回避できる。 【0018】図2において、シャッター手段として、軸
外しイオンレンズの場合の実施例を示す。偏向器15の
偏向電極15a・15bに適当な電圧を印加することに
より入射したイオンビームを偏向させてアパーチャ16
にイオンビームを通過させて質量分析器を経て検出器に
導入して電気信号に変換されるが、測定していない時に
は偏向器15a・15bの印加電圧を0Vに設定し偏向
角を0度としてイオンビームを直進させることによりシ
ャッター機構を実現することができる。このシャッター
機構により測定時以外は16のアパーチャ、8質量分析
器、検出器(図示せず)にイオンビームが入射しないた
め、これらの電極や検出器9に対してイオンに由来する
汚染が回避できる。 【0019】図5に軸外しイオンレンズにおけるイオン
の流路の途中に電磁ソレノイド等のアクチュエータ31
により遮蔽板32を高速に出し入れするシャッター機構
を設けた場合の実施例を示す。図2と同様な部分は、こ
こで説明を省略する。測定していない時には遮蔽板32
をイオンビームの流路(光軸)に入れることのよりシャ
ッター機構を実現することができる。このシャッター機
構により測定時以外は16のアパーチャ、8質量分析
器、検出器(図示せず)にイオンビームが入射しないた
め、これらの電極や検出器に対してイオンに由来する汚
染が回避できる。なお、アクチュエータ31により遮蔽
板32を高速に出し入れするシャッター機構は、サンプ
リングインターフェースと質量分析器8との間ならば、
いかなる所にも配置することができる。 【0020】つまり、前述したシャッター手段を、サン
プリングインターフェースと質量分析器8との間のいか
なる所にも配置することにより、本発明の目的を達成す
ることができる。 【0021】 【発明の効果】本発明によると、従来の技術で問題とな
っていた帯電を引き起こす膜がイオンレンズ、質量分析
器に付着することが少ないために、いつでも安定して検
出することができ検出器の寿命も延ばすことができる。
その結果、信頼性の高い分析が可能になる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の主要部の断面図である。 【図2】従来の装置のイオンレンズ部の断面図である。 【図3】従来の装置の断面図である。 【図4】本発明の主要部の斜視図である。 【図5】別の実施例の主要部の断面図である。 【符号の説明】 1 プラズマ発生装置 2 プラズマ 3 サンプリングコーン 4 スキマーコーン 7 イオンレンズ 8 質量分析器 9 検出器 13 サンプリングインターフェース軸 14 収束レンズ 15 偏向器 17 質量分析軸 20 四重極偏向器 21 補正電極 30 ブランキング電源 31 アクチュエータ 32 遮蔽板
【手続補正書】 【提出日】平成8年10月4日 【手続補正1】 【補正対象書類名】図面 【補正対象項目名】図1 【補正方法】変更 【補正内容】 【図1】 【手続補正2】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】0002 【補正方法】変更 【補正内容】 【0002】 【従来の技術】従来の技術の構成例を図3を用いて説明
する。図3において、1はプラズマ発生装置、2はプラ
ズマ発生装置1により発生したプラズマである。プラズ
マ発生装置1は、例えば「ICP発光分析の基礎と応
用」(原口:著、講談社サイエンティフィク)に開示さ
れている誘導結合プラズマの発生装置や、例えば特開平
1−309300に開示されているマイクロ波誘導プラ
ズマの発生装置がある。分析する試料(図示せず)は、
プラズマ発生装置1によって維持されたプラズマ2に導
入されてイオン化する。3はサンプリングコーン、4は
スキマーコーン、5は真空ポンプである。サンプリング
コーン3は円錐の先端に径が0.8から1.2mmの穴
の開いた形状をしており、スキマーコーン4は円錐の先
端に径が0.3から0.6mmの穴の開いた形状をして
いる。サンプリングインターフェースは、サンプリング
コーン3とスキマーコーン4で構成されている。サンプ
リングコーン3とスキマーコーン4の間は、分析時には
5の真空ポンプ(一般的にはロータリーポンプが使用さ
れる)により1Torr程度に排気される。6は真空容
器、7はイオンレンズ、8は質量分析器、9は検出器、
12はデータ処理部である。真空容器6の内部は、別の
真空ポンプ5、5により排気されており、イオンレンズ
7の設置された部屋で10のマイナス4乗Torr程
度、検出器9の設置された部屋で10のマイナス6乗T
orr程度に維持される。なお別の真空ポンプ5、5
は、ターボ分子ポンプや油拡散ポンプが一般的に使用さ
れている。 【手続補正3】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】0004 【補正方法】変更 【補正内容】 【0004】次にイオンレンズ7について図2を用いて
説明する。図2はイオンレンズの概略構成図である。図
2において、13はサンプリングインターフェース軸、
14a・14b・14cは収束レンズ15の電極、15
a・15bは偏向器15の偏向電極、16はアパーチ
ャ、17は質量分析器軸である。イオンレンズ7は、収
束レンズ14としての電極14a・14b・14c、偏
向器15としての偏向電極15a・15bおよびアパー
チャ16で構成されている。サンプリングインターフェ
ース軸13はサンプリングコーン3の穴とスキマーコー
ン4の穴の中心を外挿したもので、スキマーコーン4の
穴を通過したイオンのビームはサンプリングインターフ
ェース軸13に沿ってイオンレンズに入射する。収束レ
ンズ14は電極14a・14b・14c構成されてお
り、サンプリングインターフェース軸13を中心とする
穴の開いた板状の形状をしている。収束レンズ14の電
極14a・14b・14cの各々に適当な電圧を印加す
るとイオンのビームは収束する。この様な収束レンズ1
4は、アインツェルレンズと呼ばれる。 【手続補正4】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】0013 【補正方法】変更 【補正内容】 【0013】収束レンズ14を通過したイオンビーム
は、四重極偏向器20のイオンビーム入射部前方に配置
された偏向器入り口アパーチャ19を通過する。偏向器
入り口アパーチャ19通過するイオンビームの外形を
成形するものである。偏向器15としてほぼ円柱を1/
4に分割した形状でそれぞれ平行且つ対称位置にR面を
向かい合わせた配置の四重極電極20a・20b・20
c・20dよりなる四重極偏向器20入射口に、イオ
ンビームは入射し、1つの四重極電極20cのR面に沿
って90度偏向される。四重極偏向器20のイオンビー
ムの出射口に配置された補正電極21(補正電極21は
4つの電極、21a・21b・21c・21dにより構
成される。 【手続補正5】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】0014 【補正方法】変更 【補正内容】 【0014】収束レンズ14の各電極14a・14b・
14cに適当な電圧を印加することにより、サンプリン
グインターフェース軸13に沿って入射したイオンビー
ムは質量分析器の入口近傍で焦点を結ぶように収束さ
せることができる。四重極偏向器20の四重極電極20
a・20b・20c・20dに適当な電圧を印加するこ
とにより入射したイオンビームを90度偏向させること
ができる。質量分析器入口アパーチャ19は質量分析器
軸17を中心とする穴の開いた板状の形状をしており、
適当な電圧を印加することにより質量分析器8に対して
適当なエネルギーのイオンのビームを送り込む働きをし
ている。この質量分析器入口アパーチャ19は1枚とは
限らず、数枚で構成されることもある。 このように構
成されたイオンレンズ、検出すべきイオンのビーム
質量分析器8に導く働きをすると共に、検出器9(図1
には図示せず)に対してバックグランドノイズとして悪
影響を及ぼすプラズマの光25や中性粒子23は四重極
偏向器20中で直進して質量分析器8以降には至らせな
い働きをしている。 【手続補正6】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】0017 【補正方法】変更 【補正内容】 【0017】更に、別の実施例、特にシャッター手段に
ついておもに説明する。ブランキング電源30の替わり
に、四重極偏向器20の各電極に印加する電圧を変える
ことにより、イオンビームが質量分析器入口アパーチャ
19や質量分析器8に到達しないようにすることができ
る。サンプリングインターフェースから入射したイオン
ビームは測定時には前記の質量分析器8を経て検出器9
に導入して電気信号に変換されるが、測定していない時
には四重極偏向器20の各電極20a・20b・20c
・20dの印加電圧を0Vに設定し偏向角を0度として
イオンビームを直進させることによりシャッター機構を
実現することができる。このシャッター機構により測定
時以外は補正電極21、アパーチャ16、質量分析器
8、検出器9(図1には図示せず)にイオンビームが入
射されしないため、これらの電極や検出器に対してイオ
ンに由来する汚染が回避できる。 【手続補正7】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】0018 【補正方法】変更 【補正内容】 【0018】図2において、シャッター手段として、軸
外しイオンレンズの場合の実施例を示す。偏向器15の
偏向電極15a・15bに適当な電圧を印加することに
より入射したイオンビームを偏向させてアパーチャ16
にイオンビームを通過させて質量分析器を経て検出器に
導入して電気信号に変換されるが、測定していない時に
は偏向器15a・15bの印加電圧を0Vに設定し偏向
角を0度としてイオンビームを直進させることによりシ
ャッター機構を実現することができる。このシャッター
機構により測定時以外はアパーチャ16質量分析器
、検出器(図示せず)にイオンビームが入射しない
ため、これらの補正電極等の電極や検出器に対してイオ
ンに由来する汚染が回避できる。 【手続補正8】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】0019 【補正方法】変更 【補正内容】 【0019】図5に軸外しイオンレンズにおけるイオン
の流路の途中に電磁ソレノイド等のアクチュエータ31
により遮蔽板32を高速に出し入れするシャッター機構
を設けた場合の実施例を示す。図2と同様な部分は、こ
こで説明を省略する。測定していない時には遮蔽板32
をイオンビームの流路(光軸)に入れることよりシャ
ッター機構を実現することができる。このシャッター機
構により測定時以外はアパーチャ16質量分析器8
検出器9(図示せず)にイオンビームが入射しないた
め、これらの電極、補助電極21や検出器に対してイオ
ンに由来する汚染が回避できる。なお、アクチュエータ
31により遮蔽板32を高速に出し入れするシャッター
機構は、サンプリングインターフェースと質量分析器8
との間ならば、いかなる所にも配置することができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 試料をプラズマ中でイオン化するプラズ
    マイオン源と、生成したイオンを真空容器内に導くサン
    プリングインターフェースと、前記真空容器内に設置さ
    れた前記イオンを収束させるためのイオンレンズと、前
    記イオンを質量分離する質量分析器と、前記質量分析器
    により分離された所定の質量のイオンを検出する検出器
    を有するプラズマイオン質量分析装置において、試料を
    質量分析している時間以外の期間はプラズマイオン源か
    ら前記質量分析器へのイオン又は粒子の流入を防ぐため
    のシャッター手段を設けたことを特徴とするプラズマイ
    オン源質量分析装置。 【請求項2】 前記シャッター手段は前記イオンを90
    度偏向させる90度偏向電極を備え前記偏向電極に印加
    させる電位及び極性を変化させるシャッター手段である
    請求項1記載のプラズマイオン源質量分析装置。 【請求項3 】 前記シャッター手段は前記イオンを収束
    するための軸ずらし型電極であり、前記軸ずらし型電極
    に印加させる電位及び極性を変化させるシャッター手段
    である請求項1記載のプラズマイオン源質量分析装置。 【請求項4】 前記シャッター手段は前記プラズマイオ
    ン質量分析装置において、プラズマから生成したイオン
    の流路の途中にイオン流を遮るための遮蔽板を出し入れ
    するシャッター手段である請求項1記載のプラズマイオ
    ン源質量分析装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008192519A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Shimadzu Corp イオン偏向装置及び質量分析装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3727047B2 (ja) * 1999-07-30 2005-12-14 住友イートンノバ株式会社 イオン注入装置
JP3827132B2 (ja) * 1999-07-30 2006-09-27 株式会社 Sen−Shi・アクセリス カンパニー イオン注入装置及びイオン注入方法
WO2007093050A1 (en) * 2006-02-13 2007-08-23 Olga Ornatsky Gene expression assays conducted by elemental analysis
JP5469823B2 (ja) * 2008-04-25 2014-04-16 アジレント・テクノロジーズ・インク プラズマイオン源質量分析装置
US8796620B2 (en) 2011-06-08 2014-08-05 Mks Instruments, Inc. Mass spectrometry for gas analysis with a one-stage charged particle deflector lens between a charged particle source and a charged particle analyzer both offset from a central axis of the deflector lens
US8796638B2 (en) 2011-06-08 2014-08-05 Mks Instruments, Inc. Mass spectrometry for a gas analysis with a two-stage charged particle deflector lens between a charged particle source and a charged particle analyzer both offset from a central axis of the deflector lens
US8450681B2 (en) 2011-06-08 2013-05-28 Mks Instruments, Inc. Mass spectrometry for gas analysis in which both a charged particle source and a charged particle analyzer are offset from an axis of a deflector lens, resulting in reduced baseline signal offsets
US8410704B1 (en) * 2011-11-30 2013-04-02 Agilent Technologies, Inc. Ionization device
US9373492B2 (en) 2013-03-14 2016-06-21 The University Of North Carolina At Chapel Hill Microscale mass spectrometry systems, devices and related methods

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2781585B2 (ja) * 1988-02-24 1998-07-30 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ発生装置及びマイクロ波プラズマ質量分析装置
JP2543761B2 (ja) * 1989-03-23 1996-10-16 セイコー電子工業株式会社 誘導結合プラズマ質量分析装置
JPH0466862A (ja) * 1990-07-06 1992-03-03 Hitachi Ltd 高感度元素分析法及び装置
JP3188794B2 (ja) * 1993-09-10 2001-07-16 セイコーインスツルメンツ株式会社 プラズマイオン源質量分析装置
JP3367719B2 (ja) * 1993-09-20 2003-01-20 株式会社日立製作所 質量分析計および静電レンズ
JP3240857B2 (ja) * 1994-10-11 2001-12-25 株式会社日立製作所 プラズマイオン質量分析装置及びプラズマイオン質量分析方法
JP3492081B2 (ja) * 1996-05-15 2004-02-03 セイコーインスツルメンツ株式会社 プラズマイオン源質量分析装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008192519A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Shimadzu Corp イオン偏向装置及び質量分析装置

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