JPH09115665A - デュアル基板フルカラーｔｆｅｌディスプレイパネルのための電極構造およびディスプレイパネル - Google Patents
デュアル基板フルカラーｔｆｅｌディスプレイパネルのための電極構造およびディスプレイパネルInfo
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- JPH09115665A JPH09115665A JP8267249A JP26724996A JPH09115665A JP H09115665 A JPH09115665 A JP H09115665A JP 8267249 A JP8267249 A JP 8267249A JP 26724996 A JP26724996 A JP 26724996A JP H09115665 A JPH09115665 A JP H09115665A
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- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フルカラーＴＦＥＬディスプレイは、青色の
光と赤および緑色の組合せの光とを放射する積層された
パネルを含んでいる。この種のディスプレイにおいて、
ディスプレイの電極に小さなピンホールの欠陥が生じる
と、そのピンホールの欠陥は生長しそして全体の行また
は列の電極を全く不動作にしてしまう。 【解決手段】 観察者に最も近いパネルは、両側に透明
電極とピンホールの欠陥の影響を軽減する走査電極のた
めの絶縁ブリッジ構造とを採用している。観察者から最
も遠いパネルは上面が透明な電極を採用している。走査
側上の各行電極は、パネルを横切って延びている絶縁ブ
リッジと、そしてそれからサブ画素点を形成するために
ブリッジの横にＥＬの積層に通じて延びているＩＴＯパ
ッドとを含んでいる。母線は行のすべての画素パッドを
接続し、そして走査電圧を供給する。絶縁ブリッジは、
ショートした場合に、母線がショートするのを防止しそ
して画素パッドが溶けてオープンになるようにする。
光と赤および緑色の組合せの光とを放射する積層された
パネルを含んでいる。この種のディスプレイにおいて、
ディスプレイの電極に小さなピンホールの欠陥が生じる
と、そのピンホールの欠陥は生長しそして全体の行また
は列の電極を全く不動作にしてしまう。 【解決手段】 観察者に最も近いパネルは、両側に透明
電極とピンホールの欠陥の影響を軽減する走査電極のた
めの絶縁ブリッジ構造とを採用している。観察者から最
も遠いパネルは上面が透明な電極を採用している。走査
側上の各行電極は、パネルを横切って延びている絶縁ブ
リッジと、そしてそれからサブ画素点を形成するために
ブリッジの横にＥＬの積層に通じて延びているＩＴＯパ
ッドとを含んでいる。母線は行のすべての画素パッドを
接続し、そして走査電圧を供給する。絶縁ブリッジは、
ショートした場合に、母線がショートするのを防止しそ
して画素パッドが溶けてオープンになるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】以下の発明は、デュアル基板
フルカラー薄膜エレクトロルミネッセントデバイス（Ｔ
ＦＥＬ）ディスプレイに関し、そして特に、パネルの欠
陥と焼損を軽減するために、新規な電極の絶縁ブリッジ
構造を採用しているフルカラーディスプレイデバイスに
関する。
フルカラー薄膜エレクトロルミネッセントデバイス（Ｔ
ＦＥＬ）ディスプレイに関し、そして特に、パネルの欠
陥と焼損を軽減するために、新規な電極の絶縁ブリッジ
構造を採用しているフルカラーディスプレイデバイスに
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＥＬディスプレイでフルカラーを達
成する１つの方法は、独立にアドレス可能で、異なった
色を放射する積層された前部と後部のＴＦＥＬパネルの
使用を通してである。そのようなディスプレイにおいて
は、後部パネルからの光が観察者へ通り抜けるようにす
るために、透明電極が前部（観察者に最も近い）パネル
に使用されている。前部および後部パネルの画素は整列
しているが、しかし、パネルは独立にアドレス可能であ
り、そしてスペーサによって分離されている。そのよう
な構造の例は、２色のＴＦＥＬデバイス"MULTI-COLORED
THIN FILM ELECTROLUMINESCENT DISPLAY," U.S. Paten
t No. 4,719,385 に示されている。上記特許は、各独
立にアドレス可能なＴＦＥＬパネルにおいて２つの異な
った色の発光体を使用するデュアルカラーディスプレイ
を提供している。
成する１つの方法は、独立にアドレス可能で、異なった
色を放射する積層された前部と後部のＴＦＥＬパネルの
使用を通してである。そのようなディスプレイにおいて
は、後部パネルからの光が観察者へ通り抜けるようにす
るために、透明電極が前部（観察者に最も近い）パネル
に使用されている。前部および後部パネルの画素は整列
しているが、しかし、パネルは独立にアドレス可能であ
り、そしてスペーサによって分離されている。そのよう
な構造の例は、２色のＴＦＥＬデバイス"MULTI-COLORED
THIN FILM ELECTROLUMINESCENT DISPLAY," U.S. Paten
t No. 4,719,385 に示されている。上記特許は、各独
立にアドレス可能なＴＦＥＬパネルにおいて２つの異な
った色の発光体を使用するデュアルカラーディスプレイ
を提供している。
【０００３】フルカラーＴＦＥＬディスプレイデバイス
は、Barrow他による"FULL COLOR HYBRID TFEL DISPLAY
SCREEN," U.S. Patent No. 4,801,844に示されている。
その’844 特許のフルカラー表示スクリーンは、後部の
青色を放射するＴＦＥＬパネルと、そして交互に赤と緑
色光を放射する縞状にパターン化された発光体材料を有
している前部のＴＦＥＬパネルデバイスとを採用してい
る。前部と後部のパネルは独立にアドレス可能である。
これらは受動マトリックスデバイスであり、そして行と
列の電極の交点に光の画素点をつくるために、薄層をな
すエレクトロルミネッセントの積層を間に挟んでいる行
と列の電極の相互に直交する組を採用しているようであ
る。表面または前部の赤と緑色ＴＦＥＬパネルは、後部
または裏面の青色パネルからの光が、そしてそれ（青色
パネル）はまた透明な表面電極を採用しているけれど
も、三原色をつくるためにそれと共に混合され、それに
よってフルカラーディスプレイを提供するように透明電
極を採用している。
は、Barrow他による"FULL COLOR HYBRID TFEL DISPLAY
SCREEN," U.S. Patent No. 4,801,844に示されている。
その’844 特許のフルカラー表示スクリーンは、後部の
青色を放射するＴＦＥＬパネルと、そして交互に赤と緑
色光を放射する縞状にパターン化された発光体材料を有
している前部のＴＦＥＬパネルデバイスとを採用してい
る。前部と後部のパネルは独立にアドレス可能である。
これらは受動マトリックスデバイスであり、そして行と
列の電極の交点に光の画素点をつくるために、薄層をな
すエレクトロルミネッセントの積層を間に挟んでいる行
と列の電極の相互に直交する組を採用しているようであ
る。表面または前部の赤と緑色ＴＦＥＬパネルは、後部
または裏面の青色パネルからの光が、そしてそれ（青色
パネル）はまた透明な表面電極を採用しているけれど
も、三原色をつくるためにそれと共に混合され、それに
よってフルカラーディスプレイを提供するように透明電
極を採用している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】すべてのそのようなデ
ィスプレイについての１つの問題は、ショートによって
引き起こされる電極の点状の欠陥の発生である。点状の
欠陥は伝搬し、そして電極を焼損させる。この課題は、
上述した種類の積層されたデュアルパネルの色スクリー
ンの前部および後部パネルに使用されるような薄い透明
電極について特に烈しい。電極は透明に留まっているた
めに薄くなければならず、そして最もしばしば選ばれる
材料のインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）は、特に焼損し
易い。
ィスプレイについての１つの問題は、ショートによって
引き起こされる電極の点状の欠陥の発生である。点状の
欠陥は伝搬し、そして電極を焼損させる。この課題は、
上述した種類の積層されたデュアルパネルの色スクリー
ンの前部および後部パネルに使用されるような薄い透明
電極について特に烈しい。電極は透明に留まっているた
めに薄くなければならず、そして最もしばしば選ばれる
材料のインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）は、特に焼損し
易い。
【０００５】焼損は、ショートが起こる電極の領域に限
らず、電極の全体の長さに沿って広がり得る。こうし
て、時間とともに、電極の小さなピンホールの欠陥は生
長し、そして全体の行または列の電極が全く不動作にな
ることを生じさせるかも知れない。
らず、電極の全体の長さに沿って広がり得る。こうし
て、時間とともに、電極の小さなピンホールの欠陥は生
長し、そして全体の行または列の電極が全く不動作にな
ることを生じさせるかも知れない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】焼損の伝搬は、ＴＦＥＬ
の積層を横切って平行ラインにのびている複数の細長い
絶縁ブリッジを含んでいる、薄膜エレクトロルミネッセ
ントデバイスのための電極構造を含む本発明により軽減
される。導電材料の複数の薄い画素パッドが絶縁ブリッ
ジの頂上に沈積され、そしてそのブリッジからＴＦＥＬ
の積層の領域上に横に延びている。パッドは、画素エレ
メントを形成するためにＴＦＥＬの積層の反対側に沈積
された電極アレイと通常同一の広がりをもって延びてい
る。複数の細い母線が薄い画素パッドの行の上に配置さ
れ、そしてＴＦＥＬディスプレイのその側に電圧を供給
する駆動エレクトロニクスに接続されている。
の積層を横切って平行ラインにのびている複数の細長い
絶縁ブリッジを含んでいる、薄膜エレクトロルミネッセ
ントデバイスのための電極構造を含む本発明により軽減
される。導電材料の複数の薄い画素パッドが絶縁ブリッ
ジの頂上に沈積され、そしてそのブリッジからＴＦＥＬ
の積層の領域上に横に延びている。パッドは、画素エレ
メントを形成するためにＴＦＥＬの積層の反対側に沈積
された電極アレイと通常同一の広がりをもって延びてい
る。複数の細い母線が薄い画素パッドの行の上に配置さ
れ、そしてＴＦＥＬディスプレイのその側に電圧を供給
する駆動エレクトロニクスに接続されている。
【０００７】母線は、観察者に面している母線の側にお
いて光吸収であり、周囲の部屋の光を吸収しそしてディ
スプレイのコントラストを改善するように設計されてい
る材料の層の連続で作られている。母線は、パネルを通
して光の伝達を妨げないように細いけれども、しかし、
高い走査電圧に対して低い抵抗率を提供するために厚く
作られている。
いて光吸収であり、周囲の部屋の光を吸収しそしてディ
スプレイのコントラストを改善するように設計されてい
る材料の層の連続で作られている。母線は、パネルを通
して光の伝達を妨げないように細いけれども、しかし、
高い走査電圧に対して低い抵抗率を提供するために厚く
作られている。
【０００８】母線とＴＦＥＬの積層間に存在する絶縁ブ
リッジは電気的なブレークダウンを防ぐためにある。こ
れは、母線の厚さのため、もし電気的なブレークダウン
が生じたならば、それは母線の全長に沿って伝搬しそう
である、という理由から重要である。
リッジは電気的なブレークダウンを防ぐためにある。こ
れは、母線の厚さのため、もし電気的なブレークダウン
が生じたならば、それは母線の全長に沿って伝搬しそう
である、という理由から重要である。
【０００９】画素パッドは絶縁ブリッジの頂上に存在
し、そして、交互のカラー画素点を形成するために、積
層の他の側の列電極と整列してＴＦＥＬの積層上に横に
延びている。母線のための絶縁ブリッジ構造の故に、個
々の画素パッドにおいて生じるパネルの点欠陥はパッド
の領域に限られるであろう。その理由は、画素パッドの
ために使用される薄いＩＴＯは、単一の画素の領域のみ
を占める欠陥を残して、絶縁ブリッジの端において溶け
てオープンになりそうだからである。
し、そして、交互のカラー画素点を形成するために、積
層の他の側の列電極と整列してＴＦＥＬの積層上に横に
延びている。母線のための絶縁ブリッジ構造の故に、個
々の画素パッドにおいて生じるパネルの点欠陥はパッド
の領域に限られるであろう。その理由は、画素パッドの
ために使用される薄いＩＴＯは、単一の画素の領域のみ
を占める欠陥を残して、絶縁ブリッジの端において溶け
てオープンになりそうだからである。
【００１０】電極構造は特に、エレクトロルミネッセン
トの薄い積層のどちらかの側の透明電極とともに使用す
るために適合され、そして全体構造が、フルカラーＴＦ
ＥＬパネルを形成するために、他のＴＦＥＬデバイスと
積層される関係に置かれ得るようになっている。
トの薄い積層のどちらかの側の透明電極とともに使用す
るために適合され、そして全体構造が、フルカラーＴＦ
ＥＬパネルを形成するために、他のＴＦＥＬデバイスと
積層される関係に置かれ得るようになっている。
【００１１】本発明によって組み立てられたフルカラー
パネルは、第１の色の光を放射する第１の独立にアドレ
ス可能なエレクトロルミネッセントパネルと、第１のパ
ネルと整列されそして第１および第２の電極アレイによ
って挟まれた第２の独立にアドレス可能なエレクトロル
ミネッセントパネルとを含んでいる。第２のエレクトロ
ルミネッセントパネルは、第２および第３の色の光を放
射し、その中において、電極アレイの１つが絶縁ブリッ
ジ構造を有する細長い電極部材と上述したような透明で
電気的に導電性の材料でできた複数の画素パッドとを含
んでいる、薄層をなすＥＬの積層を含んでいる。
パネルは、第１の色の光を放射する第１の独立にアドレ
ス可能なエレクトロルミネッセントパネルと、第１のパ
ネルと整列されそして第１および第２の電極アレイによ
って挟まれた第２の独立にアドレス可能なエレクトロル
ミネッセントパネルとを含んでいる。第２のエレクトロ
ルミネッセントパネルは、第２および第３の色の光を放
射し、その中において、電極アレイの１つが絶縁ブリッ
ジ構造を有する細長い電極部材と上述したような透明で
電気的に導電性の材料でできた複数の画素パッドとを含
んでいる、薄層をなすＥＬの積層を含んでいる。
【００１２】第２の独立にアドレス可能なＥＬの積層に
おけるエレクトロルミネッセントの発光体材料は、色放
射特性を交互にするような縞状にパターン化されてい
る。例えば、発光体の縞は、交互に赤および緑色をつく
るエレクトロルミネッセント材料であり得る。所望であ
れば、もし赤色フィルタが黄色をつくる発光体の縞を有
するラインに採用されるならば、緑と黄色光をつくる発
光体が使用され得る。
おけるエレクトロルミネッセントの発光体材料は、色放
射特性を交互にするような縞状にパターン化されてい
る。例えば、発光体の縞は、交互に赤および緑色をつく
るエレクトロルミネッセント材料であり得る。所望であ
れば、もし赤色フィルタが黄色をつくる発光体の縞を有
するラインに採用されるならば、緑と黄色光をつくる発
光体が使用され得る。
【００１３】本発明の、前述のおよび別の目的、特徴お
よび効果は、添付図面に関連して取られた、以下の本発
明の詳細な説明を考慮の上でより容易に理解されるであ
ろう。
よび効果は、添付図面に関連して取られた、以下の本発
明の詳細な説明を考慮の上でより容易に理解されるであ
ろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照し、発明の
実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。デュア
ルカラーＴＦＥＬデバイスのための絶縁ブリッジ構造が
図１に示されている。赤／緑色ＴＦＥＬパネル１０が、
フルカラーディスプレイを形成するために青色を放射す
るＴＦＥＬパネル１２とともに積層されている。この形
状においては、青色パネル１２は後部のＴＦＥＬデバイ
スであり、そして観察者は前部（赤／緑色）のパネル１
０の向かう側にいる。図１は、透明なＩＴＯ列電極１４
が観察者に最も近い赤／緑色パネル１０の一部を示して
いる。列電極１４の下に、黄色光を放射するＺｎＳ：Ｍ
ｎの交互の発光体の縞とともにパターン化されたＺｎ
Ｓ：Ｔｂのような緑色光を放射する発光体を含んでいる
薄層をなすＴＦＥＬの積層１６がある。黄色を放射する
パターン化された発光体の縞は、無機のＣｄＳＳｅの帯
端吸収フィルタを使用することによって赤色光を供給す
るために濾波され得る。光学的干渉フィルタは角度依存
であり、そして有機の吸収フィルタはパネルの製造に必
要な熱処理に堪えられないという理由から、無機の吸収
フィルタが好ましい。
実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。デュア
ルカラーＴＦＥＬデバイスのための絶縁ブリッジ構造が
図１に示されている。赤／緑色ＴＦＥＬパネル１０が、
フルカラーディスプレイを形成するために青色を放射す
るＴＦＥＬパネル１２とともに積層されている。この形
状においては、青色パネル１２は後部のＴＦＥＬデバイ
スであり、そして観察者は前部（赤／緑色）のパネル１
０の向かう側にいる。図１は、透明なＩＴＯ列電極１４
が観察者に最も近い赤／緑色パネル１０の一部を示して
いる。列電極１４の下に、黄色光を放射するＺｎＳ：Ｍ
ｎの交互の発光体の縞とともにパターン化されたＺｎ
Ｓ：Ｔｂのような緑色光を放射する発光体を含んでいる
薄層をなすＴＦＥＬの積層１６がある。黄色を放射する
パターン化された発光体の縞は、無機のＣｄＳＳｅの帯
端吸収フィルタを使用することによって赤色光を供給す
るために濾波され得る。光学的干渉フィルタは角度依存
であり、そして有機の吸収フィルタはパネルの製造に必
要な熱処理に堪えられないという理由から、無機の吸収
フィルタが好ましい。
【００１５】ＴＦＥＬの積層の後ろに、行または走査電
極構造の一部を形成する絶縁ブリッジ１８がある。行電
極構造はまた、母線２０、および母線２０と絶縁ブリッ
ジ１８との間に挟まれた薄いＩＴＯパッド２２を含んで
いる。絶縁ブリッジは５，０００Åの厚さのＳｉＯ2 の
層である。このブリッジは、たとえ層から層への整列が
数ミクロン不正確であっても、母線２０が完全にブリッ
ジ上に残ることを保証するために母線２０より１０から
２０μｍまで広く設計されている。ブリッジ１８は先が
細くなっていて、その結果、薄いＩＴＯパッド２２，２
４は、そうでなかったらフィルムを破損に導くかも知れ
ないどんな不連続もなくＴＦＥＬの積層１６の表面と連
れ添われる。母線２０は、低抵抗の電圧取扱い能力を提
供するために十分に厚くされるが、しかし、光の妨害の
量を最小限にするように観察する方向において狭くなさ
れる。好ましくは、各母線２０は、赤／緑色側に光吸収
性であるために設計されている層の連続でつくられてい
る。第１の層は、６００ÅのＩＴＯ層とアルミニウムの
バランスとが続いているクロミウムの５０Åの層であ
る。観察者に面している母線の表面は、電気的伝導性を
留めて光吸収性の多層構造に帰着するためにこれらの正
確な組合わせにおけるクロミウム、ＩＴＯおよびアルミ
ニウムの層を適用することによってこうして暗くされ
る。
極構造の一部を形成する絶縁ブリッジ１８がある。行電
極構造はまた、母線２０、および母線２０と絶縁ブリッ
ジ１８との間に挟まれた薄いＩＴＯパッド２２を含んで
いる。絶縁ブリッジは５，０００Åの厚さのＳｉＯ2 の
層である。このブリッジは、たとえ層から層への整列が
数ミクロン不正確であっても、母線２０が完全にブリッ
ジ上に残ることを保証するために母線２０より１０から
２０μｍまで広く設計されている。ブリッジ１８は先が
細くなっていて、その結果、薄いＩＴＯパッド２２，２
４は、そうでなかったらフィルムを破損に導くかも知れ
ないどんな不連続もなくＴＦＥＬの積層１６の表面と連
れ添われる。母線２０は、低抵抗の電圧取扱い能力を提
供するために十分に厚くされるが、しかし、光の妨害の
量を最小限にするように観察する方向において狭くなさ
れる。好ましくは、各母線２０は、赤／緑色側に光吸収
性であるために設計されている層の連続でつくられてい
る。第１の層は、６００ÅのＩＴＯ層とアルミニウムの
バランスとが続いているクロミウムの５０Åの層であ
る。観察者に面している母線の表面は、電気的伝導性を
留めて光吸収性の多層構造に帰着するためにこれらの正
確な組合わせにおけるクロミウム、ＩＴＯおよびアルミ
ニウムの層を適用することによってこうして暗くされ
る。
【００１６】薄いＩＴＯの画素パッド２２，２４は、薄
層をなす積層１６上の各点に走査電圧を供給する。これ
らの画素パッド２２，２４は、交互の色の光の画素点を
つくるように、ＴＦＥＬの積層１６のパターン化された
発光体の縞とそれぞれ整列されている。３つのそのよう
なパッドだけが図１に示されているけれども、しかし、
パッドはパネルを横切って交替し、そしてパターン化さ
れた発光体の縞（図示されない）と列電極１４とに同一
の広がりをもって整列されていることが理解されるべき
である。それ故、列電極があるのと同数の行当たりの画
素パッドがあるであろう。
層をなす積層１６上の各点に走査電圧を供給する。これ
らの画素パッド２２，２４は、交互の色の光の画素点を
つくるように、ＴＦＥＬの積層１６のパターン化された
発光体の縞とそれぞれ整列されている。３つのそのよう
なパッドだけが図１に示されているけれども、しかし、
パッドはパネルを横切って交替し、そしてパターン化さ
れた発光体の縞（図示されない）と列電極１４とに同一
の広がりをもって整列されていることが理解されるべき
である。それ故、列電極があるのと同数の行当たりの画
素パッドがあるであろう。
【００１７】観察者の透視画像からのこのレイアウトが
図２に示されている。観察者は複数の透明列電極１４に
面する。観察者から反対の面には、破線の略図で示され
る絶縁ブリッジ１８、母線２０および画素パッド２２，
２４の組合わせによって形成される行電極がある。円３
６によって指示される単一の画素は、交互の色について
２つの並んだ画素パッド２２，２４と、青色パネル１２
から青色光を放射する下にある画素とを必要としている
ことが理解されよう。
図２に示されている。観察者は複数の透明列電極１４に
面する。観察者から反対の面には、破線の略図で示され
る絶縁ブリッジ１８、母線２０および画素パッド２２，
２４の組合わせによって形成される行電極がある。円３
６によって指示される単一の画素は、交互の色について
２つの並んだ画素パッド２２，２４と、青色パネル１２
から青色光を放射する下にある画素とを必要としている
ことが理解されよう。
【００１８】フルカラーパネルの完全なデュアル基板構
造が図３に示されている。観察者の側においては、赤／
緑色パネル１０は、交互のＩＴＯの列またはデータ電極
１４と整列している赤色フィルタ４２が適用されている
透明基板４０によって支えられている。障壁層４６が赤
色フィルタ４２と列電極１４との間に挟まれている。障
壁層は、赤色フィルタをパネルの残余の部分から化学的
および電気的の両方で分離する酸化アルミニウムの層で
ある。エレクトロルミネッセントの積層は、黄色の発光
体４８と緑色を生成する発光体５０の交互の縞からなっ
ている。発光体の材料はＡＴＯ絶縁層５２および５４間
に挟まれている。ＡＴＯ絶縁物は、以下に説明されるよ
うに原子層エピタキシーによってつくられたアルミニウ
ムと酸化チタンの混合物である。絶縁ブリッジ１８はＡ
ＴＯ絶縁物５４上に沈積され、そしてＩＴＯパッド２
２，２４は絶縁ブリッジ１８の頂上に沈積されそしてＡ
ＴＯ絶縁層５４に対して平坦に置かれる。アルミニウム
の母線２０は、ＩＴＯパッド２２，２４のエッジを挟ん
でいる絶縁ブリッジ１８と整列されている。
造が図３に示されている。観察者の側においては、赤／
緑色パネル１０は、交互のＩＴＯの列またはデータ電極
１４と整列している赤色フィルタ４２が適用されている
透明基板４０によって支えられている。障壁層４６が赤
色フィルタ４２と列電極１４との間に挟まれている。障
壁層は、赤色フィルタをパネルの残余の部分から化学的
および電気的の両方で分離する酸化アルミニウムの層で
ある。エレクトロルミネッセントの積層は、黄色の発光
体４８と緑色を生成する発光体５０の交互の縞からなっ
ている。発光体の材料はＡＴＯ絶縁層５２および５４間
に挟まれている。ＡＴＯ絶縁物は、以下に説明されるよ
うに原子層エピタキシーによってつくられたアルミニウ
ムと酸化チタンの混合物である。絶縁ブリッジ１８はＡ
ＴＯ絶縁物５４上に沈積され、そしてＩＴＯパッド２
２，２４は絶縁ブリッジ１８の頂上に沈積されそしてＡ
ＴＯ絶縁層５４に対して平坦に置かれる。アルミニウム
の母線２０は、ＩＴＯパッド２２，２４のエッジを挟ん
でいる絶縁ブリッジ１８と整列されている。
【００１９】青色パネル１２は後部基板６０によって支
えられている。列電極６２は、その後にＡＴＯ絶縁物６
１および結晶化層６４が引き続いてある基板６０上に沈
積されている。これ（結晶化層）は、パネル製造のアニ
ーリングフェース中に青色発光体のグレインの成長を促
進する薄いＺｎＳの層である。次に、Ｃｅが活性化され
たアルカリ土類のチオ没食子酸塩の形態の青色発光体材
料６６が結晶化層６４上に沈積されている。パネルを完
成するために、ＡＴＯ絶縁物６８が発光体層の頂上に置
かれそして行電極構造が絶縁物の頂上に置かれる。赤／
緑色パネル１０に関するように、行電極構造は絶縁ブリ
ッジ７０、画素パッド７２およびアルミニウムの母線７
４を含んでいる。画素パッド７２は整列され、そしてＩ
ＴＯ列電極６２と同一の広がりをもっている。アルミニ
ウムの母線７４および組合わされた絶縁ブリッジ７０
は、ＩＴＯ列電極６２の右すみにおいて実質的に格子に
整列されている。
えられている。列電極６２は、その後にＡＴＯ絶縁物６
１および結晶化層６４が引き続いてある基板６０上に沈
積されている。これ（結晶化層）は、パネル製造のアニ
ーリングフェース中に青色発光体のグレインの成長を促
進する薄いＺｎＳの層である。次に、Ｃｅが活性化され
たアルカリ土類のチオ没食子酸塩の形態の青色発光体材
料６６が結晶化層６４上に沈積されている。パネルを完
成するために、ＡＴＯ絶縁物６８が発光体層の頂上に置
かれそして行電極構造が絶縁物の頂上に置かれる。赤／
緑色パネル１０に関するように、行電極構造は絶縁ブリ
ッジ７０、画素パッド７２およびアルミニウムの母線７
４を含んでいる。画素パッド７２は整列され、そしてＩ
ＴＯ列電極６２と同一の広がりをもっている。アルミニ
ウムの母線７４および組合わされた絶縁ブリッジ７０
は、ＩＴＯ列電極６２の右すみにおいて実質的に格子に
整列されている。
【００２０】一定の方法が、上述した種類の実際的な、
フルカラーのデュアル基板パネルを作るために重要であ
る。赤／緑色パネルの低い絶縁物５２は原子層エピタキ
シー（ＡＬＥ）によって作られる。この方法は、論文
“A Creen Emitting Thin FilmElectroluminescent Dev
ice by Atomic Layer Epitaxy (ALE). ”Harkonen, eta
l., SID 1990, paqes 232 −235 に述べられている。加
えて、薄いＡＬＥのウェット・エッチングの障壁が緑色
の光を放射する発光材料を沈積するのに使われる。赤色
と緑色の発光体間の障壁は、６００ÅのＡＬＥ酸化アル
ミニウムのフィルムである。この層は、緑色の直後に沈
積されパターン化されたＺｎＳ：Ｍｎの黄色の発光体の
ウェット・エッチング中に、緑色のＺｎＳ：Ｔｂの発光
体を守るのに十分である。ウェット・エッチングの障壁
は非常に薄くなければならず、その理由は、もしそれが
より厚いならば、それがフィルムの積層の中においてう
しろに残りそして電圧閾値をあまりに高くに増加しそう
だからである。青色のパネルもまた、底のＡＬＥ絶縁物
と上のＡＬＥ絶縁物を採用している。両方とも、電圧閾
値を高めることなく、ピンホールの欠陥を防ぐために必
要である。
フルカラーのデュアル基板パネルを作るために重要であ
る。赤／緑色パネルの低い絶縁物５２は原子層エピタキ
シー（ＡＬＥ）によって作られる。この方法は、論文
“A Creen Emitting Thin FilmElectroluminescent Dev
ice by Atomic Layer Epitaxy (ALE). ”Harkonen, eta
l., SID 1990, paqes 232 −235 に述べられている。加
えて、薄いＡＬＥのウェット・エッチングの障壁が緑色
の光を放射する発光材料を沈積するのに使われる。赤色
と緑色の発光体間の障壁は、６００ÅのＡＬＥ酸化アル
ミニウムのフィルムである。この層は、緑色の直後に沈
積されパターン化されたＺｎＳ：Ｍｎの黄色の発光体の
ウェット・エッチング中に、緑色のＺｎＳ：Ｔｂの発光
体を守るのに十分である。ウェット・エッチングの障壁
は非常に薄くなければならず、その理由は、もしそれが
より厚いならば、それがフィルムの積層の中においてう
しろに残りそして電圧閾値をあまりに高くに増加しそう
だからである。青色のパネルもまた、底のＡＬＥ絶縁物
と上のＡＬＥ絶縁物を採用している。両方とも、電圧閾
値を高めることなく、ピンホールの欠陥を防ぐために必
要である。
【００２１】前述の明細書において採用された用語と表
現は説明の用語としてそして限定の用語としてではなく
その中において使用されていて、そしてそのような用語
と表現の使用においては、示されそして説明された特徴
と等価なものやそれから派生する部分を排除する意図は
なく、そして本発明の範囲は請求の範囲によってのみ規
定され限定されることが認められる。
現は説明の用語としてそして限定の用語としてではなく
その中において使用されていて、そしてそのような用語
と表現の使用においては、示されそして説明された特徴
と等価なものやそれから派生する部分を排除する意図は
なく、そして本発明の範囲は請求の範囲によってのみ規
定され限定されることが認められる。
【図１】本発明の絶縁ブリッジ構造を採用しているＴＦ
ＥＬパネルの部分の部分斜視図である。
ＥＬパネルの部分の部分斜視図である。
【図２】図１に示される絶縁ブリッジ構造を採用してい
るＴＦＥＬデバイスの部分上面図である。
るＴＦＥＬデバイスの部分上面図である。
【図３】積層されたＴＦＥＬデバイスを採用している完
全なフルカラーＴＦＥＬパネルの破断斜視図である。
全なフルカラーＴＦＥＬパネルの破断斜視図である。
１０ 赤／緑色ＴＦＥＬパネル １２ 青色パネル １４ 透明ＩＴＯ電極（データ電極） １６ ＴＦＥＬの積層 １８ 絶縁ブリッジ ２０ 母線 ２２，２４ 薄いＩＴＯパッド ３６ 円 ４０ 透明基板 ４２ 赤色フィルタ ４６ 障壁層 ４８ 黄色の発光体 ５０ 緑色を生成する発光体 ５２，５４ ＡＴＯ絶縁層 ６０ 後部基板 ６１，６８ ＡＴＯ絶縁物 ６２ 列電極（ＩＴＯ列電極） ６４ 結晶化層 ６６ 青色発光体材料 ７０ 絶縁ブリッジ ７２ 画素パッド ７４ アルミニウムの母線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウイリアム エイ バロー アメリカ合衆国 オレゴン州 97006 ビ ーヴァートン エヌダブリュー ワンハン ドレッドエイティース アヴェニュー 383 (72)発明者 カール ダブリュー ラークソ アメリカ合衆国 オレゴン州 97229 ポ ートランド エヌダブリュー ワンハンド レッドナインティース アヴェニュー 4080 (72)発明者 エリック アール ディッキー アメリカ合衆国 オレゴン州 97006 ビ ーヴァートン エヌダブリュー キャンブ レイ ストリート 18185
Claims (12)
- 【請求項１】 第１および第２の電極アレイ間に挟まれ
た薄層をなすエレクトロルミネッセントの積層を含んで
いるＴＦＥＬディスプレイデバイスにおいて、前記アレ
イの前記第１のアレイのための電極構造は： （ａ）前記薄層をなす積層を横切ってほぼ平行に延びて
いる行を形成する複数の細長い絶縁ブリッジ； （ｂ）絶縁ブリッジの各行の上に沈積され、そして前記
ブリッジから前記薄層をなす積層の領域上に横に延びて
いる複数の導電材料の画素パッド；および （ｃ）各行において薄い画素パッドを接続し、そして前
記絶縁ブリッジに沿って延びている複数の母線を含んで
いることを特徴とする電極構造。 - 【請求項２】 請求項１記載の電極構造において、前記
電極アレイの第２のアレイは、前記画素パッドとほぼ同
一の広がりをもって整列されていることを特徴とする電
極構造。 - 【請求項３】 請求項１記載の電極構造において、前記
母線は、高い導電性を提供するために比較的厚くそして
前記絶縁ブリッジより狭いことを特徴とする電極構造。 - 【請求項４】 請求項３記載の電極構造において、前記
母線は、それの少なくとも一方の側において光学的に吸
収性であることを特徴とする電極構造。 - 【請求項５】 請求項１記載の電極構造において、前記
第１および第２の電極アレイは、光学的に透明な導電材
料でできていることを特徴とする電極構造。 - 【請求項６】 請求項５記載の電極構造において、画素
パッドと第２の電極アレイとは、インジウムすず酸化物
でできていることを特徴とする電極構造。 - 【請求項７】 請求項１記載の電極構造において、絶縁
ブリッジは先の細いエッジを含み、該エッジは、絶縁ブ
リッジのわきに沿って画素パッドによって被せられた薄
層をなすエレクトロルミネッセントの積層の領域の方向
に延びていることを特徴とする電極構造。 - 【請求項８】 デュアル基板フルカラーＴＦＥＬディス
プレイパネルにおいて：該ディスプレイパネルは（ａ）
第１の色の光を放射する第１の独立にアドレス可能なエ
レクトロルミネッセントデバイス；および（ｂ）第１お
よび第２の電極アレーを含んでいる第２の独立にアドレ
ス可能なエレクトロルミネッセントデバイス、そして前
記第２のエレクトロルミネッセントデバイスは、その中
に前記第１の電極アレイが電極部材の横に延びている透
明で電気的に導電性の材料の、そして交互に第２および
第３の色の画素点を形成するために前記第２の電極アレ
イと同一の広がりをもっている画素パッドに接続された
細長い電極部材を含んでいる、第２および第３の色の光
を放射するＥＬの積層を含んでいるを含んでいることを
特徴とするデュアル基板フルカラーＴＦＥＬディスプレ
イパネル。 - 【請求項９】 請求項８記載のＴＦＥＬディスプレイに
おいて、前記第１の電極アレイは、前記画素パッドを支
えそして前記電極部材と前記ＥＬの積層間に挟まれた絶
縁ブリッジを含んでいることを特徴とするデュアル基板
フルカラーＴＦＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項１０】 請求項８記載のＴＦＥＬディスプレイ
において、前記電極部材は、周囲光を吸収する複合金属
の薄層状のものでつくられた母線を含んでいることを特
徴とするデュアル基板フルカラーＴＦＥＬディスプレイ
パネル。 - 【請求項１１】 請求項８記載のＴＦＥＬデバイスにお
いて、前記ＥＬの積層は黄色と緑色を放射するパターン
化された発光体材料を含み、そして前記第２のエレクト
ロルミネッセントデバイスはさらに、前記黄色を放射す
る材料と視覚的に整列した赤色フィルタを含んでいるこ
とを特徴とするデュアル基板フルカラーＴＦＥＬディス
プレイパネル。 - 【請求項１２】 請求項１１記載のＴＦＥＬデバイスに
おいて、前記第１の色の前記光は青色であることを特徴
とするデュアル基板フルカラーＴＦＥＬディスプレイパ
ネル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/542,476 US5712528A (en) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | Dual substrate full color TFEL panel with insulator bridge structure |
| US08/542476 | 1995-10-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115665A true JPH09115665A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=24163983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8267249A Pending JPH09115665A (ja) | 1995-10-05 | 1996-10-08 | デュアル基板フルカラーｔｆｅｌディスプレイパネルのための電極構造およびディスプレイパネル |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5712528A (ja) |
| JP (1) | JPH09115665A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100488146B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2005-05-06 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100687212B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2007-02-27 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| CN109980027A (zh) * | 2019-04-02 | 2019-07-05 | 江苏荣马新能源有限公司 | 一种转化率高的太阳能电池 |
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| US6358632B1 (en) * | 1998-11-10 | 2002-03-19 | Planar Systems, Inc. | TFEL devices having insulating layers |
| TW421285U (en) * | 2000-02-03 | 2001-02-01 | Ritek Corp | Colorful long-life luminescence plate |
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| WO2003075207A2 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Planar Systems, Inc. | Reflection resistant touch screens |
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1996
- 1996-10-08 JP JP8267249A patent/JPH09115665A/ja active Pending
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