JPH09115936A - 半導体装置の樹脂封止用金型 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止用金型Info
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- JPH09115936A JPH09115936A JP7274202A JP27420295A JPH09115936A JP H09115936 A JPH09115936 A JP H09115936A JP 7274202 A JP7274202 A JP 7274202A JP 27420295 A JP27420295 A JP 27420295A JP H09115936 A JPH09115936 A JP H09115936A
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- semiconductor device
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S425/00—Plastic article or earthenware shaping or treating: apparatus
- Y10S425/047—Seal ring
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置を樹脂封止する際に低粘度樹脂を
用いてもバリの発生がない半導体装置の樹脂封止用金型
を得る。 【解決手段】 半導体素子が搭載されたリードフレーム
を設置するためのキャビティを含むキャビティピース
と、前記半導体素子を封止するための樹脂を注入するゲ
ート部を含むゲートピースとから成り、前記ゲートピー
スのみの交換が可能となっている半導体装置の樹脂封止
用金型において、前記ゲート部のサブランナーから漏れ
出た樹脂をリード側に移動しないようにせき止める樹脂
漏れ防止堰が、前記サブランナーに沿って、設けられて
いる。
用いてもバリの発生がない半導体装置の樹脂封止用金型
を得る。 【解決手段】 半導体素子が搭載されたリードフレーム
を設置するためのキャビティを含むキャビティピース
と、前記半導体素子を封止するための樹脂を注入するゲ
ート部を含むゲートピースとから成り、前記ゲートピー
スのみの交換が可能となっている半導体装置の樹脂封止
用金型において、前記ゲート部のサブランナーから漏れ
出た樹脂をリード側に移動しないようにせき止める樹脂
漏れ防止堰が、前記サブランナーに沿って、設けられて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置を樹脂封
止する際に用いる半導体装置の樹脂封止用金型に関する
ものである。
止する際に用いる半導体装置の樹脂封止用金型に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図２（ａ）は、従来の半導体素子を搭載
したリードフレームが封止金型に設置された状態を示す
ものである。図２において、１はキャビティ、２はリー
ドフレーム、３はゲート部、３ａはゲート、４は樹脂が
通過するランナー、３ｂはランナー４から分岐されたサ
ブランナー、を示す。また図２（ｂ）は、図２（ａ）の
Ｘ−Ｘ’線断面図である。図中、７は半導体チップ、８
はダイパッド、９は金線である。
したリードフレームが封止金型に設置された状態を示す
ものである。図２において、１はキャビティ、２はリー
ドフレーム、３はゲート部、３ａはゲート、４は樹脂が
通過するランナー、３ｂはランナー４から分岐されたサ
ブランナー、を示す。また図２（ｂ）は、図２（ａ）の
Ｘ−Ｘ’線断面図である。図中、７は半導体チップ、８
はダイパッド、９は金線である。
【０００３】この図２に示すような従来の半導体装置の
樹脂封止用金型は、ゲージ部３とキャビティ部１が一体
の構造となっているタイプのものである。このタイプの
ものは、シリカ等の無拭充填材を多量に含んだ封止樹脂
を用いると、樹脂の注入口であるゲート３が著しく摩耗
し、樹脂の熔融状態をコントロールできない、あるいは
摩耗により離型不良やゲート折れを発生してしまう等の
問題があった。このような問題が生じた場合は、その都
度金型全体を新作することが必要になり、コストや納期
が大幅にかさんでしまうという問題があった。図３はこ
のことを説明するための図で、同図（ａ）は従来のキャ
ビティとゲートが一体形成されている一体式封止金型の
ゲート部平面図、同図（ｂ）はそのゲート部のＡ−Ａ’
線断面図である。この図３に示す一体式封止金型では、
ゲート部３の断面に段差が無いため、熔融樹脂のはみ出
しによるバリは発生しないが、ゲート部３の摩耗時にゲ
ート部３のみを交換することができないという問題があ
る。
樹脂封止用金型は、ゲージ部３とキャビティ部１が一体
の構造となっているタイプのものである。このタイプの
ものは、シリカ等の無拭充填材を多量に含んだ封止樹脂
を用いると、樹脂の注入口であるゲート３が著しく摩耗
し、樹脂の熔融状態をコントロールできない、あるいは
摩耗により離型不良やゲート折れを発生してしまう等の
問題があった。このような問題が生じた場合は、その都
度金型全体を新作することが必要になり、コストや納期
が大幅にかさんでしまうという問題があった。図３はこ
のことを説明するための図で、同図（ａ）は従来のキャ
ビティとゲートが一体形成されている一体式封止金型の
ゲート部平面図、同図（ｂ）はそのゲート部のＡ−Ａ’
線断面図である。この図３に示す一体式封止金型では、
ゲート部３の断面に段差が無いため、熔融樹脂のはみ出
しによるバリは発生しないが、ゲート部３の摩耗時にゲ
ート部３のみを交換することができないという問題があ
る。
【０００４】そこで、近年では、摩耗したゲート部３の
みを簡便に交換できるゲートピース方式の樹脂封止用金
型が提案されている。図４は、従来のゲートピース方式
の封止金型を説明するための図で、同図（ａ）はそのゲ
ートピースとキャビティピースを示す平面図、同図
（ｂ）はそのＢ−Ｂ’線断面図である。図４において、
１１はキャビティピース、１５は上ゲートピース、１６
は下ゲートピースである。この従来のゲートピース方式
の封止金型では、ゲート３ａとサブランナー３ｂとから
成るゲート部３が、キャビティピース１１とは別個のゲ
ートピース１５，１６として形成されているため、ゲー
トピース１５，１６のみを容易に交換できるようになっ
ている。
みを簡便に交換できるゲートピース方式の樹脂封止用金
型が提案されている。図４は、従来のゲートピース方式
の封止金型を説明するための図で、同図（ａ）はそのゲ
ートピースとキャビティピースを示す平面図、同図
（ｂ）はそのＢ−Ｂ’線断面図である。図４において、
１１はキャビティピース、１５は上ゲートピース、１６
は下ゲートピースである。この従来のゲートピース方式
の封止金型では、ゲート３ａとサブランナー３ｂとから
成るゲート部３が、キャビティピース１１とは別個のゲ
ートピース１５，１６として形成されているため、ゲー
トピース１５，１６のみを容易に交換できるようになっ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のゲートピース方式の封止金型では、ゲ−トラ
ンナ−部をシールするゲートピース１５，１６とパッケ
ージ外周をシールするキャビティーピース１１の加工精
度及び組み込み精度の関係で、両者の間に段差が生じて
しまうため、ゲートピース１５，１６とリードフレーム
２の間に隙間が生じてしまい（図４（ｂ）参照）、熔融
樹脂のはみ出しによるバリが発生し易いという問題があ
る。つまり、従来のゲートピース方式の封止金型では、
ゲートピース１５，１６がキャビティピースとは別のパ
ーツとして嵌合され組み合わされるため、製品部である
キャビティピースとゲートピースとの間で段差を生じ、
樹脂バリを発生してしまうという問題がある。特に、昨
今では、半導体装置の薄型化、小型化、複雑形状化に対
応し、また樹脂封止を完全に安定的に行うために、熔融
粘度を低くした封止樹脂が多く使われるようになってい
るので、上述のゲートピースとキャビティピースとの間
の段差によるバリがさらに発生し易い状況になってしま
っている。
うな従来のゲートピース方式の封止金型では、ゲ−トラ
ンナ−部をシールするゲートピース１５，１６とパッケ
ージ外周をシールするキャビティーピース１１の加工精
度及び組み込み精度の関係で、両者の間に段差が生じて
しまうため、ゲートピース１５，１６とリードフレーム
２の間に隙間が生じてしまい（図４（ｂ）参照）、熔融
樹脂のはみ出しによるバリが発生し易いという問題があ
る。つまり、従来のゲートピース方式の封止金型では、
ゲートピース１５，１６がキャビティピースとは別のパ
ーツとして嵌合され組み合わされるため、製品部である
キャビティピースとゲートピースとの間で段差を生じ、
樹脂バリを発生してしまうという問題がある。特に、昨
今では、半導体装置の薄型化、小型化、複雑形状化に対
応し、また樹脂封止を完全に安定的に行うために、熔融
粘度を低くした封止樹脂が多く使われるようになってい
るので、上述のゲートピースとキャビティピースとの間
の段差によるバリがさらに発生し易い状況になってしま
っている。
【０００６】図５はこのような従来の問題点をさらに詳
しく説明するための図で、同図（ａ）は、図４に示す封
止金型で半導体素子を封止した際に発生した樹脂バリ１
８の様子を示す平面図、同図（ｂ）はそのＣ−Ｃ’線断
面図である。この図５に示すように、樹脂バリ１８は、
樹脂封止後に半導体装置の外部電極となるアウターリー
ド１３に巻きつくため、除去することが極めて困難とな
る。樹脂バリ１８が除去できないと、樹脂封止後に外部
電極を所望の形状にプレス成型する際に外部電極を異常
変形させる等の障害となってしまう。
しく説明するための図で、同図（ａ）は、図４に示す封
止金型で半導体素子を封止した際に発生した樹脂バリ１
８の様子を示す平面図、同図（ｂ）はそのＣ−Ｃ’線断
面図である。この図５に示すように、樹脂バリ１８は、
樹脂封止後に半導体装置の外部電極となるアウターリー
ド１３に巻きつくため、除去することが極めて困難とな
る。樹脂バリ１８が除去できないと、樹脂封止後に外部
電極を所望の形状にプレス成型する際に外部電極を異常
変形させる等の障害となってしまう。
【０００７】本発明はこのような従来技術の問題点に着
目してなされたもので、半導体装置を樹脂封止する際に
低粘度樹脂を用いてもバリの発生がない半導体装置の樹
脂封止用金型を得ることを目的とする。
目してなされたもので、半導体装置を樹脂封止する際に
低粘度樹脂を用いてもバリの発生がない半導体装置の樹
脂封止用金型を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上のような課題を解決
するための本発明による半導体装置の樹脂封止用金型
は、半導体素子が搭載されたリードフレームを設置する
ためのキャビティを含むキャビティピースと、前記半導
体素子を封止するための樹脂を注入するゲート部を含む
ゲートピースとから成り、前記ゲートピースのみの交換
が可能となっている半導体装置の樹脂封止用金型におい
て、前記ゲート部のサブランナーから漏れ出た樹脂をリ
ード側に移動しないようにせき止める樹脂漏れ防止堰
が、前記サブランナーに沿って、設けられている、こと
を特徴としている。
するための本発明による半導体装置の樹脂封止用金型
は、半導体素子が搭載されたリードフレームを設置する
ためのキャビティを含むキャビティピースと、前記半導
体素子を封止するための樹脂を注入するゲート部を含む
ゲートピースとから成り、前記ゲートピースのみの交換
が可能となっている半導体装置の樹脂封止用金型におい
て、前記ゲート部のサブランナーから漏れ出た樹脂をリ
ード側に移動しないようにせき止める樹脂漏れ防止堰
が、前記サブランナーに沿って、設けられている、こと
を特徴としている。
【０００９】また、本発明においては、前記樹脂漏れ防
止堰は、前記ゲート部のゲートの最近傍のリードをクラ
ンプするように形成されているのがよい。
止堰は、前記ゲート部のゲートの最近傍のリードをクラ
ンプするように形成されているのがよい。
【００１０】また、本発明においては、前記樹脂漏れ防
止堰は、前記キャビティピースと一体に形成されている
のがよい。
止堰は、前記キャビティピースと一体に形成されている
のがよい。
【００１１】さらに、本発明においては、前記樹脂漏れ
防止堰は、そのパーティング面が、前記キャビティピー
スのパーティング面とほぼ同一の高さに形成されている
のがよい。
防止堰は、そのパーティング面が、前記キャビティピー
スのパーティング面とほぼ同一の高さに形成されている
のがよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以上のように、本発明による半導
体装置の樹脂封止用金型では、前記樹脂漏れ防止堰は、
封止樹脂の流通経路であるサブランナーに沿って設けら
れているので、サブランナーから漏れ出た樹脂は、この
樹脂漏れ防止堰によって、リード側に移動することが防
止されるようになっている。したがって、サブランナー
から樹脂が漏れ出ることにより生じる樹脂バリがリード
に付着することが防止される。よって、従来のように、
樹脂バリがリードに巻き付いて除去が困難になるような
事態が防止されるようになる。
体装置の樹脂封止用金型では、前記樹脂漏れ防止堰は、
封止樹脂の流通経路であるサブランナーに沿って設けら
れているので、サブランナーから漏れ出た樹脂は、この
樹脂漏れ防止堰によって、リード側に移動することが防
止されるようになっている。したがって、サブランナー
から樹脂が漏れ出ることにより生じる樹脂バリがリード
に付着することが防止される。よって、従来のように、
樹脂バリがリードに巻き付いて除去が困難になるような
事態が防止されるようになる。
【００１３】また、前記樹脂漏れ防止堰を、前記ゲート
部のゲートの最近傍にあるリードをクランプするように
形成することにより、もし樹脂がゲートの近傍から漏れ
出ても、その漏れ出た樹脂は、前記の再近傍のリードの
ところでせき止められるようになる。
部のゲートの最近傍にあるリードをクランプするように
形成することにより、もし樹脂がゲートの近傍から漏れ
出ても、その漏れ出た樹脂は、前記の再近傍のリードの
ところでせき止められるようになる。
【００１４】また、前記樹脂漏れ防止堰を、前記キャビ
ティピースと一体に形成するようにすれば、前記樹脂漏
れ防止堰をキャビティピース及びゲートピースとは別個
の部品として構成する必要がなくなるので、樹脂封止用
金型全体の製造コストを低く抑えることが可能になる。
ティピースと一体に形成するようにすれば、前記樹脂漏
れ防止堰をキャビティピース及びゲートピースとは別個
の部品として構成する必要がなくなるので、樹脂封止用
金型全体の製造コストを低く抑えることが可能になる。
【００１５】さらに、前記樹脂漏れ防止堰のパーティン
グ面を、前記キャビティピースのパーティング面とほぼ
同一の高さに形成するようにすれば、前記樹脂漏れ防止
堰とキャビティピースとの段差がほぼなくなるので、漏
れ出た樹脂がリード側に移動することを有効に防止でき
るようになる。
グ面を、前記キャビティピースのパーティング面とほぼ
同一の高さに形成するようにすれば、前記樹脂漏れ防止
堰とキャビティピースとの段差がほぼなくなるので、漏
れ出た樹脂がリード側に移動することを有効に防止でき
るようになる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の実施例による半導体装置の樹
脂封止用金型を説明するための図で、同図（ａ）はゲー
ト部の平面図、同図（ｂ）はそのＤ−Ｄ’線断面図であ
る。
脂封止用金型を説明するための図で、同図（ａ）はゲー
ト部の平面図、同図（ｂ）はそのＤ−Ｄ’線断面図であ
る。
【００１７】図１において、２８は樹脂モレ防止堰で、
サブランナー３ｂを形成するゲートピースの樹脂流通経
路に並送するように、設けられている。またこの樹脂モ
レ防止堰２８は、キャビティーを構成するキャビティー
ピース２１と一体に形成されている。さらにまた、この
樹脂モレ防止堰２８の断面方向の高さは、キャビティー
ピース２１の断面方向の高さとほぼ同一平面となるよう
に形成されている。
サブランナー３ｂを形成するゲートピースの樹脂流通経
路に並送するように、設けられている。またこの樹脂モ
レ防止堰２８は、キャビティーを構成するキャビティー
ピース２１と一体に形成されている。さらにまた、この
樹脂モレ防止堰２８の断面方向の高さは、キャビティー
ピース２１の断面方向の高さとほぼ同一平面となるよう
に形成されている。
【００１８】また、この樹脂モレ防止堰２８は、半導体
装置の外部リードでゲートの最近傍に配置されている最
近傍リード１３をクランプするように形成されている。
これにより、もしゲート部３から樹脂が漏れ出ても、最
近傍リード１３のところで樹脂がせき止められるので、
樹脂バリがコーナーリードに巻き付くことが回避される
ようになる。またこのように構成すれば、キャビティピ
ース２１と樹脂モレ防止堰２８とにより、リードフレー
ム２がほぼ完全にクランプされるようになるので、注入
時の樹脂圧力が高い場合でも、樹脂が樹脂モレ防止堰２
１を貫通して外部リードに到達してしまうことがなくな
る。
装置の外部リードでゲートの最近傍に配置されている最
近傍リード１３をクランプするように形成されている。
これにより、もしゲート部３から樹脂が漏れ出ても、最
近傍リード１３のところで樹脂がせき止められるので、
樹脂バリがコーナーリードに巻き付くことが回避される
ようになる。またこのように構成すれば、キャビティピ
ース２１と樹脂モレ防止堰２８とにより、リードフレー
ム２がほぼ完全にクランプされるようになるので、注入
時の樹脂圧力が高い場合でも、樹脂が樹脂モレ防止堰２
１を貫通して外部リードに到達してしまうことがなくな
る。
【００１９】更に、樹脂モレ防止堰２８をリードフレー
ム２のサブランナー３ｂ通過平面部上に重なるように設
けるようにすれば、外部リードに樹脂バリが到達するの
を防ぐことをより確実にすることが可能になる。
ム２のサブランナー３ｂ通過平面部上に重なるように設
けるようにすれば、外部リードに樹脂バリが到達するの
を防ぐことをより確実にすることが可能になる。
【００２０】また、一般に用いられる封止樹脂によるバ
リの流出長は３ｍｍ未満であることから、本発明は、ゲ
ート３ａに対して最近傍の位置にある外部電極リード１
３とサブランナー３ｂとの距離が３ｍｍ以下であるよう
な外形を有する半導体装置に適用したときに、より効果
を発揮することができる。また、本発明は、樹脂バリの
発生し易い最低熔融粘度６００ｐｏｉｓｅ以下の封止樹
脂を用いて半導体装置を封止する際に、より大きな効果
を発現することができる。
リの流出長は３ｍｍ未満であることから、本発明は、ゲ
ート３ａに対して最近傍の位置にある外部電極リード１
３とサブランナー３ｂとの距離が３ｍｍ以下であるよう
な外形を有する半導体装置に適用したときに、より効果
を発揮することができる。また、本発明は、樹脂バリの
発生し易い最低熔融粘度６００ｐｏｉｓｅ以下の封止樹
脂を用いて半導体装置を封止する際に、より大きな効果
を発現することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明による半導体装置
の樹脂封止用金型によれば、前記樹脂漏れ防止堰は、封
止樹脂の流通経路であるサブランナーに沿って設けられ
ているので、サブランナーから漏れ出た樹脂は、この樹
脂漏れ防止堰によって、リード側に移動することが防止
されるようになっている。したがって、サブランナーか
ら樹脂が漏れ出ることにより生じる樹脂バリがリードに
付着することが防止される。よって、従来のように半導
体装置の外部リードに除去不能な樹脂バリが付養してし
まうことが回避されるようになる。
の樹脂封止用金型によれば、前記樹脂漏れ防止堰は、封
止樹脂の流通経路であるサブランナーに沿って設けられ
ているので、サブランナーから漏れ出た樹脂は、この樹
脂漏れ防止堰によって、リード側に移動することが防止
されるようになっている。したがって、サブランナーか
ら樹脂が漏れ出ることにより生じる樹脂バリがリードに
付着することが防止される。よって、従来のように半導
体装置の外部リードに除去不能な樹脂バリが付養してし
まうことが回避されるようになる。
【００２２】また、前記樹脂漏れ防止堰を、前記ゲート
部のゲートに対して最近傍に位置するリードをクランプ
するように形成することにより、もし樹脂がゲートの近
傍から漏れ出ても、その漏れ出た樹脂は、前記の再近傍
のリードのところでせき止められるようになる。よっ
て、外部リードに除去不能な樹脂バリが付養してしまう
ことをより確実に回避できるようになる。
部のゲートに対して最近傍に位置するリードをクランプ
するように形成することにより、もし樹脂がゲートの近
傍から漏れ出ても、その漏れ出た樹脂は、前記の再近傍
のリードのところでせき止められるようになる。よっ
て、外部リードに除去不能な樹脂バリが付養してしまう
ことをより確実に回避できるようになる。
【００２３】また、前記樹脂漏れ防止堰を、前記キャビ
ティピースと一体に形成するようにすれば、前記樹脂漏
れ防止堰をキャビティピース及びゲートピースとは別個
の部品として構成する必要がなくなるので、樹脂封止用
金型全体の製造コストを低く押さえることが可能にな
る。
ティピースと一体に形成するようにすれば、前記樹脂漏
れ防止堰をキャビティピース及びゲートピースとは別個
の部品として構成する必要がなくなるので、樹脂封止用
金型全体の製造コストを低く押さえることが可能にな
る。
【００２４】さらに、前記樹脂漏れ防止堰のパーティン
グ面を、前記キャビティピースのパーティング面とほぼ
同一の高さに形成するようにすれば、前記樹脂漏れ防止
堰とキャビティピースとの段差がほぼなくなるので、漏
れ出た樹脂がリード側に移動することがより有効に防止
されるようになる。
グ面を、前記キャビティピースのパーティング面とほぼ
同一の高さに形成するようにすれば、前記樹脂漏れ防止
堰とキャビティピースとの段差がほぼなくなるので、漏
れ出た樹脂がリード側に移動することがより有効に防止
されるようになる。
【図１】 （ａ）は本発明の実施例による半導体装置の
樹脂封止用金型を示す平面図、（ｂ）はそのＤ−Ｄ’線
断面図である。
樹脂封止用金型を示す平面図、（ｂ）はそのＤ−Ｄ’線
断面図である。
【図２】 （ａ）は従来の半導体素子を搭載したリード
フレームが封止金型に設置された状態を示す斜視図、
（ｂ）はそのＸ−Ｘ’線断面図である。
フレームが封止金型に設置された状態を示す斜視図、
（ｂ）はそのＸ−Ｘ’線断面図である。
【図３】 （ａ）は従来のキャビティとゲートが一体に
形成されている半導体装置の樹脂封止用金型を示す平面
図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図である。
形成されている半導体装置の樹脂封止用金型を示す平面
図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】 （ａ）は従来のゲートピース方式の半導体装
置の樹脂封止用金型を示す平面図、（ｂ）はそのＢ−
Ｂ’線断面図である。
置の樹脂封止用金型を示す平面図、（ｂ）はそのＢ−
Ｂ’線断面図である。
【図５】 （ａ）は図４に示す樹脂封止用金型で半導体
素子を封止した際に発生した樹脂バリ１８の様子を示す
平面図、（ｂ）はそのＣ−Ｃ’線断面図である。
素子を封止した際に発生した樹脂バリ１８の様子を示す
平面図、（ｂ）はそのＣ−Ｃ’線断面図である。
１ キャビティ． ２ リードフレーム． ３ ゲート
部．３ａ ゲート． ３ｂ サブランナー． ４ ラン
ナー．７ 半導体チップ． ８ ダイパッド． ９ 金
線．１１ キャビティピース． １３ 最近傍リード．
１５ 上ゲートピース． １６ 下ゲートピース． １
８ 樹脂バリ
部．３ａ ゲート． ３ｂ サブランナー． ４ ラン
ナー．７ 半導体チップ． ８ ダイパッド． ９ 金
線．１１ キャビティピース． １３ 最近傍リード．
１５ 上ゲートピース． １６ 下ゲートピース． １
８ 樹脂バリ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子が搭載されたリードフレーム
を設置するためのキャビティを含むキャビティピース
と、前記半導体素子を封止するための樹脂を注入するゲ
ート部を含むゲートピースとから成り、前記ゲートピー
スのみの交換が可能となっている半導体装置の樹脂封止
用金型において、 前記ゲート部のサブランナーから漏れ出た樹脂がリード
側に移動しないように樹脂をせき止める樹脂漏れ防止堰
が、前記サブランナーに沿って、設けられている、こと
を特徴とする半導体装置の樹脂封止用金型。 - 【請求項２】 請求項１の半導体装置の樹脂封止用金型
において、前記樹脂漏れ防止堰は、前記ゲート部のゲー
トの最近傍にあるリードをクランプするように形成され
ている、半導体装置の樹脂封止用金型。 - 【請求項３】 請求項１又は２の半導体装置の樹脂封止
用金型において、前記樹脂漏れ防止堰は、前記キャビテ
ィピースと一体に形成されている、半導体装置の樹脂封
止用金型。 - 【請求項４】 請求項１，２又は３の半導体装置の樹脂
封止用金型において、前記樹脂漏れ防止堰は、そのパー
ティング面が、前記キャビティピースのパーティング面
とほぼ同一の高さに形成されている、半導体装置の樹脂
封止用金型。
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