JPH09116231A - Laser diode deterioration prediction device - Google Patents
Laser diode deterioration prediction deviceInfo
- Publication number
- JPH09116231A JPH09116231A JP7273084A JP27308495A JPH09116231A JP H09116231 A JPH09116231 A JP H09116231A JP 7273084 A JP7273084 A JP 7273084A JP 27308495 A JP27308495 A JP 27308495A JP H09116231 A JPH09116231 A JP H09116231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current value
- bias current
- time
- laser diode
- initial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザダイオードのバイアス電流を監視し、
レーザダイオードの劣化時期を予測するレーザダイオー
ド劣化予測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 レーザダイオードを搭載する機器の電源
を初めて投入した時を検出する初期電源投入検出手段
と、時刻情報を生成する時刻情報生成手段と、初期電源
投入検出手段からの電源投入情報により初期のバイアス
電流値と電源投入検出日時を記憶する初期バイアス電流
値記憶手段と、任意の時点のバイアス電流値と日時を記
憶するバイアス電流値記憶手段と、劣化予測装置内の動
作を制御する制御手段と、バイアス電流値を検出電流値
と比較するバイアス電流値比較手段と、検出電流値や検
出日時を設定するとともに、記憶してデータを用いて劣
化予測日数の演算を行う演算処理手段と、記憶した各種
データや演算結果のグラフを表示する表示手段とを有す
る構成とする。
(57) [Abstract] [Problem] Monitoring the bias current of a laser diode,
An object of the present invention is to provide a laser diode deterioration prediction device that predicts the deterioration time of a laser diode. SOLUTION: An initial power-on detection means for detecting the first power-on of a device equipped with a laser diode, a time information generation means for generating time information, and an initial power-on information from the initial power-on detection means. Initial bias current value storage means for storing the bias current value and power-on detection date and time, bias current value storage means for storing the bias current value and date and time at an arbitrary time point, and control means for controlling the operation in the deterioration prediction device. And a bias current value comparing means for comparing the bias current value with the detected current value, an arithmetic processing means for setting the detected current value and the detection date and time, and for storing and calculating the predicted deterioration days using the data, And a display means for displaying a graph of various data and calculation results.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
の寿命を正確、かつ的確に予測するレーザダイオード劣
化予測装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser diode deterioration predicting apparatus for predicting the life of a laser diode accurately and accurately.
【０００２】光通信用装置等において、光インタフェー
ス等の部分に使用されるレーザダイオード（以下、ＬＤ
と称する）の寿命等による故障発生時の対応は、代表的
なものとしてＬＤバイアス電流値増加にしきい値を設け
た警報検出回路によるもので管理・運用されている。そ
して寿命予測としては、ＬＤの特性上、性能の固体差が
あり、ＬＤを駆動させた初期のバイアス電流値を元に、
現在の劣化度を判定する方法を用いているが、ＬＤの寿
命の多くは５年から１０年である。A laser diode (hereinafter referred to as an LD) used for a portion such as an optical interface in an optical communication device or the like.
The response to the occurrence of a failure due to the life) is typically managed and operated by an alarm detection circuit having a threshold for increasing the LD bias current value. Then, as the life prediction, there are individual differences in performance due to the characteristics of the LD, and based on the initial bias current value that drives the LD,
Although the current method of determining the degree of deterioration is used, most of the lifespan of LDs is 5 to 10 years.
【０００３】ＬＤの価格は高価であるため、ＬＤの寿命
を正確に予知して、修理費用を確保し、代替用ＬＤを確
保しておくことが必要であり、現在ＬＤの寿命を検知す
る警報検出回路が提供されている。しかし、いつ警報が
発出するのか見当をつけることができず、劣化による警
報の発生により、初めてＬＤの交換作業にとりかかるこ
とを余儀無くされていることが多い。そのため、ＬＤの
使用開始時から劣化までの推移を監視し、ＬＤの使用可
能な期間をＬＤが劣化するよりも可能な限り早く予測で
きる方法が強く要望されている。Since the price of the LD is expensive, it is necessary to accurately predict the life of the LD, secure repair costs, and secure an alternative LD. A detection circuit is provided. However, it is often impossible to predict when the alarm will be issued, and it is often necessary to start the work of exchanging the LD for the first time due to the alarm due to deterioration. Therefore, there is a strong demand for a method of monitoring the transition from the start of use of the LD to its deterioration and predicting the usable period of the LD as soon as possible before the LD deteriorates.
【０００４】[0004]
【従来の技術】図９を用いて従来技術を説明する。図９
は、光中継器の送信部を示す図であり、Ｓ ＩＮから入
力した電気信号は、ＬＤ駆動回路４１において、ＬＤ駆
動電流となってＬＤモジュール３に送られ、ＬＤモジュ
ール４２に搭載されているＬＤを駆動する。ＬＤの駆動
により、電気信号は光信号に変換されて、光ファイバー
４３を介してＳ ＯＵＴより光ファイバケーブルに送出
される。2. Description of the Related Art A conventional technique will be described with reference to FIG. FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a transmitter of the optical repeater, and an electric signal input from S IN is sent to the LD module 3 as an LD drive current in the LD drive circuit 41 and mounted on the LD module 42. Drive the LD. By driving the LD, the electric signal is converted into an optical signal and sent from S OUT to the optical fiber cable via the optical fiber 43.
【０００５】ＬＤモジュール４２では、ＬＤの光出力の
一部がモニタ用フォトダイオードＰＤで光出力レベルに
対応した電気信号を取り出す。光出力安定回路４４は、
ＬＤモジュール４２のフォトダイオードＰＤからの送出
光信号レベルに対応した電気信号を入力してＳ ＯＵＴ
より送出する光信号を、安定に保持する。また、警報検
出回路４５は、ＬＤ駆動回路４１のＬＤバイアス電流値
と光出力安定回路４４を監視し、ＬＤバイアス電流値が
増加し、劣化までには至っていないが、通信品質を確保
するために、早急に交換することが望ましくなって来た
ことを警告する一定値を越えると、「ＬＤ ＣＵＲＲ
ＡＬＭ」警報を発し、また、フォトダイオードＰＤから
の信号レベルが低下したりして光出力安定回路４４が不
安定動作すると異常と判断して「Ｓ ＯＵＴ ＡＬＭ」
警報を発する。In the LD module 42, a part of the light output of the LD is taken out by the monitor photodiode PD and an electric signal corresponding to the light output level is taken out. The optical output stabilizing circuit 44 is
The electric signal corresponding to the optical signal level sent from the photodiode PD of the LD module 42 is input to S OUT.
The optical signal to be sent out is kept stable. Further, the alarm detection circuit 45 monitors the LD bias current value of the LD drive circuit 41 and the optical output stabilization circuit 44, and the LD bias current value increases and is not deteriorated, but in order to secure the communication quality. , Warns that it has become desirable to replace it promptly, and when it exceeds a certain value, "LD CURR
"ALM" alarm is issued, and if the optical output stabilizing circuit 44 operates unstable due to a decrease in the signal level from the photodiode PD, it is determined to be abnormal and "S OUT ALM".
Raise an alarm.
【０００６】運用中のＬＤのバイアス電流の監視は、光
出力安定化回路４４に設けられた「ＬＤ ＣＵＲＲ Ｍ
ＯＮ」端子に、定期的に電圧計または電流計を接続し
て、ＬＤバイアス電流に対応した電圧または電流値を測
定する。そして、得られたデータを、初期ＬＤバイアス
電流値と比較して、測定時点のＬＤバイアス電流値が初
期ＬＤバイアス電流値の何倍に増加したかを計算して、
ＬＤの劣化状況を把握していた。The bias current of the LD under operation is monitored by the "LD CURR M provided in the optical output stabilizing circuit 44.
A voltmeter or ammeter is regularly connected to the "ON" terminal to measure a voltage or current value corresponding to the LD bias current. Then, the obtained data is compared with the initial LD bias current value to calculate how many times the initial LD bias current value at the time of measurement has increased,
I was aware of the deterioration of the LD.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このように、ＬＤの劣
化を予測するためには、電源投入以降、ＬＤが使用不能
になるまでの間、ＬＤバイアス電流の初期値データを保
管しておく必要がある。As described above, in order to predict the deterioration of the LD, it is necessary to store the initial value data of the LD bias current until the LD becomes unusable after the power is turned on. There is.
【０００８】しかしながら、従来の技術においては、往
々にして このデータを保管していない場合が多いため
に、ＬＤのバイアス電流値を測定して得たデータを基に
してＬＤの劣化度を判定しようにも、容易に判定ができ
ない状況にあった。また、得られたデータを用いて、自
分でＬＤの寿命を予測して、ＬＤの劣化状況の把握を行
うためには、多くの時間を要していた。However, in the prior art, since this data is often not stored, let's judge the deterioration degree of the LD based on the data obtained by measuring the bias current value of the LD. However, there was a situation where the judgment could not be made easily. Further, it takes a lot of time to predict the life of the LD by itself using the obtained data and to grasp the deterioration state of the LD.
【０００９】そのため、ＬＤの寿命の予測を怠っている
と、その間にＬＤの劣化が進行してＬＤバイアス電流値
の増加による警報が発生するまで、ＬＤの寿命を認識で
きないといった問題点があった。Therefore, if the life of the LD is not predicted, there is a problem that the life of the LD cannot be recognized until the deterioration of the LD progresses and an alarm due to an increase in the LD bias current value is generated during that period. .
【００１０】本発明は、光通信装置等のＬＤのバイアス
電流を監視して、ＬＤの劣化時期を予測するＬＤ劣化予
測装置を提供することを目的とする。It is an object of the present invention to provide an LD deterioration predicting apparatus which monitors a bias current of an LD of an optical communication device or the like and predicts a deterioration time of the LD.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のレーザダイオード劣化予測装置は、レーザ
ダイオードが使われている装置の最初の電源投入を検出
する初期電源投入検出手段と、該初期電源投入検出手段
からの電源投入情報により、その時のレーザダイオード
のバイアス電流値である初期バイアス電流値と該電源投
入日時を記憶する初期バイアス電流値記憶手段と、所定
時点でのバイアス電流値とその日時を記憶するバイアス
電流値記憶手段と、該初期バイアス電流値記憶手段およ
び該バイアス電流値記憶手段とに記憶されている情報に
基づいて該レーザダイオードの劣化時点の予測に必要な
情報を表示する予測・表示手段とを有する。初期バイア
ス電流値と運用開始時点とが予測装置内に保持されてい
るので現時点のバイアス電流値をともに用い劣化予測に
必要な情報を表示させることができる。In order to solve the above-mentioned problems, a laser diode deterioration prediction apparatus of the present invention comprises an initial power-on detecting means for detecting the first power-on of an apparatus using a laser diode, and Based on the power-on information from the initial power-on detection means, an initial bias current value storage means for storing the initial bias current value which is the bias current value of the laser diode at that time and the power-on date and time, and the bias current value at a predetermined time point. Bias current value storage means for storing the date and time, and information necessary for predicting the deterioration point of the laser diode is displayed based on the information stored in the initial bias current value storage means and the bias current value storage means. Predicting / displaying means. Since the initial bias current value and the operation start time are held in the prediction device, it is possible to display the information necessary for deterioration prediction by using both the current bias current value and the current bias current value.
【００１２】また、予測・表示手段に初期バイアス電流
値記憶手段に記憶されているバイアス電流値と電源投入
日時とを表示させるので、外部から別途測定した現在の
バイアス電流値と比較することにより、確実に劣化時点
を予測することが可能となる。Further, since the bias current value stored in the initial bias current value storage means and the power-on date and time are displayed on the prediction / display means, by comparing with the current bias current value separately measured from the outside, It is possible to reliably predict the time of deterioration.
【００１３】さらに、前記初期バイアス電流値記憶手段
に記憶されている初期バイアス電流値と電源投入日時
と、現在のバイアス電流値とを表示するようにすれば、
外部からの別途測定を行うことなくレーザダイオードの
劣化時点を予測できるので便利となる。Further, if the initial bias current value, the power-on date and time, and the current bias current value stored in the initial bias current value storage means are displayed,
This is convenient because the time when the laser diode deteriorates can be predicted without performing a separate measurement from the outside.
【００１４】さらに、予測・表示手段が、前記初期バイ
アス電流値記憶手段に記憶されている初期バイアス電流
値と現在のバイアス電流値との比率を演算し、その結果
を表示するようにすれば、バイアス電流値の増加の度合
いが簡単に分かり、劣化予測がし易くなる。Further, if the prediction / display means calculates the ratio between the initial bias current value stored in the initial bias current value storage means and the current bias current value, and displays the result, The degree of increase in the bias current value can be easily known, and the deterioration can be easily predicted.
【００１５】さらに、予測・表示手段は、現在のバイア
ス電流値が、レーザダイオードが劣化したとされる限界
バイアス電流値と前記初期バイアス電流値記憶手段に記
憶されている初期バイアス電流値との間のどの位置にあ
るかを演算し、その結果を表示するようにしたので、劣
化までの期間がより確実に予測できる。Further, the predicting / displaying means is arranged such that the current bias current value is between the limit bias current value which is considered to deteriorate the laser diode and the initial bias current value stored in the initial bias current value storing means. The position until the deterioration is calculated and the result is displayed, so that the period until deterioration can be predicted more reliably.
【００１６】さらに、予測・表示手段を、初期バイアス
電流値と限界バイアス電流値との間の値を有する複数の
検出閾値と、現在のバイアス電流値とを比較して現在の
バイアス電流値が該検出閾値に達したことを検出する都
度、前記バイアス電流値記憶手段に前記所定時点である
ことを通知する電流比較手段と、このようにして記憶さ
れた情報に基づいて、バイアス電流値が限界バイアス電
流値に到達する日時を算出する演算処理手段、初期バイ
アス電流値記憶手段と該バイアス電流値記憶手段とが保
持する情報と前記演算処理手段が演算した結果とを表示
する表示手段とから構成する。これにより、バイアス電
流値記憶手段が適宜の時間間隔でバイアス電流値とその
日時とを記憶し、予測演算結果とともに表示されるの
で、レーザダイオードのバイアス電流値の推移と劣化時
点を一目で認識することが可能となり、保守が容易にな
る。Further, the predicting / displaying means compares the present bias current value with a plurality of detection threshold values having a value between the initial bias current value and the limit bias current value, and the present bias current value is calculated as follows. Based on the current comparison means that notifies the bias current value storage means that the predetermined time is reached each time the detection threshold is detected, and the bias current value based on the information stored in this way Comprised of arithmetic processing means for calculating the date and time when the current value is reached, initial bias current value storage means, and display means for displaying the information held by the bias current value storage means and the result calculated by the arithmetic processing means. . As a result, the bias current value storage means stores the bias current value and the date and time thereof at appropriate time intervals and is displayed together with the prediction calculation result, so that the transition of the bias current value of the laser diode and the time of deterioration can be recognized at a glance. It becomes possible and maintenance becomes easy.
【００１７】さらに、前記複数の検出閾値間のステップ
は限界バイアス電流値に近いものほど小さくなるように
設定されるようにしたので、劣化時点が近づくにつれて
バイアス電流の監視が頻繁に行われ、予測の精度が高く
なり、保守の準備が効率的にできる。 また、前記演算
処理手段は、今回記憶時と前回記憶時との間の経過時間
およびバイアス電流値の変化量とからバイアス電流の変
化率を求め外挿により限界バイアス電流値に到達する日
時を算出するようにしたので、劣化時点に近づくほど予
測の精度が向上し、効率的に保守作業を行うことができ
る。Further, since the step between the plurality of detection thresholds is set to be smaller as it approaches the limit bias current value, the bias current is frequently monitored and predicted as the deterioration time approaches. The accuracy of the operation is improved, and the maintenance can be prepared efficiently. Further, the arithmetic processing means calculates the rate of change of the bias current from the elapsed time between the current storage time and the previous storage time and the amount of change in the bias current value, and calculates the date and time when the limit bias current value is reached by extrapolation. As a result, the accuracy of prediction is improved as the time of deterioration is approached, and maintenance work can be performed efficiently.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】実施例について、図１〜図８を用
いて説明する。図１は第１の実施例、図２は第１の実施
例における表示例（その１）、図３は第１の実施例にお
ける表示例（その２）、図４は第２の実施例、図５は第
２の実施例における表示例、図６は第３の実施例、図７
は第３の実施例における表示例、図８は第４の実施例を
説明する図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments will be described with reference to FIGS. 1 is a first embodiment, FIG. 2 is a display example (No. 1) in the first embodiment, FIG. 3 is a display example (No. 2) in the first embodiment, and FIG. 4 is a second embodiment. FIG. 5 is a display example in the second embodiment, FIG. 6 is a third embodiment, and FIG.
Is a display example in the third embodiment, and FIG. 8 is a diagram for explaining the fourth embodiment.
【００１９】また、図中、第９図で示した符号と同じ符
号は同一のものを示し、１０，２０はレーザダイオード
劣化予測装置、１１，２１は初期電源投入検出部、１２
は時計、１３，２３は初期バイアス電流値メモリ、１
４，２４はバイアス電流値メモリ、１５，２５は制御
部、１６，２６はバイアス電流値比較器、１７，２７は
表示切替器、１８，２８は表示部、２２は測定記録メモ
リ、２９は測定部切替器、３１〜３４はそれぞれ第１〜
第４演算処理部、ＬＤはレーザーダイオード、ＰＤはフ
ォトダイオードである。Further, in the figure, the same reference numerals as those shown in FIG. 9 indicate the same things, 10 and 20 are laser diode deterioration predicting devices, 11 and 21 are initial power-on detection units, and 12
Is a clock, 13 and 23 are initial bias current value memories, 1
4, 24 are bias current value memories, 15 and 25 are control units, 16 and 26 are bias current value comparators, 17 and 27 are display switching units, 18 and 28 are display units, 22 is measurement recording memory, and 29 is measurement. The section switchers 31 to 34 are first to first, respectively.
The fourth arithmetic processing unit, LD is a laser diode, and PD is a photodiode.
【００２０】まず、本発明の第１の実施例を図１〜図３
を用いて説明する。第１の実施例のレーザダイオード劣
化予測装置１０は、電源投入時以降、運用を停止する迄
の期間、ＬＤを搭載した機器の送信部の光出力安定回路
４４よりＬＤバイアス電流値を取り出して監視して記憶
し、電源投入時の初期ＬＤバイアス電流値からの電流増
加の傾向より劣化日時を予測するものである。First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. The laser diode deterioration prediction apparatus 10 of the first embodiment takes out and monitors the LD bias current value from the optical output stabilizing circuit 44 of the transmitter of the device in which the LD is mounted after the power is turned on until the operation is stopped. Then, the deterioration date and time is predicted from the tendency of current increase from the initial LD bias current value when the power is turned on.
【００２１】まず、ＬＤを搭載した機器に電源が投入さ
れると、初期電源投入検出部１１が電源投入を検出し
て、初期バイアス電流値メモリ１３に通知する。初期バ
イアス電流値メモリ１３は、初期電源投入検出部１１か
らの通知により、初期電源投入時の初期ＬＤバイアス電
流値と、時計１２からの時間情報を受けて電源を投入し
た日時とを記憶する。First, when power is applied to a device equipped with an LD, the initial power-on detector 11 detects the power-on and notifies the initial bias current value memory 13. The initial bias current value memory 13 stores the initial LD bias current value when the initial power is turned on and the date and time when the power is turned on in response to the notification from the initial power-on detection unit 11 and the time information from the clock 12.
【００２２】第１演算処理部３１は初期電源投入時の初
期ＬＤバイアス電流値と警報発出点のＬＤバイアス電流
値との間に、例えば、ｎ段階のＬＤバイアス電流値検出
レベルを設定し、バイアス電流値比較器１６がこの検出
レベルを用いて監視するバイアス電流値の増加を検出す
る。The first arithmetic processing unit 31 sets, for example, an n-stage LD bias current value detection level between the initial LD bias current value when the initial power is turned on and the LD bias current value at the alarm issuing point, and the bias is set. The current value comparator 16 detects an increase in the bias current value to be monitored using this detection level.
【００２３】なお、監視するＬＤバイアス電流値が初期
ＬＤバイアス電流値のｍ倍になると、警報が発出するよ
うに設定した警報検出回路４５を用いているものとす
る。第１演算処理部３１は、初期バイアス電流値メモリ
１３に記憶された初期ＬＤバイアス電流値Ｉ0 と、警報
発出点のＬＤバイアス電流値ＩA の差をｎ等分して、そ
れぞれを０レベルから（ｎ−１）レベルとする。そし
て、１〜（ｎ−１）レベルまでの各ＬＤバイアス電流値
Ｉ1 ，Ｉ2 ，．．，Ｉ(n-1) をバイアス電流値比較器１
６に通知する。It is assumed that the alarm detection circuit 45 is set to issue an alarm when the LD bias current value to be monitored becomes m times the initial LD bias current value. The first arithmetic processing unit 31 divides the difference between the initial LD bias current value I 0 stored in the initial bias current value memory 13 and the LD bias current value I A at the alarm issue point into n equal parts and sets each to 0 level. To (n-1) level. Then, the LD bias current values I 1 , I 2 ,. . , I (n-1) is the bias current value comparator 1
Notify 6.
【００２４】バイアス電流値比較器１６は光安定化回路
４４から取り出されたＬＤバイアス電流値を常に監視
し、１〜（ｎ−１）レベルまでのそれぞれの電流値に増
加すると、そのときのＬＤバイアス電流値と日時をバイ
アス電流値メモリ１４に記憶するとともに、その都度、
制御部１５に各レベルに到達したことを通知する。The bias current value comparator 16 constantly monitors the LD bias current value taken out from the light stabilizing circuit 44, and when the current value increases to each level from 1 to (n-1), the LD at that time is detected. The bias current value and the date and time are stored in the bias current value memory 14, and at each time,
The control unit 15 is notified that each level has been reached.
【００２５】また、第１演算処理部３１は、通知された
電流値と前回の電流値との差分と、初期バイアス電流値
メモリ１３からの初期ＬＤバイアス電流値，及び経過時
間情報とを用いてＬＤバイアス電流の増加率を計算し、
監視しているＬＤバイアス電流が初期ＬＤバイアス電流
のｍ倍に増加するまでの予測日時ＴA を演算して、バイ
アス電流値推移に警報発出日時を示すグラフを作成す
る。Further, the first arithmetic processing unit 31 uses the difference between the notified current value and the previous current value, the initial LD bias current value from the initial bias current value memory 13, and the elapsed time information. Calculate the increase rate of LD bias current,
The predicted date and time T A until the monitored LD bias current increases by m times the initial LD bias current is calculated, and a graph showing the alarm issue date and time in the bias current value transition is created.
【００２６】そして、例えば、算出結果を、図２に示す
ように、初期ＬＤバイアス電流値とその日時を表示した
り、所定の検出電流値に達したときの電流値と日時と電
流増加率を表示させたり、ＬＤ劣化による警報発出予測
日時のＬＤバイアス電流値とその日時と電流増加率を表
示させたりする。Then, for example, as shown in FIG. 2, the calculation result displays the initial LD bias current value and its date and time, and the current value, date and time and current increase rate when a predetermined detected current value is reached. The LD bias current value at the date and time when the warning is predicted due to LD deterioration, the date and time, and the current increase rate are displayed.
【００２７】図２の例では、初期ＬＤバイアス電流値Ｉ
0 とその日時Ｔ0 （例えば、１．８０ｍＡ，１９８５．
０４．０１）や、ＬＤバイアス電流値が１０％増加した
時点Ｔ1 のＬＤバイアス電流値とその日時と電流増加率
（１．９２ｍＡ，１９９５．０５．０１，＋１０．０
％）や、また、４０％増加した現時点Ｔ4 の値（２．５
２ｍＡ，１９９５．０８．０５，＋４０．０％）を表示
させたり、ＬＤ劣化による警報発出予測日時ＴA4 の電
流値（２．７０ｍＡ）と警報発出予測日時（１９９５．
０９．０１）と電流増加率（＋５０．０％）を表示させ
たりする。In the example of FIG. 2, the initial LD bias current value I
0 and the date and time T 0 (for example, 1.80 mA, 1985.
04.01), the LD bias current value at the time point T 1 when the LD bias current value increased by 10%, the date and time, and the current increase rate (1.92 mA, 1995.05.01, +10.0).
%), Or the current T 4 value (2.5%) that increased by 40%.
2 mA, 1995.08.05, + 40.0%) is displayed, or the current value (2.70 mA) of the warning issue prediction date and time T A4 due to LD deterioration and the warning issue prediction date and time (1995.
09.0) and the current increase rate (+ 50.0%) are displayed.
【００２８】また、図３に示すように、横軸に日時をと
り、縦軸にバイアス電流値をとり、一定レベル間隔に測
定したバイアス電流値と日時をプロットしたバイアス電
流値の推移グラフに、演算したバイアス電流値の劣化予
測線を表示させる。Further, as shown in FIG. 3, the horizontal axis represents date and time, the vertical axis represents bias current value, and the bias current value measured at a constant level interval and the bias current value transition graph in which date and time are plotted, The deterioration prediction line of the calculated bias current value is displayed.
【００２９】そして、図３に示すグラフにおいて、各予
測線と警報発出点のＬＤバイアス電流値ＩA との交点に
相当する経過日時がそれぞれの予測線におけるＬＤの劣
化予測日時となる。Then, in the graph shown in FIG. 3, the elapsed date and time corresponding to the intersection of each prediction line and the LD bias current value I A at the alarm issuing point is the LD degradation prediction date and time on each prediction line.
【００３０】例えば、レベル３の電流値を記憶した日時
Ｔ3 の時点では、レベル２の電流値を記憶した日時Ｔ2
の時点との間において、劣化予測線3 を求め、警報発出
点Ｉ A のレベルと交差する点の日時ＴA3を、記憶した日
時Ｔ3 における劣化警報発出予測日時として得ることが
できる。For example, the date and time when the level 3 current value is stored
TThreeAt the time of, the date and time T when the level 2 current value was storedTwo
Deterioration prediction line between andThreeAnd issue an alarm
Point I ADate and time T of the intersection with the levelA3The day I remembered
Hour TThreeCan be obtained as the predicted date and time of issuing a deterioration alarm in
it can.
【００３１】なお、図３の予測線1 が示すように、計測
結果より算出した予測線が予測限界点以下の場合は、そ
の結果を捨てて「∞」等で表示する。また、表示部１８
への予測線の表示においては、最新の予測線のみを表示
し、過去の予測線は表示しないようにしてもよい。As shown by the prediction line 1 in FIG. 3, when the prediction line calculated from the measurement result is below the prediction limit point, the result is discarded and displayed as "∞". In addition, the display unit 18
In the display of the prediction line to, only the latest prediction line may be displayed and the past prediction line may not be displayed.
【００３２】このようにすることにより、容易にＬＤの
劣化状況と今後予測される警報発生日時を把握すること
ができる。なお、図３に示すように、第１演算処理部３
１は、ｎ段階レベルの検出電流値を設定する他に、バイ
アス電流が増加しはじめたときを検出するために、初期
ＬＤバイアス電流値よりやや大きな電流の検出値、例え
ば、２％増程度の電流値の検出点を生成し、バイアス電
流値比較器１６に設定することにより、このレベルを検
出するＴ0'の時点にバイアス電流値とその日時を記憶す
ることができる。By doing so, it is possible to easily grasp the deterioration status of the LD and the alarm occurrence date and time predicted in the future. It should be noted that, as shown in FIG.
In addition to setting the detection current value at the n-step level, 1 is a detection value of a current slightly larger than the initial LD bias current value, for example, about 2% increase in order to detect when the bias current starts to increase. By generating a current value detection point and setting it in the bias current value comparator 16, the bias current value and its date and time can be stored at the time T 0 'when this level is detected.
【００３３】また、図示しないが、外部操作により、任
意の時点のバイアス電流値を記憶させることができるの
は当然である。次に、図４，図５を用いて第２の実施例
を説明する。Although not shown, it is natural that the bias current value at any time can be stored by an external operation. Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS.
【００３４】第２の実施例は、第１の実施例における第
１演算処理部３１の代わりに、第２演算処理部３２を設
け、ＬＤバイアス電流値の測定を一定時間間隔（例え
ば、１ケ月毎）で行うようにしたものである。In the second embodiment, a second arithmetic processing unit 32 is provided in place of the first arithmetic processing unit 31 in the first embodiment, and the LD bias current value is measured at fixed time intervals (for example, one month). Every time).
【００３５】ここで、警報検出回路４５として、初期Ｌ
Ｄバイアス電流値のｍ倍に達したとき、警報を発出する
ように設定されているものとする。初期電源投入検出部
１１が電源が投入されたことを検出すると、電源投入情
報を制御部１５に通知することにより、制御部１５は、
初期バイアス電流値メモリ１３に初期ＬＤバイアス電流
値と電源投入の日時を記憶させる。また、制御部１５
は、バイアス電流値比較器１６にＬＤバイアス電流値を
測定させるとともに、第２演算処理部３２が予め設定さ
れた時間間隔（例えば、１ケ月毎）で、バイアス電流値
メモリ１４に、電流値と日時を記憶させる。Here, as the alarm detection circuit 45, the initial L
It is assumed that the alarm is set to be issued when the value reaches m times the D bias current value. When the initial power-on detection unit 11 detects that the power is turned on, the control unit 15 is notified of the power-on information, so that the control unit 15
The initial LD bias current value 13 and the power-on date and time are stored in the initial bias current value memory 13. The control unit 15
Causes the bias current value comparator 16 to measure the LD bias current value, and the second arithmetic processing unit 32 stores the current value in the bias current value memory 14 at a preset time interval (for example, every month). Remember the date and time.
【００３６】そして、バイアス電流値比較器１６に、前
回測定した電流値と現時点の電流値との差を算出させ、
第２演算処理部３２に通知させる。第２演算処理部３２
は、通知された電流値と前回の電流値との差分と、初期
バイアス電流値メモリ１３からの初期ＬＤバイアス電流
値、及び経過時間情報とを用いてＬＤバイアス電流の増
加率を計算し、監視しているＬＤバイアス電流が初期Ｌ
Ｄバイアス電流のｍ倍に増加するまでの予測日時ＴA を
算出する。Then, the bias current value comparator 16 is caused to calculate the difference between the previously measured current value and the current current value,
Notify the second arithmetic processing unit 32. Second arithmetic processing unit 32
Calculates and monitors the increase rate of the LD bias current using the difference between the notified current value and the previous current value, the initial LD bias current value from the initial bias current value memory 13, and the elapsed time information. LD bias current is initial L
The predicted date and time T A until it increases to m times the D bias current is calculated.
【００３７】さらに、演算結果より、表示部１８上に、
予測されるバイアス電流値の予測線を表示させるための
演算処理を行う。そして、その結果を、例えば、図５に
示すように、一定時間間隔（１ケ月毎）に測定したバイ
アス電流値をプロットしたバイアス電流値推移グラフを
表示部１８に表示させる。そして、各予測線と警報発出
点のＬＤバイアス電流値ＩA との交点に相当する経過日
時がそれぞれの予測線におけるＬＤの劣化予測線であ
る。Further, based on the calculation result, on the display unit 18,
The calculation processing for displaying the predicted line of the predicted bias current value is performed. Then, for example, as shown in FIG. 5, the result is displayed on the display unit 18 as a bias current value transition graph in which the bias current values measured at constant time intervals (every month) are plotted. The elapsed date and time corresponding to the intersection of each prediction line and the LD bias current value I A at the alarm issue point is the LD deterioration prediction line in each prediction line.
【００３８】また、図２に示すように、各検出レベルで
のＬＤバイアス電流値と増加率を表示することもでき
る。次に、図６，図７を用いて第３の実施例を説明す
る。Further, as shown in FIG. 2, the LD bias current value and the increase rate at each detection level can be displayed. Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS.
【００３９】第３の実施例は、第１演算処理部３１の代
わりに、第３演算処理部３３を設け、ＬＤバイアス電流
値の測定を、ＬＤの劣化によるＬＤバイアス電流の増加
が小さいときは測定間隔を広くとり、電流増加が大きく
なると測定間隔を小さくするようにして次第に警報発出
予測日時の精度を高くするようにしたものである。In the third embodiment, a third arithmetic processing unit 33 is provided in place of the first arithmetic processing unit 31, and the LD bias current value is measured when the increase in the LD bias current due to the deterioration of the LD is small. The measurement interval is set to be wide, and the measurement interval is set to be small when the current increase becomes large so that the accuracy of the warning issuance predicted date and time is gradually increased.
【００４０】初期電源投入検出部１１からの電源投入情
報の通知により、制御部１５からの指示で、初期バイア
ス電流値メモリ１３が初期電源投入時の初期ＬＤバイア
ス電流値と日時を自動的に記憶する。Upon notification of power-on information from the initial power-on detection unit 11, the initial bias current value memory 13 automatically stores the initial LD bias current value and the date and time at the time of initial power-on according to an instruction from the control unit 15. To do.
【００４１】第３演算処理部３３は、初期ＬＤバイアス
電流値と警報発出点のＬＤバイアス電流値との間に、任
意にｎ段階のＬＤバイアス電流値検出レベルＩ1 ，
Ｉ2 ，・・，Ｉn を設定し、バイアス電流値比較器１６
に、設定したｎ段階のＬＤバイアス電流値検出レベルを
通知する。The third arithmetic processing unit 33 arbitrarily detects n levels of LD bias current value detection levels I 1 , between the initial LD bias current value and the LD bias current value at the alarm issuing point.
I 2, · ·, set the I n, the bias current value comparator 16
To the set n-stage LD bias current value detection level.
【００４２】バイアス電流値比較器１６は、光出力安定
化回路４４からのＬＤバイアス電流値を常に監視し、Ｌ
Ｄバイアス電流値がＬＤの劣化とともに増加し、予め設
定したＬＤバイアス電流検出レベルに達したとき、その
ときのバイアス電流値と時計１２からの日時情報をバイ
アス電流値メモリ１４へ記憶する。The bias current value comparator 16 constantly monitors the LD bias current value from the optical output stabilizing circuit 44,
When the D bias current value increases with the deterioration of the LD and reaches the preset LD bias current detection level, the bias current value at that time and the date and time information from the clock 12 are stored in the bias current value memory 14.
【００４３】そして、制御部１５は、バイアス電流値メ
モリ１４に新しいバイアス電流値と日時が記憶される毎
に、第３演算処理部３３に対して、初期バイアス電流値
メモリ１３に記憶されている初期ＬＤバイアス電流値と
電源投入日時と、バイアス電流値メモリ１４に記憶され
ている各検出時点でのＬＤバイアス電流値と検出日時を
通知する。第３演算処理部３３はこれらのバイアス電流
値と日時を用いて、グラフ作成のための演算を行う。Then, the control unit 15 stores the new bias current value and the date and time in the bias current value memory 14, and stores the new bias current value in the initial bias current value memory 13 for the third arithmetic processing unit 33. The initial LD bias current value, power-on date and time, and the LD bias current value and detection date and time stored in the bias current value memory 14 at each detection time are notified. The third arithmetic processing unit 33 uses the bias current value and the date and time to perform an arithmetic operation for creating a graph.
【００４４】さらに、演算結果より、表示部１８上に、
予測されるバイアス電流値の予測線を表示させるための
演算処理を行う。運用開始後のバイアス電流値の変化を
ｎ段階（レベル）に区分する方法例として、例えば、警
報発出点のＬＤバイアス電流値をＩA とし、また、初期
ＬＤバイアス電流値をＩｏとすると、第１のバイアス電
流検出レベルの電流値Ｉ1 、第２のバイアス電流検出レ
ベルの電流値Ｉ2 、同様に、第ｎ−１のバイアス電流検
出レベルの電流値Ｉn-1 を、例えばそれぞれ次に示す値
に設定してもよい。Further, based on the calculation result, on the display unit 18,
The calculation processing for displaying the predicted line of the predicted bias current value is performed. As an example of a method of classifying the change in the bias current value after the start of operation into n steps (levels), for example, if the LD bias current value at the alarm issuing point is I A and the initial LD bias current value is Io, the current value of the first bias current detection level I 1, current I 2 of the second bias current detection level, similarly, the first n-1 of the bias current detection level of the current value I n-1, e.g., then each You may set it to the value shown.
【００４５】 Ｉ1 ＝Ｉ0 ＋（ＩA −Ｉ0 ）×２／３ Ｉ2 ＝Ｉ1 ＋（ＩA −Ｉ1 ）×２／３ ・ Ｉ(n-1) ＝Ｉ(n-2) ＋（ＩA −Ｉ(n-2) ）×２／３ このように、警報発出点のレベルに近づくに従ってレベ
ル検出を細かく頻繁に行うようにする。[0045] I 1 = I 0 + (I A -I 0) × 2/3 I 2 = I 1 + (I A -I 1) × 2/3 · I (n-1) = I (n-2 ) + (I a -I (n -2)) × 2/3 Thus, to perform the level detection finely frequently toward the level issuing the alarm point.
【００４６】そして、ディスプレイへの表示方法は、例
えば、表示切替器１７により、図２に示すうちに、初期
ＬＤバイアス電流値と日時、又は、検出レベル毎の電流
値と日時及び電流増加率を任意に切替え、表示すること
もできる。The method of displaying on the display is, for example, by using the display switching device 17, the initial LD bias current value and the date and time, or the current value and the date and time and the current increase rate for each detection level are shown in FIG. It can also be switched and displayed arbitrarily.
【００４７】また、すべてのＬＤバイアス電流値を表示
するグラフの場合には、表示切替器１１を介さなくても
よい。その場合の表示例として、図７に示すように、電
源投入時からバイアス電流値の変化を時間経過で表示す
る。Further, in the case of a graph displaying all LD bias current values, the display switching unit 11 may not be used. As a display example in that case, as shown in FIG. 7, a change in the bias current value is displayed over time after the power is turned on.
【００４８】次に、図８を用いて第４の実施例を説明す
る。第４の実施例は、第２の実施例を基に、ＬＤを搭載
する機器の外部にレーザダイオード劣化予測装置２０を
設け、複数のＬＤを搭載する機器のＬＤバイアス電流値
の監視を切替えながら順次行うことができるようにした
ものである。Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIG. The fourth embodiment is based on the second embodiment, in which a laser diode deterioration prediction device 20 is provided outside the device in which the LD is mounted, and while switching the monitoring of the LD bias current value of the device in which a plurality of LDs are mounted, It can be performed sequentially.
【００４９】レーザダイオード劣化予測装置２０に、ｎ
個の電源投入検出用ポートと、これらのポートに接続さ
れた初期電源投入検出部２１と、ｎ個のＬＤバイアス電
流値測定用ポートとを備える。電源投入検出用ポートと
ＬＤバイアス電流値測定用ポートとは対になっており、
それぞれポートの番号は一致させている。また、予め外
部ポートの被測定対象となる、例えば、ＬＤを搭載した
機器のフロア番号、架番号、ＳＹＳ番号、ＬＤ製造番号
等を測定記録メモリ２２に記憶させておく。In the laser diode deterioration predicting device 20, n
There are provided power-on detection ports, an initial power-on detection unit 21 connected to these ports, and n LD bias current value measurement ports. The power-on detection port and the LD bias current value measurement port are paired,
The port numbers are the same. Further, for example, the floor number, the rack number, the SYS number, the LD manufacturing number, etc. of the device equipped with the LD, which is the measurement target of the external port, are stored in advance in the measurement recording memory 22.
【００５０】そして、例えば、ＳＹＳ番号１のＬＤ搭載
機器の初期電源投入を行った際には、初期電源投入検出
部２１で、予め設定した複数のＬＤ搭載機器のうちのＳ
ＹＳ番号１の機器が電源投入されたことを判定し、制御
部２５に通知する。Then, for example, when the initial power-on of the LD-equipped device with the SYS number 1 is performed, the initial power-on detection unit 21 selects S among the preset LD-equipped devices.
It is determined that the device with YS number 1 has been powered on, and the controller 25 is notified.
【００５１】制御部２５は、初期バイアス電流値メモリ
２３に、初期電源投入を行ったＳＹＳ番号１の光増幅器
のＬＤバイアス電流値と日時を機能させる。他のＬＤ搭
載機器の場合も同様である。The control unit 25 causes the initial bias current value memory 23 to function with the LD bias current value and the date and time of the optical amplifier of SYS number 1 which is initially turned on. The same applies to other LD-equipped devices.
【００５２】そして、警報検出回路４５が、初期ＬＤバ
イアス電流値のｍ倍に達したとき、警報を発出するもの
である場合、予め任意に設定した一定時間（ｔ）に達す
る毎に、第２の実施例において説明したの同じように、
第４演算処理部３４は、制御部２５を通じ、測定部切替
器２９を切替え、バイアス電流値比較器２６は各ＳＹＳ
のＬＤバイアス電流値を順次測定し、バイアス電流値メ
モリ２４に電流値と日時とを記憶する。When the alarm detection circuit 45 issues an alarm when the initial LD bias current value reaches m times, the second alarm is generated every time a predetermined time (t) set in advance is reached. In the same way as described in the example of
The fourth arithmetic processing unit 34 switches the measuring unit switching unit 29 through the control unit 25, and the bias current value comparator 26 sets each SYS.
The LD bias current value is sequentially measured, and the current value and the date and time are stored in the bias current value memory 24.
【００５３】また、第４演算処理部３４は、現時点の測
定値と前回の測定値との電流値の差分より、バイアス電
流値の予測線を作成して警報検出回路４５が警報を発出
すると推定さる予測日時を、表示部１８に通知する。Further, the fourth arithmetic processing unit 34 makes a prediction line of the bias current value from the difference between the current value of the current measurement value and the previous measurement value, and estimates that the alarm detection circuit 45 will issue an alarm. The display unit 18 is notified of the predicted date and time.
【００５４】このようにすることにより、ＬＤの劣化状
況と今後予測される警報発生日時を把握することができ
る。但し、計測結果より算出した予測結果が予測限界点
以下の場合は、その結果を捨て「∞」等で表示するの
は、他の実施例の場合と同じである。By doing so, it is possible to grasp the deterioration status of the LD and the date and time when the warning is predicted in the future. However, when the prediction result calculated from the measurement result is equal to or lower than the prediction limit point, the result is discarded and displayed as “∞”, as in the other examples.
【００５５】また、表示するＬＤは任意に選択できるも
のとする。このように、１台のレーザダイオード劣化予
測装置により、複数のＬＤの劣化状況を掴むことができ
る。The LD to be displayed can be arbitrarily selected. In this way, the deterioration status of a plurality of LDs can be grasped by one laser diode deterioration prediction device.
【００５６】ここで、ＬＤバイアス電流値の検出方法に
ついては、第２の実施例で用いた方法で説明したが、第
１，第３の実施例で用いた劣化予測方法を用いてもよい
ことは当然である。Here, the method of detecting the LD bias current value has been described in the method used in the second embodiment, but the deterioration prediction method used in the first and third embodiments may be used. Is natural.
【００５７】[0057]
【発明の効果】以上説明したように、本説明を用いるこ
とにより、レーザダイオードの性能劣化の進行状況を容
易に掴むことができるので、レーザダイオードの寿命予
測と、計画的かつ的確な予防保全が可能となり、通信品
質の維持向上に寄与するところが大きい。As described above, by using this description, it is possible to easily grasp the progress of the performance deterioration of the laser diode. Therefore, it is possible to predict the life of the laser diode and perform planned and accurate preventive maintenance. This will be possible and will contribute greatly to maintaining and improving communication quality.
【図１】本発明の第１の実施例FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
【図２】第１の実施例の表示例（その１）FIG. 2 is a display example (1) of the first embodiment.
【図３】第１の実施例の表示例（その２）FIG. 3 is a display example (No. 2) of the first embodiment.
【図４】第２の実施例FIG. 4 is a second embodiment.
【図５】第２の実施例の表示例FIG. 5 is a display example of the second embodiment.
【図６】第３の実施例FIG. 6 is a third embodiment.
【図７】第３の実施例の表示例FIG. 7 is a display example of the third embodiment.
【図８】第４の実施例FIG. 8 is a fourth embodiment.
【図９】従来例FIG. 9: Conventional example
１０，２０ レーザダイオード劣化予測装置 １１，２１ 初期電源投入検出部 １２ 時計 １３，２３ 初期バイアス電流値メモリ １４，２４ バイアス電流値メモリ １５，２５ 制御部 １６，２６ バイアス電流値比較器 １７，２７ 表示切替器 １８，２８ 表示部 ２２ 測定記録メモリ ２９ 測定部切替器 ３１〜３４ 第１演算処理部〜第４演算処理部 ４１ レーザダイオード駆動回路 ４２ レーザダイオードモジュール ４３ 光ファイバー ４４ 光出力安定化回路 ４５ 警報検出回路 ４６ 電圧計又は電流計 ＬＤ レーザーダイオード ＰＤ フォトダイオード 10,20 Laser diode deterioration prediction device 11,21 Initial power-on detection unit 12 Clock 13,23 Initial bias current value memory 14,24 Bias current value memory 15,25 Control unit 16,26 Bias current value comparator 17,27 Display Switching device 18, 28 Display unit 22 Measurement recording memory 29 Measuring unit switching device 31 to 34 First arithmetic processing unit to fourth arithmetic processing unit 41 Laser diode drive circuit 42 Laser diode module 43 Optical fiber 44 Optical output stabilization circuit 45 Alarm detection Circuit 46 Voltmeter or Ammeter LD Laser diode PD Photodiode
Claims (8)
劣化を、バイアス電流を監視することにをよって予測す
るレーザダイオード劣化予測装置であって、 該装置の最初の電源投入を検出する初期電源投入検出手
段と、 該初期電源投入検出手段からの電源投入情報により、そ
の時のレーザダイオードのバイアス電流値である初期バ
イアス電流値と該電源投入日時を記憶する初期バイアス
電流値記憶手段と、 所定時点でのバイアス電流値とその日時を記憶するバイ
アス電流値記憶手段と、 該初期バイアス電流値記憶手段および該バイアス電流値
記憶手段とに記憶されている情報に基づいて該レーザダ
イオードの劣化時点の予測に必要な情報を表示する予測
・表示手段と、を有することを特徴とするレーザダイオ
ード劣化予測装置。1. A laser diode deterioration predicting device for predicting deterioration of a laser diode used in the device by monitoring a bias current, the initial power-up detecting the first power-on of the device. Detection means, initial bias current value storage means for storing the initial bias current value, which is the bias current value of the laser diode at that time, and the power-on date and time, based on the power-on information from the initial power-on detection means; Bias current value storage means for storing the bias current value and its date and time, and for predicting the time of deterioration of the laser diode based on the information stored in the initial bias current value storage means and the bias current value storage means. A device for predicting deterioration of laser diode, comprising: a prediction / display unit for displaying necessary information.
電流値記憶手段に記憶されているバイアス電流値と電源
投入日時とを表示するものであることを特徴とする請求
項１記載のレーザダイオード劣化予測装置。2. The laser diode according to claim 1, wherein the prediction / display means displays a bias current value stored in the initial bias current value storage means and a power-on date and time. Degradation prediction device.
電流値記憶手段に記憶されている初期バイアス電流値と
電源投入日時と、現在のバイアス電流値とを表示するも
のであることを特徴とする請求項１記載のレーザダイオ
ード劣化予測装置。3. The predicting / displaying means displays the initial bias current value, the power-on date and time, and the current bias current value stored in the initial bias current value storage means. The laser diode deterioration prediction device according to claim 1.
電流値記憶手段に記憶されている初期バイアス電流値と
現在のバイアス電流値との比率を演算し、その結果を表
示するものであることを特徴とする請求項１記載のレー
ザダイオード劣化予測装置。4. The prediction / display means calculates a ratio between an initial bias current value stored in the initial bias current value storage means and a current bias current value, and displays the result. The laser diode deterioration predicting device according to claim 1.
流値が、レーザダイオードが劣化したとされる限界バイ
アス電流値と前記初期バイアス電流値記憶手段に記憶さ
れている初期バイアス電流値との間のどの位置にあるか
を演算し、その結果を表示するものであることを特徴と
する請求項１記載のレーザダイオード劣化予測装置。5. The predicting / displaying means displays a current bias current value of a limit bias current value which is considered to be a deterioration of a laser diode and an initial bias current value stored in the initial bias current value storage means. 2. The laser diode deterioration prediction device according to claim 1, wherein the position is calculated and the result is displayed.
したとされるバイアス電流値である限界バイアス電流値
との間の値を有する複数の検出閾値が与えられ、前記レ
ーザダイオードのバイアス電流値が該検出閾値に達した
ことを検出する都度、前記バイアス電流値記憶手段に前
記所定時点であることを通知する電流比較手段と、 前記初期バイアス電流値記憶手段および前記バイアス電
流値記憶手段とが記憶している情報に基づいて、バイア
ス電流値が前記限界バイアス電流値に到達する日時を算
出する演算処理手段と、 該初期バイアス電流値記憶手段と該バイアス電流値記憶
手段とが保持する情報と前記演算処理手段が演算した結
果とを表示する表示手段と、からなることを特徴とする
請求項１記載のレーザダイオード劣化予測装置。6. The prediction / display means is provided with a plurality of detection thresholds having a value between the initial bias current value and a limit bias current value which is a bias current value at which the laser diode is considered to have deteriorated. A current comparing means for notifying the bias current value storage means that the predetermined time point is reached each time the bias current value of the laser diode reaches the detection threshold value; the initial bias current value storage means; An arithmetic processing unit that calculates the date and time when the bias current value reaches the limit bias current value based on the information stored in the bias current value storage unit, the initial bias current value storage unit, and the bias current value. The display means for displaying the information held by the storage means and the result calculated by the calculation processing means. Laser diode deterioration prediction system.
イアス電流値に近いものほど小さくなるように設定され
ることを特徴とする請求項６記載のレーザダイオード劣
化予測装置。7. The laser diode deterioration predicting apparatus according to claim 6, wherein the step between the plurality of detection thresholds is set to be smaller as it is closer to the limit bias current value.
憶時との間の経過時間およびバイアス電流値の変化量と
からバイアス電流の変化率を求め外挿により限界バイア
ス電流値に到達する日時を算出するものであることを特
徴とする請求項６記載のレーザダイオード劣化予測装
置。8. The arithmetic processing means obtains a rate of change in bias current from the elapsed time between the current storage time and the previous storage time and the amount of change in bias current value, and reaches the limit bias current value by extrapolation. 7. The laser diode deterioration prediction device according to claim 6, wherein the date and time are calculated.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7273084A JPH09116231A (en) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | Laser diode deterioration prediction device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7273084A JPH09116231A (en) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | Laser diode deterioration prediction device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116231A true JPH09116231A (en) | 1997-05-02 |
Family
ID=17522927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7273084A Withdrawn JPH09116231A (en) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | Laser diode deterioration prediction device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09116231A (en) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163462A (en) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | Optical wavelength stability controller, optical transmitter, optical wavelength multiplex transmitter |
| JPH11186963A (en) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Nec Corp | Method and system for monitoring transmission quality in optical transmission communication system |
| JP2002076506A (en) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Nec Corp | Method and device for detecting abnormality of optical module |
| JP2003008136A (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Nec Corp | Semiconductor laser deterioration monitoring device |
| JP2004254240A (en) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | Laser diode management device and laser diode management method |
| JP2009182471A (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Fujitsu Ltd | Failure prediction apparatus, failure prediction method, and failure prediction program |
| JP2014035188A (en) * | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Panasonic Corp | Motor position detector |
| WO2014130785A1 (en) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Green Fitness Equipment Company, Llc | Current monitor for indicating condition of attached electrical apparatus |
| JP2014183410A (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Fujitsu Ltd | Optical transmission device and optical transmission system |
| US8884553B2 (en) | 2011-10-19 | 2014-11-11 | Justin Hai | Current monitor for indicating condition of attached electrical apparatus |
| JP2015004559A (en) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | パナソニック株式会社 | Motor position detector |
| US9752545B2 (en) | 2012-08-01 | 2017-09-05 | Denso Corporation | Fuel injection control apparatus |
| CN107710526A (en) * | 2015-05-22 | 2018-02-16 | 北京热刺激光技术有限责任公司 | A kind of electronics key for carbon dioxide laser |
| JP2018049916A (en) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | スタンレー電気株式会社 | Light source system and vehicle lamp |
| WO2019142236A1 (en) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | 株式会社Ｆｕｊｉ | Work machine |
| WO2019172086A1 (en) | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 三菱電機株式会社 | Life prediction method and life prediction device for optical modules |
| JP2019186618A (en) * | 2018-04-03 | 2019-10-24 | 富士通株式会社 | Optical transmission/reception system, optical communication device and failure detection method |
| US11038588B1 (en) * | 2020-04-10 | 2021-06-15 | Moxa Inc. | Failure prediction method of optical transceiver and related optical transceiver and fiber-optic communication system |
| CN113196073A (en) * | 2018-12-19 | 2021-07-30 | ams有限公司 | Circuit fault detection for diode arrays |
| WO2024220353A1 (en) * | 2023-04-17 | 2024-10-24 | Calix, Inc. | Laser transmitter characterization for accurate laser aging |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP7273084A patent/JPH09116231A/en not_active Withdrawn
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163462A (en) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | Optical wavelength stability controller, optical transmitter, optical wavelength multiplex transmitter |
| JPH11186963A (en) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Nec Corp | Method and system for monitoring transmission quality in optical transmission communication system |
| JP2002076506A (en) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Nec Corp | Method and device for detecting abnormality of optical module |
| JP2003008136A (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Nec Corp | Semiconductor laser deterioration monitoring device |
| JP2004254240A (en) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | Laser diode management device and laser diode management method |
| JP2009182471A (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Fujitsu Ltd | Failure prediction apparatus, failure prediction method, and failure prediction program |
| US8204700B2 (en) | 2008-01-29 | 2012-06-19 | Fujitsu Limited | Failure prediction apparatus and failure prediction method |
| US9140727B2 (en) | 2011-10-19 | 2015-09-22 | Green Fitness Equipment Company, Llc | Current monitor for indicating condition of attached electrical apparatus |
| US8884553B2 (en) | 2011-10-19 | 2014-11-11 | Justin Hai | Current monitor for indicating condition of attached electrical apparatus |
| US9752545B2 (en) | 2012-08-01 | 2017-09-05 | Denso Corporation | Fuel injection control apparatus |
| JP2014035188A (en) * | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Panasonic Corp | Motor position detector |
| WO2014130785A1 (en) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Green Fitness Equipment Company, Llc | Current monitor for indicating condition of attached electrical apparatus |
| JP2014183410A (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Fujitsu Ltd | Optical transmission device and optical transmission system |
| JP2015004559A (en) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | パナソニック株式会社 | Motor position detector |
| CN107710526A (en) * | 2015-05-22 | 2018-02-16 | 北京热刺激光技术有限责任公司 | A kind of electronics key for carbon dioxide laser |
| JP2018049916A (en) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | スタンレー電気株式会社 | Light source system and vehicle lamp |
| WO2019142236A1 (en) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | 株式会社Ｆｕｊｉ | Work machine |
| CN111630943A (en) * | 2018-01-16 | 2020-09-04 | 株式会社富士 | Working machine |
| US10992376B2 (en) | 2018-01-16 | 2021-04-27 | Fuji Corporation | Work machine |
| JPWO2019142236A1 (en) * | 2018-01-16 | 2020-11-19 | 株式会社Ｆｕｊｉ | Work machine |
| US20200381889A1 (en) * | 2018-03-08 | 2020-12-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Life prediction method and life prediction device for optical module |
| JPWO2019172086A1 (en) * | 2018-03-08 | 2020-04-16 | 三菱電機株式会社 | Optical module life prediction method and life prediction apparatus |
| WO2019172086A1 (en) | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 三菱電機株式会社 | Life prediction method and life prediction device for optical modules |
| WO2019171552A1 (en) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 三菱電機株式会社 | Life prediction method and life prediction device for optical modules |
| JP2019186618A (en) * | 2018-04-03 | 2019-10-24 | 富士通株式会社 | Optical transmission/reception system, optical communication device and failure detection method |
| CN113196073A (en) * | 2018-12-19 | 2021-07-30 | ams有限公司 | Circuit fault detection for diode arrays |
| CN113196073B (en) * | 2018-12-19 | 2024-01-16 | ams有限公司 | Circuit fault detection for diode arrays |
| US11927644B2 (en) | 2018-12-19 | 2024-03-12 | Ams Ag | Circuit failure detection for diode arrays |
| US11038588B1 (en) * | 2020-04-10 | 2021-06-15 | Moxa Inc. | Failure prediction method of optical transceiver and related optical transceiver and fiber-optic communication system |
| CN113517923A (en) * | 2020-04-10 | 2021-10-19 | 四零四科技股份有限公司 | Optical transceiver, failure prediction method for optical transceiver and optical fiber communication system |
| CN113517923B (en) * | 2020-04-10 | 2022-05-03 | 四零四科技股份有限公司 | Optical transceiver, failure prediction method for optical transceiver and optical fiber communication system |
| WO2024220353A1 (en) * | 2023-04-17 | 2024-10-24 | Calix, Inc. | Laser transmitter characterization for accurate laser aging |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4349408B2 (en) | Life prediction monitoring apparatus, life prediction monitoring method, and life prediction monitoring program | |
| US7142125B2 (en) | Fan monitoring for failure prediction | |
| JP5609071B2 (en) | Power storage device | |
| US6437540B2 (en) | Battery pack | |
| JP5751493B2 (en) | Battery monitoring device | |
| KR102882466B1 (en) | Predictive maintenance method, and predictive maintenance device | |
| JP2009128250A (en) | Secondary battery deterioration state judgment system | |
| KR20170099287A (en) | Relay monitoring device for battery disconnect unit | |
| JP6205945B2 (en) | Transmission apparatus, transmission apparatus control method, and transmission apparatus control program | |
| JP6689476B2 (en) | Optical module life prediction method and life prediction apparatus | |
| JP2008014951A (en) | Battery level warning circuit | |
| WO2019097664A1 (en) | Battery life estimation device | |
| KR101227835B1 (en) | The battery charger with battery management system | |
| US6351611B1 (en) | Battery check system for use in cameras | |
| CN109900387A (en) | For determining the method and apparatus of the alarm temperature rise threshold value of power equipment | |
| CN117740152A (en) | Power line temperature monitoring method, system, equipment and medium | |
| KR20200045980A (en) | Method and system for direct estimation of exact power in real-time | |
| US20080208535A1 (en) | Disc array device | |
| JPH06214039A (en) | Radiation measuring device | |
| JP2005080376A (en) | Multi-load battery capacity display device and method | |
| JP2007024796A (en) | Hydrogen detection element control device and hydrogen detection element control method | |
| KR20030046835A (en) | Method for controlling of power supply in potable system | |
| KR20050023664A (en) | Power supply device for displying voltage level | |
| JPH0757167A (en) | Lifetime alarm device | |
| WO2025225488A1 (en) | Power conversion device and control method for power conversion device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |