JPH09116231A - レーザダイオード劣化予測装置 - Google Patents
レーザダイオード劣化予測装置Info
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- JPH09116231A JPH09116231A JP7273084A JP27308495A JPH09116231A JP H09116231 A JPH09116231 A JP H09116231A JP 7273084 A JP7273084 A JP 7273084A JP 27308495 A JP27308495 A JP 27308495A JP H09116231 A JPH09116231 A JP H09116231A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザダイオードのバイアス電流を監視し、
レーザダイオードの劣化時期を予測するレーザダイオー
ド劣化予測装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 レーザダイオードを搭載する機器の電源
を初めて投入した時を検出する初期電源投入検出手段
と、時刻情報を生成する時刻情報生成手段と、初期電源
投入検出手段からの電源投入情報により初期のバイアス
電流値と電源投入検出日時を記憶する初期バイアス電流
値記憶手段と、任意の時点のバイアス電流値と日時を記
憶するバイアス電流値記憶手段と、劣化予測装置内の動
作を制御する制御手段と、バイアス電流値を検出電流値
と比較するバイアス電流値比較手段と、検出電流値や検
出日時を設定するとともに、記憶してデータを用いて劣
化予測日数の演算を行う演算処理手段と、記憶した各種
データや演算結果のグラフを表示する表示手段とを有す
る構成とする。
レーザダイオードの劣化時期を予測するレーザダイオー
ド劣化予測装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 レーザダイオードを搭載する機器の電源
を初めて投入した時を検出する初期電源投入検出手段
と、時刻情報を生成する時刻情報生成手段と、初期電源
投入検出手段からの電源投入情報により初期のバイアス
電流値と電源投入検出日時を記憶する初期バイアス電流
値記憶手段と、任意の時点のバイアス電流値と日時を記
憶するバイアス電流値記憶手段と、劣化予測装置内の動
作を制御する制御手段と、バイアス電流値を検出電流値
と比較するバイアス電流値比較手段と、検出電流値や検
出日時を設定するとともに、記憶してデータを用いて劣
化予測日数の演算を行う演算処理手段と、記憶した各種
データや演算結果のグラフを表示する表示手段とを有す
る構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
の寿命を正確、かつ的確に予測するレーザダイオード劣
化予測装置に関する。
の寿命を正確、かつ的確に予測するレーザダイオード劣
化予測装置に関する。
【０００２】光通信用装置等において、光インタフェー
ス等の部分に使用されるレーザダイオード（以下、ＬＤ
と称する）の寿命等による故障発生時の対応は、代表的
なものとしてＬＤバイアス電流値増加にしきい値を設け
た警報検出回路によるもので管理・運用されている。そ
して寿命予測としては、ＬＤの特性上、性能の固体差が
あり、ＬＤを駆動させた初期のバイアス電流値を元に、
現在の劣化度を判定する方法を用いているが、ＬＤの寿
命の多くは５年から１０年である。
ス等の部分に使用されるレーザダイオード（以下、ＬＤ
と称する）の寿命等による故障発生時の対応は、代表的
なものとしてＬＤバイアス電流値増加にしきい値を設け
た警報検出回路によるもので管理・運用されている。そ
して寿命予測としては、ＬＤの特性上、性能の固体差が
あり、ＬＤを駆動させた初期のバイアス電流値を元に、
現在の劣化度を判定する方法を用いているが、ＬＤの寿
命の多くは５年から１０年である。
【０００３】ＬＤの価格は高価であるため、ＬＤの寿命
を正確に予知して、修理費用を確保し、代替用ＬＤを確
保しておくことが必要であり、現在ＬＤの寿命を検知す
る警報検出回路が提供されている。しかし、いつ警報が
発出するのか見当をつけることができず、劣化による警
報の発生により、初めてＬＤの交換作業にとりかかるこ
とを余儀無くされていることが多い。そのため、ＬＤの
使用開始時から劣化までの推移を監視し、ＬＤの使用可
能な期間をＬＤが劣化するよりも可能な限り早く予測で
きる方法が強く要望されている。
を正確に予知して、修理費用を確保し、代替用ＬＤを確
保しておくことが必要であり、現在ＬＤの寿命を検知す
る警報検出回路が提供されている。しかし、いつ警報が
発出するのか見当をつけることができず、劣化による警
報の発生により、初めてＬＤの交換作業にとりかかるこ
とを余儀無くされていることが多い。そのため、ＬＤの
使用開始時から劣化までの推移を監視し、ＬＤの使用可
能な期間をＬＤが劣化するよりも可能な限り早く予測で
きる方法が強く要望されている。
【０００４】
【従来の技術】図９を用いて従来技術を説明する。図９
は、光中継器の送信部を示す図であり、Ｓ ＩＮから入
力した電気信号は、ＬＤ駆動回路４１において、ＬＤ駆
動電流となってＬＤモジュール３に送られ、ＬＤモジュ
ール４２に搭載されているＬＤを駆動する。ＬＤの駆動
により、電気信号は光信号に変換されて、光ファイバー
４３を介してＳ ＯＵＴより光ファイバケーブルに送出
される。
は、光中継器の送信部を示す図であり、Ｓ ＩＮから入
力した電気信号は、ＬＤ駆動回路４１において、ＬＤ駆
動電流となってＬＤモジュール３に送られ、ＬＤモジュ
ール４２に搭載されているＬＤを駆動する。ＬＤの駆動
により、電気信号は光信号に変換されて、光ファイバー
４３を介してＳ ＯＵＴより光ファイバケーブルに送出
される。
【０００５】ＬＤモジュール４２では、ＬＤの光出力の
一部がモニタ用フォトダイオードＰＤで光出力レベルに
対応した電気信号を取り出す。光出力安定回路４４は、
ＬＤモジュール４２のフォトダイオードＰＤからの送出
光信号レベルに対応した電気信号を入力してＳ ＯＵＴ
より送出する光信号を、安定に保持する。また、警報検
出回路４５は、ＬＤ駆動回路４１のＬＤバイアス電流値
と光出力安定回路４４を監視し、ＬＤバイアス電流値が
増加し、劣化までには至っていないが、通信品質を確保
するために、早急に交換することが望ましくなって来た
ことを警告する一定値を越えると、「ＬＤ ＣＵＲＲ
ＡＬＭ」警報を発し、また、フォトダイオードＰＤから
の信号レベルが低下したりして光出力安定回路４４が不
安定動作すると異常と判断して「Ｓ ＯＵＴ ＡＬＭ」
警報を発する。
一部がモニタ用フォトダイオードＰＤで光出力レベルに
対応した電気信号を取り出す。光出力安定回路４４は、
ＬＤモジュール４２のフォトダイオードＰＤからの送出
光信号レベルに対応した電気信号を入力してＳ ＯＵＴ
より送出する光信号を、安定に保持する。また、警報検
出回路４５は、ＬＤ駆動回路４１のＬＤバイアス電流値
と光出力安定回路４４を監視し、ＬＤバイアス電流値が
増加し、劣化までには至っていないが、通信品質を確保
するために、早急に交換することが望ましくなって来た
ことを警告する一定値を越えると、「ＬＤ ＣＵＲＲ
ＡＬＭ」警報を発し、また、フォトダイオードＰＤから
の信号レベルが低下したりして光出力安定回路４４が不
安定動作すると異常と判断して「Ｓ ＯＵＴ ＡＬＭ」
警報を発する。
【０００６】運用中のＬＤのバイアス電流の監視は、光
出力安定化回路４４に設けられた「ＬＤ ＣＵＲＲ Ｍ
ＯＮ」端子に、定期的に電圧計または電流計を接続し
て、ＬＤバイアス電流に対応した電圧または電流値を測
定する。そして、得られたデータを、初期ＬＤバイアス
電流値と比較して、測定時点のＬＤバイアス電流値が初
期ＬＤバイアス電流値の何倍に増加したかを計算して、
ＬＤの劣化状況を把握していた。
出力安定化回路４４に設けられた「ＬＤ ＣＵＲＲ Ｍ
ＯＮ」端子に、定期的に電圧計または電流計を接続し
て、ＬＤバイアス電流に対応した電圧または電流値を測
定する。そして、得られたデータを、初期ＬＤバイアス
電流値と比較して、測定時点のＬＤバイアス電流値が初
期ＬＤバイアス電流値の何倍に増加したかを計算して、
ＬＤの劣化状況を把握していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、ＬＤの劣
化を予測するためには、電源投入以降、ＬＤが使用不能
になるまでの間、ＬＤバイアス電流の初期値データを保
管しておく必要がある。
化を予測するためには、電源投入以降、ＬＤが使用不能
になるまでの間、ＬＤバイアス電流の初期値データを保
管しておく必要がある。
【０００８】しかしながら、従来の技術においては、往
々にして このデータを保管していない場合が多いため
に、ＬＤのバイアス電流値を測定して得たデータを基に
してＬＤの劣化度を判定しようにも、容易に判定ができ
ない状況にあった。また、得られたデータを用いて、自
分でＬＤの寿命を予測して、ＬＤの劣化状況の把握を行
うためには、多くの時間を要していた。
々にして このデータを保管していない場合が多いため
に、ＬＤのバイアス電流値を測定して得たデータを基に
してＬＤの劣化度を判定しようにも、容易に判定ができ
ない状況にあった。また、得られたデータを用いて、自
分でＬＤの寿命を予測して、ＬＤの劣化状況の把握を行
うためには、多くの時間を要していた。
【０００９】そのため、ＬＤの寿命の予測を怠っている
と、その間にＬＤの劣化が進行してＬＤバイアス電流値
の増加による警報が発生するまで、ＬＤの寿命を認識で
きないといった問題点があった。
と、その間にＬＤの劣化が進行してＬＤバイアス電流値
の増加による警報が発生するまで、ＬＤの寿命を認識で
きないといった問題点があった。
【００１０】本発明は、光通信装置等のＬＤのバイアス
電流を監視して、ＬＤの劣化時期を予測するＬＤ劣化予
測装置を提供することを目的とする。
電流を監視して、ＬＤの劣化時期を予測するＬＤ劣化予
測装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のレーザダイオード劣化予測装置は、レーザ
ダイオードが使われている装置の最初の電源投入を検出
する初期電源投入検出手段と、該初期電源投入検出手段
からの電源投入情報により、その時のレーザダイオード
のバイアス電流値である初期バイアス電流値と該電源投
入日時を記憶する初期バイアス電流値記憶手段と、所定
時点でのバイアス電流値とその日時を記憶するバイアス
電流値記憶手段と、該初期バイアス電流値記憶手段およ
び該バイアス電流値記憶手段とに記憶されている情報に
基づいて該レーザダイオードの劣化時点の予測に必要な
情報を表示する予測・表示手段とを有する。初期バイア
ス電流値と運用開始時点とが予測装置内に保持されてい
るので現時点のバイアス電流値をともに用い劣化予測に
必要な情報を表示させることができる。
め、本発明のレーザダイオード劣化予測装置は、レーザ
ダイオードが使われている装置の最初の電源投入を検出
する初期電源投入検出手段と、該初期電源投入検出手段
からの電源投入情報により、その時のレーザダイオード
のバイアス電流値である初期バイアス電流値と該電源投
入日時を記憶する初期バイアス電流値記憶手段と、所定
時点でのバイアス電流値とその日時を記憶するバイアス
電流値記憶手段と、該初期バイアス電流値記憶手段およ
び該バイアス電流値記憶手段とに記憶されている情報に
基づいて該レーザダイオードの劣化時点の予測に必要な
情報を表示する予測・表示手段とを有する。初期バイア
ス電流値と運用開始時点とが予測装置内に保持されてい
るので現時点のバイアス電流値をともに用い劣化予測に
必要な情報を表示させることができる。
【００１２】また、予測・表示手段に初期バイアス電流
値記憶手段に記憶されているバイアス電流値と電源投入
日時とを表示させるので、外部から別途測定した現在の
バイアス電流値と比較することにより、確実に劣化時点
を予測することが可能となる。
値記憶手段に記憶されているバイアス電流値と電源投入
日時とを表示させるので、外部から別途測定した現在の
バイアス電流値と比較することにより、確実に劣化時点
を予測することが可能となる。
【００１３】さらに、前記初期バイアス電流値記憶手段
に記憶されている初期バイアス電流値と電源投入日時
と、現在のバイアス電流値とを表示するようにすれば、
外部からの別途測定を行うことなくレーザダイオードの
劣化時点を予測できるので便利となる。
に記憶されている初期バイアス電流値と電源投入日時
と、現在のバイアス電流値とを表示するようにすれば、
外部からの別途測定を行うことなくレーザダイオードの
劣化時点を予測できるので便利となる。
【００１４】さらに、予測・表示手段が、前記初期バイ
アス電流値記憶手段に記憶されている初期バイアス電流
値と現在のバイアス電流値との比率を演算し、その結果
を表示するようにすれば、バイアス電流値の増加の度合
いが簡単に分かり、劣化予測がし易くなる。
アス電流値記憶手段に記憶されている初期バイアス電流
値と現在のバイアス電流値との比率を演算し、その結果
を表示するようにすれば、バイアス電流値の増加の度合
いが簡単に分かり、劣化予測がし易くなる。
【００１５】さらに、予測・表示手段は、現在のバイア
ス電流値が、レーザダイオードが劣化したとされる限界
バイアス電流値と前記初期バイアス電流値記憶手段に記
憶されている初期バイアス電流値との間のどの位置にあ
るかを演算し、その結果を表示するようにしたので、劣
化までの期間がより確実に予測できる。
ス電流値が、レーザダイオードが劣化したとされる限界
バイアス電流値と前記初期バイアス電流値記憶手段に記
憶されている初期バイアス電流値との間のどの位置にあ
るかを演算し、その結果を表示するようにしたので、劣
化までの期間がより確実に予測できる。
【００１６】さらに、予測・表示手段を、初期バイアス
電流値と限界バイアス電流値との間の値を有する複数の
検出閾値と、現在のバイアス電流値とを比較して現在の
バイアス電流値が該検出閾値に達したことを検出する都
度、前記バイアス電流値記憶手段に前記所定時点である
ことを通知する電流比較手段と、このようにして記憶さ
れた情報に基づいて、バイアス電流値が限界バイアス電
流値に到達する日時を算出する演算処理手段、初期バイ
アス電流値記憶手段と該バイアス電流値記憶手段とが保
持する情報と前記演算処理手段が演算した結果とを表示
する表示手段とから構成する。これにより、バイアス電
流値記憶手段が適宜の時間間隔でバイアス電流値とその
日時とを記憶し、予測演算結果とともに表示されるの
で、レーザダイオードのバイアス電流値の推移と劣化時
点を一目で認識することが可能となり、保守が容易にな
る。
電流値と限界バイアス電流値との間の値を有する複数の
検出閾値と、現在のバイアス電流値とを比較して現在の
バイアス電流値が該検出閾値に達したことを検出する都
度、前記バイアス電流値記憶手段に前記所定時点である
ことを通知する電流比較手段と、このようにして記憶さ
れた情報に基づいて、バイアス電流値が限界バイアス電
流値に到達する日時を算出する演算処理手段、初期バイ
アス電流値記憶手段と該バイアス電流値記憶手段とが保
持する情報と前記演算処理手段が演算した結果とを表示
する表示手段とから構成する。これにより、バイアス電
流値記憶手段が適宜の時間間隔でバイアス電流値とその
日時とを記憶し、予測演算結果とともに表示されるの
で、レーザダイオードのバイアス電流値の推移と劣化時
点を一目で認識することが可能となり、保守が容易にな
る。
【００１７】さらに、前記複数の検出閾値間のステップ
は限界バイアス電流値に近いものほど小さくなるように
設定されるようにしたので、劣化時点が近づくにつれて
バイアス電流の監視が頻繁に行われ、予測の精度が高く
なり、保守の準備が効率的にできる。 また、前記演算
処理手段は、今回記憶時と前回記憶時との間の経過時間
およびバイアス電流値の変化量とからバイアス電流の変
化率を求め外挿により限界バイアス電流値に到達する日
時を算出するようにしたので、劣化時点に近づくほど予
測の精度が向上し、効率的に保守作業を行うことができ
る。
は限界バイアス電流値に近いものほど小さくなるように
設定されるようにしたので、劣化時点が近づくにつれて
バイアス電流の監視が頻繁に行われ、予測の精度が高く
なり、保守の準備が効率的にできる。 また、前記演算
処理手段は、今回記憶時と前回記憶時との間の経過時間
およびバイアス電流値の変化量とからバイアス電流の変
化率を求め外挿により限界バイアス電流値に到達する日
時を算出するようにしたので、劣化時点に近づくほど予
測の精度が向上し、効率的に保守作業を行うことができ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】実施例について、図１〜図８を用
いて説明する。図１は第１の実施例、図２は第１の実施
例における表示例（その１）、図３は第１の実施例にお
ける表示例（その２）、図４は第２の実施例、図５は第
２の実施例における表示例、図６は第３の実施例、図７
は第３の実施例における表示例、図８は第４の実施例を
説明する図である。
いて説明する。図１は第１の実施例、図２は第１の実施
例における表示例（その１）、図３は第１の実施例にお
ける表示例（その２）、図４は第２の実施例、図５は第
２の実施例における表示例、図６は第３の実施例、図７
は第３の実施例における表示例、図８は第４の実施例を
説明する図である。
【００１９】また、図中、第９図で示した符号と同じ符
号は同一のものを示し、１０，２０はレーザダイオード
劣化予測装置、１１，２１は初期電源投入検出部、１２
は時計、１３，２３は初期バイアス電流値メモリ、１
４，２４はバイアス電流値メモリ、１５，２５は制御
部、１６，２６はバイアス電流値比較器、１７，２７は
表示切替器、１８，２８は表示部、２２は測定記録メモ
リ、２９は測定部切替器、３１〜３４はそれぞれ第１〜
第４演算処理部、ＬＤはレーザーダイオード、ＰＤはフ
ォトダイオードである。
号は同一のものを示し、１０，２０はレーザダイオード
劣化予測装置、１１，２１は初期電源投入検出部、１２
は時計、１３，２３は初期バイアス電流値メモリ、１
４，２４はバイアス電流値メモリ、１５，２５は制御
部、１６，２６はバイアス電流値比較器、１７，２７は
表示切替器、１８，２８は表示部、２２は測定記録メモ
リ、２９は測定部切替器、３１〜３４はそれぞれ第１〜
第４演算処理部、ＬＤはレーザーダイオード、ＰＤはフ
ォトダイオードである。
【００２０】まず、本発明の第１の実施例を図１〜図３
を用いて説明する。第１の実施例のレーザダイオード劣
化予測装置１０は、電源投入時以降、運用を停止する迄
の期間、ＬＤを搭載した機器の送信部の光出力安定回路
４４よりＬＤバイアス電流値を取り出して監視して記憶
し、電源投入時の初期ＬＤバイアス電流値からの電流増
加の傾向より劣化日時を予測するものである。
を用いて説明する。第１の実施例のレーザダイオード劣
化予測装置１０は、電源投入時以降、運用を停止する迄
の期間、ＬＤを搭載した機器の送信部の光出力安定回路
４４よりＬＤバイアス電流値を取り出して監視して記憶
し、電源投入時の初期ＬＤバイアス電流値からの電流増
加の傾向より劣化日時を予測するものである。
【００２１】まず、ＬＤを搭載した機器に電源が投入さ
れると、初期電源投入検出部１１が電源投入を検出し
て、初期バイアス電流値メモリ１３に通知する。初期バ
イアス電流値メモリ１３は、初期電源投入検出部１１か
らの通知により、初期電源投入時の初期ＬＤバイアス電
流値と、時計１２からの時間情報を受けて電源を投入し
た日時とを記憶する。
れると、初期電源投入検出部１１が電源投入を検出し
て、初期バイアス電流値メモリ１３に通知する。初期バ
イアス電流値メモリ１３は、初期電源投入検出部１１か
らの通知により、初期電源投入時の初期ＬＤバイアス電
流値と、時計１２からの時間情報を受けて電源を投入し
た日時とを記憶する。
【００２２】第１演算処理部３１は初期電源投入時の初
期ＬＤバイアス電流値と警報発出点のＬＤバイアス電流
値との間に、例えば、ｎ段階のＬＤバイアス電流値検出
レベルを設定し、バイアス電流値比較器１６がこの検出
レベルを用いて監視するバイアス電流値の増加を検出す
る。
期ＬＤバイアス電流値と警報発出点のＬＤバイアス電流
値との間に、例えば、ｎ段階のＬＤバイアス電流値検出
レベルを設定し、バイアス電流値比較器１６がこの検出
レベルを用いて監視するバイアス電流値の増加を検出す
る。
【００２３】なお、監視するＬＤバイアス電流値が初期
ＬＤバイアス電流値のｍ倍になると、警報が発出するよ
うに設定した警報検出回路４５を用いているものとす
る。第１演算処理部３１は、初期バイアス電流値メモリ
１３に記憶された初期ＬＤバイアス電流値Ｉ0 と、警報
発出点のＬＤバイアス電流値ＩA の差をｎ等分して、そ
れぞれを０レベルから（ｎ−１）レベルとする。そし
て、１〜（ｎ−１）レベルまでの各ＬＤバイアス電流値
Ｉ1 ，Ｉ2 ，．．，Ｉ(n-1) をバイアス電流値比較器１
６に通知する。
ＬＤバイアス電流値のｍ倍になると、警報が発出するよ
うに設定した警報検出回路４５を用いているものとす
る。第１演算処理部３１は、初期バイアス電流値メモリ
１３に記憶された初期ＬＤバイアス電流値Ｉ0 と、警報
発出点のＬＤバイアス電流値ＩA の差をｎ等分して、そ
れぞれを０レベルから（ｎ−１）レベルとする。そし
て、１〜（ｎ−１）レベルまでの各ＬＤバイアス電流値
Ｉ1 ，Ｉ2 ，．．，Ｉ(n-1) をバイアス電流値比較器１
６に通知する。
【００２４】バイアス電流値比較器１６は光安定化回路
４４から取り出されたＬＤバイアス電流値を常に監視
し、１〜（ｎ−１）レベルまでのそれぞれの電流値に増
加すると、そのときのＬＤバイアス電流値と日時をバイ
アス電流値メモリ１４に記憶するとともに、その都度、
制御部１５に各レベルに到達したことを通知する。
４４から取り出されたＬＤバイアス電流値を常に監視
し、１〜（ｎ−１）レベルまでのそれぞれの電流値に増
加すると、そのときのＬＤバイアス電流値と日時をバイ
アス電流値メモリ１４に記憶するとともに、その都度、
制御部１５に各レベルに到達したことを通知する。
【００２５】また、第１演算処理部３１は、通知された
電流値と前回の電流値との差分と、初期バイアス電流値
メモリ１３からの初期ＬＤバイアス電流値，及び経過時
間情報とを用いてＬＤバイアス電流の増加率を計算し、
監視しているＬＤバイアス電流が初期ＬＤバイアス電流
のｍ倍に増加するまでの予測日時ＴA を演算して、バイ
アス電流値推移に警報発出日時を示すグラフを作成す
る。
電流値と前回の電流値との差分と、初期バイアス電流値
メモリ１３からの初期ＬＤバイアス電流値，及び経過時
間情報とを用いてＬＤバイアス電流の増加率を計算し、
監視しているＬＤバイアス電流が初期ＬＤバイアス電流
のｍ倍に増加するまでの予測日時ＴA を演算して、バイ
アス電流値推移に警報発出日時を示すグラフを作成す
る。
【００２６】そして、例えば、算出結果を、図２に示す
ように、初期ＬＤバイアス電流値とその日時を表示した
り、所定の検出電流値に達したときの電流値と日時と電
流増加率を表示させたり、ＬＤ劣化による警報発出予測
日時のＬＤバイアス電流値とその日時と電流増加率を表
示させたりする。
ように、初期ＬＤバイアス電流値とその日時を表示した
り、所定の検出電流値に達したときの電流値と日時と電
流増加率を表示させたり、ＬＤ劣化による警報発出予測
日時のＬＤバイアス電流値とその日時と電流増加率を表
示させたりする。
【００２７】図２の例では、初期ＬＤバイアス電流値Ｉ
0 とその日時Ｔ0 （例えば、１．８０ｍＡ，１９８５．
０４．０１）や、ＬＤバイアス電流値が１０％増加した
時点Ｔ1 のＬＤバイアス電流値とその日時と電流増加率
（１．９２ｍＡ，１９９５．０５．０１，＋１０．０
％）や、また、４０％増加した現時点Ｔ4 の値（２．５
２ｍＡ，１９９５．０８．０５，＋４０．０％）を表示
させたり、ＬＤ劣化による警報発出予測日時ＴA4 の電
流値（２．７０ｍＡ）と警報発出予測日時（１９９５．
０９．０１）と電流増加率（＋５０．０％）を表示させ
たりする。
0 とその日時Ｔ0 （例えば、１．８０ｍＡ，１９８５．
０４．０１）や、ＬＤバイアス電流値が１０％増加した
時点Ｔ1 のＬＤバイアス電流値とその日時と電流増加率
（１．９２ｍＡ，１９９５．０５．０１，＋１０．０
％）や、また、４０％増加した現時点Ｔ4 の値（２．５
２ｍＡ，１９９５．０８．０５，＋４０．０％）を表示
させたり、ＬＤ劣化による警報発出予測日時ＴA4 の電
流値（２．７０ｍＡ）と警報発出予測日時（１９９５．
０９．０１）と電流増加率（＋５０．０％）を表示させ
たりする。
【００２８】また、図３に示すように、横軸に日時をと
り、縦軸にバイアス電流値をとり、一定レベル間隔に測
定したバイアス電流値と日時をプロットしたバイアス電
流値の推移グラフに、演算したバイアス電流値の劣化予
測線を表示させる。
り、縦軸にバイアス電流値をとり、一定レベル間隔に測
定したバイアス電流値と日時をプロットしたバイアス電
流値の推移グラフに、演算したバイアス電流値の劣化予
測線を表示させる。
【００２９】そして、図３に示すグラフにおいて、各予
測線と警報発出点のＬＤバイアス電流値ＩA との交点に
相当する経過日時がそれぞれの予測線におけるＬＤの劣
化予測日時となる。
測線と警報発出点のＬＤバイアス電流値ＩA との交点に
相当する経過日時がそれぞれの予測線におけるＬＤの劣
化予測日時となる。
【００３０】例えば、レベル３の電流値を記憶した日時
Ｔ3 の時点では、レベル２の電流値を記憶した日時Ｔ2
の時点との間において、劣化予測線3 を求め、警報発出
点Ｉ A のレベルと交差する点の日時ＴA3を、記憶した日
時Ｔ3 における劣化警報発出予測日時として得ることが
できる。
Ｔ3 の時点では、レベル２の電流値を記憶した日時Ｔ2
の時点との間において、劣化予測線3 を求め、警報発出
点Ｉ A のレベルと交差する点の日時ＴA3を、記憶した日
時Ｔ3 における劣化警報発出予測日時として得ることが
できる。
【００３１】なお、図３の予測線1 が示すように、計測
結果より算出した予測線が予測限界点以下の場合は、そ
の結果を捨てて「∞」等で表示する。また、表示部１８
への予測線の表示においては、最新の予測線のみを表示
し、過去の予測線は表示しないようにしてもよい。
結果より算出した予測線が予測限界点以下の場合は、そ
の結果を捨てて「∞」等で表示する。また、表示部１８
への予測線の表示においては、最新の予測線のみを表示
し、過去の予測線は表示しないようにしてもよい。
【００３２】このようにすることにより、容易にＬＤの
劣化状況と今後予測される警報発生日時を把握すること
ができる。なお、図３に示すように、第１演算処理部３
１は、ｎ段階レベルの検出電流値を設定する他に、バイ
アス電流が増加しはじめたときを検出するために、初期
ＬＤバイアス電流値よりやや大きな電流の検出値、例え
ば、２％増程度の電流値の検出点を生成し、バイアス電
流値比較器１６に設定することにより、このレベルを検
出するＴ0'の時点にバイアス電流値とその日時を記憶す
ることができる。
劣化状況と今後予測される警報発生日時を把握すること
ができる。なお、図３に示すように、第１演算処理部３
１は、ｎ段階レベルの検出電流値を設定する他に、バイ
アス電流が増加しはじめたときを検出するために、初期
ＬＤバイアス電流値よりやや大きな電流の検出値、例え
ば、２％増程度の電流値の検出点を生成し、バイアス電
流値比較器１６に設定することにより、このレベルを検
出するＴ0'の時点にバイアス電流値とその日時を記憶す
ることができる。
【００３３】また、図示しないが、外部操作により、任
意の時点のバイアス電流値を記憶させることができるの
は当然である。次に、図４，図５を用いて第２の実施例
を説明する。
意の時点のバイアス電流値を記憶させることができるの
は当然である。次に、図４，図５を用いて第２の実施例
を説明する。
【００３４】第２の実施例は、第１の実施例における第
１演算処理部３１の代わりに、第２演算処理部３２を設
け、ＬＤバイアス電流値の測定を一定時間間隔（例え
ば、１ケ月毎）で行うようにしたものである。
１演算処理部３１の代わりに、第２演算処理部３２を設
け、ＬＤバイアス電流値の測定を一定時間間隔（例え
ば、１ケ月毎）で行うようにしたものである。
【００３５】ここで、警報検出回路４５として、初期Ｌ
Ｄバイアス電流値のｍ倍に達したとき、警報を発出する
ように設定されているものとする。初期電源投入検出部
１１が電源が投入されたことを検出すると、電源投入情
報を制御部１５に通知することにより、制御部１５は、
初期バイアス電流値メモリ１３に初期ＬＤバイアス電流
値と電源投入の日時を記憶させる。また、制御部１５
は、バイアス電流値比較器１６にＬＤバイアス電流値を
測定させるとともに、第２演算処理部３２が予め設定さ
れた時間間隔（例えば、１ケ月毎）で、バイアス電流値
メモリ１４に、電流値と日時を記憶させる。
Ｄバイアス電流値のｍ倍に達したとき、警報を発出する
ように設定されているものとする。初期電源投入検出部
１１が電源が投入されたことを検出すると、電源投入情
報を制御部１５に通知することにより、制御部１５は、
初期バイアス電流値メモリ１３に初期ＬＤバイアス電流
値と電源投入の日時を記憶させる。また、制御部１５
は、バイアス電流値比較器１６にＬＤバイアス電流値を
測定させるとともに、第２演算処理部３２が予め設定さ
れた時間間隔（例えば、１ケ月毎）で、バイアス電流値
メモリ１４に、電流値と日時を記憶させる。
【００３６】そして、バイアス電流値比較器１６に、前
回測定した電流値と現時点の電流値との差を算出させ、
第２演算処理部３２に通知させる。第２演算処理部３２
は、通知された電流値と前回の電流値との差分と、初期
バイアス電流値メモリ１３からの初期ＬＤバイアス電流
値、及び経過時間情報とを用いてＬＤバイアス電流の増
加率を計算し、監視しているＬＤバイアス電流が初期Ｌ
Ｄバイアス電流のｍ倍に増加するまでの予測日時ＴA を
算出する。
回測定した電流値と現時点の電流値との差を算出させ、
第２演算処理部３２に通知させる。第２演算処理部３２
は、通知された電流値と前回の電流値との差分と、初期
バイアス電流値メモリ１３からの初期ＬＤバイアス電流
値、及び経過時間情報とを用いてＬＤバイアス電流の増
加率を計算し、監視しているＬＤバイアス電流が初期Ｌ
Ｄバイアス電流のｍ倍に増加するまでの予測日時ＴA を
算出する。
【００３７】さらに、演算結果より、表示部１８上に、
予測されるバイアス電流値の予測線を表示させるための
演算処理を行う。そして、その結果を、例えば、図５に
示すように、一定時間間隔（１ケ月毎）に測定したバイ
アス電流値をプロットしたバイアス電流値推移グラフを
表示部１８に表示させる。そして、各予測線と警報発出
点のＬＤバイアス電流値ＩA との交点に相当する経過日
時がそれぞれの予測線におけるＬＤの劣化予測線であ
る。
予測されるバイアス電流値の予測線を表示させるための
演算処理を行う。そして、その結果を、例えば、図５に
示すように、一定時間間隔（１ケ月毎）に測定したバイ
アス電流値をプロットしたバイアス電流値推移グラフを
表示部１８に表示させる。そして、各予測線と警報発出
点のＬＤバイアス電流値ＩA との交点に相当する経過日
時がそれぞれの予測線におけるＬＤの劣化予測線であ
る。
【００３８】また、図２に示すように、各検出レベルで
のＬＤバイアス電流値と増加率を表示することもでき
る。次に、図６，図７を用いて第３の実施例を説明す
る。
のＬＤバイアス電流値と増加率を表示することもでき
る。次に、図６，図７を用いて第３の実施例を説明す
る。
【００３９】第３の実施例は、第１演算処理部３１の代
わりに、第３演算処理部３３を設け、ＬＤバイアス電流
値の測定を、ＬＤの劣化によるＬＤバイアス電流の増加
が小さいときは測定間隔を広くとり、電流増加が大きく
なると測定間隔を小さくするようにして次第に警報発出
予測日時の精度を高くするようにしたものである。
わりに、第３演算処理部３３を設け、ＬＤバイアス電流
値の測定を、ＬＤの劣化によるＬＤバイアス電流の増加
が小さいときは測定間隔を広くとり、電流増加が大きく
なると測定間隔を小さくするようにして次第に警報発出
予測日時の精度を高くするようにしたものである。
【００４０】初期電源投入検出部１１からの電源投入情
報の通知により、制御部１５からの指示で、初期バイア
ス電流値メモリ１３が初期電源投入時の初期ＬＤバイア
ス電流値と日時を自動的に記憶する。
報の通知により、制御部１５からの指示で、初期バイア
ス電流値メモリ１３が初期電源投入時の初期ＬＤバイア
ス電流値と日時を自動的に記憶する。
【００４１】第３演算処理部３３は、初期ＬＤバイアス
電流値と警報発出点のＬＤバイアス電流値との間に、任
意にｎ段階のＬＤバイアス電流値検出レベルＩ1 ，
Ｉ2 ，・・，Ｉn を設定し、バイアス電流値比較器１６
に、設定したｎ段階のＬＤバイアス電流値検出レベルを
通知する。
電流値と警報発出点のＬＤバイアス電流値との間に、任
意にｎ段階のＬＤバイアス電流値検出レベルＩ1 ，
Ｉ2 ，・・，Ｉn を設定し、バイアス電流値比較器１６
に、設定したｎ段階のＬＤバイアス電流値検出レベルを
通知する。
【００４２】バイアス電流値比較器１６は、光出力安定
化回路４４からのＬＤバイアス電流値を常に監視し、Ｌ
Ｄバイアス電流値がＬＤの劣化とともに増加し、予め設
定したＬＤバイアス電流検出レベルに達したとき、その
ときのバイアス電流値と時計１２からの日時情報をバイ
アス電流値メモリ１４へ記憶する。
化回路４４からのＬＤバイアス電流値を常に監視し、Ｌ
Ｄバイアス電流値がＬＤの劣化とともに増加し、予め設
定したＬＤバイアス電流検出レベルに達したとき、その
ときのバイアス電流値と時計１２からの日時情報をバイ
アス電流値メモリ１４へ記憶する。
【００４３】そして、制御部１５は、バイアス電流値メ
モリ１４に新しいバイアス電流値と日時が記憶される毎
に、第３演算処理部３３に対して、初期バイアス電流値
メモリ１３に記憶されている初期ＬＤバイアス電流値と
電源投入日時と、バイアス電流値メモリ１４に記憶され
ている各検出時点でのＬＤバイアス電流値と検出日時を
通知する。第３演算処理部３３はこれらのバイアス電流
値と日時を用いて、グラフ作成のための演算を行う。
モリ１４に新しいバイアス電流値と日時が記憶される毎
に、第３演算処理部３３に対して、初期バイアス電流値
メモリ１３に記憶されている初期ＬＤバイアス電流値と
電源投入日時と、バイアス電流値メモリ１４に記憶され
ている各検出時点でのＬＤバイアス電流値と検出日時を
通知する。第３演算処理部３３はこれらのバイアス電流
値と日時を用いて、グラフ作成のための演算を行う。
【００４４】さらに、演算結果より、表示部１８上に、
予測されるバイアス電流値の予測線を表示させるための
演算処理を行う。運用開始後のバイアス電流値の変化を
ｎ段階（レベル）に区分する方法例として、例えば、警
報発出点のＬＤバイアス電流値をＩA とし、また、初期
ＬＤバイアス電流値をＩｏとすると、第１のバイアス電
流検出レベルの電流値Ｉ1 、第２のバイアス電流検出レ
ベルの電流値Ｉ2 、同様に、第ｎ−１のバイアス電流検
出レベルの電流値Ｉn-1 を、例えばそれぞれ次に示す値
に設定してもよい。
予測されるバイアス電流値の予測線を表示させるための
演算処理を行う。運用開始後のバイアス電流値の変化を
ｎ段階（レベル）に区分する方法例として、例えば、警
報発出点のＬＤバイアス電流値をＩA とし、また、初期
ＬＤバイアス電流値をＩｏとすると、第１のバイアス電
流検出レベルの電流値Ｉ1 、第２のバイアス電流検出レ
ベルの電流値Ｉ2 、同様に、第ｎ−１のバイアス電流検
出レベルの電流値Ｉn-1 を、例えばそれぞれ次に示す値
に設定してもよい。
【００４５】 Ｉ1 ＝Ｉ0 ＋（ＩA −Ｉ0 ）×２／３ Ｉ2 ＝Ｉ1 ＋（ＩA −Ｉ1 ）×２／３ ・ Ｉ(n-1) ＝Ｉ(n-2) ＋（ＩA −Ｉ(n-2) ）×２／３ このように、警報発出点のレベルに近づくに従ってレベ
ル検出を細かく頻繁に行うようにする。
ル検出を細かく頻繁に行うようにする。
【００４６】そして、ディスプレイへの表示方法は、例
えば、表示切替器１７により、図２に示すうちに、初期
ＬＤバイアス電流値と日時、又は、検出レベル毎の電流
値と日時及び電流増加率を任意に切替え、表示すること
もできる。
えば、表示切替器１７により、図２に示すうちに、初期
ＬＤバイアス電流値と日時、又は、検出レベル毎の電流
値と日時及び電流増加率を任意に切替え、表示すること
もできる。
【００４７】また、すべてのＬＤバイアス電流値を表示
するグラフの場合には、表示切替器１１を介さなくても
よい。その場合の表示例として、図７に示すように、電
源投入時からバイアス電流値の変化を時間経過で表示す
る。
するグラフの場合には、表示切替器１１を介さなくても
よい。その場合の表示例として、図７に示すように、電
源投入時からバイアス電流値の変化を時間経過で表示す
る。
【００４８】次に、図８を用いて第４の実施例を説明す
る。第４の実施例は、第２の実施例を基に、ＬＤを搭載
する機器の外部にレーザダイオード劣化予測装置２０を
設け、複数のＬＤを搭載する機器のＬＤバイアス電流値
の監視を切替えながら順次行うことができるようにした
ものである。
る。第４の実施例は、第２の実施例を基に、ＬＤを搭載
する機器の外部にレーザダイオード劣化予測装置２０を
設け、複数のＬＤを搭載する機器のＬＤバイアス電流値
の監視を切替えながら順次行うことができるようにした
ものである。
【００４９】レーザダイオード劣化予測装置２０に、ｎ
個の電源投入検出用ポートと、これらのポートに接続さ
れた初期電源投入検出部２１と、ｎ個のＬＤバイアス電
流値測定用ポートとを備える。電源投入検出用ポートと
ＬＤバイアス電流値測定用ポートとは対になっており、
それぞれポートの番号は一致させている。また、予め外
部ポートの被測定対象となる、例えば、ＬＤを搭載した
機器のフロア番号、架番号、ＳＹＳ番号、ＬＤ製造番号
等を測定記録メモリ２２に記憶させておく。
個の電源投入検出用ポートと、これらのポートに接続さ
れた初期電源投入検出部２１と、ｎ個のＬＤバイアス電
流値測定用ポートとを備える。電源投入検出用ポートと
ＬＤバイアス電流値測定用ポートとは対になっており、
それぞれポートの番号は一致させている。また、予め外
部ポートの被測定対象となる、例えば、ＬＤを搭載した
機器のフロア番号、架番号、ＳＹＳ番号、ＬＤ製造番号
等を測定記録メモリ２２に記憶させておく。
【００５０】そして、例えば、ＳＹＳ番号１のＬＤ搭載
機器の初期電源投入を行った際には、初期電源投入検出
部２１で、予め設定した複数のＬＤ搭載機器のうちのＳ
ＹＳ番号１の機器が電源投入されたことを判定し、制御
部２５に通知する。
機器の初期電源投入を行った際には、初期電源投入検出
部２１で、予め設定した複数のＬＤ搭載機器のうちのＳ
ＹＳ番号１の機器が電源投入されたことを判定し、制御
部２５に通知する。
【００５１】制御部２５は、初期バイアス電流値メモリ
２３に、初期電源投入を行ったＳＹＳ番号１の光増幅器
のＬＤバイアス電流値と日時を機能させる。他のＬＤ搭
載機器の場合も同様である。
２３に、初期電源投入を行ったＳＹＳ番号１の光増幅器
のＬＤバイアス電流値と日時を機能させる。他のＬＤ搭
載機器の場合も同様である。
【００５２】そして、警報検出回路４５が、初期ＬＤバ
イアス電流値のｍ倍に達したとき、警報を発出するもの
である場合、予め任意に設定した一定時間（ｔ）に達す
る毎に、第２の実施例において説明したの同じように、
第４演算処理部３４は、制御部２５を通じ、測定部切替
器２９を切替え、バイアス電流値比較器２６は各ＳＹＳ
のＬＤバイアス電流値を順次測定し、バイアス電流値メ
モリ２４に電流値と日時とを記憶する。
イアス電流値のｍ倍に達したとき、警報を発出するもの
である場合、予め任意に設定した一定時間（ｔ）に達す
る毎に、第２の実施例において説明したの同じように、
第４演算処理部３４は、制御部２５を通じ、測定部切替
器２９を切替え、バイアス電流値比較器２６は各ＳＹＳ
のＬＤバイアス電流値を順次測定し、バイアス電流値メ
モリ２４に電流値と日時とを記憶する。
【００５３】また、第４演算処理部３４は、現時点の測
定値と前回の測定値との電流値の差分より、バイアス電
流値の予測線を作成して警報検出回路４５が警報を発出
すると推定さる予測日時を、表示部１８に通知する。
定値と前回の測定値との電流値の差分より、バイアス電
流値の予測線を作成して警報検出回路４５が警報を発出
すると推定さる予測日時を、表示部１８に通知する。
【００５４】このようにすることにより、ＬＤの劣化状
況と今後予測される警報発生日時を把握することができ
る。但し、計測結果より算出した予測結果が予測限界点
以下の場合は、その結果を捨て「∞」等で表示するの
は、他の実施例の場合と同じである。
況と今後予測される警報発生日時を把握することができ
る。但し、計測結果より算出した予測結果が予測限界点
以下の場合は、その結果を捨て「∞」等で表示するの
は、他の実施例の場合と同じである。
【００５５】また、表示するＬＤは任意に選択できるも
のとする。このように、１台のレーザダイオード劣化予
測装置により、複数のＬＤの劣化状況を掴むことができ
る。
のとする。このように、１台のレーザダイオード劣化予
測装置により、複数のＬＤの劣化状況を掴むことができ
る。
【００５６】ここで、ＬＤバイアス電流値の検出方法に
ついては、第２の実施例で用いた方法で説明したが、第
１，第３の実施例で用いた劣化予測方法を用いてもよい
ことは当然である。
ついては、第２の実施例で用いた方法で説明したが、第
１，第３の実施例で用いた劣化予測方法を用いてもよい
ことは当然である。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本説明を用いるこ
とにより、レーザダイオードの性能劣化の進行状況を容
易に掴むことができるので、レーザダイオードの寿命予
測と、計画的かつ的確な予防保全が可能となり、通信品
質の維持向上に寄与するところが大きい。
とにより、レーザダイオードの性能劣化の進行状況を容
易に掴むことができるので、レーザダイオードの寿命予
測と、計画的かつ的確な予防保全が可能となり、通信品
質の維持向上に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の第１の実施例
【図２】第１の実施例の表示例（その１）
【図３】第１の実施例の表示例（その２）
【図４】第２の実施例
【図５】第２の実施例の表示例
【図６】第３の実施例
【図７】第３の実施例の表示例
【図８】第４の実施例
【図９】従来例
１０，２０ レーザダイオード劣化予測装置 １１，２１ 初期電源投入検出部 １２ 時計 １３，２３ 初期バイアス電流値メモリ １４，２４ バイアス電流値メモリ １５，２５ 制御部 １６，２６ バイアス電流値比較器 １７，２７ 表示切替器 １８，２８ 表示部 ２２ 測定記録メモリ ２９ 測定部切替器 ３１〜３４ 第１演算処理部〜第４演算処理部 ４１ レーザダイオード駆動回路 ４２ レーザダイオードモジュール ４３ 光ファイバー ４４ 光出力安定化回路 ４５ 警報検出回路 ４６ 電圧計又は電流計 ＬＤ レーザーダイオード ＰＤ フォトダイオード
Claims (8)
- 【請求項１】装置に使用されているレーザダイオードの
劣化を、バイアス電流を監視することにをよって予測す
るレーザダイオード劣化予測装置であって、 該装置の最初の電源投入を検出する初期電源投入検出手
段と、 該初期電源投入検出手段からの電源投入情報により、そ
の時のレーザダイオードのバイアス電流値である初期バ
イアス電流値と該電源投入日時を記憶する初期バイアス
電流値記憶手段と、 所定時点でのバイアス電流値とその日時を記憶するバイ
アス電流値記憶手段と、 該初期バイアス電流値記憶手段および該バイアス電流値
記憶手段とに記憶されている情報に基づいて該レーザダ
イオードの劣化時点の予測に必要な情報を表示する予測
・表示手段と、を有することを特徴とするレーザダイオ
ード劣化予測装置。 - 【請求項２】前記予測・表示手段は、前記初期バイアス
電流値記憶手段に記憶されているバイアス電流値と電源
投入日時とを表示するものであることを特徴とする請求
項１記載のレーザダイオード劣化予測装置。 - 【請求項３】前記予測・表示手段は、前記初期バイアス
電流値記憶手段に記憶されている初期バイアス電流値と
電源投入日時と、現在のバイアス電流値とを表示するも
のであることを特徴とする請求項１記載のレーザダイオ
ード劣化予測装置。 - 【請求項４】前記予測・表示手段は、前記初期バイアス
電流値記憶手段に記憶されている初期バイアス電流値と
現在のバイアス電流値との比率を演算し、その結果を表
示するものであることを特徴とする請求項１記載のレー
ザダイオード劣化予測装置。 - 【請求項５】前記予測・表示手段は、現在のバイアス電
流値が、レーザダイオードが劣化したとされる限界バイ
アス電流値と前記初期バイアス電流値記憶手段に記憶さ
れている初期バイアス電流値との間のどの位置にあるか
を演算し、その結果を表示するものであることを特徴と
する請求項１記載のレーザダイオード劣化予測装置。 - 【請求項６】前記予測・表示手段は、 前記初期バイアス電流値と前記レーザダイオードが劣化
したとされるバイアス電流値である限界バイアス電流値
との間の値を有する複数の検出閾値が与えられ、前記レ
ーザダイオードのバイアス電流値が該検出閾値に達した
ことを検出する都度、前記バイアス電流値記憶手段に前
記所定時点であることを通知する電流比較手段と、 前記初期バイアス電流値記憶手段および前記バイアス電
流値記憶手段とが記憶している情報に基づいて、バイア
ス電流値が前記限界バイアス電流値に到達する日時を算
出する演算処理手段と、 該初期バイアス電流値記憶手段と該バイアス電流値記憶
手段とが保持する情報と前記演算処理手段が演算した結
果とを表示する表示手段と、からなることを特徴とする
請求項１記載のレーザダイオード劣化予測装置。 - 【請求項７】前記複数の検出閾値間のステップは限界バ
イアス電流値に近いものほど小さくなるように設定され
ることを特徴とする請求項６記載のレーザダイオード劣
化予測装置。 - 【請求項８】前記演算処理手段は、今回記憶時と前回記
憶時との間の経過時間およびバイアス電流値の変化量と
からバイアス電流の変化率を求め外挿により限界バイア
ス電流値に到達する日時を算出するものであることを特
徴とする請求項６記載のレーザダイオード劣化予測装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7273084A JPH09116231A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | レーザダイオード劣化予測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7273084A JPH09116231A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | レーザダイオード劣化予測装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116231A true JPH09116231A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17522927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7273084A Withdrawn JPH09116231A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | レーザダイオード劣化予測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09116231A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH11186963A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Nec Corp | 光伝送通信システムにおける伝送品質監視方法と装置 |
| JP2002076506A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Nec Corp | 光モジュールの異常検出方法及びその装置 |
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| JP2014183410A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Fujitsu Ltd | 光伝送装置および光伝送システム |
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| JP2015004559A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | パナソニック株式会社 | モータ位置検出器 |
| US9752545B2 (en) | 2012-08-01 | 2017-09-05 | Denso Corporation | Fuel injection control apparatus |
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