JPH09120527A - 金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH09120527A JPH09120527A JP27902795A JP27902795A JPH09120527A JP H09120527 A JPH09120527 A JP H09120527A JP 27902795 A JP27902795 A JP 27902795A JP 27902795 A JP27902795 A JP 27902795A JP H09120527 A JPH09120527 A JP H09120527A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 テキスチャー処理の如く微少な粗さを付すこ
となく、高保磁力化と低ノイズ化を達成する金属薄膜型
磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 媒体基板２のサブストレート21上に形成
されたＮｉＰ層22に低加速電圧のイオンを照射し、非晶
質のＮｉＰ層22に内部歪みを生じさせた後、下地層４、
磁性層５及び保護膜６を順次積層する。照射するイオン
として、例えばアルゴンイオン、酸素イオン又は窒素イ
オンを用いる。
となく、高保磁力化と低ノイズ化を達成する金属薄膜型
磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 媒体基板２のサブストレート21上に形成
されたＮｉＰ層22に低加速電圧のイオンを照射し、非晶
質のＮｉＰ層22に内部歪みを生じさせた後、下地層４、
磁性層５及び保護膜６を順次積層する。照射するイオン
として、例えばアルゴンイオン、酸素イオン又は窒素イ
オンを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク等
の磁気ディスク装置に使用される磁気記録媒体に関し、
より具体的には、磁気特性及び記録再生特性に優れた金
属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法に関するものであ
る。
の磁気ディスク装置に使用される磁気記録媒体に関し、
より具体的には、磁気特性及び記録再生特性に優れた金
属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクに用いられる金属薄膜型
磁気記録媒体(１)は、一般に図１に示す如く、Ａｌ合
金、ガラス等からなる非磁性のサブストレート(21)上に
非晶質のＮｉＰ層(22)が形成された媒体基板(２)に、実
質的にＣｒからなる下地層(４)、Ｃｏ合金等からなる磁
性層(５)、カーボン等の保護膜(６)を順に成膜積層して
形成されている。近時、金属薄膜型磁気記録媒体の記録
密度(線記録密度及びトラック密度)の向上に伴ない、磁
気記録媒体は、記録分解能を高める必要があり、磁気特
性の向上(特に、高保磁力)と、記録再生特性の向上(特
に、低ノイズ)が要請されている。磁気記録媒体に構造
的な工夫をこらして保磁力を向上させる手段として、媒
体基板のＮｉＰ層にテキスチャーを施すものがある。テ
キスチャーは、ラッピングテープや遊離砥粒により、Ｎ
ｉＰ層の円周方向にＲａ５０〜１００オングストローム
の面粗度の微少な凹凸を形成するものであり、ＮｉＰ層
にテキスチャーが施されると、内部歪の異方性が発現
し、円周方向の保磁力の向上に有効である。しかし、テ
キスチャーを施すと、テキスチャー処理に伴う異常突起
の形成及び媒体基板の平坦度が悪くなるから、磁気ヘッ
ドと磁気記録媒体との接触を避けるために磁気ヘッドの
浮上量を大きくせねばならず、又、テキスチャー処理に
よるスクラッチ等の形成に伴うビットエラーの増大を伴
い、磁気記録媒体の記録密度の低下を招く。このため最
近では、要求される面粗度は小さくなる傾向にあり、基
板に起因するビットエラー欠陥の減少、低浮上域でのヘ
ッド安定的走行及び媒体基板の平坦度を向上させるため
に、媒体基板にスーパーフィニッシュ加工を施した超平
滑媒体基板の要請もある。
磁気記録媒体(１)は、一般に図１に示す如く、Ａｌ合
金、ガラス等からなる非磁性のサブストレート(21)上に
非晶質のＮｉＰ層(22)が形成された媒体基板(２)に、実
質的にＣｒからなる下地層(４)、Ｃｏ合金等からなる磁
性層(５)、カーボン等の保護膜(６)を順に成膜積層して
形成されている。近時、金属薄膜型磁気記録媒体の記録
密度(線記録密度及びトラック密度)の向上に伴ない、磁
気記録媒体は、記録分解能を高める必要があり、磁気特
性の向上(特に、高保磁力)と、記録再生特性の向上(特
に、低ノイズ)が要請されている。磁気記録媒体に構造
的な工夫をこらして保磁力を向上させる手段として、媒
体基板のＮｉＰ層にテキスチャーを施すものがある。テ
キスチャーは、ラッピングテープや遊離砥粒により、Ｎ
ｉＰ層の円周方向にＲａ５０〜１００オングストローム
の面粗度の微少な凹凸を形成するものであり、ＮｉＰ層
にテキスチャーが施されると、内部歪の異方性が発現
し、円周方向の保磁力の向上に有効である。しかし、テ
キスチャーを施すと、テキスチャー処理に伴う異常突起
の形成及び媒体基板の平坦度が悪くなるから、磁気ヘッ
ドと磁気記録媒体との接触を避けるために磁気ヘッドの
浮上量を大きくせねばならず、又、テキスチャー処理に
よるスクラッチ等の形成に伴うビットエラーの増大を伴
い、磁気記録媒体の記録密度の低下を招く。このため最
近では、要求される面粗度は小さくなる傾向にあり、基
板に起因するビットエラー欠陥の減少、低浮上域でのヘ
ッド安定的走行及び媒体基板の平坦度を向上させるため
に、媒体基板にスーパーフィニッシュ加工を施した超平
滑媒体基板の要請もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、スー
パーフィニッシュ加工を施した超平滑媒体基板において
も、磁気記録媒体の高保磁力化と低ノイズ化を達成でき
る金属薄膜型磁気記録媒体及び製造方法を提供すること
である。
パーフィニッシュ加工を施した超平滑媒体基板において
も、磁気記録媒体の高保磁力化と低ノイズ化を達成でき
る金属薄膜型磁気記録媒体及び製造方法を提供すること
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に於い
ては、非晶質のＮｉＰ層(22)が形成された媒体基板(２)
に、低加速電圧でイオンを照射し、ＮｉＰ層(22)の内部
に歪みを生じさせた後、下地層(４)、磁性層(５)、保護
膜(６)を順次積層する。照射するイオンとして、アルゴ
ンイオン、酸素イオン又は窒素イオンを用いることがで
きる。ここで「低加速電圧」とは、イオンがＮｉＰ層(2
2)の中に侵入し得る加速電圧で、かつ非晶質のＮｉＰ層
(22)を結晶化させない加速電圧であることを意味し、ア
ルゴンイオン、酸素イオン又は窒素イオンを用いる場
合、約３００〜２０００Ｖの範囲が好ましく、イオン電
流は約３０〜１５０ｍＡが望ましい。
め、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に於い
ては、非晶質のＮｉＰ層(22)が形成された媒体基板(２)
に、低加速電圧でイオンを照射し、ＮｉＰ層(22)の内部
に歪みを生じさせた後、下地層(４)、磁性層(５)、保護
膜(６)を順次積層する。照射するイオンとして、アルゴ
ンイオン、酸素イオン又は窒素イオンを用いることがで
きる。ここで「低加速電圧」とは、イオンがＮｉＰ層(2
2)の中に侵入し得る加速電圧で、かつ非晶質のＮｉＰ層
(22)を結晶化させない加速電圧であることを意味し、ア
ルゴンイオン、酸素イオン又は窒素イオンを用いる場
合、約３００〜２０００Ｖの範囲が好ましく、イオン電
流は約３０〜１５０ｍＡが望ましい。
【０００５】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、非磁
性のサブストレート(21)に非晶質のＮｉＰ層(22)が形成
された媒体基板(２)において、ＮｉＰ層(22)の内部はイ
オン照射によって生じた歪みを有している。
性のサブストレート(21)に非晶質のＮｉＰ層(22)が形成
された媒体基板(２)において、ＮｉＰ層(22)の内部はイ
オン照射によって生じた歪みを有している。
【０００６】
【作用】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法で
は、媒体基板(２)のＮｉＰ層(22)に対して、ＮｉＰ層(2
2)の中にイオンが侵入し得る加速電圧で、かつ非晶質の
ＮｉＰ層(22)を結晶化させない加速電圧でイオンを照射
するから、ＮｉＰ層(22)の非晶質性が損なわれることな
く、ＮｉＰ層の内部に歪みが発生する。ＮｉＰ層(22)の
内部に生じた歪みは、ＮｉＰ層(22)の上に積層される下
地層(４)及び磁性層(５)に内部歪みを発生させ、その結
果磁性層面内方向の磁気異方性が向上し、磁気記録媒体
の保磁力が向上し、ノイズが低減する。
は、媒体基板(２)のＮｉＰ層(22)に対して、ＮｉＰ層(2
2)の中にイオンが侵入し得る加速電圧で、かつ非晶質の
ＮｉＰ層(22)を結晶化させない加速電圧でイオンを照射
するから、ＮｉＰ層(22)の非晶質性が損なわれることな
く、ＮｉＰ層の内部に歪みが発生する。ＮｉＰ層(22)の
内部に生じた歪みは、ＮｉＰ層(22)の上に積層される下
地層(４)及び磁性層(５)に内部歪みを発生させ、その結
果磁性層面内方向の磁気異方性が向上し、磁気記録媒体
の保磁力が向上し、ノイズが低減する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体
は、非磁性のサブストレート(21)に形成された非晶質の
ＮｉＰ層(22)に低加速電圧にて加速されたイオンを照射
し、ＮｉＰ層(22)の内部に歪みを生じさせることを特徴
としている。
は、非磁性のサブストレート(21)に形成された非晶質の
ＮｉＰ層(22)に低加速電圧にて加速されたイオンを照射
し、ＮｉＰ層(22)の内部に歪みを生じさせることを特徴
としている。
【０００８】図１は、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体
(１)の部分断面図を示している。本発明の記録媒体(１)
は、サブストレート(21)及びＮｉＰ層(22)からなる媒体
基板(２)上に、下地層(４)、磁性層(５)及び保護膜(６)
が、この順に積層成膜されている。図１では、ＮｉＰ層
(22)、下地層(４)、磁性層(５)及び保護膜(６)をサブス
トレート(21)に対して対称に成膜しており、両面で書込
み／読出しを行なえる構成としているが、各層を片面に
のみ成膜して、片面のみで書込み／読出しを行なう構成
とすることもできる。
(１)の部分断面図を示している。本発明の記録媒体(１)
は、サブストレート(21)及びＮｉＰ層(22)からなる媒体
基板(２)上に、下地層(４)、磁性層(５)及び保護膜(６)
が、この順に積層成膜されている。図１では、ＮｉＰ層
(22)、下地層(４)、磁性層(５)及び保護膜(６)をサブス
トレート(21)に対して対称に成膜しており、両面で書込
み／読出しを行なえる構成としているが、各層を片面に
のみ成膜して、片面のみで書込み／読出しを行なう構成
とすることもできる。
【０００９】媒体基板(２)は、Ａｌ／ＮｉＰ基板又はガ
ラスのサブストレート(21)にスパッタリング法、メッキ
法又は真空蒸着法等により、非晶質のＮｉＰ層(22)が形
成されている。次に、ＮｉＰ層(22)を具えた媒体基板
(２)に、低加速電圧にて加速された窒素イオンを照射す
る。イオンの照射は、熱陰極電子衝撃型イオン銃、ＲＦ
励起型イオン銃、又はＥＣＲ(Electron Cyclotron Reso
nance)イオン銃にて行なうことができる。非晶質のＮｉ
Ｐ層(22)に低加速電圧のイオンを照射すると、ＮｉＰ層
(22)の内部の数オングストローム乃至数十オングストロ
ームの位置までイオンが侵入して、ＮｉＰ層(22)の内部
に歪みが発生する。この歪みによる内部応力により、Ｎ
ｉＰ層(22)の表面に歪みが発生する。イオン照射の際の
低加速電圧とは、イオンが少なくともＮｉＰ層(22)の表
面から内部に侵入するが、イオン注入時の加熱によりＮ
ｉＰ層(22)が温度上昇して結晶化しない程度の電圧であ
る。使用するイオンがアルゴンイオン、酸素イオン、窒
素イオンの場合、加速電圧は３００Ｖ〜２０００Ｖの範
囲が望ましい。
ラスのサブストレート(21)にスパッタリング法、メッキ
法又は真空蒸着法等により、非晶質のＮｉＰ層(22)が形
成されている。次に、ＮｉＰ層(22)を具えた媒体基板
(２)に、低加速電圧にて加速された窒素イオンを照射す
る。イオンの照射は、熱陰極電子衝撃型イオン銃、ＲＦ
励起型イオン銃、又はＥＣＲ(Electron Cyclotron Reso
nance)イオン銃にて行なうことができる。非晶質のＮｉ
Ｐ層(22)に低加速電圧のイオンを照射すると、ＮｉＰ層
(22)の内部の数オングストローム乃至数十オングストロ
ームの位置までイオンが侵入して、ＮｉＰ層(22)の内部
に歪みが発生する。この歪みによる内部応力により、Ｎ
ｉＰ層(22)の表面に歪みが発生する。イオン照射の際の
低加速電圧とは、イオンが少なくともＮｉＰ層(22)の表
面から内部に侵入するが、イオン注入時の加熱によりＮ
ｉＰ層(22)が温度上昇して結晶化しない程度の電圧であ
る。使用するイオンがアルゴンイオン、酸素イオン、窒
素イオンの場合、加速電圧は３００Ｖ〜２０００Ｖの範
囲が望ましい。
【００１０】次に、媒体基板(２)のＮｉＰ層(22)の上
に、公知の如く、スパッタリング、メッキ又は真空蒸着
法等により下地層(４)、磁性層(５)及び保護膜(６)を順
に成膜積層して、金属薄膜型磁気記録媒体(１)が作製さ
れる。
に、公知の如く、スパッタリング、メッキ又は真空蒸着
法等により下地層(４)、磁性層(５)及び保護膜(６)を順
に成膜積層して、金属薄膜型磁気記録媒体(１)が作製さ
れる。
【００１１】
【実施例】実施例１ この実施例では、イオン照射によってＮｉＰ層の内部に
歪みが形成されることを明らかにする。媒体基板は、Ａ
ｌ／ＮｉＰのサブストレート(３.５inch−３１.５mil)
に、表面に超平滑加工処理を行なって、表面粗さ５〜６
オングストローム、平坦度５〜６μmとなるよう加工し
た。熱陰極電子衝撃型イオン銃を用いて、媒体基板のＮ
ｉＰ層に窒素イオンを１０００Ｖの低加速電圧で照射し
た。次に、公知の要領にて、得られた媒体基板を約２６
０℃の温度で加熱し、スパッタリング装置により、下地
層(成分は実質的にＣｒ；層厚は約６００オングストロ
ーム)を形成し、さらに磁性層(成分は原子％でＣｒ１０
％、Ｔａ６％、残部実質的にＣｏ；層厚は４００オング
ストローム)を形成した後、保護膜(成分は実質的にＣ；
膜厚は１２０オングストローム)を形成し、供試磁気デ
ィスク(a)を得た。なお、下地層と磁性層の成膜時のバ
イアス電圧は約−２００Ｖである。
歪みが形成されることを明らかにする。媒体基板は、Ａ
ｌ／ＮｉＰのサブストレート(３.５inch−３１.５mil)
に、表面に超平滑加工処理を行なって、表面粗さ５〜６
オングストローム、平坦度５〜６μmとなるよう加工し
た。熱陰極電子衝撃型イオン銃を用いて、媒体基板のＮ
ｉＰ層に窒素イオンを１０００Ｖの低加速電圧で照射し
た。次に、公知の要領にて、得られた媒体基板を約２６
０℃の温度で加熱し、スパッタリング装置により、下地
層(成分は実質的にＣｒ；層厚は約６００オングストロ
ーム)を形成し、さらに磁性層(成分は原子％でＣｒ１０
％、Ｔａ６％、残部実質的にＣｏ；層厚は４００オング
ストローム)を形成した後、保護膜(成分は実質的にＣ；
膜厚は１２０オングストローム)を形成し、供試磁気デ
ィスク(a)を得た。なお、下地層と磁性層の成膜時のバ
イアス電圧は約−２００Ｖである。
【００１２】比較のために、ＮｉＰ層にイオン照射を行
なわない供試磁気ディスク(x)を作製した。なお、磁気
ディスク(x)の作製手順は、イオンを照射しなかった点
を除いて、供試磁気ディスク(a)と同じである。
なわない供試磁気ディスク(x)を作製した。なお、磁気
ディスク(x)の作製手順は、イオンを照射しなかった点
を除いて、供試磁気ディスク(a)と同じである。
【００１３】供試磁気ディスク(a)と(x)のＸ線回折測定
結果を図２に示す。図２を参照すると、ディスク(a)の
Ｃｒ(200)ピークとＣｏ(110)ピークは、ディスク(x)に
比べて２θで低角度側にシフトしていることがわかる。
なお、縦軸の強さを示す数値は任意単位(arbitrary uni
t)である。このＸ線回折測定結果により、ディスク(a)
のＣｒ下地層とＣｏ合金の磁性層が、ディスク(x)に比
べて圧縮歪みを大きく受けていることがわかる。これ
は、ＮｉＰ層に発生した歪により、下地層と磁性層に残
留歪みが生じたものと推察される。
結果を図２に示す。図２を参照すると、ディスク(a)の
Ｃｒ(200)ピークとＣｏ(110)ピークは、ディスク(x)に
比べて２θで低角度側にシフトしていることがわかる。
なお、縦軸の強さを示す数値は任意単位(arbitrary uni
t)である。このＸ線回折測定結果により、ディスク(a)
のＣｒ下地層とＣｏ合金の磁性層が、ディスク(x)に比
べて圧縮歪みを大きく受けていることがわかる。これ
は、ＮｉＰ層に発生した歪により、下地層と磁性層に残
留歪みが生じたものと推察される。
【００１４】実施例２ この実施例では、イオン照射によりＮｉＰ層の内部に生
じた歪みによって、磁気記録媒体の磁気特性と記録再生
特性が改善されることを明らかにする。実施例１で作製
した供試磁気ディスク(a)と(x)の他に、ＮｉＰ層に１０
００Ｖで酸素イオンを照射した供試磁気ディスク(b)に
ついて、磁気記録特性と記録再生特性を測定した。測定
結果を表１に示す。表１中、Ｈｃは保磁力、Ｂｒｄは残
留磁束密度、Ｓは角形比、ＴＡＡは出力、ＳＮｍは媒体
ノイズと信号強度との比、Ｎｍは媒体ノイズを示してい
る。
じた歪みによって、磁気記録媒体の磁気特性と記録再生
特性が改善されることを明らかにする。実施例１で作製
した供試磁気ディスク(a)と(x)の他に、ＮｉＰ層に１０
００Ｖで酸素イオンを照射した供試磁気ディスク(b)に
ついて、磁気記録特性と記録再生特性を測定した。測定
結果を表１に示す。表１中、Ｈｃは保磁力、Ｂｒｄは残
留磁束密度、Ｓは角形比、ＴＡＡは出力、ＳＮｍは媒体
ノイズと信号強度との比、Ｎｍは媒体ノイズを示してい
る。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１から明らかなように、本発明の実施例
に係る供試磁気ディスク(a)(b)は従来の磁気記録媒体で
ある供試磁気ディスク(x)に比べて、磁気特性(特に、保
磁力Ｈｃ)と記録再生特性(特に、媒体ノイズＮｍ)が両
方共向上していることがわかる。
に係る供試磁気ディスク(a)(b)は従来の磁気記録媒体で
ある供試磁気ディスク(x)に比べて、磁気特性(特に、保
磁力Ｈｃ)と記録再生特性(特に、媒体ノイズＮｍ)が両
方共向上していることがわかる。
【００１７】実施例３ この実施例では、熱陰極電子衝撃型イオン銃によるイオ
ン加速電圧を変化させて、イオン加速電圧と保磁力の関
係を調べるものである。ＮｉＰ層に３００Ｖと１０００
Ｖの加速電圧で窒素イオンを照射した２つの媒体基板、
及びイオン照射しない媒体基板に、夫々、Ｃｒ下地層及
びＣｏ84Ｃｒ10Ｔａ6の磁性層を形成し、供試磁気ディ
スク(c)(c)(c)を作製した。ＮｉＰ層に３００Ｖと１０
００Ｖの加速電圧で酸素イオンを照射した２つの媒体基
板、及びイオン照射しない媒体基板に、夫々、Ｃｒ下地
層及びＣｏ84Ｃｒ10Ta6の磁性層を形成し、供試磁気デ
ィスク(d)(d)(d)を作製した。ＮｉＰ層に３００Ｖと１
０００Ｖの加速電圧で窒素イオンを照射した２つの媒体
基板、及びイオン照射しない媒体基板に、夫々、Ｃｒ下
地層及びＣｏ77Ｃｒ13Ｔａ6Ｐｔ4の磁性層を形成し、供
試磁気ディスク(e)(e)(e)を作製した。ＮｉＰ層に３０
０Ｖと１０００Ｖの加速電圧で酸素イオンを照射した２
つの媒体基板、及びイオン照射しない媒体基板に、夫
々、Ｃｒ下地層及びＣｏ77Ｃｒ13Ｔａ6Ｐｔ4の磁性層を
形成し、供試磁気ディスク(f)(f)(f)を作製した。
ン加速電圧を変化させて、イオン加速電圧と保磁力の関
係を調べるものである。ＮｉＰ層に３００Ｖと１０００
Ｖの加速電圧で窒素イオンを照射した２つの媒体基板、
及びイオン照射しない媒体基板に、夫々、Ｃｒ下地層及
びＣｏ84Ｃｒ10Ｔａ6の磁性層を形成し、供試磁気ディ
スク(c)(c)(c)を作製した。ＮｉＰ層に３００Ｖと１０
００Ｖの加速電圧で酸素イオンを照射した２つの媒体基
板、及びイオン照射しない媒体基板に、夫々、Ｃｒ下地
層及びＣｏ84Ｃｒ10Ta6の磁性層を形成し、供試磁気デ
ィスク(d)(d)(d)を作製した。ＮｉＰ層に３００Ｖと１
０００Ｖの加速電圧で窒素イオンを照射した２つの媒体
基板、及びイオン照射しない媒体基板に、夫々、Ｃｒ下
地層及びＣｏ77Ｃｒ13Ｔａ6Ｐｔ4の磁性層を形成し、供
試磁気ディスク(e)(e)(e)を作製した。ＮｉＰ層に３０
０Ｖと１０００Ｖの加速電圧で酸素イオンを照射した２
つの媒体基板、及びイオン照射しない媒体基板に、夫
々、Ｃｒ下地層及びＣｏ77Ｃｒ13Ｔａ6Ｐｔ4の磁性層を
形成し、供試磁気ディスク(f)(f)(f)を作製した。
【００１８】供試磁気ディスク(c)(d)の保磁力測定結果
を図３に、供試磁気ディスク(e)(f)の保磁力測定結果を
図４に示す。図３及び図４の結果を参照すると、保磁力
は、酸素イオンを照射した磁気ディスクの方が窒素イオ
ンを照射した磁気ディスクよりも若干すぐれており、酸
素イオンを照射する方がより望ましいことがわかる。ま
た、イオン加速電圧が３００Ｖのときに、イオン照射し
ない場合に比べて約１０％、イオン加速電圧が１０００
Ｖのときに、イオン照射しない場合に比べて約２０％の
保磁力の向上が認められる。
を図３に、供試磁気ディスク(e)(f)の保磁力測定結果を
図４に示す。図３及び図４の結果を参照すると、保磁力
は、酸素イオンを照射した磁気ディスクの方が窒素イオ
ンを照射した磁気ディスクよりも若干すぐれており、酸
素イオンを照射する方がより望ましいことがわかる。ま
た、イオン加速電圧が３００Ｖのときに、イオン照射し
ない場合に比べて約１０％、イオン加速電圧が１０００
Ｖのときに、イオン照射しない場合に比べて約２０％の
保磁力の向上が認められる。
【００１９】なお、イオン加速電圧が高くなりすぎる
と、ＮｉＰの非晶質層が結晶化する虞れがあるので、あ
まりに高くすべきではない。また、ＮｉＰ層に照射する
イオンは、前記した酸素イオンと窒素イオンに限定され
るものでなく、酸素イオンよりも小さいイオン、例えば
水素イオン等も用いることができる。
と、ＮｉＰの非晶質層が結晶化する虞れがあるので、あ
まりに高くすべきではない。また、ＮｉＰ層に照射する
イオンは、前記した酸素イオンと窒素イオンに限定され
るものでなく、酸素イオンよりも小さいイオン、例えば
水素イオン等も用いることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、上
記の如く、従来の磁気記録媒体に比べて保磁力が高く、
ノイズが小さい。しかも、テキスチャー処理のように微
少な粗さを付していないから、媒体基板にスーパーフィ
ニッシュ加工を施して、微小突起がなく、平坦度をより
一層向上させることにより、磁気ヘッド浮上量を可及的
に小さくすることができ、従来の磁気記録媒体を凌ぐ高
密度記録が可能となる。
記の如く、従来の磁気記録媒体に比べて保磁力が高く、
ノイズが小さい。しかも、テキスチャー処理のように微
少な粗さを付していないから、媒体基板にスーパーフィ
ニッシュ加工を施して、微小突起がなく、平坦度をより
一層向上させることにより、磁気ヘッド浮上量を可及的
に小さくすることができ、従来の磁気記録媒体を凌ぐ高
密度記録が可能となる。
【図１】金属薄膜型磁気記録媒体の部分断面図である。
【図２】磁気記録媒体のＸ線回析結果を示すグラフであ
る。
る。
【図３】照射するイオンの種類及び加速電圧と、保磁力
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図４】照射するイオンの種類及び加速電圧と、保磁力
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
(１) 金属薄膜型磁気記録媒体 (２) 媒体基板 (21) サブストレート (22) ＮｉＰ層 (４) 下地層 (５) 磁性層 (６) 保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性のサブストレート(21)に非晶質の
ＮｉＰ層(22)が形成された媒体基板(２)に、下地層
(４)、磁性層(５)及び保護膜(６)を順次積層する金属薄
膜型磁気記録媒体の製造方法において、媒体基板(２)に
低加速電圧にてイオンを照射し、非晶質のＮｉＰ層(22)
の内部に歪みを生じさせた後、下地層(４)、磁性層(５)
及び保護膜(６)を順次積層することを特徴とする金属薄
膜型磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 照射するイオンは、アルゴンイオン、酸
素イオン又は窒素イオンである請求項１に記載の製造方
法。 - 【請求項３】 非磁性のサブストレート(21)上に非晶質
のＮｉＰ層(22)が形成された媒体基板(２)に、下地層
(４)、磁性層(５)及び保護膜(６)を順次積層してなる金
属薄膜型磁気記録媒体において、媒体基板(２)のＮｉＰ
層(22)は内部にイオン照射によって生じた歪みを有する
ことを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27902795A JP3851673B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27902795A JP3851673B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09120527A true JPH09120527A (ja) | 1997-05-06 |
| JP3851673B2 JP3851673B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=17605381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27902795A Expired - Fee Related JP3851673B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3851673B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7989097B2 (en) | 2005-07-26 | 2011-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium with tilted easy axis of magnetization, method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording apparatus comprising magnetic recording medium |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP27902795A patent/JP3851673B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7989097B2 (en) | 2005-07-26 | 2011-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium with tilted easy axis of magnetization, method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording apparatus comprising magnetic recording medium |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3851673B2 (ja) | 2006-11-29 |
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