JPH09121480A - 大容量コンデンサへの定電流充電装置 - Google Patents

大容量コンデンサへの定電流充電装置

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JPH09121480A
JPH09121480A JP27949395A JP27949395A JPH09121480A JP H09121480 A JPH09121480 A JP H09121480A JP 27949395 A JP27949395 A JP 27949395A JP 27949395 A JP27949395 A JP 27949395A JP H09121480 A JPH09121480 A JP H09121480A
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秀文 阿部
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単かつ安価な方法で、充電を効率的かつス
ピーディーに行うことができる大容量コンデンサへの定
電流充電装置を提供すること。 【解決手段】 トランジスタTr1がOFF状態になる
と、増幅器AMP1の+端子に電圧が印加され、その出
力電圧は上昇し、FET・Tr3はON状態になる。こ
れにより、抵抗R18に充電電流I1が流れ、両端に電位
差が生じる。増幅器AMP2は、この電位差を検知し、
その出力電圧が上昇する。増幅器AMP1の−端子の電
圧が、+端子の電圧より大きくなると、その出力電圧は
0〔V〕になり、FET・Tr3はOFF状態になる。
これにより、充電電流I1が流れず、増幅器AMP2の出
力電圧が低下する。その結果、増幅器AMP1の−端子
の電圧が、+端子の電圧より小さくなると、その出力電
圧は再度上昇し、FET・Tr3はON状態になる。こ
の動作を繰り返し、コンデンサCの充電を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、大容量コンデン
サへ、安全かつ確実に、電荷を蓄える為の充電装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】大容量コンデンサに対して充電を行う場
合には、充電開始時における電源投入の際に、大量の充
電電流が該大容量コンデンサに一気に流れ込むことを防
止する必要がある。図2は、従来の大容量コンデンサへ
の定電流充電装置の構成例を示すブロック図である。こ
の図において、101は電源装置、102はコンデンサ
充電用スイッチ素子、103は負荷動作用メインスイッ
チ素子、104は電流制限抵抗、105はコンデンサ、
106は負荷である。このような構成において、コンデ
ンサ充電時には、コンデンサ充電用スイッチ素子102
をONにし、負荷動作用メインスイッチ素子103をO
FFにする。これによって、電源装置101から出力さ
れた電流は、電流制限抵抗104で制限されながら、コ
ンデンサ105に流れ込み、該コンデンサ105を充電
する。コンデンサ105の充電が完了すると、今度は、
負荷動作用メインスイッチ素子103をONにし、コン
デンサ充電用スイッチ素子102をOFFにする。これ
によって、電源装置101から出力された電流は、負荷
106を動作させる。
【0003】図3は、従来の大容量コンデンサへの定電
流充電装置の他の構成例を示すブロック図である。この
図において、201は電源装置、202はスイッチ素
子、203はコンデンサ、204は負荷、205はマイ
クロコンピュータ、206は電流検出装置である。この
ような構成において、マイクロコンピュータ205は、
スイッチ素子202に制御信号を与え、該スイッチ素子
202をON状態にする。これによって、電源装置20
1から出力された電流は、コンデンサ203に流れ込
み、該コンデンサ203を充電する。このとき、充電回
路には電流制限抵抗(図2参照)が接続されていないの
で、上記充電電流は大電流となる。
【0004】電流検出装置206は、この充電電流値を
検出し、マイクロコンピュータ205に通知する。マイ
クロコンピュータ205は、電流検出装置206から通
知された電流値が、予め定められた基準電流値より大き
い場合には、スイッチ素子202をOFF状態にするよ
うに制御信号を出力する。この制御信号により、スイッ
チ素子202はOFF状態となるので、充電回路は切断
され、コンデンサ203には電流が流れ込まなくなる。
これにより、電流検出装置206の検出電流値はゼロに
なるので、この値はマイクロコンピュータ205に通知
される。
【0005】マイクロコンピュータ205は、通知され
た電流値(ゼロ)に基づき、スイッチ素子202を再び
ON状態にするように制御信号を出力する。この結果、
スイッチ素子202は再びON状態となり、充電電流が
流れる。以上述べた動作の繰り返しにより、マイクロコ
ンピュータ205は、電流検出装置206が検出する電
流値に基づいて、スイッチ素子202をON/OFF制
御しながら、コンデンサ203に対する充電を少しずつ
行う。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した電
流制限抵抗を用いて充電電流を制限しながら充電を行う
従来の定電流充電装置においては、該電流制限抵抗によ
る電圧降下、および、該電流制限抵抗の発熱により、充
電効率が低い、という欠点があった。また、上述した充
電電流値を監視しながら該充電電流をON/OFFして
充電を行う従来の定電流充電装置においては、充電電流
値を監視するための装置(図3に示すマイクロコンピュ
ータ205,電流検出装置206等)が必要となるの
で、装置が大きくかつ高価なものになる、という欠点が
あった。
【0007】この発明は、このような背景の下になされ
たもので、簡単かつ安価な方法で、コンデンサへの充電
を効率的かつスピーディーに行うことができる大容量コ
ンデンサへの定電流充電装置を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
電源とコンデンサとが接続された該コンデンサへの充電
回路を流れる充電電流を制御する定電流充電装置におい
て、外部からの入力信号に基づいて開閉することによ
り、前記充電回路を開状態または閉状態にするスイッチ
ング手段と、前記充電回路を流れる充電電流を検出し、
該充電電流に比例した電圧を発生する電流検出手段と、
外部から充電開始信号が入力されると、所定の基準電圧
を出力する基準電圧生成手段と、前記電流検出手段の出
力電圧が前記基準電圧よりも大きい又は等しい場合に
は、前記スイッチング手段を開状態とし、前記電流検出
手段の出力電圧が前記基準電圧よりも小さい場合には、
前記スイッチング手段を閉状態とする開閉制御手段とを
具備することを特徴とする。
【0009】請求項2記載の発明は、請求項1記載の大
容量コンデンサへの定電流充電装置において、前記スイ
ッチング手段はFETまたは前記FETの機能を含むI
GBTであり、前記電流検出手段は、前記充電回路に直
列に挿入した抵抗と、該抵抗両端の電位差を増幅する差
動増幅器とからなり、前記基準電圧生成手段は、抵抗の
組み合わせによる分圧回路と、前記充電開始信号が入力
されると、該抵抗の接続を切り換えるトランジスタとか
らなり、前記開閉制御手段は、前記基準電圧と、前記電
流検出手段の出力電圧との電位差を増幅する差動増幅器
であることを特徴とする。
【0010】請求項3記載の発明は、請求項1記載の大
容量コンデンサへの定電流充電装置において、充電時と
充電完了時とで、前記基準電圧生成手段が出力する基準
電圧値を変化させる基準電圧制御手段を具備することを
特徴とする。
【0011】請求項4記載の発明は、請求項3記載の大
容量コンデンサへの定電流充電装置において、前記スイ
ッチング手段はFETまたは前記FETの機能を含むI
GBTであり、前記電流検出手段は、前記充電回路に直
列に挿入した抵抗と、該抵抗両端の電位差を増幅する差
動増幅器とからなり、前記基準電圧生成手段は、抵抗の
組み合わせによる分圧回路と、前記充電開始信号が入力
されると、該抵抗の接続を切り換えるトランジスタとか
らなり、前記開閉制御手段は、前記基準電圧と、前記電
流検出手段の出力電圧との電位差を増幅する差動増幅器
であり、前記基準電圧制御手段は、前記開閉制御手段の
出力電圧が所定電圧以上であるか否かを判定する比較器
と、該比較器の出力電圧に応じて、前記基準電圧生成手
段を構成する抵抗の接続を切り換えるトランジスタとか
らなることを特徴とする。
【0012】請求項5記載の発明は、請求項2または請
求項4記載の大容量コンデンサへの定電流充電装置にお
いて、前記開閉制御手段である差動増幅器の出力端子
と、前記スイッチング手段であるFETまたは前記FE
Tの機能を含むIGBTのベース(またはゲート)との
間を結ぶ信号線に、一方の端子を接地したコンデンサの
他方の端子を接続することを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施形態について説明する。図1は、この発明の一実
施形態による定電流充電装置の構成例を示す回路図であ
る。この図において、Batは電源装置であり、コンデ
ンサC,FET(またはIGBT)Tr3,抵抗R18が
直列に接続された充電回路に対して電流I1を出力す
る。負荷LdはコンデンサCと並列に接続されている。
負荷Ldは、本実施形態では、具体的一例として、モー
タ回転用のインバータ回路であるとする。コンデンサC
は、負荷Ldの動作によって電源装置Batの電源電圧
が変動した場合に、該電源電圧の変動を補償する。本実
施形態では、具体的一例として、コンデンサCは、容量
値4400μFの電界コンデンサであるとする。R1〜
R19は抵抗であり、このうち抵抗R18は、充電回路に対
して直列に挿入されており、該充電回路に充電電流I1
が流れると、その両端に電位差を生じる。ダイオードD
は電流を一方向へ(図1に示す例では、トランジスタT
r2側からトランジスタTr1側へ)のみ流す。
【0014】トランジスタTr1は、端子Aの印加電圧
に応じてON/OFFし、また、トランジスタTr2
は、比較器COM1の出力電圧に応じてON/OFFす
る。そして、トランジスタTr1,Tr2のON/OFF
によって、15〔V〕の電圧に対する、抵抗R4,R5,
R6,R7による分圧比が変化し、これによって、増幅器
AMP1の+端子の印加電圧が制御される。FET(ま
たはIGBT)Tr3は、増幅器AMP1の出力電圧に応
じてON/OFFし、充電回路の接続および遮断を行う
スイッチング素子である。本実施形態では、具体的一例
として、FET(またはIGBT)Tr3はパワーFE
Tモジュールであるとする。
【0015】増幅器AMP1,AMP2は、その+端子と
−端子との間の電位差に比例した電圧を出力する差動増
幅器である。但し、増幅器AMP1,AMP2は、その−
端子の印加電圧が+端子の印加電圧より大きい場合に
は、その出力電圧を0〔V〕にする。具体的には、増幅
器AMP2は、抵抗R18の両端に生じる電位差を検知す
る。また、増幅器AMP1は、トランジスタTr1,Tr
2のON/OFFによって生じる抵抗R4,R5,R6,R
7の分圧電圧と、増幅器AMP2の出力電圧との電位差を
検知する。
【0016】比較器COM1は、その−端子の印加電圧
(増幅器AMP1の出力電圧)と、+端子に印加される
基準電圧(15〔V〕の電圧を抵抗R10と抵抗R11とで
分圧した電圧)とを比較し、−端子の印加電圧が+端子
の印加電圧より大きい場合には、その出力電圧を0
〔V〕にする。また、C1は、FET(またはIGB
T)Tr3のゲート・ソース間電圧VGSの立ち上がりを
緩やかにすると共に、ダイオードD2,抵抗R20を通し
て該ゲート・ソース間電圧VGSの立ち上がりを遅く立ち
下がりを速くすることにより、FET(またはIGB
T)Tr3の発振を防ぐ。
【0017】次に、上記構成による大容量コンデンサへ
の定電流充電装置の動作を説明する。 充電開始前は、図1に示す端子Aに所定の電圧を印
加しておく。これにより、トランジスタTr1はON状
態になる。トランジスタTr1がON状態になると、増
幅器AMP1の+端子に印加される電圧は0〔V〕にな
り、故に、増幅器AMP1の出力電圧も0〔V〕にな
る。
【0018】増幅器AMP1の出力電圧が0〔V〕であ
るので、FET(またはIGBT)Tr3はOFF状態
になり、故に、コンデンサCに対する充電電流I1は流
れない。充電電流I1が流れていないので、抵抗R18の
両端に電位差は生じず、このため、増幅器AMP2の+
端子と−端子との間にも電位差は生じず、故に、増幅器
AMP2の出力電圧は0〔V〕になる。以上の結果、増
幅器AMP1の−端子に印加される電圧は0〔V〕とな
る。
【0019】一方、増幅器AMP1の出力電圧が0
〔V〕であるので、比較器COM1の−端子に印加され
る電圧も0〔V〕になる。これに対して、比較器COM
1の+端子には、15〔V〕の電圧を抵抗R10と抵抗R1
1とで分圧した電圧が印加されている。このため、比較
器COM1の出力電圧は15〔V〕になり、トランジス
タTr2はOFF状態になる。
【0020】 次に、充電を開始する場合には、図1
に示す端子Aの印加電圧を0〔V〕にする。これによ
り、トランジスタTr1はOFF状態になる。トランジ
スタTr1がOFF状態になると、先に述べたように、
この時点において、トランジスタTr2はOFF状態で
あるので、増幅器AMP1の+端子に、15〔V〕の電
圧を抵抗R5と抵抗R6とで分圧した電圧が印加される。
また、先に述べたように、この時点において、増幅器A
MP1の−端子に印加されている電圧は0〔V〕である
ので、増幅器AMP1の出力電圧は徐々に上昇し、FE
T(またはIGBT)Tr3はON状態になる。
【0021】 FET(またはIGBT)Tr3がO
N状態になると、充電回路に充電電流I1が流れ、該抵
抗R18の両端に電位差が生じる。これにより、増幅器A
MP2の+端子と−端子との間に電位差が生じ、増幅器
AMP2の出力電圧が上昇する。この結果、増幅器AM
P2の出力端子から増幅器AMP1の−端子に印加される
電圧が、抵抗R5と抵抗R6との分圧により増幅器AM
P1の+端子に印加される電圧より大きくなると、増幅
器AMP1の出力電圧は0〔V〕になり、FET(また
はIGBT)Tr3はOFF状態になる。
【0022】 FET(またはIGBT)Tr3がO
FF状態になると、充電回路に充電電流I1が流れなく
なり、該抵抗R18の両端電圧が減少する。これにより、
増幅器AMP2の+端子と−端子との間の電位差が減少
し、増幅器AMP2の出力電圧が低下する。この結果、
増幅器AMP2の出力端子から増幅器AMP1の−端子に
印加される電圧が、抵抗R5と抵抗R6との分圧により
増幅器AMP1の+端子に印加される電圧より小さくな
ると、増幅器AMP1の出力電圧は再度上昇し、FET
(またはIGBT)Tr3がON状態になる。
【0023】 以降、上述した,の動作を繰り返
し、これにより、コンデンサCに対して充電電流I1が
少しずつ流れ込み、やがて、充電が完了する。コンデン
サCに対する充電が完了すると、充電電流I1は流れな
くなるので、抵抗R18の両端電圧は0〔V〕になる。こ
れにより、増幅器AMP2の+端子と−端子との間の電
位差が0〔V〕になり、増幅器AMP2の出力電圧も0
〔V〕になる。この結果、増幅器AMP2の出力端子か
ら増幅器AMP1の−端子に印加される電圧が、抵抗R5
と抵抗R6との分圧により増幅器AMP1の+端子に印
加される電圧より小さくなると、増幅器AMP1の出力
電圧は15〔V〕まで上昇し、FET(またはIGB
T)Tr3は常時ON状態になる。
【0024】 増幅器AMP1の出力電圧が15
〔V〕になると、比較器COM1の−端子に印加される
電圧も15〔V〕になり、該電圧は、抵抗R10と抵抗R
11との分圧により比較器COM1の+端子に印加される
電圧より大きくなる。これにより、比較器COM1の出
力電圧は0〔V〕になり、トランジスタTr2はON状
態になる。一方、で述べたように、端子Aの印加電圧
は0〔V〕であるので、トランジスタTr1はOFF状
態である。この結果、増幅器AMP1の+端子には、1
5〔V〕の電圧を抵抗R4,R5,R6,R7で分圧した電
圧が印加される。このとき、抵抗R4,R5,R6,R7の
抵抗値を予め計算および調整しておき、上記電圧が希望
する値になるように設定することによって、負荷を動作
させた時に抵抗R18に流れる電流を制御することができ
る。また、端子Bの状態を監視することによって、コン
デンサCへの充電が完了したか否かを判断することも可
能である。
【0025】次に、請求項記載の発明と本実施形態との
対応関係を説明する。 スイッチング手段……FET(またはIGBT)Tr3 電流検出手段……抵抗R18,増幅器AMP2 基準電圧生成手段……抵抗R4,R5,R6,R7,トラン
ジスタTr1 開閉制御手段……増幅器AMP1 基準電圧制御手段……比較器COM1,トランジスタT
r2
【0026】以上、この発明の実施形態を図面を参照し
て詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限ら
れるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、簡単かつ安価な方法で、コンデンサへの充電を効率
的かつスピーディーに行うことができる。さらに、この
発明によれば、最初に充電開始信号のみを与えておく
と、あとは、外部からの制御を必要とせずに独立して、
コンデンサの充電を行う。故に、電源装置の電圧が数百
ボルトと高く、マイクロコンピュータ等の電源,アース
と絶縁して、充電電流を制御したい場合などであって
も、本装置と上記マイクロコンピュータ等との間の接続
に絶縁されたスイッチング素子(リレー,フォトカプ
ラ,フォトMOSリレー等)を用いることにより、安全
かつ確実に充電電流を制御することができる、という効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態による大容量コンデンサ
への定電流充電装置の構成を示す回路図である。
【図2】従来の大容量コンデンサへの定電流充電装置の
構成例を示すブロック図である。
【図3】従来の大容量コンデンサへの定電流充電装置の
構成例を示すブロック図である。
【符号の説明】
Bat……電源装置、 Ld……負荷、 C……コンデ
ンサ、Tr1,Tr2……トランジスタ、 Tr3……F
ET(またはIGBT)、AMP1,AMP2……増幅
器、 COM1……比較器

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電源とコンデンサとが接続された該コン
    デンサへの充電回路を流れる充電電流を制御する定電流
    充電装置において、 外部からの入力信号に基づいて開閉することにより、前
    記充電回路を開状態または閉状態にするスイッチング手
    段と、 前記充電回路を流れる充電電流を検出し、該充電電流に
    比例した電圧を発生する電流検出手段と、 外部から充電開始信号が入力されると、所定の基準電圧
    を出力する基準電圧生成手段と、 前記電流検出手段の出力電圧が前記基準電圧よりも大き
    い又は等しい場合には、前記スイッチング手段を開状態
    とし、前記電流検出手段の出力電圧が前記基準電圧より
    も小さい場合には、前記スイッチング手段を閉状態とす
    る開閉制御手段とを具備することを特徴とする大容量コ
    ンデンサへの定電流充電装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の大容量コンデンサへの定
    電流充電装置において、 前記スイッチング手段はFETまたは前記FETの機能
    を含むIGBTであり、 前記電流検出手段は、前記充電回路に直列に挿入した抵
    抗と、該抵抗両端の電位差を増幅する差動増幅器とから
    なり、 前記基準電圧生成手段は、抵抗の組み合わせによる分圧
    回路と、前記充電開始信号が入力されると、該抵抗の接
    続を切り換えるトランジスタとからなり、 前記開閉制御手段は、前記基準電圧と、前記電流検出手
    段の出力電圧との電位差を増幅する差動増幅器であるこ
    とを特徴とする大容量コンデンサへの定電流充電装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の大容量コンデンサへの定
    電流充電装置において、 充電時と充電完了時とで、前記基準電圧生成手段が出力
    する基準電圧値を変化させる基準電圧制御手段を具備す
    ることを特徴とする大容量コンデンサへの定電流充電装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の大容量コンデンサへの定
    電流充電装置において、 前記スイッチング手段はFETまたは前記FETの機能
    を含むIGBTであり、 前記電流検出手段は、前記充電回路に直列に挿入した抵
    抗と、該抵抗両端の電位差を増幅する差動増幅器とから
    なり、 前記基準電圧生成手段は、抵抗の組み合わせによる分圧
    回路と、前記充電開始信号が入力されると、該抵抗の接
    続を切り換えるトランジスタとからなり、 前記開閉制御手段は、前記基準電圧と、前記電流検出手
    段の出力電圧との電位差を増幅する差動増幅器であり、 前記基準電圧制御手段は、前記開閉制御手段の出力電圧
    が所定電圧以上であるか否かを判定する比較器と、該比
    較器の出力電圧に応じて、前記基準電圧生成手段を構成
    する抵抗の接続を切り換えるトランジスタとからなるこ
    とを特徴とする大容量コンデンサへの定電流充電装置。
  5. 【請求項5】 請求項2または請求項4記載の大容量コ
    ンデンサへの定電流充電装置において、 前記開閉制御手段である差動増幅器の出力端子と、前記
    スイッチング手段であるFETまたは前記FETの機能
    を含むIGBTのベース(またはゲート)との間を結ぶ
    信号線に、一方の端子を接地したコンデンサの他方の端
    子を接続することを特徴とする大容量コンデンサへの定
    電流充電装置。
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