JPH09127548A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH09127548A JPH09127548A JP28152495A JP28152495A JPH09127548A JP H09127548 A JPH09127548 A JP H09127548A JP 28152495 A JP28152495 A JP 28152495A JP 28152495 A JP28152495 A JP 28152495A JP H09127548 A JPH09127548 A JP H09127548A
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- electrode
- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーフィルタが保持容量を形成するコンデ
ンサの誘電体を兼ねる液晶表示装置において、ゲート信
号配線およびソース信号配線などにより生じる電界成分
が保持容量保持容量に与える影響を低減するとともに、
開口率を向上する。 【解決手段】 極めて膜厚の厚い層間絶縁膜4によっ
て、下層のゲート信号配線19およびソース信号配線1
8と、保持容量形成用電極3とが電気的に絶縁されるた
め、浮遊容量の発生、さらには保持容量の変動を防止す
ることができる。また、保持容量用電極3は下層のゲー
ト信号配線19およびソース信号配線18の上部にわた
って大面積で形成することができるので、大きな保持容
量が得られる。これにより、データ信号を正確に液晶層
に伝達することができ高コントラストな表示、および表
示品位を向上させることをを可能にし、さらには高い開
口率が得られる。
ンサの誘電体を兼ねる液晶表示装置において、ゲート信
号配線およびソース信号配線などにより生じる電界成分
が保持容量保持容量に与える影響を低減するとともに、
開口率を向上する。 【解決手段】 極めて膜厚の厚い層間絶縁膜4によっ
て、下層のゲート信号配線19およびソース信号配線1
8と、保持容量形成用電極3とが電気的に絶縁されるた
め、浮遊容量の発生、さらには保持容量の変動を防止す
ることができる。また、保持容量用電極3は下層のゲー
ト信号配線19およびソース信号配線18の上部にわた
って大面積で形成することができるので、大きな保持容
量が得られる。これにより、データ信号を正確に液晶層
に伝達することができ高コントラストな表示、および表
示品位を向上させることをを可能にし、さらには高い開
口率が得られる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
(以下TFTという)などのスイッチング素子を備えた
液晶表示装置に関する。
(以下TFTという)などのスイッチング素子を備えた
液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】各種情報機器、映像機器に汎用されてい
る液晶表示装置には、近年のマルチメディア化、ポータ
ブル化といった風潮の中で、さらなる期待が寄せられて
いる。さらに詳細に言うと、液晶表示装置においては、
低消費電力化、高コントラスト化、低コスト化といった
要望が強く、これらの要望を実現するために特に重要だ
と考えられる構成要素の一つにカラーフィルタがある。
る液晶表示装置には、近年のマルチメディア化、ポータ
ブル化といった風潮の中で、さらなる期待が寄せられて
いる。さらに詳細に言うと、液晶表示装置においては、
低消費電力化、高コントラスト化、低コスト化といった
要望が強く、これらの要望を実現するために特に重要だ
と考えられる構成要素の一つにカラーフィルタがある。
【0003】このカラーフィルタにおいて、各画素に配
置されたカラーフィルタが、液晶保持容量を形成するコ
ンデンサの誘電体を兼ねるタイプのものが従来、知られ
ている。その一つに、電着法を用いてカラーフィルタを
形成する方法が特開昭59ー67581に開示されてい
る。この手法を用いた液晶表示装置は、図8に示すよう
な構成となっている。
置されたカラーフィルタが、液晶保持容量を形成するコ
ンデンサの誘電体を兼ねるタイプのものが従来、知られ
ている。その一つに、電着法を用いてカラーフィルタを
形成する方法が特開昭59ー67581に開示されてい
る。この手法を用いた液晶表示装置は、図8に示すよう
な構成となっている。
【0004】図8において、上側ガラス基板28には偏
光板27と透明な対向電極35が付けられ、液晶層26
を介してTFT基板25には偏光板27が取り付けられ
るとともに、半導体層10と電極30、31、32およ
びゲート絶縁膜8より成る周知のトランジスタと、透明
な画素電極2と、下層透明電極33との間にカラーフィ
ルタを兼ねるべく形成された有色の有機系絶縁膜34よ
り成るコンデンサが形成される。画素電極2および下層
透明電極33は、SnO2 、ITO等の透明導電性材料
によって構成される。このコンデンサが、保持容量を形
成することによって、液晶がより低電圧で駆動できるよ
うになるという利点がある。
光板27と透明な対向電極35が付けられ、液晶層26
を介してTFT基板25には偏光板27が取り付けられ
るとともに、半導体層10と電極30、31、32およ
びゲート絶縁膜8より成る周知のトランジスタと、透明
な画素電極2と、下層透明電極33との間にカラーフィ
ルタを兼ねるべく形成された有色の有機系絶縁膜34よ
り成るコンデンサが形成される。画素電極2および下層
透明電極33は、SnO2 、ITO等の透明導電性材料
によって構成される。このコンデンサが、保持容量を形
成することによって、液晶がより低電圧で駆動できるよ
うになるという利点がある。
【0005】また、上記のような、カラーフィルタがコ
ンデンサの誘電体を兼ねる手法に関し、より詳細に製造
方法について記載する先行資料として、特開昭60ー1
11225がある。カラーフィルタとなる有機系絶縁膜
の形成方法として、有機系樹脂をスピンナで回転塗布し
た後、これを染料で所望の色に染色し、通常のフォトリ
ソグラフィー工程で選択形成する手法が開示されてい
る。
ンデンサの誘電体を兼ねる手法に関し、より詳細に製造
方法について記載する先行資料として、特開昭60ー1
11225がある。カラーフィルタとなる有機系絶縁膜
の形成方法として、有機系樹脂をスピンナで回転塗布し
た後、これを染料で所望の色に染色し、通常のフォトリ
ソグラフィー工程で選択形成する手法が開示されてい
る。
【0006】以上のような構成および製法により、保持
容量形成用の誘電体を兼ねるカラーフィルタが形成され
ていた。
容量形成用の誘電体を兼ねるカラーフィルタが形成され
ていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
構成とすることによって、以下のような問題が生じてい
た。
構成とすることによって、以下のような問題が生じてい
た。
【0008】従来の液晶表示装置において、TFTと画
素電極2、および保持容量形成用の電極が同一平面上
(ガラス基板上)に形成されているため、電極31およ
び下層透明電極33と、その間の有機系絶縁膜34から
成る絶縁層とが一体のコンデンサとして働き、この有機
系絶縁膜34を誘電体として浮遊容量が形成される。こ
の浮遊容量は液晶を駆動する際、本来の駆動用信号に対
して不要な電界成分を供給してしまうため、駆動用信号
波形、さらには液晶層における液晶分子の配向が乱れ、
表示画像のコントラストを著しく低下させてしまうとい
う問題が生じていた。
素電極2、および保持容量形成用の電極が同一平面上
(ガラス基板上)に形成されているため、電極31およ
び下層透明電極33と、その間の有機系絶縁膜34から
成る絶縁層とが一体のコンデンサとして働き、この有機
系絶縁膜34を誘電体として浮遊容量が形成される。こ
の浮遊容量は液晶を駆動する際、本来の駆動用信号に対
して不要な電界成分を供給してしまうため、駆動用信号
波形、さらには液晶層における液晶分子の配向が乱れ、
表示画像のコントラストを著しく低下させてしまうとい
う問題が生じていた。
【0009】また、従来の構成では各画素における光透
過領域の面積が狭いため、バックライト光を有効に利用
することができない。すなわち、高品位の表示を実現す
るためにはバックライト光の輝度を上げなければなら
ず、それに伴って消費電力が高くなるという問題点があ
った。
過領域の面積が狭いため、バックライト光を有効に利用
することができない。すなわち、高品位の表示を実現す
るためにはバックライト光の輝度を上げなければなら
ず、それに伴って消費電力が高くなるという問題点があ
った。
【0010】さらに、従来の製造方法において、通常の
フォトリソグラフィー工程で選択形成する場合、有機系
樹脂等をスピンナで回転塗布した後、染料で所望とする
色に染色し、一般的なカラーフィルタの構成色である
赤、緑、青各色について同じ工程を繰り返す。この手法
によれば、工程数が多いために製造コストが高くなると
いう難点があった。さらに、スピンナ塗布法を用いるた
め、樹脂膜厚を均等に保つことが難しく、これにより色
純度の低下、コントラストの異変などの不具合が生じや
すかった。
フォトリソグラフィー工程で選択形成する場合、有機系
樹脂等をスピンナで回転塗布した後、染料で所望とする
色に染色し、一般的なカラーフィルタの構成色である
赤、緑、青各色について同じ工程を繰り返す。この手法
によれば、工程数が多いために製造コストが高くなると
いう難点があった。さらに、スピンナ塗布法を用いるた
め、樹脂膜厚を均等に保つことが難しく、これにより色
純度の低下、コントラストの異変などの不具合が生じや
すかった。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、基板上に、走査配線(以下、ゲート信号配線と称す
る)と信号配線(以下、ソース信号配線と称する)とが
互いに交差するように設けられ、該ゲート信号配線とソ
ース信号配線の交差部近傍にスイッチング素子が設けら
れ、該スイッチング素子のゲート電極に前記ゲート信号
配線が接続され、前記スイッチング素子のゲート電極以
外の一方電極に前記データ信号配線が接続され、前記ス
イッチング素子のゲート電極以外の他方電極に画素電極
が接続され、データ信号が前記スイッチング素子を介し
て前記画素電極に供給されることにより液晶表示する液
晶表示装置において、前記スイッチング素子、ゲート信
号配線およびソース信号配線の上部に、透明度の高い有
機薄膜からなる層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜上
に透明導電膜からなる保持容量用電極が設けられ、該保
持容量用電極の上にカラーフィルタが設けられ、該カラ
ーフィルタの上に透明導電膜からなる前記画素電極が設
けられることにより、上記課題が解決される。
は、基板上に、走査配線(以下、ゲート信号配線と称す
る)と信号配線(以下、ソース信号配線と称する)とが
互いに交差するように設けられ、該ゲート信号配線とソ
ース信号配線の交差部近傍にスイッチング素子が設けら
れ、該スイッチング素子のゲート電極に前記ゲート信号
配線が接続され、前記スイッチング素子のゲート電極以
外の一方電極に前記データ信号配線が接続され、前記ス
イッチング素子のゲート電極以外の他方電極に画素電極
が接続され、データ信号が前記スイッチング素子を介し
て前記画素電極に供給されることにより液晶表示する液
晶表示装置において、前記スイッチング素子、ゲート信
号配線およびソース信号配線の上部に、透明度の高い有
機薄膜からなる層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜上
に透明導電膜からなる保持容量用電極が設けられ、該保
持容量用電極の上にカラーフィルタが設けられ、該カラ
ーフィルタの上に透明導電膜からなる前記画素電極が設
けられることにより、上記課題が解決される。
【0012】また、前記画素電極が、少なくとも前記ゲ
ート信号配線および/またはソース信号配線と、少なく
とも一部が重なるように設けられ、前記画素電極が前記
層間絶縁膜を貫く第二のコンタクトホールを介して前記
接続電極に接続されることが望ましい。
ート信号配線および/またはソース信号配線と、少なく
とも一部が重なるように設けられ、前記画素電極が前記
層間絶縁膜を貫く第二のコンタクトホールを介して前記
接続電極に接続されることが望ましい。
【0013】さらに、前記画素電極が、少なくとも前記
ゲート信号配線および/またはソース信号配線と、少な
くとも一部が重なるように設けられ、前記画素電極が前
記層間絶縁膜を貫く第二のコンタクトホールを介して前
記ゲート信号配線に接続されてもよい。
ゲート信号配線および/またはソース信号配線と、少な
くとも一部が重なるように設けられ、前記画素電極が前
記層間絶縁膜を貫く第二のコンタクトホールを介して前
記ゲート信号配線に接続されてもよい。
【0014】前記カラーフィルターは、少なくとも前記
ゲート信号配線および/またはソース信号配線と、少な
くとも一部が重なるように設けられることが望ましい。
ゲート信号配線および/またはソース信号配線と、少な
くとも一部が重なるように設けられることが望ましい。
【0015】また、前記カラーフィルタは前記保持容量
用電極上に、着色された感光性樹脂からなるシートを所
定の形状のマスクを使って露光することによって、R、
G、Bのパターンを形成されることが望ましい。
用電極上に、着色された感光性樹脂からなるシートを所
定の形状のマスクを使って露光することによって、R、
G、Bのパターンを形成されることが望ましい。
【0016】前記層間絶縁膜の誘電率は4.0以下であ
り、かつ膜厚は1.5〜4.0μmの範囲であることが
望ましい。
り、かつ膜厚は1.5〜4.0μmの範囲であることが
望ましい。
【0017】前記感光性樹脂は顔料を分散したアクリル
系樹脂で形成されることが望ましい。
系樹脂で形成されることが望ましい。
【0018】以下、上記構成による作用を説明する。
【0019】本発明においては、極めて膜厚の厚い層間
絶縁膜によって、下層のゲート信号配線およびソース信
号配線と液晶保持容量用電極とが電気的に絶縁されるた
め、浮遊容量の発生を防止し、保持容量の変動を防止す
ることができる。
絶縁膜によって、下層のゲート信号配線およびソース信
号配線と液晶保持容量用電極とが電気的に絶縁されるた
め、浮遊容量の発生を防止し、保持容量の変動を防止す
ることができる。
【0020】また、カラーフィルタを兼ねる液晶保持用
コンデンサは下層のゲート信号配線およびソース信号配
線の上部にかけて、大面積にわたって形成できるため、
大きな保持容量を得ることが可能となる。これにより、
データ信号を正確に液晶層へ伝達することができ、高コ
ントラストな表示を実現し、かつ表示品位を向上させる
ことをを可能にする。
コンデンサは下層のゲート信号配線およびソース信号配
線の上部にかけて、大面積にわたって形成できるため、
大きな保持容量を得ることが可能となる。これにより、
データ信号を正確に液晶層へ伝達することができ、高コ
ントラストな表示を実現し、かつ表示品位を向上させる
ことをを可能にする。
【0021】さらに、画素電極およびカラーフィルタ
を、TFT、ゲート信号配線およびソース信号配線の上
部にまで形成することができるため、従来の液晶表示装
置に比べて光透過部分の面積(開口率)が拡大すること
により、消費電力を削減できるという利点を有する。
を、TFT、ゲート信号配線およびソース信号配線の上
部にまで形成することができるため、従来の液晶表示装
置に比べて光透過部分の面積(開口率)が拡大すること
により、消費電力を削減できるという利点を有する。
【0022】
(実施形態1)図1は、本発明の実施形態1の液晶表示
装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素部分の
構成を示す平面図である。図1において、アクティブマ
トリクス基板には、複数の画素電極2がマトリクス状に
設けられており、これらの画素電極2の周囲を通り、互
いに直交差するようにゲート信号配線18とソース信号
配線19が設けられている。このゲート信号配線18と
ソース信号配線19はその一部が画素電極2の外周部分
とオーバーラップしている。また、これらのゲート信号
配線19とソース信号配線18の交差部分には、画素電
極2に接続されるスイッチング素子としてのTFT23
が設けられている。このTFT23のゲート電極9には
ゲート信号配線19が接続され、ゲート電極9に入力さ
れる信号によってTFT23が駆動制御される。また、
TFT23のソース電極11にはソース信号配線18が
接続され、TFT23のソース電極11にデータ信号が
入力される。さらに、TFT23のドレイン電極14
は、接続電極15さらに第二のコンタクトホール6を介
して画素電極2と電気的に接続される。また、図示はし
ていないが、ドレイン電極14は接続電極15を介さず
に直接、画素電極2に接続してもよい。
装置におけるアクティブマトリクス基板の1画素部分の
構成を示す平面図である。図1において、アクティブマ
トリクス基板には、複数の画素電極2がマトリクス状に
設けられており、これらの画素電極2の周囲を通り、互
いに直交差するようにゲート信号配線18とソース信号
配線19が設けられている。このゲート信号配線18と
ソース信号配線19はその一部が画素電極2の外周部分
とオーバーラップしている。また、これらのゲート信号
配線19とソース信号配線18の交差部分には、画素電
極2に接続されるスイッチング素子としてのTFT23
が設けられている。このTFT23のゲート電極9には
ゲート信号配線19が接続され、ゲート電極9に入力さ
れる信号によってTFT23が駆動制御される。また、
TFT23のソース電極11にはソース信号配線18が
接続され、TFT23のソース電極11にデータ信号が
入力される。さらに、TFT23のドレイン電極14
は、接続電極15さらに第二のコンタクトホール6を介
して画素電極2と電気的に接続される。また、図示はし
ていないが、ドレイン電極14は接続電極15を介さず
に直接、画素電極2に接続してもよい。
【0023】図2(a)は図1の液晶表示装置における
アクティブマトリクス基板のA−A’断面図である。図
2(b)は図1の液晶表示装置におけるアクティブマト
リクス基板のB−B’断面図である。また、図3(a)
は図1の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基
板のA−A’断面部分における第一の形成過程を示すの
断面図である。図3(b)は図1の液晶表示装置におけ
るアクティブマトリクス基板のB−B’断面部分におけ
る第一の形成過程を示す断面図である。さらに、図4
(a)は図1の液晶表示装置におけるアクティブマトリ
クス基板のA−A’断面部分における第二の形成過程を
示すの断面図である。図4(b)は図1の液晶表示装置
におけるアクティブマトリクス基板のB−B’断面部分
における第二の形成過程を示すの断面図である。図5は
本発明の実施形態1の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の構成を示す平面図である。
アクティブマトリクス基板のA−A’断面図である。図
2(b)は図1の液晶表示装置におけるアクティブマト
リクス基板のB−B’断面図である。また、図3(a)
は図1の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基
板のA−A’断面部分における第一の形成過程を示すの
断面図である。図3(b)は図1の液晶表示装置におけ
るアクティブマトリクス基板のB−B’断面部分におけ
る第一の形成過程を示す断面図である。さらに、図4
(a)は図1の液晶表示装置におけるアクティブマトリ
クス基板のA−A’断面部分における第二の形成過程を
示すの断面図である。図4(b)は図1の液晶表示装置
におけるアクティブマトリクス基板のB−B’断面部分
における第二の形成過程を示すの断面図である。図5は
本発明の実施形態1の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の構成を示す平面図である。
【0024】図2(a)のTFT23部においては、透
明絶縁性基板22上に、図1のゲート信号配線19に接
続されたゲート電極9が設けられ、その上を覆ってゲー
ト絶縁膜8が設けられている。その上にはゲート電極9
と重畳するように半導体層10が設けられ、その中央部
上にチャネル保護層13が形成されている。このチャネ
ル保護層13の両端部および半導体層10の一部を覆
い、チャネル保護層13上で分断された状態で、ソース
電極11およびドレイン電極12となるn+- a-Si層
が設けられている。
明絶縁性基板22上に、図1のゲート信号配線19に接
続されたゲート電極9が設けられ、その上を覆ってゲー
ト絶縁膜8が設けられている。その上にはゲート電極9
と重畳するように半導体層10が設けられ、その中央部
上にチャネル保護層13が形成されている。このチャネ
ル保護層13の両端部および半導体層10の一部を覆
い、チャネル保護層13上で分断された状態で、ソース
電極11およびドレイン電極12となるn+- a-Si層
が設けられている。
【0025】一方のn+- a-Si層であるソース電極1
1の端部上には、透明導電膜から成るソース下層膜17
と金属層16とが備わり、これらが2層構造のソース信
号配線18を成している。また、他方のn+- a-Si層
であるドレイン電極12の端部上には透明導電膜からな
る接続電極15と金属層14とが設けられ、この接続電
極15は延長されて、ドレイン電極12と画素電極2と
を電気的に接続する。ここで画素電極2は、直接、金属
層14に接続してもよい。さらに、TFT23、ゲート
信号配線19およびソース信号配線18、接続電極15
の上部を覆って層間絶縁膜4が形成されている。層間絶
縁膜4の材料としては、アクリル系樹脂などの絶縁性の
有機系透明樹脂を用いることが望ましい。
1の端部上には、透明導電膜から成るソース下層膜17
と金属層16とが備わり、これらが2層構造のソース信
号配線18を成している。また、他方のn+- a-Si層
であるドレイン電極12の端部上には透明導電膜からな
る接続電極15と金属層14とが設けられ、この接続電
極15は延長されて、ドレイン電極12と画素電極2と
を電気的に接続する。ここで画素電極2は、直接、金属
層14に接続してもよい。さらに、TFT23、ゲート
信号配線19およびソース信号配線18、接続電極15
の上部を覆って層間絶縁膜4が形成されている。層間絶
縁膜4の材料としては、アクリル系樹脂などの絶縁性の
有機系透明樹脂を用いることが望ましい。
【0026】層間絶縁膜4上には、保持容量用電極3と
なる透明導電膜が設けられている。この保持容量用電極
3は、対向電極の信号を送るための保持容量用共通電極
7と、層間絶縁膜4およびゲート絶縁膜8を貫いて形成
された第一のコンタクトホール5を介して電気的に接続
されている。ここで、保持容量用電極3はゲート信号配
線19とソース信号配線18の上にオーバーラップして
形成される構成としたが、得たい保持容量の大きさなど
に応じて、形状は特に限定するものではない。
なる透明導電膜が設けられている。この保持容量用電極
3は、対向電極の信号を送るための保持容量用共通電極
7と、層間絶縁膜4およびゲート絶縁膜8を貫いて形成
された第一のコンタクトホール5を介して電気的に接続
されている。ここで、保持容量用電極3はゲート信号配
線19とソース信号配線18の上にオーバーラップして
形成される構成としたが、得たい保持容量の大きさなど
に応じて、形状は特に限定するものではない。
【0027】さらに、保持容量用電極3の上には、カラ
ーフィルタ1が形成される。また、カラーフィルタ1の
上には、画素電極2となる透明導電膜が設けられ、層間
絶縁膜4を貫く第二のコンタクトホール6を介して、接
続電極15およびTFT23のドレイン電極12に電気
的に接続されている。
ーフィルタ1が形成される。また、カラーフィルタ1の
上には、画素電極2となる透明導電膜が設けられ、層間
絶縁膜4を貫く第二のコンタクトホール6を介して、接
続電極15およびTFT23のドレイン電極12に電気
的に接続されている。
【0028】カラーフィルタ1の材料としては、絶縁性
のアクリル性樹脂に顔料分散を行った着色樹脂等が用い
られる。カラーフィルタ1は画素電極2と保持容量用電
極3の両電極間で、コンデンサの誘電体として作用し、
保持容量を形成することができる。
のアクリル性樹脂に顔料分散を行った着色樹脂等が用い
られる。カラーフィルタ1は画素電極2と保持容量用電
極3の両電極間で、コンデンサの誘電体として作用し、
保持容量を形成することができる。
【0029】以上の構成において本発明の液晶表示装置
は、保持容量用電極3が層間絶縁膜4によってゲート信
号配線19およびソース信号配線18と完全に絶縁され
ているために、ゲート信号配線19およびソース信号配
線18によって生じる電界をシールドする。このため、
ゲート信号配線19およびソース信号配線18と保持容
量用電極3との間に浮遊容量が発生しない。すなわち、
画素電極2および保持容量用電極3と、その間に設けら
れているカラーフィルタ1を誘電体として形成される保
持容量は、他のどの電界の影響もほとんど受けないの
で、ソース信号配線18より供給されるデータ信号を良
好な状態で液晶層に伝えることができ、高いコントラス
トの表示を実現する。
は、保持容量用電極3が層間絶縁膜4によってゲート信
号配線19およびソース信号配線18と完全に絶縁され
ているために、ゲート信号配線19およびソース信号配
線18によって生じる電界をシールドする。このため、
ゲート信号配線19およびソース信号配線18と保持容
量用電極3との間に浮遊容量が発生しない。すなわち、
画素電極2および保持容量用電極3と、その間に設けら
れているカラーフィルタ1を誘電体として形成される保
持容量は、他のどの電界の影響もほとんど受けないの
で、ソース信号配線18より供給されるデータ信号を良
好な状態で液晶層に伝えることができ、高いコントラス
トの表示を実現する。
【0030】以上のように本実施形態1のアクティブマ
トリクス基板が構成され、以下のようにして製造するこ
とができる。
トリクス基板が構成され、以下のようにして製造するこ
とができる。
【0031】まず、ガラス基板などの透明絶縁性基板2
2上に、ゲート電極9、ゲート絶縁膜8、半導体層1
0、チャネル保護層13、ソース電極11およびドレイ
ン電極12となるn+- a-Si層を順次成膜して形成す
る。ここまでの作製プロセスは、従来のアクティブマト
リクス基板の製造方法と同様に行うことができる。
2上に、ゲート電極9、ゲート絶縁膜8、半導体層1
0、チャネル保護層13、ソース電極11およびドレイ
ン電極12となるn+- a-Si層を順次成膜して形成す
る。ここまでの作製プロセスは、従来のアクティブマト
リクス基板の製造方法と同様に行うことができる。
【0032】次に、ソース信号配線18、接続電極1
5、およびソース下層膜17を構成するために、透明導
電膜および金属層14、16を、スパッタ法により順次
成膜して、所望する形状にパターニングする。
5、およびソース下層膜17を構成するために、透明導
電膜および金属層14、16を、スパッタ法により順次
成膜して、所望する形状にパターニングする。
【0033】さらに、その上に、層間絶縁膜4として感
光性の透明なアクリル樹脂をスピン塗布法により1.5
〜4.0μmの膜厚で形成する。本実施形態1において
は、この感光性のアクリル樹脂のベースポリマーは、メ
タクリル酸とグリシジルメタクリレートのポリマーと
し、その膜厚は、ゲート信号配線19とソース信号配線
18などが発生する電界による影響が完全にシールドさ
れる3μm程度にした。
光性の透明なアクリル樹脂をスピン塗布法により1.5
〜4.0μmの膜厚で形成する。本実施形態1において
は、この感光性のアクリル樹脂のベースポリマーは、メ
タクリル酸とグリシジルメタクリレートのポリマーと
し、その膜厚は、ゲート信号配線19とソース信号配線
18などが発生する電界による影響が完全にシールドさ
れる3μm程度にした。
【0034】次に、前記のアクリル系樹脂を所望のパタ
ーンに従って露光し、さらにアルカリ性の溶液によって
処理する。露光された部分のみがアルカリ性の溶液によ
って取り除かれるので、層間絶縁膜4を貫通する第一の
コンタクトホール5、第二のコンタクトホール6が形成
されることになる。
ーンに従って露光し、さらにアルカリ性の溶液によって
処理する。露光された部分のみがアルカリ性の溶液によ
って取り除かれるので、層間絶縁膜4を貫通する第一の
コンタクトホール5、第二のコンタクトホール6が形成
されることになる。
【0035】その後、図3(a)および(b)に示すよ
うに、保持容量用電極3となる透明導電膜をスパッタ法
により形成し、パターニングする。透明導電膜として
は、ITO等を用いることができる。これにより保持容
量用電極3は、層間絶縁膜4およびゲート絶縁膜8を貫
く第一のコンタクトホール5を介して、対向信号が入力
される保持容量用共通電極7と電気的に接続されること
になる。
うに、保持容量用電極3となる透明導電膜をスパッタ法
により形成し、パターニングする。透明導電膜として
は、ITO等を用いることができる。これにより保持容
量用電極3は、層間絶縁膜4およびゲート絶縁膜8を貫
く第一のコンタクトホール5を介して、対向信号が入力
される保持容量用共通電極7と電気的に接続されること
になる。
【0036】次に、図4(a)および(b)に示すよう
に、着色樹脂転写シートを用いてカラーフィルタ1を形
成する。この着色樹脂転写シートは、アクリル系樹脂か
らなる感光性樹脂に顔料を分散させて着色形成した着色
感光性樹脂を備えたものである。このシートを基板上に
貼り合せ、露光装置を使って保持容量用電極3上にドッ
トパターンが形成されるようにマスクを用いて感光させ
る。このドットパターンは保持容量用電極3よりもパタ
ーンサイズが若干小さいものとした。以上の工程をカラ
ーフィルタの赤色(R)、緑色(G)、青色(B)それ
ぞれについて繰り返し行うことによって、カラーフィル
タ1を形成する(図5参照)。
に、着色樹脂転写シートを用いてカラーフィルタ1を形
成する。この着色樹脂転写シートは、アクリル系樹脂か
らなる感光性樹脂に顔料を分散させて着色形成した着色
感光性樹脂を備えたものである。このシートを基板上に
貼り合せ、露光装置を使って保持容量用電極3上にドッ
トパターンが形成されるようにマスクを用いて感光させ
る。このドットパターンは保持容量用電極3よりもパタ
ーンサイズが若干小さいものとした。以上の工程をカラ
ーフィルタの赤色(R)、緑色(G)、青色(B)それ
ぞれについて繰り返し行うことによって、カラーフィル
タ1を形成する(図5参照)。
【0037】以下に、カラーフィルタ1形成用の着色樹
脂転写シートおよびカラーフィルタの形成方法の一例を
詳細に説明する。
脂転写シートおよびカラーフィルタの形成方法の一例を
詳細に説明する。
【0038】この着色樹脂転写シートは5つの層から構
成されるものであり、順に、カバーフィルム(1)、ベ
ースフィルム(2)、熱可塑性樹脂層(3)、中間層
(4)、感光性樹脂層(5)が積層されている。以下
に、各層の膜厚ならびに材料について記述する。
成されるものであり、順に、カバーフィルム(1)、ベ
ースフィルム(2)、熱可塑性樹脂層(3)、中間層
(4)、感光性樹脂層(5)が積層されている。以下
に、各層の膜厚ならびに材料について記述する。
【0039】1.カバーフィルムとしては、本実施形態
1においてはポリオレフィン系樹脂から成るものを用い
た。膜厚は15μm程度とする。
1においてはポリオレフィン系樹脂から成るものを用い
た。膜厚は15μm程度とする。
【0040】2.ベースフィルムの材料としては、本実
施形態1においては2軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トを用いた。他にも、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、トリ酢酸セルロースフィルム、ポリスチレンフィ
ルム、ポリカーボネートフィルム等を使用することもで
きる。膜厚は75μm程度とする。
施形態1においては2軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トを用いた。他にも、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、トリ酢酸セルロースフィルム、ポリスチレンフィ
ルム、ポリカーボネートフィルム等を使用することもで
きる。膜厚は75μm程度とする。
【0041】3.熱可塑性樹脂層の材料としては、メチ
ルメタクリレート/2−エチルヘキシルアクリレート/
ベンジルメタクリレート/メタクリル酸共重合体、ポリ
プロピレングリコールジアクリレート、テトラエチレン
グリコールジアクリレート、p−トルエンスルホンアミ
ド、ベンゾフェノン、メチルエチルケトンから成るもの
を用いた。膜厚は15μmとする。
ルメタクリレート/2−エチルヘキシルアクリレート/
ベンジルメタクリレート/メタクリル酸共重合体、ポリ
プロピレングリコールジアクリレート、テトラエチレン
グリコールジアクリレート、p−トルエンスルホンアミ
ド、ベンゾフェノン、メチルエチルケトンから成るもの
を用いた。膜厚は15μmとする。
【0042】4.中間層の材料としては、水溶性ポリマ
ー系の樹脂を用いた。具体的にはポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン、フッ素系界面活性剤からな
る化合物を用いた。膜厚は2μmとする。
ー系の樹脂を用いた。具体的にはポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン、フッ素系界面活性剤からな
る化合物を用いた。膜厚は2μmとする。
【0043】5.感光性樹脂層としては、R、G、Bの
各色毎に3種類の着色性樹脂を使い分けた。樹脂の組成
としては、例えば、具体的には、ベンジルメタクリレー
ト/メタクリル酸共重合体、ペンタエリスリトールテト
ラアクリレート、ミヒラーズケトン、2−(o−クロロ
フエニル)−4,5−ジフエニルイミダゾール二量体の
混合液に、形成する色によって、イルガジン・レッドB
PT(赤色用)、銅フタロシアニン(緑色用)、スーダ
ンブルー(青色用)を各々添加した。膜厚は3色とも2
μmとする。
各色毎に3種類の着色性樹脂を使い分けた。樹脂の組成
としては、例えば、具体的には、ベンジルメタクリレー
ト/メタクリル酸共重合体、ペンタエリスリトールテト
ラアクリレート、ミヒラーズケトン、2−(o−クロロ
フエニル)−4,5−ジフエニルイミダゾール二量体の
混合液に、形成する色によって、イルガジン・レッドB
PT(赤色用)、銅フタロシアニン(緑色用)、スーダ
ンブルー(青色用)を各々添加した。膜厚は3色とも2
μmとする。
【0044】以上の構成から成るカラーフィルタ形成用
シート(赤色画素形成用シート、緑色画素形成用シー
ト、青色画素形成用シート)を用いて、以下の方法でカ
ラーフィルタ1を作製した。
シート(赤色画素形成用シート、緑色画素形成用シー
ト、青色画素形成用シート)を用いて、以下の方法でカ
ラーフィルタ1を作製した。
【0045】図3(a)および(b)に示すところまで
作成されたTFT形成ガラス基板を洗浄し、赤色画素形
成用シートをTFT形成ガラス基板に載せる。このと
き、シートの感光性樹脂層が基板側になるように、それ
ぞれに形成したアライメントマーカーを用いて位置合わ
せを行い、セットする。
作成されたTFT形成ガラス基板を洗浄し、赤色画素形
成用シートをTFT形成ガラス基板に載せる。このと
き、シートの感光性樹脂層が基板側になるように、それ
ぞれに形成したアライメントマーカーを用いて位置合わ
せを行い、セットする。
【0046】次に、赤色画素形成用シートの表面に備わ
るポリオレフィン系樹脂から成るカバーフィルムを剥離
し、ラミネータを用いて加圧(10kg/cm程度)お
よび加熱(100℃前後)してシートを基板に接着さ
せ、続いてベースフィルムを熱可塑性樹脂層との界面で
剥離し、除去した。
るポリオレフィン系樹脂から成るカバーフィルムを剥離
し、ラミネータを用いて加圧(10kg/cm程度)お
よび加熱(100℃前後)してシートを基板に接着さ
せ、続いてベースフィルムを熱可塑性樹脂層との界面で
剥離し、除去した。
【0047】次に、所望する形状に設計されたフォトマ
スクを介し、紫外線照射(365nm、i線)によって
感光性樹脂層からなる着色層を露光した。この後、例え
ば炭酸ナトリウムおよび重炭酸ナトリウムの混合液等か
ら成る現像液を用いて現像し、熱可塑性樹脂層、中間層
および未露光部分である不要部分を除去した。これによ
り、TFT形成ガラス基板上の保持容量用電極3上の所
定の位置に感光性樹脂層からなる画素パターンを形成し
た。R、G、Bの各着色層の膜厚は、最終的には0.1
〜1.5μm程度の範囲で、所望とする厚みに形成する
ことができる。
スクを介し、紫外線照射(365nm、i線)によって
感光性樹脂層からなる着色層を露光した。この後、例え
ば炭酸ナトリウムおよび重炭酸ナトリウムの混合液等か
ら成る現像液を用いて現像し、熱可塑性樹脂層、中間層
および未露光部分である不要部分を除去した。これによ
り、TFT形成ガラス基板上の保持容量用電極3上の所
定の位置に感光性樹脂層からなる画素パターンを形成し
た。R、G、Bの各着色層の膜厚は、最終的には0.1
〜1.5μm程度の範囲で、所望とする厚みに形成する
ことができる。
【0048】この後さらに、各画素間に備わるカラーフ
ィルタ間の間隙部をより平坦化することを目的として、
R、G、B各着色層と同様の手法で、画素の周縁部に、
ブラックマトリックス(BM)を形成してもよい。その
際、感光性樹脂層には、着色顔料としてカーボンブラッ
ク等を添加する。
ィルタ間の間隙部をより平坦化することを目的として、
R、G、B各着色層と同様の手法で、画素の周縁部に、
ブラックマトリックス(BM)を形成してもよい。その
際、感光性樹脂層には、着色顔料としてカーボンブラッ
ク等を添加する。
【0049】また、画素周縁部の遮光を目的とするBM
を、対向基板に形成することも可能である。
を、対向基板に形成することも可能である。
【0050】続いて、緑色画素形成用シートおよび青色
画素形成用シートをそれぞれ用い、赤色画素形成と同様
の工程を経ることによって緑色画素パターン、青色画素
パターンを保持容量用電極3上の所定の位置に形成する
ことにより、アクリル系樹脂からなるカラーフィルタ1
を形成した。このとき、カラーフィルタ1の各画素は、
第二のコンタクトホール6の開孔部を被覆しないように
形成した。ここで、カラーフィルタ1は、感光性樹脂を
染色したもの、電着法、スピンコート法によって着色さ
れた樹脂層を設けたものでもよい。
画素形成用シートをそれぞれ用い、赤色画素形成と同様
の工程を経ることによって緑色画素パターン、青色画素
パターンを保持容量用電極3上の所定の位置に形成する
ことにより、アクリル系樹脂からなるカラーフィルタ1
を形成した。このとき、カラーフィルタ1の各画素は、
第二のコンタクトホール6の開孔部を被覆しないように
形成した。ここで、カラーフィルタ1は、感光性樹脂を
染色したもの、電着法、スピンコート法によって着色さ
れた樹脂層を設けたものでもよい。
【0051】以上のように形成されたカラーフィルタ1
の画素パターン上に、画素電極2となる透明導電膜をス
パッタ法により形成し、スピンコート法によりレジスト
を塗布し、露光、現像およびエッチング工程を通してパ
ターニングを行った。透明導電膜の材料としては、本実
施形態1においては、ITOを用いた。他にも、SnO
2 を用いることもできる。このとき、図4(a)および
(b)に示す基板表面に、画素電極2をカラーフィルタ
1の各画素パターン上にオーバーラップするように形成
した。これにより画素電極2は、カラーフィルタ1の各
層間絶縁膜4および各画素パターンを貫く第二のコンタ
クトホール6と、さらに接続電極15を介して、TFT
23のドレイン電極12に電気的に接続される構成とし
た。また、保持容量用電極3は第一のコンタクトホール
5を介して対向信号が入力された共通電極7と電気的に
接続される構成とした。
の画素パターン上に、画素電極2となる透明導電膜をス
パッタ法により形成し、スピンコート法によりレジスト
を塗布し、露光、現像およびエッチング工程を通してパ
ターニングを行った。透明導電膜の材料としては、本実
施形態1においては、ITOを用いた。他にも、SnO
2 を用いることもできる。このとき、図4(a)および
(b)に示す基板表面に、画素電極2をカラーフィルタ
1の各画素パターン上にオーバーラップするように形成
した。これにより画素電極2は、カラーフィルタ1の各
層間絶縁膜4および各画素パターンを貫く第二のコンタ
クトホール6と、さらに接続電極15を介して、TFT
23のドレイン電極12に電気的に接続される構成とし
た。また、保持容量用電極3は第一のコンタクトホール
5を介して対向信号が入力された共通電極7と電気的に
接続される構成とした。
【0052】以上のようにして作製されたアクティブマ
トリクス基板を対向基板と貼り合わせ、液晶を注入する
ことにより本発明の液晶表示装置が完成する。
トリクス基板を対向基板と貼り合わせ、液晶を注入する
ことにより本発明の液晶表示装置が完成する。
【0053】本発明の液晶表示装置においては、保持容
量用電極3および画素電極2を各々、前記の構成とする
ことにより、両者の間に設けられた絶縁性のカラーフィ
ルタ1を誘電体として保持容量を形成することができ
る。さらに、カラーフィルタ1は、低誘電率の層間絶縁
膜4を、膜厚を厚く形成することによって図1に示すソ
ース信号配線18およびゲート信号配線19などが発生
する電界から完全に遮蔽されているので、変動のない、
液晶駆動に最適な保持容量さらにはデータ信号を与える
ことができる。
量用電極3および画素電極2を各々、前記の構成とする
ことにより、両者の間に設けられた絶縁性のカラーフィ
ルタ1を誘電体として保持容量を形成することができ
る。さらに、カラーフィルタ1は、低誘電率の層間絶縁
膜4を、膜厚を厚く形成することによって図1に示すソ
ース信号配線18およびゲート信号配線19などが発生
する電界から完全に遮蔽されているので、変動のない、
液晶駆動に最適な保持容量さらにはデータ信号を与える
ことができる。
【0054】また、本実施形態1は、透過型液晶表示装
置の製造方法における一例を示したものであり、本発明
の液晶表示装置の製造方法はこれに限定されるものでは
ない。
置の製造方法における一例を示したものであり、本発明
の液晶表示装置の製造方法はこれに限定されるものでは
ない。
【0055】(実施形態2)図6は本発明の実施形態2
の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の1
画素部分の構成を示す平面図である。図7は図6の液晶
表示装置におけるアクティブマトリクス基板のA−A’
断面図である。
の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の1
画素部分の構成を示す平面図である。図7は図6の液晶
表示装置におけるアクティブマトリクス基板のA−A’
断面図である。
【0056】本実施形態2は、図6および図7に示すと
おり、保持容量用電極3が、画素を囲む2本のゲート信
号のうち、TFTが接続されていない方のゲート信号配
線19と、第一のコンタクトホール5を介して電気的に
接続する構成とした。
おり、保持容量用電極3が、画素を囲む2本のゲート信
号のうち、TFTが接続されていない方のゲート信号配
線19と、第一のコンタクトホール5を介して電気的に
接続する構成とした。
【0057】以上のようなアクティブマトリクス基板を
対向基板と貼り合わせ、液晶を注入することによって本
発明の液晶表示装置を形成することができる。
対向基板と貼り合わせ、液晶を注入することによって本
発明の液晶表示装置を形成することができる。
【0058】本発明の液晶表示装置において、ゲート信
号配線19に接続された保持容量用電極3および画素電
極2と、両電極間に備わるカラーフィルタ1を一体のコ
ンデンサとして保持容量を形成することができる。
号配線19に接続された保持容量用電極3および画素電
極2と、両電極間に備わるカラーフィルタ1を一体のコ
ンデンサとして保持容量を形成することができる。
【0059】なお、カラーフィルタ1を含む、アクティ
ブマトリクス基板の形成は、本発明実施形態1で説明し
たものと同様の材料および同様の製造工程により形成す
ることができる。
ブマトリクス基板の形成は、本発明実施形態1で説明し
たものと同様の材料および同様の製造工程により形成す
ることができる。
【0060】また、本実施形態2は、透過型液晶表示装
置の製造方法における一例を示したものであり、本発明
の液晶表示装置の製造方法はこれに限定されるものでは
ない。
置の製造方法における一例を示したものであり、本発明
の液晶表示装置の製造方法はこれに限定されるものでは
ない。
【0061】
【発明の効果】本発明の構成とすることにより、絶縁性
樹脂で形成されたカラーフィルタが、画素電極および保
持容量用電極の間に挟まれているので、これらが一体の
コンデンサとして作用し、保持容量が形成される。この
際、カラーフィルタが極めて膜厚の厚い層間絶縁膜によ
って下層のゲート信号配線およびソース信号配線と電気
的に絶縁されるため、これらの配線による浮遊容量の発
生を防止することができ、変動のない保持容量を得るこ
とができる。
樹脂で形成されたカラーフィルタが、画素電極および保
持容量用電極の間に挟まれているので、これらが一体の
コンデンサとして作用し、保持容量が形成される。この
際、カラーフィルタが極めて膜厚の厚い層間絶縁膜によ
って下層のゲート信号配線およびソース信号配線と電気
的に絶縁されるため、これらの配線による浮遊容量の発
生を防止することができ、変動のない保持容量を得るこ
とができる。
【0062】また、保持容量用電極は下層のゲート信号
配線およびソース信号配線にオーバーラップし、大面積
にわたって形成することができるので、大きな保持容量
を得ることが可能となる。
配線およびソース信号配線にオーバーラップし、大面積
にわたって形成することができるので、大きな保持容量
を得ることが可能となる。
【0063】さらに、カラーフィルタならびに画素電極
の面積を従来よりも拡大することができるので、高開口
率かつ低消費電力の液晶表示装置を提供することができ
る。
の面積を従来よりも拡大することができるので、高開口
率かつ低消費電力の液晶表示装置を提供することができ
る。
【0064】以上のことから、本発明によれば、高い開
口率のもと、データ信号を正確かつ最適に液晶層に伝達
することができるので、高コントラスト、高品位の表示
を可能にする。
口率のもと、データ信号を正確かつ最適に液晶層に伝達
することができるので、高コントラスト、高品位の表示
を可能にする。
【図1】本発明の実施形態1の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の1画素部分の構成を示す平面
図である。
クティブマトリクス基板の1画素部分の構成を示す平面
図である。
【図2】図2(a)は図1の液晶表示装置におけるアク
ティブマトリクス基板のA−A’断面図である。また、
図2(b)は図1の液晶表示装置におけるアクティブマ
トリクス基板のB−B’断面図である。
ティブマトリクス基板のA−A’断面図である。また、
図2(b)は図1の液晶表示装置におけるアクティブマ
トリクス基板のB−B’断面図である。
【図3】図3(a)は図1の液晶表示装置におけるアク
ティブマトリクス基板のA−A’断面部分における第一
の形成過程を示す断面図である。図3(b)は図1の液
晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のB−
B’断面部分における第一の形成過程を示す断面図であ
る。
ティブマトリクス基板のA−A’断面部分における第一
の形成過程を示す断面図である。図3(b)は図1の液
晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のB−
B’断面部分における第一の形成過程を示す断面図であ
る。
【図4】図4(a)は図1の液晶表示装置におけるアク
ティブマトリクス基板のA−A’断面部分における第二
の形成過程を示す断面図である。図4(b)は図1の液
晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のB−
B’断面部分における第二の形成過程を示す断面図であ
る。
ティブマトリクス基板のA−A’断面部分における第二
の形成過程を示す断面図である。図4(b)は図1の液
晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板のB−
B’断面部分における第二の形成過程を示す断面図であ
る。
【図5】本発明の実施形態1の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。
クティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。
【図6】本発明の実施形態2の液晶表示装置におけるア
クティブマトリクス基板の1画素部分を示す平面図であ
る。
クティブマトリクス基板の1画素部分を示す平面図であ
る。
【図7】図7(a)は図6の液晶表示装置におけるアク
ティブマトリクス基板のA−A’断面図である。また、
図7(b)は図6の液晶表示装置におけるアクティブマ
トリクス基板のB−B’断面図である。
ティブマトリクス基板のA−A’断面図である。また、
図7(b)は図6の液晶表示装置におけるアクティブマ
トリクス基板のB−B’断面図である。
【図8】従来の液晶表示装置におけるアクティブマトリ
クス基板のTFT部分の断面図である。
クス基板のTFT部分の断面図である。
1 カラーフィルタ 2 画素電極 3 保持容量用電極 4 層間絶縁膜 5 第一のコンタクトホール 6 第二のコンタクトホール 7 保持容量用共通電極 8 ゲート絶縁膜 9 ゲート電極 10 半導体層 11 ソース電極 12 ドレイン電極 13 チャネル保護層 14、16 金属層 15 接続電極 17 ソース下層膜 18 ソース信号配線 19 ゲート信号配線 22 透明絶縁性基板 23 TFT 24 保持容量 25 TFT基板 26 液晶層 27 偏光板 28 上側ガラス基板 30、31、32 電極 33、下層透明電極 34、有機系絶縁膜 35 対向電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/336
Claims (7)
- 【請求項1】 基板上に、走査配線と信号配線とが互い
に交差するように設けられ、該走査配線と信号配線の交
差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチン
グ素子のゲート電極に前記走査配線が接続され、前記ス
イッチング素子のゲート電極以外の一方電極に前記信号
配線が接続され、前記スイッチング素子のゲート電極以
外の他方電極に画素電極が接続され、データ信号が前記
スイッチング素子を介して前記画素電極に供給されるこ
とにより液晶表示する液晶表示装置において、 前記スイッチング素子、走査配線および信号配線の上部
に、透明度の高い有機薄膜からなる層間絶縁膜が設けら
れ、 該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる保持容量用電極が
設けられ、 該保持容量用電極の上にカラーフィルタが設けられ、 該カラーフィルタの上に透明導電膜からなる前記画素電
極が設けられたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記画素電極が、少なくとも前記走査配
線および/または信号配線と、少なくとも一部が重なる
ように設けられ、 前記画素電極が前記層間絶縁膜を貫く第二のコンタクト
ホールを介して前記接続電極に接続されたことを特徴と
する請求項1項記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記画素電極が、少なくとも前記走査配
線および/または信号配線と、少なくとも一部が重なる
ように設けられ、 前記画素電極が前記層間絶縁膜を貫く第二のコンタクト
ホールを介して前記走査配線に接続されたことを特徴と
する請求項1記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記カラーフィルターが、少なくとも前
記走査配線および/または信号配線と、少なくとも一部
が重なるように設けられたことを特徴とする請求項1か
ら3のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記カラーフィルタが、前記保持容量用
電極上において、着色された感光性樹脂により形成され
たことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の
液晶表示装置。 - 【請求項6】 前記層間絶縁膜の誘電率が4.0以下で
あり、かつ膜厚が1.5〜4.0μmの範囲であること
を特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の液晶表
示装置。 - 【請求項7】 前記感光性樹脂が顔料を分散したアクリ
ル系樹脂で形成されたことを特徴とする請求項5記載の
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28152495A JPH09127548A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28152495A JPH09127548A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09127548A true JPH09127548A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17640383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28152495A Pending JPH09127548A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09127548A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121632A (en) * | 1997-06-09 | 2000-09-19 | Nec Corporation | Thin-film transistor array and method for manufacturing same |
| US6141078A (en) * | 1997-07-14 | 2000-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | IPS type liquid crystal display apparatus having in-plane retardation value of less than zero and not more than 20 |
| JP2001228491A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JP2008026430A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2010152298A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP28152495A patent/JPH09127548A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121632A (en) * | 1997-06-09 | 2000-09-19 | Nec Corporation | Thin-film transistor array and method for manufacturing same |
| US6657226B1 (en) | 1997-06-09 | 2003-12-02 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Thin-film transistor array and method for manufacturing same |
| US6141078A (en) * | 1997-07-14 | 2000-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | IPS type liquid crystal display apparatus having in-plane retardation value of less than zero and not more than 20 |
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| US7630043B2 (en) | 2006-07-19 | 2009-12-08 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid display device and fabrication method thereof |
| JP2010152298A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 |
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