JPH09129713A - 半導体製造用基板処理装置 - Google Patents
半導体製造用基板処理装置Info
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- JPH09129713A JPH09129713A JP30210295A JP30210295A JPH09129713A JP H09129713 A JPH09129713 A JP H09129713A JP 30210295 A JP30210295 A JP 30210295A JP 30210295 A JP30210295 A JP 30210295A JP H09129713 A JPH09129713 A JP H09129713A
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- Japan
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- shaft
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】半導体製造用基板処理装置に於いて、搬送時の
位置ずれを抑制し、搬送の信頼性を向上させると共に真
空シール部のＯリングの交換作業をなくし、保守性を改
善と稼働率の向上を図る。 【解決手段】２重槽構造の半導体製造用基板処理装置に
於いて、外槽容器本体３底部を気密に貫通する内槽開閉
シャフト３１の上端側に内槽容器本体４０を連結し下端
側に内槽開閉シリンダ２０を連結し、基板上下シャフト
３５をシャフト３１と同心に設け、これに基板上下シリ
ンダ２４を連結し、シャフト３５間を気密にシールし、
シリンダ２４が駆動することで基板支持ピン２３が上下
し、内槽の開閉とピンの上下動の協働により基板が内槽
内に搬入搬出される。
位置ずれを抑制し、搬送の信頼性を向上させると共に真
空シール部のＯリングの交換作業をなくし、保守性を改
善と稼働率の向上を図る。 【解決手段】２重槽構造の半導体製造用基板処理装置に
於いて、外槽容器本体３底部を気密に貫通する内槽開閉
シャフト３１の上端側に内槽容器本体４０を連結し下端
側に内槽開閉シリンダ２０を連結し、基板上下シャフト
３５をシャフト３１と同心に設け、これに基板上下シリ
ンダ２４を連結し、シャフト３５間を気密にシールし、
シリンダ２４が駆動することで基板支持ピン２３が上下
し、内槽の開閉とピンの上下動の協働により基板が内槽
内に搬入搬出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造用基板処
理装置、特に内部に内槽を具備した２重槽構造のＬＣＤ
用枚葉式プラズマ半導体製造用基板処理装置に関するも
のである。
理装置、特に内部に内槽を具備した２重槽構造のＬＣＤ
用枚葉式プラズマ半導体製造用基板処理装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図２に於いて従来の半導体製造用基板処
理装置について説明する。
理装置について説明する。
【０００３】該半導体製造用基板処理装置には搬送装置
（図示せず）を介して他の半導体製造用基板処理装置に
連設されており、又他の半導体製造用基板処理装置は設
備状況により放射状に、或は直列的に複数連設される場
合がある。
（図示せず）を介して他の半導体製造用基板処理装置に
連設されており、又他の半導体製造用基板処理装置は設
備状況により放射状に、或は直列的に複数連設される場
合がある。
【０００４】１は外槽を示し、該外槽１の内部に内槽２
が形成されている。前記外槽１は上方が開口された外槽
容器本体３と該外槽容器本体３の端開口を閉塞する蓋体
４とから成り、前記蓋体４下面には絶縁体５を介して上
部電極６が設けられ、該上部電極６の下方を囲繞する矩
形枠状の内槽壁７が設けられている。
が形成されている。前記外槽１は上方が開口された外槽
容器本体３と該外槽容器本体３の端開口を閉塞する蓋体
４とから成り、前記蓋体４下面には絶縁体５を介して上
部電極６が設けられ、該上部電極６の下方を囲繞する矩
形枠状の内槽壁７が設けられている。
【０００５】前記外槽容器本体３の底部中央には孔８が
穿設されており、該孔８は底蓋９により閉塞されてい
る。該底蓋９の下面には２のスライド軸受１０が固着さ
れ、該スライド軸受１０を摺動自在に貫通する内槽開閉
シャフト１１が設けられ、該内槽開閉シャフト１１は前
記スライド軸受１０に設けられたＯリング１２により気
密にシールされている。
穿設されており、該孔８は底蓋９により閉塞されてい
る。該底蓋９の下面には２のスライド軸受１０が固着さ
れ、該スライド軸受１０を摺動自在に貫通する内槽開閉
シャフト１１が設けられ、該内槽開閉シャフト１１は前
記スライド軸受１０に設けられたＯリング１２により気
密にシールされている。
【０００６】前記内槽開閉シャフト１１の上端には昇降
基板１３が固着され、該昇降基板１３には熱反射板１４
を介在させ、台板１５が設けられ、該台板１５に前記上
部電極６に対峙し、前記内槽２の底板を兼ねる下部電極
１６が固着されている。該下部電極１６が前記内槽壁７
に密着した状態で、処理室が画成される。又、前記底蓋
９の下面には内槽開閉シリンダ２０を下方に向かって伸
縮する様に２組設け、該内槽開閉シリンダ２０のロッド
先端に連結基板２１を固着し、前記内槽開閉シャフト１
１の下端を該連結基板２１に連結する。
基板１３が固着され、該昇降基板１３には熱反射板１４
を介在させ、台板１５が設けられ、該台板１５に前記上
部電極６に対峙し、前記内槽２の底板を兼ねる下部電極
１６が固着されている。該下部電極１６が前記内槽壁７
に密着した状態で、処理室が画成される。又、前記底蓋
９の下面には内槽開閉シリンダ２０を下方に向かって伸
縮する様に２組設け、該内槽開閉シリンダ２０のロッド
先端に連結基板２１を固着し、前記内槽開閉シャフト１
１の下端を該連結基板２１に連結する。
【０００７】前記底蓋９の中心には他のスライド軸受１
７が設けられ、該スライド軸受１７を摺動自在に貫通す
る基板上下シャフト１８が設けられ、該基板上下シャフ
ト１８は前記スライド軸受１７に設けられたＯリング１
９により気密にシールされている。前記スライド軸受１
７の上端にはピン支持板２２が固着され、該ピン支持板
２２の４隅には前記昇降基板１３、前記熱反射板１４、
前記台板１５、前記下部電極１６を貫通して上方に突出
可能な基板支持ピン２３が立設されている。前記連結基
板２１の中央上面には基板上下シリンダ２４が設けら
れ、該基板上下シリンダ２４のロッド上端に前記基板上
下シャフト１８の下端が連結されている。
７が設けられ、該スライド軸受１７を摺動自在に貫通す
る基板上下シャフト１８が設けられ、該基板上下シャフ
ト１８は前記スライド軸受１７に設けられたＯリング１
９により気密にシールされている。前記スライド軸受１
７の上端にはピン支持板２２が固着され、該ピン支持板
２２の４隅には前記昇降基板１３、前記熱反射板１４、
前記台板１５、前記下部電極１６を貫通して上方に突出
可能な基板支持ピン２３が立設されている。前記連結基
板２１の中央上面には基板上下シリンダ２４が設けら
れ、該基板上下シリンダ２４のロッド上端に前記基板上
下シャフト１８の下端が連結されている。
【０００８】基板の処理は前記内槽開閉シリンダ２０の
駆動により前記連結基板２１、前記内槽開閉シャフト１
１、前記昇降基板１３、前記台板１５を介して前記下部
電極１６が降下され、前記内槽２が開放される。前記外
槽容器本体３の側壁に穿設された基板搬送口２５から基
板搬送アーム２６により基板２７が搬入される。
駆動により前記連結基板２１、前記内槽開閉シャフト１
１、前記昇降基板１３、前記台板１５を介して前記下部
電極１６が降下され、前記内槽２が開放される。前記外
槽容器本体３の側壁に穿設された基板搬送口２５から基
板搬送アーム２６により基板２７が搬入される。
【０００９】前記基板上下シリンダ２４の駆動により前
記基板上下シャフト１８、前記ピン支持板２２を介して
前記基板支持ピン２３が上昇し、前記基板２７を前記基
板搬送アーム２６より持上げる。前記基板搬送アーム２
６が後退し、前記基板上下シリンダ２４が短縮して前記
基板２７を前記下部電極１６に載置する。前記内槽開閉
シリンダ２０が短縮して前記連結基板２１を上昇させ、
前記内槽２を閉じる。
記基板上下シャフト１８、前記ピン支持板２２を介して
前記基板支持ピン２３が上昇し、前記基板２７を前記基
板搬送アーム２６より持上げる。前記基板搬送アーム２
６が後退し、前記基板上下シリンダ２４が短縮して前記
基板２７を前記下部電極１６に載置する。前記内槽開閉
シリンダ２０が短縮して前記連結基板２１を上昇させ、
前記内槽２を閉じる。
【００１０】前記上部電極６に穿設された反応ガス分散
孔（図示せず）より反応ガスを導入し、前記上部電極
６、前記下部電極１６間に高周波電力を印加してプラズ
マを生成し、基板表面に薄膜の生成、或はエッチング等
所要の表面処理を行う。基板処理が完了すると前述した
基板搬入作動の逆の手順で基板を外槽１外に搬出する。
孔（図示せず）より反応ガスを導入し、前記上部電極
６、前記下部電極１６間に高周波電力を印加してプラズ
マを生成し、基板表面に薄膜の生成、或はエッチング等
所要の表面処理を行う。基板処理が完了すると前述した
基板搬入作動の逆の手順で基板を外槽１外に搬出する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前記半導体製造用基板
処理装置に於いて、前記下部電極１６を支持し、昇降さ
せる為の前記内槽開閉シャフト１１が前記外槽容器本体
３の中心より離れた位置に２本設けられる構造であり、
又前記基板上下シャフト１８は前記外槽容器本体３の中
心に設けられている構造であるので、加工上の寸法公差
が累積し、この為、前記外槽１と前記下部電極１６との
中心位置のずれ、更に前記基板支持ピン２３の４本の中
心と前記下部電極１６の中心位置のずれが大きくなる。
処理装置に於いて、前記下部電極１６を支持し、昇降さ
せる為の前記内槽開閉シャフト１１が前記外槽容器本体
３の中心より離れた位置に２本設けられる構造であり、
又前記基板上下シャフト１８は前記外槽容器本体３の中
心に設けられている構造であるので、加工上の寸法公差
が累積し、この為、前記外槽１と前記下部電極１６との
中心位置のずれ、更に前記基板支持ピン２３の４本の中
心と前記下部電極１６の中心位置のずれが大きくなる。
【００１２】上記した様に、半導体製造用基板処理装置
には他の半導体製造用基板処理装置が複数連設される場
合があり、中心位置のずれは搬送時の位置ずれの原因と
なり、繰返し搬送を行うことで更に位置ずれが累積し
て、搬送に影響を及ぼすこととなる。
には他の半導体製造用基板処理装置が複数連設される場
合があり、中心位置のずれは搬送時の位置ずれの原因と
なり、繰返し搬送を行うことで更に位置ずれが累積し
て、搬送に影響を及ぼすこととなる。
【００１３】又、前記内槽開閉シャフト１１、前記基板
上下シャフト１８の摺動部の真空シールをＯリングで行
っているので、Ｏリングの摩耗による劣化が著しく、短
期間の周期でＯリングを交換すると保守作業が必要とな
る。Ｏリングの交換は装置を停止しなければならず、稼
働率の低下を招いていた。
上下シャフト１８の摺動部の真空シールをＯリングで行
っているので、Ｏリングの摩耗による劣化が著しく、短
期間の周期でＯリングを交換すると保守作業が必要とな
る。Ｏリングの交換は装置を停止しなければならず、稼
働率の低下を招いていた。
【００１４】本発明は斯かる実情に鑑み、搬送時の位置
ずれを抑制し、搬送の信頼性を向上させると共にＯリン
グの交換作業をなくし、保守性を改善すると共に稼働率
の向上を図るものである。
ずれを抑制し、搬送の信頼性を向上させると共にＯリン
グの交換作業をなくし、保守性を改善すると共に稼働率
の向上を図るものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、内部に内槽を
具備した２重槽構造の半導体製造用基板処理装置に於い
て、外槽容器本体底部を気密に貫通する内槽開閉シャフ
トの上端側に内槽容器本体を連結すると共に下端側に内
槽開閉シリンダを連結し、前記内槽開閉シャフトを同心
に気密に貫通する基板上下シャフトを設け、該基板上下
シャフトの上端側に基板支持ピンが立設されたピン支持
板を連結すると共に基板上下シャフトの下端側に基板上
下シリンダを連結した半導体製造用基板処理装置、及び
更に外槽容器本体の底部側にベースフランジを設け、該
ベースフランジに摺動自在に内槽開閉シャフトを貫通さ
せ、前記ベースフランジに外ベローズを嵌設し、該外ベ
ローズによりベースフランジと内槽開閉シャフト間を気
密にシールし、前記内槽開閉シャフトに内ベローズを嵌
設し、該内ベローズにより中空部と基板上下シャフト間
を気密にシールした半導体製造用基板処理装置、及び更
に内槽開閉シャフトの下端に基板上下シリンダを設けた
半導体製造用基板処理装置に係るものであり、内槽開閉
シリンダを駆動することで内槽が開閉し、基板上下シリ
ンダが駆動することで基板支持ピンが上下し、前記内槽
の開閉と基板支持ピンの上下動の協働により基板が内槽
内に搬入搬出され、内槽開閉シャフト、基板上下シャフ
トの可動部の真空シールは外ベローズ、内ベローズによ
って行われる。又、内槽開閉シャフトと基板上下シャフ
トとが同心構造であるので両シャフトにより支持される
外槽容器本体、内槽容器本体、基板支持ピン間の加工上
のずれが抑制される。
具備した２重槽構造の半導体製造用基板処理装置に於い
て、外槽容器本体底部を気密に貫通する内槽開閉シャフ
トの上端側に内槽容器本体を連結すると共に下端側に内
槽開閉シリンダを連結し、前記内槽開閉シャフトを同心
に気密に貫通する基板上下シャフトを設け、該基板上下
シャフトの上端側に基板支持ピンが立設されたピン支持
板を連結すると共に基板上下シャフトの下端側に基板上
下シリンダを連結した半導体製造用基板処理装置、及び
更に外槽容器本体の底部側にベースフランジを設け、該
ベースフランジに摺動自在に内槽開閉シャフトを貫通さ
せ、前記ベースフランジに外ベローズを嵌設し、該外ベ
ローズによりベースフランジと内槽開閉シャフト間を気
密にシールし、前記内槽開閉シャフトに内ベローズを嵌
設し、該内ベローズにより中空部と基板上下シャフト間
を気密にシールした半導体製造用基板処理装置、及び更
に内槽開閉シャフトの下端に基板上下シリンダを設けた
半導体製造用基板処理装置に係るものであり、内槽開閉
シリンダを駆動することで内槽が開閉し、基板上下シリ
ンダが駆動することで基板支持ピンが上下し、前記内槽
の開閉と基板支持ピンの上下動の協働により基板が内槽
内に搬入搬出され、内槽開閉シャフト、基板上下シャフ
トの可動部の真空シールは外ベローズ、内ベローズによ
って行われる。又、内槽開閉シャフトと基板上下シャフ
トとが同心構造であるので両シャフトにより支持される
外槽容器本体、内槽容器本体、基板支持ピン間の加工上
のずれが抑制される。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１７】尚、図１中で示したものと同様のものには
同符号を付してある。
同符号を付してある。
【００１８】外槽容器本体３の孔８を覆う様に底蓋９を
気密に設け、該底蓋９の下面に外槽１の中心に合致させ
ベースフランジ３０を設ける。該ベースフランジ３０に
摺動自在に貫通する内槽開閉シャフト３１を設ける。前
記ベースフランジ３０は前記内槽開閉シャフト３１の外
径より充分大きい中空孔を有し、又下端部には前記内槽
開閉シャフト３１と嵌合する嵌合部３０ａが形成されて
いる。前記内槽開閉シャフト３１の上端部は前記ベース
フランジ３０に遊嵌する外径を有し、中心部を欠切した
２股状に形成している。前記中空孔に外ベローズ３３を
非接触状態で嵌設し、前記内槽開閉シャフト３１の上端
部３２と前記ベースフランジ３０の嵌合部との境界であ
る段差部と前記ベースフランジ３０の嵌合部３０ａの上
面との間にそれぞれＯリングを挾設して前記外ベローズ
３３を気密に設ける。
気密に設け、該底蓋９の下面に外槽１の中心に合致させ
ベースフランジ３０を設ける。該ベースフランジ３０に
摺動自在に貫通する内槽開閉シャフト３１を設ける。前
記ベースフランジ３０は前記内槽開閉シャフト３１の外
径より充分大きい中空孔を有し、又下端部には前記内槽
開閉シャフト３１と嵌合する嵌合部３０ａが形成されて
いる。前記内槽開閉シャフト３１の上端部は前記ベース
フランジ３０に遊嵌する外径を有し、中心部を欠切した
２股状に形成している。前記中空孔に外ベローズ３３を
非接触状態で嵌設し、前記内槽開閉シャフト３１の上端
部３２と前記ベースフランジ３０の嵌合部との境界であ
る段差部と前記ベースフランジ３０の嵌合部３０ａの上
面との間にそれぞれＯリングを挾設して前記外ベローズ
３３を気密に設ける。
【００１９】前記内槽開閉シャフト３１の中心部は中空
部３４となっており、又該内槽開閉シャフト３１の下端
は嵌合部３１ａとなっており、該嵌合部３１ａに摺動自
在に嵌合し、前記内槽開閉シャフト３１と同心の基板上
下シャフト３５が前記ベースフランジ３０に貫通する。
前記中空部３４は前記基板上下シャフト３５の外径より
充分大きく、該中空部３４に内ベローズ３６を非接触状
態で嵌設し、該基板上下シャフト３５の中途部と前記内
槽開閉シャフト３１の２股底部との間に前記内ベローズ
３６を設け、該内ベローズ３６と前記基板上下シャフト
３５とは非接触状態にする。前記内ベローズ３６の下端
フランジは溶接により気密に前記基板上下シャフト３５
に溶接し、前記内ベローズ３６の上端フランジはＯリン
グを介在させ気密に固着する。
部３４となっており、又該内槽開閉シャフト３１の下端
は嵌合部３１ａとなっており、該嵌合部３１ａに摺動自
在に嵌合し、前記内槽開閉シャフト３１と同心の基板上
下シャフト３５が前記ベースフランジ３０に貫通する。
前記中空部３４は前記基板上下シャフト３５の外径より
充分大きく、該中空部３４に内ベローズ３６を非接触状
態で嵌設し、該基板上下シャフト３５の中途部と前記内
槽開閉シャフト３１の２股底部との間に前記内ベローズ
３６を設け、該内ベローズ３６と前記基板上下シャフト
３５とは非接触状態にする。前記内ベローズ３６の下端
フランジは溶接により気密に前記基板上下シャフト３５
に溶接し、前記内ベローズ３６の上端フランジはＯリン
グを介在させ気密に固着する。
【００２０】前記内槽開閉シャフト３１の下端には連結
バー３７を固着し、該連結バー３７と１の内槽開閉シリ
ンダ２０のロッドとを連結し、前記内槽開閉シャフト３
１の下端に支柱３８を介して基板上下シリンダ２４を取
付け、該基板上下シリンダ２４のロッドと前記基板上下
シャフト３５と連結する。前記基板上下シャフト３５の
上端には前記上端部３２の２股に在り、干渉しない様に
ピン支持板２２を固着する。該ピン支持板２２に基板支
持ピン２３を昇降基板１３、熱反射板１４、台座４２、
下部電極１６を貫通して立設する。又、前記上端部３２
の上端には昇降基板１３を固着し、該昇降基板１３を介
して内槽容器本体４０を前記内槽開閉シャフト３１に固
着する。
バー３７を固着し、該連結バー３７と１の内槽開閉シリ
ンダ２０のロッドとを連結し、前記内槽開閉シャフト３
１の下端に支柱３８を介して基板上下シリンダ２４を取
付け、該基板上下シリンダ２４のロッドと前記基板上下
シャフト３５と連結する。前記基板上下シャフト３５の
上端には前記上端部３２の２股に在り、干渉しない様に
ピン支持板２２を固着する。該ピン支持板２２に基板支
持ピン２３を昇降基板１３、熱反射板１４、台座４２、
下部電極１６を貫通して立設する。又、前記上端部３２
の上端には昇降基板１３を固着し、該昇降基板１３を介
して内槽容器本体４０を前記内槽開閉シャフト３１に固
着する。
【００２１】蓋体４に設けた絶縁体５の下側に内槽上枠
４１を設け、該内槽上枠４１と前記内槽容器本体４０が
当接し内槽２が画成される様にする。前記内槽容器本体
４０の底部に台座４２を設け、該台座４２に前記上部電
極６に対向する下部電極１６を設ける。基板の処理は前
記内槽開閉シリンダ２０の駆動により前記連結バー３
７、前記内槽開閉シャフト３１、前記昇降基板１３を介
して前記内槽容器本体４０が降下され、前記内槽２が開
放される。外槽容器本体３の側壁に穿設された基板搬送
口（図示せず）から基板搬送アーム（図示せず）により
基板２７が搬入される。
４１を設け、該内槽上枠４１と前記内槽容器本体４０が
当接し内槽２が画成される様にする。前記内槽容器本体
４０の底部に台座４２を設け、該台座４２に前記上部電
極６に対向する下部電極１６を設ける。基板の処理は前
記内槽開閉シリンダ２０の駆動により前記連結バー３
７、前記内槽開閉シャフト３１、前記昇降基板１３を介
して前記内槽容器本体４０が降下され、前記内槽２が開
放される。外槽容器本体３の側壁に穿設された基板搬送
口（図示せず）から基板搬送アーム（図示せず）により
基板２７が搬入される。
【００２２】前記基板上下シリンダ２４の駆動により前
記基板上下シャフト３５、前記ピン支持板２２を介して
前記基板支持ピン２３が上昇し、前記基板２７を前記基
板搬送アーム（図示せず）より持上げる。該基板搬送ア
ームが後退し、前記基板上下シリンダ２４が短縮して前
記基板２７を前記下部電極１６に載置する。前記内槽開
閉シリンダ２０が短縮して前記連結バー３７を上昇さ
せ、前記内槽２を閉じる。
記基板上下シャフト３５、前記ピン支持板２２を介して
前記基板支持ピン２３が上昇し、前記基板２７を前記基
板搬送アーム（図示せず）より持上げる。該基板搬送ア
ームが後退し、前記基板上下シリンダ２４が短縮して前
記基板２７を前記下部電極１６に載置する。前記内槽開
閉シリンダ２０が短縮して前記連結バー３７を上昇さ
せ、前記内槽２を閉じる。
【００２３】前記上部電極６に穿設された反応ガス分散
孔（図示せず）より反応ガスを導入し、該上部電極６、
前記下部電極１６間に高周波電力を印加してプラズマを
生成し、基板表面に薄膜の生成、或はエッチング等所要
の表面処理を行う。基板処理が完了すると前述した基板
搬入作動の逆の手順で前記基板２７を外槽１外に搬出す
る。
孔（図示せず）より反応ガスを導入し、該上部電極６、
前記下部電極１６間に高周波電力を印加してプラズマを
生成し、基板表面に薄膜の生成、或はエッチング等所要
の表面処理を行う。基板処理が完了すると前述した基板
搬入作動の逆の手順で前記基板２７を外槽１外に搬出す
る。
【００２４】前記実施の形態に於いて、内槽開閉シャフ
ト３１、基板上下シャフト３５は同軸構造であるので加
工公差累積による外槽１に対するピン支持板２２の中心
位置のずれは生じない。更に摺動部にＯリングは使用さ
れてなく、又貫通部の真空シールはベローズにより行わ
れているので、摺動に伴うＯリングの劣化はない。
ト３１、基板上下シャフト３５は同軸構造であるので加
工公差累積による外槽１に対するピン支持板２２の中心
位置のずれは生じない。更に摺動部にＯリングは使用さ
れてなく、又貫通部の真空シールはベローズにより行わ
れているので、摺動に伴うＯリングの劣化はない。
【００２５】従って、Ｏリングの寿命により上下動作１
万回強でＯリングの交換等保守作業が必要とされていた
のが、ベローズの寿命の１００万回の上下動作迄必要な
くなった。
万回強でＯリングの交換等保守作業が必要とされていた
のが、ベローズの寿命の１００万回の上下動作迄必要な
くなった。
【００２６】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、真空槽
と内部可動部の駆動系の軸芯のずれが抑制されるので搬
送の信頼性が確保され、又真空シール部のＯリングの寿
命により必要とされた保守作業がなくなり、保守作業の
期間が大幅に延長し、装置の稼働率が著しく向上すると
いう優れた効果を発揮する。
と内部可動部の駆動系の軸芯のずれが抑制されるので搬
送の信頼性が確保され、又真空シール部のＯリングの寿
命により必要とされた保守作業がなくなり、保守作業の
期間が大幅に延長し、装置の稼働率が著しく向上すると
いう優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す断面図であり、右半
図は内槽を解放した図、左半図は内槽を閉じた状態を示
す。
図は内槽を解放した図、左半図は内槽を閉じた状態を示
す。
【図２】従来例を示す断面図であり、右半図は内槽を解
放した図、左半図は内槽を閉じた状態を示す。
放した図、左半図は内槽を閉じた状態を示す。
１ 外槽 ２ 内槽 ３ 外槽容器本体 ６ 上部電極 １３ 昇降基板 １６ 下部電極 ２０ 内槽開閉シリンダ ２２ ピン支持板 ２４ 基板上下シリンダ ３０ ベースフランジ ３１ 内槽開閉シャフト ３３ 外ベローズ ３５ 基板上下シャフト ３６ 内ベローズ ４０ 内槽容器本体
Claims (3)
- 【請求項１】 内部に内槽を具備した２重槽構造の半導
体製造用基板処理装置に於いて、外槽容器本体底部を気
密に貫通する内槽開閉シャフトの上端側に内槽容器本体
を連結すると共に下端側に内槽開閉シリンダを連結し、
前記内槽開閉シャフトを同心に気密に貫通する基板上下
シャフトを設け、該基板上下シャフトの上端側に基板支
持ピンが立設されたピン支持板を連結すると共に基板上
下シャフトの下端側に基板上下シリンダを連結したこと
を特徴とする半導体製造用基板処理装置。 - 【請求項２】 外槽容器本体の底部側にベースフランジ
を設け、該ベースフランジに摺動自在に内槽開閉シャフ
トを貫通させ、前記ベースフランジに外ベローズを嵌設
し、該外ベローズによりベースフランジと内槽開閉シャ
フト間を気密にシールし、前記内槽開閉シャフトに内ベ
ローズを嵌設し、該内ベローズにより中空部と基板上下
シャフト間を気密にシールした請求項１の半導体製造用
基板処理装置。 - 【請求項３】 内槽開閉シャフトの下端に基板上下シリ
ンダを設けた請求項１の半導体製造用基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30210295A JPH09129713A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 半導体製造用基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30210295A JPH09129713A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 半導体製造用基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129713A true JPH09129713A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17904961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30210295A Pending JPH09129713A (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 半導体製造用基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129713A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6139682A (en) * | 1998-04-09 | 2000-10-31 | Nec Corporation | Processing apparatus for manufacturing semiconductors |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP30210295A patent/JPH09129713A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6139682A (en) * | 1998-04-09 | 2000-10-31 | Nec Corporation | Processing apparatus for manufacturing semiconductors |
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