JPH09129924A - ３族窒化物半導体のエッチング方法及び発光素子の製造方法 - Google Patents
３族窒化物半導体のエッチング方法及び発光素子の製造方法Info
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- JPH09129924A JPH09129924A JP30344195A JP30344195A JPH09129924A JP H09129924 A JPH09129924 A JP H09129924A JP 30344195 A JP30344195 A JP 30344195A JP 30344195 A JP30344195 A JP 30344195A JP H09129924 A JPH09129924 A JP H09129924A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】３族窒化物半導体のエッチングにおいて、各層
に損傷を与えないようにすること。 【解決手段】エッチングすべき３族窒化物半導体（４、
５、６１、６２）の表面（６２）を耐エッチング性を有
する保護膜９で被覆し、エッチングすべき部分Ａの保護
膜を除去して開口部Ａを形成し、開口部の形成された保
護膜を有する３族窒化物半導体を、１０００℃の塩素ガ
ス雰囲気中に暴露することで、開口部Ａの３族窒化物半
導体（４、５、６１、６２）をエッチングし、保護膜
（９）を除去する。
に損傷を与えないようにすること。 【解決手段】エッチングすべき３族窒化物半導体（４、
５、６１、６２）の表面（６２）を耐エッチング性を有
する保護膜９で被覆し、エッチングすべき部分Ａの保護
膜を除去して開口部Ａを形成し、開口部の形成された保
護膜を有する３族窒化物半導体を、１０００℃の塩素ガ
ス雰囲気中に暴露することで、開口部Ａの３族窒化物半
導体（４、５、６１、６２）をエッチングし、保護膜
（９）を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチングによる
損傷を防止した３族窒化物半導体のエッチング方法及び
そのエッチング方法を用いた３族窒化物半導体発光素子
の製造方法に関する。
損傷を防止した３族窒化物半導体のエッチング方法及び
そのエッチング方法を用いた３族窒化物半導体発光素子
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、３族窒化物半導体のエッチングに
は、ドライエッチングが用いられている。この方法は、
チャンバー内に反応性ガスを導入して、ＲＦやＥＣＲ等
の方法により放電を起こしてプラズマ状態を生成し、こ
のプラズマと試料との間に生じる電位差によりプラズマ
中のイオンが加速されて試料表面に衝突することで、試
料表面をエッチングするというものである。
は、ドライエッチングが用いられている。この方法は、
チャンバー内に反応性ガスを導入して、ＲＦやＥＣＲ等
の方法により放電を起こしてプラズマ状態を生成し、こ
のプラズマと試料との間に生じる電位差によりプラズマ
中のイオンが加速されて試料表面に衝突することで、試
料表面をエッチングするというものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
イオンが試料表面に加速衝突するために、試料が損傷を
受け、素子として機能する層の結晶性が低下し、素子性
能が低下するという問題がある。
イオンが試料表面に加速衝突するために、試料が損傷を
受け、素子として機能する層の結晶性が低下し、素子性
能が低下するという問題がある。
【０００４】本発明は上記の課題を解決するために成さ
れたものであり、その目的は、３族窒化物半導体のエッ
チングにおいて、各層に損傷を与えないようにすること
である。
れたものであり、その目的は、３族窒化物半導体のエッ
チングにおいて、各層に損傷を与えないようにすること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、３族窒
化物半導体を水素、塩化水素、塩素、又は、それらの混
合ガスの高温雰囲気中に暴露することで、３族窒化物半
導体をエッチングすることである。この方法によれば、
プラズマイオンの３族窒化物半導体への衝突がないため
に、３族窒化物半導体の素子部の層の結晶性を低下する
ことがないため、素子性能を向上させることができる。
化物半導体を水素、塩化水素、塩素、又は、それらの混
合ガスの高温雰囲気中に暴露することで、３族窒化物半
導体をエッチングすることである。この方法によれば、
プラズマイオンの３族窒化物半導体への衝突がないため
に、３族窒化物半導体の素子部の層の結晶性を低下する
ことがないため、素子性能を向上させることができる。
【０００６】又、請求項２のようにガス雰囲気の温度を
800 〜1200℃とすることでエッチングレイトを10〜1000
Å／分とすることが出来た。３族窒化物半導体として
は、例えば、AlxGayIn1-X-yN:0≦x ≦1, 0≦y ≦1,0 ≦
x+y ≦1 が適用可能であり、青色発光ダイオード、レー
ザダイオードの製造に応用できる。又、保護膜は、SiO2
又はSi3N4 とすることで、水素、塩化水素、塩素、又
は、それらの混合ガスに対する耐エッチ性を持たせるこ
とができ、３族窒化物半導体に損傷を与えることなくＢ
ＨＦによりその保護膜だけを除去することができる。
800 〜1200℃とすることでエッチングレイトを10〜1000
Å／分とすることが出来た。３族窒化物半導体として
は、例えば、AlxGayIn1-X-yN:0≦x ≦1, 0≦y ≦1,0 ≦
x+y ≦1 が適用可能であり、青色発光ダイオード、レー
ザダイオードの製造に応用できる。又、保護膜は、SiO2
又はSi3N4 とすることで、水素、塩化水素、塩素、又
は、それらの混合ガスに対する耐エッチ性を持たせるこ
とができ、３族窒化物半導体に損傷を与えることなくＢ
ＨＦによりその保護膜だけを除去することができる。
【０００７】さらに、他の発明の特徴は、基板と３族窒
化物半導体から成るｎ伝導型のｎ層とｐ伝導型のｐ層と
を有する発光素子の製造方法に関し、３族窒化物半導体
をエッチングする際に、水素、塩化水素、塩素、又は、
それらの混合ガスの高温雰囲気中に暴露することで、３
族窒化物半導体をエッチングすることを特徴とする。上
記のエッチング工程を用いることで、発光素子として機
能するｐ層、ｎ層に対して損傷を与えることが防止さ
れ、発光輝度を向上させ寿命を長期化することができ
る。
化物半導体から成るｎ伝導型のｎ層とｐ伝導型のｐ層と
を有する発光素子の製造方法に関し、３族窒化物半導体
をエッチングする際に、水素、塩化水素、塩素、又は、
それらの混合ガスの高温雰囲気中に暴露することで、３
族窒化物半導体をエッチングすることを特徴とする。上
記のエッチング工程を用いることで、発光素子として機
能するｐ層、ｎ層に対して損傷を与えることが防止さ
れ、発光輝度を向上させ寿命を長期化することができ
る。
【０００８】このエッチングにより、ｐ層とｎ層に対す
る電極をオーミック性良く形成することができる。さら
に、エッチングに際して塩素ガスを用いた場合には、ｐ
層のｐ型活性化処理を兼ねるようにすることができ、そ
の場合には、発光素子の製造工程が簡略化される。
る電極をオーミック性良く形成することができる。さら
に、エッチングに際して塩素ガスを用いた場合には、ｐ
層のｐ型活性化処理を兼ねるようにすることができ、そ
の場合には、発光素子の製造工程が簡略化される。
【０００９】
【発明の実施の形態】第１実施例 図１において、発光ダイオード１０は、サファイア基板
１を有しており、そのサファイア基板１上に500 ÅのAl
N のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２
の上には、順に、膜厚約2.0 μｍ、電子濃度2 ×1018/c
m3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層
３、膜厚3000Å、電子濃度 1×1017/cm3のシリコンドー
プのGaN から成るｎ層４、膜厚約0.05μｍのIn0.08Ga
0.92N から成る発光層５、膜厚約1.0 μｍ、ホール濃度
5 ×1017/cm3、濃度1 ×1020/cm3にマグネシウムがドー
プされたAl0.08Ga0.92N から成るｐ層６１、膜厚約0.2
μｍ、ホール濃度 7×1017/cm3、マグネシウム濃度 2×
1020/cm3のマグネシウムドープのGaN から成るコンタク
ト層６２が形成されている。そして、コンタクト層６２
上にはその層６２に接合するNiから成る電極７が形成さ
れている。さらに、高キャリア濃度ｎ+ 層３の表面の一
部は露出しており、その露出部上にその層３に接合する
Niから成る電極８が形成されている。
１を有しており、そのサファイア基板１上に500 ÅのAl
N のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２
の上には、順に、膜厚約2.0 μｍ、電子濃度2 ×1018/c
m3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層
３、膜厚3000Å、電子濃度 1×1017/cm3のシリコンドー
プのGaN から成るｎ層４、膜厚約0.05μｍのIn0.08Ga
0.92N から成る発光層５、膜厚約1.0 μｍ、ホール濃度
5 ×1017/cm3、濃度1 ×1020/cm3にマグネシウムがドー
プされたAl0.08Ga0.92N から成るｐ層６１、膜厚約0.2
μｍ、ホール濃度 7×1017/cm3、マグネシウム濃度 2×
1020/cm3のマグネシウムドープのGaN から成るコンタク
ト層６２が形成されている。そして、コンタクト層６２
上にはその層６２に接合するNiから成る電極７が形成さ
れている。さらに、高キャリア濃度ｎ+ 層３の表面の一
部は露出しており、その露出部上にその層３に接合する
Niから成る電極８が形成されている。
【００１０】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3 とキャリアガスH2又はＮ2 とトリメチルガリウム(Ga
(CH3)3)（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニ
ウム(Al(CH3)3)（以下「TMA 」と記す) とトリメチルイ
ンジウム(In(CH3)3)（以下「TMI 」と記す) と、シラン
(SiH4)とシクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C
5H5)2)(以下「CP2Mg 」と記す）である。
造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3 とキャリアガスH2又はＮ2 とトリメチルガリウム(Ga
(CH3)3)（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニ
ウム(Al(CH3)3)（以下「TMA 」と記す) とトリメチルイ
ンジウム(In(CH3)3)（以下「TMI 」と記す) と、シラン
(SiH4)とシクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C
5H5)2)(以下「CP2Mg 」と記す）である。
【００１１】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
ａ面を主面とする厚さ100 〜400 μｍの単結晶のサファ
イア基板１をM0VPE 装置の反応室に載置されたサセプタ
に装着する。次に、常圧でH2を流速2 liter/分で反応室
に流しながら温度1100℃でサファイア基板１を気相エッ
チングした。
ａ面を主面とする厚さ100 〜400 μｍの単結晶のサファ
イア基板１をM0VPE 装置の反応室に載置されたサセプタ
に装着する。次に、常圧でH2を流速2 liter/分で反応室
に流しながら温度1100℃でサファイア基板１を気相エッ
チングした。
【００１２】次に、温度を 400℃まで低下させて、H2を
20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMA を 1.8×10-5
モル／分で供給してAlN のバッファ層２が約 500Åの厚
さに形成された。次に、サファイア基板１の温度を1150
℃に保持し、H2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、
TMG を 1.7×10-4ル／分、H2ガスにより0.86ppm に希釈
されたシランを20×10-8mol/分で30分供給して、膜厚約
2.2 μｍ、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープのGa
N から成る高キャリア濃度ｎ+ 層３を形成した。
20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMA を 1.8×10-5
モル／分で供給してAlN のバッファ層２が約 500Åの厚
さに形成された。次に、サファイア基板１の温度を1150
℃に保持し、H2を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、
TMG を 1.7×10-4ル／分、H2ガスにより0.86ppm に希釈
されたシランを20×10-8mol/分で30分供給して、膜厚約
2.2 μｍ、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープのGa
N から成る高キャリア濃度ｎ+ 層３を形成した。
【００１３】次に、サファイア基板１の温度を1150℃に
保持し、N2又はH2を10 liter／分、NH3 を 10liter／
分、TMG を1.12×10-4モル／分、及び、H2ガスにより0.
86ppmに希釈されたシランを 1×10-8mol/分で、 4分供
給して、膜厚約3000Å、濃度1×1017/cm3のシリコンド
ープのGaN から成るｎ層４を形成した。
保持し、N2又はH2を10 liter／分、NH3 を 10liter／
分、TMG を1.12×10-4モル／分、及び、H2ガスにより0.
86ppmに希釈されたシランを 1×10-8mol/分で、 4分供
給して、膜厚約3000Å、濃度1×1017/cm3のシリコンド
ープのGaN から成るｎ層４を形成した。
【００１４】続いて、温度を850 ℃に保持し、N2又はH2
を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を1.53×10
-4モル／分、及び、TMI を0.02×10-4モル／分で、6 分
間供給して0.05μｍのIn0.08Ga0.92N から成る発光層５
を形成した。
を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を1.53×10
-4モル／分、及び、TMI を0.02×10-4モル／分で、6 分
間供給して0.05μｍのIn0.08Ga0.92N から成る発光層５
を形成した。
【００１５】続いて、温度を1100℃に保持し、N2又はH2
を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を1.12×10
-4モル／分、TMA を0.47×10-4モル／分、及び、CP2Mg
を2×10-4モル／分で60分間導入し、膜厚約1.0 μｍの
マグネシウム(Mg)ドープのAl0.08Ga0.92N から成るｐ層
６１を形成した。ｐ層６１のマグネシウムの濃度は1×1
020/cm3である。この状態では、ｐ層６１は、まだ、抵
抗率108 Ωcm以上の絶縁体である。
を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を1.12×10
-4モル／分、TMA を0.47×10-4モル／分、及び、CP2Mg
を2×10-4モル／分で60分間導入し、膜厚約1.0 μｍの
マグネシウム(Mg)ドープのAl0.08Ga0.92N から成るｐ層
６１を形成した。ｐ層６１のマグネシウムの濃度は1×1
020/cm3である。この状態では、ｐ層６１は、まだ、抵
抗率108 Ωcm以上の絶縁体である。
【００１６】続いて、温度を1100℃に保持し、N2又はH2
を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を1.12×10
-4モル／分、及び、CP2Mg を 4×10-4モル／分の割合で
4分間導入し、膜厚約0.2 μｍのマグネシウム(Mg)ドー
プのGaN から成るコンタクト層６２を形成した。コンタ
クト層６２のマグネシウムの濃度は 2×1020/cm3であ
る。この状態では、コンタクト層６２は、まだ、抵抗率
108 Ωcm以上の絶縁体である。
を20 liter／分、NH3 を10 liter／分、TMG を1.12×10
-4モル／分、及び、CP2Mg を 4×10-4モル／分の割合で
4分間導入し、膜厚約0.2 μｍのマグネシウム(Mg)ドー
プのGaN から成るコンタクト層６２を形成した。コンタ
クト層６２のマグネシウムの濃度は 2×1020/cm3であ
る。この状態では、コンタクト層６２は、まだ、抵抗率
108 Ωcm以上の絶縁体である。
【００１７】次に、図３に示すように、コンタクト層６
２の上に、スパッタリングによりSiO2層９を2000Åの厚
さに形成し、そのSiO2層９上にフォトレジスト１０を塗
布した。そして、フォトリソグラフにより、図３に示す
ように、コンタクト層６２上において、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に対する電極形成部位Ａ' のフォトレジスト１
０を除去した。次に、図４に示すように、フォトレジス
ト１０によって覆われていないSiO2層９をＢＨＦ等のフ
ッ化水素酸系エッチング液で除去した。続いて、フォト
レジスト１０を除去した。
２の上に、スパッタリングによりSiO2層９を2000Åの厚
さに形成し、そのSiO2層９上にフォトレジスト１０を塗
布した。そして、フォトリソグラフにより、図３に示す
ように、コンタクト層６２上において、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に対する電極形成部位Ａ' のフォトレジスト１
０を除去した。次に、図４に示すように、フォトレジス
ト１０によって覆われていないSiO2層９をＢＨＦ等のフ
ッ化水素酸系エッチング液で除去した。続いて、フォト
レジスト１０を除去した。
【００１８】次に、上記試料をアニール炉に配置し、塩
素ガスを流して、1000℃で60分間加熱した。この処理に
より、コンタクト層６２、ｐ層６１、発光層５、ｎ層４
がエッチングされ、図５に示すように、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に対する電極取出しのための孔Ａが形成され
た。
素ガスを流して、1000℃で60分間加熱した。この処理に
より、コンタクト層６２、ｐ層６１、発光層５、ｎ層４
がエッチングされ、図５に示すように、高キャリア濃度
ｎ+ 層３に対する電極取出しのための孔Ａが形成され
た。
【００１９】この処理により、コンタクト層６２、ｐ層
６１は、それぞれ、ホール濃度 7×1017/cm3， 5×1017
/cm3、抵抗率 2Ωcm，0.8 Ωcm のｐ伝導型半導体とな
った。
６１は、それぞれ、ホール濃度 7×1017/cm3， 5×1017
/cm3、抵抗率 2Ωcm，0.8 Ωcm のｐ伝導型半導体とな
った。
【００２０】次に、試料の上全面に、一様にNiを蒸着
し、フォトレジストの塗布、フォトリソグラフィ工程、
エッチング工程を経て、図１に示すように、高キャリア
濃度ｎ+ 層３及びコンタクト層６２に対する電極８，７
を形成した。その後、上記の如く処理されたウエハを各
チップに切断して、発光ダイオードチップを得た。
し、フォトレジストの塗布、フォトリソグラフィ工程、
エッチング工程を経て、図１に示すように、高キャリア
濃度ｎ+ 層３及びコンタクト層６２に対する電極８，７
を形成した。その後、上記の如く処理されたウエハを各
チップに切断して、発光ダイオードチップを得た。
【００２１】このようにして得られた発光素子の発光ス
ペトルを測定したところ、駆動電流20mAで、発光ピーク
波長450nm 、発光強度1000mcd であった。
ペトルを測定したところ、駆動電流20mAで、発光ピーク
波長450nm 、発光強度1000mcd であった。
【００２２】上記の実施例では、エッチングにおいて、
1000℃の塩素ガス雰囲気が用いられたが、塩素ガスの
他、水素ガス、塩化水素ガスを用いることができる。さ
らに、塩素ガス、水素ガス、塩化水素ガスのうち、２種
類又は３種類の混合ガスを用いても良い。ガス雰囲気の
温度範囲は、800 〜1200℃において高いエッチングレー
ト10〜1000Å／分が得られた。保護膜にはSiO2を用いた
がSi3N4 を用いても良い。
1000℃の塩素ガス雰囲気が用いられたが、塩素ガスの
他、水素ガス、塩化水素ガスを用いることができる。さ
らに、塩素ガス、水素ガス、塩化水素ガスのうち、２種
類又は３種類の混合ガスを用いても良い。ガス雰囲気の
温度範囲は、800 〜1200℃において高いエッチングレー
ト10〜1000Å／分が得られた。保護膜にはSiO2を用いた
がSi3N4 を用いても良い。
【００２３】発光層５のバンドギャップが両側に存在す
るｐ層６１とｎ層４のバンドギャップよりも小さくなる
ようなダブルヘテロ接合に形成されている。又、発光層
５とｐ層６１の成分比は、GaN の高キャリア濃度ｎ+ 層
の格子定数に一致するように選択されている。又、上記
実施例ではダブルヘテロ接合構造を用いたが、シングル
ヘテロ接合構造であっても良い。さらに、上記実施例
は、発光ダイオードの例を示したが、レーザダイオード
であっても同様に構成可能である。
るｐ層６１とｎ層４のバンドギャップよりも小さくなる
ようなダブルヘテロ接合に形成されている。又、発光層
５とｐ層６１の成分比は、GaN の高キャリア濃度ｎ+ 層
の格子定数に一致するように選択されている。又、上記
実施例ではダブルヘテロ接合構造を用いたが、シングル
ヘテロ接合構造であっても良い。さらに、上記実施例
は、発光ダイオードの例を示したが、レーザダイオード
であっても同様に構成可能である。
【図１】本発明の具体的な第１実施例に係る発光ダイオ
ードの構成を示した構成図。
ードの構成を示した構成図。
【図２】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図３】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図４】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図５】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
１０…発光ダイオード １…サファイア基板 ２…バッファ層 ３…高キャリア濃度ｎ+ 層 ４…ｎ層 ５…発光層 ６１…ｐ層 ６２…コンタトク層 ７，８…電極
フロントページの続き (72)発明者 山崎 史郎 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 永井 誠二 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 赤崎 勇 愛知県名古屋市西区浄心１丁目１番38− 805 (72)発明者 天野 浩 愛知県名古屋市名東区山の手２丁目104 宝マンション山の手508号
Claims (8)
- 【請求項１】３族窒化物半導体のエッチング方法におい
て、 エッチングすべき３族窒化物半導体の表面を耐エッチン
グ性を有する保護膜で被覆し、 前記３族窒化物半導体のエッチングすべき部分の前記保
護膜を除去して開口部を形成し、 前記開口部の形成された保護膜を有する前記３族窒化物
半導体を、水素、塩化水素、塩素、又は、それらの混合
ガスの高温雰囲気中に暴露することで、前記開口部の前
記３族窒化物半導体をエッチングし、 前記保護膜を除去することを特徴とする３族窒化物半導
体のエッチング方法。 - 【請求項２】前記高温雰囲気は８００〜１２００℃であ
ることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体
のエッチング方法。 - 【請求項３】前記３族窒化物半導体はAlxGayIn1-X-yN:0
≦x ≦1, 0≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1 であることを特徴とす
る請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項４】前記保護膜は、SiO2又はSi3N4 から成るこ
とを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項５】基板と３族窒化物半導体から成るｎ伝導型
のｎ層とｐ伝導型のｐ層とを有する発光素子の製造方法
において、 前記基板上に、前記ｎ層、前記ｐ層を積層させ、 前記ｎ層と前記ｐ層のうち表面に存在する第１層の表面
を耐エッチング性を有する保護膜で被覆し、 前記３族窒化物半導体のエッチングすべき部分の前記保
護膜を除去して開口部を形成し、 前記開口部の形成された保護膜を有する前記３族窒化物
半導体を、水素、塩化水素、塩素、又は、それらの混合
ガスの高温雰囲気中に暴露することで、前記開口部の前
記３族窒化物半導体をエッチングすることで、前記ｎ層
と前記ｐ層のうち前記基板に近い方の第２層の一部を露
出し、 前記保護膜を除去し、 前記第１層の表面及び前記第２層の表面に電極を形成す
ることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 【請求項６】前記高温雰囲気は８００〜１２００℃であ
ることを特徴とする請求項５に記載の３族窒化物半導体
のエッチング方法。 - 【請求項７】前記３族窒化物半導体はAlxGayIn1-X-yN:0
≦x ≦1, 0≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1 であることを特徴とす
る請求項５に記載の発光素子の製造方法。 - 【請求項８】前記３族窒化物半導体は塩素ガスの高温雰
囲気中へ暴露されることで、前記ｐ層のｐ伝導型活性化
がエッチングと同時に行われることを特徴とする請求項
５に記載の発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30344195A JP3561057B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30344195A JP3561057B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129924A true JPH09129924A (ja) | 1997-05-16 |
| JP3561057B2 JP3561057B2 (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=17921041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30344195A Expired - Fee Related JP3561057B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 発光素子の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3561057B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60175468A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム半導体装置の製造方法 |
| JPS6156474A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム半導体装置の製造方法 |
| JPH05183189A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-07-23 | Nichia Chem Ind Ltd | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 |
| JPH05343742A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 |
| JPH06268259A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH06314821A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型化方法 |
-
1995
- 1995-10-27 JP JP30344195A patent/JP3561057B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60175468A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム半導体装置の製造方法 |
| JPS6156474A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム半導体装置の製造方法 |
| JPH05183189A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-07-23 | Nichia Chem Ind Ltd | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 |
| JPH05343742A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 |
| JPH06268259A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH06314821A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3561057B2 (ja) | 2004-09-02 |
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