JPH05183189A - ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 - Google Patents
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。Info
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- JPH05183189A JPH05183189A JP35704691A JP35704691A JPH05183189A JP H05183189 A JPH05183189 A JP H05183189A JP 35704691 A JP35704691 A JP 35704691A JP 35704691 A JP35704691 A JP 35704691A JP H05183189 A JPH05183189 A JP H05183189A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合
物半導体を低抵抗なｐ型とし、さらに膜厚によらず抵抗
値がウエハー全体に均一であり、発光素子をダブルへテ
ロ、シングルへテロ構造可能な構造とできるｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体の製造方法を提供する。 【構成】 気相成長法により、ｐ型不純物をドープした
窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した後、４００℃
以上の温度でアニーリングを行う。但し、アニーリング
は加圧下、または窒化ガリウム系化合物半導体の上に、
新たにキャップ層を設けて行うことがさらに好ましい。
物半導体を低抵抗なｐ型とし、さらに膜厚によらず抵抗
値がウエハー全体に均一であり、発光素子をダブルへテ
ロ、シングルへテロ構造可能な構造とできるｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体の製造方法を提供する。 【構成】 気相成長法により、ｐ型不純物をドープした
窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した後、４００℃
以上の温度でアニーリングを行う。但し、アニーリング
は加圧下、または窒化ガリウム系化合物半導体の上に、
新たにキャップ層を設けて行うことがさらに好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は紫外、青色発光レーザー
ダイオード、紫外、青色発光ダイオード等の発光デバイ
スに利用されるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法に係り、詳しくは、気相成長法によりｐ型不純物を
ドープして形成した窒化ガリウム系化合物半導体層を低
抵抗なｐ型にする方法に関する。
ダイオード、紫外、青色発光ダイオード等の発光デバイ
スに利用されるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法に係り、詳しくは、気相成長法によりｐ型不純物を
ドープして形成した窒化ガリウム系化合物半導体層を低
抵抗なｐ型にする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】青色発光素子は、II-VI族のＺｎＳｅ、I
V-IV族のＳｉＣ、III-V族のＧａＮ等を用いて研究が進
められ、最近、その中でも窒化ガリウム系化合物半導体
［ＧａXＡｌ1-XＮ（但し０≦X≦１）］が、常温で、比
較的優れた発光を示すことが発表され注目されている。
その窒化ガリウム系化合物半導体を有する青色発光素子
は、基本的に、サファイアよりなる基板の上に一般式が
ＧａXＡｌ1-XＮ（但し０≦X≦１）で表される窒化ガリ
ウム系化合物半導体のエピタキシャル層が順にｎ型およ
びｉ型、あるいはｐ型に積層された構造を有するもので
ある。
V-IV族のＳｉＣ、III-V族のＧａＮ等を用いて研究が進
められ、最近、その中でも窒化ガリウム系化合物半導体
［ＧａXＡｌ1-XＮ（但し０≦X≦１）］が、常温で、比
較的優れた発光を示すことが発表され注目されている。
その窒化ガリウム系化合物半導体を有する青色発光素子
は、基本的に、サファイアよりなる基板の上に一般式が
ＧａXＡｌ1-XＮ（但し０≦X≦１）で表される窒化ガリ
ウム系化合物半導体のエピタキシャル層が順にｎ型およ
びｉ型、あるいはｐ型に積層された構造を有するもので
ある。
【０００３】窒化ガリウム系化合物半導体を積層する方
法として、有機金属化合物気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ
法という。）、分子線エピタキシー法（以下ＭＢＥ法と
いう。）等の気相成長法がよく知られている。例えば、
ＭＯＣＶＤ法を用いた方法について簡単に説明すると、
この方法は、サファイア基板を設置した反応容器内に反
応ガスとして有機金属化合物ガス｛トリメチルガリウム
（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アン
モニア等｝を供給し、結晶成長温度をおよそ９００℃〜
１１００℃の高温に保持して、基板上に窒化ガリウム系
化合物半導体を成長させ、また必要に応じて他の不純物
ガスを供給しながら窒化ガリウム系化合物半導体をｎ
型、ｉ型、あるいはｐ型に積層する方法である。基板に
はサファイアの他にＳｉＣ、Ｓｉ等もあるが一般的には
サファイアが用いられている。ｎ型不純物としてはＳｉ
（但し、窒化ガリウム系化合物半導体の場合、ｎ型不純
物をドープしなくともｎ型になる性質がある。）が良く
知られており、ｐ型不純物としてはＺｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等が挙げられるが、その中でもＭｇ、
Ｚｎが最もよく知られている。
法として、有機金属化合物気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ
法という。）、分子線エピタキシー法（以下ＭＢＥ法と
いう。）等の気相成長法がよく知られている。例えば、
ＭＯＣＶＤ法を用いた方法について簡単に説明すると、
この方法は、サファイア基板を設置した反応容器内に反
応ガスとして有機金属化合物ガス｛トリメチルガリウム
（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アン
モニア等｝を供給し、結晶成長温度をおよそ９００℃〜
１１００℃の高温に保持して、基板上に窒化ガリウム系
化合物半導体を成長させ、また必要に応じて他の不純物
ガスを供給しながら窒化ガリウム系化合物半導体をｎ
型、ｉ型、あるいはｐ型に積層する方法である。基板に
はサファイアの他にＳｉＣ、Ｓｉ等もあるが一般的には
サファイアが用いられている。ｎ型不純物としてはＳｉ
（但し、窒化ガリウム系化合物半導体の場合、ｎ型不純
物をドープしなくともｎ型になる性質がある。）が良く
知られており、ｐ型不純物としてはＺｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等が挙げられるが、その中でもＭｇ、
Ｚｎが最もよく知られている。
【０００４】また、ＭＯＣＶＤ法による窒化ガリウム系
化合物半導体の形成方法の一つとして、高温でサファイ
ア基板上に直接窒化ガリウム系化合物半導体を成長させ
ると、その表面状態、結晶性が著しく悪くなるため、高
温で成長を行う前に、まず６００℃前後の低温でＡｌＮ
よりなるバッファ層を形成し、続いてバッファ層の上
に、高温で成長を行うことにより、結晶性が格段に向上
することが明らかにされている（特開平２−２２９４７
６号公報）。また、本発明者は特願平３−８９８４０号
において、ＡｌＮをバッファ層とする従来の方法より
も、ＧａＮをバッファ層とする方が優れた結晶性の窒化
ガリウム系化合物半導体が積層できることを示した。
化合物半導体の形成方法の一つとして、高温でサファイ
ア基板上に直接窒化ガリウム系化合物半導体を成長させ
ると、その表面状態、結晶性が著しく悪くなるため、高
温で成長を行う前に、まず６００℃前後の低温でＡｌＮ
よりなるバッファ層を形成し、続いてバッファ層の上
に、高温で成長を行うことにより、結晶性が格段に向上
することが明らかにされている（特開平２−２２９４７
６号公報）。また、本発明者は特願平３−８９８４０号
において、ＡｌＮをバッファ層とする従来の方法より
も、ＧａＮをバッファ層とする方が優れた結晶性の窒化
ガリウム系化合物半導体が積層できることを示した。
【０００５】しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導
体を有する青色発光デバイスは未だ実用化には至ってい
ない。なぜなら、窒化ガリウム系化合物半導体が低抵抗
なｐ型にできないため、ダブルへテロ、シングルへテロ
等の数々の構造の発光素子ができないからである。気相
成長法でｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物
半導体を成長しても、得られた窒化ガリウム系化合物半
導体はｐ型とはならず、抵抗率が１０8Ω・cm以上の高抵
抗な半絶縁材料、即ちｉ型となってしまうのが実状であ
った。このため現在、青色発光素子の構造は基板の上に
バッファ層、ｎ型層、その上にｉ型層を順に積層した、
いわゆるＭＩＳ構造のものしか知られていない。
体を有する青色発光デバイスは未だ実用化には至ってい
ない。なぜなら、窒化ガリウム系化合物半導体が低抵抗
なｐ型にできないため、ダブルへテロ、シングルへテロ
等の数々の構造の発光素子ができないからである。気相
成長法でｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物
半導体を成長しても、得られた窒化ガリウム系化合物半
導体はｐ型とはならず、抵抗率が１０8Ω・cm以上の高抵
抗な半絶縁材料、即ちｉ型となってしまうのが実状であ
った。このため現在、青色発光素子の構造は基板の上に
バッファ層、ｎ型層、その上にｉ型層を順に積層した、
いわゆるＭＩＳ構造のものしか知られていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】高抵抗なｉ型を低抵抗
化してｐ型に近づけるための手段として特開平２−２５
７６７９号公報において、ｐ型不純物としてＭｇをドー
プした高抵抗なｉ型窒化ガリウム化合物半導体を最上層
に形成した後に、加速電圧６ｋＶ〜３０ｋＶの電子線を
その表面に照射することにより、表面から約０．５μm
の層を低抵抗化する技術が開示されている。しかしなが
ら、この方法では電子線の侵入深さのみ、即ち極表面し
か低抵抗化できず、また電子線を走査しながらウエハー
全体を照射しなければならないため面内均一に低抵抗化
できないという問題があった。
化してｐ型に近づけるための手段として特開平２−２５
７６７９号公報において、ｐ型不純物としてＭｇをドー
プした高抵抗なｉ型窒化ガリウム化合物半導体を最上層
に形成した後に、加速電圧６ｋＶ〜３０ｋＶの電子線を
その表面に照射することにより、表面から約０．５μm
の層を低抵抗化する技術が開示されている。しかしなが
ら、この方法では電子線の侵入深さのみ、即ち極表面し
か低抵抗化できず、また電子線を走査しながらウエハー
全体を照射しなければならないため面内均一に低抵抗化
できないという問題があった。
【０００７】従って本発明の目的は、ｐ型不純物をドー
プした窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗なｐ型と
し、さらに膜厚によらず抵抗値がウエハー全体に均一で
あり、発光素子をダブルへテロ、シングルへテロ構造可
能な構造とできるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製
造方法を提供するものである。
プした窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗なｐ型と
し、さらに膜厚によらず抵抗値がウエハー全体に均一で
あり、発光素子をダブルへテロ、シングルへテロ構造可
能な構造とできるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製
造方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体の製造方法は、気相成長法により、ｐ
型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を
形成した後、４００℃以上の温度でアニーリングを行う
ことを特徴とするものである。
ム系化合物半導体の製造方法は、気相成長法により、ｐ
型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を
形成した後、４００℃以上の温度でアニーリングを行う
ことを特徴とするものである。
【０００９】アニーリング（Annealing：焼きなまし）
はｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体
層を形成した後、反応容器内で行ってもよいし、ウエハ
ーを反応容器から取り出してアニーリング専用の装置を
用いて行ってもよい。アニーリング雰囲気は真空中、Ｎ
2、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガス、またはこれらの
混合ガス雰囲気中で行い、最も好ましくは、アニーリン
グ温度における窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以
上で加圧した窒素雰囲気中で行う。なぜなら、窒素雰囲
気として加圧することにより、アニーリング中に、窒化
ガリウム系化合物半導体中のＮが分解して出て行くのを
防止する作用があるからである。
はｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体
層を形成した後、反応容器内で行ってもよいし、ウエハ
ーを反応容器から取り出してアニーリング専用の装置を
用いて行ってもよい。アニーリング雰囲気は真空中、Ｎ
2、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガス、またはこれらの
混合ガス雰囲気中で行い、最も好ましくは、アニーリン
グ温度における窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以
上で加圧した窒素雰囲気中で行う。なぜなら、窒素雰囲
気として加圧することにより、アニーリング中に、窒化
ガリウム系化合物半導体中のＮが分解して出て行くのを
防止する作用があるからである。
【００１０】例えばＧａＮの場合、ＧａＮの分解圧は８
００℃で約０．０１気圧、１０００℃で約１気圧、１１
００℃で約１０気圧程である。このため、窒化ガリウム
系化合物半導体を４００℃以上でアニーリングする際、
多かれ少なかれ窒化ガリウム系化合物半導体の分解が発
生し、その結晶性が悪くなる傾向にある。従って前記の
ように窒素で加圧することにより分解を防止できる。
００℃で約０．０１気圧、１０００℃で約１気圧、１１
００℃で約１０気圧程である。このため、窒化ガリウム
系化合物半導体を４００℃以上でアニーリングする際、
多かれ少なかれ窒化ガリウム系化合物半導体の分解が発
生し、その結晶性が悪くなる傾向にある。従って前記の
ように窒素で加圧することにより分解を防止できる。
【００１１】アニーリング温度は４００℃以上、好まし
くは７００℃以上で、１分以上保持、好ましくは１０分
以上保持して行う。１０００℃以上で行っても、前記し
たように窒素で加圧することにより分解を防止すること
ができ、後に述べるように、安定して、結晶性の優れた
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が得られる。
くは７００℃以上で、１分以上保持、好ましくは１０分
以上保持して行う。１０００℃以上で行っても、前記し
たように窒素で加圧することにより分解を防止すること
ができ、後に述べるように、安定して、結晶性の優れた
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が得られる。
【００１２】また、アニーリング中の、窒化ガリウム系
化合物半導体の分解を抑える手段として、ｐ型不純物を
ドープした窒化ガリウム系化合物半導体層の上にさらに
キャップ層を形成させたのち、アニーリングを行っても
よい。キャップ層とは、即ち保護膜であって、それをｐ
型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体の上
に形成した後、４００℃以上でアニーリングすることに
よって、加圧下はいうまでもなく、減圧、常圧中におい
ても、窒化ガリウム系化合物半導体を分解させることな
く低抵抗なｐ型とすることができる。
化合物半導体の分解を抑える手段として、ｐ型不純物を
ドープした窒化ガリウム系化合物半導体層の上にさらに
キャップ層を形成させたのち、アニーリングを行っても
よい。キャップ層とは、即ち保護膜であって、それをｐ
型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体の上
に形成した後、４００℃以上でアニーリングすることに
よって、加圧下はいうまでもなく、減圧、常圧中におい
ても、窒化ガリウム系化合物半導体を分解させることな
く低抵抗なｐ型とすることができる。
【００１３】キャップ層を形成するには、ｐ型不純物を
ドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した
後、続いて反応容器内で形成してもよいし、また、ウエ
ハーを反応容器から取り出し、他の結晶成長装置、例え
ばプラズマＣＶＤ装置等で形成してもよい。キャップ層
の材料としては、窒化ガリウム系化合物半導体の上に形
成できる材料で、４００℃以上で安定な材料であればど
のようなものでもよく、好ましくはＧａXＡｌ1-XＮ（但
し０≦X≦１）、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2を挙げることがで
き、アニーリング温度により材料の種類を適宜選択す
る。また、キャップ層の膜厚は通常０．０１〜５μｍの
厚さで形成する。０．０１μｍより薄いと保護膜として
の効果が十分に得られず、また５μｍよりも厚いと、ア
ニーリング後、キャップ層をエッチングにより取り除
き、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を露出させるの
に手間がかかるため、経済的ではない。
ドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した
後、続いて反応容器内で形成してもよいし、また、ウエ
ハーを反応容器から取り出し、他の結晶成長装置、例え
ばプラズマＣＶＤ装置等で形成してもよい。キャップ層
の材料としては、窒化ガリウム系化合物半導体の上に形
成できる材料で、４００℃以上で安定な材料であればど
のようなものでもよく、好ましくはＧａXＡｌ1-XＮ（但
し０≦X≦１）、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2を挙げることがで
き、アニーリング温度により材料の種類を適宜選択す
る。また、キャップ層の膜厚は通常０．０１〜５μｍの
厚さで形成する。０．０１μｍより薄いと保護膜として
の効果が十分に得られず、また５μｍよりも厚いと、ア
ニーリング後、キャップ層をエッチングにより取り除
き、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を露出させるの
に手間がかかるため、経済的ではない。
【００１４】
【作用】図１は、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム
系化合物半導体層がアニーリングによって低抵抗なｐ型
に変わることを示す図である。これは、ＭＯＣＶＤ法を
用いて、サファイア基板上にまずＧａＮバッファ層を形
成し、その上にｐ型不純物としてＭｇをドープしながら
ＧａＮ層を４μｍの膜厚で形成した後、ウエハーを取り
出し、温度を変化させて窒素雰囲気中でアニーリングを
１０分間行った後、ウエハーのホール測定を行い、抵抗
率をアニーリング温度の関数としてプロットした図であ
る。
系化合物半導体層がアニーリングによって低抵抗なｐ型
に変わることを示す図である。これは、ＭＯＣＶＤ法を
用いて、サファイア基板上にまずＧａＮバッファ層を形
成し、その上にｐ型不純物としてＭｇをドープしながら
ＧａＮ層を４μｍの膜厚で形成した後、ウエハーを取り
出し、温度を変化させて窒素雰囲気中でアニーリングを
１０分間行った後、ウエハーのホール測定を行い、抵抗
率をアニーリング温度の関数としてプロットした図であ
る。
【００１５】この図からわかるように、４００℃を越え
るあたりから急激にＭｇをドープしたＧａＮ層の抵抗率
が減少し、７００℃以上からはほぼ一定の低抵抗なｐ型
特性を示し、アニーリングの効果が現れている。なお、
アニーリングしないＧａＮ層と７００℃以上でアニーリ
ングしたＧａＮ層のホール測定結果は、アニーリング前
のＧａＮ層は抵抗率２×１０5Ω・cm、ホールキャリア濃
度８×１０10／cm3であったのに対し、アニーリング後
のＧａＮ層は抵抗率２Ω・cm、ホールキャリア濃度２×
１０17／cm3であった。また、この図はＧａＮについて
示した図であるが、同じくｐ型不純物をドープしたＧａ
XＡｌ1-XＮ（０≦X＜１）においても同様の結果が得ら
れることが確かめられた。
るあたりから急激にＭｇをドープしたＧａＮ層の抵抗率
が減少し、７００℃以上からはほぼ一定の低抵抗なｐ型
特性を示し、アニーリングの効果が現れている。なお、
アニーリングしないＧａＮ層と７００℃以上でアニーリ
ングしたＧａＮ層のホール測定結果は、アニーリング前
のＧａＮ層は抵抗率２×１０5Ω・cm、ホールキャリア濃
度８×１０10／cm3であったのに対し、アニーリング後
のＧａＮ層は抵抗率２Ω・cm、ホールキャリア濃度２×
１０17／cm3であった。また、この図はＧａＮについて
示した図であるが、同じくｐ型不純物をドープしたＧａ
XＡｌ1-XＮ（０≦X＜１）においても同様の結果が得ら
れることが確かめられた。
【００１６】さらに、７００℃でアニーリングした上記
４μｍのＧａＮ層をエッチングして２μｍの厚さにし、
ホール測定を行った結果、ホールキャリア濃度２×１０
17／cm3、抵抗率３Ω・cmであり、エッチング前とほぼ同
一の値であった。即ちｐ型不純物をドープしたＧａＮ層
がアニーリングによって、深さ方向均一に全領域にわた
って低抵抗なｐ型となっていた。
４μｍのＧａＮ層をエッチングして２μｍの厚さにし、
ホール測定を行った結果、ホールキャリア濃度２×１０
17／cm3、抵抗率３Ω・cmであり、エッチング前とほぼ同
一の値であった。即ちｐ型不純物をドープしたＧａＮ層
がアニーリングによって、深さ方向均一に全領域にわた
って低抵抗なｐ型となっていた。
【００１７】また、図２は、同じくＭＯＣＶＤ法を用い
て、サファイア基板上にＧａＮバッファ層とＭｇをドー
プした４μｍのＧａＮ層を形成したウエハーを用い、１
０００℃で窒素雰囲気中２０分間のアニーリングを行
い、２０気圧の加圧下で行ったウエハー（ａ）と、大気
圧で行ったウエハー（ｂ）のｐ型ＧａＮ層にそれぞれＨ
ｅ−Ｃｄレーザーを励起光源として照射し、そのフォト
ルミネッセンス強度で結晶性を比較して示す図であり、
そのフォトルミネッセンスの４５０ｎｍにおける青色発
光強度が強いほど、結晶性が優れていると評価すること
ができる。
て、サファイア基板上にＧａＮバッファ層とＭｇをドー
プした４μｍのＧａＮ層を形成したウエハーを用い、１
０００℃で窒素雰囲気中２０分間のアニーリングを行
い、２０気圧の加圧下で行ったウエハー（ａ）と、大気
圧で行ったウエハー（ｂ）のｐ型ＧａＮ層にそれぞれＨ
ｅ−Ｃｄレーザーを励起光源として照射し、そのフォト
ルミネッセンス強度で結晶性を比較して示す図であり、
そのフォトルミネッセンスの４５０ｎｍにおける青色発
光強度が強いほど、結晶性が優れていると評価すること
ができる。
【００１８】図２に示すように、１０００℃以上の高温
でアニーリングを行った場合、ＧａＮ層が熱分解するこ
とにより、その結晶性が悪くなる傾向にあるが、加圧す
ることにより熱分解を防止でき、優れた結晶性のｐ型Ｇ
ａＮ層が得られる。
でアニーリングを行った場合、ＧａＮ層が熱分解するこ
とにより、その結晶性が悪くなる傾向にあるが、加圧す
ることにより熱分解を防止でき、優れた結晶性のｐ型Ｇ
ａＮ層が得られる。
【００１９】また、図３は、同じくサファイア基板上に
ＧａＮバッファ層とＭｇをドープした４μｍのＧａＮ層
を形成したウエハー（ｃ）と、さらにその上にキャップ
層としてＡｌＮ層を０．５μｍの膜厚で成長させたウエ
ハー（ｄ）とを、今度は大気圧中において、１０００
℃、窒素雰囲気で２０分間のアニーリングを行った後、
エッチングによりキャップ層を取り除いて露出させたｐ
型ＧａＮ層の結晶性を、同じくフォトルミネッセンス強
度で比較して示す図である。
ＧａＮバッファ層とＭｇをドープした４μｍのＧａＮ層
を形成したウエハー（ｃ）と、さらにその上にキャップ
層としてＡｌＮ層を０．５μｍの膜厚で成長させたウエ
ハー（ｄ）とを、今度は大気圧中において、１０００
℃、窒素雰囲気で２０分間のアニーリングを行った後、
エッチングによりキャップ層を取り除いて露出させたｐ
型ＧａＮ層の結晶性を、同じくフォトルミネッセンス強
度で比較して示す図である。
【００２０】図３に示すように、キャップ層を成長させ
ずにアニーリングを行ったｐ型ＧａＮ層（ｃ）は高温で
のアニーリングになるとｐ型ＧａＮ層の分解が進むた
め、４５０ｎｍでの発光強度は弱くなってしまう。しか
し、キャップ層（この場合ＡｌＮ）を成長させることに
より、キャップ層のＡｌＮは分解するがｐ型ＧａＮ層は
分解しないため、発光強度は依然強いままである。
ずにアニーリングを行ったｐ型ＧａＮ層（ｃ）は高温で
のアニーリングになるとｐ型ＧａＮ層の分解が進むた
め、４５０ｎｍでの発光強度は弱くなってしまう。しか
し、キャップ層（この場合ＡｌＮ）を成長させることに
より、キャップ層のＡｌＮは分解するがｐ型ＧａＮ層は
分解しないため、発光強度は依然強いままである。
【００２１】アニーリングにより低抵抗なｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体が得られる理由は以下のとおりであ
ると推察される。
ウム系化合物半導体が得られる理由は以下のとおりであ
ると推察される。
【００２２】即ち、窒化ガリウム系化合物半導体層の成
長において、Ｎ源として、一般にＮＨ3が用いられてお
り、成長中にこのＮＨ3が分解して原子状水素ができる
と考えられる。この原子状水素がアクセプター不純物と
してドープされたＭｇ、Ｚｎ等と結合することにより、
Ｍｇ、Ｚｎ等のｐ型不純物がアクセプターとして働くの
を妨げていると考えられる。このため、反応後のｐ型不
純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体は高抵抗
を示す。
長において、Ｎ源として、一般にＮＨ3が用いられてお
り、成長中にこのＮＨ3が分解して原子状水素ができる
と考えられる。この原子状水素がアクセプター不純物と
してドープされたＭｇ、Ｚｎ等と結合することにより、
Ｍｇ、Ｚｎ等のｐ型不純物がアクセプターとして働くの
を妨げていると考えられる。このため、反応後のｐ型不
純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体は高抵抗
を示す。
【００２３】ところが、成長後アニーリングを行うこと
により、Ｍｇ−Ｈ、Ｚｎ−Ｈ等の形で結合している水素
が熱的に解離されて、ｐ型不純物をドープした窒化ガリ
ウム系化合物半導体層から出て行き、正常にｐ型不純物
がアクセプターとして働くようになるため、低抵抗なｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体が得られるのである。従
って、アニーリング雰囲気中にＮＨ3、Ｈ2等の水素原子
を含むガスを使用することは好ましくない。また、キャ
ップ層においても、水素原子を含む材料を使用すること
は以上の理由で好ましくない。
により、Ｍｇ−Ｈ、Ｚｎ−Ｈ等の形で結合している水素
が熱的に解離されて、ｐ型不純物をドープした窒化ガリ
ウム系化合物半導体層から出て行き、正常にｐ型不純物
がアクセプターとして働くようになるため、低抵抗なｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体が得られるのである。従
って、アニーリング雰囲気中にＮＨ3、Ｈ2等の水素原子
を含むガスを使用することは好ましくない。また、キャ
ップ層においても、水素原子を含む材料を使用すること
は以上の理由で好ましくない。
【００２４】
【実施例】以下実施例で本発明を詳述する。 ［実施例１］まず良く洗浄したサファイア基板を反応容
器内のサセプターに設置する。容器内を真空排気した
後、水素ガスを流しながら基板を１０５０℃で、２０分
間加熱し、表面の酸化物を除去する。その後、温度を５
１０℃にまで冷却し、５１０℃においてＧａ源としてＴ
ＭＧガスを２７×１０-6モル／分、Ｎ源としてアンモニ
アガスを４．０リットル／分、キャリアガスとして水素
ガスを２．０リットル／分で流しながら、ＧａＮバッフ
ァ層を２００オングストロームの膜厚で成長させる。
器内のサセプターに設置する。容器内を真空排気した
後、水素ガスを流しながら基板を１０５０℃で、２０分
間加熱し、表面の酸化物を除去する。その後、温度を５
１０℃にまで冷却し、５１０℃においてＧａ源としてＴ
ＭＧガスを２７×１０-6モル／分、Ｎ源としてアンモニ
アガスを４．０リットル／分、キャリアガスとして水素
ガスを２．０リットル／分で流しながら、ＧａＮバッフ
ァ層を２００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００２５】次にＴＭＧガスのみを止めて温度を１０３
０℃まで上昇させた後、再びＴＭＧガスを５４×１０-6
モル／分、新たにＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマ
グネシウム）ガスを３．６×１０-6モル／分で流しなが
ら６０分間成長させて、ＭｇをドープしたＧａＮ層を４
μｍの膜厚で成長させる。
０℃まで上昇させた後、再びＴＭＧガスを５４×１０-6
モル／分、新たにＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマ
グネシウム）ガスを３．６×１０-6モル／分で流しなが
ら６０分間成長させて、ＭｇをドープしたＧａＮ層を４
μｍの膜厚で成長させる。
【００２６】冷却後、以上を成長させたウエハーを反応
容器から取り出し、アニーリング装置に入れ、常圧、窒
素雰囲気中で８００℃で２０分間保持してアニーリング
を行った。
容器から取り出し、アニーリング装置に入れ、常圧、窒
素雰囲気中で８００℃で２０分間保持してアニーリング
を行った。
【００２７】アニーリングして得られたｐ型ＧａＮ層の
ホール測定を行った結果、抵抗率２Ω・cm、ホールキャ
リア濃度２×１０17／cm3と優れたｐ型特性を示した。
ホール測定を行った結果、抵抗率２Ω・cm、ホールキャ
リア濃度２×１０17／cm3と優れたｐ型特性を示した。
【００２８】［実施例２］実施例１において、Ｍｇドー
プＧａＮ層を成長させた後、Ｃｐ2Ｍｇガスを止め、続
いてキャップ層としてＧａＮ層を０．５μｍの膜厚で成
長させる。
プＧａＮ層を成長させた後、Ｃｐ2Ｍｇガスを止め、続
いてキャップ層としてＧａＮ層を０．５μｍの膜厚で成
長させる。
【００２９】実施例１と同様にアニーリング装置におい
て、常圧下、窒素とアルゴンの混合ガス雰囲気中、８０
０℃で２０分間アニーリングを行う。その後、ドライエ
ッチングにより、表面から０．５μｍの層を取り除き、
キャップ層を除去してｐ型ＧａＮ層を露出させ、同様に
ホール測定を行った結果、抵抗率２Ω・cm、キャリア濃
度１．５×１０17／cm3と優れたｐ型特性を示した。な
おフォトルミネッセンスの４５０ｎｍの青色発光強度
は、実施例１と比較して約４倍強かった。
て、常圧下、窒素とアルゴンの混合ガス雰囲気中、８０
０℃で２０分間アニーリングを行う。その後、ドライエ
ッチングにより、表面から０．５μｍの層を取り除き、
キャップ層を除去してｐ型ＧａＮ層を露出させ、同様に
ホール測定を行った結果、抵抗率２Ω・cm、キャリア濃
度１．５×１０17／cm3と優れたｐ型特性を示した。な
おフォトルミネッセンスの４５０ｎｍの青色発光強度
は、実施例１と比較して約４倍強かった。
【００３０】［実施例３］実施例１において、Ｍｇドー
プＧａＮ層を成長させた後、ウエハーを反応容器から取
り出し、アニーリング装置において、２０気圧、窒素雰
囲気中、８００℃で２０分間アニーリングを行う。ホー
ル測定を行った結果、抵抗率２Ω・cm、キャリア濃度
２．０×１０17／cm3と優れたｐ型特性を示し、フォト
ルミネッセンスの４５０ｎｍの発光強度は、実施例１に
比較して約４倍強かった。
プＧａＮ層を成長させた後、ウエハーを反応容器から取
り出し、アニーリング装置において、２０気圧、窒素雰
囲気中、８００℃で２０分間アニーリングを行う。ホー
ル測定を行った結果、抵抗率２Ω・cm、キャリア濃度
２．０×１０17／cm3と優れたｐ型特性を示し、フォト
ルミネッセンスの４５０ｎｍの発光強度は、実施例１に
比較して約４倍強かった。
【００３１】［実施例４］実施例１において、Ｍｇドー
プＧａＮ層を成長させた後、ウエハーを反応容器から取
り出し、プラズマＣＶＤ装置を用い、その上にキャップ
層としてＳｉＯ2層を０．５μｍの膜厚で形成する。
プＧａＮ層を成長させた後、ウエハーを反応容器から取
り出し、プラズマＣＶＤ装置を用い、その上にキャップ
層としてＳｉＯ2層を０．５μｍの膜厚で形成する。
【００３２】アニーリング装置において、窒素雰囲気、
大気圧中、１０００℃で２０分間アニーリングを行う。
その後、フッ酸でＳｉＯ2キャップ層を取り除き、ｐ型
ＧａＮ層を露出させ、同様にホール測定を行った結果、
抵抗率２Ω・cm、キャリア濃度２．０×１０17／cm3と優
れたｐ型特性を示した。またフォトルミネッセンスの４
５０ｎｍの発光強度は、キャップ層を形成せず同一条件
でアニーリングを行ったものと比較して、約２０倍も強
かった。
大気圧中、１０００℃で２０分間アニーリングを行う。
その後、フッ酸でＳｉＯ2キャップ層を取り除き、ｐ型
ＧａＮ層を露出させ、同様にホール測定を行った結果、
抵抗率２Ω・cm、キャリア濃度２．０×１０17／cm3と優
れたｐ型特性を示した。またフォトルミネッセンスの４
５０ｎｍの発光強度は、キャップ層を形成せず同一条件
でアニーリングを行ったものと比較して、約２０倍も強
かった。
【００３３】［実施例５］実施例１において、Ｍｇドー
プＧａＮ層を成長させた後、引き続き、Ｃｐ2Ｍｇガス
を止め、新たにＴＭＡガスを６×１０-6モル／分とＳｉ
Ｈ4（モノシラン）ガスを２．２×１０-10モル／分を２
０分間流して、Ｓｉがドープされたｎ型Ｇａ0 .9Ａｌ0.1
Ｎ層を０．８μｍの厚さで成長させる。
プＧａＮ層を成長させた後、引き続き、Ｃｐ2Ｍｇガス
を止め、新たにＴＭＡガスを６×１０-6モル／分とＳｉ
Ｈ4（モノシラン）ガスを２．２×１０-10モル／分を２
０分間流して、Ｓｉがドープされたｎ型Ｇａ0 .9Ａｌ0.1
Ｎ層を０．８μｍの厚さで成長させる。
【００３４】ＴＭＧガス、ＴＭＡガス、ＳｉＨ4ガスを
止め、水素ガスとアンモニアガスを流しながら、室温ま
で冷却した後、ウエハーを取りだして、アニーリング装
置に入れ、窒素雰囲気中で７００℃で２０分間保持して
アニーリングを行う。
止め、水素ガスとアンモニアガスを流しながら、室温ま
で冷却した後、ウエハーを取りだして、アニーリング装
置に入れ、窒素雰囲気中で７００℃で２０分間保持して
アニーリングを行う。
【００３５】このようにしてサファイア基板上にｐ型Ｇ
ａＮ層とｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層が順に積層されたシン
グルへテロ構造の素子ができた。この素子の窒化ガリウ
ム系化合物半導体層を、常法に従いｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1
Ｎ層の一部をエッチングしてｐ型ＧａＮ層の一部を露出
させ、それぞれの層にオーミック電極をつけた後、ダイ
シングソーでチップ状にカットした。チップ上に露出し
たｎ型層およびｐ型層から電極を取りだし、その後モー
ルドして青色発光ダイオードを作製した。この発光ダイ
オードの特性は順方向電流２０ｍＡ、順方向電圧５Ｖで
発光出力９０μＷの青色発光を示し、ピーク波長は４３
０ｎｍであった。この発光出力は青色発光ダイオードの
出力としては過去に報告されたことがない高い値であ
る。
ａＮ層とｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層が順に積層されたシン
グルへテロ構造の素子ができた。この素子の窒化ガリウ
ム系化合物半導体層を、常法に従いｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1
Ｎ層の一部をエッチングしてｐ型ＧａＮ層の一部を露出
させ、それぞれの層にオーミック電極をつけた後、ダイ
シングソーでチップ状にカットした。チップ上に露出し
たｎ型層およびｐ型層から電極を取りだし、その後モー
ルドして青色発光ダイオードを作製した。この発光ダイ
オードの特性は順方向電流２０ｍＡ、順方向電圧５Ｖで
発光出力９０μＷの青色発光を示し、ピーク波長は４３
０ｎｍであった。この発光出力は青色発光ダイオードの
出力としては過去に報告されたことがない高い値であ
る。
【００３６】一方、アニーリングをせず、同様のシング
ルへテロ構造を有する発光ダイオードを製作したとこ
ろ、この発光ダイオードは順方向電流２０ｍＡにおい
て、順方向電圧は６０Ｖ近くもあり、しかも発光は微か
には黄色っぽく光るのみで、すぐに壊れてしまい発光出
力は測定不能であった。
ルへテロ構造を有する発光ダイオードを製作したとこ
ろ、この発光ダイオードは順方向電流２０ｍＡにおい
て、順方向電圧は６０Ｖ近くもあり、しかも発光は微か
には黄色っぽく光るのみで、すぐに壊れてしまい発光出
力は測定不能であった。
【００３７】［実施例６］実施例１と同様にしてサファ
イア基板の上にＧａＮバッファ層を２００オングストロ
ームの膜厚で形成する。
イア基板の上にＧａＮバッファ層を２００オングストロ
ームの膜厚で形成する。
【００３８】次にＴＭＧガスのみを止め、温度を１０３
０℃にまで上昇させた後、再びＴＭＧガスを５４×１０
-6モル／分と、新たにＳｉＨ4（モノシラン）ガスを
２．２×１０-10モル／分で流しながら６０分間成長さ
せて、Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＮ層を４μｍの膜厚
で成長する。
０℃にまで上昇させた後、再びＴＭＧガスを５４×１０
-6モル／分と、新たにＳｉＨ4（モノシラン）ガスを
２．２×１０-10モル／分で流しながら６０分間成長さ
せて、Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＮ層を４μｍの膜厚
で成長する。
【００３９】続いてＳｉＨ4ガスを止め、Ｃｐ2Ｍｇガス
を３．６×１０-6モル／分で流しながら３０分間成長さ
せて、ＭｇドープＧａＮ層を２．０μｍの厚さで成長さ
せる。
を３．６×１０-6モル／分で流しながら３０分間成長さ
せて、ＭｇドープＧａＮ層を２．０μｍの厚さで成長さ
せる。
【００４０】ＴＭＧガス、Ｃｐ2Ｍｇガスを止め、水素
ガスとアンモニアガスを流しながら、室温まで冷却した
後、反応容器内に流れるガスを窒素ガスに置換し、窒素
ガスを流しながら反応容器内の温度を１０００℃まで上
昇させ、反応容器内で２０分間保持してアニーリングを
行う。
ガスとアンモニアガスを流しながら、室温まで冷却した
後、反応容器内に流れるガスを窒素ガスに置換し、窒素
ガスを流しながら反応容器内の温度を１０００℃まで上
昇させ、反応容器内で２０分間保持してアニーリングを
行う。
【００４１】このようにして得られた素子を実施例４と
同様にして発光ダイオードにして発光させたところ４３
０ｎｍ付近に発光ピークを持つ青色発光を示し、発光出
力は２０ｍＡで５０μＷであり、順方向電圧は同じく２
０ｍＡで４Ｖであった。またアニーリングを行わず同様
の構造の素子を作製し発光ダイオードとしたところ、２
０ｍＡにおいてわずかに黄色に発光し、すぐにダイオー
ドが壊れてしまった。
同様にして発光ダイオードにして発光させたところ４３
０ｎｍ付近に発光ピークを持つ青色発光を示し、発光出
力は２０ｍＡで５０μＷであり、順方向電圧は同じく２
０ｍＡで４Ｖであった。またアニーリングを行わず同様
の構造の素子を作製し発光ダイオードとしたところ、２
０ｍＡにおいてわずかに黄色に発光し、すぐにダイオー
ドが壊れてしまった。
【００４２】
【発明の効果】以上述べたように本発明の製造方法によ
ると、従来ｐ型不純物をドープしても低抵抗なｐ型とな
らなかった窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗なｐ型
とすることができるため、数々の構造の素子を製造する
ことができる。さらに、従来の電子線照射による方法で
は最上層の極表面しか低抵抗化できなかったが、本発明
ではアニーリングによってｐ型不純物がドープされた窒
化ガリウム系化合物半導体層を全体をｐ型化できるた
め、面内均一にしかも深さ方向均一にｐ型化でき、しか
もどこの層にでもｐ型層を形成できる。また厚膜の層を
形成することができるため、高輝度な青色発光素子を得
ることができる。
ると、従来ｐ型不純物をドープしても低抵抗なｐ型とな
らなかった窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗なｐ型
とすることができるため、数々の構造の素子を製造する
ことができる。さらに、従来の電子線照射による方法で
は最上層の極表面しか低抵抗化できなかったが、本発明
ではアニーリングによってｐ型不純物がドープされた窒
化ガリウム系化合物半導体層を全体をｐ型化できるた
め、面内均一にしかも深さ方向均一にｐ型化でき、しか
もどこの層にでもｐ型層を形成できる。また厚膜の層を
形成することができるため、高輝度な青色発光素子を得
ることができる。
【図１】 本発明の一実施例によるアニーリング温度
と、抵抗率の関係を示す図。
と、抵抗率の関係を示す図。
【図２】 本発明の一実施例によるｐ型ＧａＮ層の結晶
性をフォトルミネッセンス強度で比較して示す図。
性をフォトルミネッセンス強度で比較して示す図。
【図３】本発明の一実施例によるｐ型ＧａＮ層の結晶性
をフォトルミネッセンス強度で比較して示す図。
をフォトルミネッセンス強度で比較して示す図。
Claims (4)
- 【請求項１】 気相成長法により、ｐ型不純物をドープ
した窒化ガリウム系化合物半導体を形成した後、４００
℃以上の温度でアニーリングを行うことを特徴とするｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項２】 前記アニーリングは、そのアニーリング
温度における窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以上
に加圧した窒素雰囲気中で行うことを特徴とする請求項
１に記載のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方
法。 - 【請求項３】 前記ｐ型不純物をドープした窒化ガリウ
ム系化合物半導体の上に、さらにキャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし２に記載のｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項４】 前記キャップ層はＧａXＡｌ1-XＮ（但し
０≦X≦１）、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2より選択され
たいずれか一種の材料よりなることを特徴とする請求項
３に記載のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35704691A JP2540791B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-12-24 | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 |
| US07/970,145 US5306662A (en) | 1991-11-08 | 1992-11-02 | Method of manufacturing P-type compound semiconductor |
| EP92310132A EP0541373B2 (en) | 1991-11-08 | 1992-11-05 | Method of manufacturing p-type compound semiconductor |
| DE1992627170 DE69227170T3 (de) | 1991-11-08 | 1992-11-05 | Verfahren zur Herstellung von Verbundhalbleitern des P-Typs |
| US08/180,326 US5468678A (en) | 1991-11-08 | 1994-01-12 | Method of manufacturing P-type compound semiconductor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32135391 | 1991-11-08 | ||
| JP3-321353 | 1991-11-08 | ||
| JP35704691A JP2540791B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-12-24 | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7310804A Division JPH08213656A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183189A true JPH05183189A (ja) | 1993-07-23 |
| JP2540791B2 JP2540791B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=26570442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35704691A Expired - Lifetime JP2540791B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-12-24 | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2540791B2 (ja) |
Cited By (83)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07263749A (ja) * | 1994-03-22 | 1995-10-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体の製造方法 |
| JPH0851235A (ja) * | 1994-08-09 | 1996-02-20 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子の製法 |
| JPH0864866A (ja) * | 1994-08-22 | 1996-03-08 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子の製法 |
| JPH0897470A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JPH08115880A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
| JPH08125222A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体の製造方法 |
| JPH08153933A (ja) * | 1994-04-20 | 1996-06-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード |
| JPH098355A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体の製造方法 |
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| JPH10154829A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Nichia Chem Ind Ltd | ｐ型窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 |
| JPH10173222A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子の製法 |
| JPH10178212A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-06-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体とこの半導体を使用した発光素子の製造方法 |
| JPH10294490A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Toshiba Electron Eng Corp | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体、その製造方法および青色発光素子 |
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| JPH11189496A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Ind Technol Res Inst | ｐ型窒化ガリウムの製造方法 |
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| JPH11251687A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の製造方法及び半導体装置 |
| JPH11274083A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
| JP2000323751A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Pioneer Electronic Corp | ３族窒化物半導体素子製造方法 |
| US6172382B1 (en) | 1997-01-09 | 2001-01-09 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting and light-receiving devices |
| US6242761B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-06-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride compound semiconductor light emitting device |
| US6291840B1 (en) | 1996-11-29 | 2001-09-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | GaN related compound semiconductor light-emitting device |
| JP2001298214A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-10-26 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
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| JP2002075910A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Sharp Corp | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置用電極構造の作製方法 |
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