JPH09129967A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH09129967A JPH09129967A JP28427195A JP28427195A JPH09129967A JP H09129967 A JPH09129967 A JP H09129967A JP 28427195 A JP28427195 A JP 28427195A JP 28427195 A JP28427195 A JP 28427195A JP H09129967 A JPH09129967 A JP H09129967A
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- semiconductor laser
- layer
- cladding layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 横モード制御領域では、光損失が高くなり、
光伝搬路を実効的に狭くすることにより、リッジ幅を広
くしても高出力動作時に安定した基本横モード発振を得
ることができる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓ基板１０と、この基板１０
の上側のｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２０と、このｎ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層２０の上側の活性層３０と、こ
の活性層３０の上側のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４０
ａとを少なくとも具え、活性層３０の上側のｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層４０ａにリッジ部７０が形成されてい
るリッジ導波路型半導体レーザにおいて、前記ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層４０ａのリッジ部７０の側面近傍に
おいて、このリッジ部７０の両側の、前記ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層４０ｂの厚みが薄くなっている横モード
制御領域９０を形成する。
光伝搬路を実効的に狭くすることにより、リッジ幅を広
くしても高出力動作時に安定した基本横モード発振を得
ることができる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓ基板１０と、この基板１０
の上側のｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２０と、このｎ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層２０の上側の活性層３０と、こ
の活性層３０の上側のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４０
ａとを少なくとも具え、活性層３０の上側のｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層４０ａにリッジ部７０が形成されてい
るリッジ導波路型半導体レーザにおいて、前記ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層４０ａのリッジ部７０の側面近傍に
おいて、このリッジ部７０の両側の、前記ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層４０ｂの厚みが薄くなっている横モード
制御領域９０を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高出力半導体レー
ザ（以後、ＬＤと略記することもある）に係り、特に高
出力時において安定した基本横モード発振を得ることが
できるリッジ導波路型半導体レーザの構造に関する。
ザ（以後、ＬＤと略記することもある）に係り、特に高
出力時において安定した基本横モード発振を得ることが
できるリッジ導波路型半導体レーザの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、文献名：ＲＥＣＥＮＴ ＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮ
ＴＳ ＯＦ ９８０−ｎｍ ＰＵＭＰ ＬＡＳＥＲＳ
ＦＯＲＯＰＴＩＣＡＬ ＦＩＢＥＲ ＡＭＰＬＩＦＩＥ
ＲＳ．著者：Ｈｅｉｎｚ Ｍｅｉｅｒ、ＩＢＭ Ｒｅｓ
ｅａｒｃｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ，Ｚｕｒｉｃｈ Ｒｅｓ
ｅａｒｃｈ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ、Ｐｒｏｃ．ｏｆ
２０ｔｈ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｎｆ．ｏｎ Ｏｐｔ
ｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ（ＥＣＯＣ １
９９４），Ｆｌｏｒｅｎｃｅ，Ｉｔａｌｙ，Ｓｅｐｔ．
２５−２９，１９９４に記載されるものがあった。
例えば、文献名：ＲＥＣＥＮＴ ＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮ
ＴＳ ＯＦ ９８０−ｎｍ ＰＵＭＰ ＬＡＳＥＲＳ
ＦＯＲＯＰＴＩＣＡＬ ＦＩＢＥＲ ＡＭＰＬＩＦＩＥ
ＲＳ．著者：Ｈｅｉｎｚ Ｍｅｉｅｒ、ＩＢＭ Ｒｅｓ
ｅａｒｃｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ，Ｚｕｒｉｃｈ Ｒｅｓ
ｅａｒｃｈ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ、Ｐｒｏｃ．ｏｆ
２０ｔｈ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｎｆ．ｏｎ Ｏｐｔ
ｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ（ＥＣＯＣ １
９９４），Ｆｌｏｒｅｎｃｅ，Ｉｔａｌｙ，Ｓｅｐｔ．
２５−２９，１９９４に記載されるものがあった。
【０００３】以下、この文献に開示されている半導体レ
ーザの構造について、図４を参照して簡単に説明する。
ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に基板側から順に、ｎ−Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層１０２、ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ
ｓ活性層１０３、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１０４、
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０５が形成されている。そ
の活性層１０３は、図示しないが、ＩｎＧａＡｓからな
る量子井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層を積層したＩｎＧａ
Ａｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸構造の半導体層により構成
されている。また、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１０４
とｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０５により、リッジが形
成されている。なお、１０６は絶縁膜（ＳｉＯ2 膜）で
ある。
ーザの構造について、図４を参照して簡単に説明する。
ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に基板側から順に、ｎ−Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層１０２、ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ
ｓ活性層１０３、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１０４、
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０５が形成されている。そ
の活性層１０３は、図示しないが、ＩｎＧａＡｓからな
る量子井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層を積層したＩｎＧａ
Ａｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸構造の半導体層により構成
されている。また、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１０４
とｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０５により、リッジが形
成されている。なお、１０６は絶縁膜（ＳｉＯ2 膜）で
ある。
【０００４】更に、ｎ−ＧａＡｓ基板１０１の下面では
ｎ側電極１０８、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０５の上
面にはｐ側電極１０７が形成されている。
ｎ側電極１０８、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０５の上
面にはｐ側電極１０７が形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
リッジ導波路型半導体レーザでは、以下の問題点があ
る。レーザ光は、リッジ両脇とリッジ部の実効屈折率差
により形成される屈折率導波路を伝搬する。このため、
高出力動作時に、安定した基本横モード発振を得るため
には、材料と構造により決まる実効屈折率差に応じて、
屈折率導波路の幅を狭くする必要がある。従来の構造で
はこのためにリッジの幅を狭くすることになる。しか
し、リッジ幅を狭くすると、リッジ頭部の面積が小さく
なるためにｐ型電極での接触抵抗の増加、及び光導波路
での光密度の増加によりレーザ発振時に素子の温度上昇
が顕著になる。このことにより、素子寿命が低下すると
ともに、動作の不安定化を生じるといった問題があっ
た。
リッジ導波路型半導体レーザでは、以下の問題点があ
る。レーザ光は、リッジ両脇とリッジ部の実効屈折率差
により形成される屈折率導波路を伝搬する。このため、
高出力動作時に、安定した基本横モード発振を得るため
には、材料と構造により決まる実効屈折率差に応じて、
屈折率導波路の幅を狭くする必要がある。従来の構造で
はこのためにリッジの幅を狭くすることになる。しか
し、リッジ幅を狭くすると、リッジ頭部の面積が小さく
なるためにｐ型電極での接触抵抗の増加、及び光導波路
での光密度の増加によりレーザ発振時に素子の温度上昇
が顕著になる。このことにより、素子寿命が低下すると
ともに、動作の不安定化を生じるといった問題があっ
た。
【０００６】本発明は、上記問題点を除去し、横モード
制御領域では、光損失が高くなり、光伝搬路を実効的に
狭くすることにより、リッジ幅を広くしても高出力動作
時に安定した基本横モード発振を得ることができる半導
体レーザを提供することを目的とする。
制御領域では、光損失が高くなり、光伝搬路を実効的に
狭くすることにより、リッジ幅を広くしても高出力動作
時に安定した基本横モード発振を得ることができる半導
体レーザを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕化合物半導体基板と、この基板の上側の第１クラ
ッド層と、この第１クラッド層の上側の活性層と、この
活性層の上側の第２クラッド層とを少なくとも具え、こ
の活性層の上側の第２クラッド層にリッジ部が形成され
ているリッジ導波路型半導体レーザにおいて、前記第２
クラッド層のリッジ部の側面近傍において、このリッジ
部の両側の、前記第２クラッド層の厚みが薄くなってい
る横モード制御領域が形成されるようにしたものであ
る。
成するために、 〔１〕化合物半導体基板と、この基板の上側の第１クラ
ッド層と、この第１クラッド層の上側の活性層と、この
活性層の上側の第２クラッド層とを少なくとも具え、こ
の活性層の上側の第２クラッド層にリッジ部が形成され
ているリッジ導波路型半導体レーザにおいて、前記第２
クラッド層のリッジ部の側面近傍において、このリッジ
部の両側の、前記第２クラッド層の厚みが薄くなってい
る横モード制御領域が形成されるようにしたものであ
る。
【０００８】〔２〕上記〔１〕記載の半導体レーザにお
いて、前記化合物半導体基板はＧａＡｓ基板、前記第１
クラッド層はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、前記第２ク
ラッド層はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層である。 本発明によれば、上記のように、両端面部のリッジ両脇
のＡｌＧａＡｓクラッド層の厚みを薄くした横モード制
御領域を設けることにより、光伝搬路の実質的狭小化が
生じ、リッジ幅を狭くすることなく、高出力動作時にお
いて安定な基本横モード発振が得られる。
いて、前記化合物半導体基板はＧａＡｓ基板、前記第１
クラッド層はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、前記第２ク
ラッド層はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層である。 本発明によれば、上記のように、両端面部のリッジ両脇
のＡｌＧａＡｓクラッド層の厚みを薄くした横モード制
御領域を設けることにより、光伝搬路の実質的狭小化が
生じ、リッジ幅を狭くすることなく、高出力動作時にお
いて安定な基本横モード発振が得られる。
【０００９】更に、リッジ幅を広くすることができるこ
とにより、リッジ頭部でのｐ側電極での接触抵抗の増
加、及び光導波路での光密度の増加によるレーザ発振時
の素子の顕著な温度上昇が抑制され、高出力動作時にお
いての安定動作が得られる。
とにより、リッジ頭部でのｐ側電極での接触抵抗の増
加、及び光導波路での光密度の増加によるレーザ発振時
の素子の顕著な温度上昇が抑制され、高出力動作時にお
いての安定動作が得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。これらの図面において、各構
成成分は、本発明が理解できる程度に各構成成分の形
状、大きさ、及び配置関係を概略的に示してあるにすぎ
ない。図１は本発明の実施例であるリッジ導波路型半導
体レーザを構成する素子の構造を概略的に示す斜視図、
図２はその半導体レーザの製造工程図（その１）、図３
はその半導体レーザの製造工程図（その２）である。
て図面を用いて説明する。これらの図面において、各構
成成分は、本発明が理解できる程度に各構成成分の形
状、大きさ、及び配置関係を概略的に示してあるにすぎ
ない。図１は本発明の実施例であるリッジ導波路型半導
体レーザを構成する素子の構造を概略的に示す斜視図、
図２はその半導体レーザの製造工程図（その１）、図３
はその半導体レーザの製造工程図（その２）である。
【００１１】まず、図２（ａ）に示すように、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１０上に、ｎ−Ａｌx Ｇａ 1-x Ａｓ第１クラッ
ド層（例えば、ｘ＝０．２、キャリア濃度５×１０17ｃ
ｍ-3）２０、活性層３０、ｐ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ第２
クラッド層（例えば、ｘ＝０．２、キャリア濃度５×１
０18ｃｍ-3、厚さ１．５〜２μｍ程度）４０、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層（例えば、キャリア濃度１．５×１０
19ｃｍ-3以下、厚さ０．３〜０．５μｍ）５０をＭＯＶ
ＰＥ法やＭＢＥ法等公知の方法で成長させる。
Ａｓ基板１０上に、ｎ−Ａｌx Ｇａ 1-x Ａｓ第１クラッ
ド層（例えば、ｘ＝０．２、キャリア濃度５×１０17ｃ
ｍ-3）２０、活性層３０、ｐ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ第２
クラッド層（例えば、ｘ＝０．２、キャリア濃度５×１
０18ｃｍ-3、厚さ１．５〜２μｍ程度）４０、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層（例えば、キャリア濃度１．５×１０
19ｃｍ-3以下、厚さ０．３〜０．５μｍ）５０をＭＯＶ
ＰＥ法やＭＢＥ法等公知の方法で成長させる。
【００１２】活性層３０は、図示しないが、アンドープ
Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓからなる量子井戸（例えば、キャリ
ア濃度０．１５≦ｘ≦０．２、厚さ８〜１０ｎｍ）をア
ンドープＧａＡｓからなる障壁層（例えば、厚さ４０〜
８０ｎｍ）で挟んだアンドープＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
シングル量子井戸構造の半導体層により構成されてい
る。
Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓからなる量子井戸（例えば、キャリ
ア濃度０．１５≦ｘ≦０．２、厚さ８〜１０ｎｍ）をア
ンドープＧａＡｓからなる障壁層（例えば、厚さ４０〜
８０ｎｍ）で挟んだアンドープＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
シングル量子井戸構造の半導体層により構成されてい
る。
【００１３】次に、図２（ｂ）に示すように、プラズマ
ＣＶＤ法等により、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５０上に
ＳｉＯ2 等の酸化膜を形成し、通常のフォトリソグラフ
ィー法、及びバッファー沸化水素エッチングにより、幅
６〜８μｍのＳｉＯ2 ストライプマスク６０を形成す
る。次に、図２（ｃ）に示すように、ウエットエッチン
グ（例えば、硫酸：１、過酸化水素水：８、水：１００
の混合液）や、ドライエッチングＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等により、ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層５０、ｐ−ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ第２クラ
ッド層４０をエッチングし、リッジ部７０を形成する。
ＣＶＤ法等により、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５０上に
ＳｉＯ2 等の酸化膜を形成し、通常のフォトリソグラフ
ィー法、及びバッファー沸化水素エッチングにより、幅
６〜８μｍのＳｉＯ2 ストライプマスク６０を形成す
る。次に、図２（ｃ）に示すように、ウエットエッチン
グ（例えば、硫酸：１、過酸化水素水：８、水：１００
の混合液）や、ドライエッチングＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等により、ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層５０、ｐ−ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ第２クラ
ッド層４０をエッチングし、リッジ部７０を形成する。
【００１４】この場合、エッチング後、残存しているｐ
−Ａｌx Ｇａ1-X Ａｓ第２クラッド層４０ａの厚みを、
約０．５μｍ、リッジ部７０の幅を５〜７μｍになるよ
うにエッチング条件、時間を抑制する。なお、図中、４
０ａはエッチング済みのｐ−Ａｌx Ｇａ1-X Ａｓ第２ク
ラッド層、５０ａはエッチング済みのｐ−ＧａＡｓコン
タクト層を示す。
−Ａｌx Ｇａ1-X Ａｓ第２クラッド層４０ａの厚みを、
約０．５μｍ、リッジ部７０の幅を５〜７μｍになるよ
うにエッチング条件、時間を抑制する。なお、図中、４
０ａはエッチング済みのｐ−Ａｌx Ｇａ1-X Ａｓ第２ク
ラッド層、５０ａはエッチング済みのｐ−ＧａＡｓコン
タクト層を示す。
【００１５】次に、図３（ａ）に示すように、リッジ部
７０の上部ＳｉＯ2 ストライプマスク６０を除去し、再
度全面にＳｉＯ2 等の酸化膜を形成し、通常のフォトリ
ソグラフィー法、及びバッファー沸化水素エッチングに
より、共振器両端面のリッジ両脇に幅４〜６μｍ、長さ
１０〜２０μｍに渡って、ＳｉＯ2 を取り除いたＳｉＯ
2 マスク８０を形成する。
７０の上部ＳｉＯ2 ストライプマスク６０を除去し、再
度全面にＳｉＯ2 等の酸化膜を形成し、通常のフォトリ
ソグラフィー法、及びバッファー沸化水素エッチングに
より、共振器両端面のリッジ両脇に幅４〜６μｍ、長さ
１０〜２０μｍに渡って、ＳｉＯ2 を取り除いたＳｉＯ
2 マスク８０を形成する。
【００１６】次いで、ウエットエッチング（例えば、硫
酸：１、過酸化水素水：８、水：１００の混合液）や、
ドライエッチングＲＩＥ等により、ＳｉＯ2 マスク８０
を用いてエッチング済みのｐ−ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ第２
クラッド層４０ａの一部を、厚さが０．２μｍ程度にな
るようにエッチングし、横モード制御領域９０を形成す
る。なお、１００はリッジ領域である。
酸：１、過酸化水素水：８、水：１００の混合液）や、
ドライエッチングＲＩＥ等により、ＳｉＯ2 マスク８０
を用いてエッチング済みのｐ−ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ第２
クラッド層４０ａの一部を、厚さが０．２μｍ程度にな
るようにエッチングし、横モード制御領域９０を形成す
る。なお、１００はリッジ領域である。
【００１７】次いで、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＯ
2 マスク８０を沸化水素により取り除く。なお、図中、
４０ｂは横モード制御領域９０を形成済みのｐ−ＡｌX
Ｇａ 1-X Ａｓ第２クラッド層を示す。この後、図示しな
いが、エッチング済みのｐ−ＧａＡｓコンタクト層５０
ａ、横モード制御領域９０を形成済みのｐ−ＡｌX Ｇａ
1-X Ａｓ第２クラッド層４０ｂの上に、ＳｉＮ等の絶縁
膜を形成した後、エッチング済みのｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層５０ａ上の絶縁膜を取り除き、ｐ側電極を形成
し、基板側にｎ側電極を形成する。劈開後、劈開面にＡ
Ｒ、ＨＲコーティングをする。
2 マスク８０を沸化水素により取り除く。なお、図中、
４０ｂは横モード制御領域９０を形成済みのｐ−ＡｌX
Ｇａ 1-X Ａｓ第２クラッド層を示す。この後、図示しな
いが、エッチング済みのｐ−ＧａＡｓコンタクト層５０
ａ、横モード制御領域９０を形成済みのｐ−ＡｌX Ｇａ
1-X Ａｓ第２クラッド層４０ｂの上に、ＳｉＮ等の絶縁
膜を形成した後、エッチング済みのｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層５０ａ上の絶縁膜を取り除き、ｐ側電極を形成
し、基板側にｎ側電極を形成する。劈開後、劈開面にＡ
Ｒ、ＨＲコーティングをする。
【００１８】以下、このようにして得られた半導体レー
ザの動作について説明する。この素子を正常に動作させ
た場合、レーザ光は、リッジ両脇とリッジ部の実効屈折
率差により形成される屈折率導波路を伝搬する。伝搬し
たレーザ光は、共振器両端部のリッジ両脇に形成された
横モード制御領域で光損失が高められ、実効的に光伝搬
路が狭くされ、横モードが制御され、高出力動作時にお
いても、基本横モードの発振となる。
ザの動作について説明する。この素子を正常に動作させ
た場合、レーザ光は、リッジ両脇とリッジ部の実効屈折
率差により形成される屈折率導波路を伝搬する。伝搬し
たレーザ光は、共振器両端部のリッジ両脇に形成された
横モード制御領域で光損失が高められ、実効的に光伝搬
路が狭くされ、横モードが制御され、高出力動作時にお
いても、基本横モードの発振となる。
【００１９】このように構成したので、両端面部のリッ
ジ両脇のＡｌＧａＡｓクラッド層の厚みを薄くした横モ
ード制御領域を設けることにより、光伝搬路の実質的狭
小化が生じ、リッジ幅を狭くすることなく、高出力動作
時において安定な基本横モード発振が得られる。さら
に、リッジ幅を広くすることができることにより、リッ
ジ頭部でのｐ側電極での接触抵抗の増加、及び光導波路
での光密度の増加によるレーザ発振時の素子の顕著な温
度上昇が抑制され、高出力動作時においての安定動作が
得られる。
ジ両脇のＡｌＧａＡｓクラッド層の厚みを薄くした横モ
ード制御領域を設けることにより、光伝搬路の実質的狭
小化が生じ、リッジ幅を狭くすることなく、高出力動作
時において安定な基本横モード発振が得られる。さら
に、リッジ幅を広くすることができることにより、リッ
ジ頭部でのｐ側電極での接触抵抗の増加、及び光導波路
での光密度の増加によるレーザ発振時の素子の顕著な温
度上昇が抑制され、高出力動作時においての安定動作が
得られる。
【００２０】また、本発明の半導体レーザは以下のよう
な利用形態を有することができる。 （１）上記実施例では、ｎ型基板を用いた実施例を示し
たが、導電型をｎとｐと入れ換えることにより、ｐ型基
板を用いることもできる。 （２）ＧａＡｓ系のレーザを用いた実施例を示したが、
他の材料系、例えば、ＩｎＰ系においても適用できる。
な利用形態を有することができる。 （１）上記実施例では、ｎ型基板を用いた実施例を示し
たが、導電型をｎとｐと入れ換えることにより、ｐ型基
板を用いることもできる。 （２）ＧａＡｓ系のレーザを用いた実施例を示したが、
他の材料系、例えば、ＩｎＰ系においても適用できる。
【００２１】（３）横モード制御領域を両端面に構成し
た実施例を示したが、片方の端面や、それ以外の領域に
おいて形成する場合にも適用できる。この場合、横モー
ド制御領域の幅、長さ及び深さ等のパラメータは、それ
ぞれの場合において最適化する必要がある。 なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
た実施例を示したが、片方の端面や、それ以外の領域に
おいて形成する場合にも適用できる。この場合、横モー
ド制御領域の幅、長さ及び深さ等のパラメータは、それ
ぞれの場合において最適化する必要がある。 なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、両端面部のリッジ両脇のＡｌＧａＡｓクラッド
層の厚みを薄くした横モード制御領域を設けることによ
り、光伝搬路の実質的狭小化が生じ、リッジ幅を狭くす
ることなく、高出力動作時において安定な基本横モード
発振が得られる。
よれば、両端面部のリッジ両脇のＡｌＧａＡｓクラッド
層の厚みを薄くした横モード制御領域を設けることによ
り、光伝搬路の実質的狭小化が生じ、リッジ幅を狭くす
ることなく、高出力動作時において安定な基本横モード
発振が得られる。
【００２３】さらに、リッジ幅を広くできることによ
り、リッジ頭部でのｐ側電極での接触抵抗の増加、及び
光導波路での光密度の増加によるレーザ発振時の素子の
顕著な温度上昇が抑制され、高出力動作時においての安
定動作が得られる。
り、リッジ頭部でのｐ側電極での接触抵抗の増加、及び
光導波路での光密度の増加によるレーザ発振時の素子の
顕著な温度上昇が抑制され、高出力動作時においての安
定動作が得られる。
【図１】本発明の実施例であるリッジ導波路型半導体レ
ーザを構成する素子の構造を概略的に示す斜視図であ
る。
ーザを構成する素子の構造を概略的に示す斜視図であ
る。
【図２】本発明の実施例であるリッジ導波路型半導体レ
ーザの製造工程図（その１）である。
ーザの製造工程図（その１）である。
【図３】本発明の実施例であるリッジ導波路型半導体レ
ーザの製造工程図（その２）である。
ーザの製造工程図（その２）である。
【図４】従来のリッジ導波路型半導体レーザを構成する
素子の構造を概略的に示す斜視図である。
素子の構造を概略的に示す斜視図である。
１０ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２０ ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ第１クラッド層 ３０ 活性層 ４０ ｐ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ第２クラッド層 ４０ａ エッチング済みのｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラ
ッド層 ４０ｂ 横モード制御領域を形成済みのｐ−ＡｌＧａ
Ａｓ第２クラッド層 ５０ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ５０ａ エッチング済みのｐ−ＡｌＧａＡｓコンタク
ト層 ６０ ＳｉＯ2 ストライプマスク ７０ リッジ部 ８０ ＳｉＯ2 マスク ９０ 横モード制御領域 １００ リッジ領域
ッド層 ４０ｂ 横モード制御領域を形成済みのｐ−ＡｌＧａ
Ａｓ第２クラッド層 ５０ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ５０ａ エッチング済みのｐ−ＡｌＧａＡｓコンタク
ト層 ６０ ＳｉＯ2 ストライプマスク ７０ リッジ部 ８０ ＳｉＯ2 マスク ９０ 横モード制御領域 １００ リッジ領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八重樫 浩樹 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 化合物半導体基板と、該基板の上側の第
１クラッド層と、該第１クラッド層の上側の活性層と、
該活性層の上側の第２クラッド層とを少なくとも具え、
該活性層の上側の第２クラッド層にリッジ部が形成され
ているリッジ導波路型半導体レーザにおいて、 前記第２クラッド層のリッジ部の側面近傍において、該
リッジ部の両側の前記第２クラッド層の厚みが薄くなっ
ている横モード制御領域を形成するようにしたことを特
徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザにおいて、
前記化合物半導体基板はＧａＡｓ基板、前記第１クラッ
ド層はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、前記第２クラッド
層はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層であることを特徴とす
る半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28427195A JPH09129967A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28427195A JPH09129967A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129967A true JPH09129967A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17676374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28427195A Withdrawn JPH09129967A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129967A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303052A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 |
| KR101254817B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2013-04-15 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 |
| DE102022133047A1 (de) * | 2022-12-12 | 2024-06-13 | Ams-Osram International Gmbh | Kantenemittierender halbleiterlaser, verfahren zur herstellung einer vielzahl kantenemittierender halbleiterlaser, laserbauelement und verfahren zur herstellung eines laserbauelements |
-
1995
- 1995-11-01 JP JP28427195A patent/JPH09129967A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303052A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 |
| KR101254817B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2013-04-15 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 |
| DE102022133047A1 (de) * | 2022-12-12 | 2024-06-13 | Ams-Osram International Gmbh | Kantenemittierender halbleiterlaser, verfahren zur herstellung einer vielzahl kantenemittierender halbleiterlaser, laserbauelement und verfahren zur herstellung eines laserbauelements |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |