JPH11112081A - 半導体レーザ，及びその製造方法 - Google Patents

半導体レーザ，及びその製造方法

Info

Publication number
JPH11112081A
JPH11112081A JP9268392A JP26839297A JPH11112081A JP H11112081 A JPH11112081 A JP H11112081A JP 9268392 A JP9268392 A JP 9268392A JP 26839297 A JP26839297 A JP 26839297A JP H11112081 A JPH11112081 A JP H11112081A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cladding layer
layer
semiconductor laser
spot size
ridge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9268392A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Kimura
達也 木村
Muneharu Miyashita
宗治 宮下
Yutaka Mihashi
豊 三橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP9268392A priority Critical patent/JPH11112081A/ja
Priority to US09/020,857 priority patent/US6018539A/en
Publication of JPH11112081A publication Critical patent/JPH11112081A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
    • H01S5/106—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying thickness along the optical axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
    • H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2077—Methods of obtaining the confinement using lateral bandgap control during growth, e.g. selective growth, mask induced
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2272—Buried mesa structure ; Striped active layer grown by a mask induced selective growth

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い信頼性を有する、スポットサイズ変換部
と利得部とを同一基板上に集積してなる半導体レーザ，
及びその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 下クラッド層３上に配置された、利得部
３００においては厚さが一定であり、スポットサイズ変
換部２００においては上記利得領域から離れるにつれて
その厚さが順次薄くなっている活性層４と、この活性層
４上に配置されたその上部に、上記利得部３００とスポ
ットサイズ変換部２００との配列方向に向かって伸びる
リッジ形状部１０を有する、第１上クラッド層５と第２
上クラッド層７とからなる上クラッド層と、リッジ形状
部１０の上部平坦面上にコンタクト層８を挟んで配置さ
れたｐ側電極１２とを備えるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体レーザ及び
その製造方法に関し、特に、スポットサイズ変換部と利
得部とを集積してなるスポットサイズ変換型短波長半導
体レーザ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１１は従来の発振波長が０．９８μｍ
である短波長半導体レーザの構造を示す斜視図であり、
図において、面方位が（００１）であるｎ型（以下、ｎ
−と称す）ＧａＡｓ基板１上に、キャリア濃度が１×１
０18ｃｍ-3であるｎ−ＧａＡｓバッファ層２、キャリア
濃度が１×１０18ｃｍ-3で、厚さが１．５μｍであるｎ
−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層３、ＩｎＧａＡｓ層とＧａ
Ａｓ層とを交互に積層してなるアンドープの多重量子井
戸（ＭＱＷ）活性層４、厚さが１．５μｍでキャリア濃
度が１×１０18ｃｍ-3であるｐ型（以下、ｐ−と称す）
ＡｌＧａＡｓ上クラッド層１６、キャリア濃度が０．５
μｍで厚さが１×１０19ｃｍ-3であるｐ−ＧａＡｓコン
タクト層８が順次配置されている。上クラッド層１６の
上部とコンタクト層８には、レーザ共振器長方向に伸び
るそれぞれの幅が２０μｍ程度である２本の溝が設けら
れており、この溝に挟まれた領域がリッジ形状部１０と
なっている。このリッジ形状部１０の上部の幅は約１μ
ｍである。コンタクト層８上には、ＳｉＯ2 等の絶縁膜
１１が設けられており、この絶縁膜１１のリッジ形状部
１０の上部の平坦面上には、幅１μｍ程度の開口部１１
ａが設けられている。ｐ側電極１２は絶縁膜１１上に、
上記開口部１１ａを覆うように配置されており、ｐ側電
極１２は開口部１１ａを介してコンタクト層８とオーミ
ック接触している。ｎ側電極１３は基板１の裏面側に配
置されている。１対のレーザ共振器端面１４はリッジ形
状部１０の伸びる方向に対して垂直に形成されている。
【０００３】図１２は従来の半導体レーザの製造方法を
示す断面図であり、図において、図１１と同一符号は同
一又は相当する部分を示している。以下、図１２に基づ
いて製造方法について説明する。
【０００４】まず、図１２(a) に示すように、ウエハ状
態のｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層
２、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ＭＱＷ活性層４、
ｐ−ＡｌＧａＡｓ上クラッド層１６、ｐ−ＧａＡｓコン
タクト層８を順次、ＭＯＣＶＤ(metal organic chemica
l vapor deposition) 法を用いて成長させる。
【０００５】次に、図１２(b) に示すように、コンタク
ト層８の上面全体にＳｉＯ2 膜をスパッタ法により蒸着
し、このＳｉＯ2 膜を露光技術と，フッ酸系エッチャン
トを用いたウエットエッチングまたはＣＦ4 ガスを用い
たドライエッチング等のエッチング技術とを用いて加工
して、レーザ共振器長方向となる方向に伸びる互いに平
行な２本の溝１５ａを備えたＳｉＯ2 からなる選択マス
ク１５を形成する。このマスク１５の２本の溝１５ａに
挟まれた中央のマスク幅は約１μｍ、溝１５ａのそれぞ
れの幅は約２０μｍとする。
【０００６】続いて、図１２(c) に示すように、選択マ
スク２１をマスクとしてｐ−ＧａＡｓコンタクト層８及
びｐ−ＡｌＧａＡｓ上クラッド層１６の上部を酒石酸系
のエッチング液を用いたウェットエッチングで除去す
る。このエッチングの深さは１．１μｍとする。これに
より、選択マスク１５の中央のマスクの下部にリッジ形
状部１０が形成される。
【０００７】その後、選択マスク１５を除去後、再度絶
縁膜として例えばＳｉＯ2 膜をスパッタ法により基板１
の上方全面に蒸着し、写真製版技術を用いて、図１２
(d) に示すように、リッジ形状部１０の上部の平坦面に
幅１μｍの開口部１１ａを形成して、開口部１１ａを備
えた絶縁膜１１を設ける。
【０００８】最後に、絶縁膜１１上の開口部１１ａ上の
領域を含めた領域にｐ側電極１２を形成し、基板１の裏
面にｎ側電極１３を形成し、へき開により共振器端面１
４を形成するとともに、ウエハから各素子を分離するこ
とにより、図１１に示すような半導体レーザを得る。
【０００９】次に、従来の半導体レーザの動作原理につ
いて説明する。ｐ側電極１２から注入されるホールは、
共振器長方向に対して垂直な断面形状が台形形状である
リッジ形状部１０内に狭窄され効率よく活性層４に注入
されて、ｎ側電極１３から注入される電子と再結合し光
を放出する。光は縦方向、即ち基板１表面に対して垂直
な方向においては活性層４の上下に設けられた下クラッ
ド層３，上クラッド層１６，とにより、また横方向，即
ち基板１表面に対して平行，かつレーザ共振器長方向に
対して垂直である方向においてはリッジ形状部１０の横
には屈折率が半導体層よりも小さい空気が存在している
ため、横方向の実効的な屈折率分布により閉じ込められ
る。
【００１０】ここで、この半導体レーザのレーザ共振器
端面１４から放出されるレーザ光のファフィールド(far
field) ，即ち遠視野像に対する基板１表面に垂直な方
向の放射角度，及び基板１表面に水平な方向の放射角度
は、それぞれ２７゜及び８゜であり、ファフィールドは
縦方向に伸びる楕円形形状である。このため、このレー
ザ光を光ファイバに結合させた場合、レーザ光が円形の
ものを光ファイバに結合させた場合に比べて２０〜３０
％程度、結合効率が悪いという問題があった。したがっ
て、この従来の半導体レーザを用いて、レーザ光と光フ
ァイバとの十分な結合効率を得るためには、レーザ光の
出力を高出力にしなければならなかったが、高出力動作
させると半導体レーザの劣化が起こりやすく、信頼性が
低下するという問題があった。
【００１１】また、この半導体レーザにおいては、レー
ザ光が半導体レーザ内においては活性層４に閉じ込めら
れて導波される結果、レーザ共振器端面の発光スポット
が小さくなり、レーザ光がレーザ共振器端面から広がっ
て出射される。このため、出射されるレーザ光のスポッ
トサイズが大きいため、光ファイバと半導体レーザとの
間に、光ファイバとレーザ光とを結合させるためのレン
ズを設ける必要がある。これにより、レンズを位置合わ
せして取り付ける工程が増え、アセンブリコストが高く
なるという問題があった。
【００１２】また、このような従来の半導体レーザは、
約２００ｍＷの高出力で発振させると、レーザ共振器端
面における光の吸収によって端面破壊が起こるため、経
時的な信頼性が低いという問題があった。
【００１３】このような問題点を解決するために、光を
発生させる利得部とスポットサイズを変換する機能を備
えたスポットサイズ変換部とを集積したスポットサイズ
変換型半導体レーザの構造がElectronics Letters Vol.
31 (1995) p.1071等に開示されている。
【００１４】例えば、特公平８−３１６５２号公報に
は、図２１に示すように、ｐ−ＧａＡｓ基板６１の所定
の領域のみに配置された、その間に基板６１の表面が露
出した一定幅のストライプ部を備えた１対のＳｉＯ2 膜
６９を選択成長マスクとして、ｐ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ
クラッド層６２、ｐ−Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ活性層６３、
ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層６４、ｎ−ＧａＡｓ
コンタクト層６５を選択成長させてなる、従来の他の半
導体レーザが開示されている。この半導体レーザにおい
ては、レーザ共振器端面部付近の活性層６３の厚さが活
性層６３の他の部分の厚さよりも薄くなるため、レーザ
共振器端面部付近で活性層６３から上下のクラッド層に
しみだす光が増加して、端面での発光スポットが大きく
なり、端面から放射される放射ビームが狭くなる。ま
た、レーザ端面における光密度が低減され、端面破壊が
起こりにくくなり、高出力動作が可能となる。
【００１５】図１３は従来のスポットサイズ変換型半導
体レーザの構造を示す斜視図（図１３(a))，及びこの図
１３(a) のXIIIb −XIIIb 線による断面に相当する図
（図１３(b))であり、この半導体レーザは、スポットサ
イズ変換部２００と、レーザ光を発生させるための利得
部３００とを同一基板上に互いに隣接するよう集積して
なる長波長半導体レーザである。図において、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１０１上に、ｎ−ＩｎＰ下クラッド層１０２、組
成の異なる２種類のＩｎＧａＡｓＰ層を交互に積層して
なるアンドープの多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層１０
３、ｐ−ＩｎＰ第１上クラッド層１０４が順次積層され
ている。第１上クラッド層１０４，活性層１０３，及び
下クラッド層１０２は平面形状が一定幅のストライプ形
状であるリッジ形状部１１３となっている。ｐ−ＩｎＰ
電流ブロック層１０５，及びｎ−ＩｎＰ電流ブロック層
１０６はリッジ形状部１１３の両側に、リッジ形状部１
１３を埋め込むように順次配置されている。ｐ−ＩｎＰ
第２上クラッド層１０７、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト
層１０８はリッジ形状部１１３，及びｎ−ＩｎＰ電流ブ
ロック層１０６上に順次配置されている。下クラッド層
１０２，活性層１０３，及び第１上クラッド層１０４
は、利得部３００においては厚さが一定であるととも
に、スポットサイズ変換部２００においては厚さが利得
部３００から離れるに従って、その利得部３００におけ
る厚さより順次厚さが薄くなっている。ｐ側電極１０９
はコンタクト層１０８の利得部３００上の領域に配置さ
れている。ｎ側電極１１０は基板１０１の裏面上に配置
されている。
【００１６】図１４は従来のスポットサイズ変換型半導
体レーザの製造方法を示す斜視図であり、図において、
利得領域３００ａは基板１上の利得部３００を形成する
領域，スポットサイズ変換領域２００ａは基板１上のス
ポットサイズ変換部２００を形成する領域を示してい
る。以下、この図１４に基づいて半導体レーザの製造方
法を説明する。
【００１７】まず、図１４(a) に示すように、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１０１上に、ＳｉＯ2 等の絶縁膜を形成し、この
絶縁膜の所定の領域を露光技術とエッチング技術とを用
いて除去することにより、利得領域３００ａ上に選択マ
スク１１１を形成する。この選択マスクは、利得領域３
００ａとスポットサイズ変換領域２００ａとの配列方
向、即ち共振器長方向となる方向に向かって伸びる，平
面形状がストライプ状の長方形形状である一対の絶縁膜
からなり、それぞれの絶縁膜は所定の間隔を隔てて互い
に平行に配置されている。
【００１８】次に、図１４(b) に示すように、上記選択
マスク１１１をマスクとして基板１０１上に、下クラッ
ド層１０２、ＭＱＷ活性層１０３、第１上クラッド層１
０４をＭＯＣＶＤ法を用いて順次結晶成長させる。この
時、選択マスク１１１が設けられているため、基板１０
１の表面において結晶成長速度の分布が生じ、利得領域
３００ａの，選択マスク１１１に挟まれた領域における
結晶成長速度が、スポットサイズ変換領域２００ａにお
ける結晶成長速度よりも速くなる。さらに、スポットサ
イズ変換領域２００ａにおいては、選択マスク１１１か
ら離れるにしたがって、その結晶成長速度が遅くなる。
この結果、上記基板１０１上に形成される各半導体層
は、利得領域３００ａにおいては均一な厚さを有するも
のとなるとともに、スポットサイズ変換領域２００ａに
おいては、利得領域３００ａから離れるに従って順次そ
の厚さが利得領域３００ａの厚さよりも薄いものとな
る。
【００１９】次に、図１４(c) に示すように、選択マス
ク１１１を除去した後、第１上クラッド層１０４上に、
利得領域３００ａとスポットサイズ変換領域２００ａと
の配列方向に向かって伸びる一定幅のストライプ形状の
選択マスク１１２を形成し、これをマスクとして第１上
クラッド層１０４から、基板１に達するまでウエットエ
ッチングを行い、選択マスク１１２の下部に、リッジ形
状部１１３を形成する。
【００２０】さらに、図１４(d) に示すように、この選
択マスク１１２を選択成長マスクとして用いて、リッジ
形状部１１３を埋め込むようにｐ−ＩｎＰ電流ブロック
層１０５，及びｎ−ＩｎＰ電流ブロック層１０６とを順
次成長させる。
【００２１】その後、選択マスク１１２を除去した後、
リッジ形状部１１３上及びｎ−ＩｎＰ電流ブロック層１
０６上に第２上クラッド層１０７と、コンタクト層１０
８とを順次結晶成長させ、コンタクト層１０８の利得領
域３００ａ上にｐ側電極１０９を形成し、基板１０１の
裏面上にｎ側電極１１０を形成し、へき開を行ってレー
ザ共振器端面を形成することにより、図１３に示すよう
な半導体レーザを得る。
【００２２】次に、この従来のスポットサイズ変換型半
導体レーザにおいては、利得部３００において、ｐ側電
極１０９から注入されるホールは、一定の幅のリッジ形
状部１１３内で狭窄されて効率よく活性層１０３に注入
されて、ｎ側電極１１０から注入される電子と再結合し
光を放出する。この光は活性層１０３近傍を導波されて
スポットサイズ変換部２００に入射される。
【００２３】ここで、スポットサイズ変換部２００で
は、レーザ共振器端面に近づくにしたがって順次活性層
１０３の層厚が薄くなっているので、レーザ共振器端面
に近づくにしたがって活性層１０４から下クラッド層１
０２，第１上クラッド層１０４，及び第２上クラッド層
１０７にしみ出す光が多くなる。このため、スポットサ
イズ変換部２００内ではレーザ光は共振器端面に近づく
にしたがい縦方向に広がって導波される。この結果、レ
ーザ共振器端面の発光スポットの縦方向の幅が広くな
り、レーザ共振器端面から出力されるレーザ光のファフ
ィールドの縦方向の幅は狭くなる。従って、この従来の
半導体レーザにおいては、ファフィールドをほぼ円形形
状とすることができ、レーザ光と光ファイバ等との結合
効率を向上させることができる。
【００２４】また、スポットサイズ変換部２００内で
は、レーザ共振器端面に近づくにつれてレーザ光が縦方
向において広がりながら導波されるため、レーザ共振器
端面から出力されるレーザ光の発光スポットを大きくし
て、レーザ共振器端面から出射されるレーザ光のスポッ
トサイズを小さくして、直接光ファイバ等にレーザ光を
入射させるようにすることができるので、光ファイバと
半導体レーザとの間にスポットサイズを小さくするため
のレンズを設ける必要を無くしてアセンブリコストを安
価にすることができる。
【００２５】また、活性層１０３内に閉じ込められるレ
ーザ光が、スポットサイズ変換部２００側のレーザ共振
器端面では少なくなるので、レーザ共振器端面での光密
度が下がり、高出力動作時におけるレーザ共振器端面で
の光吸収によって起こる端面破壊を防ぐことができ、経
時的な信頼性を向上させることができる。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１３
に示すような従来のスポットサイズ変換型半導体レーザ
においては、電流を狭窄して流すためのリッジ形状部１
１３に活性層１０３が含まれているため、エッチングを
行ってリッジ形状部１１３を形成し、このリッジ形状部
１１３を埋め込むように電流ブロック層１０２を再成長
させる工程において、再成長界面となる活性層１０３の
側部が一旦外気に露出して酸化される。このように、活
性層１０３の電流が注入される部分の一部にこのような
酸化された部分が存在すると、この酸化されている部分
のバンドギャップエネルギーが活性層の他の部分よりも
狭くなって、半導体レーザの駆動時に活性層１０３に電
流が注入されることにより発生した光がこの酸化された
部分において吸収されるため、この部分で発熱が起こ
り、活性層１０３の側部近傍の半導体層が溶けて、半導
体レーザの内部構造が破壊され、レーザ特性が急激に劣
化してしまう。この結果、経時的な信頼性が得られなく
なるという問題があった。
【００２７】特に、図１３に示した構造を有する半導体
レーザにおいて、出射光の波長を短波長とするために、
ＡｌやＧａを含む混晶半導体材料を活性層等の材料に用
いる場合、活性層が特に酸化しやすいＡｌを含む材料か
らなるため、活性層の再成長界面となる側部に酸化が起
こりやすく、経時的な信頼性を得ることが非常に困難で
あるという問題があった。
【００２８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、高い信頼性を有する、スポ
ットサイズ変換部と利得部とを同一基板上に集積してな
る半導体レーザ、及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【００２９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザは、互いに隣接するよう配列されている利得領域
と，スポットサイズ変換領域とを有する第１導電型半導
体基板と、該基板上に配置された第１導電型下クラッド
層と、該第１導電型下クラッド層上に配置された、利得
領域においては厚さが一定であり、スポットサイズ変換
領域においては上記利得領域から離れるにつれてその厚
さが順次薄くなっている活性層と、該活性層上に配置さ
れた、その上部に、上記利得領域とスポットサイズ変換
領域との配列方向に向かって伸びるリッジ形状部を有す
る第２導電型上クラッド層と、上記上クラッド層のリッ
ジ形状部上に、第２導電型コンタクト層を挟んで配置さ
れた第１の電極と、上記基板の裏面上に配置された第２
の電極とを備えたものである。
【００３０】また、上記半導体レーザにおいて、上記下
クラッド層は、第１の下クラッド層と、該第１の下クラ
ッド層上に配置された第２の下クラッド層とからなり、
上記第１下クラッド層の厚さは、均一な厚さであり、上
記第２下クラッド層は、その厚さが利得領域においては
一定で、スポットサイズ変換領域においては上記利得領
域から離れるにつれて順次薄くなっているようにしたも
のである。
【００３１】また、上記半導体レーザにおいて、上記第
２下クラッド層の厚さを、上記第１下クラッド層の厚さ
よりも薄くしたものである。
【００３２】また、上記半導体レーザにおいて、上記上
クラッド層は、第１の上クラッド層と、該第１の上クラ
ッド層上に配置された、その上部に上記リッジ形状部を
有する第２の上クラッド層とからなり、上記第１上クラ
ッド層は、その厚さが利得領域においては一定で、スポ
ットサイズ変換領域においては上記利得領域から離れる
につれて順次薄くなっており、上記第２上クラッド層の
厚さを、均一な厚さとしたものである。
【００３３】また、上記半導体レーザにおいて、上記第
１上クラッド層の厚さを、上記第２上クラッド層の厚さ
よりも薄くしたものである。
【００３４】また、上記半導体レーザにおいて、上記リ
ッジ形状部を、上記利得領域上においてはその幅が一定
であり、上記スポットサイズ変換部上においてはその幅
が、上記利得領域から離れるに従って順次狭くなってい
るようにしたものである。
【００３５】また、上記半導体レーザにおいて、上記リ
ッジ形状部の周囲の第２上クラッド層上に、該リッジ形
状部を埋め込むように、第１導電型電流ブロック層が配
置するようにしたものである。
【００３６】また、上記半導体レーザにおいて、上記活
性層は量子井戸構造を有しており、上記基板、下クラッ
ド層、活性層、及び上クラッド層は、上記リッジ形状部
の伸びる方向に対して垂直な１対のレーザ共振器端面を
備えており、上記活性層のスポットサイズ変換領域側の
レーザ共振器端面近傍部分を、その量子井戸構造が無秩
序化されているようにしたものである。
【００３７】また、上記半導体レーザにおいて、上記基
板の利得領域上に配置された下クラッド層、活性層、及
び上クラッド層を、上記基板の幅方向の中央部近傍のみ
に配置するようにしたものである。
【００３８】また、上記半導体レーザにおいて、上記活
性層を、ＡｌまたはＧａの少なくとも一方を含む混晶半
導体層からなるようにしたものである。
【００３９】また、この発明に係る半導体レーザの製造
方法は、互いに隣接するよう配列されている利得領域
と，スポットサイズ変換領域とを有する第１導電型半導
体基板を用意し、該基板上に、第１導電型下クラッド層
と、利得領域においては厚さが一定で，スポットサイズ
変換領域においては、上記利得領域から離れるにつれて
その厚さが順次薄くなっている活性層と、上記利得領域
とスポットサイズ変換領域との配列方向に向かって伸び
るリッジ形状部をその上部に有する第２導電型上クラッ
ド層を形成する工程とを備えるようにしたものである。
【００４０】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層は、上記利得領域とスポットサイズ変換
領域との配列方向に向かって伸びる，それぞれの上記利
得領域における幅が一定であるとともに、それぞれの上
記スポットサイズ変換領域における幅が上記利得領域の
幅よりも狭い，または０である、所定の間隔を隔てて互
いに平行に配置された２つの絶縁膜からなる選択成長マ
スクを用いて選択成長させることにより形成するように
したものである。
【００４１】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記下クラッド層は、第１下クラッド層と、第２下
クラッド層とからなり、上記下クラッド層を形成する工
程は、上記第１下クラッド層を上記基板上に均一な厚さ
となるよう形成する工程と、上記選択成長マスクを用い
て上記第２下クラッド層を上記第１下クラッド層上に選
択成長させる工程とからなるようにしたものである。
【００４２】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記上クラッド層は、第１上クラッド層と、第２上
クラッド層とからなり、上記上クラッド層を形成する工
程は、上記第１上クラッド層を上記選択成長マスクを用
いて上記活性層上に結晶成長させる工程と、上記選択成
長マスクを除去し、該第１上クラッド層上に上記第２上
クラッド層を結晶成長させる工程と、該第２上クラッド
層の上部を上記リッジ形状部となるよう選択エッチング
する工程とからなるようにしたものである。
【００４３】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記上クラッド層は、第１上クラッド層と、第２上
クラッド層とからなり、上記上クラッド層を形成する工
程は、上記第１上クラッド層を上記選択成長マスクを用
いて上記活性層上に結晶成長させる工程と、上記選択成
長マスクを除去し、該第１上クラッド層上に上記第２上
クラッド層をリッジ形状となるよう選択成長させる工程
とからなるようにしたものである。
【００４４】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１に係る半導
体レーザの構造を示す斜視図（図１(a))，及びこの図１
(a) のIb−Ib線による断面に相当する図（図１(b))であ
り、この半導体レーザは、スポットサイズ変換部２００
と、レーザ光を発生させるための利得部３００とを同一
基板上に互いに隣接するよう集積してなる、発振波長が
０．９８μｍであるスポットサイズ変換型短波長半導体
レーザである。図において、面方位が（００１）である
ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、キャリア濃度が１×１０18ｃ
ｍ-3であるｎ−ＧａＡｓバッファ層２、キャリア濃度が
１×１０18ｃｍ-3で、厚さが１．５μｍであるｎ−Ａｌ
ＧａＡｓ下クラッド層３、ＩｎＧａＡｓ層とＧａＡｓ層
とを交互に積層してなるアンドープの多重量子井戸（Ｍ
ＱＷ）活性層４、厚さが０．１μｍでキャリア濃度が１
×１０18ｃｍ-3であるｐ型（以下、ｐ−と称す）ＡｌＧ
ａＡｓ第１上クラッド層５、厚さが１０ｎｍでキャリア
濃度が１×１０18ｃｍ-3であるｐ−ＧａＡｓキャップ層
６、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3で厚さが１．４μ
ｍであるｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層７、キャリ
ア濃度が０．５μｍで厚さが１×１０19ｃｍ-3であるｐ
−ＧａＡｓコンタクト層８が順次配置されている。な
お、ここで述べている厚さは、各半導体層の最も厚さの
厚い部分の厚さである。下クラッド層３，活性層４，第
１上クラッド層５は、利得部３００においては厚さが一
定であるとともに、スポットサイズ変換部２００におい
ては厚さが利得部３００から離れるに従って、その利得
部の厚さより順次厚さが薄くなっている。キャップ層６
の厚さは非常に薄く、ここでは光の吸収は起こらない。
このため、第１上クラッド層５と第２上クラッド層７と
は実質的に１つの上クラッド層に相当するものとなって
いる。第２上クラッド層７の上部とコンタクト層８に
は、それぞれ、利得部３００とスポットサイズ変換部２
００との配列方向，即ちレーザ共振器長方向に伸びるそ
れぞれの幅が２０μｍ程度である２本の溝が設けられて
おり、この溝に挟まれた領域がリッジ形状部１０となっ
ている。このリッジ形状部１０の上部の幅は約１μｍで
ある。なお、ここでは、リッジ形状部１０の溝部を介し
た両側にも、リッジ形状部１０と同じ高さの第２上クラ
ッド層７とコンタクト層８とが設けられているが、これ
は、この半導体レーザを載置台等に、その基板１上方の
面が載置台側となるように載置する際に、基板１上にお
いて半導体レーザの高さをできるだけ均一にして、半導
体レーザを安定して取り付けられるようにするためのも
のである。コンタクト層８上には、ＳｉＯ2 等の絶縁膜
２２が設けられており、この絶縁膜２２のリッジ形状部
１０の上部の平坦面上には、幅１μｍ程度の開口部２２
ｂが設けられている。第１の電極であるｐ側電極１２は
絶縁膜２２上に、上記開口部２２ａを覆うように配置さ
れており、ｐ側電極１２は開口部２２ａを介してリッジ
形状部１０の上部平坦面のコンタクト層８とオーミック
接触している。つまり、ｐ側電極１２はコンタクト層８
を挟んで第２上クラッド層７のリッジ形状を有する部分
上に配置されている。第２の電極であるｎ側電極１３は
基板１の裏面側に配置されている。１対のレーザ共振器
端面１４はリッジ形状部１０の伸びる方向に対して垂直
に形成されている。この半導体レーザのスポットサイズ
変換部２００のレーザ共振器長方向の長さは１５０μｍ
で、利得部３００のレーザ共振器長方向の長さは９００
μｍである。
【００４５】図２は本発明の実施の形態１に係る半導体
レーザの製造方法を示す斜視図であり、利得領域３００
ａは基板１上の利得部３００を形成する領域，スポット
サイズ変換領域２００ａは基板１上のスポットサイズ変
換部２００を形成する領域を示している。以下この図２
を用いて半導体レーザの製造方法を説明する。
【００４６】まず、図２(a) に示すように、互いに隣接
した利得領域３００ａとスポットサイズ変換領域２００
ａとを有する，面方位が（００１）であるウエハ状態の
ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ＳｉＯ2 等の絶縁膜を形成
し、この絶縁膜の所定の領域を露光技術とエッチング技
術とを用いて除去することにより、利得領域３００ａ上
に、選択マスク２０を形成する。
【００４７】図３はこの実施の形態１に係る半導体レー
ザの製造方法に用いられる選択マスク２０の平面形状を
説明するための、ウエハ状態の基板１をその上方からみ
た平面図であり、図３において素子形成領域１００が図
２において示している半導体レーザの１素子を形成する
領域に相当する。選択マスク２０は、図３に示すよう
に、利得領域３００ａとスポットサイズ変換領域２００
ａとの配列方向、即ちレーザ共振器長方向となる方向に
向かって伸びる，平面形状がストライプ状の長方形形状
である一対の絶縁膜２０ａからなり、絶縁膜２０ａのそ
れぞれの幅は７０μｍ、共振器長方向の長さは１８００
μｍである。この２つの誘電体膜２０ａは互いに平行に
配置されており、この誘電体膜２０ａ同士の間隔は５０
μｍである。ここでは特にこの誘電体膜２０ａの伸びる
方向を＜／１１０＞方向としている。なお、本明細書中
／１はバー１を示すものとする。
【００４８】次に、図２(b) に示すように、上記選択マ
スク２０をマスクとして基板１上に、ｎ−ＧａＡｓバッ
ファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ＭＱＷ活性
層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層５、第１上クラ
ッド層５の表面を外気から保護するためのｐ−ＧａＡｓ
キャップ層６をＭＯＣＶＤ法を用いて順次結晶成長させ
る。この時、選択マスク２０が設けられているため、基
板１の表面において成長速度の分布が生じ、利得領域３
００ａの，選択マスク２０を構成する誘電体膜２０ａ同
士に挟まれた領域における結晶成長速度が、スポットサ
イズ変換領域２００ａにおける結晶成長速度よりも速く
なる。さらに、スポットサイズ変換領域２００ａにおい
ては、選択マスク２０から離れるにしたがって、その結
晶成長速度が遅くなる。この結果、上記基板１上に形成
される各半導体層は、利得領域３００ａにおいては均一
な厚さを有するものとなるとともに、スポットサイズ変
換領域２００ａにおいては、利得領域３００ａから離れ
るに従って順次その厚さが順次利得領域３００ａに形成
される厚さよりも薄いものとなる。
【００４９】図１５は、図２(b) のXV−XV線による断面
図であり、この図１５に示すように、選択マスク２０の
ある利得領域３００ａでは、マスクのない領域であるス
ポットサイズ変換領域２００ａに比べて成長速度が増加
し成長膜厚が厚くなる。また、選択マスク２０の端部か
らはマスクのない領域に向かって徐々に成長膜厚が薄く
なっている。
【００５０】次に、図２(c) に示すように、選択マスク
２０を除去し、基板１の上方全面にｐ−ＡｌＧａＡｓ第
２上クラッド層７、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８をＭＯ
ＣＶＤ法を用いて成長する。
【００５１】続いて、図２(d) に示すように、基板上方
全面にＳｉＯ2 等の絶縁膜を堆積させ、これをパターン
形成したレジスト等をマスクとして用いてエッチングし
て、選択マスク２１を形成する。この選択マスク２１
は、利得領域３００ａとスポットサイズ変換領域２００
ａとの配列方向に向かって伸びる平面形状がストライプ
形状の選択マスク２１ａと、この両側に所定の間隔を隔
てて平行に配列された選択マスク２１ｂとからなり、選
択マスク２１ａは、利得領域３００ａ上においては、上
記選択マスク２０に挟まれた領域上に、この挟まれた領
域の中央部分を貫通するように、配置されている。選択
マスク２１ａのマスク幅は約１μｍ、選択マスク２１ａ
と選択マスク２１ｂのそれぞれとの間隔は約２０μｍと
する。
【００５２】次に、図２(e) に示すように、この選択マ
スク２１をマスクとしてｐ−ＧａＡｓコンタクト層８及
びｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層７を、コンタクト
層８の表面から深さが１．１μｍとなるまで、酒石酸系
エッチング液を用いたウェットエッチングにより除去す
る。これにより、選択マスク２１ａと選択マスク２１ｂ
とに挟まれた領域に溝が形成されるとともに、選択マス
ク２１ａの下部に、コンタクト層８と第２上クラッド層
７とからなる、ストライプ形状のリッジ形状部１０が形
成される。このとき、上述したように、活性層４及び第
１上クラッド層５の厚さは、基板１表面においては均一
ではないが、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８及びｐ−Ａｌ
ＧａＡｓ第２上クラッド層７は選択マスク２０を用いず
に結晶成長させたものであるため、その層厚が基板１表
面ではほぼ一定の厚さとなっている。従って、基板１表
面の利得領域３００ａ及びスポットサイズ変換領域２０
０ａ上のコンタクト層８と第２上クラッド層７とを同時
に一定の深さまでウェットエッチングしてリッジ形状部
１０を形成することにより、活性層４を表面に露出させ
ることなくリッジ形状部１０を得ることができる。ま
た、均一な深さとなるようにエッチングすればよいので
エッチングの制御が容易である。なお、リッジ形状部１
０を形成する際のエッチングの深さを制御するために、
予め、第２上クラッド層７のエッチングを停止させたい
所定の高さ位置に、第２上クラッド層７よりもエッチン
グレートが低い、十分に厚さが薄いエッチングストッパ
層を設けておくようにしてもよい。
【００５３】次に、選択マスク２１を除去後、再度Ｓｉ
Ｏ2 等の絶縁膜２２をスパッタ法により基板１の上方全
面に蒸着し、写真製版技術を用いて、図２(f) に示すよ
うに、この絶縁膜２２の、リッジ形状部１０の上部の平
坦面上の領域に、幅が約１μｍのストライプ形状の開口
部２２ａを設ける。最後に、利得領域３００ａ上の領域
にｐ側電極１２を形成し、基板１の裏面側にｎ側電極１
３を形成して、リッジ形状部１０の伸びる方向に対して
垂直な方向においてへき開を行うことにより、レーザ共
振器端面１４を形成するとともに、ウエハから半導体レ
ーザの素子を分離して、図１に示すような半導体レーザ
を得る。
【００５４】次に、本実施の形態１に係る半導体レーザ
の動作原理について説明する。利得部３００において、
ｐ側電極１２から注入されるホールは、共振器長方向に
対して垂直な断面形状が台形形状であるリッジ形状部１
０内で狭窄されて、効率よくリッジ形状部１０下の活性
層４に注入されて、ｎ側電極１３から注入される電子と
再結合し光を放出する。光は縦方向では活性層４の上下
に設けられた下クラッド層３，第１上クラッド層５，第
２上クラッド層７とにより活性層４近傍に閉じ込められ
る。また横方向では、リッジ形状部１０の両側に屈折率
がリッジ形状部１０を構成する半導体層よりも小さい空
気が存在していることによって生じる横方向の実効的な
屈折率分布により閉じ込められる。利得部３００により
発生された光は、活性層４のリッジ形状部１０の下方に
位置する部分に沿って導波されてスポットサイズ変換部
２００に入射される。
【００５５】ここで、図１(b) に示すように、この実施
の形態１に係る半導体レーザにおいては、スポットサイ
ズ変換部２００では、導波路方向に活性層４の層厚が薄
くなっているので、活性層４の厚さの薄い部分、即ちス
ポットサイズ変換部２００側の共振器端面１４付近で
は、活性層４から下クラッド層３，第１上クラッド層
５，及び第２上クラッド層７にしみ出す光が多くなる。
このため、スポットサイズ変換部２００内においては共
振器端面１４に近づくにつれてレーザ光は縦方向に広が
りながら導波される。この結果、レーザ共振器端面の発
光スポットが大きくなり、レーザ共振器端面１４から出
力されるレーザ光のファフィールドの縦方向の幅は狭く
なる。従って、本実施の形態１においては、ファフィー
ルドの基板１表面に対して垂直な方向の長さを狭くし
て、ファフィールドをほぼ円形形状とすることができ、
レーザ光と光ファイバ等との結合効率を向上させること
ができる。
【００５６】また、スポットサイズ変換部２００内にお
いて、共振器端面１４に近づくにつれてレーザ光を縦方
向において広がるよう導波させることによって、レーザ
共振器端面１４から出力されるレーザ光のスポットサイ
ズを小さくして、直接光ファイバ等にレーザ光を入射さ
せるようにすることができるので、光ファイバ等と半導
体レーザとの間にスポットサイズを小さくするためのレ
ンズを設ける必要がなくし、アセンブリコストを安価に
することができる。
【００５７】また、活性層４内に閉じ込められるレーザ
光が、スポットサイズ変換部２００側のレーザ共振器端
面１４では少なくなるので、レーザ共振器端面１４での
光密度が下がり、高出力動作時におけるレーザ共振器端
面１４での光吸収による端面破壊が起こりにくくなり、
経時的な信頼性を向上させることができる。
【００５８】さらに、この実施の形態１に係る半導体レ
ーザにおいては、活性層４上にリッジ形状部１０を形成
し、このリッジ形状部１０によりリッジ形状部１０の下
方の活性層４に電流を狭窄して注入するようにしてい
る。したがって、図１３に示した従来のスポットサイズ
変換部と利得部とを集積した半導体レーザにおいては、
活性層の電流注入される部分の側部が、電流狭窄を行う
ためのリッジ形状部を形成する工程において外気に露出
されることにより酸化され、この活性層の酸化された部
分によって光が吸収されることにより、レーザの信頼性
を低下させていたが、この実施の形態１に係る半導体レ
ーザにおいては、活性層４の電流が注入される部分に酸
化された部分が存在しないために、活性層４の電流注入
させる領域における光の吸収がなく、半導体レーザ特性
の経時的な劣化をなくして、信頼性の高い半導体レーザ
を提供することができる。
【００５９】また、この実施の形態１に係る半導体レー
ザにおいては、第２の上クラッド層のリッジ形状を有す
る部分の厚さを、利得部３００とスポットサイズ変換部
２００との間で均一としているので、光が導波される活
性層４の近傍部分と、この活性層４に導波される光を吸
収する材料であるＧａＡｓからなるコンタクト層８との
距離を、スポットサイズ変換部２００の領域においても
十分に離すことができ、レーザ光のコンタクト層８にお
ける吸収を無くして、レーザ特性の劣化を防ぐことがで
きる。
【００６０】このように、本実施の形態１においては、
下クラッド層３上に配置された、利得部３００において
は厚さが一定であり、スポットサイズ変換部２００にお
いては上記利得領域から離れるにつれてその厚さが順次
薄くなっている活性層４と、この活性層４上に配置され
た，その上部に上記利得部３００とスポットサイズ変換
部２００との配列方向に向かって伸びるリッジ形状部１
０を有する，第１上クラッド層５と第２上クラッド層７
とからなる上クラッド層と、該リッジ形状部１０の上部
平坦面上にコンタクト層８を挟んで配置されたｐ側電極
１２とを備えるようにしたから、リッジ形状部１０にお
いて電流を狭窄できるとともに、リッジ形状部１０を形
成する際に、活性層４の電流が注入される領域が外気に
露出されないので、活性層４の電流が注入される領域に
酸化された部分が存在しないようにすることができ、信
頼性に優れた，スポットサイズ変換部と利得部とを同一
基板上に集積してなる半導体レーザを提供することがで
きる。
【００６１】実施の形態２．図１６は本発明の実施の形
態２に係る半導体レーザの構造を示す斜視図（図１６
(a))，及び図１６(a) のXVIb-XVIb 線による断面図（図
１６(b))であり、図において、図１と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示している。この実施の形態２に係
る半導体レーザは、上記実施の形態１に係る半導体レー
ザにおいて、スポットサイズ変換部３００と利得部２０
０とにおいて厚さの異なる下クラッド層３を設ける代わ
りに、厚さが基板１上において均一であるキャリア濃度
が１×１０18ｃｍ-3のｎ−ＡｌＧａＡｓ第１下クラッド
層３０と、この第１の下クラッド層３０上に配置され
た、利得部３００においては均一な厚さを有するととも
に、スポットサイズ変換部３００においては利得部３０
０から離れるにつれてその厚さが薄くなっているキャリ
ア濃度が１×１０18ｃｍ-3である第２のｎ−ＡｌＧａＡ
ｓ下クラッド層３３とを積層してなる下クラッド層３４
を設けるようにしたものであり、第２の下クラッド層３
３の厚さは第１の下クラッド層３０よりも十分に厚さが
薄くなるようにする。ここでは、第１の下クラッド層３
０の厚さは１．０μｍとし、第２の下クラッド層３３の
厚さは、厚さの厚い部分が０．５μｍとする。なお、第
２の下クラッド層３３の厚さは、０．１以上０．５μｍ
以下程度であれば良く、下クラッド層３４の全体の厚さ
は１．５μｍ程度となるようにする。また、第１の下ク
ラッド層３０と第２の下クラッド層３１との間にはキャ
リア濃度が１×１０18ｃｍ-3で厚さが５ｎｍであるｎ−
ＧａＡｓキャップ層３１とキャリア濃度が１×１０18ｃ
ｍ-3で厚さが５ｎｍであるｎ−ＧａＡｓバッファ層３２
とが配置されている。このキャップ層３１とバッファ層
３２とは厚さが十分に薄いため、ここでは光の吸収は生
じない。
【００６２】図４はこの実施の形態２に係る半導体レー
ザの製造方法の主要工程を示す斜視図であり、図におい
て、図１６と同一符号は同一又は相当する部分を示して
いる。以下、本実施の形態２に係る半導体レーザの製造
方法について説明する。
【００６３】まず、図４(a) に示すように、面方位が
（００１）であるｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓ
バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１下クラッド層３
０、ｎ−ＧａＡｓキャップ層３１をＭＯＣＶＤ法等を用
いて均一な厚さに結晶成長させる。このキャップ層３１
は酸化されやすい第１下クラッド層３０が外気に触れる
ことを防ぐために設けられている。そして、上記実施の
形態１において説明した活性層等を選択成長させる際に
用いた選択マスクと同様の選択マスク２０をｎ−ＧａＡ
ｓキャップ層３１上に形成する。
【００６４】続いて、図４(b) に示すように、ｎ−Ｇａ
Ａｓバッファ層３２、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第２下クラッド
層３３、ＭＱＷ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラ
ッド層５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６を、ＭＯＣＶＤ法
を用いて順次成長する。その後、上記実施の形態１にお
いて説明した図１(c) 以降と同様の工程により、図１６
に示すような半導体レーザを得る。
【００６５】本実施の形態２においても、選択マスク２
０を用いて形成される活性層４は、スポットサイズ変換
部２００においては、利得部３００から離れるに従い、
その厚さが薄くなっているものであるため、上記実施の
形態１と同様の効果を奏する。また、選択成長されたｎ
−ＡｌＧａＡｓ第２下クラッド層３３の層厚が厚さの厚
い部分でも０．５μｍ程度と薄いため、下クラッド層３
４全体の層厚変化量は下クラッド層全体を選択成長によ
り形成する上記実施の形態１に係る半導体レーザと比較
して小さい。これにより、スポットサイズ変換部２００
と利得部３００との間における活性層４の縦方向の曲が
りが小さくなり、レーザ光の利得部３００とスポットサ
イズ変換部２００との間の光の導波される方向を基板１
の表面とほぼ平行にできるとともに、レーザ光の出射方
向は基板１の表面とほぼ平行にできる。
【００６６】また、第１下クラッド層３０の厚さが均一
な厚さであるため、光が導波される活性層４と、この活
性層４に導波される光を吸収する材料であるＧａＡｓか
らなる基板１との距離を、スポットサイズ変換部２００
の領域においても十分に離すことができ、レーザ光の基
板１における吸収を無くして、レーザ特性の劣化を防ぐ
ことができる。
【００６７】実施の形態３．図５は本発明の実施の形態
３に係る半導体レーザの製造方法の主要工程を示す斜視
図であり、図において、図２と同一符号は同一又は相当
する部分を示している。この実施の形態３は、上記実施
の形態１に係る半導体レーザの製造方法において、第２
上クラッド層とコンタクト層とをストライプ形状のマス
クを用いてエッチングしてリッジ形状部を形成する代わ
りに、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3である厚さ０．
４μｍのｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層５ａ上に、
キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3で厚さが１．０μｍの
第２上クラッド層７ａとコンタクト層８とからなるリッ
ジ形状部１０ａを選択成長するようにして、上記実施の
形態１において説明した半導体レーザと同様の構造の半
導体レーザを得るようにしたものである。
【００６８】以下、図５に基づいて本実施の形態３に係
る半導体レーザの製造方法について説明する。まず、上
記実施の形態１に係る半導体レーザの製造方法の、図１
(b)までに示した工程と同様の工程により、基板１上
に、選択マスク２０を用いて下クラッド層３，活性層
４，厚さ０．４μｍの第１上クラッド層５ａ，及びキャ
ップ層６を順次結晶成長させた後、図５(a) に示すよう
に、キャップ層６上にＳｉＯ2 等の絶縁膜をスパッタ法
により蒸着し、これを露光技術とエッチング技術とを用
いてパターン形成して、リッジ形状部１０ａを形成する
領域の両側に２本の選択マスク２３を形成する。マスク
間隔は約４μｍ、マスク幅は約２０μｍとする。この選
択マスク２３を選択成長用のマスクとして用いてキャッ
プ層６上にｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層７，及びｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層８をＭＯＣＶＤ法を用いて成長す
る。この時、選択マスク２３上には結晶は成長されない
ために、図５(b) に示すように、選択マスク２３に挟ま
れた領域にリッジ形状部１０ａが選択成長される。この
後、上記実施の形態１の製造方法と同様に、絶縁膜２
２，ｐ側電極１２，及びｎ側電極１３を形成することに
より、図５(c) に示すような半導体レーザが得られる。
【００６９】このような本実施の形態３においても、上
記実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、リッジ
形状部１０ａの高さが結晶成長されて形成された成長層
厚で決定されるので、上記実施の形態１のようにウエッ
トエッチングによりコンタクト層と上クラッド層とを除
去してリッジ形状部を形成するよりも、精度よくリッジ
形状部１０ａの高さを制御でき、リッジ形状部１０ａの
高さの基板１表面内における均一性を向上させることが
でき、高品質な半導体レーザを得ることができる。
【００７０】実施の形態４．図１７は本発明の実施の形
態４に係る半導体レーザの構造を示す斜視図（図１７
(a))，及び平面図（図１７(b))であり、図において、図
１と同一符号は同一又は相当する部分を示しており、１
０ｂはリッジ形状部である。本実施の形態４に係る半導
体レーザは、上記実施の形態１に係る半導体レーザにお
いて、利得部では一定の幅を有するとともに、スポット
サイズ変換部では利得部から離れるに従って、その利得
部における幅から、順次、幅が狭くなっている、平面形
状がストライプ形状であるリッジ部１０ｂを設けるよう
にしたものである。
【００７１】図６はこの実施の形態４に係る半導体レー
ザの主要工程を説明するための、基板上方からみた平面
図であり、２１ｃはリッジ形状部１０ｂを形成するため
に用いられるＳｉＯ2 等の絶縁膜からなる選択マスクで
ある。以下、図６を用いてこの実施の形態４に係る半導
体レーザの製造方法について説明する。
【００７２】まず、上記実施の形態１において説明した
半導体レーザの製造方法の，図２(a) から図２(c) まで
の工程と同様の工程により、基板１上に、選択マスク２
０を用いて下クラッド層３，活性層４，第１上クラッド
層５，及びキャップ層６を順次結晶成長させた後、選択
マスク２０を除去して、第２上クラッド層７及びコンタ
クト層８を結晶成長させる。その後、図２(d) に示す工
程と同様の工程により、コンタクト層８上にリッジ形状
部１０ｂを形成するための選択マスク２１ｃを形成する
が、この選択マスク２１ｃの平面形状を、図６に示すよ
うに、利得領域３００ａにおいては一定の幅を有し、か
つ、スポットサイズ変換領域２００ａにおいては、利得
部から離れるに従って、その利得領域３００ａにおける
幅から、順次、幅が狭くなっているようなストライプ形
状とする。そして、この選択マスク２１ｃをエッチング
用マスクとしてコンタクト層８と第２上クラッド層７の
上部とをエッチングにより選択的に除去することによ
り、リッジ形状部１０ｂを形成し、その後、図２(f) 以
降の製造工程と同様の工程により、絶縁膜２２，ｐ側電
極１２，及びｎ側電極１３を形成して、図１７に示すよ
うな半導体レーザを得る。
【００７３】上記実施の形態１に係る半導体レーザにお
いては、スポットサイズ変換部２００のレーザ出射端面
近傍領域の活性層４の層厚を薄くすることにより、基板
１表面に垂直方向の光のしみだしを大きくして、ファフ
ィールドの縦方向の幅を狭くして、レーザ光のファフィ
ールドをほぼ円形にしたが、本実施の形態４において
は、さらに、スポットサイズ変換部２００で、リッジ形
状部１０ｂの幅を、利得部３００から離れるに従って薄
くなるようにして、レーザ共振器端面１４近傍のリッジ
形状部１０ｂの幅を狭くした。これにより、このリッジ
幅が狭い部分においては、光の基板１の表面に水平な方
向、即ち横方向の閉じ込めが弱くなり、この結果、横方
向においてファフィールドの幅を容易に調整できるよう
になり、ファフィールドを円形にする効果を高めること
ができる。
【００７４】実施の形態５．図１８は本発明の実施の形
態５に係る半導体レーザの構造を示す斜視図であり、図
において、図１と同一符号は同一または相当する部分を
示しており、この実施の形態５に係る半導体レーザは、
上記実施の形態１に係る半導体レーザにおいて、リッジ
形状部１０ｃを第２上クラッド層７の上部とｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層２６とからなるようにするとともに、この
リッジ形状部１０ｃの両側を、厚さ１．５μｍ、キャリ
ア濃度が４×１０18ｃｍ-3であるｎ−ＧａＡｓ電流ブロ
ック層２７で埋め込み、さらにこのリッジ形状部１０ｃ
上及び電流ブロック層２７上に厚さ０．５μｍでキャリ
ア濃度が１×１０19ｍ-3であるｐ−ＧａＡｓコンタクト
層２８を配置するようにしたものである。
【００７５】図７はこの実施の形態５に係る半導体レー
ザの製造方法の主要工程を示す図であり、図において、
図１８と同一符号は同一または相当する部分を示してい
る。
【００７６】以下、図７に基づいてこの実施の形態５に
係る半導体レーザの製造方法について説明する。まず、
上記実施の形態１において説明した半導体レーザの製造
方法の図２(a) から図２(c) までの工程と同様の工程に
より、基板１上に、選択マスク２０を用いて下クラッド
層３，活性層４，第１上クラッド層５，及びキャップ層
６を順次結晶成長させた後、選択マスク２０を除去し
て、第２上クラッド層７及びキャップ層２６を結晶成長
させる。
【００７７】その後、キャップ層２６の表面全体にＳｉ
Ｏ2 等の絶縁膜をスパッタ法により蒸着し、露光技術と
エッチング技術を用いてこれをパターン形成し、リッジ
形状部を形成する領域上のみに、幅約２μｍの選択マス
ク２５を１本形成する。この選択マスク２５をマスクと
して、図７(a) に示すように、ｐ−ＧａＡｓキャップ層
２６及びｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層７の上部を深さが
１．１μｍとなるようウェットエッチングで除去してリ
ッジ形状部１０ｃを形成する。次に、図７(b)に示すよ
うに、選択マスク２５を成長用マスクとして用いて、ｎ
−ＧａＡｓ電流ブロック層２７をリッジ形状部１０ｃの
両側を埋め込むように選択成長させ、選択マスク２５を
除去後、図７(c) に示すように、ｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層２８を基板１上の全面に成長させる。最後に、ｐ側
電極１２，及びｎ側電極１３をそれぞれコンタクト層２
８上、及び基板１の裏面上に形成して、図１８に示すよ
うな半導体レーザを得る。
【００７８】この半導体レーザの動作原理について説明
する。ｐ側電極１２から利得部３００に注入されるホー
ルは、断面形状が台形形状のリッジ形状部１０ｃ内に狭
窄され、効率よく活性層４に注入されて、電子と再結合
し光を放出する。
【００７９】ここで、光は縦方向においては、上下に配
置されたクラッド層、即ち下クラッド層３，第１上クラ
ッド層５，第２上クラッド層７とにより、また横方向に
おいてはリッジ形状部１０ｂの幅方向の両側に配置され
た、電流ブロック層２７の材料であるＧａＡｓ結晶とリ
ッジ形状部１０ｂの上部を除いた部分の材料であるＡｌ
ＧａＡｓ結晶との屈折率差により閉じ込められて導波さ
れる。即ち横方向においては、電流ブロック層２７に達
した光が、この電流ブロック層２７において吸収される
ことにより光が閉じ込められる。
【００８０】したがって、この実施の形態５において
は、上記実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、
横方向においては、光を半導体結晶である電流ブロック
層２７を用いて閉じ込めることができるため、より高出
力化が可能となり、４００ｍＷ程度の光を出すことがで
きる。
【００８１】なお、この実施の形態５においては、活性
層４において発生する光を吸収する材料からなる電流ブ
ロック層２７を用いるようにしたが、本発明において
は、電流ブロック層をリッジ形状部１０の屈折率よりも
屈折率の小さい材料として、横方向の実効的な屈折率分
布を変化させて、光を横方向において閉じ込めるように
してもよい。
【００８２】実施の形態６．図１９は本発明の実施の形
態６に係る半導体レーザの構造を示す斜視図であり、図
において、図１と同一符号は同一又は相当する部分を示
しており、この実施の形態６に係る半導体レーザは、ス
ポットサイズ変換部２００側のレーザ共振器端面１４近
傍にイオン注入領域３５を設け、このイオン注入領域３
５内の活性層４を無秩序化することにより、このレーザ
共振器端面１４近傍の活性層４を窓構造としたものであ
る。
【００８３】図８は本実施の形態６に係る半導体レーザ
の製造方法の主要工程を示す斜視図であり、図におい
て、図１９と同一符号は同一または相当する部分を示し
ている。
【００８４】以下、図８を用いてこの実施の形態６に係
る半導体レーザの製造方法について説明する。まず、上
記実施の形態１において説明した半導体レーザの製造方
法の図２(a) から図２(b) までの工程と同様の工程によ
り、基板１上に、選択マスク２０を用いて下クラッド層
３，活性層４，第１上クラッド層５，及びキャップ層６
を順次結晶成長させる。続いて、図８に示すように、レ
ジスト膜等をマスクとして活性層４に達するまでスポッ
トサイズ変換領域２００ａのレーザ共振器端面を形成す
る領域近傍に基板１上方からＳｉのイオン注入を行い、
イオン注入領域を形成する。なおイオン注入の代わり
に、ＳｉやＺｎ等の拡散を行うようにしてもよい。その
後、アニールを行うことにより、Ｓｉイオン注入された
領域３５内のＭＱＷ活性層４はＭＱＷ構造が無秩序化さ
れ、無秩序化されていない領域のＭＱＷ活性層４のＰＬ
波長より、無秩序化された領域のＰＬ波長が短波長化さ
れ、このイオン注入領域３５内の活性層４が窓構造とな
る。その後、上記実施の形態１に係る半導体レーザの製
造方法と同様に、選択マスク２０を除去して、第２上ク
ラッド層７及びコンタクト層８を結晶成長させ、リッジ
形状部１０を形成し、絶縁膜２２及びｐ側電極１２，ｎ
側電極１３を形成して、図１９に示すような半導体レー
ザを得る。
【００８５】この実施の形態５においては、上記実施の
形態１と同様の効果を奏するとともに、スポットサイズ
変換部２００内のレーザ共振器端面１４近傍の活性層４
をイオン注入により無秩序化して、窓構造としているた
め、レーザ光のレーザ共振器端面における吸収を低減し
て、より端面劣化を抑えることができ、半導体レーザの
高出力化を実現できる。
【００８６】実施の形態７．図９は本発明の実施の形態
７に係る半導体レーザの製造方法を説明するための平面
図である。本発明は、上記実施の形態１に係る半導体レ
ーザの製造方法において、活性層４を選択成長させる選
択マスクとして、ＳｉＯ2 等の絶縁膜からなる選択マス
ク５０を用いるようにしたものである。
【００８７】上記実施の形態１においては、図２に示す
ように、選択マスク２０を用いて、活性層４を基板１上
に選択成長させることにより、利得部３００においては
厚さが均一であるとともに、スポットサイズ変換部２０
０においては厚さが、利得部３００から離れるにつれて
順次薄くなっている活性層４を形成していた。
【００８８】図１０(a) は、選択マスク２０を用いて活
性層を選択成長させた場合における，スポットサイズ変
換部側の共振器端面からの距離と、活性層の相対層厚と
の関係を示す図であり、実線で示した部分は、実際に形
成される活性層の層厚プロファイルを示し、点線で示し
た部分は、理想的な層厚プロファイルを示す。
【００８９】この図からわかるように、選択マスク２０
を用いた選択成長では、利得部３００の層厚プロファイ
ルがスポットサイズ変換部２００においては完全には平
坦とはならないため、この平坦でない領域を流れる電流
はレーザ発振に寄与せずに、しきい値電流増加等の，レ
ーザ特性を劣化させる原因となる可能性がある。
【００９０】そこで、この実施の形態７においては、活
性層４を図１０(a) において点線に示したような理想的
な層厚プロファイルにするために、上記実施の形態１に
係る半導体レーザの製造方法において、活性層４を選択
成長させる選択マスクとして、利得部３００とスポット
サイズ変換部２００との境界部分近傍の活性層４の層厚
を、実施の形態１において用いた選択マスク２０よりも
増加させることができるような平面形状を有する選択マ
スク５０を用いるようにしたものである。
【００９１】この選択マスク５０は、図９に示すよう
に、利得領域３００ａ上のみに一定の間隔を隔てて互い
に平行に配置された、レーザ共振器長方向となる方向に
伸びる一定幅である２本のストライプ形状の絶縁膜５０
ａと、この２本の絶縁膜５０ａのそれぞれの、互いに向
かい合っている側部に対して反対側に位置する側部の、
スポットサイズ変換領域２００ａ側の端部近傍に接する
よう配置された、一定幅であるレーザ共振器長方向とな
る方向に伸びるストライプ形状の２本の絶縁膜５０ｂか
らなっている。例えば、絶縁膜５０ａのそれぞれのレー
ザ共振器長方向の長さは約１８００μｍ、幅は７０μｍ
であり、絶縁膜５０ａ同士の間隔は５０μｍである。ま
た、絶縁膜５０ｂのレーザ共振器長方向の長さは５０μ
ｍで、幅は２０μｍである。
【００９２】この実施の形態７に係る半導体レーザの製
造方法においては、上記実施の形態１に係る半導体レー
ザの製造方法の、図２(a),(b) に示す工程において、こ
の選択マスク５０を用いて活性層４を含む半導体層を結
晶成長させることにより理想的な層厚プロファイル、即
ち、利得部３００においては層厚がほぼ一定である活性
層４を得ることができる。
【００９３】図１０(b) は、選択マスク５０を用いて活
性層４を選択成長させた場合における，スポットサイズ
変換部２００側の共振器端面１４からの距離と、活性層
４の相対層厚との関係を示す図であり、実線で示した部
分は、実際に形成される活性層の層厚プロファイルを示
し、点線で示した部分は、理想的な層厚プロファイルを
示す。この図から、利得部３００においては、層厚がほ
ぼ一定である活性層４を備えた半導体レーザを得られる
ことがわかる。
【００９４】したがって、この実施の形態７に係る半導
体レーザの製造方法においては、選択マスク５０を用い
て活性層４を形成することにより、利得部３００におい
ては層厚が一定である活性層４を得ることができ、これ
により、レーザ発振に寄与しない電流成分を低減するこ
とができ、半導体レーザの低しきい値化を図ることがで
きる。
【００９５】なお、上記実施の形態７においては、活性
層を選択成長させる際に選択マスク５０を用いるように
したが、本発明においては、図２０(a) に示すような、
利得領域３００ａ上のみに一定の間隔を隔てて互いに平
行に配置された、レーザ共振器長方向となる方向に伸び
る一定幅である２本のストライプ形状のＳｉＯ2 等の絶
縁膜５１ａと、この２本の絶縁膜５１ａのそれぞれの、
互いに向かい合っている側部の、スポットサイズ変換領
域２００ａ側の端部近傍に接するよう配置された、一定
幅であるレーザ共振器長方向となる方向に伸びるストラ
イプ形状の２本のＳｉＯ2 等の絶縁膜５１ｂとからなる
成長マスク５１を用いるようにしてもよい。例えば、絶
縁膜５１ａのそれぞれのレーザ共振器長方向の長さは約
１８００μｍ、幅は７０μｍであり、絶縁膜５１ａ同士
の間隔は５０μｍである。また、各絶縁膜５１ｂのレー
ザ共振器長方向の長さは５０μｍで、幅は１０μｍであ
る。このような場合においても上記実施の形態７と同様
の効果を奏する。
【００９６】また、上記実施の形態７においては、活性
層４を選択成長させる際に選択マスク５０を用いるよう
にしたが、本発明においては、図２０(b) に示すよう
な、利得領域３００ａ上から、スポットサイズ変換領域
２００ａ上のレーザ共振器端面となる部分に達しない位
置まで、互いに平行に配置された、利得領域３００ａに
おいては互いに一定の間隔を隔てており、スポットサイ
ズ変換領域２００ａ上においては利得領域３００ａから
離れるにしたがって両者の間隔が広がっているととも
に、利得領域３００ａにおいてはその幅が一定であり、
スポットサイズ変換領域２００ａにおいては、利得領域
３００ａから離れるにしたがってその幅が狭くなってい
る、レーザ共振器長方向となる方向に伸びる２本のスト
ライプ形状のＳｉＯ2 等の絶縁膜５２ａからなる成長マ
スク５２を用いるようにしてもよい。例えば、絶縁膜５
２ａのそれぞれのレーザ共振器長方向の長さは約２００
０μｍ、スポットサイズ変換領域２００ａ上におけるレ
ーザ共振器長方向の長さは１００μｍ、利得領域３００
ａにおける幅は７０μｍ、スポットサイズ変換領域２０
０ａの、利得領域３００ａに最も近い部分における幅は
７０μｍ、絶縁膜５２ａ同士の利得領域３００ａにおけ
る間隔は４μｍ、スポットサイズ変換領域２００ａ側の
レーザ共振器端面と絶縁膜５２ａとの距離は５０μｍで
ある。このような場合においても上記実施の形態７と同
様の効果を奏する。
【００９７】また、上記実施の形態７においては、活性
層４を選択成長させる際に選択マスク５０を用いるよう
にしたが、本発明においては、図２０(c) に示すよう
な、利得領域３００ａ上から、スポットサイズ変換領域
２００ａ上のレーザ共振器端面となる部分に達しない位
置まで、互いに平行に一定の間隔を隔てて配置された、
利得領域３００ａにおいては一定幅であり、スポットサ
イズ変換領域２００ａにおいては、利得領域３００ａか
ら離れるに従ってその幅が狭くなっている、レーザ共振
器長方向となる方向に伸びる、２本のストライプ形状の
ＳｉＯ2 等の絶縁膜５３ａからなる成長マスク５３を用
いるようにしてもよい。例えば、絶縁膜５３ａのそれぞ
れのレーザ共振器長方向の長さは約２０００μｍ、スポ
ットサイズ変換領域２００ａ上におけるレーザ共振器長
方向の長さは１００μｍ、利得領域３００ａにおける幅
は７０μｍ、スポットサイズ変換領域２００ａの、利得
領域３００ａに最も近い部分における幅は７０μｍ、絶
縁膜５２ａ同士の間隔は４μｍ、スポットサイズ変換領
域２００ａ側のレーザ共振器端面と絶縁膜５２ａとの距
離は５０μｍである。このような場合においても上記実
施の形態７と同様の効果を奏する。
【００９８】なお、上記実施の形態１〜７においては発
振波長が０．９８μｍである半導体レーザについて説明
したが、本発明は、活性層の仕様を変えたその他の波長
で発振する半導体レーザであってもよく、このような場
合においても、上記実施の形態１〜７と同様の効果を奏
する。
【００９９】また、上記実施の形態１〜７においては基
板として導電型がｎ型の半導体層を用いるようにした
が、本発明においては、基板の導電型がｐ型で、上記各
実施の形態においてｎ型である層をｐ型とし、ｐ型であ
る層をｎ型としてもよく、このような場合においても上
記実施の形態１〜７と同様の効果を奏する。
【０１００】また、上記実施の形態１〜７においては、
いわゆるファブリペロー型半導体レーザについて説明し
たが、本発明は、例えば分布帰還型半導体レーザ等の他
の構造の半導体レーザであってもよく、このような場合
においても上記実施の形態１〜７と同様の効果を奏す
る。
【０１０１】また、上記実施の形態１〜７においては、
材料系がＧａＡｓ系である半導体レーザについて説明し
たが、本発明は他の材料系の半導体レーザであってもよ
く、このような場合においても上記実施の形態１〜７と
同様の効果を奏する。
【０１０２】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、互いに
隣接するよう配列されている利得領域と，スポットサイ
ズ変換領域とを有する第１導電型半導体基板と、該基板
上に配置された第１導電型下クラッド層と、該第１導電
型下クラッド層上に配置された、利得領域においては厚
さが一定であり、スポットサイズ変換領域においては上
記利得領域から離れるにつれてその厚さが順次薄くなっ
ている活性層と、該活性層上に配置された、その上部
に、上記利得領域とスポットサイズ変換領域との配列方
向に向かって伸びるリッジ形状部を有する第２導電型上
クラッド層と、上記上クラッド層のリッジ形状部上に、
第２導電型コンタクト層を挟んで配置された第１の電極
と、上記基板の裏面上に配置された第２の電極とを備え
るようにしたから、上クラッド層のリッジ形状部におい
て電流を狭窄できるとともに、このリッジ形状部を形成
する際に、活性層の電流が注入される領域が外気に露出
されず、活性層の電流が注入される領域に酸化された部
分が存在しないようにすることができ、高い信頼性を有
する、スポットサイズ変換部と利得部とを同一基板上に
集積してなる半導体レーザを提供できる効果がある。
【０１０３】また、この発明によれば、上記下クラッド
層は、第１の下クラッド層と、該第１の下クラッド層上
に配置された第２の下クラッド層とからなり、上記第１
下クラッド層の厚さは、均一な厚さであり、上記第２下
クラッド層は、その厚さが利得領域においては一定で、
スポットサイズ変換領域においては上記利得領域から離
れるにつれて順次薄くなっているようにしたから、スポ
ットサイズ変換領域と利得領域との間での、活性層の基
板に垂直な方向の曲がりを小さくして、光の導波される
方向，及びレーザ光の出射方向を基板の表面とほぼ平行
にできるとともに、均一な厚さの第１下クラッド層によ
り、光が導波される活性層と、基板との距離を、スポッ
トサイズ変換領域上においても十分に離すことができ、
レーザ光の基板における吸収を無くして、レーザ特性の
劣化を防ぐことができる効果がある。
【０１０４】また、この発明によれば、上記第２下クラ
ッド層の厚さを、上記第１下クラッド層の厚さよりも薄
くしたから、スポットサイズ変換領域と利得領域との間
での、活性層の基板に垂直な方向の曲がりをさらに小さ
くして、光の導波される方向，及びレーザ光の出射方向
を基板の表面とより平行に近くすることができる効果が
ある。
【０１０５】また、この発明によれば、上記上クラッド
層は、第１の上クラッド層と、該第１の上クラッド層上
に配置された、その上部に上記リッジ形状部を有する第
２の上クラッド層とからなり、上記第１上クラッド層
は、その厚さが利得領域においては一定で、スポットサ
イズ変換領域においては上記利得領域から離れるにつれ
て順次薄くなっており、上記第２上クラッド層の厚さ
を、均一な厚さとしたから、均一な厚さの第２上クラッ
ド層により、光が導波される活性層と、コンタクト層と
の距離を、スポットサイズ変換領域上においても十分に
離すことができ、レーザ光のコンタクト層における吸収
を無くして、レーザ特性の劣化を防ぐことができる効果
がある。
【０１０６】また、この発明によれば、上記第１上クラ
ッド層の厚さを、上記第２上クラッド層の厚さよりも薄
くしたから、スポットサイズ変換領域上における活性層
と、コンタクト層との距離を、さらに十分に離すことが
でき、レーザ光のコンタクト層における吸収を無くし
て、レーザ特性の劣化をさらに防ぐことができる効果が
ある。
【０１０７】また、この発明によれば、上記リッジ形状
部を、上記利得領域上においてはその幅が一定であり、
上記スポットサイズ変換部上においてはその幅が、上記
利得領域から離れるに従って順次狭くなっているように
したから、リッジ幅が狭い部分で、光の横方向の閉じ込
めを弱くして、横方向でのファフィールドの幅を容易に
調整できるようになり、ファフィールドを円形にする効
果を高めることができる効果がある。
【０１０８】また、この発明によれば、上記リッジ形状
部の周囲の第２上クラッド層上に、該リッジ形状部を埋
め込むように、第１導電型電流ブロック層が配置するよ
うにしたから、横方向においては、光を半導体結晶であ
る電流ブロック層を用いて閉じ込めることができ、半導
体レーザの高出力化を図ることができる効果がある。
【０１０９】また、この発明によれば、上記活性層は量
子井戸構造を有しており、上記基板、下クラッド層、活
性層、及び上クラッド層は、上記リッジ形状部の伸びる
方向に対して垂直な１対のレーザ共振器端面を備えてお
り、上記活性層のスポットサイズ変換領域側のレーザ共
振器端面近傍部分を、その量子井戸構造が無秩序化され
ているようにしたから、レーザ共振器端面における光の
吸収を防いで、高出力動作の可能な半導体レーザを提供
できる効果がある。
【０１１０】また、この発明によれば、上記基板の利得
領域上に配置された下クラッド層、活性層、及び上クラ
ッド層を、上記基板の幅方向の中央部近傍のみに配置す
るようにしたから、高い信頼性を有する、スポットサイ
ズ変換部と利得部とを同一基板上に集積してなる半導体
レーザを提供できる効果がある。
【０１１１】また、この発明によれば、上記活性層を、
ＡｌまたはＧａの少なくとも一方を含む混晶半導体層か
らなるようにしたから、高い信頼性を有する、スポット
サイズ変換部と利得部とを同一基板上に集積してなる半
導体レーザを提供できる効果がある。
【０１１２】また、この発明によれば、互いに隣接する
よう配列されている利得領域と，スポットサイズ変換領
域とを有する第１導電型半導体基板を用意し、該基板上
に、第１導電型下クラッド層と、利得領域においては厚
さが一定で，スポットサイズ変換領域においては、上記
利得領域から離れるにつれてその厚さが順次薄くなって
いる活性層と、上記利得領域とスポットサイズ変換領域
との配列方向に向かって伸びるリッジ形状部をその上部
に有する第２導電型上クラッド層を形成する工程とを備
えるようにしたから、活性層の電流が注入される領域を
外気に露出させることなく、電流狭窄のための構造であ
るリッジ形状部を形成することができ、活性層の電流が
注入される領域に酸化された部分が存在しないようにす
ることができ、高い信頼性を有する、スポットサイズ変
換部と利得部とを同一基板上に集積してなる半導体レー
ザを提供できる効果がある。
【０１１３】また、この発明によれば、上記活性層は、
上記利得領域とスポットサイズ変換領域との配列方向に
向かって伸びる，それぞれの上記利得領域における幅が
一定であるとともに、それぞれの上記スポットサイズ変
換領域における幅が上記利得領域の幅よりも狭い，また
は０である、所定の間隔を隔てて互いに平行に配置され
た２つの絶縁膜からなる選択成長マスクを用いて選択成
長させることにより形成するようにしたから、高い信頼
性を有する、スポットサイズ変換部と利得部とを同一基
板上に集積してなる半導体レーザを提供できる効果があ
る。
【０１１４】また、この発明によれば、上記下クラッド
層は、第１下クラッド層と、第２下クラッド層とからな
り、上記下クラッド層を形成する工程は、上記第１下ク
ラッド層を上記基板上に均一な厚さとなるよう形成する
工程と、上記選択成長マスクを用いて上記第２下クラッ
ド層を上記第１下クラッド層上に選択成長させる工程と
からなるようにしたから、上記第１下クラッド層の厚さ
は、均一な厚さとし、上記第２下クラッド層は、その厚
さが利得領域においては一定で、スポットサイズ変換領
域においては上記利得領域から離れるにつれて順次薄く
なっているようにすることができ、スポットサイズ変換
領域と利得領域との間での、活性層の基板に垂直な方向
の曲がりを小さくして、光の導波される方向，及びレー
ザ光の出射方向を基板の表面とほぼ平行にできるととも
に、均一な厚さの第１下クラッド層によって、光が導波
される活性層と、基板との距離を、スポットサイズ変換
領域上においても十分に離すことができ、レーザ光の基
板における吸収を無くして、レーザ特性の劣化を防ぐこ
とができる効果がある。
【０１１５】また、この発明によれば、上記上クラッド
層は、第１上クラッド層と、第２上クラッド層とからな
り、上記上クラッド層を形成する工程は、上記第１上ク
ラッド層を上記選択成長マスクを用いて上記活性層上に
結晶成長させる工程と、上記選択成長マスクを除去し、
該第１上クラッド層上に上記第２上クラッド層を結晶成
長させる工程と、該第２上クラッド層の上部を上記リッ
ジ形状部となるよう選択エッチングする工程とからなる
ようにしたから、第１上クラッド層を、その厚さが利得
領域においては一定で、スポットサイズ変換領域におい
ては上記利得領域から離れるにつれて順次薄くなってい
るようにし、上記第２上クラッド層の厚さを、均一な厚
さとなるようにすることができ、均一な厚さの第２上ク
ラッド層により、光が導波される活性層と、コンタクト
層との距離を、スポットサイズ変換領域上においても十
分に離すことができ、レーザ光のコンタクト層における
吸収を無くして、レーザ特性の劣化を防ぐことができる
効果がある。
【０１１６】また、この発明によれば、上記上クラッド
層は、第１上クラッド層と、第２上クラッド層とからな
り、上記上クラッド層を形成する工程は、上記第１上ク
ラッド層を上記選択成長マスクを用いて上記活性層上に
結晶成長させる工程と、上記選択成長マスクを除去し、
該第１上クラッド層上に上記第２上クラッド層をリッジ
形状となるよう選択成長させる工程とからなるようにし
たから、リッジ形状部の高さを結晶成長させた第２上ク
ラッド層の成長層厚で決定されるので、精度よくリッジ
形状部の高さを制御でき、リッジ形状部の高さの基板表
面内における均一性を向上させることができ、高品質な
半導体レーザを提供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ
の構造を示す図である。
【図２】 この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ
の製造方法を示す工程図である。
【図３】 この発明に実施の形態１に係る半導体レーザ
の製造方法の主要工程を説明するための平面図である。
【図４】 この発明の実施の形態２に係る半導体レーザ
の製造方法の主要工程を示す工程図である。
【図５】 この発明の実施の形態３に係る半導体レーザ
の製造方法の主要工程を示す工程図である。
【図６】 この発明の実施の形態４に係る半導体レーザ
の製造方法の主要工程を説明するための平面図である。
【図７】 この発明の実施の形態５に係る半導体レーザ
の製造方法の主要工程を示す工程図である。
【図８】 この発明の実施の形態６に係る半導体レーザ
の製造方法の主要工程を示す工程図である。
【図９】 この発明の実施の形態７に係る半導体レーザ
の製造方法の主要工程を説明するための平面図である。
【図１０】 この発明の実施の形態７に係る半導体レー
ザの製造方法を説明するための図である。
【図１１】 従来の半導体レーザの構造を示す斜視図で
ある。
【図１２】 従来の半導体レーザの製造方法を示す工程
図である。
【図１３】 従来のスポットサイズ変換型半導体レーザ
の構造を示す斜視図である。
【図１４】 従来のスポットサイズ変換型半導体レーザ
の製造方法を示す工程図である。
【図１５】 この発明に実施の形態１に係る半導体レー
ザの製造方法の主要工程を説明するための断面図であ
る。
【図１６】 この発明の実施の形態２に係る半導体レー
ザの構造を示す図である。
【図１７】 この発明の実施の形態４に係る半導体レー
ザの構造を示す図である。
【図１８】 この発明の実施の形態５に係る半導体レー
ザの構造を示す図である。
【図１９】 この発明の実施の形態６に係る半導体レー
ザの構造を示す図である。
【図２０】 この発明の実施の形態７に係る半導体レー
ザの製造方法の主要工程を説明するための平面図であ
る。
【図２１】 従来の半導体レーザの製造方法を示す工程
図である。
【符号の説明】
１ ｎ−ＧａＡｓ基板、２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層、
３ ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層、４ ＭＱＷ活性
層、５，５ａ ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層、
６，２６ ｐ−ＧａＡｓキャップ層、７，７ａ ｐ−Ａ
ｌＧａＡｓ第２上クラッド埋込層、８，２８ ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層、１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ リ
ッジ形状部、１１，２２ 絶縁膜、１１ａ，２２ａ 開
口部、１２ ｐ側電極、１３ ｎ側電極、１４ レーザ
共振器端面、１５，２０，２１，２１ａ，２１ｂ，２１
ｃ、５０，５１，５２，５３ 選択マスク、２０ａ，２
２，５０ａ，５０ｂ，５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５３ａ
絶縁膜、１５ａ 開口部、２７ ｎ−ＧａＡｓ電流ブ
ロック層、３０ ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１下クラッド層、
３１ ｎ−ＧａＡｓキャップ層、３２ ｎ−ＧａＡｓバ
ッファ層、３３ ｎ−ＡｌＧａＡｓ第２下クラッド層、
３４ 下クラッド層、３５ イオン注入領域、６１ ｐ
−ＧａＡｓ基板、６２ ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、
６３ ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、６４ ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層、６５ ｎ−ＧａＡｓコンタクト層、６９
ＳｉＯ2 膜、１００ 素子形成領域、１０１ ｎ−Ｉ
ｎＰ基板、１０２ ｎ−ＩｎＰ下クラッド層、１０３
ＭＱＷ活性層、１０４ ｐ−ＩｎＰ第１上クラッド層、
１０５ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層、１０６ ｎ−Ｉｎ
Ｐ電流ブロック層、１０７ ｐ−ＩｎＰ第２上クラッド
層、１０８ ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、１０９
ｐ側電極、１１０ ｎ側電極、１１１，１１２ 選択マ
スク、１１３ リッジ形状部、２００ スポットサイズ
変換部、２００ａ スポットサイズ変換領域、３００
利得部、３００ａ 利得領域。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 互いに隣接するよう配列されている利得
    領域と，スポットサイズ変換領域とを有する第１導電型
    半導体基板と、 該基板上に配置された第１導電型下クラッド層と、 該第１導電型下クラッド層上に配置された、利得領域に
    おいては厚さが一定であり、スポットサイズ変換領域に
    おいては上記利得領域から離れるにつれてその厚さが順
    次薄くなっている活性層と、 該活性層上に配置された、その上部に、上記利得領域と
    スポットサイズ変換領域との配列方向に向かって伸びる
    リッジ形状部を有する第２導電型上クラッド層と、 上記上クラッド層のリッジ形状部上に、第２導電型コン
    タクト層を挟んで配置された第１の電極と、 上記基板の裏面上に配置された第２の電極とを備えたこ
    とを特徴とする半導体レーザ。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザにおい
    て、 上記下クラッド層は、第１の下クラッド層と、該第１の
    下クラッド層上に配置された第２の下クラッド層とから
    なり、 上記第１下クラッド層の厚さは、均一な厚さであり、 上記第２下クラッド層は、その厚さが利得領域において
    は一定で、スポットサイズ変換領域においては上記利得
    領域から離れるにつれて順次薄くなっていることを特徴
    とする半導体レーザ。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の半導体レーザにおい
    て、 上記第２下クラッド層の厚さは、上記第１下クラッド層
    の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体レーザ。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の半導体レーザにおい
    て、 上記上クラッド層は、第１の上クラッド層と、該第１の
    上クラッド層上に配置された、その上部に上記リッジ形
    状部を有する第２の上クラッド層とからなり、上記第１
    上クラッド層は、その厚さが利得領域においては一定
    で、スポットサイズ変換領域においては上記利得領域か
    ら離れるにつれて順次薄くなっており、 上記第２上クラッド層の厚さは、均一な厚さであること
    を特徴とする半導体レーザ。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の半導体レーザにおい
    て、 上記第１上クラッド層の厚さは、上記第２上クラッド層
    の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体レーザ。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の半導体レーザにおい
    て、 上記リッジ形状部は、上記利得領域上においてはその幅
    が一定であり、上記スポットサイズ変換部上においては
    その幅が、上記利得領域から離れるに従って順次狭くな
    っていることを特徴とする半導体レーザ。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の半導体レーザにおい
    て、 上記リッジ形状部の周囲の第２上クラッド層上には、該
    リッジ形状部を埋め込むように、第１導電型電流ブロッ
    ク層が配置されていることを特徴とする半導体レーザ。
  8. 【請求項８】 請求項１に記載の半導体レーザにおい
    て、 上記活性層は量子井戸構造を有しており、 上記基板、下クラッド層、活性層、及び上クラッド層
    は、上記リッジ形状部の伸びる方向に対して垂直な１対
    のレーザ共振器端面を備えており、 上記活性層のスポットサイズ変換領域側のレーザ共振器
    端面近傍部分は、その量子井戸構造が無秩序化されてい
    ることを特徴とする半導体レーザ。
  9. 【請求項９】 請求項１に記載の半導体レーザにおい
    て、 上記基板の利得領域上に配置された下クラッド層、活性
    層、及び上クラッド層は、上記基板の幅方向の中央部近
    傍のみに配置されていることを特徴とする半導体レー
    ザ。
  10. 【請求項１０】 請求項１に記載の半導体レーザにおい
    て、 上記活性層は、ＡｌまたはＧａの少なくとも一方を含む
    混晶半導体層からなることを特徴とする半導体レーザ。
  11. 【請求項１１】 互いに隣接するよう配列されている利
    得領域と，スポットサイズ変換領域とを有する第１導電
    型半導体基板を用意し、 該基板上に、第１導電型下クラッド層と、利得領域にお
    いては厚さが一定で，スポットサイズ変換領域において
    は、上記利得領域から離れるにつれてその厚さが順次薄
    くなっている活性層と、上記利得領域とスポットサイズ
    変換領域との配列方向に向かって伸びるリッジ形状部を
    その上部に有する第２導電型上クラッド層を形成する工
    程とを備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方
    法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の半導体レーザの製
    造方法において、 上記活性層は、上記利得領域とスポットサイズ変換領域
    との配列方向に向かって伸びる，それぞれの上記利得領
    域における幅が一定であるとともに、それぞれの上記ス
    ポットサイズ変換領域における幅が上記利得領域の幅よ
    りも狭い，または０である、所定の間隔を隔てて互いに
    平行に配置された２つの絶縁膜からなる選択成長マスク
    を用いて選択成長させることにより形成することを特徴
    とする半導体レーザの製造方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の半導体レーザの製
    造方法において、 上記下クラッド層は、第１下クラッド層と、第２下クラ
    ッド層とからなり、 上記下クラッド層を形成する工程は、 上記第１下クラッド層を上記基板上に均一な厚さとなる
    よう形成する工程と、 上記選択成長マスクを用いて上記第２下クラッド層を上
    記第１下クラッド層上に選択成長させる工程とからなる
    ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１２に記載の半導体レーザの製
    造方法において、 上記上クラッド層は、第１上クラッド層と、第２上クラ
    ッド層とからなり、 上記上クラッド層を形成する工程は、 上記第１上クラッド層を上記選択成長マスクを用いて上
    記活性層上に結晶成長させる工程と、 上記選択成長マスクを除去し、該第１上クラッド層上に
    上記第２上クラッド層を結晶成長させる工程と、 該第２上クラッド層の上部を上記リッジ形状部となるよ
    う選択エッチングする工程とからなることを特徴とする
    半導体レーザの製造方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１２に記載の半導体レーザの製
    造方法において、 上記上クラッド層は、第１上クラッド層と、第２上クラ
    ッド層とからなり、 上記上クラッド層を形成する工程は、 上記第１上クラッド層を上記選択成長マスクを用いて上
    記活性層上に結晶成長させる工程と、 上記選択成長マスクを除去し、該第１上クラッド層上に
    上記第２上クラッド層をリッジ形状となるよう選択成長
    させる工程とからなることを特徴とする半導体レーザの
    製造方法。
JP9268392A 1997-01-10 1997-10-01 半導体レーザ，及びその製造方法 Pending JPH11112081A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9268392A JPH11112081A (ja) 1997-10-01 1997-10-01 半導体レーザ，及びその製造方法
US09/020,857 US6018539A (en) 1997-01-10 1998-02-09 Semiconductor laser and method of fabricating semiconductor laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9268392A JPH11112081A (ja) 1997-10-01 1997-10-01 半導体レーザ，及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11112081A true JPH11112081A (ja) 1999-04-23

Family

ID=17457845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9268392A Pending JPH11112081A (ja) 1997-01-10 1997-10-01 半導体レーザ，及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6018539A (ja)
JP (1) JPH11112081A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015035465A (ja) * 2013-08-08 2015-02-19 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法、並びに、表示装置
JP2015138894A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 富士通株式会社 光半導体素子及びその製造方法
JPWO2020255565A1 (ja) * 2019-06-19 2021-09-13 三菱電機株式会社 半導体光素子
JPWO2021199297A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3104789B2 (ja) 1997-05-02 2000-10-30 日本電気株式会社 半導体光素子およびその製造方法
JPH1197789A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Fujitsu Ltd 半導体レーザ装置
JP2000174385A (ja) * 1998-07-15 2000-06-23 Sony Corp 半導体レ―ザ
JP2000133877A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子
US6502139B1 (en) * 1999-06-01 2002-12-31 Technion Research And Development Foundation Ltd. System for optimizing video on demand transmission by partitioning video program into multiple segments, decreasing transmission rate for successive segments and repeatedly, simultaneously transmission
JP4504610B2 (ja) * 2002-03-01 2010-07-14 株式会社日立製作所 リッジ型半導体レーザ素子
KR100594037B1 (ko) * 2004-01-19 2006-06-30 삼성전자주식회사 광모드 크기 변환 영역 포함하는 반도체 광소자
JP4977377B2 (ja) * 2006-02-22 2012-07-18 日本オプネクスト株式会社 半導体発光装置
KR100842277B1 (ko) * 2006-12-07 2008-06-30 한국전자통신연구원 반사형 반도체 광증폭기 및 수퍼 루미네센스 다이오드
JP2009224480A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Panasonic Corp ２波長半導体レーザ装置
JP2010267871A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Sony Corp 半導体レーザおよびその製造方法
JP2013070027A (ja) * 2011-09-08 2013-04-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 光集積デバイス及び光集積デバイスの製造方法
JP2014165292A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Hitachi Ltd 発光素子及びその製造方法並びに光送受信器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0831652B2 (ja) * 1987-04-22 1996-03-27 三菱電機株式会社 半導体レ−ザ
US5684818A (en) * 1993-12-28 1997-11-04 Fujitsu Limited Stepped substrate semiconductor laser for emitting light at slant portion
JPH0837341A (ja) * 1994-07-22 1996-02-06 Hitachi Ltd 半導体光集積素子およびその製造方法
JP2762951B2 (ja) * 1995-03-30 1998-06-11 日本電気株式会社 半導体光導波路とその製造方法
JP2870632B2 (ja) * 1995-07-13 1999-03-17 日本電気株式会社 半導体光集積回路およびその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015035465A (ja) * 2013-08-08 2015-02-19 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法、並びに、表示装置
JP2015138894A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 富士通株式会社 光半導体素子及びその製造方法
JPWO2020255565A1 (ja) * 2019-06-19 2021-09-13 三菱電機株式会社 半導体光素子
JPWO2021199297A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07
WO2021199297A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 日本電信電話株式会社 光導波路、光導波路の作製方法および光半導体素子
US12222546B2 (en) 2020-03-31 2025-02-11 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical waveguide, method for manufacturing optical waveguide, and optical semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US6018539A (en) 2000-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8273585B2 (en) Optical semiconductor device and method for manufacturing the same
US20130301667A1 (en) Semiconductor laser device and manufacturing method of the same
US8802468B2 (en) Semiconductor light emitting device and fabrication method for semiconductor light emitting device
JP3204485B2 (ja) 光半導体装置及びその作製方法
JPH08279650A (ja) 半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置の製造方法
US6700912B2 (en) High-output semiconductor laser element, high-output semiconductor laser apparatus and method of manufacturing the same
US6018539A (en) Semiconductor laser and method of fabricating semiconductor laser
JPH09139550A (ja) 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置
JPH07162086A (ja) 半導体レーザの製造方法
JP2002305352A (ja) 半導体レーザ素子
JPH06302908A (ja) 半導体レーザ
JPH11112080A (ja) 屈折率導波型半導体レーザ装置
JP2002141610A (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2002111125A (ja) 分布帰還型半導体レーザ
US6816524B2 (en) InGaAsP or InGaAs semiconductor laser element in which near-edge portion of active layer is substituted with GaAs optical waveguide layer having greater bandgap than active layer
JPH10209553A (ja) 半導体レーザ素子
JPH11233874A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2875929B2 (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法
JPH0992936A (ja) 半導体レーザ素子
JP4517437B2 (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2003152282A (ja) 半導体レーザ素子
JPH08316566A (ja) 半導体レーザ素子
JP2712970B2 (ja) 半導体レーザとその製造方法
JPH0671122B2 (ja) 半導体レーザ素子
JPH11284276A (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法