JPH098011A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板の裏面側の汚染を防止し、基板面におけ
るプラズマダメージ分布や温度分布のばらつきを無くす
る。 【構成】 処理チャンバ１０の内部に配置された基板Ｗ
を熱板２６によって予備加熱する際に、基板Ｗの裏面と
熱板２６の上面とを近接させて基板支持部材４０によっ
て基板Ｗを点接触又は線接触により支持する。予備加熱
後のアッシング処理の際に、基板Ｗと熱板２６とを離間
させて基板支持部材４０によって基板Ｗを点接触又は線
接触により支持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、プラズマを発生させ
てウエハ等の基板にフォトレジスト膜の剥離やエッチン
グ等の処理を行なうプラズマ処理方法及び装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば、超ＬＳＩの製造工程などにおい
ては、プラズマを利用して基板の表面からフォトレジス
ト膜を剥離（アッシング処理）したり基板の表面を選択
的エッチングしたりするプラズマ処理装置が使用され
る。このプラズマ処理装置は、例えばＵ．Ｓ．Ｐ．５，
３４６，５７８や特開昭６３−２６００３０号公報など
に開示されているように、石英ガラス等の絶縁性材料に
よって形成され密閉可能な処理チャンバ、この処理チャ
ンバの外面側に配設された誘導コイルや電極のプラズマ
発生部材（プラズマ源）、このプラズマ発生部材に高周
波電圧を印加して処理チャンバの内部にプラズマを発生
させる高周波電源、処理チャンバの内部へ処理ガスを供
給するガス供給ユニット、処理チャンバの内部を真空排
気する真空排気ユニットなどを備えて構成されている。
そして、このプラズマ処理装置では、処理チャンバの内
部へ基板を搬入した後、処理チャンバを気密に閉塞し、
処理チャンバの内部を真空排気してから、真空排気を継
続しながら処理チャンバ内へ処理ガスを導入し、誘導コ
イルや電極に高周波電圧を印加して処理チャンバの内部
にプラズマを発生させ、そのプラズマ雰囲気を基板の表
面へ導いて基板の処理が行なわれる。

【０００３】上記したプラズマ処理装置において、処理
しようとする基板は、処理チャンバ内へ搬入されて熱板
の上面に載置され、熱板上に載置された状態でプラズマ
処理される。そして、基板を加熱する必要があるとき
は、熱板にヒータを内設し、熱板の上面に密着状態で載
置された基板を熱伝導により加熱するようにしていた。
また、特開昭６３−１８６４１９号公報に開示されてい
るように、基板を載置する基板ホルダを上下方向へ往復
移動自在に支持するとともに、基板ホルダの下方に加熱
ユニットを固設しておき、基板を加熱する際に、基板ホ
ルダを下降させて加熱ユニットに当接させ、基板ホルダ
の上面に密着状態で載置された基板を加熱ユニットから
の熱伝導により加熱するようにしていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板を
熱板（或いは基板ホルダ）上に置くだけでも、基板の裏
面側は汚染されてしまうことになる。しかも、従来のプ
ラズマ処理装置では、熱板上に基板を載置した状態でプ
ラズマ処理が行なわれることから、熱板の上面と基板の
裏面との間に隙間ができないように熱板に基板を密着さ
せなければならない。すなわち、基板の反り等のため
に、基板の裏面と熱板の上面とが接触している部分と僅
かに離れている部分とがあると、基板裏面と熱板上面と
の間のコンデンサ容量の分布に大きなばらつきを生じ
て、基板の表面がプラズマから受けるダメージの分布も
大きくばらつき、また、基板の面内における温度分布も
ばらつくなどの不都合を生じる。そこで、静電チャック
によって基板を熱板に吸着したり基板を熱板に上から押
し付けたりして、基板の裏面全体を熱板の上面に均一に
密着させるようにしているが、このため、基板の裏面全
体において汚染が生じる恐れがある。

【０００５】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板の裏面側の汚染を防止すること
ができ、かつ、基板面におけるプラズマダメージ分布や
温度分布が大きくばらつく、といったような不都合が生
じないプラズマ処理方法、並びに、その方法を実施する
のに好適なプラズマ処理装置を提供することを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載のプラズ
マ処理方法は、処理チャンバ内に収納された基板を加熱
手段によって加熱した後、プラズマを発生させて基板に
所定の処理を行なうプラズマ処理方法であって、基板と
前記加熱手段とを近接させた状態で基板支持手段によっ
て基板を点接触又は線接触で支持しつつ、基板を前記加
熱手段によって加熱し、基板と前記加熱手段とを離間さ
せた状態で前記基板支持手段によって基板を点接触又は
線接触で支持しつつ、プラズマを発生させて基板に所定
の処理を行なう。

【０００７】請求項２に記載のプラズマ処理装置は、プ
ラズマを発生させて基板に所定の処理を行なうプラズマ
処理装置であって、基板を水平姿勢で収容する処理チャ
ンバと、前記処理チャンバの下方に配置されるととも
に、基板を加熱する加熱手段と、基板を支持する基板支
持手段と、前記基板支持手段に支持された基板と前記加
熱手段との距離を変えるように、前記加熱手段と前記基
板支持手段とを相対的に移動させる駆動手段と、前記加
熱手段で基板を加熱する際には、基板と前記加熱手段と
を接近させた状態で前記駆動手段を停止させ、プラズマ
を発生させて基板に所定の処理を行なう際には、基板と
前記加熱手段とを離間させた状態で前記駆動手段を停止
させる制御手段と、前記処理チャンバの内壁側全周に設
けられ、基板と前記加熱手段とを離間させた状態のとき
の基板の周縁に近接する内周縁を備えた遮蔽部材と、を
有する。

【０００８】請求項３に記載のプラズマ処理装置は、プ
ラズマを発生させて基板に所定の処理を行なうプラズマ
処理装置であって、基板を水平姿勢で収容する処理チャ
ンバと、前記処理チャンバの下方に配置されるととも
に、基板を加熱する加熱手段と、前記加熱手段の上面に
設けられ、前記加熱手段の上面と基板の裏面との間に間
隙を形成するように基板を載置する突起部材と、基板を
支持する基板支持手段と、前記基板支持手段に支持され
た基板と前記加熱手段との距離を変えるように、前記加
熱手段と前記基板支持手段とを相対的に移動させる駆動
手段と、前記加熱手段で基板を加熱する際には、前記突
起部材に基板を載置させるように基板と前記加熱手段と
を接近させた状態で前記駆動手段を停止させ、プラズマ
を発生させて基板に所定の処理を行なう際には、基板と
前記加熱手段とを離間させた状態で前記駆動手段を停止
させる制御手段と、前記処理チャンバの内壁側全周に設
けられ、基板と前記加熱手段とを離間させた状態のとき
の基板の周縁に近接する内周縁を備えた遮蔽部材と、を
有する。

【０００９】請求項４に記載のプラズマ処理装置は、請
求項２又は請求項３に記載のプラズマ処理装置であっ
て、前記加熱手段は、固定されており、前記基板支持手
段は、前記駆動手段によって上下方向に移動自在であ
る。

【００１０】請求項５に記載のプラズマ処理装置は、請
求項４に記載のプラズマ処理装置であって、基板の裏面
に当接する前記基板支持手段の上端部が絶縁性材料によ
って形成されている。

【００１１】請求項６に記載のプラズマ処理装置は、請
求項２ないし請求項５のいずれかに記載のプラズマ処理
装置であって、前記処理チャンバ及び前記遮蔽部材が絶
縁性材料によって形成されている。

【００１２】

【作用】請求項１に記載のプラズマ処理方法では、基板
は、加熱時及びプラズマを発生させた所定の処理時のい
ずれにおいても、点接触又は線接触により支持され、基
板は、基板支持手段と数点において接触し或いは線状に
接触するだけであるので、基板が加熱手段上に直接載置
されることによって起こる基板の裏面側の汚染が防止さ
れる。そして、加熱の際には、基板は加熱手段と近接し
た状態に支持され、加熱は、基板と加熱手段との隙間に
存在する気体の層の熱伝導に依存する、いわゆるプロキ
シミティベーク方式によって行なわれる。一方、加熱後
に所定の処理を行なう際には、基板は加熱手段から離さ
れる。

【００１３】ここで、基板を加熱手段上に直接載置した
ときに上面から例えば０．１ｍｍ浮き上がる部分が生じ
る程度の反り等が基板にあったとする。仮に、このよう
に基板を加熱手段上に載置した状態で所定の処理を行な
うとすれば、基板の裏面と加熱手段の上面との間のコン
デンサ容量の分布が基板面内で大きくばらついて、基板
表面がプラズマから受けるダメージの分布も大きくばら
つくこととなる。また、加熱手段から基板への熱伝導も
基板面内で均一にならず、基板面内における温度分布も
ばらつくことになる。これに対し、この発明の方法で
は、加熱した後に所定の処理を行なう際に基板を加熱手
段から、例えば１０ｍｍ上方へ離すようにする。このた
め、基板の反り等による基板の裏面と加熱手段上面との
間の距離の面内ばらつきは、１％（＝０．１ｍｍ／１０
ｍｍ）の範囲内となり、その距離の面内のばらつきによ
るコンデンサ容量分布の面内ばらつきへの影響は無視し
得る程度となる。従って、基板面内におけるプラズマダ
メージ分布への影響も問題とならない程度となる。ま
た、所定の処理中は、基板が加熱手段から離され、か
つ、真空雰囲気とされるので、加熱手段から基板への熱
伝導が起こらず、従って、基板面内における温度分布の
ばらつきは生じない。尚、所定の処理中における加熱手
段から基板への熱移動を期待しなくても、所定の処理を
開始する前に基板を加熱しておくので、何ら問題は無
く、また、所定の処理が始まると、基板はプラズマから
熱を受け、さらに、例えば、フォトレジスト膜を剥離す
る場合にはフォトレジストが酸化される際の反応熱によ
る温度上昇も加わるので、加熱手段からの熱伝導は、特
に必要ではない。

【００１４】請求項２に記載のプラズマ処理装置では、
加熱手段で基板を加熱する際及びプラズマを発生させて
基板に所定の処理を行なう際のいずれにおいても、基板
は基板支持手段によって支持されている。そして、加熱
手段で基板を加熱する際には、駆動手段によって加熱手
段と基板支持手段とを相対的に移動させることにより、
基板支持手段に支持された基板と加熱手段との距離を変
え、基板と加熱手段とを近接させた状態で制御手段は駆
動手段を停止させる。一方、プラズマを発生させて基板
に所定の処理を行なう際には、駆動手段によって加熱手
段と基板支持手段とを相対的に移動させることにより、
基板支持手段に支持された基板と加熱手段との距離を変
え、基板と加熱手段とを離間させた状態で制御手段は駆
動手段を停止させる。従って、プラズマを発生させて基
板に所定の処理を行なう際には、基板は加熱手段から離
されているので、上述したように、基板面内においてプ
ラズマダメージ分布や温度分布のばらつきを生じること
はない。また、所定の処理中においては、処理チャンバ
の内壁側全周に設けられた遮蔽部材の内周縁が、基板と
加熱手段とを離間させた状態のときの基板の周縁に近接
するので、基板の上方側空間と下方側空間とが遮蔽部材
によって仕切られた状態となる。従って、基板と加熱手
段との間にもプラズマが発生して印加電力の利用効率が
悪くなるといったことが防止される。

【００１５】請求項３に記載のプラズマ処理装置では、
加熱手段で基板を加熱する際及びプラズマを発生させて
基板に所定の処理を行なう際のいずれにおいても、基板
は基板支持手段によって支持されている。そして、加熱
手段で基板を加熱する際には、駆動手段によって加熱手
段と基板支持手段とを相対的に移動させることにより、
基板支持手段に支持された基板と加熱手段との距離を変
え、加熱手段の上面に設けられた突起部材に基板を載置
するように基板と加熱手段とを近接させた状態で制御手
段は駆動手段を停止させる。従って、基板の加熱は、基
板の裏面と加熱手段の上面との間に隙間が形成された状
態で、プロキシミティベーク方式によって行なわれる。
一方、プラズマを発生させて基板に所定の処理を行なう
際には、駆動手段によって加熱手段と基板支持手段とを
相対的に移動させることにより、基板支持手段に支持さ
れた基板と加熱手段との距離を変え、基板と加熱手段と
を離間させた状態で制御手段は駆動手段を停止させる。
従って、プラズマを発生させて基板に所定の処理を行な
う際には、基板は加熱手段から離されているので、上述
したように、基板面内においてプラズマダメージ分布や
温度分布のばらつきを生じることはない。また、所定の
処理中においては、処理チャンバの内壁側全周に設けら
れた遮蔽部材の内周縁が、基板と加熱手段とを離間させ
た状態のときの基板の周縁に近接するので、基板の上方
側空間と下方側空間とが遮蔽部材によって仕切られた状
態となる。従って、基板と加熱手段との間にもプラズマ
が発生して印加電力の利用効率が悪くなるといったこと
が防止される。

【００１６】請求項４に記載のプラズマ処理装置では、
駆動手段によって基板支持手段が上下方向へ往復移動
し、熱板は固定されたままであるので、熱板を移動させ
る場合に比べて機構が簡単になる。また、熱板にはヒー
タや温度センサなどの配線が接続されているが、熱板自
体は移動しないので、配線に不要な力が加わったりする
ことがない。

【００１７】請求項５に記載のプラズマ処理装置では、
基板の裏面と当接する基板支持手段の上端が絶縁性材料
によって形成されているので、基板支持手段が高周波電
流の経路となることがない。

【００１８】請求項６に記載のプラズマ処理装置では、
処理チャンバ及び遮蔽部材が絶縁性材料によって形成さ
れており、処理チャンバの内部のプラズマに曝される部
分は全て非金属製となるので、基板に対して金属汚染を
生じる心配が無い。

【００１９】

【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。

【００２０】図１及び図２は、本発明のプラズマ処理装
置の１例を示し、その要部の概略構成を一部縦断面で示
す正面図である。

【００２１】このプラズマ処理装置は、半球状をなし石
英ガラス、セラミック等の絶縁性材料で形成された処理
チャンバ１０を有し、処理チャンバ１０は、導電性材
料、例えばアルミニウム材によって形成されたチャンバ
台板１２上に載設され、処理チャンバ１０の下端面とチ
ャンバ台板１２の上面とが気密に接合している。処理チ
ャンバ１０の下端部には、その内壁面側の全周にドーナ
ツ状のプラズマ遮蔽板１４が固着されている。このプラ
ズマ遮蔽板１４は、基板Ｗの外周形状とほぼ同等の内周
縁を有している。処理チャンバ１０の上部には、ガス導
入管１６に連通したガス導入口１８が形設されており、
ガス導入管１６は、図示しないガス供給ユニットに流路
接続されている。また、処理チャンバ１０には、その外
面を取り巻くようにプラズマ源となる誘導コイル２０が
配設されており、誘導コイル２０は高周波電源２２に接
続されている。このように誘導コイル２０が処理チャン
バ１０の外側に配設されているので、処理チャンバ１０
の内部が金属によって汚染される心配は無い。高周波電
源２２は、例えば数百ＫＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波電流
を発生する。

【００２２】チャンバ台板１２には、処理チャンバ１０
の内部空間に連通する円形状の段付き貫通孔２４が形設
されており、この段付き貫通孔２４に熱板２６が挿通さ
れている。そして、段付き貫通孔２４の大径部内周面と
熱板２６の外周面との間の空間が環状通気路２８となっ
ており、その環状通気路２８に連通する排気路３０が、
チャンバ台板１２の一側面側に形成されている。排気路
３０は、それに連通接続された排気管３２を介し、図示
しない真空排気ユニットに流路接続されている。また、
チャンバ台板１２の他側面側には、基板Ｗを出し入れす
るための開口部３４が形設されており、開口部３４に
は、それを開閉し気密に閉塞するゲートバルブ３６が付
設されている。

【００２３】熱板２６は、導電性材料、例えばアルミニ
ウム材によって形成されており、基板Ｗを予備加熱する
ために内部にヒータ（図示せず）を有していて、例えば
常温〜３００℃の温度に調節される。また、熱板２６
は、それに形成された複数本、例えば３本の貫通細孔３
８を通して上下方向へ往復移動する３本の支持ピン４２
を有した基板支持部材４０を備えている。基板支持部材
４０は、図示しない基板昇降駆動用シリンダのピストン
棒に連結されており、基板昇降駆動用シリンダを制御装
置によって駆動制御することにより、所定位置に静止
し、及び、上下方向に往復移動するようになっている。
基板支持部材４０の支持ピン４２の、基板Ｗの裏面に当
接する上端部４４は、セラミック等の絶縁性材料で形成
されている。尚、支持ピンの全体をセラミック等の絶縁
性材料で形成してもよい。また、熱板２６の下端部に
は、鍔部４６が一体形成されており、熱板２６の鍔部４
６の上面とチャンバ台板１２の下面とは、環状シール部
材４８を介在させて気密に当接するようになっている。
さらに、熱板２６の上面には、基板Ｗの裏面に当接して
基板Ｗを支持し、その際に基板Ｗの裏面と熱板２６の上
面との間に隙間が形成されるようにする小突起部材５０
が複数個、例えば３個固設されている。小突起部材５０
としては、例えば微小なセラミックボールが使用され、
その下半部を熱板２６の上面に埋設して取り付ける。

【００２４】次に、上記した構成のプラズマ処理装置を
使用して行なわれるプラズマ処理について、アッシング
処理する場合を例にとって説明する。

【００２５】まず、基板支持部材４０が、図１に示すよ
うに支持ピン４２の上端が熱板２６の上面の小突起部材
５０の頂点位置より下方となる最下位置（加熱位置）と
図２に示した最上位置（処理位置）との中間の基板搬出
入位置にあり、ゲートバルブ３６が開いた状態におい
て、表面にフォトレジスト膜が被着された基板Ｗが、図
示しない基板搬送機構によってチャンバ台板１２の開口
部３４を通し処理チャンバ１０内へ搬入され、基板支持
部材４０の支持ピン４２上へ移載される。基板支持部材
４０によって基板Ｗが支持されると、基板支持部材４０
が下降し、図１に示すように、基板Ｗが、基板支持部材
４０の支持ピン４２上から熱板２６上面の小突起部材５
０上へ移載され、熱板２６上に小突起部材５０によって
３点で支持される。この状態において、基板はプロキシ
ミティベーク方式によって所定時間予備加熱される。こ
の間に、ゲートバルブ３６が閉じて処理チャンバ１０内
が気密化され、また、真空排気ユニットが作動して、環
状通気路２８及び排気路３０を通して処理チャンバ１０
内の空気が排除される。このとき、図１に示すように、
基板Ｗの上面とプラズマ遮蔽板１４の内周縁との間が離
れているので、処理チャンバ１０内の空気は速やかに排
除される。尚、基板Ｗを予備加熱する間に、基板Ｗ搬送
機構の搬送アームを処理チャンバ１０内から退出させた
り、処理チャンバ１０内の気密化を行なったり、処理チ
ャンバ１０内を真空排気したりする各操作が平行して行
なわれるので、予備加熱に要する時間の分だけ一連の処
理に要する時間が長くかかってスループットが大きく低
下する、といったことにはならない。

【００２６】予備加熱が終了すると、基板支持部材４０
が上昇し、基板Ｗが熱板２６上面の小突起部材５０上か
ら基板支持部材４０の支持ピン４２上へ移載され、図２
に示す処理位置まで基板支持部材４０が上昇して、基板
Ｗが熱板２６の上面から上方へ、例えば１０ｍｍ離れた
状態で静止する。このとき、基板Ｗの周縁がプラズマ遮
蔽板１４の内周縁と近接している。次に、ガス供給ユニ
ットからガス導入管１６を通して送給される処理ガス、
例えば酸素ガス等をガス導入口１８から処理チャンバ１
０内へ導入しながら、真空排気を継続して処理チャンバ
１０内部を所望の真空圧、例えば数十ｍｍＴｏｒｒ〜数
Ｔｏｒｒに保つ。このとき、処理チャンバ１０内部の排
気は、基板Ｗの周縁とプラズマ遮蔽板１４の内周縁との
間の僅かな隙間を通して行なわれることとなる。そし
て、誘導コイル２０に高周波電流が流され、処理チャン
バ１０の内部にプラズマが発生して、基板Ｗのアッシン
グ処理が行なわれる。

【００２７】アッシング処理中においては、基板支持部
材４０によって支持された基板Ｗの周縁とプラズマ遮蔽
板１４の内周縁とが近接しており、基板Ｗ及びプラズマ
遮蔽板１４により処理チャンバ１０の内部とチャンバ台
板１２の段付き貫通孔２４とが仕切られている。このた
め、基板Ｗと熱板２６との間にはプラズマが発生せず、
印加電力の利用効率が悪くなったり熱板２６に形成され
た貫通細孔３８においてアーク様の局所放電を生じたり
する、といったことがない。また、上記したように、処
理チャンバ１０の内部の排気は、基板Ｗの周縁とプラズ
マ遮蔽板１４の内周縁との間の僅かな隙間を通して行な
われるため、基板Ｗの周縁とプラズマ遮蔽板１４の内周
縁との間の距離を大きくした場合のように排気が真空源
に近い方へ偏ってアッシングレートの面内分布が悪くな
る、等といったことは起こらない。

【００２８】アッシング処理が終了すると、基板支持部
材４０が下降して基板搬出入位置に停止する。そして、
ガス供給ユニットから窒素ガス等のパージガスがガス導
入口１８を通して処理チャンバ１０内へ導入され、処理
チャンバ１０の内部が大気圧に戻される。尚、このとき
には、基板支持部材４０が図２に示した状態から下方へ
移動して基板搬出入位置に静止しており、基板Ｗの周縁
とプラズマ遮蔽板１４の内周縁との間は離れているの
で、処理チャンバ１０内部の大気圧への復帰は速やかに
行なわれる。処理チャンバ１０の内部が大気圧に戻る
と、ゲートバルブ３６が開き、基板搬送機構により、基
板支持部材４０の支持ピン４２上から処理済みの基板が
取り去られ、その基板がチャンバ台板１２の開口部３４
を通って処理チャンバ１０外へ搬出される。そして、次
に処理すべき基板Ｗが処理チャンバ１０内へ搬送され、
上記と同じ動作が繰り返される。

【００２９】以上の実施例では、熱板２６の上面に小突
起部材５０を固設し、基板Ｗを予備加熱する際には熱板
２６上面の小突起部材５０によって基板Ｗを支持するよ
うな構成としたが、熱板上面に小突起部材を設けずに、
基板支持部材を、その支持ピンの上端が熱板の上面から
僅かに突出した位置に静止させることができるように
し、基板の予備加熱の際に、基板支持部材によって基板
を、基板裏面と熱板の上面とが近接した状態で支持する
ような構成としてもよい。

【００３０】尚、上記実施例では、プラズマ源として誘
導コイル２０を用いたが、プラズマ源として電極を用い
るようにしてもよい。また、上記実施例のように、熱板
２６を固定し基板支持部材４０を上下方向へ往復移動さ
せるようにする方が好ましいが、熱板の方を上下方向へ
移動可能としても差し支えない。さらに、実施例装置
は、処理チャンバ１０及びチャンバ台板１２と熱板２６
とを固定し、処理チャンバ１０内への基板の搬入及び処
理チャンバ１０内からの基板の搬出は、チャンバ台板１
２に形設された開口部３４を通して行なわれるような構
成を有しているが、処理チャンバ及びチャンバ台板と熱
板とを相対的に上下方向へ往復移動させることができる
ようにし、基板の搬出入の際にチャンバ台板と熱板との
間を離間させて熱板の上面側を開放させるような装置構
成としてもよい。

【００３１】

【発明の効果】請求項１に記載のプラズマ処理方法によ
れば、基板を加熱手段によって加熱する際には、基板と
加熱手段とを近接させた状態で基板支持手段によって基
板を点接触又は線接触で支持し、プラズマを発生させて
基板に所定の処理を行なう際には、基板と加熱手段とを
離間させた状態で前記基板支持手段によって基板を点接
触又は線接触で支持しているので、基板の裏面側の汚染
を生じることがなく、基板面におけるプラズマダメージ
分布や温度分布のばらつきも生じることがないため、基
板の処理品質を向上させることができる。

【００３２】請求項２に記載のプラズマ処理装置によれ
ば、基板と加熱手段とを近接させた状態で制御手段によ
って駆動手段を停止させて、加熱手段によって基板を加
熱し、また基板と加熱手段とを離間させた状態で、制御
手段によって駆動手段を停止させて、プラズマを発生さ
せて基板に所定の処理を行なっているので、基板の裏面
側に汚染が生じることもなく、基板面におけるプラズマ
ダメージ分布や温度分布のばらつきも生じることがない
ため、基板の処理品質を向上させることができる。ま
た、遮蔽部材によって基板と加熱手段との間でのプラズ
マ発生を阻止することができるため、印加電力の利用効
率の悪化といった不都合を避けることができる。

【００３３】請求項３に記載のプラズマ処理装置によれ
ば、加熱手段の上面に設けられた突起部材に基板を載置
させるように、基板と加熱手段とを接近させた状態で制
御手段によって駆動手段を停止させて、加熱手段によっ
て基板を加熱し、また基板と加熱手段とを離間させた状
態で、制御手段によって駆動手段を停止させて、プラズ
マを発生させて基板に所定の処理を行なっているので、
基板の裏面側に汚染が生じることもなく、基板面におけ
るプラズマダメージ分布や温度分布のばらつきも生じる
ことがないため、基板の処理品質を向上させることがで
きる。また、遮蔽部材によって基板と加熱手段との間で
のプラズマ発生を阻止することができ、印加電力の利用
効率の悪化といった不都合を避けることができる。

【００３４】請求項４に記載のプラズマ処理装置によれ
ば、基板支持手段を固定し加熱手段を上下方向へ往復移
動させる場合に比べ、機構が簡単になり、昇降駆動装置
も小型化することができる。また、加熱手段自体は固定
されたままで移動しないので、加熱手段に接続されたヒ
ータや温度センサなどの配線に不要な力が加わって断線
等の不都合を生じる、といった心配が無い。

【００３５】請求項５に記載のプラズマ処理装置によれ
ば、基板の裏面に当接する基板支持手段の上端部が絶縁
性材料によって形成されているので、基板支持手段が高
周波電流の経路となって装置の不要な部分に高周波電流
が流れる、といったことを防止することができる。

【００３６】請求項６に記載のプラズマ処理装置によれ
ば、処理チャンバ及び遮蔽部材が絶縁性材料によって形
成されているので、処理チャンバの内部にプラズマ遮蔽
部材を設けたことが原因となって基板が金属汚染され
る、といった心配が無くなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理装置の概略構成の１例を
示す要部縦断面図であって、予備加熱時の状態を示す図
である。

【図２】同じく、アッシング処理時の状態を示す図であ
る。

【符号の説明】

１０ 処理チャンバ １２ チャンバ台板 １４ プラズマ遮蔽板 ２０ 誘導コイル ２２ 高周波電源 ２６ 熱板 ４０ 基板支持部材 ４２ 支持ピン ４４ 支持ピンの、絶縁性材料によって形成された上端
部 ５０ 小突起部材 Ｗ 基板

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理チャンバ内に収納された基板を加熱
   手段によって加熱した後、プラズマを発生させて基板に
   所定の処理を行なうプラズマ処理方法であって、 基板と前記加熱手段とを近接させた状態で基板支持手段
   によって基板を点接触又は線接触で支持しつつ、基板を
   前記加熱手段によって加熱し、 基板と前記加熱手段とを離間させた状態で前記基板支持
   手段によって基板を点接触又は線接触で支持しつつ、プ
   ラズマを発生させて基板に所定の処理を行なうことを特
   徴とするプラズマ処理方法。
2. 【請求項２】 プラズマを発生させて基板に所定の処理
   を行なうプラズマ処理装置であって、 基板を水平姿勢で収容する処理チャンバと、 前記処理チャンバの下方に配置されるとともに、基板を
   加熱する加熱手段と、 基板を支持する基板支持手段と、 前記基板支持手段に支持された基板と前記加熱手段との
   距離を変えるように、前記加熱手段と前記基板支持手段
   とを相対的に移動させる駆動手段と、 前記加熱手段で基板を加熱する際には、基板と前記加熱
   手段とを近接させた状態で前記駆動手段を停止させ、プ
   ラズマを発生させて基板に所定の処理を行なう際には、
   基板と前記加熱手段とを離間させた状態で前記駆動手段
   を停止させる制御手段と、 前記処理チャンバの内壁側全周に設けられ、基板と前記
   加熱手段とを離間させた状態のときの基板の周縁に近接
   する内周縁を備えた遮蔽部材と、を有することを特徴と
   するプラズマ処理装置。
3. 【請求項３】 プラズマを発生させて基板に所定の処理
   を行なうプラズマ処理装置であって、 基板を水平姿勢で収容する処理チャンバと、 前記処理チャンバの下方に配置されるとともに、基板を
   加熱する加熱手段と、 前記加熱手段の上面に設けられ、前記加熱手段の上面と
   基板の裏面との間に間隙を形成するように基板を載置す
   る突起部材と、 基板を支持する基板支持手段と、 前記基板支持手段に支持された基板と前記加熱手段との
   距離を変えるように、前記加熱手段と前記基板支持手段
   とを相対的に移動させる駆動手段と、 前記加熱手段で基板を加熱する際には、前記突起部材に
   基板を載置させるように基板と前記加熱手段とを接近さ
   せた状態で前記駆動手段を停止させ、プラズマを発生さ
   せて基板に所定の処理を行なう際には、基板と前記加熱
   手段とを離間させた状態で前記駆動手段を停止させる制
   御手段と、 前記処理チャンバの内壁側全周に設けられ、基板と前記
   加熱手段とを離間させた状態のときの基板の周縁に近接
   する内周縁を備えた遮蔽部材と、を有することを特徴と
   するプラズマ処理装置。
4. 【請求項４】 請求項２又は請求項３に記載のプラズマ
   処理装置であって、 前記加熱手段は、固定されており、 前記基板支持手段は、前記駆動手段によって上下方向に
   移動自在であることを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載のプラズマ処理装置であ
   って、 基板の裏面に当接する前記基板支持手段の上端部が絶縁
   性材料によって形成されていることを特徴とするプラズ
   マ処理装置。
6. 【請求項６】 請求項２ないし請求項５のいずれかに記
   載のプラズマ処理装置であって、 前記処理チャンバ及び前記遮蔽部材が絶縁性材料によっ
   て形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。