JPH09139366A - 研磨装置及びリテーナーリングの形状調整方法 - Google Patents
研磨装置及びリテーナーリングの形状調整方法Info
- Publication number
- JPH09139366A JPH09139366A JP29561795A JP29561795A JPH09139366A JP H09139366 A JPH09139366 A JP H09139366A JP 29561795 A JP29561795 A JP 29561795A JP 29561795 A JP29561795 A JP 29561795A JP H09139366 A JPH09139366 A JP H09139366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- retainer ring
- polishing
- substrate
- wafer
- polishing pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板製造工程上に生じる凹凸を平坦化
する研磨装置において、リテーナーリングを研磨パッド
に接触させて基板外周部の研磨量の異常を防止する手段
として、リテーナーリングの研磨パッドに接触する端部
をラウンド形状と、リテーナーリング幅を狭くしても効
果が発揮されるようにし、研磨量の低下，研磨レートの
均一性の悪化，平坦性の悪化等を防ぐ。 【解決手段】 リテーナーリング１の端部は曲率半径１
ｍｍのラウンド１ａを有している。リテーナーリング１
の背面にはインサーパッド３と同じ材質のクッション材
４が設けてあり、ウェハ５とリテーナーリング１の表面
はほぼ高さが等しい。これにより、リテーナーリング１
を押し付けることによる研磨パッド２の変形を少なくす
ることができ、リングの幅を狭くできるため、研磨剤の
供給がリテーナーリング１によって妨害されることは少
なくなる。
する研磨装置において、リテーナーリングを研磨パッド
に接触させて基板外周部の研磨量の異常を防止する手段
として、リテーナーリングの研磨パッドに接触する端部
をラウンド形状と、リテーナーリング幅を狭くしても効
果が発揮されるようにし、研磨量の低下，研磨レートの
均一性の悪化，平坦性の悪化等を防ぐ。 【解決手段】 リテーナーリング１の端部は曲率半径１
ｍｍのラウンド１ａを有している。リテーナーリング１
の背面にはインサーパッド３と同じ材質のクッション材
４が設けてあり、ウェハ５とリテーナーリング１の表面
はほぼ高さが等しい。これにより、リテーナーリング１
を押し付けることによる研磨パッド２の変形を少なくす
ることができ、リングの幅を狭くできるため、研磨剤の
供給がリテーナーリング１によって妨害されることは少
なくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨装置及びリテ
ーナーリングの形状調整方法に関する。
ーナーリングの形状調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】研磨により基板表面を平滑化する技術
は、半導体基板の作製工程をはじめとし、あらゆる分野
で用いられてきた。一方、近年、半導体基板上のデバイ
ス作製工程においても、作製の過程で形成される表面の
凹凸、例えば層間絶縁膜表面の凹凸を研磨により平坦化
する化学機械研磨法が採用されつつある。この方法で
は、半導体基板等の基板表面を研磨する場合に用いられ
る不織布を材料とする比較的柔らかな研磨布とは異な
り、絶縁膜の平坦化を行うために、発泡ポリウレタン等
の材料からなる硬めの研磨布が用いられる。また、基板
面内の研磨均一性を得るために、硬質パッドの下層に弾
力性のあるクッション層を設けることが一般的である。
は、半導体基板の作製工程をはじめとし、あらゆる分野
で用いられてきた。一方、近年、半導体基板上のデバイ
ス作製工程においても、作製の過程で形成される表面の
凹凸、例えば層間絶縁膜表面の凹凸を研磨により平坦化
する化学機械研磨法が採用されつつある。この方法で
は、半導体基板等の基板表面を研磨する場合に用いられ
る不織布を材料とする比較的柔らかな研磨布とは異な
り、絶縁膜の平坦化を行うために、発泡ポリウレタン等
の材料からなる硬めの研磨布が用いられる。また、基板
面内の研磨均一性を得るために、硬質パッドの下層に弾
力性のあるクッション層を設けることが一般的である。
【０００３】図７に従来の研磨装置の構成を示す。図７
に示す研磨装置は、基板を保持する基板保持部９と、研
磨パッド２が貼付けられた研磨テーブル１０と、研磨剤
供給口１１と、ダイヤモンドペレット１２を装着したコ
ンディショニング機構（以下、コンディショナーとい
う）１３とから構成されている。基板保持部９，コンデ
ィショナー１３には回転，揺動，加圧機構が付帯されて
おり、研磨テーブル１０には回転機構が付帯している
が、図面では省略している。
に示す研磨装置は、基板を保持する基板保持部９と、研
磨パッド２が貼付けられた研磨テーブル１０と、研磨剤
供給口１１と、ダイヤモンドペレット１２を装着したコ
ンディショニング機構（以下、コンディショナーとい
う）１３とから構成されている。基板保持部９，コンデ
ィショナー１３には回転，揺動，加圧機構が付帯されて
おり、研磨テーブル１０には回転機構が付帯している
が、図面では省略している。
【０００４】図８は、図７に示した基板保持部９の構成
を具体的に示す断面図である。基板保持部９は、基板
（以下、ウェハという）５の裏面にインサートパッド３
と呼ばれる弾力性のある層を設けており、ウェハ５の外
周に研磨中のウェハ５の横ずれを防止するリテーナーリ
ング１が設けられている。リテーナーリング１の材質に
は通常硬質プラスチック等が用いられる。ウェハ５はリ
テーナーリング１から約２００μｍ突出して取り付けら
れ、これによりウェハ５のみが研磨パッド２に接触する
ような構造となっている。
を具体的に示す断面図である。基板保持部９は、基板
（以下、ウェハという）５の裏面にインサートパッド３
と呼ばれる弾力性のある層を設けており、ウェハ５の外
周に研磨中のウェハ５の横ずれを防止するリテーナーリ
ング１が設けられている。リテーナーリング１の材質に
は通常硬質プラスチック等が用いられる。ウェハ５はリ
テーナーリング１から約２００μｍ突出して取り付けら
れ、これによりウェハ５のみが研磨パッド２に接触する
ような構造となっている。
【０００５】この研磨装置を用いて、図９に示すような
配線層間膜の凹凸を研磨平坦化する。図９は半導体装置
の製造工程を示しており、半導体基板（ウェハ５に相当
する）１４の絶縁膜１５上に形成された金属配線１６上
にシリコン酸化膜１７がプラズマＣＶＤ法により２μｍ
の厚さに形成されている。なお、金属配線１６よりも下
層の素子構造は簡単のため省略してある。この基板を上
述した研磨装置にて研磨することにより、図１０に示す
ような平坦な層間絶縁膜を得ることができる。このとき
の研磨条件は、ロデール社製ＩＣ１０００／ＳＵＢＡ４
００の積層からなる研磨パッド２上に、研磨剤供給口１
１から研磨材としてキャボット製ＳＣ１１２を１００ｃ
ｃ／分流しながら、研磨テーブル１０の回転数＝２０Ｒ
ＰＭ，基板保持部９によるウェハ５の回転数＝２０ＲＰ
Ｍで回転させながら、ウェハ５を研磨パッド２に荷重＝
５００ｇ／ｃｍ2をもって押し付ける設定として平坦化
処理を行なう。このとき、ほぼ１３００Å／分の研磨レ
ートが得られる。また、金属配線１６の厚さ０．８μ
ｍ，パターン付き基板（ウェハ）において、３ｍｍ×３
ｍｍのパターン上とパターンの存在しない部分との層間
絶縁膜上の高さの差をグローバル段差と呼ぶと、５分研
磨後のグローバル段差は約１０００Åとなった。
配線層間膜の凹凸を研磨平坦化する。図９は半導体装置
の製造工程を示しており、半導体基板（ウェハ５に相当
する）１４の絶縁膜１５上に形成された金属配線１６上
にシリコン酸化膜１７がプラズマＣＶＤ法により２μｍ
の厚さに形成されている。なお、金属配線１６よりも下
層の素子構造は簡単のため省略してある。この基板を上
述した研磨装置にて研磨することにより、図１０に示す
ような平坦な層間絶縁膜を得ることができる。このとき
の研磨条件は、ロデール社製ＩＣ１０００／ＳＵＢＡ４
００の積層からなる研磨パッド２上に、研磨剤供給口１
１から研磨材としてキャボット製ＳＣ１１２を１００ｃ
ｃ／分流しながら、研磨テーブル１０の回転数＝２０Ｒ
ＰＭ，基板保持部９によるウェハ５の回転数＝２０ＲＰ
Ｍで回転させながら、ウェハ５を研磨パッド２に荷重＝
５００ｇ／ｃｍ2をもって押し付ける設定として平坦化
処理を行なう。このとき、ほぼ１３００Å／分の研磨レ
ートが得られる。また、金属配線１６の厚さ０．８μ
ｍ，パターン付き基板（ウェハ）において、３ｍｍ×３
ｍｍのパターン上とパターンの存在しない部分との層間
絶縁膜上の高さの差をグローバル段差と呼ぶと、５分研
磨後のグローバル段差は約１０００Åとなった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図８に示し
た従来の基板保持部９の構造では、ウェハ５の外周部に
おける研磨量が異常となるという問題があった。すなわ
ち、表面に硬質，下層に軟質の層からなる研磨パッド２
にウェハ５を押し付けることにより、図１１に示すよう
にウェハ５の外周部の接触圧力が最大となり、その反力
で、ウェハ５の外周部から数ミリ、特にウェハ５の下層
としてのインサートパッド３の弾性率や研磨条件によっ
ては数センチにわたって研磨パッド２が変形し、ウェハ
５にかかる圧力が低くなり、研磨量が小さくなる。
た従来の基板保持部９の構造では、ウェハ５の外周部に
おける研磨量が異常となるという問題があった。すなわ
ち、表面に硬質，下層に軟質の層からなる研磨パッド２
にウェハ５を押し付けることにより、図１１に示すよう
にウェハ５の外周部の接触圧力が最大となり、その反力
で、ウェハ５の外周部から数ミリ、特にウェハ５の下層
としてのインサートパッド３の弾性率や研磨条件によっ
ては数センチにわたって研磨パッド２が変形し、ウェハ
５にかかる圧力が低くなり、研磨量が小さくなる。
【０００７】これを解決する対策として、リテーナーリ
ング１とウェハ５の研磨パッド２に接触する面を同一高
さとし、かつリテーナーリング１の幅を上述した研磨パ
ッド２の変形の幅以上とし、研磨パッド２の変形の影響
をウェハ５に与えないようにする手法が検討されてい
る。
ング１とウェハ５の研磨パッド２に接触する面を同一高
さとし、かつリテーナーリング１の幅を上述した研磨パ
ッド２の変形の幅以上とし、研磨パッド２の変形の影響
をウェハ５に与えないようにする手法が検討されてい
る。
【０００８】ところがリテーナリング１は、研磨パッド
２と接触する角部の形状が直角な断面形状をなしてお
り、このリテーナーリング１では、ウェハ５で観察され
た研磨量異常の幅よりも大きくリテーナーリング１の幅
をとっても完全に研磨量異常をなくすことはできない。
これは、ウェハ５の外周部はラウンド形状であるのに対
し、リテーナーリング１の直角断面形状の角部が研磨パ
ッド２に接触すると、その反力は大きく、図１２に示す
ように研磨パッド２の変形幅がウェハ５にまで到達した
り、図１３に示すように反力による２次的な変形が研磨
パッド２に生じるためと考えられる。このようにリテー
ナーリング１の幅をかなり大きくする必要が生じるた
め、これにより研磨パッド２とウェハ５の間に研磨剤が
入り込みにくくなり、研磨レートが低下するという問題
も生じる。
２と接触する角部の形状が直角な断面形状をなしてお
り、このリテーナーリング１では、ウェハ５で観察され
た研磨量異常の幅よりも大きくリテーナーリング１の幅
をとっても完全に研磨量異常をなくすことはできない。
これは、ウェハ５の外周部はラウンド形状であるのに対
し、リテーナーリング１の直角断面形状の角部が研磨パ
ッド２に接触すると、その反力は大きく、図１２に示す
ように研磨パッド２の変形幅がウェハ５にまで到達した
り、図１３に示すように反力による２次的な変形が研磨
パッド２に生じるためと考えられる。このようにリテー
ナーリング１の幅をかなり大きくする必要が生じるた
め、これにより研磨パッド２とウェハ５の間に研磨剤が
入り込みにくくなり、研磨レートが低下するという問題
も生じる。
【０００９】また、リテーナーリング１が研磨パッド２
に接触するために起きるその他の問題としては、リテー
ナーリング１による研磨パッド２のドレッシング効果が
ある。研磨と同時にドレッシングを行う方法は研磨レー
トを安定化させる方法として既に公知であるが、この方
法の短所として、平坦化効率が悪化することが、早川，
室山〜第４２回春期応用物理学会予講集２Ｐ７８８など
によって知られており、リテーナーリングの接触によっ
ても同様の平坦化効率の悪化が見られる。さらに、リテ
ーナーリングが研磨パッドに接触することにより、リテ
ーナーリングに含まれる不純物が研磨パッド上に広が
り、研磨対象の基板上に残留する。これにより、研磨し
たデバイスの特性異常を引き起こす恐れが生じる。
に接触するために起きるその他の問題としては、リテー
ナーリング１による研磨パッド２のドレッシング効果が
ある。研磨と同時にドレッシングを行う方法は研磨レー
トを安定化させる方法として既に公知であるが、この方
法の短所として、平坦化効率が悪化することが、早川，
室山〜第４２回春期応用物理学会予講集２Ｐ７８８など
によって知られており、リテーナーリングの接触によっ
ても同様の平坦化効率の悪化が見られる。さらに、リテ
ーナーリングが研磨パッドに接触することにより、リテ
ーナーリングに含まれる不純物が研磨パッド上に広が
り、研磨対象の基板上に残留する。これにより、研磨し
たデバイスの特性異常を引き起こす恐れが生じる。
【００１０】こうした悪影響は、経時変化を伴うため
に、プロセスの再現性をも悪化させる。これは、インサ
ートパッド３に起因している。インサートパッド３は弾
力性を有しており、ウェハ５の研磨時の荷重により、ウ
ェハ５の沈み込み量が変化する。すなわち、リテーナー
リング１からのウェハ５の突出量が変化するのである。
また、インサートパッド３は弾力性を有するだけでな
く、連続して使用することにより、その弾力性が変化
し、同じ荷重でもウェハ５のリテーナリング１からの突
出量が変化してしまう。このようにリテーナーリング１
からのウェハ５の突出量が変化してしまうと、当初の目
的であるウェハ５外周部の研磨量異常に対する効果が一
定でなくなるばかりでなく、研磨パッド２とウェハ５の
間への研磨剤の入り込み易さが一定でなくなったり、リ
テーナーリング１によるドレッシング効果が一定でなく
なったりするため、研磨レートや均一性等の研磨の安定
性が著しく損なわれるという問題が生じる。
に、プロセスの再現性をも悪化させる。これは、インサ
ートパッド３に起因している。インサートパッド３は弾
力性を有しており、ウェハ５の研磨時の荷重により、ウ
ェハ５の沈み込み量が変化する。すなわち、リテーナー
リング１からのウェハ５の突出量が変化するのである。
また、インサートパッド３は弾力性を有するだけでな
く、連続して使用することにより、その弾力性が変化
し、同じ荷重でもウェハ５のリテーナリング１からの突
出量が変化してしまう。このようにリテーナーリング１
からのウェハ５の突出量が変化してしまうと、当初の目
的であるウェハ５外周部の研磨量異常に対する効果が一
定でなくなるばかりでなく、研磨パッド２とウェハ５の
間への研磨剤の入り込み易さが一定でなくなったり、リ
テーナーリング１によるドレッシング効果が一定でなく
なったりするため、研磨レートや均一性等の研磨の安定
性が著しく損なわれるという問題が生じる。
【００１１】本発明の目的は、基板（ウェハ）外周部に
おける研磨量の不均一を防止し、また別の目的として、
リテーナーリングの接触による平坦化効率の低下を防止
し、さらに別の目的として、リテーナーリングからの基
板の突出量を一定とし、研磨特性を安定化させ、さらに
別の目的として、研磨によりリテーナーリングからの不
純物で基板が汚染されることを防止した研磨装置及びリ
テーナーリングの形状調整方法を提供することにある。
おける研磨量の不均一を防止し、また別の目的として、
リテーナーリングの接触による平坦化効率の低下を防止
し、さらに別の目的として、リテーナーリングからの基
板の突出量を一定とし、研磨特性を安定化させ、さらに
別の目的として、研磨によりリテーナーリングからの不
純物で基板が汚染されることを防止した研磨装置及びリ
テーナーリングの形状調整方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る研磨装置は、リテーナーリングを有
し、基板を研磨パッドに押し付けて基板の凹凸を平滑化
する研磨装置であって、リテーナーリングは、基板の横
ずれを防止するものであって、研磨パッドと接触する角
部領域にラウンドを有するものである。
め、本発明に係る研磨装置は、リテーナーリングを有
し、基板を研磨パッドに押し付けて基板の凹凸を平滑化
する研磨装置であって、リテーナーリングは、基板の横
ずれを防止するものであって、研磨パッドと接触する角
部領域にラウンドを有するものである。
【００１３】またリテーナーリングに設けたラウンド形
状の曲率半径は、１ｍｍ以上である。
状の曲率半径は、１ｍｍ以上である。
【００１４】また接触調整機構を有し、接触調整機構
は、研磨中の基板とリテーナーリングの表面の高さが５
０μｍ以内の差で基板が研磨パッドに接触する高さに調
整するものである。
は、研磨中の基板とリテーナーリングの表面の高さが５
０μｍ以内の差で基板が研磨パッドに接触する高さに調
整するものである。
【００１５】また本発明に係る研磨装置は、リテーナー
リングを有し、基板を研磨パッドに押し付けて基板の凹
凸を平滑化する研磨装置であって、リテーナーリング
は、基板の横ずれを防止するものであって、その材質
は、基板を研磨する研磨材とほぼ同一の材質からなるも
のである。
リングを有し、基板を研磨パッドに押し付けて基板の凹
凸を平滑化する研磨装置であって、リテーナーリング
は、基板の横ずれを防止するものであって、その材質
は、基板を研磨する研磨材とほぼ同一の材質からなるも
のである。
【００１６】また接触調整機構を有し、接触調整機構
は、研磨中の基板とリテーナーリングの表面の高さが５
０μｍ以内の差で基板が研磨パッドに接触する高さに調
整するものである。
は、研磨中の基板とリテーナーリングの表面の高さが５
０μｍ以内の差で基板が研磨パッドに接触する高さに調
整するものである。
【００１７】またリテーナーリングの研磨パッドと接触
する角部領域にラウンドを有しており、ラウンドの形状
は、その曲率半径が１ｍｍ以上である。
する角部領域にラウンドを有しており、ラウンドの形状
は、その曲率半径が１ｍｍ以上である。
【００１８】また本発明に係るリテーナーリングの形状
調整方法は、基板をリテーナーリングにて保持し、基板
を研磨パッドに押し付けて該基板を平滑化する研磨方法
において、リテーナーリングに対して予備研磨を行な
い、リテーナーリング外周部の断面形状をラウンド形状
に整形するものである。
調整方法は、基板をリテーナーリングにて保持し、基板
を研磨パッドに押し付けて該基板を平滑化する研磨方法
において、リテーナーリングに対して予備研磨を行な
い、リテーナーリング外周部の断面形状をラウンド形状
に整形するものである。
【００１９】本発明の研磨装置は、基板を保持するため
のリテーナーリングの外周側の断面形状が研磨パッドに
対してラウンド形状を有しており、リテーナーリングの
ラウンド形状の曲率半径は、１ｍｍ以上であることが望
ましい。さらに、研磨中の基板とリテーナーリングの表
面の高さが５０μｍ以内の差で研磨布に接触するように
調整する機構を設けていることが望ましい。
のリテーナーリングの外周側の断面形状が研磨パッドに
対してラウンド形状を有しており、リテーナーリングの
ラウンド形状の曲率半径は、１ｍｍ以上であることが望
ましい。さらに、研磨中の基板とリテーナーリングの表
面の高さが５０μｍ以内の差で研磨布に接触するように
調整する機構を設けていることが望ましい。
【００２０】また本発明の研磨装置は、基板を保持する
ためのリテーナーリングの材質が基板上の主たる被研磨
剤とほぼ同一の材質からなっている。また、研磨中の基
板とリテーナーリングの表面の高さが５０μｍ以内の差
で研磨布に接触するように調整する機構を設けているこ
とが望ましい。さらに、基板を保持するためのリテーナ
ーリングの断面形状の外周側の研磨パッド側がラウンド
形状を有し、その曲率半径が、１ｍｍ以上であることが
望ましい。
ためのリテーナーリングの材質が基板上の主たる被研磨
剤とほぼ同一の材質からなっている。また、研磨中の基
板とリテーナーリングの表面の高さが５０μｍ以内の差
で研磨布に接触するように調整する機構を設けているこ
とが望ましい。さらに、基板を保持するためのリテーナ
ーリングの断面形状の外周側の研磨パッド側がラウンド
形状を有し、その曲率半径が、１ｍｍ以上であることが
望ましい。
【００２１】本発明に係るリテーナーリングの形状調整
方法は、基板を保持するためのリテーナーリングに予め
適当な量の予備研磨を行うことにより、初期に任意であ
ったリテーナーリング外周部の断面形状をラウンド形状
に仕上げる。
方法は、基板を保持するためのリテーナーリングに予め
適当な量の予備研磨を行うことにより、初期に任意であ
ったリテーナーリング外周部の断面形状をラウンド形状
に仕上げる。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に図面を参照して本発明を説明
する。
する。
【００２３】（実施形態１）図１は本発明の実施形態１
に係る基板保持部を示す断面図である。図１に示す本発
明の実施形態１に係る基板保持部９は、基板（以下、ウ
ェハという）５の裏面にインサートパッド３と呼ばれる
弾力性のある層を設けており、ウェハ５の外周に研磨中
のウェハ５の横ずれを防止するリテーナーリング１が設
けられている。リテーナーリング１としては硬質プラス
チック製のものを用いている。さらに本発明では、硬質
プラスチック製リテーナーリング１の外周部の研磨パッ
ド２と接触する角部領域に曲率半径１ｍｍのラウンド１
ａを設けている。リテーナーリング１の研磨パッド２と
の接触部の幅は１０ｍｍである。また、リテーナーリン
グ１の裏面と基板保持部９との間には、インサートパッ
ド３と同じ材質のクッション材４が挿入されている。こ
こにインサートパッド３とクッション材４とは基板（ウ
ェハ）５が研磨パッド２に接触する高さを調整する接触
調整機構を構成する。
に係る基板保持部を示す断面図である。図１に示す本発
明の実施形態１に係る基板保持部９は、基板（以下、ウ
ェハという）５の裏面にインサートパッド３と呼ばれる
弾力性のある層を設けており、ウェハ５の外周に研磨中
のウェハ５の横ずれを防止するリテーナーリング１が設
けられている。リテーナーリング１としては硬質プラス
チック製のものを用いている。さらに本発明では、硬質
プラスチック製リテーナーリング１の外周部の研磨パッ
ド２と接触する角部領域に曲率半径１ｍｍのラウンド１
ａを設けている。リテーナーリング１の研磨パッド２と
の接触部の幅は１０ｍｍである。また、リテーナーリン
グ１の裏面と基板保持部９との間には、インサートパッ
ド３と同じ材質のクッション材４が挿入されている。こ
こにインサートパッド３とクッション材４とは基板（ウ
ェハ）５が研磨パッド２に接触する高さを調整する接触
調整機構を構成する。
【００２４】以上の構成において、ウェハ５のリテーナ
ーリング１からの突出量をゼロに調整すると、研磨条件
が異なる場合でも研磨中のウェハ５の突出量は、ほぼゼ
ロに保たれ、連続使用によって弾性率が変化しても、イ
ンサートパッド３，リテーナーリング１のクッション材
４ともに同様に変化するため、ウェハ５のリテーナーリ
ング１からの突出量は変化しない。またリテーナーリン
グ１には、研磨パッド２との接触部にラウンド１ａが付
いているために、研磨パッド２に対するドレッツシング
効果が少なく、平坦化効率の悪化は少ない。またリテー
ナーリング１の角部と研磨パッド２とは、ラウンド１ａ
により接触するため、リテーナーリング１と研磨パッド
２との間に研磨剤が入り込みやすくなり、その結果、リ
テーナーリング１の研磨パッド２への接触が起因となる
研磨の不安定性は生じない。
ーリング１からの突出量をゼロに調整すると、研磨条件
が異なる場合でも研磨中のウェハ５の突出量は、ほぼゼ
ロに保たれ、連続使用によって弾性率が変化しても、イ
ンサートパッド３，リテーナーリング１のクッション材
４ともに同様に変化するため、ウェハ５のリテーナーリ
ング１からの突出量は変化しない。またリテーナーリン
グ１には、研磨パッド２との接触部にラウンド１ａが付
いているために、研磨パッド２に対するドレッツシング
効果が少なく、平坦化効率の悪化は少ない。またリテー
ナーリング１の角部と研磨パッド２とは、ラウンド１ａ
により接触するため、リテーナーリング１と研磨パッド
２との間に研磨剤が入り込みやすくなり、その結果、リ
テーナーリング１の研磨パッド２への接触が起因となる
研磨の不安定性は生じない。
【００２５】図１に示した基板保持部９を用いてウェハ
５の研磨を行う。研磨条件は従来例で説明したものと同
一である。図２はリテーナーリングからのウェハの突出
量の違いによるウェハ外周部での研磨量プロファイルを
示したものである。リテーナーリングからのウェハの突
出量が±５０μｍ以内での研磨量では、ウェハの外周部
から概ね３ｍｍよりも中心側で中央部の研磨量の±５％
以内に収まっている。
５の研磨を行う。研磨条件は従来例で説明したものと同
一である。図２はリテーナーリングからのウェハの突出
量の違いによるウェハ外周部での研磨量プロファイルを
示したものである。リテーナーリングからのウェハの突
出量が±５０μｍ以内での研磨量では、ウェハの外周部
から概ね３ｍｍよりも中心側で中央部の研磨量の±５％
以内に収まっている。
【００２６】表１は、リテーナーリング１の外周部の研
磨パッド２と接触する角部領域に設けたラウンド１ａの
曲率半径と，リテーナーリング１の研磨パッド２と接触
する幅を変化させた場合のウェハ外周部プロファイル異
常の有無（ウェハの外周部から概ね３ｍｍよりも中心側
で中央部の研磨量の±５％以内に収まっているかどう
か），ウェハ中央部の研磨レート，ウェハ中央部の研磨
量の均一性，平坦化後の段差を示したものである。ここ
で言う平坦化後の段差とは、従来技術で説明した厚さ
０．８μｍの金属配線上にシリコン酸化膜を２μｍ成膜
し、５分間研磨後に３ｍｍ×３ｍｍのパターン上と平坦
部との間に生じる段差のことである。ウェハ外周部のプ
ロファイル異常は、リテーナーリング幅が大きくなると
なくなるが、リテーナーリング幅が大きいほどウェハ中
央部の研磨レートが低くなる傾向を示す。また、ウェハ
中央部の研磨レートのばらつきを表わすσも研磨レート
の低下と同時に悪化するが、これは、ウェハ中心部の研
磨レートが極端に落ち込むためで、リテーナーリングが
ウェハと研磨パッドとの間への研磨剤の供給を妨害して
いるために起きる現象である。リテーナーリングのラウ
ンド形状の曲率半径が大きいほど、狭いリテーナーリン
グ幅でも、ウェハ外周部のプロファイル異常が起きない
ため、リテーナーリング幅を小さくすることが有利とな
る。
磨パッド２と接触する角部領域に設けたラウンド１ａの
曲率半径と，リテーナーリング１の研磨パッド２と接触
する幅を変化させた場合のウェハ外周部プロファイル異
常の有無（ウェハの外周部から概ね３ｍｍよりも中心側
で中央部の研磨量の±５％以内に収まっているかどう
か），ウェハ中央部の研磨レート，ウェハ中央部の研磨
量の均一性，平坦化後の段差を示したものである。ここ
で言う平坦化後の段差とは、従来技術で説明した厚さ
０．８μｍの金属配線上にシリコン酸化膜を２μｍ成膜
し、５分間研磨後に３ｍｍ×３ｍｍのパターン上と平坦
部との間に生じる段差のことである。ウェハ外周部のプ
ロファイル異常は、リテーナーリング幅が大きくなると
なくなるが、リテーナーリング幅が大きいほどウェハ中
央部の研磨レートが低くなる傾向を示す。また、ウェハ
中央部の研磨レートのばらつきを表わすσも研磨レート
の低下と同時に悪化するが、これは、ウェハ中心部の研
磨レートが極端に落ち込むためで、リテーナーリングが
ウェハと研磨パッドとの間への研磨剤の供給を妨害して
いるために起きる現象である。リテーナーリングのラウ
ンド形状の曲率半径が大きいほど、狭いリテーナーリン
グ幅でも、ウェハ外周部のプロファイル異常が起きない
ため、リテーナーリング幅を小さくすることが有利とな
る。
【００２７】表１からは、リテーナーリングのラウンド
形状の曲率半径が１ｍｍ以上では研磨レートを低下させ
ることなく、ウェハ外周部のプロファイル異常を起さな
いリテーナーリング幅が存在する。平坦化後の段差は、
リテーナーリングのラウンド形状の曲率半径が大きくな
るほど小さくなっているが、従来例に比べいずれの水準
もやや劣っている。
形状の曲率半径が１ｍｍ以上では研磨レートを低下させ
ることなく、ウェハ外周部のプロファイル異常を起さな
いリテーナーリング幅が存在する。平坦化後の段差は、
リテーナーリングのラウンド形状の曲率半径が大きくな
るほど小さくなっているが、従来例に比べいずれの水準
もやや劣っている。
【００２８】
【表１】
【００２９】（実施形態２）図３は本発明の実施形態３
に係る基板保持部を示す断面図である。図３に示した本
発明の実施形態２では、石英製のリテーナーリング６を
用い、リテーナーリング６の外周部の研磨パッド２と接
触する部分の曲率半径は、０．１ｍｍ以下である。ま
た、リテーナーリング１の裏面と基板保持部９との間に
は、インサートパッド３と同じ材質のクッション材４が
挿入されている。ここにインサートパッド３とクッショ
ン材４とは基板（ウェハ）５が研磨パッド２に接触する
高さを調整する接触調整機構を構成する。
に係る基板保持部を示す断面図である。図３に示した本
発明の実施形態２では、石英製のリテーナーリング６を
用い、リテーナーリング６の外周部の研磨パッド２と接
触する部分の曲率半径は、０．１ｍｍ以下である。ま
た、リテーナーリング１の裏面と基板保持部９との間に
は、インサートパッド３と同じ材質のクッション材４が
挿入されている。ここにインサートパッド３とクッショ
ン材４とは基板（ウェハ）５が研磨パッド２に接触する
高さを調整する接触調整機構を構成する。
【００３０】以上の構成においてリテーナーリング１か
らのウェハ５の突出量をゼロに調整すると、研磨条件が
異なる場合でも研磨中の突出量はほぼゼロに保たれ、連
続使用によって弾性率が変化しても、インサートパッド
３，リテーナーリング６のクッション材４ともに同様に
変化するため、突出量は変化しない。
らのウェハ５の突出量をゼロに調整すると、研磨条件が
異なる場合でも研磨中の突出量はほぼゼロに保たれ、連
続使用によって弾性率が変化しても、インサートパッド
３，リテーナーリング６のクッション材４ともに同様に
変化するため、突出量は変化しない。
【００３１】表２に図３に示した基板保持部９を用いて
研磨した結果を示す。リテーナーリング６は石英製から
なり、研磨パッド２との接触部がドレッシング効果のな
い石英からできているため、平坦化効率の悪化はない。
また、リテーナーリング６を構成する石英は被研磨膜と
ほぼ同じ組成であり、被研磨膜と同様のＣＶＤなどの成
膜方法を用いることにより、きわめて純度の高い材質を
得ることができる。その結果、リテーナーリング６の研
磨パッド２への接触によるリテーナーリング材質中の不
純物の研磨パッド上への拡散は、硬質プラスチックに比
べ、極めて低く抑えることができる。
研磨した結果を示す。リテーナーリング６は石英製から
なり、研磨パッド２との接触部がドレッシング効果のな
い石英からできているため、平坦化効率の悪化はない。
また、リテーナーリング６を構成する石英は被研磨膜と
ほぼ同じ組成であり、被研磨膜と同様のＣＶＤなどの成
膜方法を用いることにより、きわめて純度の高い材質を
得ることができる。その結果、リテーナーリング６の研
磨パッド２への接触によるリテーナーリング材質中の不
純物の研磨パッド上への拡散は、硬質プラスチックに比
べ、極めて低く抑えることができる。
【００３２】
【表２】
【００３３】実施形態２ではリテーナリングの研磨パッ
ドとの接触部にラウンドを設けなくても平坦化効率の悪
化が起こらないが、ラウンド形状とした方がエッジ部プ
ロファイルや、研磨レート，均一性に効果があることは
言うまでもない。
ドとの接触部にラウンドを設けなくても平坦化効率の悪
化が起こらないが、ラウンド形状とした方がエッジ部プ
ロファイルや、研磨レート，均一性に効果があることは
言うまでもない。
【００３４】実施形態２における石英製リテーナーリン
グ６のラウンド形状を調整する方法を以下に示す。上述
した石英製リテーナーリング６を基板保持部９に装着
し、ダイミーウェハを装着して約１００分間研磨を行
う。これにより、石英製リテーナーリング６の研磨パッ
ド２との接触部は図４に示すように研磨パッドの変形に
追随するような形状に研磨される。これにより、理想的
なリテーナーリングの断面形状を自動的に得ることがで
き、リテーナリングと研磨パッドとの接触幅が最小でも
ウエハ外周部プロファイルの異常を抑えることができ
る。表３はこうした処理を行ったリングを用いた研磨結
果である。
グ６のラウンド形状を調整する方法を以下に示す。上述
した石英製リテーナーリング６を基板保持部９に装着
し、ダイミーウェハを装着して約１００分間研磨を行
う。これにより、石英製リテーナーリング６の研磨パッ
ド２との接触部は図４に示すように研磨パッドの変形に
追随するような形状に研磨される。これにより、理想的
なリテーナーリングの断面形状を自動的に得ることがで
き、リテーナリングと研磨パッドとの接触幅が最小でも
ウエハ外周部プロファイルの異常を抑えることができ
る。表３はこうした処理を行ったリングを用いた研磨結
果である。
【００３５】
【表３】
【００３６】これまでの説明ではウェハのリテーナーリ
ングからの突出量を一定に保つ接触調整機構としてリテ
ーナーリングの裏面にもウェハの裏面と同様のインサー
トパッドを用いる機構を示したが、この他にも、図５に
示すようにウェハ５への荷重制御と独立してリテーナー
リング１の荷重をリテーナーリング圧力調整用エアクッ
ション７の空圧により制御する接触調整機構を設け、リ
テーナーリング６への荷重をエアクッション７の空圧に
より一定にしてウェハのリテーナーリングからの突出量
を制御する方法や、図６に示すようにリテーナーリング
１の高さをリテーナーリング高さ調整機構８により自動
調整する接触調整機構を設け、インサートパッドの経時
変化を予め記憶させておいて処理枚数にしたがってウェ
ハが研磨パッドに接触する高さを自動的に変更させるよ
うにしてもよい。
ングからの突出量を一定に保つ接触調整機構としてリテ
ーナーリングの裏面にもウェハの裏面と同様のインサー
トパッドを用いる機構を示したが、この他にも、図５に
示すようにウェハ５への荷重制御と独立してリテーナー
リング１の荷重をリテーナーリング圧力調整用エアクッ
ション７の空圧により制御する接触調整機構を設け、リ
テーナーリング６への荷重をエアクッション７の空圧に
より一定にしてウェハのリテーナーリングからの突出量
を制御する方法や、図６に示すようにリテーナーリング
１の高さをリテーナーリング高さ調整機構８により自動
調整する接触調整機構を設け、インサートパッドの経時
変化を予め記憶させておいて処理枚数にしたがってウェ
ハが研磨パッドに接触する高さを自動的に変更させるよ
うにしてもよい。
【００３７】図５に示す実施形態では、接触調整機構と
してのリテーナーリング圧力調整用エアクッション７が
リテーナーリング１の背面に設けられ、常にリテーナー
リング１がウェハ５と同じ圧力を受けるように調整して
ウェハ５のリテーナーリング１からの突出量を調整して
ウェハ５の研磨パッド２へ接触する高さを調整すること
ができる機構となっている。
してのリテーナーリング圧力調整用エアクッション７が
リテーナーリング１の背面に設けられ、常にリテーナー
リング１がウェハ５と同じ圧力を受けるように調整して
ウェハ５のリテーナーリング１からの突出量を調整して
ウェハ５の研磨パッド２へ接触する高さを調整すること
ができる機構となっている。
【００３８】図６に示す実施形態では、接触調整機構と
してのリテーナーリング高さ調節機構８が設けられてお
り、装置本体からの制御信号によりリテーナーリング１
を上下させてリテーナーリング１からのウェハ５の突出
量を調整してウェハ５の研磨パッド２への接触高さを調
整することができる機構となっている。
してのリテーナーリング高さ調節機構８が設けられてお
り、装置本体からの制御信号によりリテーナーリング１
を上下させてリテーナーリング１からのウェハ５の突出
量を調整してウェハ５の研磨パッド２への接触高さを調
整することができる機構となっている。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、リ
テーナーリングが研磨パッドと接触する角部領域の形状
をラウンド形状とすることにより、リテーナーリング幅
を狭くしてもウェハエッジ部の研磨量異常を抑えること
ができ、その結果、研磨レートやその均一性を良好に維
持することができる。
テーナーリングが研磨パッドと接触する角部領域の形状
をラウンド形状とすることにより、リテーナーリング幅
を狭くしてもウェハエッジ部の研磨量異常を抑えること
ができ、その結果、研磨レートやその均一性を良好に維
持することができる。
【００４０】また石英製リテーナーリングを用いること
により、平坦化効率を損なうことがなくなり、またリテ
ーナーリングが研磨されることによる不純物の拡散を抑
えることができるため、研磨されたウェハ上の半導体装
置の電気特性に悪影響を与えることをなくすることがで
きる。
により、平坦化効率を損なうことがなくなり、またリテ
ーナーリングが研磨されることによる不純物の拡散を抑
えることができるため、研磨されたウェハ上の半導体装
置の電気特性に悪影響を与えることをなくすることがで
きる。
【００４１】また石英製リテーナーリングは事前にリン
グ自身を予備研磨することにより、自動的に最適なラウ
ンド形状を得ることができる。
グ自身を予備研磨することにより、自動的に最適なラウ
ンド形状を得ることができる。
【図１】本発明の実施形態１を示す断面図である。
【図２】本発明の効果を示した図である。
【図３】本発明の実施形態２を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態２に関連した石英リングの形
状調整後を示した図である。
状調整後を示した図である。
【図５】本発明のその他の実施形態を示す断面図であ
る。
る。
【図６】本発明のその他の実施形態を示す断面図であ
る。
る。
【図７】従来例を示す構成図である。
【図８】従来例を示す断面図である。
【図９】研磨工程を説明するための図である。
【図１０】研磨工程を説明するための図である。
【図１１】従来例の問題点を示す図である。
【図１２】従来例の問題点を示す図である。
【図１３】従来例の問題点を示す図である。
１ リテーナーリング ２ 研磨パッド ３ インサートパッド ４ クッション材 ５ ウェハ ６ 石英製リテーナーリング ７ リテーナーリング圧力調整用エアクッション ８ リテーナーリング高さ調整機構 ９ 基板保持部 １０ 研磨テーブル １１ 研磨剤供給口 １２ ダイヤモンドペレット １３ コンディショナー １４ 半導体基板 １５ 絶縁膜 １６ 金属配線 １７ シリコン酸化膜
Claims (7)
- 【請求項１】 リテーナーリングを有し、基板を研磨パ
ッドに押し付けて基板の凹凸を平滑化する研磨装置であ
って、 リテーナーリングは、基板の横ずれを防止するものであ
って、研磨パッドと接触する角部領域にラウンドを有す
るものであることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項２】 リテーナーリングに設けたラウンド形状
の曲率半径は、１ｍｍ以上であることを特徴とする請求
項１に記載の研磨装置。 - 【請求項３】 接触調整機構を有し、 接触調整機構は、研磨中の基板とリテーナーリングの表
面の高さが５０μｍ以内の差で基板が研磨パッドに接触
する高さに調整するものであることを特徴とする請求項
１に記載の研磨装置。 - 【請求項４】 リテーナーリングを有し、基板を研磨パ
ッドに押し付けて基板の凹凸を平滑化する研磨装置であ
って、 リテーナーリングは、基板の横ずれを防止するものであ
って、その材質は、基板を研磨する研磨材とほぼ同一の
材質からなるものであることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項５】 接触調整機構を有し、 接触調整機構は、研磨中の基板とリテーナーリングの表
面の高さが５０μｍ以内の差で基板が研磨パッドに接触
する高さに調整するものであることを特徴とする請求項
４に記載の研磨装置。 - 【請求項６】 リテーナーリングの研磨パッドと接触す
る角部領域にラウンドを有しており、 ラウンドの形状は、その曲率半径が１ｍｍ以上であるこ
とを特徴とする請求項４に記載の研磨装置。 - 【請求項７】 基板をリテーナーリングにて保持し、基
板を研磨パッドに押し付けて該基板を平滑化する研磨方
法において、 リテーナーリングに対して予備研磨を行ない、 リテーナーリング外周部の断面形状をラウンド形状に整
形することを特徴とするリテーナーリングの形状調整方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29561795A JP3129172B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 研磨装置及び研磨方法 |
| US08/746,215 US5944590A (en) | 1995-11-14 | 1996-11-07 | Polishing apparatus having retainer ring rounded along outer periphery of lower surface and method of regulating retainer ring to appropriate configuration |
| GB0012548A GB2347790B (en) | 1995-11-14 | 1996-11-14 | Method of regulating a retainer ring of a polishing apparatus to an appropriate configuration |
| GB9623693A GB2307342B (en) | 1995-11-14 | 1996-11-14 | Polishing apparatus |
| KR1019960053877A KR100220105B1 (ko) | 1995-11-14 | 1996-11-14 | 웨이퍼 연마용 연마장치 및 리테이너 링 조절 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29561795A JP3129172B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 研磨装置及び研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139366A true JPH09139366A (ja) | 1997-05-27 |
| JP3129172B2 JP3129172B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=17822956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29561795A Expired - Fee Related JP3129172B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 研磨装置及び研磨方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5944590A (ja) |
| JP (1) | JP3129172B2 (ja) |
| KR (1) | KR100220105B1 (ja) |
| GB (1) | GB2307342B (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6027398A (en) * | 1997-08-11 | 2000-02-22 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer polishing apparatus |
| US6110014A (en) * | 1997-11-20 | 2000-08-29 | Nec Corporation | Method and apparatus polishing wafer for extended effective area of wafer |
| US6139409A (en) * | 1998-05-29 | 2000-10-31 | Nec Corporation | Wafer polishing apparatus and backing pad for wafer polishing |
| KR20010036800A (ko) * | 1999-10-12 | 2001-05-07 | 윤종용 | 씨엠피 연마를 위한 웨이퍼 홀딩 장치 |
| US6277008B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-08-21 | Nec Corporation | Polishing apparatus |
| JP2002200557A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-16 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 研磨装置用ワークピース保持リング |
| US6794267B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-09-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process of manufacturing semiconductor device |
| JP2007511377A (ja) * | 2003-11-13 | 2007-05-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 整形面をもつリテーニングリング |
| JP2007208212A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2008050475A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing head and polishing apparatus |
| JP2010110892A (ja) * | 2010-01-21 | 2010-05-20 | Kureha Corp | 研磨装置用ワークピース保持リング |
| CN111434458A (zh) * | 2019-01-11 | 2020-07-21 | 株式会社 V 技术 | 研磨头及研磨装置 |
| JP2020110909A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
| KR20230108013A (ko) * | 2022-01-10 | 2023-07-18 | 에스케이실트론 주식회사 | 템플레이트 어셈블리의 초기 lls 품질 개선 방법 및 이 방법으로 제조된 에폭시 글래스를 구비한 템플레이트 어셈블리 |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6024630A (en) | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
| US6116992A (en) * | 1997-12-30 | 2000-09-12 | Applied Materials, Inc. | Substrate retaining ring |
| US6261162B1 (en) * | 1998-03-25 | 2001-07-17 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method of manufacturing grinding plate |
| KR100306824B1 (ko) * | 1998-05-06 | 2001-11-30 | 윤종용 | 화학적기계적평탄화기계를위한웨이퍼홀더 |
| US6251215B1 (en) | 1998-06-03 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
| US6136710A (en) * | 1998-10-19 | 2000-10-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved substrate carrier head and method of use |
| US6231428B1 (en) | 1999-03-03 | 2001-05-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring |
| US6368189B1 (en) * | 1999-03-03 | 2002-04-09 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure |
| US6135863A (en) * | 1999-04-20 | 2000-10-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of conditioning wafer polishing pads |
| JP2001121411A (ja) | 1999-10-29 | 2001-05-08 | Applied Materials Inc | ウェハー研磨装置 |
| US6361405B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Utility wafer for chemical mechanical polishing |
| US6726537B1 (en) * | 2000-04-21 | 2004-04-27 | Agere Systems Inc. | Polishing carrier head |
| US6602114B1 (en) | 2000-05-19 | 2003-08-05 | Applied Materials Inc. | Multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
| US6540592B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-04-01 | Speedfam-Ipec Corporation | Carrier head with reduced moment wear ring |
| JP2002018709A (ja) | 2000-07-05 | 2002-01-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
| US7255637B2 (en) * | 2000-09-08 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head vibration damping |
| US6676497B1 (en) * | 2000-09-08 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc. | Vibration damping in a chemical mechanical polishing system |
| US7497767B2 (en) * | 2000-09-08 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Vibration damping during chemical mechanical polishing |
| US6848980B2 (en) | 2001-10-10 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | Vibration damping in a carrier head |
| KR20020044737A (ko) * | 2000-12-06 | 2002-06-19 | 윤종용 | 컨디셔닝 클리너를 포함하는 씨엠피 설비 |
| US6896583B2 (en) * | 2001-02-06 | 2005-05-24 | Agere Systems, Inc. | Method and apparatus for conditioning a polishing pad |
| US6893327B2 (en) | 2001-06-04 | 2005-05-17 | Multi Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface |
| JP2003048155A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-18 | Clariant (Japan) Kk | 化学的機械的研磨装置用ウェハー保持リング |
| US6605159B2 (en) * | 2001-08-30 | 2003-08-12 | Micron Technology, Inc. | Device and method for collecting and measuring chemical samples on pad surface in CMP |
| US6835125B1 (en) | 2001-12-27 | 2004-12-28 | Applied Materials Inc. | Retainer with a wear surface for chemical mechanical polishing |
| US6739958B2 (en) | 2002-03-19 | 2004-05-25 | Applied Materials Inc. | Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system |
| US6702655B2 (en) * | 2002-07-05 | 2004-03-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Slurry delivery system for chemical mechanical polisher |
| TWM255104U (en) | 2003-02-05 | 2005-01-11 | Applied Materials Inc | Retaining ring with flange for chemical mechanical polishing |
| US6974371B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-12-13 | Applied Materials, Inc. | Two part retaining ring |
| DE10332624A1 (de) * | 2003-07-17 | 2005-02-24 | Siltronic Ag | Verrundete Retainerringe |
| US11260500B2 (en) * | 2003-11-13 | 2022-03-01 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring with shaped surface |
| US7597609B2 (en) * | 2006-10-12 | 2009-10-06 | Iv Technologies Co., Ltd. | Substrate retaining ring for CMP |
| US8144309B2 (en) * | 2007-09-05 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US10160093B2 (en) | 2008-12-12 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Carrier head membrane roughness to control polishing rate |
| JP4960395B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2012-06-27 | 株式会社東芝 | 研磨装置とそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| DE102009030298B4 (de) | 2009-06-24 | 2012-07-12 | Siltronic Ag | Verfahren zur lokalen Politur einer Halbleiterscheibe |
| KR101160266B1 (ko) * | 2009-10-07 | 2012-06-27 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 지지 부재, 그 제조방법 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 유닛 |
| DE102009051007B4 (de) | 2009-10-28 | 2011-12-22 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
| JP2015123532A (ja) | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 株式会社東芝 | リテーナリング、研磨装置および研磨方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5084071A (en) * | 1989-03-07 | 1992-01-28 | International Business Machines Corporation | Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor |
| JPH0333053A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | セラミックス超電導成形体の焼成方法 |
| JP2997509B2 (ja) * | 1990-06-20 | 2000-01-11 | 株式会社日立製作所 | 文書作成装置 |
| EP0517594B1 (fr) * | 1991-06-06 | 1995-12-13 | Commissariat A L'energie Atomique | Machine de polissage à bande microabrasive tendue et à tête support de plaquette perfectionnée |
| US5476414A (en) * | 1992-09-24 | 1995-12-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| JP2849533B2 (ja) * | 1993-08-18 | 1999-01-20 | 長野電子工業株式会社 | ウェーハの研磨方法 |
| US5643053A (en) * | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
| JPH07237120A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-09-12 | Nec Corp | ウェーハ研磨装置 |
| JP2933488B2 (ja) * | 1994-08-10 | 1999-08-16 | 日本電気株式会社 | 研磨方法および研磨装置 |
| US5651724A (en) * | 1994-09-08 | 1997-07-29 | Ebara Corporation | Method and apparatus for polishing workpiece |
| JP3158934B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
| JP3329644B2 (ja) * | 1995-07-21 | 2002-09-30 | 株式会社東芝 | 研磨パッド、研磨装置及び研磨方法 |
| US5738574A (en) * | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
| JP3072962B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2000-08-07 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨のための被加工物の保持具及びその製法 |
| US5679065A (en) * | 1996-02-23 | 1997-10-21 | Micron Technology, Inc. | Wafer carrier having carrier ring adapted for uniform chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
-
1995
- 1995-11-14 JP JP29561795A patent/JP3129172B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-07 US US08/746,215 patent/US5944590A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-14 KR KR1019960053877A patent/KR100220105B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-14 GB GB9623693A patent/GB2307342B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6027398A (en) * | 1997-08-11 | 2000-02-22 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer polishing apparatus |
| US6110014A (en) * | 1997-11-20 | 2000-08-29 | Nec Corporation | Method and apparatus polishing wafer for extended effective area of wafer |
| US6277008B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-08-21 | Nec Corporation | Polishing apparatus |
| US6139409A (en) * | 1998-05-29 | 2000-10-31 | Nec Corporation | Wafer polishing apparatus and backing pad for wafer polishing |
| KR20010036800A (ko) * | 1999-10-12 | 2001-05-07 | 윤종용 | 씨엠피 연마를 위한 웨이퍼 홀딩 장치 |
| JP2002200557A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-16 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 研磨装置用ワークピース保持リング |
| US6794267B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-09-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process of manufacturing semiconductor device |
| US7927190B2 (en) | 2003-11-13 | 2011-04-19 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring with shaped surface |
| JP2007511377A (ja) * | 2003-11-13 | 2007-05-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 整形面をもつリテーニングリング |
| US8585468B2 (en) | 2003-11-13 | 2013-11-19 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring with shaped surface |
| JP2013056416A (ja) * | 2003-11-13 | 2013-03-28 | Applied Materials Inc | 整形面をもつリテーニングリング |
| JP2007208212A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US8092281B2 (en) | 2006-10-27 | 2012-01-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing head and polishing apparatus |
| WO2008050475A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing head and polishing apparatus |
| JP2010110892A (ja) * | 2010-01-21 | 2010-05-20 | Kureha Corp | 研磨装置用ワークピース保持リング |
| CN111434458A (zh) * | 2019-01-11 | 2020-07-21 | 株式会社 V 技术 | 研磨头及研磨装置 |
| JP2020110909A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
| KR20230108013A (ko) * | 2022-01-10 | 2023-07-18 | 에스케이실트론 주식회사 | 템플레이트 어셈블리의 초기 lls 품질 개선 방법 및 이 방법으로 제조된 에폭시 글래스를 구비한 템플레이트 어셈블리 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970030442A (ko) | 1997-06-26 |
| KR100220105B1 (ko) | 1999-09-01 |
| JP3129172B2 (ja) | 2001-01-29 |
| GB9623693D0 (en) | 1997-01-08 |
| US5944590A (en) | 1999-08-31 |
| GB2307342A (en) | 1997-05-21 |
| GB2307342B (en) | 2000-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09139366A (ja) | 研磨装置及びリテーナーリングの形状調整方法 | |
| US6962521B2 (en) | Edge polished wafer, polishing cloth for edge polishing, and apparatus and method for edge polishing | |
| EP0870577B1 (en) | Method for dressing a polishing pad. | |
| US20020197935A1 (en) | Method of polishing a substrate | |
| KR20130091350A (ko) | 에피택셜 웨이퍼를 제조하는 방법 및 에피택셜 웨이퍼 | |
| JP7341223B2 (ja) | パッド－パッド変動のために調整を行う半導体基板の研磨方法 | |
| JPH08197415A (ja) | ウエーハ研磨装置 | |
| JPH11156701A (ja) | 研磨パッド | |
| EP1441386A1 (en) | Method and pad for polishing wafer | |
| KR20010070451A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| EP1195798B1 (en) | Method for producing semiconductor wafer | |
| JP2003037089A (ja) | ウェーハの研磨方法 | |
| US6224712B1 (en) | Polishing apparatus | |
| JP3552845B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11254305A (ja) | ウエーハの両面研磨方法と該研磨方法に用いるウエーハキャリア | |
| JP2000354950A (ja) | 研磨パッド、研磨装置及び平坦な表面を有する被研磨体を製造する方法 | |
| JP3820432B2 (ja) | ウエーハ研磨方法 | |
| CN113579991B (zh) | 一种硅片的最终抛光方法、系统以及硅片 | |
| US6969304B2 (en) | Method of polishing semiconductor wafer | |
| US7033250B2 (en) | Method for chemical mechanical planarization | |
| JP2012069897A (ja) | 半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置 | |
| JP2002331453A (ja) | ウェーハの研磨方法及びウェーハの研磨装置 | |
| JP2004296596A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001121418A (ja) | ポリッシング用電着ドレッサ | |
| GB2347790A (en) | Method of regulating a retainer ring of a polishing apparatus to an appropriate configuration |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071117 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081117 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081117 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 10 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |