JPH0333053A - セラミックス超電導成形体の焼成方法 - Google Patents
セラミックス超電導成形体の焼成方法Info
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- JPH0333053A JPH0333053A JP1168032A JP16803289A JPH0333053A JP H0333053 A JPH0333053 A JP H0333053A JP 1168032 A JP1168032 A JP 1168032A JP 16803289 A JP16803289 A JP 16803289A JP H0333053 A JPH0333053 A JP H0333053A
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- Japan
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- time
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- firing
- sintering
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はセラミックス超電導成形体を製造するに当って
、超電導成形体を焼成する方法に関するものである。
、超電導成形体を焼成する方法に関するものである。
（従来技術）
従来、セラミックス超電導成形体を焼成する際、焼成時
間をどれぐらいとるかは実際の焼成度合いを見ずに゛Ｆ
経験的に決定されていた。
間をどれぐらいとるかは実際の焼成度合いを見ずに゛Ｆ
経験的に決定されていた。
（従来技術の問題点）
従来の焼成方法では被焼成物の焼成状態がわからないの
で、焼成時間が不足して超電導相にならない部分（末超
電導相部分）ができたり、焼成時間が長過ぎて時間が無
駄になるといった問題があった。
で、焼成時間が不足して超電導相にならない部分（末超
電導相部分）ができたり、焼成時間が長過ぎて時間が無
駄になるといった問題があった。
（発明の目的）
本発明の目的はセラミックス超電導成形体を製造するに
当り、被焼成物の焼成時間を最適に選定できるようにす
ることにある。
当り、被焼成物の焼成時間を最適に選定できるようにす
ることにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明のセラミックス超電導成形体の焼成方法は、セラ
ミックス超電導体となりつる組成物、或はそれらを仮焼
し粉砕した物を電ｆｉｌと共に成形し、得られた成形体
２の焼成時に同成形体２の電気抵抗を測定しながら焼成
することを特徴とするものである。
ミックス超電導体となりつる組成物、或はそれらを仮焼
し粉砕した物を電ｆｉｌと共に成形し、得られた成形体
２の焼成時に同成形体２の電気抵抗を測定しながら焼成
することを特徴とするものである。
具体的には第１図のように、電極１と共にセラミックス
超電導体の仮焼成粉を所望の形状に圧縮成形し、この成
形体２を炉３中で焼成する際にこの焼成と同時に成形体
２の電気抵抗を逐次測定するものである。成形体中に超
電導相が形成される温度範囲では温度保持過程で抵抗値
は減少する。
超電導体の仮焼成粉を所望の形状に圧縮成形し、この成
形体２を炉３中で焼成する際にこの焼成と同時に成形体
２の電気抵抗を逐次測定するものである。成形体中に超
電導相が形成される温度範囲では温度保持過程で抵抗値
は減少する。
その減少が飽和した時をもって最適焼成時間とし、その
後炉３を徐冷してから成形体２を炉３から取り出す。
後炉３を徐冷してから成形体２を炉３から取り出す。
（作用）
本発明ではセラミックス超電導成形体２の焼成時に同成
形体２の電気抵抗を逐次測定するので。
形体２の電気抵抗を逐次測定するので。
その抵抗値の変化から最適焼成時間を知ることができる
。
。
（実施例１）
セラミックス超電導としてＢ １ ｚ Ｓ ｒ ｚ Ｃ
ａ ＋Ｃｕ ２０の仮焼成粉を用い、これを０．５ｍｍ
φの白金電極線３と共に第２図のように２×３×３０ｍ
ｍの短Ｗ＃型に摩細成形した。
ａ ＋Ｃｕ ２０の仮焼成粉を用い、これを０．５ｍｍ
φの白金電極線３と共に第２図のように２×３×３０ｍ
ｍの短Ｗ＃型に摩細成形した。
その成形体２を電気炉３中でｌＯ℃／ｍｉｎの昇温速度
で９００℃まで昇温した後、同じ速度で８５０℃へ降温
し、その温度に保持した。保持状態での成形体２の電気
抵抗を第１図のように交流４端子法で逐次測定したとこ
ろ、保持後約３時間で抵抗値が第３図Ａのように飽和状
態に達したので、電気炉３を室温まで徐冷した。なお、
第１図の４は交流電源、５は電流計６は電圧計である。
で９００℃まで昇温した後、同じ速度で８５０℃へ降温
し、その温度に保持した。保持状態での成形体２の電気
抵抗を第１図のように交流４端子法で逐次測定したとこ
ろ、保持後約３時間で抵抗値が第３図Ａのように飽和状
態に達したので、電気炉３を室温まで徐冷した。なお、
第１図の４は交流電源、５は電流計６は電圧計である。
同様にして第３図のＢ、Ｃの時間に達する試料も作成し
た。第３図のＲｏは保持開始時の抵抗値、Ａは抵抗値が
ほぼ飽和した時間、ＢはＡ時間×２の時間、Ｃは１ ／
２ Ｒｏになったときの時間を示す。
た。第３図のＲｏは保持開始時の抵抗値、Ａは抵抗値が
ほぼ飽和した時間、ＢはＡ時間×２の時間、Ｃは１ ／
２ Ｒｏになったときの時間を示す。
これらのＡ、Ｂ、Ｃの時間焼成処理した試料について窒
素温度での臨界電流密度Ｊｃを各々測定したところ、Ａ
＝３７０Ａ／ｃｍ”、Ｂ＝３７５Ａ／ｃｍ”、Ｃ＝１２
０Ａ／ｃｍ”であった、この結渠８５０℃に保持してか
ら時刻Ａまでの時間が最適焼成時間であることがわかる
。
素温度での臨界電流密度Ｊｃを各々測定したところ、Ａ
＝３７０Ａ／ｃｍ”、Ｂ＝３７５Ａ／ｃｍ”、Ｃ＝１２
０Ａ／ｃｍ”であった、この結渠８５０℃に保持してか
ら時刻Ａまでの時間が最適焼成時間であることがわかる
。
（実施例２）
実流ＶＡｌと同様の実験をセラミックス超電導体として
Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ、０の仮焼成粉を用いて行なった。実施
例１の場合と同サイズの白金電極線３と共にＹ ＋ Ｂ
ａ ｘ Ｃｕ ３０を仮焼成粉を第４図のように内径
２０ｍｍＸ外径２５ｍｍＸ高さ３０ｍｍの円ｒ４型に摩
細成形した。而して作成した円筒体を炉中で１０℃／ｍ
ｉｎの昇温速度で９２０℃にＷ？ｍし、その温度に保持
した。保持状態での電気抵抗を逐次測定したところ、保
持後約５時間で抵抗値が第５図Ａのように飽和状態に達
したので炉を室１品まで徐冷した。
Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ、０の仮焼成粉を用いて行なった。実施
例１の場合と同サイズの白金電極線３と共にＹ ＋ Ｂ
ａ ｘ Ｃｕ ３０を仮焼成粉を第４図のように内径
２０ｍｍＸ外径２５ｍｍＸ高さ３０ｍｍの円ｒ４型に摩
細成形した。而して作成した円筒体を炉中で１０℃／ｍ
ｉｎの昇温速度で９２０℃にＷ？ｍし、その温度に保持
した。保持状態での電気抵抗を逐次測定したところ、保
持後約５時間で抵抗値が第５図Ａのように飽和状態に達
したので炉を室１品まで徐冷した。
同様にして第５図のＢ、Ｃの時間に達する試料も作成し
た。第５図のＲＯは保持開始時の抵抗値、Ａは抵抗値が
ほぼ飽和した時間、ＢはＡ時間×２の時間、Ｃは１ ／
２ Ｒｏになったときの時間を示す。
た。第５図のＲＯは保持開始時の抵抗値、Ａは抵抗値が
ほぼ飽和した時間、ＢはＡ時間×２の時間、Ｃは１ ／
２ Ｒｏになったときの時間を示す。
これらのＡ、Ｂ、Ｃの時間焼成処理した試料について窒
素温度での臨界電流密度Ｊｃを各々測定したところ、Ａ
＝５２０Ａ／ｃｍ”、Ｂ＝５２２Ａ／ｃｍ”、Ｃ＝１８
０Ａ／ｃｍ”、であることがわかった、この結果９２０
℃に保持してから時刻Ａまでが最適焼成時間であること
がわかる。
素温度での臨界電流密度Ｊｃを各々測定したところ、Ａ
＝５２０Ａ／ｃｍ”、Ｂ＝５２２Ａ／ｃｍ”、Ｃ＝１８
０Ａ／ｃｍ”、であることがわかった、この結果９２０
℃に保持してから時刻Ａまでが最適焼成時間であること
がわかる。
（発明の効果）
本発明のセラミックス超電導成形体の焼成方法によれば
、焼成時に被焼成体の電気抵抗を測定し、電気抵抗の飽
和状態を知ることにより最適焼成時間がわかるので、焼
成時間の不足による末超電導相部分の増加を防止するこ
とができ、また逆に焼成時間の取りすぎによる時間の損
失を防１ヒすることができる。
、焼成時に被焼成体の電気抵抗を測定し、電気抵抗の飽
和状態を知ることにより最適焼成時間がわかるので、焼
成時間の不足による末超電導相部分の増加を防止するこ
とができ、また逆に焼成時間の取りすぎによる時間の損
失を防１ヒすることができる。
第１図は本発明における電気抵抗測定方法の一例を示す
説明図、第２図は本発明における成形体の説明図、第３
図は第２図の成形体の抵抗値の変化を示す説明図、第４
図は本発明における他の成形体の説明図、第５図は第４
図の成形体の抵抗値の変化を示す説明図である。 Ｃ 第１図 ￥２図 第４図
説明図、第２図は本発明における成形体の説明図、第３
図は第２図の成形体の抵抗値の変化を示す説明図、第４
図は本発明における他の成形体の説明図、第５図は第４
図の成形体の抵抗値の変化を示す説明図である。 Ｃ 第１図 ￥２図 第４図
Claims (1)
- セラミックス超電導体となりうる組成物，或はそれら
を仮焼し粉砕した物を電極１と共に成形し，得られた成
形体２の焼成時に同成形体２の電気抵抗を測定しながら
焼成することを特徴とするセラミックス超電導成形体の
焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168032A JPH0333053A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | セラミックス超電導成形体の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168032A JPH0333053A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | セラミックス超電導成形体の焼成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0333053A true JPH0333053A (ja) | 1991-02-13 |
Family
ID=15860557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1168032A Pending JPH0333053A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | セラミックス超電導成形体の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0333053A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5944590A (en) * | 1995-11-14 | 1999-08-31 | Nec Corporation | Polishing apparatus having retainer ring rounded along outer periphery of lower surface and method of regulating retainer ring to appropriate configuration |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1168032A patent/JPH0333053A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5944590A (en) * | 1995-11-14 | 1999-08-31 | Nec Corporation | Polishing apparatus having retainer ring rounded along outer periphery of lower surface and method of regulating retainer ring to appropriate configuration |
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