JPH09139367A - 半導体装置の平坦化方法及び装置 - Google Patents
半導体装置の平坦化方法及び装置Info
- Publication number
- JPH09139367A JPH09139367A JP31734395A JP31734395A JPH09139367A JP H09139367 A JPH09139367 A JP H09139367A JP 31734395 A JP31734395 A JP 31734395A JP 31734395 A JP31734395 A JP 31734395A JP H09139367 A JPH09139367 A JP H09139367A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- semiconductor device
- strain gauge
- end point
- strain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
- B24B49/04—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent involving measurement of the workpiece at the place of grinding during grinding operation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
- H10P74/238—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes comprising acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection or in-situ thickness measurement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の研磨に好適であり、高い精度で
しかも効率良く被研磨物を研磨し得る半導体装置の平坦
化方法及び装置を提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも２種類の膜を有する
半導体装置３の表面を化学・機械的に研磨することによ
り平坦化する。研磨面の至近位置に設けた歪みゲージ１
０によって研磨時の研磨抵抗を検出し、歪みゲージ１０
の検出信号の変化量に基づき、研磨加工の終点を判定す
る。特に、半導体装置３の研磨面における複数位置で研
磨時の研磨抵抗を検出し、各位置での歪みゲージ１０の
検出信号の変化量に基づき、研磨加工の終点を判定す
る。研磨終点を正確に検知して、高い平坦度を得ること
ができる。
しかも効率良く被研磨物を研磨し得る半導体装置の平坦
化方法及び装置を提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも２種類の膜を有する
半導体装置３の表面を化学・機械的に研磨することによ
り平坦化する。研磨面の至近位置に設けた歪みゲージ１
０によって研磨時の研磨抵抗を検出し、歪みゲージ１０
の検出信号の変化量に基づき、研磨加工の終点を判定す
る。特に、半導体装置３の研磨面における複数位置で研
磨時の研磨抵抗を検出し、各位置での歪みゲージ１０の
検出信号の変化量に基づき、研磨加工の終点を判定す
る。研磨終点を正確に検知して、高い平坦度を得ること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体装置に
おける所定の研磨部位を研磨する際、該半導体装置の表
面を平坦化する方法、及びこの方法に使用する平坦化装
置に関する。
おける所定の研磨部位を研磨する際、該半導体装置の表
面を平坦化する方法、及びこの方法に使用する平坦化装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置における素子の高集積
化及び微細化に伴い、装置の更なる高速動作や電気的特
性等の高性能化を実現すべく、多結晶シリコン配線等の
多層化が進んできている。かかる半導体装置の製造工程
において、シリコンウェハ基板上に下層配線等を形成し
たもの（この種の段階もしくは構造のものを、デバイス
ウェハと呼ぶものとする）の表層部に凹凸が生じると、
その上に形成されるべき上層配線において配線間ショー
トが起こったり、或いはまた、例えばホトリソグラフィ
処理等による微細加工の際、デバイスウェハ表面に対す
る露光時の合焦制御が難しくなる。
化及び微細化に伴い、装置の更なる高速動作や電気的特
性等の高性能化を実現すべく、多結晶シリコン配線等の
多層化が進んできている。かかる半導体装置の製造工程
において、シリコンウェハ基板上に下層配線等を形成し
たもの（この種の段階もしくは構造のものを、デバイス
ウェハと呼ぶものとする）の表層部に凹凸が生じると、
その上に形成されるべき上層配線において配線間ショー
トが起こったり、或いはまた、例えばホトリソグラフィ
処理等による微細加工の際、デバイスウェハ表面に対す
る露光時の合焦制御が難しくなる。
【０００３】そこで従来所謂、化学・機械的研磨（Chem
ical Mechanical Polishing ；以下ＣＭＰと略す）によ
る平坦化加工法が用いられ、デバイスウェハ表面の平坦
度を得るようにしている。このＣＭＰ加工法により表面
研磨を行う際、適正な研磨量もしくは研磨深さを確保す
るためには、研磨加工を終了すべき時期もしくはタイミ
ングを判定する必要がある。
ical Mechanical Polishing ；以下ＣＭＰと略す）によ
る平坦化加工法が用いられ、デバイスウェハ表面の平坦
度を得るようにしている。このＣＭＰ加工法により表面
研磨を行う際、適正な研磨量もしくは研磨深さを確保す
るためには、研磨加工を終了すべき時期もしくはタイミ
ングを判定する必要がある。
【０００４】ところで、この種の研磨装置において、例
えば特開平６−３１５８５０号公報に開示されているよ
うに、シリコンウェハ等の被研磨物を載せる定盤の回転
軸のトルクを間接的に検出することにより、研磨終点を
判定するようにしている。即ち回転軸のトルクが所定値
以上に変化したか否かにより、研磨停止信号を出力して
研磨加工を終了するというものである。或いはまた、研
磨定盤もしくは回転テーブルにおける研磨面とは反対側
の面に歪み計等を配置して、この歪み計により被研磨物
に対する押圧力を検知しながら研磨加工を行うようにし
たものが知られている。
えば特開平６−３１５８５０号公報に開示されているよ
うに、シリコンウェハ等の被研磨物を載せる定盤の回転
軸のトルクを間接的に検出することにより、研磨終点を
判定するようにしている。即ち回転軸のトルクが所定値
以上に変化したか否かにより、研磨停止信号を出力して
研磨加工を終了するというものである。或いはまた、研
磨定盤もしくは回転テーブルにおける研磨面とは反対側
の面に歪み計等を配置して、この歪み計により被研磨物
に対する押圧力を検知しながら研磨加工を行うようにし
たものが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の研磨装
置もしくは方法によれば、回転軸のトルク変化に基づい
て研磨終点を判定することができる。しかしながら、そ
の判定の根拠となる情報はウェハ全体に対するトルク変
化情報であるため、必ずしも正確な判定たり得ないのが
実情であった。つまり回転軸のトルク変化があった場
合、それがウェハのどの部分、或いはウェハ全体に起因
するものかは不明であり、従って言わばマクロ的で大雑
把な判定とならざるを得なかった。また、上述の歪み計
を用いる装置においては、被研磨物の研磨面とは離隔し
た位置に歪み計が配置されている。このため、そのよう
な歪み計では高い精度で歪み検出を行うことができず、
結果的に高精度の平坦化加工を期待し得ないのが実情で
あった。
置もしくは方法によれば、回転軸のトルク変化に基づい
て研磨終点を判定することができる。しかしながら、そ
の判定の根拠となる情報はウェハ全体に対するトルク変
化情報であるため、必ずしも正確な判定たり得ないのが
実情であった。つまり回転軸のトルク変化があった場
合、それがウェハのどの部分、或いはウェハ全体に起因
するものかは不明であり、従って言わばマクロ的で大雑
把な判定とならざるを得なかった。また、上述の歪み計
を用いる装置においては、被研磨物の研磨面とは離隔し
た位置に歪み計が配置されている。このため、そのよう
な歪み計では高い精度で歪み検出を行うことができず、
結果的に高精度の平坦化加工を期待し得ないのが実情で
あった。
【０００６】本発明はかかる実情に鑑み、半導体装置の
研磨に好適であり、高い精度でしかも効率良く被研磨物
を研磨し得る半導体装置の平坦化方法及び装置を提供す
ることを目的とする。
研磨に好適であり、高い精度でしかも効率良く被研磨物
を研磨し得る半導体装置の平坦化方法及び装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の平坦化方法は、基板上に少なくとも２種類の膜を有す
る半導体装置の表面を化学・機械的に研磨することによ
り平坦化するための方法であって、研磨面の至近位置に
設けた歪みゲージによって研磨時の研磨抵抗を検出し、
この歪みゲージの検出信号の変化量に基づき、研磨加工
の終点を判定し得るようにしたものである。
の平坦化方法は、基板上に少なくとも２種類の膜を有す
る半導体装置の表面を化学・機械的に研磨することによ
り平坦化するための方法であって、研磨面の至近位置に
設けた歪みゲージによって研磨時の研磨抵抗を検出し、
この歪みゲージの検出信号の変化量に基づき、研磨加工
の終点を判定し得るようにしたものである。
【０００８】また、本発明の半導体装置の平坦化方法に
おいて、前記半導体装置の研磨面における複数位置で研
磨時の研磨抵抗を検出し、各位置での歪みゲージの検出
信号の変化量に基づき、研磨加工の終点を判定し得るよ
うにしたものである。
おいて、前記半導体装置の研磨面における複数位置で研
磨時の研磨抵抗を検出し、各位置での歪みゲージの検出
信号の変化量に基づき、研磨加工の終点を判定し得るよ
うにしたものである。
【０００９】また、本発明の半導体装置の平坦化方法に
おいて、前記半導体装置の研磨面の直径方向に沿って、
複数位置で研磨時の研磨抵抗を検出する。
おいて、前記半導体装置の研磨面の直径方向に沿って、
複数位置で研磨時の研磨抵抗を検出する。
【００１０】また、本発明による半導体装置の平坦化装
置は、基板上に少なくとも２種類の膜を有する半導体装
置の表面を化学・機械的に研磨することにより平坦化す
るための装置であって、回転テーブル上の所定位置に研
磨布を介して前記半導体装置を載置して、該半導体装置
を回転駆動すると共に、この半導体装置の研磨面至近位
置に複数の歪みゲージを埋設し、各歪みゲージの出力信
号を処理する制御処理装置にて前記半導体装置の研磨面
に対する研磨終点を判定するようにしたものである。
置は、基板上に少なくとも２種類の膜を有する半導体装
置の表面を化学・機械的に研磨することにより平坦化す
るための装置であって、回転テーブル上の所定位置に研
磨布を介して前記半導体装置を載置して、該半導体装置
を回転駆動すると共に、この半導体装置の研磨面至近位
置に複数の歪みゲージを埋設し、各歪みゲージの出力信
号を処理する制御処理装置にて前記半導体装置の研磨面
に対する研磨終点を判定するようにしたものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、被研磨物である半導体装置が
回転テーブル上の所定位置に載置され、回転テーブル及
び半導体装置自体を回転させることにより、研磨布によ
って半導体装置の研磨面を研磨する。半導体装置の研磨
面至近位置において回転テーブル或いは研磨布適所に複
数の歪みゲージが埋設されており、各歪みゲージは、研
磨中の研磨抵抗に対応する出力信号を生成する。研磨面
を研磨する際の研磨抵抗は、被研磨物である半導体装置
の硬度に依存しているため、研磨時の研磨抵抗、即ち歪
みゲージの出力変化から研磨加工の終点を判定すること
ができる。この場合、半導体装置の研磨面における複数
箇所で研磨時の研磨抵抗を検出することにより、正確な
判定を行うことができる。
回転テーブル上の所定位置に載置され、回転テーブル及
び半導体装置自体を回転させることにより、研磨布によ
って半導体装置の研磨面を研磨する。半導体装置の研磨
面至近位置において回転テーブル或いは研磨布適所に複
数の歪みゲージが埋設されており、各歪みゲージは、研
磨中の研磨抵抗に対応する出力信号を生成する。研磨面
を研磨する際の研磨抵抗は、被研磨物である半導体装置
の硬度に依存しているため、研磨時の研磨抵抗、即ち歪
みゲージの出力変化から研磨加工の終点を判定すること
ができる。この場合、半導体装置の研磨面における複数
箇所で研磨時の研磨抵抗を検出することにより、正確な
判定を行うことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図４に基づき、本発
明による半導体装置の平坦化方法及び装置の第１の実施
形態を説明する。図１は、本発明に係るＣＭＰ装置の構
成例を示している。図において、１は人造石或いはステ
ンレス等の材料で形成された回転テーブル、２はこの回
転テーブル１上に張り付けられた研磨布、３は研磨され
るべきデバイスウェハ、４はプレートである。デバイス
ウェハ３は、プレート４によって回転テーブル１上の研
磨布２に押し付けられるようになっている。この場合、
プレート４はそれ自体回転し得ると共に、例えば真空吸
着によってデバイスウェハ３を吸着固定することができ
る。また回転テーブル１は、回転軸５を介して軸受６に
よって回転自在に支持されると共に、駆動モータ７によ
り回転駆動される。
明による半導体装置の平坦化方法及び装置の第１の実施
形態を説明する。図１は、本発明に係るＣＭＰ装置の構
成例を示している。図において、１は人造石或いはステ
ンレス等の材料で形成された回転テーブル、２はこの回
転テーブル１上に張り付けられた研磨布、３は研磨され
るべきデバイスウェハ、４はプレートである。デバイス
ウェハ３は、プレート４によって回転テーブル１上の研
磨布２に押し付けられるようになっている。この場合、
プレート４はそれ自体回転し得ると共に、例えば真空吸
着によってデバイスウェハ３を吸着固定することができ
る。また回転テーブル１は、回転軸５を介して軸受６に
よって回転自在に支持されると共に、駆動モータ７によ
り回転駆動される。
【００１３】回転テーブル１の上方至近位置には、加工
液８を吐出させるノズル９が設置されている。この加工
液８としては、例えば水酸化カリウム溶液にコロイダル
シリカを混合したものが好適である。研磨加工に際し
て、回転テーブル１を回転させると共に、ノズル９から
加工液８を吐出させる。この場合水酸化カリウムの化学
作用とコロイダルシリカの機械的作用により、デバイス
ウェハ３における研磨布２との接触面を研磨加工するこ
とができる。
液８を吐出させるノズル９が設置されている。この加工
液８としては、例えば水酸化カリウム溶液にコロイダル
シリカを混合したものが好適である。研磨加工に際し
て、回転テーブル１を回転させると共に、ノズル９から
加工液８を吐出させる。この場合水酸化カリウムの化学
作用とコロイダルシリカの機械的作用により、デバイス
ウェハ３における研磨布２との接触面を研磨加工するこ
とができる。
【００１４】回転テーブル１の表面部には、デバイスウ
ェハ３の直径方向に沿って複数の歪ゲージ１０が埋設さ
れている。各歪ゲージ１０はリード線１１を介して、回
転軸５のまわりに巻装されたスリップリング１２と接続
されている。スリップリング１２で拾われた各歪ゲージ
１０の出力信号は、アンペアメータ１３を介してそれぞ
れＣＰＵ１４へ送出されるようになっている。なお、信
号処理制御装置としてのＣＰＵ１４は駆動モータ７と接
続しており、各歪ゲージ１０の出力信号に応じて該駆動
モータ７の停止、或いは回転駆動制御を行うようになっ
ている。
ェハ３の直径方向に沿って複数の歪ゲージ１０が埋設さ
れている。各歪ゲージ１０はリード線１１を介して、回
転軸５のまわりに巻装されたスリップリング１２と接続
されている。スリップリング１２で拾われた各歪ゲージ
１０の出力信号は、アンペアメータ１３を介してそれぞ
れＣＰＵ１４へ送出されるようになっている。なお、信
号処理制御装置としてのＣＰＵ１４は駆動モータ７と接
続しており、各歪ゲージ１０の出力信号に応じて該駆動
モータ７の停止、或いは回転駆動制御を行うようになっ
ている。
【００１５】図２は、この実施形態による回転テーブル
１における歪ゲージ１０の配置例を示している。この例
では、例えばデバイスウェハ３の直径方向に沿って、１
０ｍｍ程度の間隔で複数の歪ゲージ１０を配置する。特
に直径６インチのデバイスウェハ３の場合では、１３個
の歪ゲージ１０が１０ｍｍ間隔で配置される。なお、デ
バイスウェハ３の外周部には歪ゲージ１０を配置しない
ものとする。
１における歪ゲージ１０の配置例を示している。この例
では、例えばデバイスウェハ３の直径方向に沿って、１
０ｍｍ程度の間隔で複数の歪ゲージ１０を配置する。特
に直径６インチのデバイスウェハ３の場合では、１３個
の歪ゲージ１０が１０ｍｍ間隔で配置される。なお、デ
バイスウェハ３の外周部には歪ゲージ１０を配置しない
ものとする。
【００１６】また、図３は、回転テーブル１に取り付け
た歪ゲージ１０まわりの構造例を示している。この場
合、回転テーブル１の表面の所定位置に、歪ゲージ１０
の取付用の穴１５をドリル加工等によって穿設する。そ
して、穴１５に歪ゲージ１０をセットした後、樹脂等に
よって封止固定することができる。例えば、穴１５の一
部分に貫通孔１６を設け、この貫通孔１６に挿通させた
リード線１１を歪ゲージ１０と一緒に樹脂１７によって
固定してもよい。
た歪ゲージ１０まわりの構造例を示している。この場
合、回転テーブル１の表面の所定位置に、歪ゲージ１０
の取付用の穴１５をドリル加工等によって穿設する。そ
して、穴１５に歪ゲージ１０をセットした後、樹脂等に
よって封止固定することができる。例えば、穴１５の一
部分に貫通孔１６を設け、この貫通孔１６に挿通させた
リード線１１を歪ゲージ１０と一緒に樹脂１７によって
固定してもよい。
【００１７】さて、上記構成で成るＣＭＰ装置におい
て、回転テーブル１上に研磨布２を介して載置されたデ
バイスウェハ３を研磨すべく、駆動モータ７によって回
転テーブル１を回転駆動すると共に、ノズル９から加工
液８を吐出させる。
て、回転テーブル１上に研磨布２を介して載置されたデ
バイスウェハ３を研磨すべく、駆動モータ７によって回
転テーブル１を回転駆動すると共に、ノズル９から加工
液８を吐出させる。
【００１８】ここで、図４（Ａ）は、研磨されるべきデ
バイスウェハ３の断面構造例を示している。この例のデ
バイスウェハ３は、基板３ａ上に第１層（ポリシリコン
膜）３１、第２層３２（ポリシリコン膜及び酸化膜）及
び第１層３３（酸化膜）を有する３段もしくは３層構成
となっている。ポリシリコン膜で成る第１層３１は比較
的硬質であり、また酸化膜で成る第３層３３は比較的軟
質であり、更にポリシリコン膜及び酸化膜が混在して成
る第２層３２はそれらのほぼ中間の硬度になっている。
バイスウェハ３の断面構造例を示している。この例のデ
バイスウェハ３は、基板３ａ上に第１層（ポリシリコン
膜）３１、第２層３２（ポリシリコン膜及び酸化膜）及
び第１層３３（酸化膜）を有する３段もしくは３層構成
となっている。ポリシリコン膜で成る第１層３１は比較
的硬質であり、また酸化膜で成る第３層３３は比較的軟
質であり、更にポリシリコン膜及び酸化膜が混在して成
る第２層３２はそれらのほぼ中間の硬度になっている。
【００１９】第１層３１の表面３１ａから研磨が開始さ
れる。この研磨中、研磨布２とデバイスウェハ３との間
に摩擦力が生じる。この摩擦力に基づいて発生する所
謂、研磨抵抗の大きさは、ほぼ被研磨物、即ちデバイス
ウェハ３の硬度に依存する。かかる研磨抵抗は更に、回
転テーブル１の表面部に埋設されている歪ゲージ１０に
作用する。従って、研磨抵抗が大きい程、歪ゲージ１０
の歪み量も大きくなる。スリップリング１２を介してＣ
ＰＵ１４へ送出された歪ゲージ１０の出力信号から、そ
のときの駆動モータ７のトルクを検出することができ
る。
れる。この研磨中、研磨布２とデバイスウェハ３との間
に摩擦力が生じる。この摩擦力に基づいて発生する所
謂、研磨抵抗の大きさは、ほぼ被研磨物、即ちデバイス
ウェハ３の硬度に依存する。かかる研磨抵抗は更に、回
転テーブル１の表面部に埋設されている歪ゲージ１０に
作用する。従って、研磨抵抗が大きい程、歪ゲージ１０
の歪み量も大きくなる。スリップリング１２を介してＣ
ＰＵ１４へ送出された歪ゲージ１０の出力信号から、そ
のときの駆動モータ７のトルクを検出することができ
る。
【００２０】図４（Ｂ）は、このようにデバイスウェハ
３を研磨した際の歪ゲージ１０の出力信号の変化を示し
ている。図４（Ｂ）から明らかなように第１層３１のポ
リシリコン膜の研磨時には、該ポリシリコン膜が硬質で
あるため、歪ゲージ１０の出力信号は大きくなっている
（歪み０．１％）。そして、第１層３１及び第２層３２
の境界面３２ａに達すると、この部分で第２層３２に移
行するため、歪ゲージ１０の出力信号は急激に小さくな
る（歪み０．０５％）。つまり第２層３２は、軟質の酸
化膜を部分的に含んでいるため、この第２層３２の研磨
時では、硬質のポリシリコン膜のみから成る第１層３１
の場合よりも小さな研磨抵抗が生じる。更に第２層３２
及び第３層３３の境界面３３ａを経てから、それ以後、
軟質の酸化膜のみから成る第３層３３を研磨するとき、
歪ゲージ１０の出力信号は格段に小さくなる。
３を研磨した際の歪ゲージ１０の出力信号の変化を示し
ている。図４（Ｂ）から明らかなように第１層３１のポ
リシリコン膜の研磨時には、該ポリシリコン膜が硬質で
あるため、歪ゲージ１０の出力信号は大きくなっている
（歪み０．１％）。そして、第１層３１及び第２層３２
の境界面３２ａに達すると、この部分で第２層３２に移
行するため、歪ゲージ１０の出力信号は急激に小さくな
る（歪み０．０５％）。つまり第２層３２は、軟質の酸
化膜を部分的に含んでいるため、この第２層３２の研磨
時では、硬質のポリシリコン膜のみから成る第１層３１
の場合よりも小さな研磨抵抗が生じる。更に第２層３２
及び第３層３３の境界面３３ａを経てから、それ以後、
軟質の酸化膜のみから成る第３層３３を研磨するとき、
歪ゲージ１０の出力信号は格段に小さくなる。
【００２１】デバイスウェハ３を研磨する際、硬度の異
なる層もしくは膜の境界面における歪ゲージ１０の出力
信号、即ち駆動モータ７のトルクの変化から、そのとき
の研磨量もしくは研磨深さを判断することができる。即
ち、駆動モータ７の駆動トルクとデバイスウェハ３を研
磨量との関係を予めＣＰＵ１４に記憶しておき、研磨時
の実際の歪ゲージ１０の出力信号をそのＣＰＵ１４の記
憶データと比較することにより、そのときの研磨量を知
ることができる。
なる層もしくは膜の境界面における歪ゲージ１０の出力
信号、即ち駆動モータ７のトルクの変化から、そのとき
の研磨量もしくは研磨深さを判断することができる。即
ち、駆動モータ７の駆動トルクとデバイスウェハ３を研
磨量との関係を予めＣＰＵ１４に記憶しておき、研磨時
の実際の歪ゲージ１０の出力信号をそのＣＰＵ１４の記
憶データと比較することにより、そのときの研磨量を知
ることができる。
【００２２】しかも、この実施形態ではデバイスウェハ
３の直径方向に沿って１３個の歪ゲージ１０を配置して
いるため、デバイスウェハ３の複数の位置からの情報が
得られる。このように複数の部位における歪ゲージ１０
の出力信号に基づいて判断するようにしているため、デ
バイスウェハ３に対して偏りのない、均一且つ正確な検
出結果が得られ、これにより高精度の平坦化加工を実現
することができる。１つの研磨加工例として、境界面３
２ａを研磨終点とするとき、各歪ゲージ１０の出力信号
が全て歪み０．０５％以下となった時点で研磨終了とす
る。この場合、各歪ゲージ１０の出力信号が送られるＣ
ＰＵ１４において、個々の歪ゲージ１０の出力信号が記
憶データ（０．０５％）と比較演算され、終点と判定し
た場合には駆動モータ７を停止させる。
３の直径方向に沿って１３個の歪ゲージ１０を配置して
いるため、デバイスウェハ３の複数の位置からの情報が
得られる。このように複数の部位における歪ゲージ１０
の出力信号に基づいて判断するようにしているため、デ
バイスウェハ３に対して偏りのない、均一且つ正確な検
出結果が得られ、これにより高精度の平坦化加工を実現
することができる。１つの研磨加工例として、境界面３
２ａを研磨終点とするとき、各歪ゲージ１０の出力信号
が全て歪み０．０５％以下となった時点で研磨終了とす
る。この場合、各歪ゲージ１０の出力信号が送られるＣ
ＰＵ１４において、個々の歪ゲージ１０の出力信号が記
憶データ（０．０５％）と比較演算され、終点と判定し
た場合には駆動モータ７を停止させる。
【００２３】この実施形態における具体的なＣＭＰ加工
では、研磨開始直後に歪ゲージ１０の出力信号として歪
み０．１％から、その後の研磨により歪み０．０５％と
なったところでＣＭＰ加工を停止した。このときの酸化
膜の露出状況を膜厚計によって測定したところ、２００
個のチップのうち１９０個のチップにおいて、ポリシリ
コン膜が酸化膜によって絶縁されていた（つまり、第２
層３２における酸化膜中にポリシリコン膜が埋もれてい
る状態）。
では、研磨開始直後に歪ゲージ１０の出力信号として歪
み０．１％から、その後の研磨により歪み０．０５％と
なったところでＣＭＰ加工を停止した。このときの酸化
膜の露出状況を膜厚計によって測定したところ、２００
個のチップのうち１９０個のチップにおいて、ポリシリ
コン膜が酸化膜によって絶縁されていた（つまり、第２
層３２における酸化膜中にポリシリコン膜が埋もれてい
る状態）。
【００２４】なおここで、歪ゲージ１０は、回転テーブ
ル１の表面部に埋設する場合の他、例えば研磨布２に埋
設することもできる。即ち、図３において二点鎖線によ
り示されるように、研磨布２の表面部、或いは中間部の
適所に埋設してもよい。このように歪ゲージ１０をデバ
イスウェハ３の研磨面の更に至近位置に配置することに
より、研磨中に生じる研磨抵抗に基づき高い感応度で出
力信号を発生させる結果、駆動モータ７のトルクを高い
精度で検出することができる。
ル１の表面部に埋設する場合の他、例えば研磨布２に埋
設することもできる。即ち、図３において二点鎖線によ
り示されるように、研磨布２の表面部、或いは中間部の
適所に埋設してもよい。このように歪ゲージ１０をデバ
イスウェハ３の研磨面の更に至近位置に配置することに
より、研磨中に生じる研磨抵抗に基づき高い感応度で出
力信号を発生させる結果、駆動モータ７のトルクを高い
精度で検出することができる。
【００２５】また、図５は、上記のように歪ゲージ１０
を研磨布２に埋設する場合の具体的な構造例を示してい
る。この例は、回転テーブル１の表面を凹凸状に形成
し、歪ゲージ１０を研磨布２の厚さ方向の中間部に位置
させるものである。つまり、回転テーブル１の表面に、
歪ゲージ１０を載置すべき凸部１ａを形成すると共に、
研磨布２の下面側に凸部１ａに対応する穴部２ａを形成
する。回転テーブル１の凸部１ａ上に歪ゲージ１０を載
置して、研磨布２を張り付けることにより、歪ゲージ１
０は図示のように研磨布２の中間部位置に配設される。
を研磨布２に埋設する場合の具体的な構造例を示してい
る。この例は、回転テーブル１の表面を凹凸状に形成
し、歪ゲージ１０を研磨布２の厚さ方向の中間部に位置
させるものである。つまり、回転テーブル１の表面に、
歪ゲージ１０を載置すべき凸部１ａを形成すると共に、
研磨布２の下面側に凸部１ａに対応する穴部２ａを形成
する。回転テーブル１の凸部１ａ上に歪ゲージ１０を載
置して、研磨布２を張り付けることにより、歪ゲージ１
０は図示のように研磨布２の中間部位置に配設される。
【００２６】なお、上記のように歪ゲージ１０を設ける
場合、該歪ゲージ１０に接続するリード線１１は、好適
には図６のように引き回わされる。即ち、凸部１ａの肩
部から貫通孔１６′にかけて逃げ溝１ｂを刻設し、この
逃げ溝１ｂ内を這わせるようにリード線１１を引き回わ
すものである。このように逃げ溝１ｂに沿ってリード線
１１を引き回わすことにより、該リード線１１が張り出
さないようにし、リード線１１を適正に接続することが
できる。
場合、該歪ゲージ１０に接続するリード線１１は、好適
には図６のように引き回わされる。即ち、凸部１ａの肩
部から貫通孔１６′にかけて逃げ溝１ｂを刻設し、この
逃げ溝１ｂ内を這わせるようにリード線１１を引き回わ
すものである。このように逃げ溝１ｂに沿ってリード線
１１を引き回わすことにより、該リード線１１が張り出
さないようにし、リード線１１を適正に接続することが
できる。
【００２７】或いはまた、図７のように回転テーブル１
の表面にてスプリング１８等の弾機手段によって歪ゲー
ジ１０を弾性支持すると共に、研磨布２にはこのように
支持される歪ゲージ１０に対応して穴部２ａ′を貫通形
成する。この例によれば、回転テーブル１の表面に研磨
布２を張り付けることにより穴部２ａ′に挿着された歪
ゲージ１０は、研磨布２の穴部２ａ′から露出して、デ
バイスウェハ３表面（下面）に直接弾接する。このよう
に歪ゲージ１０を研磨布２の表面部に配設することによ
り、歪ゲージ１０の高い検出精度を実現することができ
る。
の表面にてスプリング１８等の弾機手段によって歪ゲー
ジ１０を弾性支持すると共に、研磨布２にはこのように
支持される歪ゲージ１０に対応して穴部２ａ′を貫通形
成する。この例によれば、回転テーブル１の表面に研磨
布２を張り付けることにより穴部２ａ′に挿着された歪
ゲージ１０は、研磨布２の穴部２ａ′から露出して、デ
バイスウェハ３表面（下面）に直接弾接する。このよう
に歪ゲージ１０を研磨布２の表面部に配設することによ
り、歪ゲージ１０の高い検出精度を実現することができ
る。
【００２８】図６又は図７のように歪ゲージ１０を配設
する場合、前述した図２の配置例の場合と同様に配置す
るとよい。即ち、好適にはデバイスウェハ３の直径方向
に沿って、１０ｍｍ程度の間隔で複数の歪ゲージ１０を
配置することができる。
する場合、前述した図２の配置例の場合と同様に配置す
るとよい。即ち、好適にはデバイスウェハ３の直径方向
に沿って、１０ｍｍ程度の間隔で複数の歪ゲージ１０を
配置することができる。
【００２９】次に図８は、本発明の第２の実施形態にお
ける歪ゲージ１０（又は１０′）の配置例を示してい
る。なお、この第２の実施形態においてＣＭＰ装置の基
本構成は、前述した第１の実施形態の場合と同様であ
る。
ける歪ゲージ１０（又は１０′）の配置例を示してい
る。なお、この第２の実施形態においてＣＭＰ装置の基
本構成は、前述した第１の実施形態の場合と同様であ
る。
【００３０】第２の実施形態においても直径６インチの
デバイスウェハ３を用いるものとする。特にこの例で
は、回転テーブル１の１つの半径方向に沿って、１０ｍ
ｍ程度の間隔で１３個の歪ゲージ１０を埋設配置する。
また、図示例のように相対する別の半径方向（即ち、回
転テーブル１の中心Ｏを挟んで反対側）に沿って、歪ゲ
ージ１０と同様な仕方で更に１３個の歪ゲージ１０′を
埋設配置する。なお、デバイスウェハ３の外周部には歪
ゲージ１０，１０′を配置しないものとする。
デバイスウェハ３を用いるものとする。特にこの例で
は、回転テーブル１の１つの半径方向に沿って、１０ｍ
ｍ程度の間隔で１３個の歪ゲージ１０を埋設配置する。
また、図示例のように相対する別の半径方向（即ち、回
転テーブル１の中心Ｏを挟んで反対側）に沿って、歪ゲ
ージ１０と同様な仕方で更に１３個の歪ゲージ１０′を
埋設配置する。なお、デバイスウェハ３の外周部には歪
ゲージ１０，１０′を配置しないものとする。
【００３１】第２の実施形態において行った具体的なＣ
ＭＰ加工では、研磨開始直後に歪ゲージ１０，１０′の
出力信号として歪み０．１％から、その後の研磨により
歪み０．０４５％となったところでＣＭＰ加工を停止し
た。このときの酸化膜の露出状況を膜厚計によって測定
したところ、２００個の全てのチップにおいて、ポリシ
リコン膜が酸化膜によって絶縁されていた（酸化膜中に
ポリシリコン膜が埋もれている状態）。特にこの実施形
態においては、回転テーブル１において多数の歪ゲージ
１０，１０′を設けることにより、デバイスウェハ３か
ら得られた多数のデータに基づいて、信頼性の高い判定
が可能になる。
ＭＰ加工では、研磨開始直後に歪ゲージ１０，１０′の
出力信号として歪み０．１％から、その後の研磨により
歪み０．０４５％となったところでＣＭＰ加工を停止し
た。このときの酸化膜の露出状況を膜厚計によって測定
したところ、２００個の全てのチップにおいて、ポリシ
リコン膜が酸化膜によって絶縁されていた（酸化膜中に
ポリシリコン膜が埋もれている状態）。特にこの実施形
態においては、回転テーブル１において多数の歪ゲージ
１０，１０′を設けることにより、デバイスウェハ３か
ら得られた多数のデータに基づいて、信頼性の高い判定
が可能になる。
【００３２】更に図９は、本発明の第３の実施形態にお
ける歪ゲージ１０の配置例を示している。なお、この第
３の実施形態においてＣＭＰ装置の基本構成は、前述し
た第１の実施形態の場合と同様である。第３の実施形態
においても直径６インチのデバイスウェハ３を用いるも
のとする。特にこの例では、デバイスウェハ３が回転テ
ーブル１の中心Ｏのまわりに相対的に回動する際、該デ
バイスウェハ３の中心が移動する円周方向に沿って、複
数の歪ゲージ１０を埋設配置する。
ける歪ゲージ１０の配置例を示している。なお、この第
３の実施形態においてＣＭＰ装置の基本構成は、前述し
た第１の実施形態の場合と同様である。第３の実施形態
においても直径６インチのデバイスウェハ３を用いるも
のとする。特にこの例では、デバイスウェハ３が回転テ
ーブル１の中心Ｏのまわりに相対的に回動する際、該デ
バイスウェハ３の中心が移動する円周方向に沿って、複
数の歪ゲージ１０を埋設配置する。
【００３３】第３の実施形態における具体的なＣＭＰ加
工において、研磨開始直後に歪ゲージ１０の出力信号と
して歪み０．１％から、その後の研磨により歪み０．０
５％となったところでＣＭＰ加工を停止した。このとき
の酸化膜の露出状況を膜厚計によって測定したところ、
２００個の全てのチップにおいて、ポリシリコン膜が酸
化膜によって絶縁されていた。特にこの第３の実施形態
によれば、デバイスウェハ３を回転テーブル１の円周方
向に沿って配置することにより、仮に回転テーブル１に
振れがあっても研磨終点を正確に判定することができ
る。
工において、研磨開始直後に歪ゲージ１０の出力信号と
して歪み０．１％から、その後の研磨により歪み０．０
５％となったところでＣＭＰ加工を停止した。このとき
の酸化膜の露出状況を膜厚計によって測定したところ、
２００個の全てのチップにおいて、ポリシリコン膜が酸
化膜によって絶縁されていた。特にこの第３の実施形態
によれば、デバイスウェハ３を回転テーブル１の円周方
向に沿って配置することにより、仮に回転テーブル１に
振れがあっても研磨終点を正確に判定することができ
る。
【００３４】ところで、上記各実施形態では、基板３ａ
上に第１層３１、第２層３２及び第３層３３を有するデ
バイスウェハ３の例を説明した。本発明によればまた、
例えば図１０に示したようなデバイスウェハとしてのＭ
ＯＳトランジスタを研磨する場合に対して適用すること
ができる。
上に第１層３１、第２層３２及び第３層３３を有するデ
バイスウェハ３の例を説明した。本発明によればまた、
例えば図１０に示したようなデバイスウェハとしてのＭ
ＯＳトランジスタを研磨する場合に対して適用すること
ができる。
【００３５】即ち、図１０において、デバイスウェハ２
０は、基板２０ａ上に研磨面側から、第１層（ポリシリ
コン膜）２１、第２層２２（ポリシリコン膜及び酸化
膜）及び第３層２３（酸化膜）を有している。ポリシリ
コン膜で成る第１層２１は比較的硬質であり、また酸化
膜で成る第３層２３は比較的軟質であり、更にポリシリ
コン膜及び酸化膜が混在して成る第３層２３はそれらの
ほぼ中間の硬度になっている。
０は、基板２０ａ上に研磨面側から、第１層（ポリシリ
コン膜）２１、第２層２２（ポリシリコン膜及び酸化
膜）及び第３層２３（酸化膜）を有している。ポリシリ
コン膜で成る第１層２１は比較的硬質であり、また酸化
膜で成る第３層２３は比較的軟質であり、更にポリシリ
コン膜及び酸化膜が混在して成る第３層２３はそれらの
ほぼ中間の硬度になっている。
【００３６】このデバイスウェハ２０では、第２層２２
のポリシリコン膜に対応して、基板２０ａ上にゲート酸
化膜（絶縁膜）２４を介してゲート配線２５を有しい
る。ゲート配線２５の両側部にはサイドウォール２６
が、また上部にはキャップ酸化膜２７がそれぞれ形成さ
れている。
のポリシリコン膜に対応して、基板２０ａ上にゲート酸
化膜（絶縁膜）２４を介してゲート配線２５を有しい
る。ゲート配線２５の両側部にはサイドウォール２６
が、また上部にはキャップ酸化膜２７がそれぞれ形成さ
れている。
【００３７】かかるデバイスウェハ２０を研磨する場
合、第１層２１の表面２１ａから研磨を開始するが、第
１層２１及び第２層２２の境界面２２ａに達すると、こ
の部分で第２層２２に移行するため、歪ゲージ１０の出
力信号は急激に小さくなる。従って、このデバイスウェ
ハ２０の場合においても、歪ゲージ１０の出力信号、即
ち駆動モータ７のトルクの変化から、そのときの研磨量
もしくは研磨深さを検出することができる。
合、第１層２１の表面２１ａから研磨を開始するが、第
１層２１及び第２層２２の境界面２２ａに達すると、こ
の部分で第２層２２に移行するため、歪ゲージ１０の出
力信号は急激に小さくなる。従って、このデバイスウェ
ハ２０の場合においても、歪ゲージ１０の出力信号、即
ち駆動モータ７のトルクの変化から、そのときの研磨量
もしくは研磨深さを検出することができる。
【００３８】なお、上記各実施形態における歪ゲージ１
０の配置例等は、以上の説明で示した例にのみ限定され
るものでなく、本発明の範囲内で種々の変形が可能であ
る。例えば、歪ゲージ１０の配置間隔や配置位置等に関
して、デバイスウェハ３（或いは２０）の半径方向以外
の部位に設けるようにしてもよい。
０の配置例等は、以上の説明で示した例にのみ限定され
るものでなく、本発明の範囲内で種々の変形が可能であ
る。例えば、歪ゲージ１０の配置間隔や配置位置等に関
して、デバイスウェハ３（或いは２０）の半径方向以外
の部位に設けるようにしてもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、こ
の種の研磨加工において、半導体装置の研磨面の至近位
置に複数の歪みゲージを埋設して、研磨面における複数
箇所で研磨時の研磨抵抗を検出することにより、研磨終
点を正確に検知して高い平坦度を得ることができる。そ
して、これによりＣＭＰ加工における歩留を格段に向上
することができる等の利点を有している。
の種の研磨加工において、半導体装置の研磨面の至近位
置に複数の歪みゲージを埋設して、研磨面における複数
箇所で研磨時の研磨抵抗を検出することにより、研磨終
点を正確に検知して高い平坦度を得ることができる。そ
して、これによりＣＭＰ加工における歩留を格段に向上
することができる等の利点を有している。
【図１】本発明の半導体装置の平坦化装置の構成例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明装置に係る回転テーブルにおける歪みゲ
ージの配置例を示す平面図である。
ージの配置例を示す平面図である。
【図３】本発明装置に係る回転テーブルにおける歪みゲ
ージの取付構造例を示す断面図である。
ージの取付構造例を示す断面図である。
【図４】本発明に係るデバイスウェハの構造例及び出力
信号の変化をそれぞれ示す断面図である。
信号の変化をそれぞれ示す断面図である。
【図５】本発明装置に係る歪みゲージの具体的取付構造
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図６】図５のＡ部拡大斜視図である。
【図７】本発明装置に係る歪みゲージの他の具体的取付
構造例を示す断面図である。
構造例を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る回転テーブルに
おける歪みゲージの配置例を示す平面図である。
おける歪みゲージの配置例を示す平面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る回転テーブルに
おける歪みゲージの配置例を示す平面図である。
おける歪みゲージの配置例を示す平面図である。
【図１０】本発明を適用可能なデバイスウェハの別の例
を示す断面構造図である。
を示す断面構造図である。
１ 回転テーブル ２ 研磨布 ３ デバイスウェハ ４ プレート ５ 回転軸 ７ 駆動モータ ８ 加工液 １０ 歪ゲージ １１ リード線 １２ スリップリング １３ アンペアメータ １４ ＣＰＵ １５ 穴 １６ 貫通孔 １７ 樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも２種類の膜を有する
半導体装置の表面を化学・機械的に研磨することにより
平坦化するための方法であって、 研磨面の至近位置に設けた歪みゲージによって研磨時の
研磨抵抗を検出し、この歪みゲージの検出信号の変化量
に基づき、研磨加工の終点を判定し得るようにしたこと
を特徴とする半導体装置の平坦化方法。 - 【請求項２】 前記半導体装置の研磨面における複数位
置で研磨時の研磨抵抗を検出し、各位置での歪みゲージ
の検出信号の変化量に基づき、研磨加工の終点を判定し
得るようにしたことを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置の平坦化方法。 - 【請求項３】 前記半導体装置の研磨面の直径方向に沿
って、複数位置で研磨時の研磨抵抗を検出することを特
徴とする請求項２に記載の半導体装置の平坦化方法。 - 【請求項４】 基板上に少なくとも２種類の膜を有する
半導体装置の表面を化学・機械的に研磨することにより
平坦化するための装置であって、 回転テーブル上の所定位置に研磨布を介して前記半導体
装置を載置して、該半導体装置を回転駆動すると共に、
この半導体装置の研磨面至近位置に複数の歪みゲージを
埋設し、各歪みゲージの出力信号を処理する制御処理装
置にて前記半導体装置の研磨面に対する研磨終点を判定
するようにしたことを特徴とする半導体装置の平坦化装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31734395A JPH09139367A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 半導体装置の平坦化方法及び装置 |
| KR1019960052666A KR100255063B1 (ko) | 1995-11-10 | 1996-11-07 | 반도체 장치의 평탄화 방법 및 장치 |
| US08/745,289 US5877088A (en) | 1995-11-10 | 1996-11-08 | Flattening method and apparatus for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31734395A JPH09139367A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 半導体装置の平坦化方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139367A true JPH09139367A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=18087170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31734395A Pending JPH09139367A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 半導体装置の平坦化方法及び装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5877088A (ja) |
| JP (1) | JPH09139367A (ja) |
| KR (1) | KR100255063B1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191038B1 (en) | 1997-09-02 | 2001-02-20 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method for chemical/mechanical polishing |
| JP2006093192A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハ研磨装置及びウェーハの研磨方法 |
| KR100576890B1 (ko) * | 1998-03-10 | 2006-05-03 | 램 리서치 코퍼레이션 | 이동 가능한 윈도우를 갖춘 웨이퍼 정밀 연마 장치 |
| KR100673185B1 (ko) * | 2000-04-11 | 2007-01-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 기계적 연마 방법 |
| US9550273B2 (en) | 2015-01-19 | 2017-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing device and method of polishing semiconductor wafer |
| JP2017220682A (ja) * | 2016-07-27 | 2017-12-14 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッド |
| JP2018083267A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
| KR20210007177A (ko) * | 2019-07-10 | 2021-01-20 | 조중훈 | Cmp 장비용 스핀 베이스 구조체 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3454658B2 (ja) * | 1997-02-03 | 2003-10-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 研磨処理モニター装置 |
| US6268224B1 (en) * | 1998-06-30 | 2001-07-31 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting an ion-implanted polishing endpoint layer within a semiconductor wafer |
| US6352466B1 (en) | 1998-08-31 | 2002-03-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for wireless transfer of chemical-mechanical planarization measurements |
| TW436382B (en) * | 1999-03-12 | 2001-05-28 | Mitsubishi Materials Corp | Wafer holding head, wafer polishing apparatus, and method for making wafers |
| US6225224B1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-05-01 | Infineon Technologies Norht America Corp. | System for dispensing polishing liquid during chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer |
| CA2323175A1 (en) * | 2000-10-11 | 2002-04-11 | Eric Saulnier | Controllably monitoring and reducing a material |
| US20030188829A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-10-09 | Bharath Rangarajan | Integrated pressure sensor for measuring multiaxis pressure gradients |
| KR20030096767A (ko) * | 2002-06-17 | 2003-12-31 | 동부전자 주식회사 | 엔드 포인트 검출을 갖는 화학 기계적 연마방법 |
| JP2009302136A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Panasonic Corp | 半導体集積回路 |
| US8801497B2 (en) | 2009-04-30 | 2014-08-12 | Rdc Holdings, Llc | Array of abrasive members with resilient support |
| US9221148B2 (en) | 2009-04-30 | 2015-12-29 | Rdc Holdings, Llc | Method and apparatus for processing sliders for disk drives, and to various processing media for the same |
| US8558564B2 (en) | 2011-02-24 | 2013-10-15 | International Business Machines Corporation | Heat spreader flatness detection |
| CN102278967A (zh) * | 2011-03-10 | 2011-12-14 | 清华大学 | 抛光液厚度测量装置、测量方法和化学机械抛光设备 |
| KR101557527B1 (ko) | 2012-10-23 | 2015-10-06 | 주식회사 엘지화학 | 유리기판의 평탄면 형성장치 |
| DE112021001705T5 (de) * | 2020-03-19 | 2022-12-29 | Alps Alpine Co., Ltd. | Detektor und detektionssystem |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4793895A (en) * | 1988-01-25 | 1988-12-27 | Ibm Corporation | In situ conductivity monitoring technique for chemical/mechanical planarization endpoint detection |
| JP2873315B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1999-03-24 | 住友シチックス株式会社 | 半導体基板の研磨制御方法 |
| JPH0453671A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-21 | Nkk Corp | 熱変形制御型両面研磨装置 |
| JP3321894B2 (ja) * | 1993-05-07 | 2002-09-09 | 日本電信電話株式会社 | 研磨終点検出装置 |
-
1995
- 1995-11-10 JP JP31734395A patent/JPH09139367A/ja active Pending
-
1996
- 1996-11-07 KR KR1019960052666A patent/KR100255063B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-08 US US08/745,289 patent/US5877088A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191038B1 (en) | 1997-09-02 | 2001-02-20 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method for chemical/mechanical polishing |
| US6416617B2 (en) | 1997-09-02 | 2002-07-09 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method for chemical/mechanical polishing |
| KR100576890B1 (ko) * | 1998-03-10 | 2006-05-03 | 램 리서치 코퍼레이션 | 이동 가능한 윈도우를 갖춘 웨이퍼 정밀 연마 장치 |
| KR100673185B1 (ko) * | 2000-04-11 | 2007-01-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 기계적 연마 방법 |
| JP2006093192A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハ研磨装置及びウェーハの研磨方法 |
| US9550273B2 (en) | 2015-01-19 | 2017-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing device and method of polishing semiconductor wafer |
| JP2017220682A (ja) * | 2016-07-27 | 2017-12-14 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッド |
| JP2018083267A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
| KR20210007177A (ko) * | 2019-07-10 | 2021-01-20 | 조중훈 | Cmp 장비용 스핀 베이스 구조체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5877088A (en) | 1999-03-02 |
| KR100255063B1 (ko) | 2000-05-01 |
| KR970030408A (ko) | 1997-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09139367A (ja) | 半導体装置の平坦化方法及び装置 | |
| CN101310929B (zh) | 抛光衬垫、制造抛光衬垫的方法以及抛光系统和抛光方法 | |
| US5851846A (en) | Polishing method for SOI | |
| US5036015A (en) | Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers | |
| US5321304A (en) | Detecting the endpoint of chem-mech polishing, and resulting semiconductor device | |
| US5069002A (en) | Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers | |
| US5944580A (en) | Sensing device and method of leveling a semiconductor wafer | |
| JPH11354477A (ja) | 半導体基板を研磨するための装置及び方法 | |
| JP2833305B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| US20050118839A1 (en) | Chemical mechanical polish process control method using thermal imaging of polishing pad | |
| US20020090889A1 (en) | Apparatus and method of determining an endpoint during a chemical-mechanical polishing process | |
| US9502318B2 (en) | Polish apparatus, polish method, and method of manufacturing semiconductor device | |
| TW202346022A (zh) | 用於在研磨期間選擇性材料去除的設備與方法 | |
| JPH10256209A (ja) | 研磨装置 | |
| US7527544B2 (en) | System of using offset gage for CMP polishing pad alignment and adjustment | |
| JPH08339982A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| KR100331283B1 (ko) | 디슁 및 부식을 방지한 화학기계적연마법 | |
| JPH0945642A (ja) | 半導体基板の研磨方法及びその装置 | |
| CN113782474B (zh) | 对准标记的制作方法及半导体结构 | |
| JPH09139369A (ja) | 半導体装置の製造方法およびそれに使用される研磨装置 | |
| JPH10202508A (ja) | 研磨方法 | |
| JPH08243917A (ja) | 研磨の終点検出方法及び研磨装置並びにそれを用いた半導体装置製造方法 | |
| JP2001351889A (ja) | 基板研磨方法 | |
| TW202421364A (zh) | 化學機械拋光方法 | |
| KR100577009B1 (ko) | 화학 물리적 연마의 연마종료점 측정장치 및 연마종료점 측정방법 |