JPH0453671A - 熱変形制御型両面研磨装置 - Google Patents

熱変形制御型両面研磨装置

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Publication number
JPH0453671A
JPH0453671A JP2158682A JP15868290A JPH0453671A JP H0453671 A JPH0453671 A JP H0453671A JP 2158682 A JP2158682 A JP 2158682A JP 15868290 A JP15868290 A JP 15868290A JP H0453671 A JPH0453671 A JP H0453671A
Authority
JP
Japan
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polishing
thermal deformation
surface plate
temperature
heater
Prior art date
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Pending
Application number
JP2158682A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Aoyanagi
青柳 健司
Koji Okuno
奥野 耕司
Kazuo Hattori
服部 一男
Masaki Omura
大村 雅紀
Hiroshi Sakama
坂間 弘
Shinji Ishii
伸治 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Engineering Corp
Original Assignee
NKK Corp
Nippon Kokan Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NKK Corp, Nippon Kokan Ltd filed Critical NKK Corp
Priority to JP2158682A priority Critical patent/JPH0453671A/ja
Publication of JPH0453671A publication Critical patent/JPH0453671A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/14Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the temperature during grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は熱変形制御型両面研磨装置に関し、特に加工
中の例えばシリコンウェーハの両面研磨装置の上・下研
磨定盤(以後上定盤、下定盤という)の熱変形を直接制
御する熱変形制御型両面研磨装置に関するものである。
[従来の技術] 従来から、上定盤、下定盤、研磨布、遊星キャリア、太
陽歯車、及びインターナル歯車を主構成とする例えばシ
リコンウェーハの両面研磨装置において、研磨加工時に
は研磨面に熱を生じる(特に化学研磨メカノケミカルボ
リジング等では発熱量が多い)ため上・下定盤は加熱さ
れて温度分布が不均一となり変形を生じることが指摘さ
れていた。このように、研磨加工中に定盤が変形すると
ウェーハと研磨面との接触の形態が常に変化することと
なる。そして、変形の程度及び経過によっては加工後の
ウェーハの平坦度にきわめて悪い影響を与えることとな
り、例えば超LS1時代に対応して実施されてきたウェ
ーハの両面研磨による平坦度の向上目的に対して無意味
な加工となってしまうという事態を呈するようになる。
したがって、定盤の熱変形の制御可能な両面研磨装置が
要望されることとなるが、一般には、定盤研磨面の温度
を計測し、これを制御の対象とすることで間接的に変形
を制御する(しているという方が適切かも知れない)方
法が対策として実施されている。ここでは、このような
装置を温度制御型両面研磨装置と呼ぶこととする。
第4図は従来の温度制御型両面研磨装置の一例を断面で
示した模式図、第5図はその要部の平面模式図である(
超精密研磨・鏡面加工技術−総合技術資料集−1経営間
発センター出版部発行、昭和62年10月31日 P、
375−383参照)。また、第6図は第4図、第5図
の装置の動作を説明するために示した部分拡大模式図で
あり、第6図の(a)は要部断面図、(b)は平面図で
ある。上記各図において、1は水路3を有し、下面に研
磨布5が貼付けられた上定盤、2は水路3aを有し、上
面に研磨布5が貼付けられた下定盤で、両水路3.38
は管路4を介して冷却水チラー21に連結されている。
管路4には直列に流量制御ニードル弁22及び電磁弁2
3が設けられ、流量の調節又は流量のオン−オフを行う
調節機能が設けられていて冷却水が水路3.38を循環
する。6は下足l112の中心部に配設された太陽歯車
、7はシリコンウェーハ9のキャリアを兼ねた複数の遊
星キャリア、8は遊星キャリア7と噛合うインターナル
歯車で、遊星キャリア7は第6図の(b)にみられるよ
うに、太陽歯車6とインターナル歯車8との間で自転及
び公転を行う。シリコンウェーハ9は上・下定盤1.2
の間にはさまれた遊星キャリア7にセットされ、上定盤
1、下定盤2の対向面に貼付けた研磨布5間に所定の圧
力で保持されている。10は温度センサーで、上定盤1
とこれに貼付けた研磨布5との接着面の所定点に、その
感温部が研磨布5に接触するように取付けられており、
その出力信号は温度信号送信アンテナ11及び温度信号
受信アンテナ12を介して温度計及びマイコンコントロ
ーラ13に入力される。なお、14は流量制御ニードル
弁22を作動させるパルスモータで温度計及びマイコン
コントローラ13の指令により作動するようになってい
る。また、第6図の(a)ではシリコンウェーハ9、水
路3.3a及び研磨布5の図示は省略している。
上記の温度制御型両面研磨装置においては、上定盤1、
下定盤2、太陽歯車6、インターナル歯車8及び遊星キ
ャリア7がそれぞれ独立に回転し、シリコーンウェーハ
9と定盤(実際には研磨布5)との間に回転速度差(相
対速度)を生じさせてシリコンウェーハ9の両面を研磨
するようになっている。この場合、温度制御の手段とし
て、■定盤に水路(氷室ともいう)3.3aを設は水を
供給・循環して定盤を常に40℃以下(例えば30℃)
に冷却すること、■定盤の温度を検出して、目標温度と
の差に応じて水路3.3aに供給する水の温度、流量を
コントロールすることにより温度制御することの2点を
特徴とするものである。
なお、第4図〜第6図に示した従来例は両面研磨装置で
あるが、他の研磨装置(例えば片面研磨装置)において
も、研磨は上述の物理的な研磨によって行われるのが一
般的である。また、前述のように研磨剤とウェーハ間で
の化学的変化を利用した化学研磨(メカノケミカルボリ
ジングなど)が加工の主体となる場合もある。特に発熱
量が多くなる化学研磨では、研磨加工時には研磨面の発
熱が大きいので、定盤は加熱されて温度分布が不均一と
なり変形が生じやすい。
[発明が解決しようとする課題] 上記のような従来の両面研磨装置では、温度センサによ
り正確に温度を検出して、この温度にもとづいて上・下
定盤の水路に供給する所定温度の水量を調節し、定盤の
温度を制御して定盤の熱変形を最小化する配慮がなされ
ているが、依然として高精度の平坦性を有するウェーハ
を得ることは困難であった。また、間接的ながら定盤の
変形を制御するような目的の下になされた温度制御方式
の両面研磨装置においても、直接熱変形を制御する手段
を講じていないため、十分に変形を制御して平坦度の優
れたウェーハを製造することは不可能であった。
この発明は上述のような課題を解決するためになされた
もので、直接定盤の熱変形を検出してこの検出量にもと
づいて制御する手段により、加工性の優れた両面研磨装
置を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段] この発明に係る熱変形制御型両面研磨装置は、上・下定
盤、研磨布、遊星キャリア、太陽歯車及びインターナル
歯車を主構成とするウェーハの両面研磨装置において、
上・下定盤のうち少くとも一方の内部に設けられ所定温
度・所定流量の冷却水を供給する水路を有する冷却手段
と、上・下定盤のうち少くとも一方の研磨面の反対面に
設置され上・下定盤のうち少くとも一方の熱変形を検出
する変位計測手段と、この変位計測手段の検出値に基づ
いて上・下定盤のうち少くとも一方を昇温する加熱手段
と、変位計測手段の出力に基づいてウェーハの研磨加工
中に加熱手段の作動のオンオフを行い上・下定盤のうち
少くとも一方の熱変形を制御する制御装置とを有するも
のである。
[作用コ この発明においては、両面研磨装置の上・下定盤のうち
少くとも一方の研磨面とは反対の面に変位計測手段の歪
ゲージと加熱手段のヒーターとを少くとも一対以上所定
位置に配置し、変位(歪)を検知してこの検知量にもと
づいてヒータのオン−オンを行う構成を有するものであ
る。したがって、研磨面側が研磨加工が進むにつれて発
熱して温度上昇した場合、この温度上昇を補償する格好
でその反対側の面をヒーター等の外部熱源により加熱し
てやれば、定盤の上下面(研磨面及びその反対側の面)
の温度分布を等しくすることができ、そのため定盤内部
の温度分布はほぼ上下対称になり定盤の熱変形(歪)を
最小化する熱変形制御が実施される。以上が熱変形制御
の基本的な作用であるが、実際の熱変形制御系は変位(
歪)を計測してヒーターのオン−オフを行うようになっ
ていて、定盤の温度を直接制御するのではなく、上述の
ように変位(歪)を抑えるように温度分布を制御するも
のとなっている。なお、この発明の熱変形制御手段では
、定盤は上下から加熱されるが、水路に一定温度、一定
流量の冷却水を常時流してやることにより定盤の温度が
加工中に必要以上に上がらないようにしている。
[実施例] 第1図はこの発明による熱変形制御型両面研磨装置の定
盤の一実施例を示す要部模式図である。
第1図の(a)は−例として上定盤の一象限を示す部分
平面図、(b)は(a)に示したA−A線に沿う断面図
である。図において、第4図〜第6図の従来例と同−又
は相当部分には同じ符号を付し、説明を省略する。本実
施例においては、上定盤1の研磨面(第1図の(b)参
照)と反対側の面に直径の異なるリング状のヒーター3
0を複数個同心円状に接着して配置する。また、各ヒー
ター30に対応して、その近傍にそれぞれ歪ゲージ31
を配設する。
この場合、ヒーター30は図示しない絶縁物内に埋込ま
れたヒーター線と、ヒーター3oの絶縁物上に接着形成
した2本の線状端子電極にヒーター線の端子を接続した
もので形成され、図示しないヒーター制御回路に接続す
るスプリング圧接タイプのヒータ一端子と回転中でも常
時接触するようになっている。また、歪ゲージ31は上
部にそれぞれ図示しない歪信号送信アンテナを有してい
てこのアンテナから送信される歪信号をヒーター制御回
路に設けた歪信号受信アンテナで受信して歪信号を制御
回路に取り込むようになっている。各歪出力信号は歪ゲ
ージ31毎に異なる周波数で送信され各歪ゲージの出力
を別々に受信できるようになっている。第2図は個々の
ヒーター30.歪ゲージ31に対応した制御ブロック線
図の一実施例であり、制御回路を構成している。なお、
図示は省略したが、下定盤2も同様な歪ゲージ81.ヒ
ーター3oが配置されている。
上記の構成において、まず、第4図の従来例と同様に上
定盤1(下定盤2についても同様)の温度が研磨加工に
よって上り過ぎないように、水路3(3aも含む)には
常時一定温度・一定流量の冷却水が供給されている。そ
して、研磨加工が開始されると、研磨面側は加熱されて
温度が上昇する。このため、上定盤1(以後実施例の説
明では定盤という)は上側に曲るように変形を始めるよ
うになる。この熱変形は歪ゲージ(又は変位計)31に
より検出される。そこで、第2図に示したように、あら
かじめ定められたヒーター3oのオン−オフ判断の基準
値(歪)を基準信号として、歪ゲージ31で計測した実
際の変位(歪)と共に比較器32に入力し、その偏差値
によってヒーター(加熱装置)30のオン−オフを制御
する。第3図はヒーター30のオン−オフ信号と歪ゲー
ジ31の出力との関係を示す線図である。第3図の(a
)は歪ゲージの出力(縦軸は歪)と時間(横軸)を示し
、第3図の(b)はヒーター30のオン−オフ(縦軸)
と時間(横軸)を示している。図に示したように、歪ゲ
ージ31の出力(波状曲線)がヒーター3oのオン−オ
フ判断の基準値(点線)を超えるとヒーター80がオン
(第3図の(b)参照)となり、定盤の外側の面を加熱
する。ヒーター30オン直後も歪はやや増加するが時間
の経過とともに減小する。そして、歪が基準値以下にな
ったときヒーター30はオフとなる。この操作を制御装
置がくり返し実行することにより、変位を基準値近傍に
抑えておくことのできる熱変形制御が行われる。なお、
上記実施例では変位計測手段として歪ゲージを用いた場
合を示したが、取りつけ方法を工夫すれば変位計を用い
ることもできる。
また、研磨加工開始後歪ゲージ31により定盤の変形を
観測し、歪ゲージの出力に応じてヒーター30のオン−
オフを行う熱変形制御においては、ヒーター30のオン
−オフの基準となる歪ゲージ31の出力値は、定盤の諸
元、ヒーターの性能(特性)、加工条件等を考慮に入れ
て決めるようになっている。
以上説明した実施例によって明らかなように、従来の温
度制御型両面研磨装置と比べて定盤の熱変形を一定値に
安定することができるので、つ工−ハの加工不良率を低
減でき、さらに加工精度(平坦度)を高くすることがで
きる。
なお、上記実施例では上定盤に歪ゲージとヒーターを配
設した場合を説明したが、場合によっては下定盤に同様
に配設してもよく、あるいは上・下定盤の両方に配設し
てもよい。
[発明の効果コ 以上のようにこの発明によれば、ウェーハ用の両面研磨
装置の上・下定盤のうち少くとも一方の研磨面の反対面
に変位計測装置(歪ゲージ等)と加熱装置(ヒーター)
を配設し、定盤の変位値に基づいてヒーターをオン−オ
フする制御を行う構成としたので、従来の単なる温度制
御方式に比して、実際の定盤の変位を制御できるので、
精度のよい熱変形制御が可能となる。これにより、ウェ
ーハの加工不良率を著しく低減できるとともに、加工精
度(平坦度)を向上させることができる効果が得られる
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の定盤部分の構成を示す模
式図、第2図は各ヒーター・歪ゲージに対応した制御の
一実施例を示す制御ブロック線図、第3図はヒーターの
オン−オフ信号と歪ゲージの出力との関係を説明する線
図、第4図は従来の温度制御型両面研磨装置の一例を示
した模式断面図、第5図は第4図の従来例の要部平面模
式図、第6図は従来装置の動作を説明するために示した
部分拡大模式図である。 図において、1は上定盤、2は下定盤、3,3aは水路
、5は研磨布、6は太陽歯車、7は遊星キャリア、8は
インターナル歯車、9はシリコンウェーハ、10は温度
センサー、30はヒーター、31は歪ゲージ、32は比
較器である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 上・下研磨定盤、研磨布、遊星キャリア、太陽歯車、及
    びインターナル歯車を主構成とし、上記遊星キャリアに
    セットしたウェーハの研磨を行う両面研磨装置において
    、 上記上・下研磨定盤のうち少くとも一方に設けられ常時
    所定温度・所定流量に制御した冷却水を供給する水路を
    有する冷却手段と、 上記上・下研磨定盤のうち少くとも一方の研磨面の反対
    面に設置されこの上・下研磨定盤のうち少くとも一方の
    熱変形を検出する変位計測手段と、この変位計測手段の
    検出値に基づいて上記上・下研磨定盤のうち少くとも一
    方を昇温する加熱手段と、 上記変位計測手段の出力に基づいて上記ウェーハの研磨
    加工中に上記加熱手段の作動のオン−オフを行い上記上
    ・下研磨定盤のうち少くとも一方の熱変形を制御する制
    御装置と を有することを特徴とする熱変形制御型両面研磨装置。
JP2158682A 1990-06-19 1990-06-19 熱変形制御型両面研磨装置 Pending JPH0453671A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5803798A (en) * 1994-03-28 1998-09-08 Speedfam Corporation Dual column abrading machine
US5877088A (en) * 1995-11-10 1999-03-02 Nippon Steel Corporation Flattening method and apparatus for semiconductor device
JP2002305894A (ja) * 2001-03-30 2002-10-18 Shinko Electric Co Ltd 移動体システム
JP2019086274A (ja) * 2017-11-07 2019-06-06 進得展有限公司 冷凍装置及び冷凍装置を有する車両

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5803798A (en) * 1994-03-28 1998-09-08 Speedfam Corporation Dual column abrading machine
US5877088A (en) * 1995-11-10 1999-03-02 Nippon Steel Corporation Flattening method and apparatus for semiconductor device
JP2002305894A (ja) * 2001-03-30 2002-10-18 Shinko Electric Co Ltd 移動体システム
JP2019086274A (ja) * 2017-11-07 2019-06-06 進得展有限公司 冷凍装置及び冷凍装置を有する車両
JP2019086277A (ja) * 2017-11-07 2019-06-06 進得展有限公司 冷却装置及び冷却装置を有する車両

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