JPH09139592A - 電子装置の放熱構造 - Google Patents
電子装置の放熱構造Info
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- JPH09139592A JPH09139592A JP7296451A JP29645195A JPH09139592A JP H09139592 A JPH09139592 A JP H09139592A JP 7296451 A JP7296451 A JP 7296451A JP 29645195 A JP29645195 A JP 29645195A JP H09139592 A JPH09139592 A JP H09139592A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/877—Bump connectors and die-attach connectors
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 接続線を放熱器と筐体の間に接続して放射ノ
イズを低減しようとしても、上蓋がＣＰＵの電源と接続
されている場合には、電源とグランドが短絡し回路破損
を引き起こすため、上記の接続ができず、放射ノイズを
低減できない。 【解決手段】 ＣＰＵ１の上蓋５が、誘電体材料６を介
して放熱器７と接続され、更に放熱器７と筐体４の間が
接続線８で接続されている。これにより、導電性の金属
板である上蓋５と放熱器７の間には、容量（コンデン
サ）が形成されることとなる。この容量により、ＣＰＵ
１の動作周波数である１００ＭＨｚ以上の周波数帯域に
て１Ω以下のインピーダンスで上蓋５と放熱器７が接続
されることとなる。このことにより、上蓋５がＣＰＵ１
の電源回路と接続されている場合であっても、上記の容
量により直流的にはＣＰＵ１の電源回路と放熱器７とが
接続されず、ＣＰＵ１の電源が筐体グランドに短絡する
ことがない。
イズを低減しようとしても、上蓋がＣＰＵの電源と接続
されている場合には、電源とグランドが短絡し回路破損
を引き起こすため、上記の接続ができず、放射ノイズを
低減できない。 【解決手段】 ＣＰＵ１の上蓋５が、誘電体材料６を介
して放熱器７と接続され、更に放熱器７と筐体４の間が
接続線８で接続されている。これにより、導電性の金属
板である上蓋５と放熱器７の間には、容量（コンデン
サ）が形成されることとなる。この容量により、ＣＰＵ
１の動作周波数である１００ＭＨｚ以上の周波数帯域に
て１Ω以下のインピーダンスで上蓋５と放熱器７が接続
されることとなる。このことにより、上蓋５がＣＰＵ１
の電源回路と接続されている場合であっても、上記の容
量により直流的にはＣＰＵ１の電源回路と放熱器７とが
接続されず、ＣＰＵ１の電源が筐体グランドに短絡する
ことがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子装置の放熱構造
に係り、特に中央処理装置の放熱構造に関する。
に係り、特に中央処理装置の放熱構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】パーソナルコンピュータやワークステー
ションに使用され、主記憶、制御、演算を行い、単一チ
ップで構成される中央処理装置（ＣＰＵ）は、高速処理
能力を実現させるために大電流を必要とする。これによ
る発熱でチップの許容温度を越えないようにＣＰＵを備
えた電子装置は放熱構造を必要とする。
ションに使用され、主記憶、制御、演算を行い、単一チ
ップで構成される中央処理装置（ＣＰＵ）は、高速処理
能力を実現させるために大電流を必要とする。これによ
る発熱でチップの許容温度を越えないようにＣＰＵを備
えた電子装置は放熱構造を必要とする。
【０００３】図２は従来の放熱構造の一例の構成図を示
す。同図に示すように、筐体４内のプリント基板３上の
ソケット２に差し込まれたＣＰＵ１の上蓋５は、導電性
の金属板で構成され、ＣＰＵ１の電源又はグランドに接
続されている。ＣＰＵ１の発熱でチップの許容温度を越
えないように、上蓋５上に放熱器７が設けられ、これに
よりＣＰＵ１の発熱が放熱される。
す。同図に示すように、筐体４内のプリント基板３上の
ソケット２に差し込まれたＣＰＵ１の上蓋５は、導電性
の金属板で構成され、ＣＰＵ１の電源又はグランドに接
続されている。ＣＰＵ１の発熱でチップの許容温度を越
えないように、上蓋５上に放熱器７が設けられ、これに
よりＣＰＵ１の発熱が放熱される。
【０００４】ところで、ＣＰＵ１で動作するクロック周
波数の高調波は、この上蓋５から放熱器７を介してノイ
ズとして放射される。機器の放射ノイズ規格を満足させ
るために、この放射ノイズを低減させる必要がある。そ
のため、従来は放熱器７と筐体４間を導電性の接続線で
接続することにより、上蓋５からのノイズ電流を筐体４
へ流すことができ、ノイズを低減することができる。
波数の高調波は、この上蓋５から放熱器７を介してノイ
ズとして放射される。機器の放射ノイズ規格を満足させ
るために、この放射ノイズを低減させる必要がある。そ
のため、従来は放熱器７と筐体４間を導電性の接続線で
接続することにより、上蓋５からのノイズ電流を筐体４
へ流すことができ、ノイズを低減することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の放熱構造において、放射ノイズを低減するために
接続線を放熱器７と筐体４の間に接続する方法は、上蓋
５がＣＰＵ１のグランドに接続されている場合にのみ有
効であり、上蓋５がＣＰＵ１の電源と接続されている場
合には、電源とグランドが短絡し回路破損を引き起こす
ため、上蓋５と接触する放熱器７は筐体４へ接続するこ
とができず、放射ノイズを低減できないという問題があ
る。
従来の放熱構造において、放射ノイズを低減するために
接続線を放熱器７と筐体４の間に接続する方法は、上蓋
５がＣＰＵ１のグランドに接続されている場合にのみ有
効であり、上蓋５がＣＰＵ１の電源と接続されている場
合には、電源とグランドが短絡し回路破損を引き起こす
ため、上蓋５と接触する放熱器７は筐体４へ接続するこ
とができず、放射ノイズを低減できないという問題があ
る。
【０００６】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
ＣＰＵの上蓋と放熱器をコンデンサにより接続すること
により、ノイズ電流を筐体へ流し、放射ノイズを低減す
ることができる電子装置の放熱構造を提供することを目
的とする。
ＣＰＵの上蓋と放熱器をコンデンサにより接続すること
により、ノイズ電流を筐体へ流し、放射ノイズを低減す
ることができる電子装置の放熱構造を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、電子装置の電源又はグランドに接続されて
いる導電性の上蓋上に放熱器を設け、かつ、この上蓋と
放熱器の間に誘電体材料を挿入すると共に、放熱器と電
子装置の筐体との間を導電性の接続線で接続したことを
特徴とする。
成するため、電子装置の電源又はグランドに接続されて
いる導電性の上蓋上に放熱器を設け、かつ、この上蓋と
放熱器の間に誘電体材料を挿入すると共に、放熱器と電
子装置の筐体との間を導電性の接続線で接続したことを
特徴とする。
【０００８】この発明では、上蓋及び放熱器とそれらの
間に介挿された誘電体材料により容量が形成されるた
め、電子装置の電源回路と放熱器との間が直流的に接続
されず、交流的に接続される。ここで、上記容量は、電
子装置の動作周波数以上の周波数帯域にて０Ω近傍のイ
ンピーダンスで上蓋及び放熱器を電気的に接続すること
が望ましい。
間に介挿された誘電体材料により容量が形成されるた
め、電子装置の電源回路と放熱器との間が直流的に接続
されず、交流的に接続される。ここで、上記容量は、電
子装置の動作周波数以上の周波数帯域にて０Ω近傍のイ
ンピーダンスで上蓋及び放熱器を電気的に接続すること
が望ましい。
【０００９】また、本発明における電子装置は中央処理
装置であり、前記誘電体材料はチタン酸バリウム系誘電
体材料若しくはアルミナ基板材料であることを特徴とす
る。
装置であり、前記誘電体材料はチタン酸バリウム系誘電
体材料若しくはアルミナ基板材料であることを特徴とす
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図１と共に説明する。図１は本発明になる電子装置の
放熱構造の一実施の形態の構成図を示す。同図中、図２
と同一構成部分には同一符号を付してある。図１におい
て、ＣＰＵ１はソケット２を介してプリント基板３上に
固定されている。プリント基板３は筐体４にネジ止め固
定されている。
て図１と共に説明する。図１は本発明になる電子装置の
放熱構造の一実施の形態の構成図を示す。同図中、図２
と同一構成部分には同一符号を付してある。図１におい
て、ＣＰＵ１はソケット２を介してプリント基板３上に
固定されている。プリント基板３は筐体４にネジ止め固
定されている。
【００１１】以上の構造は従来と同様であるが、この実
施の形態は、ＣＰＵ１の上蓋５が、誘電体材料６を介し
て放熱器７と接続され、更に放熱器７と筐体４の間が接
続線８で接続されている点に特徴がある。これにより、
導電性の金属板である上蓋５と放熱器７の間には、容量
（コンデンサ）が形成されることとなる。
施の形態は、ＣＰＵ１の上蓋５が、誘電体材料６を介し
て放熱器７と接続され、更に放熱器７と筐体４の間が接
続線８で接続されている点に特徴がある。これにより、
導電性の金属板である上蓋５と放熱器７の間には、容量
（コンデンサ）が形成されることとなる。
【００１２】誘電体材料６としては、例えばチタン酸バ
リウム系誘電体材料が使用される。誘電体材料６の材料
厚さを１ｍｍとしたときは、２．５ｃｍ角形状の上蓋５
と放熱器７間には、２７６０ｐＦの容量が形成される。
リウム系誘電体材料が使用される。誘電体材料６の材料
厚さを１ｍｍとしたときは、２．５ｃｍ角形状の上蓋５
と放熱器７間には、２７６０ｐＦの容量が形成される。
【００１３】上記の容量により、ＣＰＵ１の動作周波数
である１００ＭＨｚ以上の周波数帯域にて１Ω以下のイ
ンピーダンスで上蓋５と放熱器７が接続されることとな
る。このことにより、上蓋５がＣＰＵ１の電源回路と接
続されている場合であっても、上記の容量により直流的
にはＣＰＵ１の電源回路と放熱器７とが接続されず、交
流的に接続される。
である１００ＭＨｚ以上の周波数帯域にて１Ω以下のイ
ンピーダンスで上蓋５と放熱器７が接続されることとな
る。このことにより、上蓋５がＣＰＵ１の電源回路と接
続されている場合であっても、上記の容量により直流的
にはＣＰＵ１の電源回路と放熱器７とが接続されず、交
流的に接続される。
【００１４】よって、ＣＰＵ１の電源が筐体グランドに
短絡することがなく、しかも、上蓋５に重畳したノイズ
電流が誘電体材料６、放熱器７及び接続線８を介して筐
体４へ流れ、ノイズが放射されるのを低減することがで
きる。
短絡することがなく、しかも、上蓋５に重畳したノイズ
電流が誘電体材料６、放熱器７及び接続線８を介して筐
体４へ流れ、ノイズが放射されるのを低減することがで
きる。
【００１５】また、この実施の形態では、上蓋５がＣＰ
Ｕ１の電源回路に接続されていても、放熱器７と筐体４
を接続することができるため、ＣＰＵ１の発熱を筐体４
へ伝導させることができ、放熱特性も向上する。更に、
挿入する誘電体材料６として熱伝導率の高い材料（例え
ば、アルミナ基板材料など）を使用することにより、Ｃ
ＰＵ１の放熱特性をより改善することができる。
Ｕ１の電源回路に接続されていても、放熱器７と筐体４
を接続することができるため、ＣＰＵ１の発熱を筐体４
へ伝導させることができ、放熱特性も向上する。更に、
挿入する誘電体材料６として熱伝導率の高い材料（例え
ば、アルミナ基板材料など）を使用することにより、Ｃ
ＰＵ１の放熱特性をより改善することができる。
【００１６】なお、上記の実施の形態では、ＣＰＵ１の
発熱を放熱する構造について説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、その上蓋が回路の電源又は
グランドに接続されている電子装置一般に適用すること
ができる。
発熱を放熱する構造について説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、その上蓋が回路の電源又は
グランドに接続されている電子装置一般に適用すること
ができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上蓋及び放熱器とそれらの間に介挿された誘電体材料に
より容量が形成され、電子装置の電源回路と放熱器との
間が直流的に接続されず、交流的に接続されるため、電
子装置の上蓋が電源に接続されていてもその電源がグラ
ンドに短絡され、それにより回路破損をもたらすことを
防止でき、しかも上蓋に重畳したノイズ電流が誘電体材
料、放熱器及び接続線を介して筐体へ流れ、ノイズが放
射されるのを低減することができる。
上蓋及び放熱器とそれらの間に介挿された誘電体材料に
より容量が形成され、電子装置の電源回路と放熱器との
間が直流的に接続されず、交流的に接続されるため、電
子装置の上蓋が電源に接続されていてもその電源がグラ
ンドに短絡され、それにより回路破損をもたらすことを
防止でき、しかも上蓋に重畳したノイズ電流が誘電体材
料、放熱器及び接続線を介して筐体へ流れ、ノイズが放
射されるのを低減することができる。
【００１８】また、本発明によれば、誘電体材料を熱伝
導率の高い材料を使用することにより、電子装置の放熱
特性をより改善することができる。
導率の高い材料を使用することにより、電子装置の放熱
特性をより改善することができる。
【図１】本発明の一実施の形態の構成図である。
【図２】従来の一例の構成図である。
１ 中央処理装置（ＣＰＵ） ２ ソケット ３ プリント基板 ４ 筐体 ５ 上蓋 ６ 誘電体材料 ７ 放熱器 ８ 接続板
Claims (3)
- 【請求項１】 電子装置の電源又はグランドに接続され
ている導電性の上蓋上に放熱器を設け、かつ、該上蓋と
放熱器の間に誘電体材料を挿入すると共に、前記放熱器
と前記電子装置の筐体との間を導電性の接続線で接続し
たことを特徴とする電子装置の放熱構造。 - 【請求項２】 前記誘電体材料は、前記上蓋及び放熱器
とそれらの間に介挿された該誘電体材料により形成され
る容量により、前記電子装置の動作周波数以上の周波数
帯域にて０Ω近傍のインピーダンスで前記上蓋及び放熱
器を電気的に接続することを特徴とする請求項１記載の
電子装置の放熱構造。 - 【請求項３】 前記電子装置は中央処理装置であり、前
記誘電体材料はチタン酸バリウム系誘電体材料若しくは
アルミナ基板材料であることを特徴とする請求項１記載
の電子装置の放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7296451A JP2853618B2 (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 電子装置の放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7296451A JP2853618B2 (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 電子装置の放熱構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139592A true JPH09139592A (ja) | 1997-05-27 |
| JP2853618B2 JP2853618B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=17833723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7296451A Expired - Lifetime JP2853618B2 (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 電子装置の放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853618B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040026902A (ko) * | 2002-09-26 | 2004-04-01 | 대우전자주식회사 | 반도체 방열부재의 성능 시험 장치 |
| KR100646545B1 (ko) * | 2005-04-20 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
| WO2008035540A1 (fr) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Nec Corporation | Appareil dans lequel est monté un dispositif électronique et procédé pour supprimer la résonance de l'appareil |
| WO2008099856A1 (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Nec Corporation | 電子装置搭載機器とそのノイズ抑制方法 |
| WO2009116519A1 (ja) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | 日本電気株式会社 | 電子装置搭載機器 |
| US7652358B2 (en) | 2007-11-14 | 2010-01-26 | Onkyo Corporation | Semiconductor device including main substrate and sub substrates |
| JP2010245342A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 集積回路の搭載構造 |
| JP2014053468A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 半導体素子の絶縁取付け構造 |
| JP2017041493A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 富士電機株式会社 | 電子電気機器 |
| WO2019138564A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | 三菱電機株式会社 | ヒートシンク |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3858834B2 (ja) | 2003-02-24 | 2006-12-20 | オンキヨー株式会社 | 半導体素子の放熱器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028098U (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-18 |
-
1995
- 1995-11-15 JP JP7296451A patent/JP2853618B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028098U (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-18 |
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| JP4998900B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2012-08-15 | 日本電気株式会社 | 電子装置搭載機器とそのノイズ抑制方法 |
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| US7652358B2 (en) | 2007-11-14 | 2010-01-26 | Onkyo Corporation | Semiconductor device including main substrate and sub substrates |
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| KR20200095542A (ko) * | 2018-01-15 | 2020-08-10 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 히트 싱크 |
| CN111567155A (zh) * | 2018-01-15 | 2020-08-21 | 三菱电机株式会社 | 散热器 |
| JPWO2019138564A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2020-11-26 | 三菱電機株式会社 | ヒートシンク |
| CN111567155B (zh) * | 2018-01-15 | 2022-11-08 | 三菱电机株式会社 | 散热器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2853618B2 (ja) | 1999-02-03 |
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