JPH09143188A - ビスホスフイン化合物の合成のための新規な中間体 - Google Patents
ビスホスフイン化合物の合成のための新規な中間体Info
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- JPH09143188A JPH09143188A JP8265081A JP26508196A JPH09143188A JP H09143188 A JPH09143188 A JP H09143188A JP 8265081 A JP8265081 A JP 8265081A JP 26508196 A JP26508196 A JP 26508196A JP H09143188 A JPH09143188 A JP H09143188A
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
- C07F9/655—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having oxygen atoms, with or without sulfur, selenium, or tellurium atoms, as the only ring hetero atoms
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 キラル触媒の成分として有用なビスホスフィ
ン化合物の製造のための中間体の有利な製造法を提供す
る。 【解決手段】 本発明は新規なビスホスホネート類、
ならびにそれらの製造法及びエナンチオマーへのそれら
の分割の方法に関する。本発明のビスホスホネート類は
ビスホスフィン化合物、特にキラルビスホスフィンリガ
ンドの製造のための有用な中間体である。これらはさら
に、中でも非対称水素化における触媒として用いられる
遷移金属錯体の成分である。新規なビスホスホネート類
は一般式（Ｉ） 【化１】 ［式中、Ｒ1は炭素数が最高６の直鎖状もしくは分枝鎖
状アルキル、アリール又はアラルキルであり、それらの
それぞれは場合により置換されていることができ、ある
いは２つの基Ｒ1は一緒になって炭素数が最高６の架橋
炭化水素基であることができる］を有し、それらのラセ
ミ体の形態で、又はエナンチオマーとして存在すること
ができる。
ン化合物の製造のための中間体の有利な製造法を提供す
る。 【解決手段】 本発明は新規なビスホスホネート類、
ならびにそれらの製造法及びエナンチオマーへのそれら
の分割の方法に関する。本発明のビスホスホネート類は
ビスホスフィン化合物、特にキラルビスホスフィンリガ
ンドの製造のための有用な中間体である。これらはさら
に、中でも非対称水素化における触媒として用いられる
遷移金属錯体の成分である。新規なビスホスホネート類
は一般式（Ｉ） 【化１】 ［式中、Ｒ1は炭素数が最高６の直鎖状もしくは分枝鎖
状アルキル、アリール又はアラルキルであり、それらの
それぞれは場合により置換されていることができ、ある
いは２つの基Ｒ1は一緒になって炭素数が最高６の架橋
炭化水素基であることができる］を有し、それらのラセ
ミ体の形態で、又はエナンチオマーとして存在すること
ができる。
Description
【０００１】本発明は新規なビスホスホネート類、なら
びにそれらの製造法及びエナンチオマーへのそれらの分
割の方法に関する。本発明のビスホスホネート類はビス
ホスフィン化合物、特にキラルビスホスフィンリガンド
の製造のための有用な中間体である。これら自身は、中
でも非対称水素化における触媒として用いられる遷移金
属錯体の成分である。
びにそれらの製造法及びエナンチオマーへのそれらの分
割の方法に関する。本発明のビスホスホネート類はビス
ホスフィン化合物、特にキラルビスホスフィンリガンド
の製造のための有用な中間体である。これら自身は、中
でも非対称水素化における触媒として用いられる遷移金
属錯体の成分である。
【０００２】ＥＰ−Ａ ０ ６４３ ０６５はエナンチ
オマー的に純粋なビスホスフィン類、それらの製造法及
び非対称水素化のための触媒としての金属錯体における
それらの利用を開示した。
オマー的に純粋なビスホスフィン類、それらの製造法及
び非対称水素化のための触媒としての金属錯体における
それらの利用を開示した。
【０００３】この方法では必要なエナンチオマーへの分
割がビスホスフィンオキシド段階におけるクロマトグラ
フィーにより行われる。
割がビスホスフィンオキシド段階におけるクロマトグラ
フィーにより行われる。
【０００４】今回驚くべきことに、ビスホスフィネート
類（Ｉ）が既知のビスホスフィンオキシド類よりもエナ
ンチオマーへの分割が有意に容易であることが見いださ
れた。
類（Ｉ）が既知のビスホスフィンオキシド類よりもエナ
ンチオマーへの分割が有意に容易であることが見いださ
れた。
【０００５】従って、本発明はラセミ体又はエナンチオ
マーの形態の一般式（Ｉ）
マーの形態の一般式（Ｉ）
【０００６】
【化８】
【０００７】［式中、Ｒ1は炭素数が最高６の直鎖状も
しくは分枝鎖状アルキル、アリール又はアラルキルであ
り、それらのそれぞれは場合により置換されていること
ができ、あるいは２つの基Ｒ1は一緒になって炭素数が
最高６の架橋炭化水素基であることができる］のビスホ
スホネート類に関する。
しくは分枝鎖状アルキル、アリール又はアラルキルであ
り、それらのそれぞれは場合により置換されていること
ができ、あるいは２つの基Ｒ1は一緒になって炭素数が
最高６の架橋炭化水素基であることができる］のビスホ
スホネート類に関する。
【０００８】一般式（Ｉ）の好ましい化合物はＲ1が炭
素数が最高４のアルキル、特に好ましくはエチルである
化合物である。
素数が最高４のアルキル、特に好ましくはエチルである
化合物である。
【０００９】本発明はさらに一般式（ＩＩ）
【００１０】
【化９】
【００１１】［式中、Ｘはハロゲン、特に臭素である］
のハロゲン化合物を適した触媒、特にハロゲン化パラジ
ウム（ＩＩ）又はニッケル（ＩＩ）、例えばＰｄＣｌ2
又はＮｉＢｒ2の存在下で、及び溶媒中において化合物 Ｐ（ＯＲ1）3 ［式中、Ｒ1は上記で定義された通りである］と反応さ
せ、一般式（ＩＩＩ）
のハロゲン化合物を適した触媒、特にハロゲン化パラジ
ウム（ＩＩ）又はニッケル（ＩＩ）、例えばＰｄＣｌ2
又はＮｉＢｒ2の存在下で、及び溶媒中において化合物 Ｐ（ＯＲ1）3 ［式中、Ｒ1は上記で定義された通りである］と反応さ
せ、一般式（ＩＩＩ）
【００１２】
【化１０】
【００１３】［式中、Ｒ1は上記で定義された通りであ
る］の化合物を得る、一般式（Ｉ）の化合物の製造法に
関する。
る］の化合物を得る、一般式（Ｉ）の化合物の製造法に
関する。
【００１４】例えばテトラヒドロフラン中でリチウムジ
イソプロピルアミドなどのリチウムアミドを用いたオル
ト−リチウム化、続くハロゲン化、好ましくは例えばヨ
ウ素分子、ＩＣｌ又はＩＢｒを用いたヨウ化は式（ＩＩ
Ｉ）の化合物を式（ＩＶ）
イソプロピルアミドなどのリチウムアミドを用いたオル
ト−リチウム化、続くハロゲン化、好ましくは例えばヨ
ウ素分子、ＩＣｌ又はＩＢｒを用いたヨウ化は式（ＩＩ
Ｉ）の化合物を式（ＩＶ）
【００１５】
【化１１】
【００１６】［式中、Ｒ1は上記で定義された通りであ
り、Ｙはハロゲン、好ましくはヨウ素である］の化合物
に変換する。
り、Ｙはハロゲン、好ましくはヨウ素である］の化合物
に変換する。
【００１７】両反応は０℃以下、好ましくは０℃〜−１
００℃の範囲の温度で行われる。
００℃の範囲の温度で行われる。
【００１８】式（Ｉ）
【００１９】
【化１２】
【００２０】のラセミ化合物は式（ＩＶ）の化合物から
それ自体既知のカップリング反応により、例えばＵｌｌ
ｍａｎｎカップリングを用いて製造することができ、好
ましい方法は式（ＩＶ）の化合物を銅粉末と共に、場合
により不活性有機溶媒、例えばジメチルホルムアミド又
はニトロメタン中で８０℃〜２５０℃の温度に加熱する
ことである。
それ自体既知のカップリング反応により、例えばＵｌｌ
ｍａｎｎカップリングを用いて製造することができ、好
ましい方法は式（ＩＶ）の化合物を銅粉末と共に、場合
により不活性有機溶媒、例えばジメチルホルムアミド又
はニトロメタン中で８０℃〜２５０℃の温度に加熱する
ことである。
【００２１】本発明はさらに一般式（ＩＩＩ）及び（Ｉ
Ｖ）の新規な中間体に関する。
Ｖ）の新規な中間体に関する。
【００２２】今回、式（Ｉ）のエナンチオマーをキラル
固定相、例えば光学活性（メタ）アクリル酸誘導体のポ
リマー類、セルロース誘導体相（例えばエステル類及び
カルバメート類）、あるいは三酢酸セルロース相の上で
分離することができることが見いだされた。光学活性
（メタ）アクリル酸誘導体の光学活性ポリマー類をＵＳ
−Ａ−５ ２７４ １６７に記載されている通りビーズ
ポリマーとして、又はシリカゲルに結合された形態で用
いるのが好ましい。特に好ましいビーズポリマーはＮ−
（メタ）アクリロイル−Ｌ−アラニン−Ｌ−メチルアミ
ドのポリマーであり、特に好ましいシリカゲル相はＮ−
（メタ）アクリロイル−Ｌ−ロイシン−２，４−ジメチ
ル−３−ペンチルアミドの相である。
固定相、例えば光学活性（メタ）アクリル酸誘導体のポ
リマー類、セルロース誘導体相（例えばエステル類及び
カルバメート類）、あるいは三酢酸セルロース相の上で
分離することができることが見いだされた。光学活性
（メタ）アクリル酸誘導体の光学活性ポリマー類をＵＳ
−Ａ−５ ２７４ １６７に記載されている通りビーズ
ポリマーとして、又はシリカゲルに結合された形態で用
いるのが好ましい。特に好ましいビーズポリマーはＮ−
（メタ）アクリロイル−Ｌ−アラニン−Ｌ−メチルアミ
ドのポリマーであり、特に好ましいシリカゲル相はＮ−
（メタ）アクリロイル−Ｌ−ロイシン−２，４−ジメチ
ル−３−ペンチルアミドの相である。
【００２３】ラセミ体の分割に用いられる溶離液は従来
の有機溶媒又は溶媒混合物である。以下を例として挙げ
ることができる：ベンゼン、トルエン又はキシレンなど
の炭化水素、ジエチルエーテル、ジオキサン又はテトラ
ヒドロフランなどのエーテル類、ジ−もしくはトリ−ク
ロロメタンなどのハロゲノ炭化水素、アセトン、アセト
ニトリル、エタノール又はプロパノールなどのアルコー
ル類、酢酸エチル、あるいは該溶媒の混合物。トルエン
／テトラヒドロフラン混合物及びトルエン／ジオキサン
混合物が特に適していることが証明された。
の有機溶媒又は溶媒混合物である。以下を例として挙げ
ることができる：ベンゼン、トルエン又はキシレンなど
の炭化水素、ジエチルエーテル、ジオキサン又はテトラ
ヒドロフランなどのエーテル類、ジ−もしくはトリ−ク
ロロメタンなどのハロゲノ炭化水素、アセトン、アセト
ニトリル、エタノール又はプロパノールなどのアルコー
ル類、酢酸エチル、あるいは該溶媒の混合物。トルエン
／テトラヒドロフラン混合物及びトルエン／ジオキサン
混合物が特に適していることが証明された。
【００２４】エナンチオマーの分離は分子因子αにより
記載することができる。エナンチオ選択性値としても既
知の分離因子αは以下の式により定義される：
記載することができる。エナンチオ選択性値としても既
知の分離因子αは以下の式により定義される：
【００２５】
【数１】
【００２６】分離因子
【００２７】
【数２】
【００２８】容量比 ｔ0＝カラムのむだ時間（ｄｅａｄ ｔｉｍｅ） ｔ1(2)＝最初に溶離するエナンチオマー１又は後に溶離
するエナンチオマー２の保持時間 本発明のビスホスホネート類の場合は２より大きいα値
を達成することができる。対照的にＥＰ−Ａ ０ ６４
３ ０６５の記載されている方法におけるビスホスフィ
ンオキシド類の分離因子αは約１．３の値を有する。さ
らなる特徴はビスホスフィンオキシド類と比較して顕著
に高い本発明のビスホスホネート類の溶解度である。
するエナンチオマー２の保持時間 本発明のビスホスホネート類の場合は２より大きいα値
を達成することができる。対照的にＥＰ−Ａ ０ ６４
３ ０６５の記載されている方法におけるビスホスフィ
ンオキシド類の分離因子αは約１．３の値を有する。さ
らなる特徴はビスホスフィンオキシド類と比較して顕著
に高い本発明のビスホスホネート類の溶解度である。
【００２９】これらの予期に反する好ましい性質のため
に、本発明の一般式（Ｉ）のビスホスホネート類はキラ
ルビスホスフィンリガンドの合成のための重要化合物と
して適している。これらは例えば式（Ｉ）の化合物を従
来の方法によりホスフィン酸ハライドに変換し、例えば
グリニヤル化合物との反応によるビスホスフィンオキシ
ド化合物の製造に後者を用いることにより製造すること
ができる。ＥＰ−Ａ０ ６４３ ０６５の指示に従うこ
とにより、該ビスホスフィンオキシド類をビスホスフィ
ンリガンドに還元することができ、それ自身は立体選択
的触媒としてのキラル遷移金属錯体の製造に有用であ
る。
に、本発明の一般式（Ｉ）のビスホスホネート類はキラ
ルビスホスフィンリガンドの合成のための重要化合物と
して適している。これらは例えば式（Ｉ）の化合物を従
来の方法によりホスフィン酸ハライドに変換し、例えば
グリニヤル化合物との反応によるビスホスフィンオキシ
ド化合物の製造に後者を用いることにより製造すること
ができる。ＥＰ−Ａ０ ６４３ ０６５の指示に従うこ
とにより、該ビスホスフィンオキシド類をビスホスフィ
ンリガンドに還元することができ、それ自身は立体選択
的触媒としてのキラル遷移金属錯体の製造に有用であ
る。
【００３０】
【実施例】 １．製造実施例 （ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−イル）
−ホスホン酸ビス−ジエチル １ａ）（ジベンゾフラン−３−イル）−ホスホン酸ジエ
チル（ＩＩＩ）
−ホスホン酸ビス−ジエチル １ａ）（ジベンゾフラン−３−イル）−ホスホン酸ジエ
チル（ＩＩＩ）
【００３１】
【化１３】
【００３２】１００ｇ（０．３４モル）の３−ブロモ−
ジベンゾフラン、１．２ｇ（６ミリモル）の二塩化パラ
ジウム及び６８ｇ（０．４１モル）の亜リン酸トリエチ
ルの混合物を撹拌しながら１６０℃に加熱した。生成さ
れる臭化エチルを穏やかな窒素流を用いて反応混合物か
ら除去した。１時間の間隔の後に６８ｇの亜リン酸トリ
エチルを３回加え、次いで反応混合物を終夜１６０℃に
保った。過剰の亜リン酸トリエチルを高真空下で除去
し、生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製した
（シクロヘキサン／酢酸エチル １：１）。
ジベンゾフラン、１．２ｇ（６ミリモル）の二塩化パラ
ジウム及び６８ｇ（０．４１モル）の亜リン酸トリエチ
ルの混合物を撹拌しながら１６０℃に加熱した。生成さ
れる臭化エチルを穏やかな窒素流を用いて反応混合物か
ら除去した。１時間の間隔の後に６８ｇの亜リン酸トリ
エチルを３回加え、次いで反応混合物を終夜１６０℃に
保った。過剰の亜リン酸トリエチルを高真空下で除去
し、生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製した
（シクロヘキサン／酢酸エチル １：１）。
【００３３】収量：９５ｇ（９２％） 融点：５８〜６０℃ １ｂ）（４−ヨード−ジベンゾフラン−３−イル）−ホ
スホン酸ジエチル（ＩＶ）
スホン酸ジエチル（ＩＶ）
【００３４】
【化１４】
【００３５】２５ｇ（８２ミリモル）の（ジベンゾフラ
ン−３−イル）−ホスホン酸ジエチルを１．５ｌの無水
ＴＨＦに溶解し、溶液を不活性気体下で−７８℃に冷却
した。ＴＨＦ中の８．３ｇ（８２ミリモル）のジイソプ
ロピルアミン及び８２ミリモルのｎ−ブチルリチウムか
ら前に製造されたばかりのＴＨＦ中の８２ミリモルのリ
チウムジイソプロピルアミドの溶液をこの温度において
滴下した。混合物をさらに１０分間撹拌し、次いで４０
０ｍｌの無水ＴＨＦ中の２０．８ｇ（８２ミリモル）の
ヨウ素の溶液を温度が−７０℃を越えないようなやり方
で滴下した。さらに１０分間撹拌した後、混合物を飽和
塩化アンモニウムを用いて加水分解し、相を分離した。
有機相を亜硫酸ナトリウム溶液及び塩化アンモニウム溶
液で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥した。溶媒を蒸発させ
ると３３．９ｇの明褐色の固体を与えた。
ン−３−イル）−ホスホン酸ジエチルを１．５ｌの無水
ＴＨＦに溶解し、溶液を不活性気体下で−７８℃に冷却
した。ＴＨＦ中の８．３ｇ（８２ミリモル）のジイソプ
ロピルアミン及び８２ミリモルのｎ−ブチルリチウムか
ら前に製造されたばかりのＴＨＦ中の８２ミリモルのリ
チウムジイソプロピルアミドの溶液をこの温度において
滴下した。混合物をさらに１０分間撹拌し、次いで４０
０ｍｌの無水ＴＨＦ中の２０．８ｇ（８２ミリモル）の
ヨウ素の溶液を温度が−７０℃を越えないようなやり方
で滴下した。さらに１０分間撹拌した後、混合物を飽和
塩化アンモニウムを用いて加水分解し、相を分離した。
有機相を亜硫酸ナトリウム溶液及び塩化アンモニウム溶
液で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥した。溶媒を蒸発させ
ると３３．９ｇの明褐色の固体を与えた。
【００３６】収量：９７％の純度（ＧＣ）で３３．９ｇ
（９５％）。
（９５％）。
【００３７】１ｃ）ラセミ（ビス−４，４’−ジベンゾ
フラン−３，３’−イル）−ホスホン酸ビス−ジエチル
（Ｉ）
フラン−３，３’−イル）−ホスホン酸ビス−ジエチル
（Ｉ）
【００３８】
【化１５】
【００３９】不活性気体雰囲気下で３３ｇ（７６ミリモ
ル）の（２−ヨード−ジベンゾフラン−３−イル）−ホ
スホン酸ジエチルを５００ｍｌの無水Ｎ，Ｎ−ジエチル
ホルムアミドに溶解し、２０ｇ（０．３モル）の銅粉末
を加えた。暗褐色の懸濁液を窒素雰囲気下で激しく撹拌
しながら１４０℃に２０時間加熱した。熱反応溶液をセ
ライト上で濾過し、濾液を２００ｍｌのメチレンクロリ
ドで濯いだ。反応混合物を続いて真空下で蒸発乾固し
た。得られた褐色の油をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテ
ルと共に撹拌することにより抽出し、わずかに褐色がか
った固体を吸引濾過した。
ル）の（２−ヨード−ジベンゾフラン−３−イル）−ホ
スホン酸ジエチルを５００ｍｌの無水Ｎ，Ｎ−ジエチル
ホルムアミドに溶解し、２０ｇ（０．３モル）の銅粉末
を加えた。暗褐色の懸濁液を窒素雰囲気下で激しく撹拌
しながら１４０℃に２０時間加熱した。熱反応溶液をセ
ライト上で濾過し、濾液を２００ｍｌのメチレンクロリ
ドで濯いだ。反応混合物を続いて真空下で蒸発乾固し
た。得られた褐色の油をｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテ
ルと共に撹拌することにより抽出し、わずかに褐色がか
った固体を吸引濾過した。
【００４０】融点：１８２℃ 収量：１７．３ｇ（７５％） ２．実施例： クロマトグラフィーによるラセミ体の分割 ２４ｍｌのＴＨＦ及び１６ｍｌのｎ−ヘプタンに溶解さ
れた０．５ｇのラセミ（ビス−４，４’−ジベンゾフラ
ン−３，３’−イル）−ホスホン酸ビス−ジエチルを、
Ｎ−（メタ）アクリロイル−Ｌ−ロイシン−２，４−ジ
メチル−３−ペンチルアミドのシリカゲル相を含むスチ
ールカラム（６３ｍｍ、長さ５０ｃｍ）に適用した。１
００ｍｌ／分の流量でｎ−ペフタン／ＴＨＦ（３：２；
ｖ／ｖ）を用いて溶離を行った。最初に（＋）−エナン
チオマーが２１．２分後に得られ、２８．０分後に
（−）−エナンチオマーが溶離された。分析によりエナ
ンチオマー純度を調べた後、分画溶離物を合わせた。従
来の仕上げを行うと０．２２ｇの最初に溶離された
（＋）−エナンチオマー及び０．２ｇの対応する（−）
−エナンチオマーを与えた。
れた０．５ｇのラセミ（ビス−４，４’−ジベンゾフラ
ン−３，３’−イル）−ホスホン酸ビス−ジエチルを、
Ｎ−（メタ）アクリロイル−Ｌ−ロイシン−２，４−ジ
メチル−３−ペンチルアミドのシリカゲル相を含むスチ
ールカラム（６３ｍｍ、長さ５０ｃｍ）に適用した。１
００ｍｌ／分の流量でｎ−ペフタン／ＴＨＦ（３：２；
ｖ／ｖ）を用いて溶離を行った。最初に（＋）−エナン
チオマーが２１．２分後に得られ、２８．０分後に
（−）−エナンチオマーが溶離された。分析によりエナ
ンチオマー純度を調べた後、分画溶離物を合わせた。従
来の仕上げを行うと０．２２ｇの最初に溶離された
（＋）−エナンチオマー及び０．２ｇの対応する（−）
−エナンチオマーを与えた。
【００４１】Ｒ（＋）−（ビス−４，４’−ジベンゾフ
ラン−３，３’−イル）−ホスホン酸ビス−ジエチル ［α］D＝＋７２o（ｃ＝１、ＣＨＣｌ3） Ｓ（−）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，
３’−イル）−ホスホン酸ビス−ジエチル ［α］D＝−７２o（ｃ＝１、ＣＨＣｌ3） ３．適用例： （＋）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’
−イル）−ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）の合
成 ３ａ）（＋）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−
３，３’−イル）ビス（ホスホン酸ジクロリド）
ラン−３，３’−イル）−ホスホン酸ビス−ジエチル ［α］D＝＋７２o（ｃ＝１、ＣＨＣｌ3） Ｓ（−）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，
３’−イル）−ホスホン酸ビス−ジエチル ［α］D＝−７２o（ｃ＝１、ＣＨＣｌ3） ３．適用例： （＋）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’
−イル）−ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）の合
成 ３ａ）（＋）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−
３，３’−イル）ビス（ホスホン酸ジクロリド）
【００４２】
【化１６】
【００４３】６ｇ（１０ミリモル）の（＋）−（ビス−
２，２’−ジベンゾフラン−３，３’−イル）−ホスホ
ン酸ビス−ジエチルを７．３ｍｌ（１００ミリモル）の
チオニルクロリド及び０．８ｍｌの乾燥ジエチルホルム
アミドに溶解し、溶液を不活性気体下で還流した。次い
で過剰のチオニルクロリドを蒸留し、残留物を真空下で
乾燥した。褐色がかった粘性の油をメチレンクロリドを
用いて取り上げ、濾過した。生成物をジエチルエーテル
を用いて沈澱させ、生成された沈澱を吸引濾過し、乾燥
した。
２，２’−ジベンゾフラン−３，３’−イル）−ホスホ
ン酸ビス−ジエチルを７．３ｍｌ（１００ミリモル）の
チオニルクロリド及び０．８ｍｌの乾燥ジエチルホルム
アミドに溶解し、溶液を不活性気体下で還流した。次い
で過剰のチオニルクロリドを蒸留し、残留物を真空下で
乾燥した。褐色がかった粘性の油をメチレンクロリドを
用いて取り上げ、濾過した。生成物をジエチルエーテル
を用いて沈澱させ、生成された沈澱を吸引濾過し、乾燥
した。
【００４４】収量：５．１ｇ（８９％） 融点：＞２５０℃ ３ｂ）（＋）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−
３，３’−イル）−ビス（ジフェニルホスフィンオキシ
ド）
３，３’−イル）−ビス（ジフェニルホスフィンオキシ
ド）
【００４５】
【化１７】
【００４６】５ｇ（９ミリモル）の（＋）−（ビス−
２，２’−ジベンゾフラン−３，３’−イル）ビス（ホ
スホン酸ジクロリド）を４００ｍｌの乾燥ＴＨＦに溶解
し、溶液を不活性気体下で−７８℃に冷却した。ジエチ
ルエーテル中のフェニルマグネシウムブロミドの３Ｍ溶
液の３０ｍｌをこの温度で加えた。混合物を３０分間撹
拌し、次いで室温に加温した。過剰のフェニルマグネシ
ウムブロミドを飽和塩化アンモニウム溶液でクエンチ
し、相を分離させた。有機相を飽和塩化ナトリウム溶液
で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥した。溶媒の蒸発後、残
留物をメチレンクロリドを用いて取り上げ、溶液に酢酸
エチルを加えた。メチレンクロリドを蒸留し、生成され
た沈澱を吸引濾過し、乾燥した。
２，２’−ジベンゾフラン−３，３’−イル）ビス（ホ
スホン酸ジクロリド）を４００ｍｌの乾燥ＴＨＦに溶解
し、溶液を不活性気体下で−７８℃に冷却した。ジエチ
ルエーテル中のフェニルマグネシウムブロミドの３Ｍ溶
液の３０ｍｌをこの温度で加えた。混合物を３０分間撹
拌し、次いで室温に加温した。過剰のフェニルマグネシ
ウムブロミドを飽和塩化アンモニウム溶液でクエンチ
し、相を分離させた。有機相を飽和塩化ナトリウム溶液
で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥した。溶媒の蒸発後、残
留物をメチレンクロリドを用いて取り上げ、溶液に酢酸
エチルを加えた。メチレンクロリドを蒸留し、生成され
た沈澱を吸引濾過し、乾燥した。
【００４７】収量：４．６ｇ（７０％） 融点：２７０〜２８０℃ ＥＰ−Ａ ０ ６４３ ０６５に従うと、上記の通りに
して得られるホスフィンオキシド類はキラルビスホスフ
ィン類の製造に、従ってキラル遷移金属触媒の製造に用
いることができる。
して得られるホスフィンオキシド類はキラルビスホスフ
ィン類の製造に、従ってキラル遷移金属触媒の製造に用
いることができる。
【００４８】本発明の主たる特徴及び態様は以下の通り
である。
である。
【００４９】１．ラセミ体の形態の、又はエナンチオマ
ーとしての一般式（Ｉ）
ーとしての一般式（Ｉ）
【００５０】
【化１８】
【００５１】［式中、Ｒ1は炭素数が最高６の直鎖状も
しくは分枝鎖状アルキル、アリール又はアラルキルであ
り、それらのそれぞれは場合により置換されていること
ができ、あるいは２つの基Ｒ1は一緒になって炭素数が
最高６の架橋炭化水素基であることができる］のビスホ
スホネート類。
しくは分枝鎖状アルキル、アリール又はアラルキルであ
り、それらのそれぞれは場合により置換されていること
ができ、あるいは２つの基Ｒ1は一緒になって炭素数が
最高６の架橋炭化水素基であることができる］のビスホ
スホネート類。
【００５２】２．Ｒ1が炭素数が最高４の直鎖状もしく
は分枝鎖状アルキルであることを特徴とする上記１項に
記載のラセミ体の形態の又はエナンチオマーとしての一
般式（Ｉ）のビスホスホネート類。
は分枝鎖状アルキルであることを特徴とする上記１項に
記載のラセミ体の形態の又はエナンチオマーとしての一
般式（Ｉ）のビスホスホネート類。
【００５３】３．一般式（ＩＩ）
【００５４】
【化１９】
【００５５】［式中、Ｘはハロゲンである］の化合物を
場合により触媒の存在下で及び溶媒中において化合物 Ｐ（ＯＲ1）3 ［式中、Ｒ1は炭素数が最高６の直鎖状もしくは分枝鎖
状アルキル、アリール又はアラルキルであり、それらの
それぞれは場合により置換されていることができ、ある
いは２つの基Ｒ1は一緒になって炭素数が最高６の架橋
炭化水素基であることができる］と反応させ、一般式
（ＩＩＩ）
場合により触媒の存在下で及び溶媒中において化合物 Ｐ（ＯＲ1）3 ［式中、Ｒ1は炭素数が最高６の直鎖状もしくは分枝鎖
状アルキル、アリール又はアラルキルであり、それらの
それぞれは場合により置換されていることができ、ある
いは２つの基Ｒ1は一緒になって炭素数が最高６の架橋
炭化水素基であることができる］と反応させ、一般式
（ＩＩＩ）
【００５６】
【化２０】
【００５７】［式中、Ｒ1は上記で定義された通りであ
る］の化合物を得、これらをオルト−リチウム化及び続
くハロゲン化により一般式（ＩＶ）
る］の化合物を得、これらをオルト−リチウム化及び続
くハロゲン化により一般式（ＩＶ）
【００５８】
【化２１】
【００５９】［式中、Ｒ1は上記で定義された通りであ
り、Ｙはハロゲンである］の化合物に変換し、後者から
それ自体既知のカップリング反応を用いて一般式（Ｉ）
のラセミ化合物を製造し、クロマトグラフィーによりエ
ナンチオマーに分割することを特徴とする一般式（Ｉ）
り、Ｙはハロゲンである］の化合物に変換し、後者から
それ自体既知のカップリング反応を用いて一般式（Ｉ）
のラセミ化合物を製造し、クロマトグラフィーによりエ
ナンチオマーに分割することを特徴とする一般式（Ｉ）
【００６０】
【化２２】
【００６１】［式中、Ｒ1は上記で定義された通りであ
る］の化合物の製造法。
る］の化合物の製造法。
【００６２】４．エナンチオマーのクロマトグラフィー
分離がキラル固定相上で行われることを特徴とする上記
３項に記載の方法。
分離がキラル固定相上で行われることを特徴とする上記
３項に記載の方法。
【００６３】５．キラル固定相が光学活性（メタ）アク
リル酸誘導体の光学活性ポリマー、セルロース誘導体相
又は三酢酸セルロース相を含むことを特徴とする上記４
項に記載の方法。
リル酸誘導体の光学活性ポリマー、セルロース誘導体相
又は三酢酸セルロース相を含むことを特徴とする上記４
項に記載の方法。
【００６４】６．一般式（ＩＩＩ）
【００６５】
【化２３】
【００６６】［式中、Ｒ1は上記１項で定義された通り
である］の化合物。
である］の化合物。
【００６７】７．一般式（ＩＶ）
【００６８】
【化２４】
【００６９】［式中、Ｒ1は上記１項で定義された通り
であり、Ｙはハロゲンである］の化合物。
であり、Ｙはハロゲンである］の化合物。
【００７０】８．キラルビスホスフィン化合物の製造に
おける上記１項に記載の式（Ｉ）の化合物の利用。
おける上記１項に記載の式（Ｉ）の化合物の利用。
【００７１】９．立体選択的遷移金属触媒の製造におけ
る上記１項に記載の式（Ｉ）の化合物の利用。
る上記１項に記載の式（Ｉ）の化合物の利用。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 デイーター・アルルト ドイツ51065ケルン・リブニカーシユトラ ーセ２ (72)発明者 ロルフ・グロサー ドイツ51373レーフエルクーゼン・ゲレル トシユトラーセ９
Claims (6)
- 【請求項１】 ラセミ体又はエナンチオマーの形態の一
般式（Ｉ） 【化１】 ［式中、Ｒ1は炭素数が最高６の直鎖状もしくは分枝鎖
状アルキル、アリール又はアラルキルであり、それらの
それぞれは場合により置換されていることができ、ある
いは２つの基Ｒ1は一緒になって炭素数が最高６の架橋
炭化水素基であることができる］のビスホスホネート
類。 - 【請求項２】 一般式（ＩＩ） 【化２】 ［式中、Ｘはハロゲンである］の化合物を場合により触
媒の存在下で及び溶媒中において化合物 Ｐ（ＯＲ1）3 ［式中、Ｒ1は炭素数が最高６の直鎖状もしくは分枝鎖
状アルキル、アリール又はアラルキルであり、それらの
それぞれは場合により置換されていることができ、ある
いは２つの基Ｒ1は一緒になって炭素数が最高６の架橋
炭化水素基であることができる］と反応させ、一般式
（ＩＩＩ） 【化３】 ［式中、Ｒ1は上記で定義された通りである］の化合物
を得、これらをオルト−リチウム化及び続くハロゲン化
により一般式（ＩＶ） 【化４】 ［式中、Ｒ1は上記で定義された通りであり、Ｙはハロ
ゲンである］の化合物に変換し、後者からそれ自体既知
のカップリング反応を用いて一般式（Ｉ）のラセミ化合
物を製造し、クロマトグラフィーによりエナンチオマー
に分割することを特徴とする一般式（Ｉ） 【化５】 ［式中、Ｒ1は上記で定義された通りである］の化合物
の製造法。 - 【請求項３】 一般式（ＩＩＩ） 【化６】 ［式中、Ｒ1は請求項１で定義された通りである］の化
合物。 - 【請求項４】 一般式（ＩＶ） 【化７】 ［式中、Ｒ1は請求項１で定義された通りであり、Ｙは
ハロゲンである］の化合物。 - 【請求項５】 キラルビスホスフィン化合物の製造にお
ける請求項１に記載の式（Ｉ）の化合物の利用。 - 【請求項６】 立体選択的遷移金属触媒の製造における
請求項１に記載の式（Ｉ）の化合物の利用。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19535243.2 | 1995-09-22 | ||
| DE19535243A DE19535243A1 (de) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | Neue Zwischenprodukte für die Synthese von Bisphosphinverbindungen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143188A true JPH09143188A (ja) | 1997-06-03 |
Family
ID=7772877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8265081A Pending JPH09143188A (ja) | 1995-09-22 | 1996-09-17 | ビスホスフイン化合物の合成のための新規な中間体 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5739360A (ja) |
| EP (1) | EP0764652B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09143188A (ja) |
| KR (1) | KR970015595A (ja) |
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| CA (1) | CA2185971A1 (ja) |
| DE (2) | DE19535243A1 (ja) |
| DK (1) | DK0764652T3 (ja) |
| ES (1) | ES2168116T3 (ja) |
| TW (1) | TW364906B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002542236A (ja) * | 1999-04-19 | 2002-12-10 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | ２−［２−（１−クロロシクロプロピル）−３−（２−クロロフェニル）−２−ヒドロキシプロピル］−２，４−ジヒドロ−［１，２，４］−トリアゾール−３−チオンの（−）−エナンチオマー |
| JP2013100239A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
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|---|---|---|---|---|
| CA2259431A1 (en) * | 1996-07-01 | 1998-01-08 | Eli Lilly And Company | Hypoglycemic and hypolipidemic compounds |
| GB2390697B (en) * | 2001-04-02 | 2004-08-04 | Kamelian Ltd | Alignment of optical fibres with an optical device |
| DE10212301A1 (de) | 2002-03-20 | 2003-10-02 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Aryl-aminopropanolen |
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|---|---|---|---|---|
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| WO1992016536A1 (de) * | 1991-03-15 | 1992-10-01 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Chirale phosphine |
| DE4318013A1 (de) * | 1993-05-29 | 1994-12-01 | Hoechst Ag | Fünfwertige Phosphorverbindungen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE4330730A1 (de) * | 1993-09-10 | 1995-03-16 | Bayer Ag | Neue Bisphosphine für asymmetrische Hydrierkatalysatoren |
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- 1995-09-22 DE DE19535243A patent/DE19535243A1/de not_active Withdrawn
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- 1996-09-21 KR KR1019960041500A patent/KR970015595A/ko not_active Abandoned
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|---|---|---|---|---|
| JP2002542236A (ja) * | 1999-04-19 | 2002-12-10 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | ２−［２−（１−クロロシクロプロピル）−３−（２−クロロフェニル）−２−ヒドロキシプロピル］−２，４−ジヒドロ−［１，２，４］−トリアゾール−３−チオンの（−）−エナンチオマー |
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