JPH09143733A - スパッタ膜の製造方法およびスパッタ膜 - Google Patents
スパッタ膜の製造方法およびスパッタ膜Info
- Publication number
- JPH09143733A JPH09143733A JP29821795A JP29821795A JPH09143733A JP H09143733 A JPH09143733 A JP H09143733A JP 29821795 A JP29821795 A JP 29821795A JP 29821795 A JP29821795 A JP 29821795A JP H09143733 A JPH09143733 A JP H09143733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- chamber
- film
- carry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
膜が容易であり、且つ、膜質の維持・管理も容易なスパ
ッタ膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 搬入搬出室、スパッタ室、及び該搬入搬
出室とスパッタ室との間で基板を搬送する搬送室を少な
くとも備えた枚葉式スパッタ装置を用いたスパッタ膜の
製造方法において、予め基板に成膜領域を制限するマス
クを設け、該マスク付基板を搬入搬出室に投入して前記
スパッタ室内でマスク成膜を行い、次いで該マスク付基
板を搬入搬出室から取り出すことを特徴とするスパッタ
膜の製造方法。
Description
方法およびその方法により製造されたスパッタ膜に関す
る。特に、液晶基板、半導体基板、光磁気記録基板等の
成膜に用いられる枚葉式スパッタ装置により、成膜領域
を制限するマスクを用いたスパッタ膜の製造方法に関す
る。
野や、それらの市場の拡大とともに、ブラックマトリッ
クス(以下「BM」という。)用、メタル電極用、絶縁
膜用、透明導電膜用等のスパッタ成膜装置が各種用いら
れている。これらの装置は、基板の大版化とともに、生
産性に優れるインライン(In−line)装置が主流
であった。
能なため生産性に優れるが、次の問題点を有する。
(1)大きな設置スペースを必要とする。(2)基板搬
送のためにトレイを必要とし、このトレイの管理維持が
煩雑である。(3)トレイ及び成膜室の多くの部分が汚
れ、この成膜室の管理維持が煩雑である(4)一度装置
が故障により停止すると複数ターゲットを有する成膜質
全体が大気にさらされて生産が停止するとともに回復に
時間がかかる。
の大判基板の特定領域に膜を形成する場合、必然的にト
レイを用いるため、マスクの位置決め・脱着・搬送が容
易であるという特徴がある。
ウエハー等の小型基板の成膜やドライエッチングで用い
られていた枚葉式スパッタ装置が、大形基板のスパッタ
成膜に用いられるようになった。この枚葉式スパッタ装
置は、インライン装置に比較して生産性にやや劣るもの
の、(1)装置の設置スペースが半分以下で済む、
(2)トレイを用いず基板だけを搬送するため、膜質の
維持が容易である、(3)固定成膜のため成膜室の汚れ
る部分が少ない、(4)一つの成膜室が故障しても他の
成膜室を用いて生産を続行できるという利点がある。
う場合、マトリクス配線等のフォトリソ工程を必要とす
るものは、上記インライン装置および枚葉式スパッタ装
置の両タイプが使用可能であり、近年は、枚葉式スパッ
タ装置が徐々に採用される傾向にある。
成膜程度の形状精度で行える場合は、前記の種々の問題
があるにもかかわらずマスク成膜の容易性から、ほとん
どインライン装置が使用されていた。すなわち、枚葉式
スパッタ装置は、膜品質の維持・管理の面で優れるが、
1mm程度の厚みしかない大判ガラス基板へのマスク成
膜が困難であった。
し、枚葉式スパッタ装置を用いながらもマスク成膜が容
易であり、且つ、膜質の維持・管理も容易なスパッタ膜
の製造方法、及びこの方法により製造されたスパッタ膜
を提供することである。
を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完
成した。
室、少なくとも一つのスパッタ室、及び該搬入搬出室と
スパッタ室との間で基板を搬送する搬送室を少なくとも
備えた枚葉式スパッタ装置を用いたスパッタ膜の製造方
法において、予め基板に成膜領域を制限するマスクを設
け、該マスク付基板を搬入搬出室に投入して前記スパッ
タ室内でマスク成膜を行い、次いで該マスク付基板を搬
入搬出室から取り出すことを特徴とするスパッタ膜の製
造方法に関する。
た第1の発明のスパッタ膜の製造方法に関する。
に投入する前に、該マスクを基板に対して位置だしし且
つ基板に固定する第1又は第2の発明のスパッタ膜の製
造方法に関する。
なるものを用い、該マスク付基板の後方に設けられた磁
石により、前記マスクを基板に密着させて成膜を行う第
1、第2又は第3の発明のスパッタ膜の製造方法に関す
る。
明の方法によって製造されたスパッタ膜に関する。
ある第5の発明のスパッタ膜に関する。
に説明する。
置の室構成を示す模式図である。図1において、1及び
2は搬入搬出室、3は加熱室、4、5及び6はスパッタ
室、7は搬送用ロボットを内蔵する搬送室、8及び9は
複数の基板が収納できる外部カセットである。各室はゲ
ートバルブで仕切られ、独立に排気運転される。
は9)から複数枚の大判ガラス基板(マスク付基板)が
同時に、移載ロボットにより、大気開放された搬入搬出
室(1又は2)の装置内専用カセットに投入される。投
入後、搬入搬出室は真空に排気され、マスク付基板は搬
送室(7)を介して、加熱室(3)からスパッタ室
(4、5又は6)へ順次搬送される。
ホットプレート上で直接加熱される。
タ方式は、サイドスパッタが好ましく、ゴミの付着防止
に対して有利であると同時に、水平搬送から基板がほぼ
直立した時に、基板の自重での突き当てによる上下方向
の位置だしができるという利点がある。
置のスパッタ室内の模式図を示す。21はマスク付基
板、22は均熱板である。23はヒーター内蔵の支持台
であり、水平搬送されたマスク付基板(21)をスパッ
タ時にほぼ直立させる機構を有する。24は基板がほぼ
直立した時に上下方向の位置だしを行うための突き当て
ピンである。25はスパッタ用のターゲット、26はゲ
ートバルブ、27は排気口を示す。
(21)は搬送室(7)を介して搬入搬出室(1又は
2)の専用カセットに戻され、この専用カセットに所定
の枚数の成膜処理済の基板が収納された後、大気開放さ
れて外部カセット(8又は9)に移される。
置を用い、搬入搬出室に基板を投入する前に、予め基板
に成膜領域を制限するマスクを設け、該マスク付基板を
搬入搬出室に投入して前記スパッタ室内でマスク成膜を
行い、次いで該マスク付基板を搬入搬出室から取り出す
ことを特徴とする。
は、搬入搬出室に投入された複数の基板を、それらを収
納する専用カセットから、搬送室内の専用ロボットによ
り逐次基板のみを加熱室又はスパッタ室に搬送する。そ
のため、本発明の方法においては、前記マスク付基板を
搬入搬出室に投入する前に、マスクを基板に対して位置
だしし且つ基板に固定しておくことが好ましい。
略図を示す。但し、その形態は本例に限定されるもので
はない。31は基板、32はマスクで遮蔽されない成膜
領域であるマスク開口部の基板面、33はマスク、34
a・34b・34cはマスク折り返し部(図3では全て
図示されていないが対称位置に全部で6か所ある。)で
ある。
からなること(後述)、(ii)基板と熱膨張率が近いこ
と、(iii)形状転写の上では薄い方が好ましいが取扱
上適度の剛性を有すること、が望ましい。
4c等)は、基板にマスクをかぶせる形状を有するが、
カセット収納時や、成膜装置内外でのロボット搬送時に
マスクの基板からの脱落を防止できるものであれば、そ
の形状は限定されない。なお、この折り返し部は、マス
クが基板に十分固定され脱落しなければ必ずしも必要で
はないが、あった方が好ましい。
4c)は、基板(31)に対してマスク(33)の位置
だしのためのつき当て部に使用できる。すなわち、基板
の2辺を基準面とし、折り返し部(34a、34b、3
4c)をそれらに対応する位置にある基準ピンに突き当
てることにより、マスクの位置だしを行う。但し、位置
だし方法や基準面の取り方には、BM露光形成時の基準
面の取り方、アライメントマークの使用等があり、例え
ば、直接、BMのアライメントマークを光センサー等で
検知してマスクを合わせる方法等があり、上記の方法に
限定されない。
に基板に固定することが望ましい。固定方法としては種
々あるが、(i)基板側及びマスク側に傷・変形・残留
物が残らないこと、(ii)短時間で簡単にマスクを脱着
できること、(iii)管理維持が容易であること等の要
件を備えた方法が望ましい。例えば、接着剤、クリッ
プ、静電吸着等による方法などがある。
時にマスクと基板とを密着させるために、マスクとして
磁性材料からなるものを用い、該マスク付基板を保持す
る支持台(加熱成膜の場合は灼熱板)にマスク形状に合
わせて磁石を固定設置することが望ましい。
をしたマスク付基板をトレイに設置する(加熱成膜の場
合は均熱板とともにトレイに設置する。)が、この時マ
スク付基板をトレイに固定するため、磁性材料からなる
マスクと磁石を埋め込んだ裏板(加熱成膜の場合は均熱
板)を用いていた。そのためインライン装置において
は、マスク成膜を行う全てのトレイにマスク形状に合わ
せた磁石を埋め込んだ裏板(加熱成膜の場合は均熱板)
を設ける必要があった。しかし、上記本発明によれば、
スパッタ室内のマスク付き基板を保持する支持台(加熱
成膜の場合は均熱板)にのみ磁石を設置すれば良い。
面図を示す。41は基板、43はマスク、42は均熱
板、46は均熱板に埋め込まれた磁石、44は突き当て
ピン、45はターゲットを示す。
沿って相対するように埋め込まれており、接着剤あるい
は機械的なネジ止め等の方法で固定される。
(マスク付基板)は、突き当てピン(44)に前記折り
返し部(34a、34b)が突き当てられた状態で、初
期の位置精度を保ったままで成膜される。なお、上記折
り返し部の長さについては、成膜室の支持台(加熱成膜
の場合は均熱板)を加工すれば特に制限はなく、基板の
厚み以上であっても、以下であってもよい。
部カセットに回収され、人手またはロボットによりマス
クを外される。更に、外されたマスクは、洗浄後の新規
基板に装着され、外部カセットにより引き続きスパッタ
装置内に投入される。
形成されたスパッタ膜であり、透明導電膜であることが
望ましい。透明導電膜としては金属酸化物からなる膜が
好ましく、具体的にはSnO2、In2O3、ITO、Z
nO等が挙げられる。
が、本発明はこれらに限定するものではない。
ーニング7059、370×470×1.1t(mm))を
用意し、図3に示すように、マスクを基板にセットし
た。
を考慮した寸法とし、マスクの厚さは0.2mmとし
た。マスクの材料にはFe−Ni(42%)合金を用
い、マスク開口部の形状はフォトリソによるエッチング
で形成した。
ぶせ、折り返し部(34a、34b、34c)をガラス
基板と同時に専用ステージ上の基準ピンに突き当てて行
った。基準ピンの位置はBMパターン露光形成時と同様
とした。また、マスクの折り返し部の長さは、ガラス基
板の厚さ1.1mmに対して0.7mmとした。
突き当てたまま、予めエッチング時に設けた接着用小孔
(35a、35b、35c、35d)に紫外線硬化タイ
プのアクリル系樹脂を微量滴下し、紫外線ランプにより
硬化固定せしめた。
を、外部カセットから枚葉式スパッタ装置に投入し、加
熱、膜形成を行った。
5、6)において、基板の加熱温度は、マスクの固定に
用いたアクリル系樹脂の耐熱温度以下の200℃に設定
した。スパッタ室では、図4のごとくして、厚さ150
0Åの透明導電膜であるITO膜を形成した。マスクを
基板に密着させるための永久磁石(46)としてはサマ
リウムーコバルト系のものを用いた。
トに取り出し、図3の接着用小孔(35a、35b、3
5c、35d)付近のマスクと基板との間にカッターナ
イフを挿入しマスクを外した。接着剤はガラス基板側
(最上面は保護膜)に残るか、マスク側に残るかのいず
れかであるが、共に接着力は弱く、アセトン等の溶剤で
容易に拭き取ることができる。
精度は、接着剤で固定されたほぼ突き当て通りであり、
±0.3mm以内の満足できる値であった。膜のエッジ
形状においてもエッジから1500Å厚までの立ち上が
り領域が0.5mm以内であり、遮蔽部への膜の回り込
みもなく良好であった。
・膜汚れ等も10回程度の連続使用では問題なく、実用
上、十分耐え得るものであった。
本実施例においては、マスクを基板にかぶせるだけと
し、特に、突き当て、位置だし、接着剤による固定を行
わなかった。但し、マスクの折り返し部の長さを2mm
とし、基板の厚みからはみ出る部分については干渉する
均熱板の面を部分的に削り、逃がす構造とした。
を、実施例1と同様にしてスパッタ装置に投入し、加熱
・成膜後、評価を行った。
った。
室内で位置出しが可能なためズレは小さかったが、左右
方向の位置精度については基板公差並みであり最大1m
m程度のズレが見られた。しかしながら、折り返し部の
長さを2mmとしたことにより、マスクが装置内外で基
板からハズレル等の問題が発生せず、また、ガラス基板
へのマスクの着脱も容易となり、位置精度が±1.0m
m以内の要求であるならば、本方法は実用上、問題ない
ことがわかった。
施例においては、マスク折り返し部および接着用小孔の
無いマスクを用い、実施例1と同様に突き当て、位置だ
し後、成膜装置側と干渉しない基板位置でクリップによ
り固定を行った。基板の厚みからはみ出る部分について
は、実施例2と同様に均熱板の面を部分的に削り、逃が
す構造とした。
を、実施例1と同様にしてスパッタ装置に投入し、加熱
・成膜後、評価を行った。その結果、エッジ形状および
位置精度は実施例1と同様であり、クリップ装着時の傷
についてもクリップを広げてから着脱をすることにより
回避できることがわかった。
図3と同様なマスクを用意した。マスク上にガラス基板
を置き、実施例1と同様にして突き当て、位置出しを行
い、さらに、ガラス基板を挟むようにして、図4と同様
な磁石を埋め込んだ均熱板をガラス基板上に設置した。
次いで、マスクと基板を固定・密着させたままインライ
ン装置用トレイに装着した。
入し、実施例1と同様に200℃で基板を加熱してIT
O膜を形成し、搬出室より回収した。
等であった。しかし、インライン装置特有のトレイの汚
れや、トレイ以外の成膜室の汚れ等のため、新しいマス
クを用いても成膜面にゴミや異物が見られる等の欠点が
あり、膜質の維持管理の面では不満足であった。また、
膜質の向上のためには、トレイ等の煩雑なクリーニング
が必要であり、稼働率やトレイのスペアーの準備等、コ
スト面からも割高になることが分かった。
よれば、膜質の維持・管理面で優れ、低コスト化が図
れ、さらに高品質のスパッタ膜を複数枚取りで容易に製
造することができる。
示す模式図である。
室内の説明図である。
スパッタ室内の説明図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 少なくとも一つの搬入搬出室、少なくと
も一つのスパッタ室、及び該搬入搬出室とスパッタ室と
の間で基板を搬送する搬送室を少なくとも備えた枚葉式
スパッタ装置を用いたスパッタ膜の製造方法において、
予め基板に成膜領域を制限するマスクを設け、該マスク
付基板を搬入搬出室に投入して前記スパッタ室内でマス
ク成膜を行い、次いで該マスク付基板を搬入搬出室から
取り出すことを特徴とするスパッタ膜の製造方法。 - 【請求項2】 マスクに折り返し部を設けた請求項1記
載のスパッタ膜の製造方法。 - 【請求項3】 マスク付基板を搬入搬出室に投入する前
に、該マスクを基板に対して位置だしし且つ基板に固定
する請求項1又は2記載のスパッタ膜の製造方法。 - 【請求項4】 マスクとして磁性材料からなるものを用
い、該マスク付基板の後方に設けられた磁石により、前
記マスクを基板に密着させて成膜を行う請求項1、2又
は3記載のスパッタ膜の製造方法。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれか1項に記載の方
法によって製造されたスパッタ膜。 - 【請求項6】 スパッタ膜が透明導電膜である請求項5
記載のスパッタ膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29821795A JPH09143733A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | スパッタ膜の製造方法およびスパッタ膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29821795A JPH09143733A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | スパッタ膜の製造方法およびスパッタ膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143733A true JPH09143733A (ja) | 1997-06-03 |
Family
ID=17856742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29821795A Pending JPH09143733A (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | スパッタ膜の製造方法およびスパッタ膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09143733A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001107230A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-17 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタリング成膜用の基板ホルダー及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法 |
| US6309525B2 (en) | 1998-02-17 | 2001-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sputtering apparatus capable of changing distance between substrate and deposition preventing plate used for film formation |
| JP2015520799A (ja) * | 2012-04-19 | 2015-07-23 | インテヴァック インコーポレイテッド | 太陽電池製造のための2重マスク装置 |
| CN117845174A (zh) * | 2023-11-15 | 2024-04-09 | 安徽越好电子装备有限公司 | 卧式真空镀膜系统及其镀膜方法 |
-
1995
- 1995-11-16 JP JP29821795A patent/JPH09143733A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309525B2 (en) | 1998-02-17 | 2001-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sputtering apparatus capable of changing distance between substrate and deposition preventing plate used for film formation |
| JP2001107230A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-17 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタリング成膜用の基板ホルダー及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法 |
| JP2015520799A (ja) * | 2012-04-19 | 2015-07-23 | インテヴァック インコーポレイテッド | 太陽電池製造のための2重マスク装置 |
| CN117845174A (zh) * | 2023-11-15 | 2024-04-09 | 安徽越好电子装备有限公司 | 卧式真空镀膜系统及其镀膜方法 |
| CN117845174B (zh) * | 2023-11-15 | 2024-10-18 | 安徽越好电子装备有限公司 | 卧式真空镀膜系统及其镀膜方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4915057A (en) | Apparatus and method for registration of shadow masked thin-film patterns | |
| JP7296303B2 (ja) | アライメントシステム、成膜装置、成膜方法、電子デバイスの製造方法、および、アライメント装置 | |
| JP7244401B2 (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
| US8128793B2 (en) | Vertical substrate transfer apparatus and film-forming apparatus | |
| JPH11131232A (ja) | トレイ搬送式成膜装置 | |
| CA1283281C (en) | Apparatus and method for registration of shadow masked thin film patterns | |
| JP6142393B2 (ja) | 成膜マスク、成膜装置及び成膜方法並びにタッチパネル基板 | |
| JPH10152776A (ja) | 基板支持具および基板の支持方法 | |
| KR100618264B1 (ko) | 도포현상처리시스템 | |
| JP2002309372A (ja) | インライン式成膜装置、成膜方法及び液晶素子 | |
| US20190382883A1 (en) | Substrate supports for a sputtering device | |
| JP7021318B2 (ja) | 成膜装置及び成膜装置の制御方法 | |
| WO2015014411A1 (en) | Holding arrangement for substrates | |
| CN113637948B (zh) | 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法以及存储介质 | |
| JPH09143733A (ja) | スパッタ膜の製造方法およびスパッタ膜 | |
| KR102748864B1 (ko) | 성막 장치 | |
| JP2003213414A (ja) | 成膜方法および成膜装置、並びにカラーフィルター製造方法 | |
| KR102578750B1 (ko) | 얼라인먼트 시스템, 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법 | |
| JPH11131212A (ja) | 枚葉式スパッタ装置、枚葉式スパッタ方法及びスパッタ膜 | |
| JPH10265953A (ja) | スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法 | |
| US11626272B2 (en) | Sputtering equipment and operation method thereof | |
| JPS6324632A (ja) | 基板搬送装置 | |
| JPH0959776A (ja) | スパッタリング方法、及び基板保持装置 | |
| JP2001323370A (ja) | 透明導電膜形成方法及び該方法に用いるスパッタリング装置 | |
| JPS62211374A (ja) | スパツタリング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040409 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Effective date: 20040409 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041006 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050216 |