JPH09148225A - 基板ホルダーおよびそれを用いた微細加工装置 - Google Patents
基板ホルダーおよびそれを用いた微細加工装置Info
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- JPH09148225A JPH09148225A JP30704395A JP30704395A JPH09148225A JP H09148225 A JPH09148225 A JP H09148225A JP 30704395 A JP30704395 A JP 30704395A JP 30704395 A JP30704395 A JP 30704395A JP H09148225 A JPH09148225 A JP H09148225A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細加工が容易にできる基板ホルダーおよび
それを用いた露光装置などの微細加工装置を提供する。 【解決手段】 同一平面に配置されている複数のウエハ
移動体１２と、その外周部に突出した形状のウエハ載置
部１２ａと、ウエハ載置部１２ａの中央部にウエハ２を
固定するウエハ固定機構としての真空吸着用の穴１２ｂ
とを備えたウエハホルダー３である。ウエハ移動体１２
は、駆動体１３を用いてその外周方向に移動してウエハ
２を伸張させるなどの処理を行うことができる。
それを用いた露光装置などの微細加工装置を提供する。 【解決手段】 同一平面に配置されている複数のウエハ
移動体１２と、その外周部に突出した形状のウエハ載置
部１２ａと、ウエハ載置部１２ａの中央部にウエハ２を
固定するウエハ固定機構としての真空吸着用の穴１２ｂ
とを備えたウエハホルダー３である。ウエハ移動体１２
は、駆動体１３を用いてその外周方向に移動してウエハ
２を伸張させるなどの処理を行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板ホルダーおよ
びそれを用いた微細加工装置に関する。
びそれを用いた微細加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置は、高集積化と微細
加工化が推進されており、それに伴い露光装置を使用し
た配線などの微細加工が要求されている。
加工化が推進されており、それに伴い露光装置を使用し
た配線などの微細加工が要求されている。
【０００３】ところで、本発明者は、微細加工が必要な
半導体集積回路装置の製造技術について検討した。以下
は、本発明者によって検討された技術であり、その概要
は次のとおりである。
半導体集積回路装置の製造技術について検討した。以下
は、本発明者によって検討された技術であり、その概要
は次のとおりである。
【０００４】すなわち、半導体集積回路装置の製造工程
において、ウエハ状の半導体基板に複数の半導体素子を
製作する製造工程および半導体基板の上に配線層とスル
ーホールを有する層間絶縁膜などの絶縁膜を製作する製
造工程に露光装置を用いたフォトリソグラフィ技術が使
用されている。
において、ウエハ状の半導体基板に複数の半導体素子を
製作する製造工程および半導体基板の上に配線層とスル
ーホールを有する層間絶縁膜などの絶縁膜を製作する製
造工程に露光装置を用いたフォトリソグラフィ技術が使
用されている。
【０００５】露光装置は、被露光基板であるウエハをウ
エハホルダーにセットし、フォトマスクのパターンをウ
エハの表面に設けられているフォトレジスト膜に転写し
ている。
エハホルダーにセットし、フォトマスクのパターンをウ
エハの表面に設けられているフォトレジスト膜に転写し
ている。
【０００６】前述した露光装置におけるウエハホルダー
において、被露光基板であるウエハとの接触部は平滑面
であり、その一部に真空装置と連結されている穴または
溝が設けられており、その穴または溝を介して真空吸着
によりその表面に載せられているウエハがウエハホルダ
ーに固定されている。
において、被露光基板であるウエハとの接触部は平滑面
であり、その一部に真空装置と連結されている穴または
溝が設けられており、その穴または溝を介して真空吸着
によりその表面に載せられているウエハがウエハホルダ
ーに固定されている。
【０００７】なお、露光装置について記載されている文
献としては、例えば、１９８７年１１月２０日、工業調
査会発行「電子材料」１９８７年１１月号別冊、ｐ７８
〜ｐ８３に記載されているものがある。
献としては、例えば、１９８７年１１月２０日、工業調
査会発行「電子材料」１９８７年１１月号別冊、ｐ７８
〜ｐ８３に記載されているものがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した露
光装置におけるウエハホルダーによれば、被露光基板で
あるウエハの裏面にパーティクルが付着している場合、
ウエハの表面の概略的平坦度が乱れてしまうことによ
り、その部分において露光時の焦点深度が外れてしまう
ので、転写されたパターンの寸法不良または解像不良が
発生するという問題点がある。
光装置におけるウエハホルダーによれば、被露光基板で
あるウエハの裏面にパーティクルが付着している場合、
ウエハの表面の概略的平坦度が乱れてしまうことによ
り、その部分において露光時の焦点深度が外れてしまう
ので、転写されたパターンの寸法不良または解像不良が
発生するという問題点がある。
【０００９】また、露光装置におけるウエハホルダーに
よれば、被露光基板であるウエハが凸状または凹状に反
っている場合、ウエハホルダーにウエハが吸着された状
態をその上部から観察すると、ウエハが縮んだ状態でウ
エハホルダーに固定されていることにより、フォトマス
クにおけるパターンをウエハの表面に形成されているフ
ォトレジスト膜に正確に転写することができ難いという
問題点が発生している。
よれば、被露光基板であるウエハが凸状または凹状に反
っている場合、ウエハホルダーにウエハが吸着された状
態をその上部から観察すると、ウエハが縮んだ状態でウ
エハホルダーに固定されていることにより、フォトマス
クにおけるパターンをウエハの表面に形成されているフ
ォトレジスト膜に正確に転写することができ難いという
問題点が発生している。
【００１０】したがって、前述した露光装置を使用した
フォトリソグラフィ技術により半導体集積回路装置など
の微細加工体を製作する場合において、微細加工が困難
となっている。
フォトリソグラフィ技術により半導体集積回路装置など
の微細加工体を製作する場合において、微細加工が困難
となっている。
【００１１】本発明の目的は、微細加工が容易にできる
基板ホルダーを提供することにある。
基板ホルダーを提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、微細加工が容易にで
きる基板ホルダーを用いた露光装置などの微細加工装置
を提供することにある。
きる基板ホルダーを用いた露光装置などの微細加工装置
を提供することにある。
【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１５】すなわち、本発明の基板ホルダーは、同一
平面に配置されている複数の基板移動体と、その外周部
に突出した形状の基板載置部と、基板載置部の中央部に
基板を固定する基板固定機構とを備えており、基板の平
坦度を高めるなどの要求により、基板移動体はその外周
方向に移動して基板を伸張させるなどの処理を行うこと
ができるものである。
平面に配置されている複数の基板移動体と、その外周部
に突出した形状の基板載置部と、基板載置部の中央部に
基板を固定する基板固定機構とを備えており、基板の平
坦度を高めるなどの要求により、基板移動体はその外周
方向に移動して基板を伸張させるなどの処理を行うこと
ができるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
【００１７】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態である露光装置を示す概略側面図、図２は本発明の
一実施の形態であるウエハホルダーを示す概略平面図、
図３はこのウエハホルダーを示す概略拡大断面図であ
る。
形態である露光装置を示す概略側面図、図２は本発明の
一実施の形態であるウエハホルダーを示す概略平面図、
図３はこのウエハホルダーを示す概略拡大断面図であ
る。
【００１８】図１に示すように、本実施の形態の露光装
置１は、例えば５分の１の縮小率を有する縮小投影露光
装置であり、被露光基板であるウエハ２をセットしてい
るウエハホルダー３がＸＹステージ４に組み込まれてい
る。
置１は、例えば５分の１の縮小率を有する縮小投影露光
装置であり、被露光基板であるウエハ２をセットしてい
るウエハホルダー３がＸＹステージ４に組み込まれてい
る。
【００１９】また、ウエハホルダー３と光源５とを結ぶ
光路上に、コンデンサレンズ６、フォトマスク７を位置
合わせしてセットしているマスク載置台となっているＸ
Ｙステージ８および結像光学系９が配置されている。コ
ンデンサレンズ６は、光源５から放射された光１０を平
行光に変換してフォトマスク７に平行光の照射を行うも
のである。
光路上に、コンデンサレンズ６、フォトマスク７を位置
合わせしてセットしているマスク載置台となっているＸ
Ｙステージ８および結像光学系９が配置されている。コ
ンデンサレンズ６は、光源５から放射された光１０を平
行光に変換してフォトマスク７に平行光の照射を行うも
のである。
【００２０】また、本実施の形態の露光装置１は、ウエ
ハホルダー３、ＸＹステージ４およびフォトマスクがセ
ットされているＸＹステージ８などを制御する制御部１
１が備えられている。
ハホルダー３、ＸＹステージ４およびフォトマスクがセ
ットされているＸＹステージ８などを制御する制御部１
１が備えられている。
【００２１】図２および図３に示すように、本実施の形
態のウエハホルダー３は、ウエハ移動体１２の周辺にウ
エハ載置部１２ａを備えており、ウエハ載置部１２ａの
中央部に穴１２ｂが配置されている。
態のウエハホルダー３は、ウエハ移動体１２の周辺にウ
エハ載置部１２ａを備えており、ウエハ載置部１２ａの
中央部に穴１２ｂが配置されている。
【００２２】ウエハ移動体１２は、その周辺に突出した
状態のウエハ載置部１２ａが配置されていることによ
り、ウエハ移動体１２の内部は凹部１２ｃを有する状態
となっている。
状態のウエハ載置部１２ａが配置されていることによ
り、ウエハ移動体１２の内部は凹部１２ｃを有する状態
となっている。
【００２３】したがって、ウエハ移動体１２の内部の凹
部１２ｃにより、被露光基板であるウエハ２の裏面にパ
ーティクルが付着していてもウエハ２の表面の平坦度が
乱れることがない。その結果、ウエハ２の裏面に付着し
ているパーティクルに起因して露光時の焦点深度が外れ
てしまうことにより、転写されたパターンの寸法不良ま
たは解像不良が発生するという問題点を防止することが
できる。
部１２ｃにより、被露光基板であるウエハ２の裏面にパ
ーティクルが付着していてもウエハ２の表面の平坦度が
乱れることがない。その結果、ウエハ２の裏面に付着し
ているパーティクルに起因して露光時の焦点深度が外れ
てしまうことにより、転写されたパターンの寸法不良ま
たは解像不良が発生するという問題点を防止することが
できる。
【００２４】穴１２ｂは、被露光基板であるウエハ２を
真空吸着することができる穴であり、真空装置（図示を
省略）と連結されている。
真空吸着することができる穴であり、真空装置（図示を
省略）と連結されている。
【００２５】この場合、ウエハ２の真空吸着を行う態様
としているが、静電吸着などの種々のウエハ２を固定す
るウエハ固定機構の態様とすることができる。
としているが、静電吸着などの種々のウエハ２を固定す
るウエハ固定機構の態様とすることができる。
【００２６】ウエハ移動体１２の中央部には、ウエハ移
動体１２をその外周部の方向に広げたり狭めたりするこ
とができる駆動体１３が設けられている。
動体１２をその外周部の方向に広げたり狭めたりするこ
とができる駆動体１３が設けられている。
【００２７】駆動体１３は、駆動体制御部１４により、
上下方向に移動させることができるようになっている。
上下方向に移動させることができるようになっている。
【００２８】駆動体制御部１４の入力データにより、駆
動体１３は上下方向に移動させることができることによ
り、駆動体１３によりウエハ移動体１２はその外周方向
に移動させることができるので、ウエハ移動体１２の外
周に備えられているウエハ載置部１２ａの対抗している
領域の離間距離を調整できる。
動体１３は上下方向に移動させることができることによ
り、駆動体１３によりウエハ移動体１２はその外周方向
に移動させることができるので、ウエハ移動体１２の外
周に備えられているウエハ載置部１２ａの対抗している
領域の離間距離を調整できる。
【００２９】駆動体１３は、各ウエハ移動体１２を均等
に移動させることができる。なお、各々のウエハ移動体
１２にピエゾ素子などの駆動体を配置することにより、
それぞれのウエハ移動体１２に連結されている駆動体を
使用してそれぞれの固定体１２を独立的に移動させる態
様とすることができる。
に移動させることができる。なお、各々のウエハ移動体
１２にピエゾ素子などの駆動体を配置することにより、
それぞれのウエハ移動体１２に連結されている駆動体を
使用してそれぞれの固定体１２を独立的に移動させる態
様とすることができる。
【００３０】また、ウエハ移動体１２は、被露光基板で
あるウエハ２を４個のウエハ移動体１２により固定して
いるが、ウエハ移動体の他の態様として、５個、８個ま
たは１６個などの複数のウエハ移動体とすることができ
ると共にそれらの各ウエハ移動体を独立的に駆動させる
態様とすることができる。
あるウエハ２を４個のウエハ移動体１２により固定して
いるが、ウエハ移動体の他の態様として、５個、８個ま
たは１６個などの複数のウエハ移動体とすることができ
ると共にそれらの各ウエハ移動体を独立的に駆動させる
態様とすることができる。
【００３１】図３に示すように、本実施の形態のウエハ
ホルダー３にセットされている被露光基板であるウエハ
２の全体的な形状は、凸状に反っているものである。
ホルダー３にセットされている被露光基板であるウエハ
２の全体的な形状は、凸状に反っているものである。
【００３２】この状態のウエハ２にフォトマスクのパタ
ーンを転写すると、ウエハホルダー３にウエハ２が吸着
された状態をその上部から観察すると、ウエハ２が縮ん
だ状態でウエハホルダー３に固定されていることによ
り、フォトマスク７におけるパターンをウエハの表面に
形成されているフォトレジスト膜に正確に転写すること
ができない。
ーンを転写すると、ウエハホルダー３にウエハ２が吸着
された状態をその上部から観察すると、ウエハ２が縮ん
だ状態でウエハホルダー３に固定されていることによ
り、フォトマスク７におけるパターンをウエハの表面に
形成されているフォトレジスト膜に正確に転写すること
ができない。
【００３３】そこで、上記ウエハホルダー３を用いた露
光装置１において、図４に示すように、駆動体制御部１
４の入力データにより、駆動体１３を上方向に移動させ
ることにより、駆動体１３によりウエハ移動体１２をそ
の外周方向に広げるように移動させることができるの
で、ウエハ２をウエハ移動体１３の外周方向に引っ張る
ことができる。
光装置１において、図４に示すように、駆動体制御部１
４の入力データにより、駆動体１３を上方向に移動させ
ることにより、駆動体１３によりウエハ移動体１２をそ
の外周方向に広げるように移動させることができるの
で、ウエハ２をウエハ移動体１３の外周方向に引っ張る
ことができる。
【００３４】その結果、ウエハ２の全体形状を直線状に
できると共に平坦な表面を有するウエハ２の状態とする
ことができる。
できると共に平坦な表面を有するウエハ２の状態とする
ことができる。
【００３５】この場合、被露光基板であるウエハ２を伸
張させるためのデータは、ウエハ２の表面の概略的平坦
度の測定値またはウエハ２の表面に形成されているフォ
トレジスト膜に食刻されているパターンの測定値などの
組み合わせにより求めることができる。
張させるためのデータは、ウエハ２の表面の概略的平坦
度の測定値またはウエハ２の表面に形成されているフォ
トレジスト膜に食刻されているパターンの測定値などの
組み合わせにより求めることができる。
【００３６】したがって、そのデータを付加した入力デ
ータによりウエハ固定部１２を制御することにより、ウ
エハ２を伸張させてウエハ２の概略的平坦度を所定の値
にすることができる。
ータによりウエハ固定部１２を制御することにより、ウ
エハ２を伸張させてウエハ２の概略的平坦度を所定の値
にすることができる。
【００３７】また、ウエハ２の概略的平坦度の測定は、
レーザー光を平面状に拡げた状態で参照面とウエハ２の
表面に照射して形成できるそれらの干渉縞を測定するこ
とにより行うことができる。
レーザー光を平面状に拡げた状態で参照面とウエハ２の
表面に照射して形成できるそれらの干渉縞を測定するこ
とにより行うことができる。
【００３８】また、ウエハ２の概略的平坦度の測定は、
レーザー光をシートビーム状にした状態でレーザー光ま
たはウエハ２をスキャンすることにより行うことができ
る。
レーザー光をシートビーム状にした状態でレーザー光ま
たはウエハ２をスキャンすることにより行うことができ
る。
【００３９】また、ウエハ２の概略的平坦度の測定は、
１ないしは数本のレーザービームをウエハ２に対し斜方
向から照射し、この反射光の位置をもって行うことがで
きる。なお、この場合、レーザビームないしはウエハ２
をスキャンまたはステップさせる態様とすることができ
る。
１ないしは数本のレーザービームをウエハ２に対し斜方
向から照射し、この反射光の位置をもって行うことがで
きる。なお、この場合、レーザビームないしはウエハ２
をスキャンまたはステップさせる態様とすることができ
る。
【００４０】伸張された被露光基板であるウエハ２の既
食刻パターンのパターン間距離の測定は、露光装置１の
位置測定装置を使用することにより、ウエハ２の上に配
置されている露光装置１の位置合わせマーク座標とウエ
ハ２とウエハホルダー３が組み込まれているＸＹステー
ジ４の座標系を測定することにより行うことができる。
この場合、ＸＹステージ４には、レーザー干渉計が備え
られている。
食刻パターンのパターン間距離の測定は、露光装置１の
位置測定装置を使用することにより、ウエハ２の上に配
置されている露光装置１の位置合わせマーク座標とウエ
ハ２とウエハホルダー３が組み込まれているＸＹステー
ジ４の座標系を測定することにより行うことができる。
この場合、ＸＹステージ４には、レーザー干渉計が備え
られている。
【００４１】また、伸張された被露光基板であるウエハ
２の既食刻パターンのパターン間距離の測定は、フォト
マスク７におけるマスクパターン間距離とウエハ２の表
面に転写されたパターン間距離との差を制御部１１によ
り測定することにより行うことができる。
２の既食刻パターンのパターン間距離の測定は、フォト
マスク７におけるマスクパターン間距離とウエハ２の表
面に転写されたパターン間距離との差を制御部１１によ
り測定することにより行うことができる。
【００４２】前述したウエハホルダー３を有する露光装
置１によれば、ウエハ２の伸縮状態またはウエハ２に転
写されているパターンとフォトマスク７のマスクパター
ンとの位置関係などの測定結果または測定を行いながら
ウエハホルダー３を制御することにより、ウエハ２を所
定の状態に調整することができる。
置１によれば、ウエハ２の伸縮状態またはウエハ２に転
写されているパターンとフォトマスク７のマスクパター
ンとの位置関係などの測定結果または測定を行いながら
ウエハホルダー３を制御することにより、ウエハ２を所
定の状態に調整することができる。
【００４３】前述したウエハホルダー３を有する露光装
置１において、ウエハホルダー３は、駆動体制御部１４
の入力データにより、駆動体１３を上方向に移動させる
ことにより、駆動体１３によりウエハ移動体１２をその
外周方向に広げるように移動させることができるので、
ウエハ２をウエハ移動体１３の外周方向に引っ張ること
ができる。
置１において、ウエハホルダー３は、駆動体制御部１４
の入力データにより、駆動体１３を上方向に移動させる
ことにより、駆動体１３によりウエハ移動体１２をその
外周方向に広げるように移動させることができるので、
ウエハ２をウエハ移動体１３の外周方向に引っ張ること
ができる。
【００４４】その結果、ウエハホルダー３にセットされ
ているウエハ２の全体的な形状が凸状に反っている場合
においても、ウエハ２の全体形状を直線状にできると共
に平坦な表面を有するウエハ２の状態とすることができ
る。
ているウエハ２の全体的な形状が凸状に反っている場合
においても、ウエハ２の全体形状を直線状にできると共
に平坦な表面を有するウエハ２の状態とすることができ
る。
【００４５】したがって、ウエハ２が直線状でしかもそ
の表面が平坦化された状態において、フォトマスク７に
おけるパターンをウエハ２の表面に形成されているフォ
トレジスト膜に転写することができるので、微細パター
ンを高精度に転写することができる。
の表面が平坦化された状態において、フォトマスク７に
おけるパターンをウエハ２の表面に形成されているフォ
トレジスト膜に転写することができるので、微細パター
ンを高精度に転写することができる。
【００４６】前述したウエハホルダー３を用いた露光装
置１において、ウエハホルダー３におけるウエハ移動体
１２は、その周辺に突出した状態のウエハ載置部１２ａ
が配置されていることにより、ウエハ移動体１２の内部
は凹部１２ｃを有する状態となっている。
置１において、ウエハホルダー３におけるウエハ移動体
１２は、その周辺に突出した状態のウエハ載置部１２ａ
が配置されていることにより、ウエハ移動体１２の内部
は凹部１２ｃを有する状態となっている。
【００４７】したがって、ウエハ移動体１２の内部の凹
部１２ｃにより、被露光基板であるウエハ２の裏面にパ
ーティクルが付着していてもウエハ２の表面の平坦度が
乱れることを防止できる。
部１２ｃにより、被露光基板であるウエハ２の裏面にパ
ーティクルが付着していてもウエハ２の表面の平坦度が
乱れることを防止できる。
【００４８】その結果、ウエハ２の裏面に付着している
パーティクルに起因して従来のようにウエハホルダーの
構造により露光時の焦点深度が外れてしまうことによ
り、転写されたパターンの寸法不良または解像不良が発
生するという不具合を防止することができる。
パーティクルに起因して従来のようにウエハホルダーの
構造により露光時の焦点深度が外れてしまうことによ
り、転写されたパターンの寸法不良または解像不良が発
生するという不具合を防止することができる。
【００４９】前述したウエハホルダー３を有する露光装
置１において、ウエハホルダー３はＸＹステージ４に組
み込まれている態様であるが、フォトマスク７を操作す
るＸＹステージ８にフォトマスクをセットできるウエハ
ホルダーとして使用する態様またはＸＹステージ４およ
びＸＹステージ８のどちらか一方あるいはそれらの両方
にウエハホルダーを組み込んだ態様とすることができ
る。
置１において、ウエハホルダー３はＸＹステージ４に組
み込まれている態様であるが、フォトマスク７を操作す
るＸＹステージ８にフォトマスクをセットできるウエハ
ホルダーとして使用する態様またはＸＹステージ４およ
びＸＹステージ８のどちらか一方あるいはそれらの両方
にウエハホルダーを組み込んだ態様とすることができ
る。
【００５０】前述したウエハホルダー３を有する露光装
置１によれば、高精度でしかも微細加工ができる微細パ
ターンを形成するフォトリソグラフィ技術を達成できる
ことにより、微細加工体である半導体集積回路装置の種
々の品種および種々の製造工程または液晶素子などの表
示素子またはプリント基板などの微細加工体の製造技術
に適用して、微細加工を高精度にしかも容易に行うこと
ができる。
置１によれば、高精度でしかも微細加工ができる微細パ
ターンを形成するフォトリソグラフィ技術を達成できる
ことにより、微細加工体である半導体集積回路装置の種
々の品種および種々の製造工程または液晶素子などの表
示素子またはプリント基板などの微細加工体の製造技術
に適用して、微細加工を高精度にしかも容易に行うこと
ができる。
【００５１】（実施の形態２）図５は、本発明の他の実
施の形態であるウエハホルダーの一部を示す概略拡大断
面図である。
施の形態であるウエハホルダーの一部を示す概略拡大断
面図である。
【００５２】本実施の形態のウエハホルダー１５は、前
述した実施の形態１のウエハホルダー３のウエハ載置部
１２ａの表面を異なる形状にしたものであり、それ以外
の領域は前述した実施の形態１のウエハホルダー３と同
様の態様を備えているものである。
述した実施の形態１のウエハホルダー３のウエハ載置部
１２ａの表面を異なる形状にしたものであり、それ以外
の領域は前述した実施の形態１のウエハホルダー３と同
様の態様を備えているものである。
【００５３】図５に示すように、本実施の形態のウエハ
ホルダー１５におけるウエハ載置部１２ａは、ウエハ２
に設けられている穴２ａおよび溝２ｂに介入することが
できる凸部１２ｄが設けられている。
ホルダー１５におけるウエハ載置部１２ａは、ウエハ２
に設けられている穴２ａおよび溝２ｂに介入することが
できる凸部１２ｄが設けられている。
【００５４】本実施の形態のウエハホルダー１５を用い
た露光装置において、駆動体制御部１４の入力データに
より、駆動体１３を上方向に移動させることにより、駆
動体１３によりウエハ移動体１２をその外周方向に広げ
るように移動させることができるので、ウエハ２をウエ
ハ移動体１３の外周方向に引っ張ることができる。
た露光装置において、駆動体制御部１４の入力データに
より、駆動体１３を上方向に移動させることにより、駆
動体１３によりウエハ移動体１２をその外周方向に広げ
るように移動させることができるので、ウエハ２をウエ
ハ移動体１３の外周方向に引っ張ることができる。
【００５５】その結果、ウエハ２の全体形状を直線状に
できると共に平坦な表面を有するウエハ２の状態とする
ことができる。
できると共に平坦な表面を有するウエハ２の状態とする
ことができる。
【００５６】この場合、ウエハホルダー１５におけるウ
エハ載置部１２ａには、ウエハ２の穴２ａおよび溝２ｂ
に介入している凸部１２ｄが設けられていることによ
り、ウエハ移動体１２によりウエハ２を伸張する際に、
ウエハ移動体１２の変化に対応したウエハ２の移動を確
実に行うことができる。
エハ載置部１２ａには、ウエハ２の穴２ａおよび溝２ｂ
に介入している凸部１２ｄが設けられていることによ
り、ウエハ移動体１２によりウエハ２を伸張する際に、
ウエハ移動体１２の変化に対応したウエハ２の移動を確
実に行うことができる。
【００５７】図５に示すウエハホルダー１５におけるウ
エハ載置部１２ａは、凸部１２ｄが設けられている態様
であるが、ピンなどを設けるなどの種々の態様とするこ
とができると共にウエハ２の穴１２ａおよび溝２ｂの形
状を変えたり凸部などをウエハ２に設けることにより、
それと対応した溝などの凹部をウエハ載置部１２ａに設
ける態様とすることができる。
エハ載置部１２ａは、凸部１２ｄが設けられている態様
であるが、ピンなどを設けるなどの種々の態様とするこ
とができると共にウエハ２の穴１２ａおよび溝２ｂの形
状を変えたり凸部などをウエハ２に設けることにより、
それと対応した溝などの凹部をウエハ載置部１２ａに設
ける態様とすることができる。
【００５８】また、ウエハホルダー１５におけるウエハ
載置部１２ａは、その表面を粗面化処理などにより微細
な凹凸部を形成した態様とすることができる。
載置部１２ａは、その表面を粗面化処理などにより微細
な凹凸部を形成した態様とすることができる。
【００５９】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００６０】たとえば、本発明のウエハホルダーは、イ
オン注入装置、集束イオンビーム装置または電子ビーム
描画装置などの微細加工装置に組み込むことにより、微
細加工体を高精度に行うことができる。
オン注入装置、集束イオンビーム装置または電子ビーム
描画装置などの微細加工装置に組み込むことにより、微
細加工体を高精度に行うことができる。
【００６１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００６２】（１）．本発明の基板ホルダーを有する露
光装置において、基板ホルダーは、駆動体制御部の入力
データにより、駆動体を上方向に移動させることによ
り、駆動体により基板移動体をその外周方向に広げるよ
うに移動させることができるので、基板を基板移動体の
外周方向に引っ張ることができる。
光装置において、基板ホルダーは、駆動体制御部の入力
データにより、駆動体を上方向に移動させることによ
り、駆動体により基板移動体をその外周方向に広げるよ
うに移動させることができるので、基板を基板移動体の
外周方向に引っ張ることができる。
【００６３】その結果、基板ホルダーにセットされてい
る基板の全体的な形状が凸状に反っている場合において
も、基板の全体形状を直線状にできると共に平坦な表面
を有する基板の状態とすることができる。
る基板の全体的な形状が凸状に反っている場合において
も、基板の全体形状を直線状にできると共に平坦な表面
を有する基板の状態とすることができる。
【００６４】したがって、基板が直線状でしかもその表
面が平坦化された状態において、フォトマスクにおける
パターンを基板の表面に形成されているフォトレジスト
膜に転写することができるので、微細パターンを高精度
に転写することができる。
面が平坦化された状態において、フォトマスクにおける
パターンを基板の表面に形成されているフォトレジスト
膜に転写することができるので、微細パターンを高精度
に転写することができる。
【００６５】（２）．本発明の基板ホルダーを用いた露
光装置において、基板ホルダーにおける基板移動体は、
その周辺に突出した状態の基板載置部が配置されている
ことにより、基板移動体の内部は凹部を有する状態とな
っている。
光装置において、基板ホルダーにおける基板移動体は、
その周辺に突出した状態の基板載置部が配置されている
ことにより、基板移動体の内部は凹部を有する状態とな
っている。
【００６６】したがって、基板移動体の内部の凹部によ
り、被露光基板である基板の裏面にパーティクルが付着
していても基板の表面の平坦度が乱れることを防止でき
る。
り、被露光基板である基板の裏面にパーティクルが付着
していても基板の表面の平坦度が乱れることを防止でき
る。
【００６７】その結果、基板の裏面に付着しているパー
ティクルに起因して従来のように基板ホルダーの構造に
より露光時の焦点深度が外れてしまうことにより、転写
されたパターンの寸法不良または解像不良が発生すると
いう不具合を防止することができる。
ティクルに起因して従来のように基板ホルダーの構造に
より露光時の焦点深度が外れてしまうことにより、転写
されたパターンの寸法不良または解像不良が発生すると
いう不具合を防止することができる。
【００６８】（３）．本発明の基板ホルダーを有する露
光装置によれば、基板の伸縮状態または基板に転写され
ているパターンとフォトマスクのマスクパターンとの位
置関係などの測定結果または測定を行いながら基板ホル
ダーを制御することにより、基板を所定の状態に調整す
ることができる。
光装置によれば、基板の伸縮状態または基板に転写され
ているパターンとフォトマスクのマスクパターンとの位
置関係などの測定結果または測定を行いながら基板ホル
ダーを制御することにより、基板を所定の状態に調整す
ることができる。
【００６９】（４）．本発明の基板ホルダーを有する露
光装置によれば、高精度でしかも微細加工ができる微細
パターンを形成するフォトリソグラフィ技術を達成でき
ることにより、微細加工体である半導体集積回路装置の
種々の品種および種々の製造工程または液晶素子などの
表示素子またはプリント基板などの微細加工体の製造技
術に適用して、微細加工を高精度にしかも容易に行うこ
とができる。
光装置によれば、高精度でしかも微細加工ができる微細
パターンを形成するフォトリソグラフィ技術を達成でき
ることにより、微細加工体である半導体集積回路装置の
種々の品種および種々の製造工程または液晶素子などの
表示素子またはプリント基板などの微細加工体の製造技
術に適用して、微細加工を高精度にしかも容易に行うこ
とができる。
【図１】本発明の一実施の形態である基板ホルダーを用
いた露光装置を示す概略側面図である。
いた露光装置を示す概略側面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である基板ホルダーを示
す概略平面図である。
す概略平面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である基板ホルダーを示
す概略拡大断面図である。
す概略拡大断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である基板ホルダーを示
す概略拡大断面図である。
す概略拡大断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態である基板ホルダーの
一部を示す概略拡大断面図である。
一部を示す概略拡大断面図である。
１ 露光装置 ２ ウエハ ２ａ 穴 ２ｂ 溝 ３ ウエハホルダー ４ ＸＹステージ ５ 光源 ６ コンデンサレンズ ７ フォトマスク ８ ＸＹステージ ９ 結像光学系 １０ 光 １１ 制御部 １２ ウエハ移動体 １２ａ ウエハ載置部 １２ｂ 穴 １２ｃ 凹部 １２ｄ 凸部 １３ 駆動体 １４ 駆動体制御部 １５ ウエハホルダー
Claims (9)
- 【請求項１】 同一平面に配置されている複数の基板移
動体と、前記基板移動体の外周部に突出した形状の基板
載置部と、前記基板載置部の中央部に基板を固定する基
板固定機構とを備えており、前記基板移動体はその外周
方向に移動できるようになっていることを特徴とする基
板ホルダー。 - 【請求項２】 請求項１記載の基板ホルダーにおいて、
前記複数の基板移動体の中央部に前記基板移動体をその
外周方向に移動するための駆動体を備えていることを特
徴とする基板ホルダー。 - 【請求項３】 請求項１記載の基板ホルダーにおいて、
前記複数の基板移動体は、各々の前記基板移動体を独立
的にその外周方向に移動するための駆動体を備えている
ことを特徴とする基板ホルダー。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の基
板ホルダーにおいて、前記基板固定機構は、前記基板載
置部の中央部に設けられている穴とその穴に連結してい
る真空装置とで前記基板を吸着することにより前記基板
を前記基板載置部に固定するものであることを特徴とす
る基板ホルダー。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の基
板ホルダーにおいて、前記基板載置部の表面の一部に凸
部、凹部または凹凸部を備えていることを特徴とする基
板ホルダー。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の基
板ホルダーと、前記基板ホルダーにセットされている微
細加工体を加工する加工処理部とを有することを特徴と
する微細加工装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の微細加工装置において、
前記基板ホルダーを組み込んでいるＸＹステージと、フ
ォトマスクのマスク載置台となっているＸＹステージ
と、露光装置における結像光学系とを有することを特徴
とする微細加工装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の微細加工装置において、
前記基板ホルダーを２個備えており、第１の基板ホルダ
ーは前記露光装置における結像光学系の下部に配置され
ているＸＹステージに組み込まれており、第２の基板ホ
ルダーは前記露光装置における結像光学系の上部に配置
されているマスク載置台となっているＸＹステージに組
み込まれていることを特徴とする微細加工装置。 - 【請求項９】 請求項７記載の微細加工装置において、
前記露光装置における結像光学系の下部に配置されてい
るＸＹステージまたは前記露光装置における結像光学系
の上部に配置されているマスク載置台となっているＸＹ
ステージのいずれかのＸＹステージに前記基板ホルダー
が組み込まれていることを特徴とする微細加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30704395A JPH09148225A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 基板ホルダーおよびそれを用いた微細加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30704395A JPH09148225A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 基板ホルダーおよびそれを用いた微細加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148225A true JPH09148225A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17964363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30704395A Pending JPH09148225A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 基板ホルダーおよびそれを用いた微細加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148225A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223186A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Lintec Corp | 転写テープマウント装置および転写テープマウント方法 |
| JP2001297971A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Ulvac Japan Ltd | 露光装置 |
| JP2008078304A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Olympus Corp | 基板保持機構およびそれを用いた基板検査装置 |
| JP2012156418A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Lintec Corp | 板状部材の支持装置 |
| CN108231968A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-06-29 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微发光二极管及其转移方法 |
| WO2020191593A1 (zh) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微发光组件、微发光二极管及微发光二极管转印方法 |
| US12446363B2 (en) | 2017-12-11 | 2025-10-14 | Hubei San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting structure and light-emitting device including the same |
-
1995
- 1995-11-27 JP JP30704395A patent/JPH09148225A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223186A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Lintec Corp | 転写テープマウント装置および転写テープマウント方法 |
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| JP2008078304A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Olympus Corp | 基板保持機構およびそれを用いた基板検査装置 |
| JP2012156418A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Lintec Corp | 板状部材の支持装置 |
| CN108231968A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-06-29 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微发光二极管及其转移方法 |
| US11456400B2 (en) | 2017-12-11 | 2022-09-27 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light-emitting diode and method for transferring the same |
| US12446363B2 (en) | 2017-12-11 | 2025-10-14 | Hubei San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting structure and light-emitting device including the same |
| WO2020191593A1 (zh) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微发光组件、微发光二极管及微发光二极管转印方法 |
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