JPH02205017A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH02205017A JPH02205017A JP1024237A JP2423789A JPH02205017A JP H02205017 A JPH02205017 A JP H02205017A JP 1024237 A JP1024237 A JP 1024237A JP 2423789 A JP2423789 A JP 2423789A JP H02205017 A JPH02205017 A JP H02205017A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- semiconductor wafer
- semiconductor
- quartz
- impurity
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板となる半導体ウニ／％−に気体を
流動させて不純物を拡散するか、熱処理を加えるか、膜
を形成する半導体装置の製造装置に関するものである。
流動させて不純物を拡散するか、熱処理を加えるか、膜
を形成する半導体装置の製造装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体ウェハーの大口径化に伴い、半導体ウェハ
ーに気体を流動させて不純物を拡散する、熱処理を加え
る、あるいは被膜を形成する際に、半導体装置の製造装
置の大口径化対応が行われてきた。
ーに気体を流動させて不純物を拡散する、熱処理を加え
る、あるいは被膜を形成する際に、半導体装置の製造装
置の大口径化対応が行われてきた。
以下、従来の半導体装置の製造装置について不純物とし
てリン（Ｐ）を拡散する場合を例にあげて説明する。
てリン（Ｐ）を拡散する場合を例にあげて説明する。
第２図は従来の半導体製造装置の断面図であり、７は石
英チューブ、８は半導体ウェハー、９は前記半導体ウェ
ハーを支持する石英ボート、１０は気体導入口、１１は
前記石英チューブの石英蓋、１２は前記石英蓋に設置さ
れた気体排出口である。
英チューブ、８は半導体ウェハー、９は前記半導体ウェ
ハーを支持する石英ボート、１０は気体導入口、１１は
前記石英チューブの石英蓋、１２は前記石英蓋に設置さ
れた気体排出口である。
以上のように構成された製造装置で半導体ウェハー８に
リンを拡散する場合、まず石英ボート９にリンを拡散し
ようとする半導体ウェハー８を設置し、石英チューブ７
に入れ、石英蓋１１をする。次に酸素ガスを気体導入口
１０より流入させながらヒーターにより希望の温度に加
熱した後、気体導入口１０より酸素ガスと共にＰＯＣｅ
３を流入させ、気体排出口１２より流出させる。その
結果、半導体ウェハー８にリンが拡散される。
リンを拡散する場合、まず石英ボート９にリンを拡散し
ようとする半導体ウェハー８を設置し、石英チューブ７
に入れ、石英蓋１１をする。次に酸素ガスを気体導入口
１０より流入させながらヒーターにより希望の温度に加
熱した後、気体導入口１０より酸素ガスと共にＰＯＣｅ
３を流入させ、気体排出口１２より流出させる。その
結果、半導体ウェハー８にリンが拡散される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の構成では、気体流動は主とし
て半導体ウェハーと石英チューブの間で行われ、半導体
ウェハーの周辺部では渦状の流動が発生し、半導体ウェ
ハーの中央部では流動が少なく気体が循環しに＜＜、気
体中の不純物濃度が石英チューブ上の半導体ウェハーの
位置、半導体ウェハー上の各部分により異なり、半導体
ウェハーの温度も、石英チューブと半導体ウェハーの周
辺部が接する部分では主として行英チューブよりの温度
伝播で、その他の周辺部では主として流動する気体より
の温度伝播で、半導体ウェハーの中央部では主として半
導体ウェハー内部の温度伝播により決定されて半導体ウ
ェハー内で異なる温度分布になるため、同一半導体ウニ
バー内、半導体ウェハー間で不純物濃度、拡散長、熱処
理の効果、膜厚等にばらつきが発生するという問題点が
あった。
て半導体ウェハーと石英チューブの間で行われ、半導体
ウェハーの周辺部では渦状の流動が発生し、半導体ウェ
ハーの中央部では流動が少なく気体が循環しに＜＜、気
体中の不純物濃度が石英チューブ上の半導体ウェハーの
位置、半導体ウェハー上の各部分により異なり、半導体
ウェハーの温度も、石英チューブと半導体ウェハーの周
辺部が接する部分では主として行英チューブよりの温度
伝播で、その他の周辺部では主として流動する気体より
の温度伝播で、半導体ウェハーの中央部では主として半
導体ウェハー内部の温度伝播により決定されて半導体ウ
ェハー内で異なる温度分布になるため、同一半導体ウニ
バー内、半導体ウェハー間で不純物濃度、拡散長、熱処
理の効果、膜厚等にばらつきが発生するという問題点が
あった。
この傾向は、半導体ウェハーの大口径化に伴いさらに顕
著となり、半導体ウェハーの大口径化の妨げともなって
きた。
著となり、半導体ウェハーの大口径化の妨げともなって
きた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、不純物濃
度、拡散長、熱処理の効果、膜厚等のばらつきを従来よ
り減少させる半導体装置の製造装置を提供する。
度、拡散長、熱処理の効果、膜厚等のばらつきを従来よ
り減少させる半導体装置の製造装置を提供する。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明による半導体装置の製
造装置は、複数の気体導入口により前記半導体ウェハー
に対して平行に気体を流動させる装置を備えている。
造装置は、複数の気体導入口により前記半導体ウェハー
に対して平行に気体を流動させる装置を備えている。
作用
この構成により、気体の流動が安定して行われるため気
体中の不純物濃度は一定となり、流動する気体による温
度伝播により半導体ウェハーの温度分布も一定となるた
め、拡散長、不純物濃度、熱処理の効果、膜厚等のばら
つきを減少することができる。
体中の不純物濃度は一定となり、流動する気体による温
度伝播により半導体ウェハーの温度分布も一定となるた
め、拡散長、不純物濃度、熱処理の効果、膜厚等のばら
つきを減少することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の製造装置の断
面図であり、１は石英チューブ、２は半導体ウェハー、
３は前記半纏体ウェハーを支持する石英ボート、４は前
記石英チューブ内に前記半導体ウェハーに対して気体を
水平に流動させるように設置された複数の気体導入口、
５は気体排出口、６は石英蓋である。
面図であり、１は石英チューブ、２は半導体ウェハー、
３は前記半纏体ウェハーを支持する石英ボート、４は前
記石英チューブ内に前記半導体ウェハーに対して気体を
水平に流動させるように設置された複数の気体導入口、
５は気体排出口、６は石英蓋である。
以上のように構成された本実施例の半導体装置の製造装
置で半導体ウェハー２に不純物を拡散する場合について
説明する。まず石英ボート３に不純物を拡散しようとす
る半導体ウェハー２を設置し、石英チューブ１に入れ、
石英蓋６をする。次に、ヒーターにより希望の温□度に
加熱した後に、気体導入口４より不純物を含んだ気体を
半導体ウェハー２に対して平行に流動するように流入さ
せ、気体排出口５より流出させる。
置で半導体ウェハー２に不純物を拡散する場合について
説明する。まず石英ボート３に不純物を拡散しようとす
る半導体ウェハー２を設置し、石英チューブ１に入れ、
石英蓋６をする。次に、ヒーターにより希望の温□度に
加熱した後に、気体導入口４より不純物を含んだ気体を
半導体ウェハー２に対して平行に流動するように流入さ
せ、気体排出口５より流出させる。
本実施例によれば、気体の流動が安定して行われ、温度
の伝播も気体によるものが支配的になるため、拡散長、
不純物濃度、熱処理の効果、膜厚等のばらつきを減少す
ることができる。
の伝播も気体によるものが支配的になるため、拡散長、
不純物濃度、熱処理の効果、膜厚等のばらつきを減少す
ることができる。
発明の効果
本発明によれば、複数の気体導入口により半導体ウェハ
ーに対して平行に気体を流動させることにより、ばらつ
きの減少による歩留向が可能となり、また、半導体ウェ
ハーの大口径化に対してもその実用的効果は大である。
ーに対して平行に気体を流動させることにより、ばらつ
きの減少による歩留向が可能となり、また、半導体ウェ
ハーの大口径化に対してもその実用的効果は大である。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の□・製造装置
の断面図□、第２図は従来の半導体装置の製造装置の断
面図である。 １．７・・・・・・石英チューブ、２，８・・・□・・
・半導体ウェハー、３，９・・・・・・石英ボート、４
・・・・・・本発明の一実施例による気体導入口、５，
１２・・・・・・気体流出口、６，１１・・・・・・石
英蓋、１０・・・・・・従来例による気体排出口。
の断面図□、第２図は従来の半導体装置の製造装置の断
面図である。 １．７・・・・・・石英チューブ、２，８・・・□・・
・半導体ウェハー、３，９・・・・・・石英ボート、４
・・・・・・本発明の一実施例による気体導入口、５，
１２・・・・・・気体流出口、６，１１・・・・・・石
英蓋、１０・・・・・・従来例による気体排出口。
Claims (1)
- 半導体基板となる半導体ウェハーに気体を流動させて同
半導体ウェハーを処理する際に、複数の気体導入口によ
り前記半導体ウェハーに対して平行に前記気体を流動さ
せることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1024237A JPH02205017A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1024237A JPH02205017A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205017A true JPH02205017A (ja) | 1990-08-14 |
Family
ID=12132645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1024237A Pending JPH02205017A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205017A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09148259A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Nec Kyushu Ltd | 横型反応装置 |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP1024237A patent/JPH02205017A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09148259A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Nec Kyushu Ltd | 横型反応装置 |
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