JPH09150351A - 半導体ウェーハの研磨装置 - Google Patents
半導体ウェーハの研磨装置Info
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- JPH09150351A JPH09150351A JP30932095A JP30932095A JPH09150351A JP H09150351 A JPH09150351 A JP H09150351A JP 30932095 A JP30932095 A JP 30932095A JP 30932095 A JP30932095 A JP 30932095A JP H09150351 A JPH09150351 A JP H09150351A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】装置温度とスラリ温度とを制御して所定時間当
たりの研磨量を均一にできる半導体ウェーハの研磨装置
を提供する。 【解決手段】研磨布１２に往管２２と復管２４とを内蔵
し、ヒータ２６によって加温された温水を往管２２に供
給する。温水は往管２２から復管２４に流れる間に研磨
布１２を加温し、再びヒータ２６によって加温されて循
環される。吸着パッド１４に往管３０と復管３２とを内
蔵する。ヒータ２６によって加温された温水を往管３０
に供給する。この温水は、研磨布１２に供給される温水
と同温度の温水であり、往管３０から復管３２に流れる
間に吸着パッド１４を加温し、再びヒータ２６によって
加温されて循環される。従って、温水を半導体ウェーハ
１６の研磨効率が最大となる温度に調整すれば、半導体
ウェーハ１６の所定時間当たりの研磨量を均一にでき、
且つ研磨時間が短縮し平坦度の精度も向上する。
たりの研磨量を均一にできる半導体ウェーハの研磨装置
を提供する。 【解決手段】研磨布１２に往管２２と復管２４とを内蔵
し、ヒータ２６によって加温された温水を往管２２に供
給する。温水は往管２２から復管２４に流れる間に研磨
布１２を加温し、再びヒータ２６によって加温されて循
環される。吸着パッド１４に往管３０と復管３２とを内
蔵する。ヒータ２６によって加温された温水を往管３０
に供給する。この温水は、研磨布１２に供給される温水
と同温度の温水であり、往管３０から復管３２に流れる
間に吸着パッド１４を加温し、再びヒータ２６によって
加温されて循環される。従って、温水を半導体ウェーハ
１６の研磨効率が最大となる温度に調整すれば、半導体
ウェーハ１６の所定時間当たりの研磨量を均一にでき、
且つ研磨時間が短縮し平坦度の精度も向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハの研
磨装置に係り、特に化学的に半導体ウェーハ表面を研磨
するＣＭＰ（Chemical-Mechano-Polishing）装置に関す
る。
磨装置に係り、特に化学的に半導体ウェーハ表面を研磨
するＣＭＰ（Chemical-Mechano-Polishing）装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置では、露光装置の解像度
向上に伴って線幅が０．３５μｍの極細いパターンの成
形ができるようになり、半導体集積回路の高密化を可能
とした。しかし、前記露光装置は焦点深度が浅いため、
半導体ウェーハの表面に多層の成膜を行うには、半導体
ウェーハの平面度の精度が要求される。
向上に伴って線幅が０．３５μｍの極細いパターンの成
形ができるようになり、半導体集積回路の高密化を可能
とした。しかし、前記露光装置は焦点深度が浅いため、
半導体ウェーハの表面に多層の成膜を行うには、半導体
ウェーハの平面度の精度が要求される。
【０００３】このような観点から、最近では半導体ウェ
ーハを化学的に研磨するＣＭＰ装置が使用されている。
このＣＭＰ装置は、ポリシング粒子（スラリ）として半
導体ウェーハよりも軟質の粒子を使用し、粒子と半導体
ウェーハの間に固相反応を生じさせ、両者の接触界面の
反応によって異質な物質を生成し、その部分を除去しな
がら研磨を行う装置であり、平面度の精度が高く加工変
質が少ないという利点がある。
ーハを化学的に研磨するＣＭＰ装置が使用されている。
このＣＭＰ装置は、ポリシング粒子（スラリ）として半
導体ウェーハよりも軟質の粒子を使用し、粒子と半導体
ウェーハの間に固相反応を生じさせ、両者の接触界面の
反応によって異質な物質を生成し、その部分を除去しな
がら研磨を行う装置であり、平面度の精度が高く加工変
質が少ないという利点がある。
【０００４】前記ＣＭＰ装置は、半導体ウェーハを研磨
布に押し付けると共に、半導体ウェーハと研磨布との間
にスラリを供給して半導体ウェーハの表面を研磨する。
前記スラリは、スラリの温度によって化学的要素（活性
化）が変化し、これにより研磨量に差が生じるため、温
度管理されて供給されている。即ち、半導体ウェーハの
研磨効率が最大となる温度よりもスラリの温度が高い場
合には、エッチングが進行し、低い場合には研磨量が少
なくなるので、前記スラリは、半導体ウェーハの研磨効
率が最大となる温度に管理されて供給されている。この
温度は、スラリの種類によって異なり、略２５°Ｃ〜４
０°Ｃの範囲である。
布に押し付けると共に、半導体ウェーハと研磨布との間
にスラリを供給して半導体ウェーハの表面を研磨する。
前記スラリは、スラリの温度によって化学的要素（活性
化）が変化し、これにより研磨量に差が生じるため、温
度管理されて供給されている。即ち、半導体ウェーハの
研磨効率が最大となる温度よりもスラリの温度が高い場
合には、エッチングが進行し、低い場合には研磨量が少
なくなるので、前記スラリは、半導体ウェーハの研磨効
率が最大となる温度に管理されて供給されている。この
温度は、スラリの種類によって異なり、略２５°Ｃ〜４
０°Ｃの範囲である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＣＭＰ装置は、温度管理しているものはスラリだけなの
で、始動時の装置温度と所定時間経過後の装置温度との
差が研磨量に影響を与えてしまい、所定時間当たりの研
磨量を均一にできないという欠点がある。このような不
具合で従来のＣＭＰ装置では、例えば１０分間研磨して
研磨量が許容値内であるか否かの検査を実施している。
しかし、この検査は非常に手間がかかり、また不良品も
出るので半導体ウェーハの歩留りも低下するという欠点
がある。
ＣＭＰ装置は、温度管理しているものはスラリだけなの
で、始動時の装置温度と所定時間経過後の装置温度との
差が研磨量に影響を与えてしまい、所定時間当たりの研
磨量を均一にできないという欠点がある。このような不
具合で従来のＣＭＰ装置では、例えば１０分間研磨して
研磨量が許容値内であるか否かの検査を実施している。
しかし、この検査は非常に手間がかかり、また不良品も
出るので半導体ウェーハの歩留りも低下するという欠点
がある。
【０００６】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、所定時間当たりの研磨量を均一にできる半導体
ウェーハの研磨装置を提供することを目的とする。
もので、所定時間当たりの研磨量を均一にできる半導体
ウェーハの研磨装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
するために、半導体ウェーハを研磨布に押し付けると共
に、半導体ウェーハと研磨布との間にスラリを供給して
半導体ウェーハを研磨する半導体ウェーハの研磨装置に
於いて、前記半導体ウェーハを吸着保持する吸着ヘッド
と、前記研磨布と、前記スラリとの温度を制御しながら
半導体ウェーハを研磨することを特徴としている。
するために、半導体ウェーハを研磨布に押し付けると共
に、半導体ウェーハと研磨布との間にスラリを供給して
半導体ウェーハを研磨する半導体ウェーハの研磨装置に
於いて、前記半導体ウェーハを吸着保持する吸着ヘッド
と、前記研磨布と、前記スラリとの温度を制御しながら
半導体ウェーハを研磨することを特徴としている。
【０００８】本発明によれば、研磨量の不均一の原因が
装置温度の変化にあることに着目し、装置温度に起因す
る半導体ウェーハの吸着ヘッドと、研磨布と、スラリと
を半導体ウェーハの研磨効率が最大となる所定の温度に
制御しながら半導体ウェーハを研磨するようにした。こ
れにより、装置温度は変化しないので、半導体ウェーハ
の所定時間当たりの研磨量を均一にできる。
装置温度の変化にあることに着目し、装置温度に起因す
る半導体ウェーハの吸着ヘッドと、研磨布と、スラリと
を半導体ウェーハの研磨効率が最大となる所定の温度に
制御しながら半導体ウェーハを研磨するようにした。こ
れにより、装置温度は変化しないので、半導体ウェーハ
の所定時間当たりの研磨量を均一にできる。
【０００９】請求項２記載の発明は、研磨前の半導体ウ
ェーハを前記所定の温度に予め加温し、半導体ウェーハ
の温度と装置温度とを等しくして研磨するようにした。
これにより、研磨量を確実に均一にできる。
ェーハを前記所定の温度に予め加温し、半導体ウェーハ
の温度と装置温度とを等しくして研磨するようにした。
これにより、研磨量を確実に均一にできる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る半導体ウェーハの研磨装置の好ましい実施の形態につ
いて詳説する。図１は、本発明の実施の形態に係る半導
体ウェーハの研磨装置が適用されたＣＭＰ装置の要部構
造図である。同図に示すＣＭＰ装置１０は、研磨布１２
と吸着パッド１４とを備え、吸着パッド１４の下面には
半導体ウェーハ１６が研磨面を下方に向けて吸着保持さ
れている。この半導体ウェーハ１６は、吸着パッド１４
の下降移動によって研磨布１２の表面１２Ａに押し付け
られ、そして、研磨布１２と吸着パッド１４を相対運動
させながら研磨布１２と半導体ウェーハ１６との間にス
ラリ１８を供給することにより研磨される。
る半導体ウェーハの研磨装置の好ましい実施の形態につ
いて詳説する。図１は、本発明の実施の形態に係る半導
体ウェーハの研磨装置が適用されたＣＭＰ装置の要部構
造図である。同図に示すＣＭＰ装置１０は、研磨布１２
と吸着パッド１４とを備え、吸着パッド１４の下面には
半導体ウェーハ１６が研磨面を下方に向けて吸着保持さ
れている。この半導体ウェーハ１６は、吸着パッド１４
の下降移動によって研磨布１２の表面１２Ａに押し付け
られ、そして、研磨布１２と吸着パッド１４を相対運動
させながら研磨布１２と半導体ウェーハ１６との間にス
ラリ１８を供給することにより研磨される。
【００１１】前記スラリ１８は、図示しないタンクから
スラリ供給管２０を介して供給される。また、スラリ１
８は、前記タンクに設けられたヒータによって半導体ウ
ェーハ１６の研磨効率が最大となる温度（以下、「基準
温度」という）に調整されている。ところで、前記研磨
布１２には、往管２２と復管２４とが内蔵されている。
この往管２２と復管２４とは連結され、前記往管２２に
はヒータ２６によって加温された温水がポンプ２８によ
って供給される。この温水は、往管２２から復管２４に
流れる間に研磨布１２を加温し、そして、研磨布１２と
熱交換された温水は再びヒータ２６によって加温された
後、ポンプ２８→往管２２→復管２４→ヒータ２６の順
路で循環される。
スラリ供給管２０を介して供給される。また、スラリ１
８は、前記タンクに設けられたヒータによって半導体ウ
ェーハ１６の研磨効率が最大となる温度（以下、「基準
温度」という）に調整されている。ところで、前記研磨
布１２には、往管２２と復管２４とが内蔵されている。
この往管２２と復管２４とは連結され、前記往管２２に
はヒータ２６によって加温された温水がポンプ２８によ
って供給される。この温水は、往管２２から復管２４に
流れる間に研磨布１２を加温し、そして、研磨布１２と
熱交換された温水は再びヒータ２６によって加温された
後、ポンプ２８→往管２２→復管２４→ヒータ２６の順
路で循環される。
【００１２】また、前記吸着パッド１４にも同様に、往
管３０と復管３２とが内蔵されている。往管３０と復管
３２も連結され、往管３０には前記ヒータ２６によって
加温された温水がポンプ２８によって供給される。この
温水は、前記研磨布１２に供給される温水と同温度の温
水であり、往管３０から復管３２に流れる間に吸着パッ
ド１４を加温し、そして、吸着パッド１４と熱交換され
た温水は再びヒータ２６によって加温された後、ポンプ
２８→往管３０→復管３２→ヒータ２６の順路で循環さ
れる。従って、研磨布１２と吸着パッド１４とは同一の
温度に加温される。
管３０と復管３２とが内蔵されている。往管３０と復管
３２も連結され、往管３０には前記ヒータ２６によって
加温された温水がポンプ２８によって供給される。この
温水は、前記研磨布１２に供給される温水と同温度の温
水であり、往管３０から復管３２に流れる間に吸着パッ
ド１４を加温し、そして、吸着パッド１４と熱交換され
た温水は再びヒータ２６によって加温された後、ポンプ
２８→往管３０→復管３２→ヒータ２６の順路で循環さ
れる。従って、研磨布１２と吸着パッド１４とは同一の
温度に加温される。
【００１３】一方、研磨布１２には温度センサ３４が内
蔵される。この温度センサ３４は、研磨布１２の表面に
近接して埋設され、研磨中における半導体ウェーハ１６
の研磨温度を測定する。温度センサ３４で測定された温
度情報は制御部３６に出力される。前記制御部３６に
は、前述した基準温度が記憶され、この基準温度と前記
温水の温度が等しくなるように前記ヒータ２６を制御す
る。また、制御部３６は、前記基準温度と前記温度セン
サ３４から出力される研磨温度とを比較し、研磨温度が
基準温度と等しくなるように前記ヒータ２６を制御す
る。更に、制御部３６は、前記基準温度と前記スラリ１
８の温度が等しくなるように、スラリ１８側のヒータを
制御している。
蔵される。この温度センサ３４は、研磨布１２の表面に
近接して埋設され、研磨中における半導体ウェーハ１６
の研磨温度を測定する。温度センサ３４で測定された温
度情報は制御部３６に出力される。前記制御部３６に
は、前述した基準温度が記憶され、この基準温度と前記
温水の温度が等しくなるように前記ヒータ２６を制御す
る。また、制御部３６は、前記基準温度と前記温度セン
サ３４から出力される研磨温度とを比較し、研磨温度が
基準温度と等しくなるように前記ヒータ２６を制御す
る。更に、制御部３６は、前記基準温度と前記スラリ１
８の温度が等しくなるように、スラリ１８側のヒータを
制御している。
【００１４】このように構成された本実施の形態のＣＭ
Ｐ装置１０によれば、研磨布１２と吸着パッド１４とを
温水によって基準温度に調整し、且つ、スラリ１８の温
度も基準温度に調整して半導体ウェーハ１６を研磨す
る。従って、前記ＣＭＰ装置１０では、装置温度を一定
にした状態で半導体ウェーハ１６を研磨するようにした
ので、半導体ウェーハ１６の所定時間当たりの研磨量を
均一にできる。また、装置温度は基準温度に調整されて
いるので、研磨時間を短縮できると共に半導体ウェーハ
１６の平坦度の精度も向上する。
Ｐ装置１０によれば、研磨布１２と吸着パッド１４とを
温水によって基準温度に調整し、且つ、スラリ１８の温
度も基準温度に調整して半導体ウェーハ１６を研磨す
る。従って、前記ＣＭＰ装置１０では、装置温度を一定
にした状態で半導体ウェーハ１６を研磨するようにした
ので、半導体ウェーハ１６の所定時間当たりの研磨量を
均一にできる。また、装置温度は基準温度に調整されて
いるので、研磨時間を短縮できると共に半導体ウェーハ
１６の平坦度の精度も向上する。
【００１５】所定時間運転すると、ＣＭＰ装置１０は自
己発熱により温度上昇し基準温度を超える。この場合に
は、温度センサ３４からの温度情報に基づいて制御部３
６がヒータ２６を制御し、装置温度が基準温度になるよ
うに温水の温度を下げる。これにより、装置温度は基準
温度に維持される。従って、前記ＣＭＰ装置１０では、
装置温度を基準温度に制御しながら研磨を行うことがで
きるので、運転時間に左右されることなく研磨量を安定
して均一にできる。
己発熱により温度上昇し基準温度を超える。この場合に
は、温度センサ３４からの温度情報に基づいて制御部３
６がヒータ２６を制御し、装置温度が基準温度になるよ
うに温水の温度を下げる。これにより、装置温度は基準
温度に維持される。従って、前記ＣＭＰ装置１０では、
装置温度を基準温度に制御しながら研磨を行うことがで
きるので、運転時間に左右されることなく研磨量を安定
して均一にできる。
【００１６】図２は半導体ウェーハ１６の加温装置の断
面図である。この加温装置３８は、基準温度に調整され
た純水を使用して、研磨前の半導体ウェーハ１６を予め
基準温度に加温しておくものである。前記半導体ウェー
ハ１６は、断面凹状のホルダ４０上に載置され、ホルダ
４０の下部中央部に形成された噴射口４２、及びホルダ
４０の上方に設置されたノズル４４から噴き出される前
記純水４６によって基準温度に加温される。そして、こ
の半導体ウェーハ１６は、前段の半導体ウェーハ１６の
研磨終了後にＣＭＰ装置１０にセットされて研磨され
る。
面図である。この加温装置３８は、基準温度に調整され
た純水を使用して、研磨前の半導体ウェーハ１６を予め
基準温度に加温しておくものである。前記半導体ウェー
ハ１６は、断面凹状のホルダ４０上に載置され、ホルダ
４０の下部中央部に形成された噴射口４２、及びホルダ
４０の上方に設置されたノズル４４から噴き出される前
記純水４６によって基準温度に加温される。そして、こ
の半導体ウェーハ１６は、前段の半導体ウェーハ１６の
研磨終了後にＣＭＰ装置１０にセットされて研磨され
る。
【００１７】このように、本実施の形態では、研磨前の
半導体ウェーハ１６を予め基準温度に加温し、半導体ウ
ェーハ１６の温度と装置温度とを等しくして研磨するよ
うにしたので、研磨量を確実に均一にできる。本実施の
形態では、研磨布１２と吸着パッドの温度調整手段とし
て水を使用したが、研磨布１２に供給しているスラリを
使用しても良い。即ち、スラリのタンクから温度調整さ
れたスラリを使用すれば、温水用のヒータ２６が不要に
なり装置が簡素化する。
半導体ウェーハ１６を予め基準温度に加温し、半導体ウ
ェーハ１６の温度と装置温度とを等しくして研磨するよ
うにしたので、研磨量を確実に均一にできる。本実施の
形態では、研磨布１２と吸着パッドの温度調整手段とし
て水を使用したが、研磨布１２に供給しているスラリを
使用しても良い。即ち、スラリのタンクから温度調整さ
れたスラリを使用すれば、温水用のヒータ２６が不要に
なり装置が簡素化する。
【００１８】図２は、本発明の第２の実施の形態であ
り、図１に示した往管２２と復管２４とを研磨布１２の
外周部に固着して研磨布１２の温度調整を行うと共に、
往管３０と復管３２とを吸着パッド１４の外周部に固着
して吸着パッド１４の温度調整を行うようにしたもので
ある。この第２の実施の形態も第１の実施の形態と同様
に、半導体ウェーハ１６の所定時間当たりの研磨量を均
一にできる。
り、図１に示した往管２２と復管２４とを研磨布１２の
外周部に固着して研磨布１２の温度調整を行うと共に、
往管３０と復管３２とを吸着パッド１４の外周部に固着
して吸着パッド１４の温度調整を行うようにしたもので
ある。この第２の実施の形態も第１の実施の形態と同様
に、半導体ウェーハ１６の所定時間当たりの研磨量を均
一にできる。
【００１９】図３は、本発明の第３の実施の形態であ
り、研磨布１２の外周部にヒータ４８を固着して研磨布
１２の温度を基準温度に制御すると共に、吸着パッド１
４の外周部にヒータ５０を固着して吸着パッド１４の温
度を基準温度に制御するようにしたものである。この第
３の実施の形態でも、半導体ウェーハ１６の所定時間当
たりの研磨量を均一にできる。
り、研磨布１２の外周部にヒータ４８を固着して研磨布
１２の温度を基準温度に制御すると共に、吸着パッド１
４の外周部にヒータ５０を固着して吸着パッド１４の温
度を基準温度に制御するようにしたものである。この第
３の実施の形態でも、半導体ウェーハ１６の所定時間当
たりの研磨量を均一にできる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体ウェ
ーハの研磨装置によれば、半導体ウェーハの吸着ヘッド
と、研磨布と、スラリとを半導体ウェーハの研磨効率が
最大となる所定の温度に制御しながら半導体ウェーハを
研磨するようにしたので、半導体ウェーハの所定時間当
たりの研磨量を均一にできる。
ーハの研磨装置によれば、半導体ウェーハの吸着ヘッド
と、研磨布と、スラリとを半導体ウェーハの研磨効率が
最大となる所定の温度に制御しながら半導体ウェーハを
研磨するようにしたので、半導体ウェーハの所定時間当
たりの研磨量を均一にできる。
【００２１】また、本発明によれば、研磨前の半導体ウ
ェーハを前記所定の温度に予め加温し、半導体ウェーハ
の温度と装置温度とを等しくして研磨するようにしたの
で、研磨量を確実に均一にできる。
ェーハを前記所定の温度に予め加温し、半導体ウェーハ
の温度と装置温度とを等しくして研磨するようにしたの
で、研磨量を確実に均一にできる。
【図１】本発明の半導体ウェーハの研磨装置が適用され
たＣＭＰマシンの要部構造図
たＣＭＰマシンの要部構造図
【図２】半導体ウェーハ用ヒータの断面図
【図３】半導体ウェーハの研磨装置の第２の実施の形態
を示す要部構造図
を示す要部構造図
【図４】半導体ウェーハの研磨装置の第３の実施の形態
を示す要部構造図
を示す要部構造図
１０…ＣＭＰ装置 １２…研磨布 １４…吸着パッド １６…半導体ウェーハ ２２、３０…往管 ２４、３２…復管 ２６、４８、５０…ヒータ ２８…ポンプ ３４…温度センサ ３６…制御部 ４０…ホルダ
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウェーハを研磨布に押し付けると共
に、半導体ウェーハと研磨布との間にスラリを供給して
半導体ウェーハを研磨する半導体ウェーハの研磨装置に
於いて、 前記半導体ウェーハを吸着保持する吸着ヘッドと、前記
研磨布と、前記スラリとの温度を制御しながら半導体ウ
ェーハを研磨することを特徴とする半導体ウェーハの研
磨装置。 - 【請求項２】研磨前の前記半導体ウェーハを、所定の温
度に予め加温して研磨するようにしたことを特徴とする
請求項１記載の半導体ウェーハの研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30932095A JPH09150351A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 半導体ウェーハの研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30932095A JPH09150351A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 半導体ウェーハの研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09150351A true JPH09150351A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=17991603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30932095A Pending JPH09150351A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 半導体ウェーハの研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09150351A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000076723A1 (en) * | 1999-06-15 | 2000-12-21 | Ibiden Co., Ltd. | Table of wafer polisher, method of polishing wafer, and method of manufacturing semiconductor wafer |
| JP2001212751A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-08-07 | Applied Materials Inc | 固定研磨剤製品の熱的な予備状態調整 |
| JP2002540611A (ja) * | 1999-03-29 | 2002-11-26 | ラム リサーチ コーポレイション | 化学機械研磨中の処理温度を安定させる方法及び装置 |
| JP2022535701A (ja) * | 2019-05-29 | 2022-08-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｃｍｐ構成要素の予熱又は洗浄のための水蒸気の使用 |
| US12459011B2 (en) | 2019-05-29 | 2025-11-04 | Applied Materials, Inc. | Steam treatment stations for chemical mechanical polishing system |
-
1995
- 1995-11-28 JP JP30932095A patent/JPH09150351A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002540611A (ja) * | 1999-03-29 | 2002-11-26 | ラム リサーチ コーポレイション | 化学機械研磨中の処理温度を安定させる方法及び装置 |
| WO2000076723A1 (en) * | 1999-06-15 | 2000-12-21 | Ibiden Co., Ltd. | Table of wafer polisher, method of polishing wafer, and method of manufacturing semiconductor wafer |
| US7040963B1 (en) | 1999-06-15 | 2006-05-09 | Ibiden Co., Ltd. | Table of wafer polishing apparatus, method for polishing semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer |
| JP2001212751A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-08-07 | Applied Materials Inc | 固定研磨剤製品の熱的な予備状態調整 |
| JP2022535701A (ja) * | 2019-05-29 | 2022-08-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｃｍｐ構成要素の予熱又は洗浄のための水蒸気の使用 |
| US12459011B2 (en) | 2019-05-29 | 2025-11-04 | Applied Materials, Inc. | Steam treatment stations for chemical mechanical polishing system |
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