JPH0659623B2 - ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置 - Google Patents
ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置Info
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- JPH0659623B2 JPH0659623B2 JP59054256A JP5425684A JPH0659623B2 JP H0659623 B2 JPH0659623 B2 JP H0659623B2 JP 59054256 A JP59054256 A JP 59054256A JP 5425684 A JP5425684 A JP 5425684A JP H0659623 B2 JPH0659623 B2 JP H0659623B2
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- polishing
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/015—Temperature control
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ウェハの研磨方法および装置に係り、特にS
i,GGG,GaAsなどのウエハの片面を保持し、他方の面を研
磨するものにおいて、加工面の平面度の向上を志向した
ウエハの研磨方法および装置に関するものである。
i,GGG,GaAsなどのウエハの片面を保持し、他方の面を研
磨するものにおいて、加工面の平面度の向上を志向した
ウエハの研磨方法および装置に関するものである。
まず、従来のウエハの研磨装置とこれによる研磨方法を
説明する。
説明する。
第１図は、従来のウエハの研磨装置を示す略示側面図、
第２図は、第１図における保持具の詳細側面図、第３図
は、保持具の他の例を示す部分断面図である。
第２図は、第１図における保持具の詳細側面図、第３図
は、保持具の他の例を示す部分断面図である。
第１図において、５は表面にポリシングクロス４を接着
した回転定盤であり、この回転定盤５は、その回転駆動
軸5aのまわりに回転駆動される。１はポリシングクロス
４と対向する面にウエハ２を接着剤３で接着（たとえば
４枚接着）したステンレス材や、セラミック材などの耐
食性の材料で製作された保持具である。７は研磨剤であ
る。
した回転定盤であり、この回転定盤５は、その回転駆動
軸5aのまわりに回転駆動される。１はポリシングクロス
４と対向する面にウエハ２を接着剤３で接着（たとえば
４枚接着）したステンレス材や、セラミック材などの耐
食性の材料で製作された保持具である。７は研磨剤であ
る。
なお、1Aは保持具の他の例で、この保持具1Aは、ウエハ
２を真空手段６によって吸着しているものである。
２を真空手段６によって吸着しているものである。
このように構成した研磨装置を使用して、保持具１（あ
るいは1A）を加圧支持板（図示せず）によってポリシン
グクロス４へ押圧し、研磨剤７を供給しながらウエハ２
を研磨すると、該ウエハ２の加工面が凹形状になり、平
面度が悪いという欠点があった。
るいは1A）を加圧支持板（図示せず）によってポリシン
グクロス４へ押圧し、研磨剤７を供給しながらウエハ２
を研磨すると、該ウエハ２の加工面が凹形状になり、平
面度が悪いという欠点があった。
本発明は、上記した従来技術の欠点を除去して、加工面
の平面度が優れたウエハの研磨方法およびこの実施に直
接使用される研磨装置の提供を、その目的とするもので
ある。
の平面度が優れたウエハの研磨方法およびこの実施に直
接使用される研磨装置の提供を、その目的とするもので
ある。
本発明に係るウェハの研磨方法の構成は、保持具に保持
されたウェハを、表面にポリシングクロスを接着して回
転駆動される回転定盤の前記ポリシングクロスに押圧し
ながら研磨剤を供給することによって前記ウェハを研磨
するメカノケミカルポリシング加工方法において、研磨
中に前記ウェハの少なくとも中心部と周辺部との温度を
検出し、該検出した温度を予め設定した温度と比較し、
該比較した結果に基づいて前記保持具の温度を制御して
前記ウェハを所定の温度および温度分布を均一に維持す
るようにしたものである。
されたウェハを、表面にポリシングクロスを接着して回
転駆動される回転定盤の前記ポリシングクロスに押圧し
ながら研磨剤を供給することによって前記ウェハを研磨
するメカノケミカルポリシング加工方法において、研磨
中に前記ウェハの少なくとも中心部と周辺部との温度を
検出し、該検出した温度を予め設定した温度と比較し、
該比較した結果に基づいて前記保持具の温度を制御して
前記ウェハを所定の温度および温度分布を均一に維持す
るようにしたものである。
また、前記保持具の温度は、前記保持具内部に穿設され
た流路を流れる流体によって制御され、前記検出した結
果に基づいて、前記少なくとも中心部と周辺部との検出
温度及びそれぞれの検出温度の差を、予め設定した設定
温度及び設定温度差と比較し、前記流体の温度及び流量
を、前記検出温度の差が前記設定温度差より大きい場合
は前記流量を増やし、前記検出温度の差が前記設定温度
差より小さい場合は前記流量をそのままにし、前記検出
温度が前記設定温度より高い場合は前記温度を下げ、前
記検出温度が前記設定温度より低くかつ前記検出温度の
差が前記設定温度差より大きい場合は前記温度をそのま
まにし、前記検出温度が前記設定温度より低くかつ前記
検出温度の差が前記設定温度差より小さい場合は前記温
度を上げることにより、前記ウェハを所定の温度および
温度分布を均一にするようにしたものである。
た流路を流れる流体によって制御され、前記検出した結
果に基づいて、前記少なくとも中心部と周辺部との検出
温度及びそれぞれの検出温度の差を、予め設定した設定
温度及び設定温度差と比較し、前記流体の温度及び流量
を、前記検出温度の差が前記設定温度差より大きい場合
は前記流量を増やし、前記検出温度の差が前記設定温度
差より小さい場合は前記流量をそのままにし、前記検出
温度が前記設定温度より高い場合は前記温度を下げ、前
記検出温度が前記設定温度より低くかつ前記検出温度の
差が前記設定温度差より大きい場合は前記温度をそのま
まにし、前記検出温度が前記設定温度より低くかつ前記
検出温度の差が前記設定温度差より小さい場合は前記温
度を上げることにより、前記ウェハを所定の温度および
温度分布を均一にするようにしたものである。
また、本発明に係るウェハの研磨装置の構成は、ウェハ
を保持する保持手段と、表面にポリシングクロスを接着
した回転定盤手段と、前記回転定盤手段を回転駆動する
回転駆動手段と、研磨剤供給手段とから成り、前記回転
駆動手段で回転駆動される前記回転定盤手段の前記ポリ
シングクロスに前記ウェハを前記保持手段で押圧しなが
ら前記研磨剤供給手段から研磨剤を供給することによっ
て前記ウェハを研磨するメカノケミカルポリシング加工
装置において、前記保持手段は前記ウェハの少なくとも
中心部と周辺部との温度を検出する温度検出手段を埋設
し、かつ前記保持手段は前記ウェハの温度を調整する流
体の流路手段を有し、前記流路手段に接続する流体供給
手段と、前記温度検出手段で検出した結果を予め設定し
た温度と比較して前記流体供給手段から前記流路手段に
供給する前記流体の温度及び流量を制御する制御手段と
を具備するようにしたものである。
を保持する保持手段と、表面にポリシングクロスを接着
した回転定盤手段と、前記回転定盤手段を回転駆動する
回転駆動手段と、研磨剤供給手段とから成り、前記回転
駆動手段で回転駆動される前記回転定盤手段の前記ポリ
シングクロスに前記ウェハを前記保持手段で押圧しなが
ら前記研磨剤供給手段から研磨剤を供給することによっ
て前記ウェハを研磨するメカノケミカルポリシング加工
装置において、前記保持手段は前記ウェハの少なくとも
中心部と周辺部との温度を検出する温度検出手段を埋設
し、かつ前記保持手段は前記ウェハの温度を調整する流
体の流路手段を有し、前記流路手段に接続する流体供給
手段と、前記温度検出手段で検出した結果を予め設定し
た温度と比較して前記流体供給手段から前記流路手段に
供給する前記流体の温度及び流量を制御する制御手段と
を具備するようにしたものである。
また、本発明に係るウエハの研磨装置の構成は、表面に
ポリシングクロスを接着した回転定盤を、その回転駆動
軸のまわりに回転させ、前記ポリシングクロスと対向す
る面にウエハを保持した保持具を加圧支持板によって前
記ポリシングクロスへ押圧し、研磨剤を供給しながら前
記ウエハを研磨するウエハの研磨装置において、保持具
にウエハの加工面の温度分布を検出する温度センサと、
この温度センサによる検出温度を外部へ取出すためのス
リップリングとを装着せしめるとともに、前記ウエハの
加工面近傍へ水を供給するための流体供給孔を穿設し、
前記スリップリングから取出した検出温度，検出温度差
と予め設定した絶対温度，温度差とを比較し、前記加工
面の温度をほぼ均一にするための前記供給水の温度と流
量とを演算する制御装置と、この制御装置から指令され
た温度，流量の水を前記流体供給孔へ供給することがで
きる恒温水供給装置とを具備するようにしたものであ
る。
ポリシングクロスを接着した回転定盤を、その回転駆動
軸のまわりに回転させ、前記ポリシングクロスと対向す
る面にウエハを保持した保持具を加圧支持板によって前
記ポリシングクロスへ押圧し、研磨剤を供給しながら前
記ウエハを研磨するウエハの研磨装置において、保持具
にウエハの加工面の温度分布を検出する温度センサと、
この温度センサによる検出温度を外部へ取出すためのス
リップリングとを装着せしめるとともに、前記ウエハの
加工面近傍へ水を供給するための流体供給孔を穿設し、
前記スリップリングから取出した検出温度，検出温度差
と予め設定した絶対温度，温度差とを比較し、前記加工
面の温度をほぼ均一にするための前記供給水の温度と流
量とを演算する制御装置と、この制御装置から指令され
た温度，流量の水を前記流体供給孔へ供給することがで
きる恒温水供給装置とを具備するようにしたものであ
る。
実施例の説明に入るまえに、本発明に係る基本的事項を
第４，５図を用いて説明する。
第４，５図を用いて説明する。
第４図は、研磨中におけるウエハの加工面の温度分布測
定用の保持具を示す要部断面図、第５図は、第４図に係
る保持具によって測定したウエハの加工面の温度を示す
加工時間−温度線図である。
定用の保持具を示す要部断面図、第５図は、第４図に係
る保持具によって測定したウエハの加工面の温度を示す
加工時間−温度線図である。
本発明者等は、第４図に示す保持具1Bを製作し、この保
持具1Bを使用して、研磨中におけるウエハ２の加工面の
温度分布を測定した。
持具1Bを使用して、研磨中におけるウエハ２の加工面の
温度分布を測定した。
この第４図において、８は保持具1Bの半径方向のいろい
ろの位置に穿設した測定孔に埋設されたウエハ２の加工
面の温度を検出するための温度センサ、９は、これらの
温度センサ８による検出温度を外部へ取出すためのスリ
ップリング、10はこのスリップリング９と前記各温度セ
ンサ８とを接続する配線である。
ろの位置に穿設した測定孔に埋設されたウエハ２の加工
面の温度を検出するための温度センサ、９は、これらの
温度センサ８による検出温度を外部へ取出すためのスリ
ップリング、10はこのスリップリング９と前記各温度セ
ンサ８とを接続する配線である。
また、ａはウエハ２の中央部、ｂ，ｃはウエハ２の周辺
部である。
部である。
ウエハ２の加工面の温度変化は、第５図に示すようにな
り、中央部ａの温度の方が周辺部ｂ，ｃよりも約１℃高
いことがわかった。この温度分布がウェハ２のメカノケ
ミカルポリシング（ここで、メカノケミカルポリシング
は、微細砥粒を分散したメカニカル作用とケミカル作用
の複合した作用を有する研磨剤によって研磨する加工法
を示す）におけるケミカル作用に影響し、温度の高い中
央部ａの研磨能率が増大し、ウエハ２の中央部ａが周辺
部ｂ，ｃよりも研磨量が多くなり、加工面が凹形状にな
ることがわかった。
り、中央部ａの温度の方が周辺部ｂ，ｃよりも約１℃高
いことがわかった。この温度分布がウェハ２のメカノケ
ミカルポリシング（ここで、メカノケミカルポリシング
は、微細砥粒を分散したメカニカル作用とケミカル作用
の複合した作用を有する研磨剤によって研磨する加工法
を示す）におけるケミカル作用に影響し、温度の高い中
央部ａの研磨能率が増大し、ウエハ２の中央部ａが周辺
部ｂ，ｃよりも研磨量が多くなり、加工面が凹形状にな
ることがわかった。
したがって、ウエハ２を均一に研磨し、平面度の優れた
加工面を得るためには、ウエハ２の加工面の温度分布を
均一にする必要がある。
加工面を得るためには、ウエハ２の加工面の温度分布を
均一にする必要がある。
以下、本発明を実施例によって説明する。
第６図は、本発明の一実施例に係るウエハの研磨方法の
実施に供せられる研磨装置の一例を示す略示側面図、第
７図は、第６図における保持具の詳細を示す要部縦断面
図、第８図は、第７図のVIII−VIII矢視断面図である。
第６図において、第１図と同一番号を付したものは同一
部分である。
実施に供せられる研磨装置の一例を示す略示側面図、第
７図は、第６図における保持具の詳細を示す要部縦断面
図、第８図は、第７図のVIII−VIII矢視断面図である。
第６図において、第１図と同一番号を付したものは同一
部分である。
この研磨装置の概要を説明すると、1Cは、ウエハ２の加
工面の温度分布を検出する温度センサ８と、この温度セ
ンサ８による検出温度を外部へ取出すためのスリップリ
ング９とを装着するとともに、ウエハ２の加工面近傍へ
冷却水16を供給するための流体供給孔11を穿設した保持
具である。12は、この保持具1Cのスリップリング９から
取出した検出温度，検出温度差と予め設定した絶対温
度，温度差とを比較し、前記加工面の温度をほぼ均一に
するための前記冷却水16の供給温度，流量を演算する制
御装置である。13は、この制御装置12から指令された温
度，流量の冷却水16を流体供給孔11へ供給することがで
きる貯水タンクを内蔵した恒温水供給装置である。
工面の温度分布を検出する温度センサ８と、この温度セ
ンサ８による検出温度を外部へ取出すためのスリップリ
ング９とを装着するとともに、ウエハ２の加工面近傍へ
冷却水16を供給するための流体供給孔11を穿設した保持
具である。12は、この保持具1Cのスリップリング９から
取出した検出温度，検出温度差と予め設定した絶対温
度，温度差とを比較し、前記加工面の温度をほぼ均一に
するための前記冷却水16の供給温度，流量を演算する制
御装置である。13は、この制御装置12から指令された温
度，流量の冷却水16を流体供給孔11へ供給することがで
きる貯水タンクを内蔵した恒温水供給装置である。
前記保持具1Cを詳細に説明すると、この保持具1Cは、回
転部19と固定部18とからなり、両者はメカニカルシール
17によって接続されており、固定部18で加圧支持板14を
介してベース15に固定されている。前記回転部19の、回
転定盤５のポリシングクロスと対向する面には４枚のウ
エハ２が接着されており、ウエハ２の中央部ａ，周辺部
ｂ，ｃに対向して該ウエハ２の加工面の温度を検出する
ための温度センサ８が埋設されている。また、回転部19
には、ウエハ２と同心円状に流体供給孔11が穿設されて
おり、これらの流体供給孔11は半径方向の流路によって
互いに連通している。そして、冷却水16は、往き流路20
を経てウエハ２の中央部の流体供給孔11へ供給され、次
第に周辺側へ流れ、戻り流路21を経て恒温水供給装置13
へ戻るようになっている。
転部19と固定部18とからなり、両者はメカニカルシール
17によって接続されており、固定部18で加圧支持板14を
介してベース15に固定されている。前記回転部19の、回
転定盤５のポリシングクロスと対向する面には４枚のウ
エハ２が接着されており、ウエハ２の中央部ａ，周辺部
ｂ，ｃに対向して該ウエハ２の加工面の温度を検出する
ための温度センサ８が埋設されている。また、回転部19
には、ウエハ２と同心円状に流体供給孔11が穿設されて
おり、これらの流体供給孔11は半径方向の流路によって
互いに連通している。そして、冷却水16は、往き流路20
を経てウエハ２の中央部の流体供給孔11へ供給され、次
第に周辺側へ流れ、戻り流路21を経て恒温水供給装置13
へ戻るようになっている。
このように構成した研磨装置によるウエハの研磨動作を
説明する。
説明する。
保持具1Cにウエハ２を接着し、これを回転定盤５上にセ
ットし、さらに加圧支持板14によって該保持具1Cをポリ
シングクロス４へ押圧した状態で支持する。制御装置12
に予め絶対温度，温度差および研磨時間を設定する。
ットし、さらに加圧支持板14によって該保持具1Cをポリ
シングクロス４へ押圧した状態で支持する。制御装置12
に予め絶対温度，温度差および研磨時間を設定する。
ここで研磨装置をONにすると、回転定盤５がその回転駆
動軸5aによって矢印方向へ回転し、ポリシングクロス４
上へ研磨剤７が供給される。恒温水供給装置13から、冷
却水16が保持具1Cの往き回路20を経て流体供給孔11へ供
給され、戻り流路21を経て再び恒温水供給装置13へ戻っ
て循環する。ウエハ２の中央部ａ，周辺部ｂ，ｃの温度
が温度センサ８によって検出され、スリップリング９を
経て制御装置12へ入力される。この制御装置12では、検
出温度，検出温度差と設定絶対温度，温度差とが比較
（間けつ的に、たとえば１分毎に比較）される。そし
て、検出温度差が設定温度差よりも大きく、且つ検出
温度が設定絶対温度よりも高い場合には、現状よりも冷
却水の温度を下げ、流量を多くする、検出温度差が設
定温度差よりも大きく、検出温度が設定絶対温度よりも
低い場合には、冷却水の温度を維持し、流量を現状より
も多くする、検出温度差が設定温度差以内で、検出温
度が設定絶対温度よりも高い場合には、冷却水の温度を
下げ、流量を維持する、検出温度差が設定温度差以内
で、検出温度が設定絶対温度より低い場合には冷却水の
温度を上げ、流量を維持する、という結果が演算され、
この演算結果が恒温水供給装置13へ指令される。この恒
温水供給装置13からは、指令された温度，流量の冷却水
16が保持具1Cの流体供給孔11へ供給され、ウエハ２の加
工面の温度分布は均一となるので、該加工面が均一に研
磨される。そして設定時間経過後に研磨装置がOFFにな
り、ウエハ２の研磨が終了する。
動軸5aによって矢印方向へ回転し、ポリシングクロス４
上へ研磨剤７が供給される。恒温水供給装置13から、冷
却水16が保持具1Cの往き回路20を経て流体供給孔11へ供
給され、戻り流路21を経て再び恒温水供給装置13へ戻っ
て循環する。ウエハ２の中央部ａ，周辺部ｂ，ｃの温度
が温度センサ８によって検出され、スリップリング９を
経て制御装置12へ入力される。この制御装置12では、検
出温度，検出温度差と設定絶対温度，温度差とが比較
（間けつ的に、たとえば１分毎に比較）される。そし
て、検出温度差が設定温度差よりも大きく、且つ検出
温度が設定絶対温度よりも高い場合には、現状よりも冷
却水の温度を下げ、流量を多くする、検出温度差が設
定温度差よりも大きく、検出温度が設定絶対温度よりも
低い場合には、冷却水の温度を維持し、流量を現状より
も多くする、検出温度差が設定温度差以内で、検出温
度が設定絶対温度よりも高い場合には、冷却水の温度を
下げ、流量を維持する、検出温度差が設定温度差以内
で、検出温度が設定絶対温度より低い場合には冷却水の
温度を上げ、流量を維持する、という結果が演算され、
この演算結果が恒温水供給装置13へ指令される。この恒
温水供給装置13からは、指令された温度，流量の冷却水
16が保持具1Cの流体供給孔11へ供給され、ウエハ２の加
工面の温度分布は均一となるので、該加工面が均一に研
磨される。そして設定時間経過後に研磨装置がOFFにな
り、ウエハ２の研磨が終了する。
以上説明した実施例によれば、研磨中におけるウエハ２
の加工面の表面温度を均一に保つことができるのでメカ
ノケミカルポリシングの研磨能率を該加工面内で均一に
でき、平面度を大幅に向上させることができるという効
果がある。
の加工面の表面温度を均一に保つことができるのでメカ
ノケミカルポリシングの研磨能率を該加工面内で均一に
でき、平面度を大幅に向上させることができるという効
果がある。
なお、本実施例においては、研磨装置のスタート時から
冷却水16を供給するようにしたが、研磨の初期には、恒
温水供給装置13から保持具1Cの流体供給孔11へ高温水
（たとえば40〜60℃の高温水）を供給するようにすれ
ば、ウエハ２の加工面の表面温度が上昇し、メカノケミ
カルポリシングの研磨能率が冷却水を供給した場合より
も約２倍向上するという効果がある。
冷却水16を供給するようにしたが、研磨の初期には、恒
温水供給装置13から保持具1Cの流体供給孔11へ高温水
（たとえば40〜60℃の高温水）を供給するようにすれ
ば、ウエハ２の加工面の表面温度が上昇し、メカノケミ
カルポリシングの研磨能率が冷却水を供給した場合より
も約２倍向上するという効果がある。
以上詳細に説明したように本発明によれば、ウエハ研磨
加工面の平面度に大きな影響を与える研磨加工中のウエ
ハ面内の温度分布を研磨加工中に測定して、ウエハの温
度を調整する流体の温度及び流量を制御することによ
り、研磨加工中のウエハの中心部と周辺部との温度差を
１℃以下に調整できるようにしたので、加工面の平面度
の優れたウエハが得られるようになった。
加工面の平面度に大きな影響を与える研磨加工中のウエ
ハ面内の温度分布を研磨加工中に測定して、ウエハの温
度を調整する流体の温度及び流量を制御することによ
り、研磨加工中のウエハの中心部と周辺部との温度差を
１℃以下に調整できるようにしたので、加工面の平面度
の優れたウエハが得られるようになった。
第１図は、従来のウエハの研磨装置を示す略示側面図、
第２図は、第１図における保持具の詳細側面図、第３図
は、保持具の他の例を示す部分断面図、第４図は、研磨
中におけるウエハの加工面の温度分布測定用の保持具を
示す要部断面図、第５図は、第４図に係る保持具によっ
て測定したウエハの加工面の温度を示す加工時間−温度
線図、第６図は本発明の一実施例に係るウエハの研磨方
法の実施に供せられる研磨装置の一例を示す略示側面
図、第７図は、第６図における保持具の詳細を示す要部
縦断面図、第８図は、第７図のVIII−VIII矢視断面図で
ある。 1C……保持具、 ２……ウエハ ４……ポリシングクロス、 ５……回転定盤、 5a……回転駆動軸、 ７……研磨剤、 ８……温度センサ、 ９……スリップリング、 11……流体供給孔、 12……制御装置、 13……恒温水供給装置、 14……加圧支持板、 16……冷却水、 ａ……中央部、 b,c……周辺部。
第２図は、第１図における保持具の詳細側面図、第３図
は、保持具の他の例を示す部分断面図、第４図は、研磨
中におけるウエハの加工面の温度分布測定用の保持具を
示す要部断面図、第５図は、第４図に係る保持具によっ
て測定したウエハの加工面の温度を示す加工時間−温度
線図、第６図は本発明の一実施例に係るウエハの研磨方
法の実施に供せられる研磨装置の一例を示す略示側面
図、第７図は、第６図における保持具の詳細を示す要部
縦断面図、第８図は、第７図のVIII−VIII矢視断面図で
ある。 1C……保持具、 ２……ウエハ ４……ポリシングクロス、 ５……回転定盤、 5a……回転駆動軸、 ７……研磨剤、 ８……温度センサ、 ９……スリップリング、 11……流体供給孔、 12……制御装置、 13……恒温水供給装置、 14……加圧支持板、 16……冷却水、 ａ……中央部、 b,c……周辺部。
Claims (3)
- 【請求項１】保持具に保持されたウェハを、表面にポリ
シングクロスを接着して回転駆動される回転定盤の前記
ポリシングクロスに押圧しながら研磨剤を供給すること
によって前記ウェハを研磨するメカノケミカルポリシン
グ加工方法において、研磨中に前記ウェハの少なくとも
中心部と周辺部との温度を検出し、該検出した温度を予
め設定した温度と比較し、該比較した結果に基づいて前
記保持具の温度を制御して前記ウェハを所定の温度およ
び温度分布を均一に維持することを特徴とするウェハの
メカノケミカルポリシング加工方法。 - 【請求項２】前記保持具の温度は、前記保持具内部に穿
設された流路を流れる流体によって制御され、前記検出
した結果に基づいて、前記少なくとも中心部と周辺部と
の検出温度及びそれぞれの検出温度の差を、予め設定し
た設定温度及び設定温度差と比較し、前記流体の温度及
び流量を、前記検出温度の差が前記設定温度差より大き
い場合は前記流量を増やし、前記検出温度の差が前記設
定温度差より小さい場合は前記流量をそのままにし、前
記検出温度が前記設定温度より高い場合は前記温度を下
げ、前記検出温度が前記設定温度より低くかつ前記検出
温度の差が前記設定温度差より大きい場合は前記温度を
そのままにし、前記検出温度が前記設定温度より低くか
つ前記検出温度の差が前記設定温度差より小さい場合は
前記温度を上げることにより、前記ウェハを所定の温度
および温度分布を均一に維持することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のウェハのメカノケミカルポリシ
ング加工方法。 - 【請求項３】ウェハを保持する保持手段と、表面にポリ
シングクロスを接着した回転定盤手段と、前記回転定盤
手段を回転駆動する回転駆動手段と、研磨剤供給手段と
から成り、前記回転駆動手段で回転駆動される前記回転
定盤手段の前記ポリシングクロスに前記ウェハを前記保
持手段で押圧しながら前記研磨剤供給手段から研磨剤を
供給することによって前記ウェハを研磨するメカノケミ
カルポリシング加工装置において、前記保持手段は前記
ウェハの少なくとも中心部と周辺部との温度を検出する
温度検出手段を埋設し、かつ前記保持手段は前記ウェハ
の温度を調整する流体の流路手段を有し、前記流路手段
に接続する流体供給手段と、前記温度検出手段で検出し
た結果を予め設定した温度と比較して前記流体供給手段
から前記流路手段に供給する前記流体の温度及び流量を
制御する制御手段とを備えたことを特徴とするウェハの
メカノケミカルポリシング加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054256A JPH0659623B2 (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054256A JPH0659623B2 (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201868A JPS60201868A (ja) | 1985-10-12 |
| JPH0659623B2 true JPH0659623B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=12965474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59054256A Expired - Lifetime JPH0659623B2 (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0659623B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| AU637087B2 (en) * | 1989-03-24 | 1993-05-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| DE19748020A1 (de) * | 1997-10-30 | 1999-05-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben |
| EP1052060A3 (en) * | 1999-05-03 | 2001-04-18 | Applied Materials, Inc. | Method for chemical mechanical planarization |
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| US10199255B2 (en) * | 2016-03-10 | 2019-02-05 | Infineon Technologioes AG | Method for providing a planarizable workpiece support, a workpiece planarization arrangement, and a chuck |
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-
1984
- 1984-03-23 JP JP59054256A patent/JPH0659623B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60201868A (ja) | 1985-10-12 |
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