JPH0915249A - 集積型ｓｐｍセンサ - Google Patents
集積型ｓｐｍセンサInfo
- Publication number
- JPH0915249A JPH0915249A JP18332695A JP18332695A JPH0915249A JP H0915249 A JPH0915249 A JP H0915249A JP 18332695 A JP18332695 A JP 18332695A JP 18332695 A JP18332695 A JP 18332695A JP H0915249 A JPH0915249 A JP H0915249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cantilever
- type silicon
- silicon layer
- cantilever portion
- integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 71
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000004651 near-field scanning optical microscopy Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置の小型化が可能で且つ光検出効率を向上
させることが可能な、軟らかいカンチレバーを備えた集
積型ＳＰＭセンサを提供する。 【構成】 全面が酸化シリコン層２で覆われたＮ型シリ
コン層３からなる第２のカンチレバー部４の基端をレバ
ー支持部１に支持させると共に、該レバー支持部１に
は、自由端に探針部５を備え前記第２のカンチレバー部
４を取り囲むように形成した略Ｕ字型の窒化シリコン膜
からなる第１のカンチレバー部６の基端を支持させる。
そして第２のカンチレバー部４を構成するＮ型シリコン
層３にＮ+ 型シリコン層７とＰ型シリコン層８を形成す
ると共にＰ型シリコン層８にＰ+ 型シリコン層９を形成
し、Ｎ+ 型シリコン層７とＰ+ 型シリコン層９にコンタ
クトホール10，11を介して電極12，13を接続し、電極13
にはオペアンプ14を接続し、電極12には負の直流定電圧
電源15を接続して、集積型ＳＰＭセンサを構成する。
させることが可能な、軟らかいカンチレバーを備えた集
積型ＳＰＭセンサを提供する。 【構成】 全面が酸化シリコン層２で覆われたＮ型シリ
コン層３からなる第２のカンチレバー部４の基端をレバ
ー支持部１に支持させると共に、該レバー支持部１に
は、自由端に探針部５を備え前記第２のカンチレバー部
４を取り囲むように形成した略Ｕ字型の窒化シリコン膜
からなる第１のカンチレバー部６の基端を支持させる。
そして第２のカンチレバー部４を構成するＮ型シリコン
層３にＮ+ 型シリコン層７とＰ型シリコン層８を形成す
ると共にＰ型シリコン層８にＰ+ 型シリコン層９を形成
し、Ｎ+ 型シリコン層７とＰ+ 型シリコン層９にコンタ
クトホール10，11を介して電極12，13を接続し、電極13
にはオペアンプ14を接続し、電極12には負の直流定電圧
電源15を接続して、集積型ＳＰＭセンサを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、走査型プローブ顕微
鏡（ＳＰＭ：Scanning Probe Microscope ）に用いられ
る集積型ＳＰＭセンサに関する。
鏡（ＳＰＭ：Scanning Probe Microscope ）に用いられ
る集積型ＳＰＭセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳＰＭに属するものとして、１９
８０年代後半以降、エバネッセント波を用いることによ
り回折限界を超える分解能を有する光学顕微鏡が提案さ
れている。この顕微鏡は、近視野顕微鏡（ＳＮＯＭ：Sc
anning near field optical microscope）と呼ばれてい
る。このＳＮＯＭは、エバネッセント波が“波長より小
さい寸法の領域に局在し、自由空間を伝搬しない”とい
う特性を利用したものである。
８０年代後半以降、エバネッセント波を用いることによ
り回折限界を超える分解能を有する光学顕微鏡が提案さ
れている。この顕微鏡は、近視野顕微鏡（ＳＮＯＭ：Sc
anning near field optical microscope）と呼ばれてい
る。このＳＮＯＭは、エバネッセント波が“波長より小
さい寸法の領域に局在し、自由空間を伝搬しない”とい
う特性を利用したものである。
【０００３】ＳＮＯＭの測定原理は、まず、測定試料の
表面近傍に１波長程度以下の距離まで光ファイバーのプ
ローブを近づけて、プローブ先端の微小開口を通過する
光強度の地図を作成することによって、測定試料に対す
る解像が成されるものである。ＳＮＯＭとしてはいくつ
かの方式が提案されているが、大別すると２つの方式が
提案されている。その一つはコレクション方式と呼ば
れ、試料の下から光を照射した時に、試料を透過し試料
表面近傍に局在したエバネッセント波を、プローブを介
して検出しＳＮＯＭ像とする方式である。他の方式は、
微小開口を持ったプローブから試料に対して光を照射
し、試料を透過した光を、試料下に設置された光検出器
によって検出するという、いわゆるエミッション方式と
呼ばれる方式である。この方式は、例えば特開平４−２
９１３１０号（ＡＴ＆Ｔ；R. E. Betzig）に開示されて
いる。
表面近傍に１波長程度以下の距離まで光ファイバーのプ
ローブを近づけて、プローブ先端の微小開口を通過する
光強度の地図を作成することによって、測定試料に対す
る解像が成されるものである。ＳＮＯＭとしてはいくつ
かの方式が提案されているが、大別すると２つの方式が
提案されている。その一つはコレクション方式と呼ば
れ、試料の下から光を照射した時に、試料を透過し試料
表面近傍に局在したエバネッセント波を、プローブを介
して検出しＳＮＯＭ像とする方式である。他の方式は、
微小開口を持ったプローブから試料に対して光を照射
し、試料を透過した光を、試料下に設置された光検出器
によって検出するという、いわゆるエミッション方式と
呼ばれる方式である。この方式は、例えば特開平４−２
９１３１０号（ＡＴ＆Ｔ；R. E. Betzig）に開示されて
いる。
【０００４】更に、最近では、光ファイバーのプローブ
の代わりにカンチレバーを用いてＳＮＯＭ測定と原子間
力顕微鏡（ＡＦＭ）測定を同時に行う方法が、N. F. Va
n Hulst らにより提案されている。このＳＮＯＭは、例
えば、N. F. Van Hulst, M.H. P. Moers, O. F. J. Noo
rdman, R. G. Track, F. B. Stegerink and B. Bolger
の論文“ Near-field optical microscope using a sil
icon-nitride probe "｛ Appl. Phys. Lett. 62, 461-4
63（1993）｝に開示されている。
の代わりにカンチレバーを用いてＳＮＯＭ測定と原子間
力顕微鏡（ＡＦＭ）測定を同時に行う方法が、N. F. Va
n Hulst らにより提案されている。このＳＮＯＭは、例
えば、N. F. Van Hulst, M.H. P. Moers, O. F. J. Noo
rdman, R. G. Track, F. B. Stegerink and B. Bolger
の論文“ Near-field optical microscope using a sil
icon-nitride probe "｛ Appl. Phys. Lett. 62, 461-4
63（1993）｝に開示されている。
【０００５】更に、シリコン製のカンチレバーにフォト
ダイオードを集積化したＳＮＯＭ用光検出カンチレバー
も、第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集、21ｐ−
Ｑ−６，21ｐ−Ｑ−７に報告されている。
ダイオードを集積化したＳＮＯＭ用光検出カンチレバー
も、第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集、21ｐ−
Ｑ−６，21ｐ−Ｑ−７に報告されている。
【０００６】上記ＡＦＭとは、ＳＮＯＭと同様にＳＰＭ
に属するものであって、特開昭６２−１３０３０２号
（ＩＢＭ，Ｇ．ビニッヒ；サンプル表面の像を形成する
方法及び装置）に提案されている装置であり、自由端に
鋭い突起部分（探針部）を持つカンチレバーを、試料に
対向・近接させ、探針部の先端の原子と試料原子との間
に働く相互作用力により、変位するカンチレバーの動き
を電気的あるいは光学的にとらえて測定しつつ、試料を
ＸＹ方向に走査し、カンチレバーの探針部との位置関係
を相対的に変化させることによって、試料の凹凸情報な
どを３次元的にとらえることができるようになっている
ものである。
に属するものであって、特開昭６２−１３０３０２号
（ＩＢＭ，Ｇ．ビニッヒ；サンプル表面の像を形成する
方法及び装置）に提案されている装置であり、自由端に
鋭い突起部分（探針部）を持つカンチレバーを、試料に
対向・近接させ、探針部の先端の原子と試料原子との間
に働く相互作用力により、変位するカンチレバーの動き
を電気的あるいは光学的にとらえて測定しつつ、試料を
ＸＹ方向に走査し、カンチレバーの探針部との位置関係
を相対的に変化させることによって、試料の凹凸情報な
どを３次元的にとらえることができるようになっている
ものである。
【０００７】このＡＦＭにおいては、カンチレバーの変
位を測定する変位測定センサは、カンチレバーとは別途
に設けるのが一般的である。しかし最近では、カンチレ
バー自体に変位を測定できる機能を付加した集積型ＡＦ
Ｍセンサが、M.Tortonese らにより提案されている。こ
の集積型ＡＦＭセンサは、例えばM.Tortonese,H.Yamad
a, R.C.Barrett and C.F.Quate の論文“Atomic force
microscopy using a piezoresistive cantilever ”（T
ransducers and Sensors '91 ）や、ＰＣＴ出願ＷＯ９
２／１２３９８に開示されている。
位を測定する変位測定センサは、カンチレバーとは別途
に設けるのが一般的である。しかし最近では、カンチレ
バー自体に変位を測定できる機能を付加した集積型ＡＦ
Ｍセンサが、M.Tortonese らにより提案されている。こ
の集積型ＡＦＭセンサは、例えばM.Tortonese,H.Yamad
a, R.C.Barrett and C.F.Quate の論文“Atomic force
microscopy using a piezoresistive cantilever ”（T
ransducers and Sensors '91 ）や、ＰＣＴ出願ＷＯ９
２／１２３９８に開示されている。
【０００８】ここでカンチレバーの変位測定原理として
は、圧電抵抗効果を利用している。すなわち探針先端を
測定試料に近接させると、探針と試料間に働く相互作用
力によりカンチレバー部がたわみ、歪みを生じる。カン
チレバー部には抵抗層が積層されていて、カンチレバー
の歪みに応じてその抵抗値が変化する。従って、抵抗層
に対して電極部より定電圧を加えておけば、カンチレバ
ーの歪み量に応じて抵抗層を流れる電流が変化し、電流
の変化を検出することにより、カンチレバーの変位量を
知ることが出来る。
は、圧電抵抗効果を利用している。すなわち探針先端を
測定試料に近接させると、探針と試料間に働く相互作用
力によりカンチレバー部がたわみ、歪みを生じる。カン
チレバー部には抵抗層が積層されていて、カンチレバー
の歪みに応じてその抵抗値が変化する。従って、抵抗層
に対して電極部より定電圧を加えておけば、カンチレバ
ーの歪み量に応じて抵抗層を流れる電流が変化し、電流
の変化を検出することにより、カンチレバーの変位量を
知ることが出来る。
【０００９】このような集積型ＡＦＭセンサは、構成が
極めて簡単で小型であることから、カンチレバー側を走
査するいわゆるスタンドアロン型のＡＦＭを構成できる
ようになると期待されている。従来のＡＦＭでは試料を
ＸＹ方向に動かしてカンチレバー先端の探針との相対的
位置関係を変化させるため、試料の大きさが最大数cm程
度に限られるが、スタンドアロン型のＡＦＭは、このよ
うな試料の大きさの制限を取り除くことができるという
利点がある。
極めて簡単で小型であることから、カンチレバー側を走
査するいわゆるスタンドアロン型のＡＦＭを構成できる
ようになると期待されている。従来のＡＦＭでは試料を
ＸＹ方向に動かしてカンチレバー先端の探針との相対的
位置関係を変化させるため、試料の大きさが最大数cm程
度に限られるが、スタンドアロン型のＡＦＭは、このよ
うな試料の大きさの制限を取り除くことができるという
利点がある。
【００１０】次に、従来の集積型ＡＦＭセンサの構成例
を図７を参照して説明する。まず製造工程について説明
する。スタートウェハ100 として、図７の（Ａ）に示す
ように、レバー支持部となるシリコンウェハ110 の上に
酸化シリコンの分離層112 を介してＮ型シリコン層114
を設けたもの、例えば貼り合わせウェハを用意する。次
に、Ｎ型シリコン層114 の極表面にイオンインプランテ
ーションによりボロンＢを打ち込んでピエゾ抵抗層116
を形成し、図７の（Ｄ）に図示した形状にパターニング
した後、表面を酸化シリコン膜等の絶縁層118 で覆う。
そしてカンチレバーの固定端側にボンディング用の穴を
あけ、アルミニウムをスパッタリングして電極120 を形
成する。更に、レバー支持部となるシリコンウェハ112
の下側にレジスト層122 を形成し、このレジスト層122
をパターニングし開口を形成して、図７の（Ｂ）に示す
ような形状とする。続いて、オーミックコンタクトをと
るための熱処理をした後、レジスト層122 をマスクとし
て湿式異方性エッチングにより分離層112 までエッチン
グし、最後にフッ酸でカンチレバー部124 下部の分離層
112 をエッチングしてカンチレバー部124 を形成して、
集積型ＡＦＭセンサが完成する。その側断面図を図７の
（Ｃ）に、その上面図を図７の（Ｄ）に示す。このよう
にして作製した集積型ＡＦＭセンサにおいては、測定の
際には、２つの電極120 の間に数ボルト以下のＤＣ電圧
を印加し、カンチレバー部124 の先端を試料に接近させ
る。カンチレバー部124 の先端と試料表面の原子間に相
互作用力が働くと、カンチレバー部124 が変位する。こ
れに応じてピエゾ抵抗層116 の抵抗値が変化するため、
カンチレバー部124 の変位が２つの電極120 の間に流れ
る電流信号として得られるようになっている。
を図７を参照して説明する。まず製造工程について説明
する。スタートウェハ100 として、図７の（Ａ）に示す
ように、レバー支持部となるシリコンウェハ110 の上に
酸化シリコンの分離層112 を介してＮ型シリコン層114
を設けたもの、例えば貼り合わせウェハを用意する。次
に、Ｎ型シリコン層114 の極表面にイオンインプランテ
ーションによりボロンＢを打ち込んでピエゾ抵抗層116
を形成し、図７の（Ｄ）に図示した形状にパターニング
した後、表面を酸化シリコン膜等の絶縁層118 で覆う。
そしてカンチレバーの固定端側にボンディング用の穴を
あけ、アルミニウムをスパッタリングして電極120 を形
成する。更に、レバー支持部となるシリコンウェハ112
の下側にレジスト層122 を形成し、このレジスト層122
をパターニングし開口を形成して、図７の（Ｂ）に示す
ような形状とする。続いて、オーミックコンタクトをと
るための熱処理をした後、レジスト層122 をマスクとし
て湿式異方性エッチングにより分離層112 までエッチン
グし、最後にフッ酸でカンチレバー部124 下部の分離層
112 をエッチングしてカンチレバー部124 を形成して、
集積型ＡＦＭセンサが完成する。その側断面図を図７の
（Ｃ）に、その上面図を図７の（Ｄ）に示す。このよう
にして作製した集積型ＡＦＭセンサにおいては、測定の
際には、２つの電極120 の間に数ボルト以下のＤＣ電圧
を印加し、カンチレバー部124 の先端を試料に接近させ
る。カンチレバー部124 の先端と試料表面の原子間に相
互作用力が働くと、カンチレバー部124 が変位する。こ
れに応じてピエゾ抵抗層116 の抵抗値が変化するため、
カンチレバー部124 の変位が２つの電極120 の間に流れ
る電流信号として得られるようになっている。
【００１１】また更に、近年、カンチレバーのねじれ量
（ＬＦＭ信号）が検出できる機能を付加した集積型ＳＰ
Ｍセンサが提案されている。かかる機能をもつ集積型Ｓ
ＰＭセンサは、例えば特開平５−０６３５４７号に開示
されている。
（ＬＦＭ信号）が検出できる機能を付加した集積型ＳＰ
Ｍセンサが提案されている。かかる機能をもつ集積型Ｓ
ＰＭセンサは、例えば特開平５−０６３５４７号に開示
されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の光フ
ァイバープローブを使用したＳＮＯＭでは、プローブと
は別個に光検出機構を設けなければならず、装置の大型
化を招き、それに伴い外部の振動を受けやすく、しかも
作製が容易ではないという欠点があり、またプローブと
光検出機構との距離が離れているため、その間で光が損
失し光検出効率が悪く感度が悪くなり、更にプローブが
一度に大量に作製できないため、コストが高くなるとい
う問題点があった。一方、シリコン製カンチレバーにフ
ォトダイオードを集積化した集積型ＡＦＭセンサでは、
フォトダイオードの受光部の厚さが数μｍ必要であり、
カンチレバー自体を厚く形成しなければならず、硬いカ
ンチレバーとなって軟らかい測定試料を傷つける可能性
がある。
ァイバープローブを使用したＳＮＯＭでは、プローブと
は別個に光検出機構を設けなければならず、装置の大型
化を招き、それに伴い外部の振動を受けやすく、しかも
作製が容易ではないという欠点があり、またプローブと
光検出機構との距離が離れているため、その間で光が損
失し光検出効率が悪く感度が悪くなり、更にプローブが
一度に大量に作製できないため、コストが高くなるとい
う問題点があった。一方、シリコン製カンチレバーにフ
ォトダイオードを集積化した集積型ＡＦＭセンサでは、
フォトダイオードの受光部の厚さが数μｍ必要であり、
カンチレバー自体を厚く形成しなければならず、硬いカ
ンチレバーとなって軟らかい測定試料を傷つける可能性
がある。
【００１３】本発明は、従来の光ファイバープローブを
使用したＳＮＯＭや集積型ＡＦＭセンサにおける上記問
題点を解消するためになされたもので、請求項１記載の
発明は、装置の小型化が可能で且つ光検出効率を向上さ
せることが可能な軟らかいカンチレバーを備えた集積型
ＳＰＭセンサを提供することを目的とする。請求項２及
び３記載の発明は、半導体プロセスで容易に作製可能
で、コストの低減を図ることの可能な集積型ＳＰＭセン
サを提供することを目的とする。請求項４及び５記載の
発明は、更に簡単な半導体プロセスで作製でき、更にコ
ストの低減を図ることの可能な集積型ＳＰＭセンサを提
供することを目的とする。請求項６記載の発明は、更に
高感度化を図ることの可能な集積型ＳＰＭセンサを提供
することを目的とする。
使用したＳＮＯＭや集積型ＡＦＭセンサにおける上記問
題点を解消するためになされたもので、請求項１記載の
発明は、装置の小型化が可能で且つ光検出効率を向上さ
せることが可能な軟らかいカンチレバーを備えた集積型
ＳＰＭセンサを提供することを目的とする。請求項２及
び３記載の発明は、半導体プロセスで容易に作製可能
で、コストの低減を図ることの可能な集積型ＳＰＭセン
サを提供することを目的とする。請求項４及び５記載の
発明は、更に簡単な半導体プロセスで作製でき、更にコ
ストの低減を図ることの可能な集積型ＳＰＭセンサを提
供することを目的とする。請求項６記載の発明は、更に
高感度化を図ることの可能な集積型ＳＰＭセンサを提供
することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するため、請求項１記載の発明は、自由端に探針部を
有する第１のカンチレバー部と、該第１のカンチレバー
部の基端を支持する支持部と、前記第１のカンチレバー
部と分離して形成され、前記支持部に基端が支持された
光検出機構を有する第２のカンチレバー部と、前記光検
出機構からの信号より測定試料表面情報を出力する回路
とで集積型ＳＰＭセンサを構成するものである。
決するため、請求項１記載の発明は、自由端に探針部を
有する第１のカンチレバー部と、該第１のカンチレバー
部の基端を支持する支持部と、前記第１のカンチレバー
部と分離して形成され、前記支持部に基端が支持された
光検出機構を有する第２のカンチレバー部と、前記光検
出機構からの信号より測定試料表面情報を出力する回路
とで集積型ＳＰＭセンサを構成するものである。
【００１５】このように構成した集積型ＳＰＭセンサに
おいて、ＳＮＯＭ測定の際には、測定試料裏面からプリ
ズムを介して臨界角で光を照射し、測定試料表面近傍で
発生したエバネッセント光を、第１のカンチレバー部に
形成されている探針部で散乱し、その散乱光を第２のカ
ンチレバー部に設けた光検出機構により検知する。そし
て検知された反射光は光強度信号に変換され、この信号
に基づいて回路は測定試料の表面情報を出力する。この
ように、請求項１記載の発明においては、別個の光検出
機構を必要としないため、装置の小型化が可能となると
共に光検出効率の向上を図ることができ、また光検出機
構を有する第２のカンチレバー部と探針部を有する第１
のカンチレバー部とが分離されているため、探針部を有
する第１のカンチレバー部の厚さを薄くして軟らかくす
ることができ、軟らかい測定試料を傷つけずに測定が可
能となる。
おいて、ＳＮＯＭ測定の際には、測定試料裏面からプリ
ズムを介して臨界角で光を照射し、測定試料表面近傍で
発生したエバネッセント光を、第１のカンチレバー部に
形成されている探針部で散乱し、その散乱光を第２のカ
ンチレバー部に設けた光検出機構により検知する。そし
て検知された反射光は光強度信号に変換され、この信号
に基づいて回路は測定試料の表面情報を出力する。この
ように、請求項１記載の発明においては、別個の光検出
機構を必要としないため、装置の小型化が可能となると
共に光検出効率の向上を図ることができ、また光検出機
構を有する第２のカンチレバー部と探針部を有する第１
のカンチレバー部とが分離されているため、探針部を有
する第１のカンチレバー部の厚さを薄くして軟らかくす
ることができ、軟らかい測定試料を傷つけずに測定が可
能となる。
【００１６】請求項２記載の発明は、請求項１記載の集
積型ＳＰＭセンサにおいて、第２のカンチレバー部を半
導体材料で構成し、該カンチレバー部に半導体光センサ
を集積化するものであり、また請求項３記載の発明は、
請求項２記載の集積型ＳＰＭセンサにおいて、第２のカ
ンチレバー部に集積化した半導体光センサをシリコンフ
ォトダイオードとするものである。これにより、半導体
プロセスを利用して簡単に且つ一度に大量生産すること
が可能となり、コストの低減を図ることが可能となる。
積型ＳＰＭセンサにおいて、第２のカンチレバー部を半
導体材料で構成し、該カンチレバー部に半導体光センサ
を集積化するものであり、また請求項３記載の発明は、
請求項２記載の集積型ＳＰＭセンサにおいて、第２のカ
ンチレバー部に集積化した半導体光センサをシリコンフ
ォトダイオードとするものである。これにより、半導体
プロセスを利用して簡単に且つ一度に大量生産すること
が可能となり、コストの低減を図ることが可能となる。
【００１７】請求項４記載の発明は、請求項１〜３記載
の集積型ＳＰＭセンサにおいて、第１のカンチレバー部
を窒化シリコン膜で形成するものであり、また請求項５
記載の発明は、同じく第１のカンチレバー部をシリコン
で形成するものである。これにより、探針部を有する第
１のカンチレバー部も半導体プロセスを利用して作製で
き、特にシリコン製にすることにより窒化シリコン膜を
堆積する工程を省略でき、更に作製プロセスを簡略化で
き、コストの低減化を図ることができる。
の集積型ＳＰＭセンサにおいて、第１のカンチレバー部
を窒化シリコン膜で形成するものであり、また請求項５
記載の発明は、同じく第１のカンチレバー部をシリコン
で形成するものである。これにより、探針部を有する第
１のカンチレバー部も半導体プロセスを利用して作製で
き、特にシリコン製にすることにより窒化シリコン膜を
堆積する工程を省略でき、更に作製プロセスを簡略化で
き、コストの低減化を図ることができる。
【００１８】請求項６記載の発明は、請求項１記載の集
積型ＳＰＭセンサにおいて、第２のカンチレバー部に設
ける光検出機構を、第１のカンチレバー部に形成されて
いる探針部を囲むように配置するものである。これによ
り、光検出機構の受光面積が拡大し、反射光を多く検出
することが可能となり、更に感度を向上させることがで
きる。
積型ＳＰＭセンサにおいて、第２のカンチレバー部に設
ける光検出機構を、第１のカンチレバー部に形成されて
いる探針部を囲むように配置するものである。これによ
り、光検出機構の受光面積が拡大し、反射光を多く検出
することが可能となり、更に感度を向上させることがで
きる。
【００１９】
【実施例】次に実施例について説明する。図１は、本発
明に係る集積型ＳＰＭセンサの第１実施例を示す図で、
図２は図１におけるＡ−Ａ′線に沿った断面を示す図で
ある。両図において、１はレバー支持部で、該レバー支
持部１には全面を酸化シリコン層２で覆われたＮ型シリ
コン層３からなる第２のカンチレバー部４の基端が支持
されている。また前記レバー支持部１には、自由端に探
針部５を備え、前記第２のカンチレバー部４を取り囲む
ように配置された略Ｕ字型の窒化シリコン膜からなる第
１のカンチレバー部６の基端が支持されている。なお、
探針部５は窒化シリコンでカンチレバー部と一体的に形
成されている。また、第２のカンチレバー部４を構成す
るＮ型シリコン層３にはＮ+ 型シリコン層７とＰ型シリ
コン層８が形成されており、Ｐ型シリコン層８にはＰ+
型シリコン層９が形成されていて、前記Ｐ型シリコン層
８とＮ型シリコン層３とでＰＮフォトダイオードを構成
している。そして、Ｐ+ 型シリコン層９とＮ+ 型シリコ
ン層７には、酸化シリコン層２に形成したコンタクトホ
ール10，11を介して、アルミニウム等の電極12，13がそ
れぞれ接続されている。そして、電極12，13間には、光
を検出するために所定の逆バイアスの電圧が印加される
ようになっており、例えば、電極13には電流検出用のオ
ペアンプ14が接続されＧＮＤ電位に保たれており、電極
12には直流定電圧電源15が接続され、負の電圧が数Ｖ印
加されている。
明に係る集積型ＳＰＭセンサの第１実施例を示す図で、
図２は図１におけるＡ−Ａ′線に沿った断面を示す図で
ある。両図において、１はレバー支持部で、該レバー支
持部１には全面を酸化シリコン層２で覆われたＮ型シリ
コン層３からなる第２のカンチレバー部４の基端が支持
されている。また前記レバー支持部１には、自由端に探
針部５を備え、前記第２のカンチレバー部４を取り囲む
ように配置された略Ｕ字型の窒化シリコン膜からなる第
１のカンチレバー部６の基端が支持されている。なお、
探針部５は窒化シリコンでカンチレバー部と一体的に形
成されている。また、第２のカンチレバー部４を構成す
るＮ型シリコン層３にはＮ+ 型シリコン層７とＰ型シリ
コン層８が形成されており、Ｐ型シリコン層８にはＰ+
型シリコン層９が形成されていて、前記Ｐ型シリコン層
８とＮ型シリコン層３とでＰＮフォトダイオードを構成
している。そして、Ｐ+ 型シリコン層９とＮ+ 型シリコ
ン層７には、酸化シリコン層２に形成したコンタクトホ
ール10，11を介して、アルミニウム等の電極12，13がそ
れぞれ接続されている。そして、電極12，13間には、光
を検出するために所定の逆バイアスの電圧が印加される
ようになっており、例えば、電極13には電流検出用のオ
ペアンプ14が接続されＧＮＤ電位に保たれており、電極
12には直流定電圧電源15が接続され、負の電圧が数Ｖ印
加されている。
【００２０】このように集積型ＳＰＭセンサを構成する
ことにより、従来別個に必要としていた光検出器が不要
となり、装置の小型化が可能となる。また、この構成の
集積型ＳＰＭセンサは、図７に示した集積型ＡＦＭセン
サの製造方法と同様な手法で、半導体プロセスで作製で
きるため、バッチ処理が可能となり、コストの低減を図
ることができる。また、フォトダイオードが形成されて
いる第２のカンチレバー部４と探針部５の形成されてい
る第１のカンチレバー部６とが分離して形成されている
ため、第１のカンチレバー部６に対してフォトダイオー
ドによるカンチレバー厚の制約をなくし、カンチレバー
を薄く形成することができる。これにより、軟らかいカ
ンチレバー部をもつ集積型ＳＰＭセンサが得られる。
ことにより、従来別個に必要としていた光検出器が不要
となり、装置の小型化が可能となる。また、この構成の
集積型ＳＰＭセンサは、図７に示した集積型ＡＦＭセン
サの製造方法と同様な手法で、半導体プロセスで作製で
きるため、バッチ処理が可能となり、コストの低減を図
ることができる。また、フォトダイオードが形成されて
いる第２のカンチレバー部４と探針部５の形成されてい
る第１のカンチレバー部６とが分離して形成されている
ため、第１のカンチレバー部６に対してフォトダイオー
ドによるカンチレバー厚の制約をなくし、カンチレバー
を薄く形成することができる。これにより、軟らかいカ
ンチレバー部をもつ集積型ＳＰＭセンサが得られる。
【００２１】更に、第１のカンチレバー部６の反りを検
出する手段、例えばピエゾ抵抗層を第１のカンチレバー
部６に設けて電気的にカンチレバー部の反りを検出した
り、あるいは第１のカンチレバー部６の裏面に反射膜を
コーディングして光学的にカンチレバー部の反りを検出
するように構成することにより、ＡＦＭ・ＳＮＯＭ同時
測定が可能となる。
出する手段、例えばピエゾ抵抗層を第１のカンチレバー
部６に設けて電気的にカンチレバー部の反りを検出した
り、あるいは第１のカンチレバー部６の裏面に反射膜を
コーディングして光学的にカンチレバー部の反りを検出
するように構成することにより、ＡＦＭ・ＳＮＯＭ同時
測定が可能となる。
【００２２】なお、本実施例において、第２のカンチレ
バー部及びフォトダイオードを構成するＰ型シリコン層
とＮ型シリコン層，Ｐ+ 型シリコン層とＮ+ 型シリコン
層を、それぞれ逆に選択して構成してもよく、その場合
は印加バイアスの極性も反対にする。また、本実施例に
おいては、探針部を窒化シリコンで形成したものを示し
たが、例えば、酸化シリコン，ダイヤモンド，ＤＬＣ
等、どのような材質で構成してもよい。
バー部及びフォトダイオードを構成するＰ型シリコン層
とＮ型シリコン層，Ｐ+ 型シリコン層とＮ+ 型シリコン
層を、それぞれ逆に選択して構成してもよく、その場合
は印加バイアスの極性も反対にする。また、本実施例に
おいては、探針部を窒化シリコンで形成したものを示し
たが、例えば、酸化シリコン，ダイヤモンド，ＤＬＣ
等、どのような材質で構成してもよい。
【００２３】次に第２実施例について説明する。図３は
第２実施例を示す図で、図４は図３のＡ−Ａ′線に沿っ
た断面図であり、図１及び図２に示した第１実施例と同
一又は対応する部材には同一符号を付し、その説明は省
略する。この実施例が第１実施例と異なる点は、第１の
カンチレバー部６ａ全体をシリコンで構成し、その自由
端側にシリコン製の探針部５ａを一体的に形成している
点で、他の構成は第１実施例と同一である。
第２実施例を示す図で、図４は図３のＡ−Ａ′線に沿っ
た断面図であり、図１及び図２に示した第１実施例と同
一又は対応する部材には同一符号を付し、その説明は省
略する。この実施例が第１実施例と異なる点は、第１の
カンチレバー部６ａ全体をシリコンで構成し、その自由
端側にシリコン製の探針部５ａを一体的に形成している
点で、他の構成は第１実施例と同一である。
【００２４】このように、探針部５ａを含め第１のカン
チレバー部６ａをシリコンで形成しているので、第２の
カンチレバー部と共にシリコンで一体形成することがで
き、窒化シリコン等を堆積する必要がなくなり、プロセ
スが更に簡単になり、更にコストを低減することができ
る。なお、本実施例も、図７に示した集積型ＡＦＭセン
サの製造方法と同様な手法で作製することができる。ま
た本実施例においても、第２のカンチレバー部のＮ型シ
リコンとＰ型シリコン、及びＰ+ 型シリコンとＮ+ 型シ
リコンとは逆に選択して構成してもよく、その場合は印
加バイアスの極性を反対にする。
チレバー部６ａをシリコンで形成しているので、第２の
カンチレバー部と共にシリコンで一体形成することがで
き、窒化シリコン等を堆積する必要がなくなり、プロセ
スが更に簡単になり、更にコストを低減することができ
る。なお、本実施例も、図７に示した集積型ＡＦＭセン
サの製造方法と同様な手法で作製することができる。ま
た本実施例においても、第２のカンチレバー部のＮ型シ
リコンとＰ型シリコン、及びＰ+ 型シリコンとＮ+ 型シ
リコンとは逆に選択して構成してもよく、その場合は印
加バイアスの極性を反対にする。
【００２５】次に第３実施例について説明する。図５は
第３実施例を示す図で、図６の（Ａ）、（Ｂ），（Ｃ）
はそれぞれ図５のＡ，Ｂ，Ｃで示した部分の横方向の断
面図である。これらの図において、31はレバー支持部
で、該レバー支持部31には自由端に窒化シリコンからな
る探針部35を一体的に形成した窒化シリコンからなる第
１のカンチレバー部36の基端が支持されている。また、
前記レバー支持部31には、前記第１のカンチレバー部36
を取り囲むように配置された略Ｕ字型の全面を酸化シリ
コン層32で覆われたＮ型シリコン層33からなる第２のカ
ンチレバー部34の基端が支持されている。そして、第２
のカンチレバー部34を構成するＮ型シリコン層33には、
その一方の脚部分にＮ+ 型シリコン層37を設けると共
に、前記第１のカンチレバー部36の探針部35を取り囲む
ようにＰ型シリコン層38が形成されており、該Ｐ型シリ
コン層38の一端にはＰ+ 型シリコン層39が形成されてい
て、前記Ｐ型シリコン層38とＮ型シリコン層33とでＰＮ
フォトダイオードを構成している。そして、Ｐ+ 型シリ
コン層39とＮ+ 型シリコン層37には、酸化シリコン層32
に形成したコンタクトホール40，41を介してアルミニウ
ム等の電極42，43がそれぞれ接続されている。そして、
電極42，43間には、光を検出するために所定の逆バイア
スの電圧が印加されるようになっており、例えば、電極
43には電流検出用のオペアンプ44が接続されＧＮＤ電位
に保たれており、電極42には直流定電圧電源45が接続さ
れ、負の電圧が数Ｖ印加されている。
第３実施例を示す図で、図６の（Ａ）、（Ｂ），（Ｃ）
はそれぞれ図５のＡ，Ｂ，Ｃで示した部分の横方向の断
面図である。これらの図において、31はレバー支持部
で、該レバー支持部31には自由端に窒化シリコンからな
る探針部35を一体的に形成した窒化シリコンからなる第
１のカンチレバー部36の基端が支持されている。また、
前記レバー支持部31には、前記第１のカンチレバー部36
を取り囲むように配置された略Ｕ字型の全面を酸化シリ
コン層32で覆われたＮ型シリコン層33からなる第２のカ
ンチレバー部34の基端が支持されている。そして、第２
のカンチレバー部34を構成するＮ型シリコン層33には、
その一方の脚部分にＮ+ 型シリコン層37を設けると共
に、前記第１のカンチレバー部36の探針部35を取り囲む
ようにＰ型シリコン層38が形成されており、該Ｐ型シリ
コン層38の一端にはＰ+ 型シリコン層39が形成されてい
て、前記Ｐ型シリコン層38とＮ型シリコン層33とでＰＮ
フォトダイオードを構成している。そして、Ｐ+ 型シリ
コン層39とＮ+ 型シリコン層37には、酸化シリコン層32
に形成したコンタクトホール40，41を介してアルミニウ
ム等の電極42，43がそれぞれ接続されている。そして、
電極42，43間には、光を検出するために所定の逆バイア
スの電圧が印加されるようになっており、例えば、電極
43には電流検出用のオペアンプ44が接続されＧＮＤ電位
に保たれており、電極42には直流定電圧電源45が接続さ
れ、負の電圧が数Ｖ印加されている。
【００２６】このように構成された第３実施例の集積型
ＳＰＭセンサにおいては、第１実施例と同様な作用効果
をもつと共に、第２のカンチレバー部34のＰ型シリコン
層38を第１のカンチレバー部36の探針部35を取り囲むよ
うに形成しているので、フォトダイオードの受光面が拡
大され、探針部35によって散乱された散乱光を、より多
く検出できるようになり、更に感度を向上させることが
できる。なお、この実施例においても、第２のカンチレ
バー部及びフォトダイオードを構成するＰ型シリコン層
とＮ型シリコン層，Ｐ+ 型シリコン層とＮ+ 型シリコン
層を、それぞれ逆に選択して構成してもよく、その場合
は印加バイアスの極性も反対にする。また本実施例も、
図７に示した集積型ＡＦＭセンサの製造方法と同様な手
法で作製することができる。
ＳＰＭセンサにおいては、第１実施例と同様な作用効果
をもつと共に、第２のカンチレバー部34のＰ型シリコン
層38を第１のカンチレバー部36の探針部35を取り囲むよ
うに形成しているので、フォトダイオードの受光面が拡
大され、探針部35によって散乱された散乱光を、より多
く検出できるようになり、更に感度を向上させることが
できる。なお、この実施例においても、第２のカンチレ
バー部及びフォトダイオードを構成するＰ型シリコン層
とＮ型シリコン層，Ｐ+ 型シリコン層とＮ+ 型シリコン
層を、それぞれ逆に選択して構成してもよく、その場合
は印加バイアスの極性も反対にする。また本実施例も、
図７に示した集積型ＡＦＭセンサの製造方法と同様な手
法で作製することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
請求項１記載の発明によれば、従来別個に必要とした光
検出機構が必要でなくなり装置の小型化を図ることがで
きると共に、光検出効率を向上させることができる。ま
た光検出機構を有する第２のカンチレバー部と探針部を
有する第１のカンチレバー部を分離しているので、探針
部を有する第１のカンチレバー部の厚さを薄くすること
ができ、軟らかい測定試料を傷つけずに測定することが
可能となる。また請求項２及び３記載の発明によれば、
半導体プロセスを利用して簡単に且つ一度に大量生産が
可能となり、コストの低減を図ることができる。またカ
ンチレバー部の反りを検出する手段、例えばピエゾ抵抗
層をカンチレバー部に設け電気的にカンチレバー部の反
りを検出したり、あるいはカンチレバー部の裏面に反射
膜をコーティングし光学的にカンチレバー部の反りを検
出することにより、ＡＦＭ測定も可能となり、ＡＦＭ・
ＳＮＯＭ同時測定を可能にすることができる。また請求
項４及び５記載の発明によれば、探針部を有する第１の
カンチレバー部も半導体プロセスを利用して作製するこ
とができ、特に探針部を有するカンチレバー部をシリコ
ン製にすることにより、窒化シリコン膜を堆積する手段
を省略することができ、更に作製プロセスの簡略化を図
ることができ、コスト低減が可能となる。また請求項６
記載の発明によれば、光検出機構の受光面積が拡大さ
れ、反射光をより多く検出することが可能となり、感度
を更に向上させることができる。
請求項１記載の発明によれば、従来別個に必要とした光
検出機構が必要でなくなり装置の小型化を図ることがで
きると共に、光検出効率を向上させることができる。ま
た光検出機構を有する第２のカンチレバー部と探針部を
有する第１のカンチレバー部を分離しているので、探針
部を有する第１のカンチレバー部の厚さを薄くすること
ができ、軟らかい測定試料を傷つけずに測定することが
可能となる。また請求項２及び３記載の発明によれば、
半導体プロセスを利用して簡単に且つ一度に大量生産が
可能となり、コストの低減を図ることができる。またカ
ンチレバー部の反りを検出する手段、例えばピエゾ抵抗
層をカンチレバー部に設け電気的にカンチレバー部の反
りを検出したり、あるいはカンチレバー部の裏面に反射
膜をコーティングし光学的にカンチレバー部の反りを検
出することにより、ＡＦＭ測定も可能となり、ＡＦＭ・
ＳＮＯＭ同時測定を可能にすることができる。また請求
項４及び５記載の発明によれば、探針部を有する第１の
カンチレバー部も半導体プロセスを利用して作製するこ
とができ、特に探針部を有するカンチレバー部をシリコ
ン製にすることにより、窒化シリコン膜を堆積する手段
を省略することができ、更に作製プロセスの簡略化を図
ることができ、コスト低減が可能となる。また請求項６
記載の発明によれば、光検出機構の受光面積が拡大さ
れ、反射光をより多く検出することが可能となり、感度
を更に向上させることができる。
【図１】本発明に係る集積型ＳＰＭセンサの第１実施例
を示す図である。
を示す図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′線に沿った断面を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２実施例を示す図である。
【図４】図３のＡ−Ａ′線に沿った断面を示す図であ
る。
る。
【図５】本発明の第３実施例を示す図である。
【図６】図５のＡ，Ｂ，Ｃで示した部分の横方向の断面
を示す図である。
を示す図である。
【図７】従来の集積型ＡＦＭセンサの製造方法を説明す
るための製造工程を示す図である。
るための製造工程を示す図である。
１，31 レバー支持部 ２，32 酸化シリコン層 ３，33 Ｎ型シリコン層 ４，34 第２のカンチレバー部 ５，5a，35 探針部 ６，6a，36 第１のカンチレバー部 ７，37 Ｎ+ 型シリコン層 ８，38 Ｐ型シリコン層 ９，39 Ｐ+ 型シリコン層 10，11，40，41 コンタクトホール 12，13 42，43 電極 14，44 オペアンプ 15，45 直流定電圧電源
Claims (6)
- 【請求項１】 自由端に探針部を有する第１のカンチレ
バー部と、該第１のカンチレバー部の基端を支持する支
持部と、前記第１のカンチレバー部と分離して形成さ
れ、前記支持部に基端が支持された光検出機構を有する
第２のカンチレバー部と、前記光検出機構からの信号よ
り測定試料表面情報を出力する回路とを備えていること
を特徴とする集積型ＳＰＭセンサ。 - 【請求項２】 前記第２のカンチレバー部は半導体材料
で構成されており、該カンチレバー部に半導体光センサ
を集積化していることを特徴とする請求項１記載の集積
型ＳＰＭセンサ。 - 【請求項３】 前記第２のカンチレバー部に集積化され
た半導体光センサは、シリコンフォトダイオードである
ことを特徴とする請求項２記載の集積型ＳＰＭセンサ。 - 【請求項４】 前記第１のカンチレバー部は、窒化シリ
コン膜で形成されていることを特徴とする請求項１〜３
のいずれか１項に記載の集積型ＳＰＭセンサ。 - 【請求項５】 前記第１のカンチレバー部は、シリコン
で形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいず
れか１項に記載の集積型ＳＰＭセンサ。 - 【請求項６】 前記第２のカンチレバー部に設けられた
光検出機構は、第１のカンチレバー部に形成されている
探針部を囲むように配置されていることを特徴とする請
求項１記載の集積型ＳＰＭセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18332695A JPH0915249A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 集積型ｓｐｍセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18332695A JPH0915249A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 集積型ｓｐｍセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0915249A true JPH0915249A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=16133761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18332695A Withdrawn JPH0915249A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 集積型ｓｐｍセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0915249A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110824197A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-21 | 广东省新材料研究所 | 一种电致变色器件的性能测试方法 |
-
1995
- 1995-06-28 JP JP18332695A patent/JPH0915249A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110824197A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-21 | 广东省新材料研究所 | 一种电致变色器件的性能测试方法 |
| CN110824197B (zh) * | 2019-11-20 | 2022-04-15 | 广东省新材料研究所 | 一种电致变色器件的性能测试方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6521921B2 (en) | Scanning probe microscope (SPM) probe having field effect transistor channel and method of fabricating the same | |
| JP3639684B2 (ja) | エバネッセント波検出用の微小探針とその製造方法、及び該微小探針を備えたプローブとその製造方法、並びに該微小探針を備えたエバネッセント波検出装置、近視野走査光学顕微鏡、情報再生装置 | |
| JP3000492B2 (ja) | 情報処理装置 | |
| JP3000491B2 (ja) | カンチレバーユニット及びこれを用いた情報処理装置、原子間力顕微鏡、磁力顕微鏡 | |
| US5489774A (en) | Combined atomic force and near field scanning optical microscope with photosensitive cantilever | |
| JPH10282130A (ja) | プローブとそれを用いた走査型プローブ顕微鏡 | |
| Akamine et al. | Scanning near‐field optical microscope using an atomic force microscope cantilever with integrated photodiode | |
| JP2000035396A (ja) | 微小突起を有するプローブ、及びその製造方法 | |
| JP2002228573A (ja) | 高速走査探針顕微鏡用高周波振動探針 | |
| US20030197120A1 (en) | Nanotube, near-field light detecting apparatus and near-field light detecting method | |
| US6913982B2 (en) | Method of fabricating a probe of a scanning probe microscope (SPM) having a field-effect transistor channel | |
| JPH0915249A (ja) | 集積型ｓｐｍセンサ | |
| JPH09166608A (ja) | 集積型ｓｐｍセンサ | |
| JP3768639B2 (ja) | カンチレバー型プローブ及び該プローブを備えた走査型プローブ顕微鏡 | |
| JPH085642A (ja) | 集積型多機能ｓｐｍセンサー | |
| JP3590135B2 (ja) | 集積型ｓｐｍセンサ | |
| JP3559771B2 (ja) | 電界効果トランジスタのチャンネル構造が形成されたスキャニングプローブマイクロスコープの探針及びその製作方法 | |
| JPH0886794A (ja) | 集積型ｓｐｍセンサ及びその製造方法 | |
| JP3452659B2 (ja) | 集積型ｓｐｍセンサ及びその製造方法 | |
| JPH08114611A (ja) | 集積型ｓｐｍセンサ | |
| JPH08146015A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡のカンチレバー | |
| JP3587572B2 (ja) | 集積型ｓｐｍセンサ | |
| Minh et al. | A novel fabrication method of the tiny aperture tip on silicon cantilever for near field scanning optical microscopy | |
| JPH08114607A (ja) | 集積型ｓｐｍセンサ | |
| Yamada et al. | Imaging of organic molecular films using a scanning near‐field optical microscope combined with an atomic force microscope |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |