JPH09153214A - 磁気カードの製造方法 - Google Patents
磁気カードの製造方法Info
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- JPH09153214A JPH09153214A JP7312849A JP31284995A JPH09153214A JP H09153214 A JPH09153214 A JP H09153214A JP 7312849 A JP7312849 A JP 7312849A JP 31284995 A JP31284995 A JP 31284995A JP H09153214 A JPH09153214 A JP H09153214A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 組成粉末の粉砕性を改善し、磁気特性の向上
を図り、もって偽造防止効果の向上が図れる低コストの
磁気カードの製造方法を提供することにある。 【解決手段】 一般式Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy で表わされる
磁性粉末（ただし、ＲはＳｍを主成分とする少なくとも
１種類の希土類元素（Ｙを含む）であり、ＴはＣｏを主
成分とする少なくとも１種類の遷移元素であり、Ｍは、
Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，及びＡ
ｕの少なくとも１種で、Ｒの組成値ｘは１６．０〜２
２．０ａｔ％で、Ｍの組成値ｙは０≦ｙ＜２．５ａｔ
％）に水素雰囲気中で熱処理を施してなる磁性粉をカー
ド基体に塗布することによって磁性層を形成する。
を図り、もって偽造防止効果の向上が図れる低コストの
磁気カードの製造方法を提供することにある。 【解決手段】 一般式Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy で表わされる
磁性粉末（ただし、ＲはＳｍを主成分とする少なくとも
１種類の希土類元素（Ｙを含む）であり、ＴはＣｏを主
成分とする少なくとも１種類の遷移元素であり、Ｍは、
Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，及びＡ
ｕの少なくとも１種で、Ｒの組成値ｘは１６．０〜２
２．０ａｔ％で、Ｍの組成値ｙは０≦ｙ＜２．５ａｔ
％）に水素雰囲気中で熱処理を施してなる磁性粉をカー
ド基体に塗布することによって磁性層を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気カードの製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】テレホンカード、プリペイドカードのよ
うな磁気カード類は、カードを利用する毎に、カードに
設けられた磁気記録層に残金等の所定の情報を所定の装
置で書き換えることにより使用されている。ところが、
カードの情報を容易に書き換えられることから、近年磁
気カードの変造、偽造が目立って増えてきた。変造、偽
造を防止する方策として、本発明者等は、第一に初期情
報記録する際、長手方向に一箇所以上の未記録部分を残
し記録を行い、更にその後、順次新しい情報を記録する
際には、既存の情報を消去することなく、未記録部分に
新規情報を記録する方法を検討した。その結果、特別な
磁気記録、再生装置を用いる必要がなく、また、優れた
偽造防止効果を有する磁気記録方式及び磁気記録媒体と
その製造方法を見い出し、既に提案している（特願平６
−１４３６９５、２１６０３９、２９６７９５、２９７
２２８、３２００９１、３２７２５５号公報参照）。
うな磁気カード類は、カードを利用する毎に、カードに
設けられた磁気記録層に残金等の所定の情報を所定の装
置で書き換えることにより使用されている。ところが、
カードの情報を容易に書き換えられることから、近年磁
気カードの変造、偽造が目立って増えてきた。変造、偽
造を防止する方策として、本発明者等は、第一に初期情
報記録する際、長手方向に一箇所以上の未記録部分を残
し記録を行い、更にその後、順次新しい情報を記録する
際には、既存の情報を消去することなく、未記録部分に
新規情報を記録する方法を検討した。その結果、特別な
磁気記録、再生装置を用いる必要がなく、また、優れた
偽造防止効果を有する磁気記録方式及び磁気記録媒体と
その製造方法を見い出し、既に提案している（特願平６
−１４３６９５、２１６０３９、２９６７９５、２９７
２２８、３２００９１、３２７２５５号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術における
粉末としては、一般式、Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy （ただし、
ＲはＳｍを主成分とする少なくとも１種類以上のＹを含
む希土類元素、ＴはＣｏを主成分とする少なくとも１種
類以上の遷移金属、Ｍは、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，及びＡｕの内から少なくとも１
種、Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０ａｔ％で、Ｍの
組成値ｙは０≦ｙ＜２．５ａｔ％）で表わされるものを
使用しており、上記組成の粉末を所定の粒径に微粉砕し
て、その粉末を真空あるいは不活性雰囲気中で８５０〜
１１００℃の温度範囲で熱処理し、磁性粉としている。
しかしながら、前記組成の出発粉末は粉砕性が悪いた
め、粉砕設備が限定されること、粉砕限界粒径が大き
く、微粉化による特性向上に限界があること、また全コ
ストに占める粉砕コスト比率が高くなる等があげられ
る。
粉末としては、一般式、Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy （ただし、
ＲはＳｍを主成分とする少なくとも１種類以上のＹを含
む希土類元素、ＴはＣｏを主成分とする少なくとも１種
類以上の遷移金属、Ｍは、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，及びＡｕの内から少なくとも１
種、Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０ａｔ％で、Ｍの
組成値ｙは０≦ｙ＜２．５ａｔ％）で表わされるものを
使用しており、上記組成の粉末を所定の粒径に微粉砕し
て、その粉末を真空あるいは不活性雰囲気中で８５０〜
１１００℃の温度範囲で熱処理し、磁性粉としている。
しかしながら、前記組成の出発粉末は粉砕性が悪いた
め、粉砕設備が限定されること、粉砕限界粒径が大き
く、微粉化による特性向上に限界があること、また全コ
ストに占める粉砕コスト比率が高くなる等があげられ
る。
【０００４】本発明の課題は、前記組成粉末の粉砕性を
改善し、磁気特性の向上を図り、もって偽造防止効果の
向上が図れる低コストの磁気カードの製造方法を提供す
ることである。
改善し、磁気特性の向上を図り、もって偽造防止効果の
向上が図れる低コストの磁気カードの製造方法を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、一般式
Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy で表わされる磁性粉末（ただし、Ｒ
はＳｍを主成分とする少なくとも１種類の希土類元素
（Ｙを含む）であり、ＴはＣｏを主成分とする少なくと
も１種類の遷移元素であり、Ｍは、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，
Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐ
ｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，及びＡｕの少なくとも１種
で、Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０ａｔ％で、Ｍの
組成値ｙは０≦ｙ＜２．５ａｔ％）に水素雰囲気中で熱
処理を施してなる磁性粉をカード基体に塗布することに
よって磁性層を形成することを特徴とする磁気カードの
製造方法が得られる。
Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy で表わされる磁性粉末（ただし、Ｒ
はＳｍを主成分とする少なくとも１種類の希土類元素
（Ｙを含む）であり、ＴはＣｏを主成分とする少なくと
も１種類の遷移元素であり、Ｍは、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，
Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐ
ｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，及びＡｕの少なくとも１種
で、Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０ａｔ％で、Ｍの
組成値ｙは０≦ｙ＜２．５ａｔ％）に水素雰囲気中で熱
処理を施してなる磁性粉をカード基体に塗布することに
よって磁性層を形成することを特徴とする磁気カードの
製造方法が得られる。
【０００６】さらに、本発明によれば、前記粉末を、水
素雰囲気中で、かつ５００〜８００℃の温度範囲で熱処
理した後、この得られた磁性粉を所定の粒径に微粉砕し
て、該粉砕粉を真空中あるいは不活性雰囲気中において
８５０〜１１００℃の温度範囲で熱処理することを特徴
とする磁気カードの製造方法が得られる。
素雰囲気中で、かつ５００〜８００℃の温度範囲で熱処
理した後、この得られた磁性粉を所定の粒径に微粉砕し
て、該粉砕粉を真空中あるいは不活性雰囲気中において
８５０〜１１００℃の温度範囲で熱処理することを特徴
とする磁気カードの製造方法が得られる。
【０００７】さらに、本発明によれば、前記粉末を所定
の粒径に微粉砕した後、この粉砕粉を水素雰囲気中で、
かつ５００〜８００℃の温度範囲で熱処理して、この得
られた磁性粉を、真空中あるいは不活性雰囲気中におい
て８５０〜１１００℃の温度範囲で熱処理することを特
徴とする磁気カードの製造方法が得られる。
の粒径に微粉砕した後、この粉砕粉を水素雰囲気中で、
かつ５００〜８００℃の温度範囲で熱処理して、この得
られた磁性粉を、真空中あるいは不活性雰囲気中におい
て８５０〜１１００℃の温度範囲で熱処理することを特
徴とする磁気カードの製造方法が得られる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。
する。
【０００９】以下に述べる実施の形態では、一般式Ｒx
Ｔ100-x-y Ｍy で表される粉末を用い、Ｒは、Ｓｍを主
成分とする少なくとも１種類の希土類元素（Ｙを含む）
であり、ＴはＣｏを主成分とする少なくとも１種類の遷
移金属であり、ＭはＳｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｔ，及びＡｕのうちの少なくとも１種類であ
る粉末を使用した。尚、ここでは、上記一般式Ｒx Ｔ
100-x-y Ｍy のうち、ｘ＝１９．４ａｔ％、ｙ＝０ａｔ
％である還元合金粉末（ＲＤ粉末）を用いた。又、微粉
砕する時の粉砕条件を全て同一にした。
Ｔ100-x-y Ｍy で表される粉末を用い、Ｒは、Ｓｍを主
成分とする少なくとも１種類の希土類元素（Ｙを含む）
であり、ＴはＣｏを主成分とする少なくとも１種類の遷
移金属であり、ＭはＳｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｔ，及びＡｕのうちの少なくとも１種類であ
る粉末を使用した。尚、ここでは、上記一般式Ｒx Ｔ
100-x-y Ｍy のうち、ｘ＝１９．４ａｔ％、ｙ＝０ａｔ
％である還元合金粉末（ＲＤ粉末）を用いた。又、微粉
砕する時の粉砕条件を全て同一にした。
【００１０】ここで使用する出発粉末は、インゴット
法、急冷法、粉末冶金法、還元法（ＲＤ法）で作製され
た、いずれの粉末でもよい。上記磁性粉の組成の限定理
由は、一般式Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy において、ｘが１６．
０ａｔ％以下では保磁力が低下し、２２．０ａｔ％以上
では磁化が低下し、好ましくないからであり、また、Ｍ
は２．５ａｔ％以上であると保磁力の低下が見られ好ま
しくない。また、組成の異なる２種類以上の粉末を混合
する混合粉末の場合も、混合粉末のＲ及びＭの組成限定
理由は一般式、Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy の場合と同様であ
る。
法、急冷法、粉末冶金法、還元法（ＲＤ法）で作製され
た、いずれの粉末でもよい。上記磁性粉の組成の限定理
由は、一般式Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy において、ｘが１６．
０ａｔ％以下では保磁力が低下し、２２．０ａｔ％以上
では磁化が低下し、好ましくないからであり、また、Ｍ
は２．５ａｔ％以上であると保磁力の低下が見られ好ま
しくない。また、組成の異なる２種類以上の粉末を混合
する混合粉末の場合も、混合粉末のＲ及びＭの組成限定
理由は一般式、Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy の場合と同様であ
る。
【００１１】また、本発明において、水素雰囲気中で熱
処理する時の温度範囲の限定理由は、熱処理温度が５０
０℃以下および８００℃以上の場合は、本発明における
効果が見られないため、好ましくない。
処理する時の温度範囲の限定理由は、熱処理温度が５０
０℃以下および８００℃以上の場合は、本発明における
効果が見られないため、好ましくない。
【００１２】また、本発明において、真空あるいは不活
性雰囲気中で熱処理する時の熱処理温度が８５０℃以下
および１１００℃以上の場合は、保磁力の低下が起こり
好ましくない。
性雰囲気中で熱処理する時の熱処理温度が８５０℃以下
および１１００℃以上の場合は、保磁力の低下が起こり
好ましくない。
【００１３】以下、本発明の第１の実施の形態について
説明する。上記ＲＤ粉末において、水素雰囲気中で４０
０〜９００℃の温度で熱処理して微粉砕した時の粒径を
以下の表１に示す。なお、試料１と表示しているもの
は、水素雰囲気中の熱処理をしないで微粉砕したもので
ある。
説明する。上記ＲＤ粉末において、水素雰囲気中で４０
０〜９００℃の温度で熱処理して微粉砕した時の粒径を
以下の表１に示す。なお、試料１と表示しているもの
は、水素雰囲気中の熱処理をしないで微粉砕したもので
ある。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１からわかるように、水素雰囲気中で、
かつ、５００〜８００℃の温度で熱処理された磁性粉の
粒径は、試料１より小さくなっている。又、５００℃よ
り低い、あるいは８００℃より高い温度では、磁性粉の
粒径は試料１と同様である。
かつ、５００〜８００℃の温度で熱処理された磁性粉の
粒径は、試料１より小さくなっている。又、５００℃よ
り低い、あるいは８００℃より高い温度では、磁性粉の
粒径は試料１と同様である。
【００１６】次に上記ＲＤ粉末を、水素雰囲気中で６０
０℃の温度で熱処理して微粉砕し、その微粉末を不活性
雰囲気中において１０００℃で熱処理をしたところ、以
下の表２に示すように、水素雰囲気中で熱処理を施さな
かった粉末より粒径が小さくなっていて、磁気特性も、
水素雰囲気中で熱処理を施さなかった粉末より良好であ
った。
０℃の温度で熱処理して微粉砕し、その微粉末を不活性
雰囲気中において１０００℃で熱処理をしたところ、以
下の表２に示すように、水素雰囲気中で熱処理を施さな
かった粉末より粒径が小さくなっていて、磁気特性も、
水素雰囲気中で熱処理を施さなかった粉末より良好であ
った。
【００１７】
【表２】
【００１８】ここでバーｄは不活性雰囲気中において１
０００℃で熱処理する前の平均粒の大きさであり、Ｈ
CJ(7) は７ｋＯｅ印加した場合の保磁力であり、σ5 ／
σ18は１８ｋＯｅ印加に対する５ｋＯｅ印加での磁化量
の比である。尚、上記表２に示した試料８は試料４に対
して、上記したように不活性雰囲気中において１０００
℃で熱処理されて得られたものである。
０００℃で熱処理する前の平均粒の大きさであり、Ｈ
CJ(7) は７ｋＯｅ印加した場合の保磁力であり、σ5 ／
σ18は１８ｋＯｅ印加に対する５ｋＯｅ印加での磁化量
の比である。尚、上記表２に示した試料８は試料４に対
して、上記したように不活性雰囲気中において１０００
℃で熱処理されて得られたものである。
【００１９】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。上記したＲＤ粉末を微粉砕し、粒径２．５μ
ｍの粉末を得た後、その粉末において、水素雰囲気中で
４００〜９００℃の温度で熱処理を施した。その時の平
均粒の大きさを以下の表３に示す。
説明する。上記したＲＤ粉末を微粉砕し、粒径２．５μ
ｍの粉末を得た後、その粉末において、水素雰囲気中で
４００〜９００℃の温度で熱処理を施した。その時の平
均粒の大きさを以下の表３に示す。
【００２０】
【表３】
【００２１】上記表３からわかるように、本実施の形態
においても上記した第１の実施の形態と同様、水素雰囲
気の熱処理温度５００〜８００℃で粒径が小さくなって
いる。又、５００℃より低い、あるいは８００℃より高
い温度では、粒径が熱処理前と同等である。
においても上記した第１の実施の形態と同様、水素雰囲
気の熱処理温度５００〜８００℃で粒径が小さくなって
いる。又、５００℃より低い、あるいは８００℃より高
い温度では、粒径が熱処理前と同等である。
【００２２】次に、上記の平均粒２．５μｍの微粉末に
おいて、水素雰囲気中で６００℃の温度で熱処理して、
一旦外に取り出し、その後改めて、不活性雰囲気中にお
いて１０００℃で熱処理したところ、以下の表４に示す
ように、水素雰囲気中で熱処理を施さなかった粉末より
粒径が小さくなっており、磁気特性も水素雰囲気中で熱
処理を施さなかった粉末より良好であった。
おいて、水素雰囲気中で６００℃の温度で熱処理して、
一旦外に取り出し、その後改めて、不活性雰囲気中にお
いて１０００℃で熱処理したところ、以下の表４に示す
ように、水素雰囲気中で熱処理を施さなかった粉末より
粒径が小さくなっており、磁気特性も水素雰囲気中で熱
処理を施さなかった粉末より良好であった。
【００２３】
【表４】
【００２４】ここでのバーｄ、ＨCJ(7) 、σ5 ／σ18の
定義は上記した第１の実施の形態と同様である。尚、上
記表４に示した試料１６は、試料１２に対して、上記し
たように不活性雰囲気中において１０００℃で熱処理さ
れて得られたものである。
定義は上記した第１の実施の形態と同様である。尚、上
記表４に示した試料１６は、試料１２に対して、上記し
たように不活性雰囲気中において１０００℃で熱処理さ
れて得られたものである。
【００２５】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。本実施の形態は、上記した第２の実施の形態
における水素雰囲気中で、かつ、６００℃の温度で熱処
理するところまでは同じである。粒径２．５μｍの微粉
末において、水素雰囲気中で６００℃の温度で熱処理し
た後、一旦外に取り出すことなく、さらに連続して真空
中において１０００℃で熱処理したところ、粒径２．５
μｍ、ＨCJ(7) ＝９．２ｋＯｅ、及びσ5 ／σ18＝６３
％の特性を有する磁性粉を得ることができた（これを試
料１８とする）。ここでのＨCJ(7) 、σ5 ／σ18の定義
は上記した第１の実施の形態と同様である。これは、第
２の実施の形態に示した試料１６とほぼ同等の磁気特性
である。又、真空にした後、再び不活性ガスを注入した
場合でも、上記同様の効果が得られる。
説明する。本実施の形態は、上記した第２の実施の形態
における水素雰囲気中で、かつ、６００℃の温度で熱処
理するところまでは同じである。粒径２．５μｍの微粉
末において、水素雰囲気中で６００℃の温度で熱処理し
た後、一旦外に取り出すことなく、さらに連続して真空
中において１０００℃で熱処理したところ、粒径２．５
μｍ、ＨCJ(7) ＝９．２ｋＯｅ、及びσ5 ／σ18＝６３
％の特性を有する磁性粉を得ることができた（これを試
料１８とする）。ここでのＨCJ(7) 、σ5 ／σ18の定義
は上記した第１の実施の形態と同様である。これは、第
２の実施の形態に示した試料１６とほぼ同等の磁気特性
である。又、真空にした後、再び不活性ガスを注入した
場合でも、上記同様の効果が得られる。
【００２６】この後、以上説明した第１，第２，及び第
３の実施の形態において、熱処理を施した磁性粉を用い
て以下の方法で磁性塗料を作製した。溶剤（トルエン）
１００重量部に対し、上記磁性粉末４０重量部、アクリ
ル系樹脂１７重量部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体
樹脂２８重量部をそれぞれ秤量し、加圧式ニーダーを用
いてアルゴンガス中で１時間混練し、得られた混和物を
磁性塗料とした。そして、上記磁性塗料をポリエチレン
フタレート（ＰＥＴ）の基体上に、厚さ約２０μｍとな
るように塗布し磁性層を生成し、磁気カードを作製し
た。得られた磁気カードの磁性層に、磁気カードリーダ
・ライタ内蔵の磁気ヘッド（発生磁界約５ｋＧ）を用い
て、初期磁気記録情報の書きこみを行ってから、その情
報の消去処理を行った。
３の実施の形態において、熱処理を施した磁性粉を用い
て以下の方法で磁性塗料を作製した。溶剤（トルエン）
１００重量部に対し、上記磁性粉末４０重量部、アクリ
ル系樹脂１７重量部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体
樹脂２８重量部をそれぞれ秤量し、加圧式ニーダーを用
いてアルゴンガス中で１時間混練し、得られた混和物を
磁性塗料とした。そして、上記磁性塗料をポリエチレン
フタレート（ＰＥＴ）の基体上に、厚さ約２０μｍとな
るように塗布し磁性層を生成し、磁気カードを作製し
た。得られた磁気カードの磁性層に、磁気カードリーダ
・ライタ内蔵の磁気ヘッド（発生磁界約５ｋＧ）を用い
て、初期磁気記録情報の書きこみを行ってから、その情
報の消去処理を行った。
【００２７】上記した第１の実施の形態における試料８
と試料９によって前記の処理を試み、前記磁気カードリ
ーダ・ライタのヘッドで読み取ったところ、試料８の磁
気情報の減衰率が、試料９のそれを下回った（残留出力
が高かった）。
と試料９によって前記の処理を試み、前記磁気カードリ
ーダ・ライタのヘッドで読み取ったところ、試料８の磁
気情報の減衰率が、試料９のそれを下回った（残留出力
が高かった）。
【００２８】又、第２の実施の形態における試料１６と
試料１７によって前記と同様の処理を行ったところ、試
料１６の磁気情報の減衰率が、試料１７のそれを下回っ
た（残留出力が高かった）。
試料１７によって前記と同様の処理を行ったところ、試
料１６の磁気情報の減衰率が、試料１７のそれを下回っ
た（残留出力が高かった）。
【００２９】又、試料１７と第３の実施の形態に示した
試料１８によって前記と同様の処理を行ったところ、試
料１８の磁気情報減衰率が、試料１７のそれを下回った
（残留出力が高かった）。なお、試料１６と試料１８に
おける磁気情報の減衰率はほぼ同等であった。
試料１８によって前記と同様の処理を行ったところ、試
料１８の磁気情報減衰率が、試料１７のそれを下回った
（残留出力が高かった）。なお、試料１６と試料１８に
おける磁気情報の減衰率はほぼ同等であった。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
水素雰囲気中での熱処理を施すことにより、粒径が小さ
くかつ磁気特性に優れた磁性粉を製造することが可能と
なり、偽造防止効果に優れた磁気カードを提供すること
が可能となった。
水素雰囲気中での熱処理を施すことにより、粒径が小さ
くかつ磁気特性に優れた磁性粉を製造することが可能と
なり、偽造防止効果に優れた磁気カードを提供すること
が可能となった。
【００３１】又、本発明によれば、従来より低コストで
磁性粉を作製すること、さらには低コストの磁気カード
を提供することが可能となった。
磁性粉を作製すること、さらには低コストの磁気カード
を提供することが可能となった。
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy で表わされる
磁性粉末（ただし、ＲはＳｍを主成分とする少なくとも
１種類の希土類元素（Ｙを含む）であり、ＴはＣｏを主
成分とする少なくとも１種類の遷移元素であり、Ｍは、
Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，及びＡ
ｕの少なくとも１種で、Ｒの組成値ｘは１６．０〜２
２．０ａｔ％で、Ｍの組成値ｙは０≦ｙ＜２．５ａｔ
％）に水素雰囲気中で熱処理を施してなる磁性粉をカー
ド基体に塗布することによって磁性層を形成することを
特徴とする磁気カードの製造方法。 - 【請求項２】 前記粉末を、水素雰囲気中で、かつ５０
０〜８００℃の温度範囲で熱処理した後、この得られた
磁性粉を所定の粒径に微粉砕して、該粉砕粉を真空中あ
るいは不活性雰囲気中において８５０〜１１００℃の温
度範囲で熱処理することを特徴とする請求項１記載の磁
気カードの製造方法。 - 【請求項３】 前記粉末を所定の粒径に微粉砕した後、
この粉砕粉を水素雰囲気中で、かつ５００〜８００℃の
温度範囲で熱処理して、この得られた磁性粉を、真空中
あるいは不活性雰囲気中において８５０〜１１００℃の
温度範囲で熱処理することを特徴とする請求項１記載の
磁気カードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7312849A JPH09153214A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 磁気カードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7312849A JPH09153214A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 磁気カードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153214A true JPH09153214A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18034174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7312849A Pending JPH09153214A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 磁気カードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153214A (ja) |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP7312849A patent/JPH09153214A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050309 |