JPH1031816A - 磁気カード及び磁気記録方法 - Google Patents
磁気カード及び磁気記録方法Info
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- JPH1031816A JPH1031816A JP8186407A JP18640796A JPH1031816A JP H1031816 A JPH1031816 A JP H1031816A JP 8186407 A JP8186407 A JP 8186407A JP 18640796 A JP18640796 A JP 18640796A JP H1031816 A JPH1031816 A JP H1031816A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 偽造を目的とした情報消去や，書き込みが不
可能であり，より優れたセキュリティーを有する磁気カ
ードを提供すること。 【解決手段】 基体１上の少くとも一部に磁性層２を有
する磁気カード１０であって，前記磁性層２に含まれる
磁性材料が，一般式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy で表される組
成を有する。但し，Ｒは，Ｓｍを必須成分としてＹを含
む希土類元素から選択された少なくとも１種，Ｔは，Ｃ
ｏを主成分とする遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）の内か
ら選択された少なくとも１種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａ
ｌ，Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，およびＡｕの内少なくと
も１種で表され，Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０，
Ｍの組成値ｙは０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ％）の組成
範囲を備える。
可能であり，より優れたセキュリティーを有する磁気カ
ードを提供すること。 【解決手段】 基体１上の少くとも一部に磁性層２を有
する磁気カード１０であって，前記磁性層２に含まれる
磁性材料が，一般式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy で表される組
成を有する。但し，Ｒは，Ｓｍを必須成分としてＹを含
む希土類元素から選択された少なくとも１種，Ｔは，Ｃ
ｏを主成分とする遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）の内か
ら選択された少なくとも１種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａ
ｌ，Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，およびＡｕの内少なくと
も１種で表され，Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０，
Ｍの組成値ｙは０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ％）の組成
範囲を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，磁気カードに関
し，特に磁気記録した所定の情報が上書き等により書換
えが困難であるセキュリティーに優れた磁気カードとそ
の磁気記録方法に関する。
し，特に磁気記録した所定の情報が上書き等により書換
えが困難であるセキュリティーに優れた磁気カードとそ
の磁気記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】乗車券，テレホンカード，プリペイドカ
ードなどの金券として利用されている磁気カード類は，
カードを利用する毎に所定の装置で，カードに設けられ
た磁気記録層に残金等の所定の情報を書き換えることに
より使用されている。これらのカードには，偽造防止の
策として，磁気記録層に保護層を設けるか，あるいは磁
気記録層を多層にするか，または使用毎にカードにパン
チ穴を開ける等の工夫が施されている。
ードなどの金券として利用されている磁気カード類は，
カードを利用する毎に所定の装置で，カードに設けられ
た磁気記録層に残金等の所定の情報を書き換えることに
より使用されている。これらのカードには，偽造防止の
策として，磁気記録層に保護層を設けるか，あるいは磁
気記録層を多層にするか，または使用毎にカードにパン
チ穴を開ける等の工夫が施されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが，磁気カード
の普及と共に，磁気カードの情報を再生及び記録する装
置の技術も発達し，磁気カードに記録した情報を容易に
読み取り，さらには情報を書き込むことまで可能となっ
た。
の普及と共に，磁気カードの情報を再生及び記録する装
置の技術も発達し，磁気カードに記録した情報を容易に
読み取り，さらには情報を書き込むことまで可能となっ
た。
【０００４】具体的には，磁気記録カードの使用毎に，
新しい情報を含む全情報が，旧情報の上にオーバーライ
トされる形で書き換えられるため，カードの情報を記
録，再生する装置があれば，容易に情報の書換えが行
え，これにより，カードの偽造が容易に行えることにな
り，近年磁気カードの偽造が目だって増えてきた。
新しい情報を含む全情報が，旧情報の上にオーバーライ
トされる形で書き換えられるため，カードの情報を記
録，再生する装置があれば，容易に情報の書換えが行
え，これにより，カードの偽造が容易に行えることにな
り，近年磁気カードの偽造が目だって増えてきた。
【０００５】この原因として，磁気記録を行う磁性層の
保磁力が２〜３ｋＯｅと低いことにあると考えられる。
つまり，磁性層の保磁力が低いと従来の磁気記録・再生
装置で容易に情報の書換えができ，カードの偽造が可能
となる。
保磁力が２〜３ｋＯｅと低いことにあると考えられる。
つまり，磁性層の保磁力が低いと従来の磁気記録・再生
装置で容易に情報の書換えができ，カードの偽造が可能
となる。
【０００６】そこで，本発明の第１の技術的課題は，偽
造を目的とした情報消去や，書き込みが不可能である磁
気カードおよびその磁気記録方法を提供することにあ
る。
造を目的とした情報消去や，書き込みが不可能である磁
気カードおよびその磁気記録方法を提供することにあ
る。
【０００７】また，本発明の第２の技術的課題は，より
優れたセキュリティーを有する磁気カードを提供するこ
とにある。
優れたセキュリティーを有する磁気カードを提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは，第一に初
期情報記録する際，長手方向に記録を行い，更にその
後，順次新しい情報を記録する際には既存の情報の一部
を破壊することにより新規情報を記録する方法を検討し
た。その結果，優れたセキュリティーを有する磁気カー
ドおよび磁気記録方法を見いだし，本発明を成すに至っ
たものである。
期情報記録する際，長手方向に記録を行い，更にその
後，順次新しい情報を記録する際には既存の情報の一部
を破壊することにより新規情報を記録する方法を検討し
た。その結果，優れたセキュリティーを有する磁気カー
ドおよび磁気記録方法を見いだし，本発明を成すに至っ
たものである。
【０００９】本発明の磁気カードは，従来のものと比較
し，高保磁力の磁性層を有し，かつ本磁性層は着磁性に
優れた特性を有するものである。また，本発明において
は，磁性層の記録情報を読み取る際，磁性層に予め磁界
を印加し，その後，記録情報を読み取る磁気記録方法と
したものである。
し，高保磁力の磁性層を有し，かつ本磁性層は着磁性に
優れた特性を有するものである。また，本発明において
は，磁性層の記録情報を読み取る際，磁性層に予め磁界
を印加し，その後，記録情報を読み取る磁気記録方法と
したものである。
【００１０】ここで，本発明における上記磁気カードの
高保磁力の磁性層は，記録情報の消去あるいは上書きが
困難（不可能）であるために，保磁力が３．０ｋＯｅ以
上で，かつ保磁力を有効に発現するために保磁力の１／
２以下の印加磁界で飽和磁化の２５％以上の磁化を有す
ることが好ましい。
高保磁力の磁性層は，記録情報の消去あるいは上書きが
困難（不可能）であるために，保磁力が３．０ｋＯｅ以
上で，かつ保磁力を有効に発現するために保磁力の１／
２以下の印加磁界で飽和磁化の２５％以上の磁化を有す
ることが好ましい。
【００１１】本発明における高保磁力でかつ着磁性の良
好な磁性層としては，一般式，ＲxＴ100-x-y Ｍy （た
だし，Ｒは，Ｓｍを必須成分としてＹを含む希土類元素
から選択された少なくとも１種，Ｔは，Ｃｏを主成分と
する遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）の内から選択された
少なくとも１種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｖ，
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｔ，およびＡｕの内少なくとも１種で表さ
れ，Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０，Ｍの組成値ｙ
は０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ％）の組成範囲を備えて
いる。本発明の磁性層の製造方法としては，磁性材料を
バインダ中に分散して磁性層を形成することが好まし
い。
好な磁性層としては，一般式，ＲxＴ100-x-y Ｍy （た
だし，Ｒは，Ｓｍを必須成分としてＹを含む希土類元素
から選択された少なくとも１種，Ｔは，Ｃｏを主成分と
する遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）の内から選択された
少なくとも１種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｖ，
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｔ，およびＡｕの内少なくとも１種で表さ
れ，Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０，Ｍの組成値ｙ
は０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ％）の組成範囲を備えて
いる。本発明の磁性層の製造方法としては，磁性材料を
バインダ中に分散して磁性層を形成することが好まし
い。
【００１２】ここで，本発明において，上記組成の限定
理由は，一般式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy において，ｘは１
６．０ａｔ％以下では保磁力が低下し，２２．０ａｔ％
以上では磁化が低下し好ましくないからであり，また，
Ｍは３０ａｔ％以上であると保磁力の低下が見られ好ま
しくないからである。
理由は，一般式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy において，ｘは１
６．０ａｔ％以下では保磁力が低下し，２２．０ａｔ％
以上では磁化が低下し好ましくないからであり，また，
Ｍは３０ａｔ％以上であると保磁力の低下が見られ好ま
しくないからである。
【００１３】また，本発明の磁気記録方法においては，
前記したいずれかの磁気カードの前記磁性層に磁気記録
をする方法において，第一に初期情報記録し，更にその
後，使用する毎に順次新しい情報を記録する際には，既
存の情報の一部を破壊することにより新規情報を記録す
ることを特徴としている。
前記したいずれかの磁気カードの前記磁性層に磁気記録
をする方法において，第一に初期情報記録し，更にその
後，使用する毎に順次新しい情報を記録する際には，既
存の情報の一部を破壊することにより新規情報を記録す
ることを特徴としている。
【００１４】さらに，本発明の磁気記録方法において，
前記磁性層の記録情報を読み取る際，前記磁性層に予め
磁界を印加し，その後，前記記録情報を読み取ることが
好ましい。
前記磁性層の記録情報を読み取る際，前記磁性層に予め
磁界を印加し，その後，前記記録情報を読み取ることが
好ましい。
【００１５】具体的には，本発明では，第１に初期情報
記録する際に，長手方向に記録を行い，更にその後，順
次新しい情報を記録する際には，既存の情報の一部を破
壊（オーバーライト等）することにより，新規情報を記
録する方法である。
記録する際に，長手方向に記録を行い，更にその後，順
次新しい情報を記録する際には，既存の情報の一部を破
壊（オーバーライト等）することにより，新規情報を記
録する方法である。
【００１６】更に，本発明では，初期の磁気記録が容易
であり，かつ保磁力が高く，一度記録した情報の書換え
が困難又は不可能である磁気記録材料を用いることによ
り，偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能であ
る高セキュリティーな磁気記録方式および磁性層を備え
た磁気カードを提供することができる。
であり，かつ保磁力が高く，一度記録した情報の書換え
が困難又は不可能である磁気記録材料を用いることによ
り，偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能であ
る高セキュリティーな磁気記録方式および磁性層を備え
た磁気カードを提供することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１８】図１は，本発明の実施の形態による磁気カ
ードを示す部分断面図である。図１に示すように，磁気
カード１０は，基体１上に，磁性層２と非磁性層３，そ
の上に保護層４を順次有する。この磁性層２に含有され
る磁性材料は，一般式，ＲxＴ100-x-y Ｍy で表される
組成を有する。
ードを示す部分断面図である。図１に示すように，磁気
カード１０は，基体１上に，磁性層２と非磁性層３，そ
の上に保護層４を順次有する。この磁性層２に含有され
る磁性材料は，一般式，ＲxＴ100-x-y Ｍy で表される
組成を有する。
【００１９】ただし，上記一般式中にてＲは，Ｓｍを必
須成分としてＹを含む希土類元素から選択された少なく
とも１種，Ｔは，Ｃｏを主成分とする遷移金属（Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ）の内から選択された少なくとも１種，Ｍ
は，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，およ
びＡｕの内少なくとも１種で表され，Ｒの組成値ｘは１
６．０〜２２．０ａｔ％，Ｍの組成値ｙは０≦ｙ＜３０
ａｔ％の組成範囲である。
須成分としてＹを含む希土類元素から選択された少なく
とも１種，Ｔは，Ｃｏを主成分とする遷移金属（Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ）の内から選択された少なくとも１種，Ｍ
は，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，およ
びＡｕの内少なくとも１種で表され，Ｒの組成値ｘは１
６．０〜２２．０ａｔ％，Ｍの組成値ｙは０≦ｙ＜３０
ａｔ％の組成範囲である。
【００２０】ここで，上記組成の限定理由は，一般式，
Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy において，ｘは１６．０ａｔ％以下
では保磁力が低下し，２２．０ａｔ％以上では磁化が低
下し好ましくないからであり，また，Ｍは３０ａｔ％以
上であると保磁力の低下が見られ好ましくないからであ
る。
Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy において，ｘは１６．０ａｔ％以下
では保磁力が低下し，２２．０ａｔ％以上では磁化が低
下し好ましくないからであり，また，Ｍは３０ａｔ％以
上であると保磁力の低下が見られ好ましくないからであ
る。
【００２１】上記組成を有する磁性材料は，高速急冷
法，あるいは拡散還元法により作製されるか，通常の溶
解，冷却により得られたバルク体の合金，粉末冶金法に
より得られた合金，また，前記粉末を，ボールミル，振
動ミル，ジェットミル，水素吸蔵粉砕等により得ること
ができる。
法，あるいは拡散還元法により作製されるか，通常の溶
解，冷却により得られたバルク体の合金，粉末冶金法に
より得られた合金，また，前記粉末を，ボールミル，振
動ミル，ジェットミル，水素吸蔵粉砕等により得ること
ができる。
【００２２】また，上記方法により得られた粉末を，真
空あるいは不活性雰囲気中で６００〜１１００℃の温度
範囲で熱処理し，所望の粒径に調製したものであっても
よい。
空あるいは不活性雰囲気中で６００〜１１００℃の温度
範囲で熱処理し，所望の粒径に調製したものであっても
よい。
【００２３】なお，このような磁性材料の保磁力は３ｋ
Ｏｅ以上とすることができ，本発明の効果を得るために
は十分である。
Ｏｅ以上とすることができ，本発明の効果を得るために
は十分である。
【００２４】磁性層２は，塗布型の磁性層として構成す
ることができる。この場合，磁性層２は，上記の磁性材
料がバインダ中に分散されて構成され，バインダ：磁性
材料＝９：１〜１：９程度の重量比で磁性層中に含有さ
れればよい。
ることができる。この場合，磁性層２は，上記の磁性材
料がバインダ中に分散されて構成され，バインダ：磁性
材料＝９：１〜１：９程度の重量比で磁性層中に含有さ
れればよい。
【００２５】なお，バインダは２種以上用いてもよく，
また，公知の分散剤，表面処理剤等が含有されてもよ
い。また，磁性層２の厚さは，０．５〜５０μｍ程度で
よい。この磁性層２と異なるエリアに非磁性層３が設け
られる。非磁性層３の材料は特に限定されず，また，カ
ード全面が磁性層２であり非磁性層を形成しない構造で
あってもよい。磁性層２及び非磁性層３上に設けられて
いる保護層４は，シールドを含む磁気カードに用いられ
ている公知の樹脂からなる保護層等から選択できる。
また，公知の分散剤，表面処理剤等が含有されてもよ
い。また，磁性層２の厚さは，０．５〜５０μｍ程度で
よい。この磁性層２と異なるエリアに非磁性層３が設け
られる。非磁性層３の材料は特に限定されず，また，カ
ード全面が磁性層２であり非磁性層を形成しない構造で
あってもよい。磁性層２及び非磁性層３上に設けられて
いる保護層４は，シールドを含む磁気カードに用いられ
ている公知の樹脂からなる保護層等から選択できる。
【００２６】このようにして作製された磁気カード１０
は，保磁力が３．０ｋＯｅ以上でかつ保磁力の１／２以
下の印加磁界で，飽和磁化の２５％以上の磁化を有する
保磁力の高い磁性層保磁力の高い磁性層２を備えてい
る。この磁性層は，情報の記録は容易に行えるが，記録
した情報の消去，書換えが困難又は不可能である。
は，保磁力が３．０ｋＯｅ以上でかつ保磁力の１／２以
下の印加磁界で，飽和磁化の２５％以上の磁化を有する
保磁力の高い磁性層保磁力の高い磁性層２を備えてい
る。この磁性層は，情報の記録は容易に行えるが，記録
した情報の消去，書換えが困難又は不可能である。
【００２７】更に，この磁性層は，磁気カードの面内長
手方向に磁気記録をする方法において，第一に初期情報
記録する際，長手方向に記録を行い，更にその後，順次
新しい情報を記録する際には，既存の情報の一部を破壊
することにより新規情報を記録することができる。ここ
で，情報を記録する際には，磁性層に面内磁気記録し，
再生する際は，面内磁気記録再生装置を用いて読み取る
ことができる。この磁性層の磁気情報は磁気ヘッドを用
い面内方向に一定の一方向磁界を印加した場合において
も，磁性層の磁気情報は保磁力が高いため消去されるこ
となく残存する。
手方向に磁気記録をする方法において，第一に初期情報
記録する際，長手方向に記録を行い，更にその後，順次
新しい情報を記録する際には，既存の情報の一部を破壊
することにより新規情報を記録することができる。ここ
で，情報を記録する際には，磁性層に面内磁気記録し，
再生する際は，面内磁気記録再生装置を用いて読み取る
ことができる。この磁性層の磁気情報は磁気ヘッドを用
い面内方向に一定の一方向磁界を印加した場合において
も，磁性層の磁気情報は保磁力が高いため消去されるこ
となく残存する。
【００２８】また，磁性層に新規情報を記録する場合
は，既存の記録情報の一部を破壊することにより，新規
情報の記録ができる。
は，既存の記録情報の一部を破壊することにより，新規
情報の記録ができる。
【００２９】したがって，追記可能かつ書換え困難又は
不可能な磁気カードを提供することができる。
不可能な磁気カードを提供することができる。
【００３０】以下，本発明の実施の形態による磁気カー
ドの具体的な製造について説明する。まず，純度９９．
０％以上のＳｍ，Ｃｏを溶解してＳｍ19.1Ｃｏ68.7Ａｌ
12.2の組成の合金を作製し，室温で水素吸蔵を行い，得
られた粉末をジェットミルを用いて粉砕を行い，平均粒
径が２μｍの粉末を得た。さらに得られた粉末に１００
０℃でＡｒ雰囲気中１５分間熱処理を施し磁性材料Ｎ
ｏ．１を得た。
ドの具体的な製造について説明する。まず，純度９９．
０％以上のＳｍ，Ｃｏを溶解してＳｍ19.1Ｃｏ68.7Ａｌ
12.2の組成の合金を作製し，室温で水素吸蔵を行い，得
られた粉末をジェットミルを用いて粉砕を行い，平均粒
径が２μｍの粉末を得た。さらに得られた粉末に１００
０℃でＡｒ雰囲気中１５分間熱処理を施し磁性材料Ｎ
ｏ．１を得た。
【００３１】この磁性材料の保磁力は１５ｋＯｅであっ
た。この磁性材料Ｎｏ．１の粉末を用い，下記表１に示
す組成の塗料Ａを作製した。
た。この磁性材料Ｎｏ．１の粉末を用い，下記表１に示
す組成の塗料Ａを作製した。
【００３２】
【表１】 次に，下記表２に示す組成の塗料Ｂを作製した。
【００３３】
【表２】
【００３４】次に，塗料Ａと塗料ＢをＰＥＴ基体上に平
行に同時に塗布し，乾燥して，磁性層とした。乾燥後の
層厚は各々約１０μｍであった。この磁性層と非磁性層
が塗布された基体を打ち抜き，磁気カード１０を得た。
得られた磁気カード１０の磁性層２（図１参照）に，磁
気記録用ヘッドで記録密度２１０ＢＰＩで記録し，面内
磁気記録再生用ヘッドで再生したところ，３．０Ｖの出
力を得た。
行に同時に塗布し，乾燥して，磁性層とした。乾燥後の
層厚は各々約１０μｍであった。この磁性層と非磁性層
が塗布された基体を打ち抜き，磁気カード１０を得た。
得られた磁気カード１０の磁性層２（図１参照）に，磁
気記録用ヘッドで記録密度２１０ＢＰＩで記録し，面内
磁気記録再生用ヘッドで再生したところ，３．０Ｖの出
力を得た。
【００３５】次に，記録した磁気カードの磁性層２に，
面内磁気記録再生用ヘッドで一方向磁界を印加し，情報
を消去を行った後再生したところ，初めに記録した情報
を約２Ｖの出力で読み出すことができた。また，記録し
た磁気カードに，磁気記録用ヘッドでオーバーライトを
行い再生したところ，初めに記録した情報もオーバーラ
イトした情報も正確に読み出すことができず，情報が破
壊されることが確認できた。
面内磁気記録再生用ヘッドで一方向磁界を印加し，情報
を消去を行った後再生したところ，初めに記録した情報
を約２Ｖの出力で読み出すことができた。また，記録し
た磁気カードに，磁気記録用ヘッドでオーバーライトを
行い再生したところ，初めに記録した情報もオーバーラ
イトした情報も正確に読み出すことができず，情報が破
壊されることが確認できた。
【００３６】以上，説明した実施の形態では，磁性層２
及び非磁性層３を同時に塗布して形成したが，本発明の
磁気カードの製造方法として限定されるものではなく，
磁性層及び非磁性層を別々に塗布する方法や，塗工方法
としては，グラビア，リバースロール，ダイコーター等
の方法も適用できる。
及び非磁性層３を同時に塗布して形成したが，本発明の
磁気カードの製造方法として限定されるものではなく，
磁性層及び非磁性層を別々に塗布する方法や，塗工方法
としては，グラビア，リバースロール，ダイコーター等
の方法も適用できる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
記録した情報の消去，書換えが困難又は不可能であるた
め，偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能であ
る磁気カードが得られ，工業上，また，セキュリティー
上極めて有益である磁気カードおよび磁気記録方法を提
供することができる。
記録した情報の消去，書換えが困難又は不可能であるた
め，偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能であ
る磁気カードが得られ，工業上，また，セキュリティー
上極めて有益である磁気カードおよび磁気記録方法を提
供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による磁気カードを示す部
分断面図である。
分断面図である。
１ 基体 ２ 磁性層 ３ 非磁性層 ４ 保護層 １０ 磁気カード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２２Ｆ 1/00 Ｈ０１Ｆ 1/04 Ｂ
Claims (5)
- 【請求項１】 基体上に全面あるいは部分的に磁性層を
有し，前記磁性層に含有される磁性材料が，一般式，Ｒ
x Ｔ100-x-y Ｍy （但し，Ｒは，Ｓｍを必須成分として
Ｙを含む希土類元素から選択された少なくとも１種，Ｔ
は，Ｃｏを主成分とする遍移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）
の内から選択された少なくとも一種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，およびＡｕの内の
少なくとも１種で表され，Ｒの組成値Ｘは１６．０〜２
２．０，Ｍの組成値ｙは０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ
％）である。）で表される組成を有し，前記磁性材料を
バインダ中に分散して前記磁性層が構成されていること
を特徴とする磁気カード。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気カードにおいて，前
記磁性層に磁気記録する際には，第１に初期情報記録
し，更にその後，使用する毎に順次新しい情報を記録す
る際には，既存の情報の一部を破壊することにより新規
情報を記録することを特徴とする磁気カード。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の磁気カードにおい
て，前記磁性層の記録情報を読み取る際，磁性層に予め
磁界を印加し，その後，前記記録情報を読み取ることを
特徴とする磁気カード。 - 【請求項４】 請求項１記載の磁気カードの前記磁性層
に磁気記録する方法において，第１に初期情報記録し，
更にその後，使用する毎に順次新しい情報を記録する際
には，既存の情報の一部を破壊することにより新規情報
を記録することを特徴とする磁気記録方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の磁気記録方法において，
前記磁性層の記録情報を読み取る際，前記磁性層に予め
磁界を印加し，その後，前記記録情報を読み取ることを
特徴とする磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8186407A JPH1031816A (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | 磁気カード及び磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8186407A JPH1031816A (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | 磁気カード及び磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1031816A true JPH1031816A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16187881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8186407A Pending JPH1031816A (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | 磁気カード及び磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1031816A (ja) |
-
1996
- 1996-07-16 JP JP8186407A patent/JPH1031816A/ja active Pending
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| JPH0210484B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040803 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040901 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050105 |