JPH09153580A - 半導体装置の製造方法、半導体装置およびリードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体装置の製造方法において、ドロスの付着
の影響をなくしてリードの曲げ加工後におけるリード先
端部の平面精度及びリードピッチ精度を良好にし、ドロ
スの脱落による不具合を生じることがないようにする。 【解決手段】半導体チップを搭載する前のリードフレー
ム２１の加工工程において、予めダムバー２４の両面に
ハーフエッチング部２５を形成しておく。このハーフエ
ッチング部２５は、樹脂モールド部２２よりも遠い側に
形成する。上記のようなダムバー２４を、ノズル１３よ
りアシストガスを放出しながらレーザ光１１を照射して
切断する。ドロス２７の量は従来よりも大幅に減少し、
また、ハーフエッチング部２５内部にドロス２７が収容
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームに
半導体チップを搭載し樹脂モールドで一体に封止した半
導体装置の製造方法に係わり、特に、リードフレームに
おける樹脂モールド堰止め用のダムバーをレーザ光によ
って切断する半導体装置の製造方法、およびその製造方
法によって製造された半導体装置、並びにその半導体装
置用のリードフレームに関する。

【０００２】

【従来の技術】リードフレームに半導体チップを搭載
し、樹脂モールドで一体に封止した半導体装置（以下、
適宜、モールド封止型半導体装置、または単に半導体装
置という）において、ダムバーはリードフレームのリー
ド間をつなぐものであり、樹脂モールドでリードフレー
ムと半導体チップを一体に封止する時に樹脂モールドが
リードの間に流れ出て来るのを堰止める役割を果たすも
のである。また、このダムバーは各リードを補強する役
割も有する。そして、樹脂モールドにより封止が終了す
ると、このダムバーは切断除去され、リードフレームの
各リード（アウターリード）が個々に切り離される。

【０００３】従来は、上記のようなダムバーを打ち抜き
により切断することが多かったが、最近では、特開平２
−３０１１６０号公報に記載されているように、レーザ
加工装置を使用した方式が開発されている。この方法に
おいては、レーザ発振器から出力されるレーザ光を集光
レンズにより集光し、このレーザ光をノズルの先端より
ダムバーに照射して溶断を行う。また、アシストガスは
アシストガス供給部より上記ノズル内に供給され、レー
ザ光と共にダムバーに放出され、レーザ光照射による燃
焼補助、及び生じた溶融物の除去などを行う。切断すべ
きダムバーの位置は予め制御部等に登録されており、そ
の制御部の制御のもとに上記ノズルや、レーザ光を集光
させる光学系を取り付けたＸＹテーブル等を移動させる
ことにより順次ダムバーが切断されていく。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来技術
によりダムバー切断を行った場合には、例えば図１３
（ａ）および（ｂ）に示すように、入熱によって生じた
溶融物に起因するドロス１０２がリードフレームのリー
ド１０１の切断端面の裏面側に付着する。特に、レーザ
光と共にアシストガスを供給した場合には、樹脂モール
ド１０３が壁のような作用をするためアシストガスが樹
脂モールド１０３より遠ざかる方向に流れ、その影響を
受けてドロス１０２は図１３のように樹脂モールド１０
３よりも遠い側の裏面側に多く付着する。

【０００５】ダムバー切断後には、図１４に断面図で示
すように押さえ治具１０５によりリード１０１のダムバ
ー付近が押えられ、図中矢印１０６の方向にリード１０
１が曲げ加工されて図１５に示すようなガルウィング状
の形状となるが、図１３のようにリード１０１の切断端
面裏面側にドロス１０２が不規則に付着していると、各
リード１０１毎に変形の仕方（曲がる条件）が異なり、
曲げ加工後のリード１０１の先端部は同一平面上に載ら
なくなる。すなわち、図１５のIV方向から見た場合、本
来は図１６（ａ）のように曲げ加工後のリード１０１の
先端部が同一平面上に載らなければならないが、上記の
ようにドロス１０２が不規則に付着している場合には図
１６（ｂ）に示すようにリード１０１の先端部が同一平
面上に載らずに千鳥配置となってしまい、リード１０１
の平面精度が低下する。このリード１０１の先端部は、
半導体装置の基板上への表面実装時に配線パターン上に
ハンダ付けされる部分であるが、図１６（ｂ）のように
平面精度が悪くなると基板上の配線パターンとの確実な
接続ができなくなる。

【０００６】また、半導体装置の基板上への表面実装
時、若しくは実装後に、上記のように付着したドロス１
０２が脱落して基板上あるいはその他の電子部品等に付
着すると、配線パターンの電気的短絡や誤動作等の不具
合の原因となる。

【０００７】本発明の目的は、ドロスの付着の影響をな
くしてリードの曲げ加工後におけるリード先端部の平面
精度及びリードピッチ精度を良好にすることができ、ド
ロスの脱落による不具合を生じることがない半導体装置
の製造方法、およびその製造方法によって製造された半
導体装置、並びにその半導体装置用のリードフレームを
提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、リードフレームに半導体チップを
搭載後に樹脂モールドで一体に封止し、前記リードフレ
ームにおける樹脂モールド堰止め用のダムバーをノズル
よりアシストガスを放出しながらレーザ光を照射して切
断する半導体装置の製造方法において、前記リードフレ
ームへの半導体チップ搭載前に、前記ダムバーの少なく
ともレーザ光を照射する面とは反対の面における半導体
チップ搭載部分よりも遠い側に、ハーフエッチングを施
しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供
される。

【０００９】本発明の場合にも、レーザ光照射によって
必然的に生じた溶融物がリードの切断端面裏面側に付着
し冷え固まってドロスとなる。しかし、リードフレーム
のダムバー形状を上記のような形状とすることで、その
ドロス付着による影響をなくすことができる。

【００１０】即ち、リードフレームへの半導体チップ搭
載前に、予めダムバーにハーフエッチングを施してお
く。このハーフエッチングを施す箇所は、ダムバーの少
なくともレーザ光を照射する面とは反対の面であって、
リードフレームの半導体チップの搭載部分よりも遠い
側、従って樹脂モールドが封止される部分よりも遠い側
とする。但し、ハーフエッチングを施す面は、必ずしも
レーザ光を照射する面とは反対の面のみである必要はな
く、両面であってもよい。このようにダムバーにハーフ
エッチングを施すことにより、従来のレーザ光照射によ
るダムバー切断の場合に発生していたドロス量よりも本
発明ではドロスの量が大幅に少なくなる。従って、付着
したドロスが後で脱落することが回避され、配線パター
ンの電気的短絡や誤動作等の不具合を防止することが可
能となる。

【００１１】また、ダムバーは、通常、リードの痩せを
避けるためリードの側壁ぎりぎりまで切断されることは
ないから、ハーフエッチングされた凹部の一部は必ず残
る。一方、アシストガスの流れる方向は樹脂モールドの
影響を受けてその樹脂モールドより遠ざかる方向となる
ため、ドロスは樹脂モールドより遠い側の裏面側に多く
付着しようとする。従って、ハーフエッチングされた凹
部の（一部の）内部にドロスが収容されることになり、
そのため、リード裏面からドロスが突出することがなく
なり、その後の曲げ加工時の変形の仕方が各リードでほ
ぼ等しくなって曲げ加工後のリード先端部の平坦精度が
向上する。

【００１２】さらに、ハーフエッチングするのはダムバ
ーの樹脂モールドよりも遠い側であるため、ダムバーの
樹脂モールド側は元々のリードフレームの厚みが保たれ
ており、樹脂モールドによる封止時にその樹脂モールド
のリード間への流出を防ぎ、かつ各リードを補強すると
いうダムバー本来の役割には遜色ない。

【００１３】また、本発明において好ましくは、ダムバ
ーに照射するレーザ光として、細長い断面形状を有する
レーザ光を使用する。これにより、レーザ光のスポット
における長手方向をダムバーの幅方向（リード長手方
向）に一致させれば、１パルスもしくは数パルスのレー
ザ光照射により容易にダムバーを切断することが可能と
なる。

【００１４】また、本発明によれば、上記のような半導
体装置の製造方法により製造された半導体装置が提供さ
れる。

【００１５】さらに、本発明によれば、半導体チップが
搭載された後、樹脂モールドで一体に封止される半導体
装置用のリードフレームにおいて、前記樹脂モールド堰
止め用のダムバーの少なくとも片面における半導体チッ
プの搭載部分よりも遠い側にハーフエッチングを施した
ことを特徴とするリードフレームが提供される。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について、図
１から図８を参照しながら説明する。

【００１７】まず、本実施形態で使用するダムバーの切
断装置の全体構成について説明する。図１に示すダムバ
ーの切断装置は、半導体装置１ａを複数個まとめたフレ
ーム１を収容しておくマガジン２、フレーム１の搬入及
び搬出を行う搬送装置３、フレーム１を搭載及び固定す
る治具４、治具４に固定されたフレーム１を水平面内で
移動される加工テーブル（以下ＸＹテーブルという）
５、レーザ光を発振させるレーザ発振ユニット６、レー
ザ発振ユニット６からのレーザ光の進路をフレーム１
（ダムバー）の方向に変えるレーザ加工ヘッド７、半導
体装置のダムバー切断位置を検出する位置検出用カメラ
８、レーザ発振ユニット６の発振動作の制御、ＸＹテー
ブル５の移動制御、位置検出用カメラ８からのダムバー
切断位置のデータ処理を行う制御部９、この制御部９を
介してレーザ発振ユニット６に電力を供給する電源１０
を備えている。本実施形態では、上記のように、半導体
装置１ａを複数個まとめたフレーム１を一つの単位とし
て取り扱う。なお、厳密に言うと、ダムバー切断前の状
態では半導体装置は製品として完成したものでなく、い
わば中間製品であるが、以下の説明では、簡単のために
このようなダムバー切断前のものもモールド封止型の半
導体装置または半導体装置という。

【００１８】図２は、レーザ発振ユニット６及びレーザ
加工ヘッド７を詳細に示す図である。図２に示すよう
に、レーザ発振ユニット６にはレーザ発振器６ａ及びビ
ームフォーマ６ｂが備えられており、レーザ発振器６ａ
から出力されたレーザ光１１ａがビームフォーマ６ｂに
よって細長い楕円形断面を有するレーザ光１１ｂに変換
される。ビームフォーマ６ｂは凹型及び凸型の２枚のシ
リンドリカルレンズが備えられている。レーザ加工ヘッ
ド７内部には、レーザ光１１ｂの進路をフレーム１（半
導体装置１ａ）方向に変えてレーザ光１１とするベンデ
ィングミラー１２が取り付けられており、レーザ加工ヘ
ッド７の下部にはＸＹテーブル５に対向するようにノズ
ル１３が設けられており、ノズル１３の内部にはレーザ
光１１を集光する集光レンズ１４が取り付けられてい
る。また、ノズル１３にはアシストガスをノズル１３の
内部に供給するアシストガス供給部１５が取り付けられ
ている。

【００１９】次に、上記のようなダムバーの切断装置の
動作について説明する。まず、図１において、マガジン
２内部のプッシャー２ａによってフレーム１が矢印Ａの
方向に押し上げられ、搬送装置３に吸着される。搬送装
置３は矢印Ｂ及びＣのように動くことが可能で、予めマ
ガジン２側に移動させていたＸＹテーブル５にフレーム
１を搬送する。そして、フレーム１は治具４により固定
され位置決めされる。ＸＹテーブル５上のフレーム１は
矢印Ｄのように移動可能であって、治具４により固定さ
れたフレーム１はＸＹテーブル５の移動によりレーザ加
工ヘッド７の真下に移動する。

【００２０】図３はフレーム５の一例を示す平面図であ
る。図３に示すように、フレーム１は２個の半導体装置
１ａが１枚のリードフレーム２１によってまとめられた
形状をしている。リードフレーム２１の枠部には位置決
め用の穴が設けられている。各半導体装置１ａの樹脂モ
ールド部２２には図示しない半導体チップが封止されて
おり、樹脂モールド部２２からは多数のリード（アウタ
ーリード）２３が放射状に延びている。ダムバー２４
は、リード２３の間をつないでおり、樹脂モールド２２
でリードフレーム２１と半導体チップを一体に封止する
時に樹脂モールド２２がリード２３の間に流れ出て来る
のを堰止める役割と、リード２３を補強する役割を果た
す。そして、ダムバー２４は以下で説明するように切断
され、その後はリードフレーム２１の枠部が全て切断除
去され、リード（アウターリード）２３がガルウィング
状に曲げ加工される。なお、図３では２個の半導体装置
１ａを一組としてフレーム１を構成したが、３個以上の
半導体装置を一組としてもよい。

【００２１】フレーム１（半導体装置１ａ）におけるダ
ムバー切断位置はレーザ加工ヘッド７上部の位置検出用
カメラ８で検出され、このデータがパルス列として制御
部９に伝達され、制御部９でそのパルス列に基づきレー
ザ光発振のトリガが発せられ、そのトリガに基づく電力
供給によりレーザ発振ユニット６がレーザ光を発振す
る。このダムバー切断位置の検出からレーザ光の発振ま
での信号処理に関しては、例えば特開平６−１４２９６
８号公報に記載されている。レーザ発振ユニット６から
発振したレーザ光１１ａは、ビームフォーマー６ｂを通
過して細長い楕円形断面に変換され、レーザ加工ヘッド
７内のベンディングミラー１２により進路を曲げられて
レーザ光１１となり、ノズル１３内部の集光レンズ１４
により集光され、半導体装置１ａのダムバー２４に照射
される。なお、ビームフォーマー６ｂを前述のようなシ
リンドリカルレンズで構成するのではなく、例えば矩形
マスク等を用いてもよく、さらにレーザ発振器自体を矩
形断面のレーザ光を発振させるスラブレーザ発振器とし
てもよい。

【００２２】また、アシストガス供給部１５より供給さ
れたアシストガスは、ノズル１３の先端よりレーザ光１
１の光軸に沿って噴出される。このアシストガスは、レ
ーザ光１１の照射による燃焼の補助や、生じた溶融物の
除去の役割を果たす。

【００２３】以上のような動作を順次行って全てのダム
バー２４の切断が完了し、搬送装置３によりフレーム１
が搬出される。

【００２４】本実施形態では、半導体チップを搭載する
前のリードフレーム２１の加工工程において、予めダム
バー２４両面に図４に示すようなハーフエッチングによ
る凹部（以下、ハーフエッチング部という）２５を形成
しておく。このハーフエッチング部２５は、樹脂モール
ド部２２よりも遠い側（半導体チップの搭載部分よりも
遠い側）に形成する。

【００２５】上記のようなハーフエッチング部２５は図
５のようにして形成することが可能である。即ち、リー
ドフレーム２１の加工時において、図５（ａ）のような
形状のレジスト膜２６を両面に被覆しておく。図中開口
部２６ａに対応する部分はエッチングによって貫通しリ
ード２３を分離する間隙となる部分であって、開口部２
６ｂがハーフエッチング部２５となる部分である。ま
た、図５（ａ）のＢ-Ｂ方向およびＣ-Ｃ方向から見た断
面図を、それぞれ図５（ｂ）および（ｃ）に示す。この
ようなレジスト膜２６を形成後にエッチングを施すと、
幅の広い開口部２６ａに対応する部分は板厚方向に完全
に貫通して間隙となり、幅の狭い開口部２６ｂに対応す
る部分は板厚方向に完全に貫通しきれずに凹状のハーフ
エッチング部２５となる。図５（ｄ）にエッチングおよ
びレジスト膜除去後の断面図を示す。但し、図５（ｄ）
は図５（ｂ）と同位置の断面図である。このように、ダ
ムバー２４の両面側に同形状のレジスト膜を被覆する場
合には、露光用のマスクが一種類でよいため、製造コス
トを低減できる。また、リードフレーム２１全体の形状
をエッチングで形成する場合には、そのエッチング工程
の時に一緒にハーフエッチ部２５も形成することができ
る。なお、ハーフエッチ部２５は、ダムバー２４の少な
くともレーザ光１１を照射する面とは反対の面（裏面
側）に形成すれば十分であり、必ずしも両面に形成する
必要はない。

【００２６】また、本実施形態では、ビームフォーマ６
ｂによってレーザ光１１ａを細長い楕円断面に変換する
ため、図６に示すように、レーザ光１１のスポット１１
ｃが細長い楕円断面となり、スポット１１ｃの長手方向
をダムバー２４の幅方向、即ちリード２３の長手方向に
一致させれば、１パルスもしくは数パルスのレーザ光照
射により容易にダムバー２４を切断することが可能とな
る。

【００２７】図７はダムバー２４を切断する際のアシス
トガスの流れを示す図、図８は、ダムバー２４の切断後
の断面図である。ダムバー２４をレーザ光１１の照射に
より切断する際には前述のようにリード２３の切断端面
の裏面側にドロス２７が生じるが、ダムバー２４にハー
フエッチング部２５を形成しておくことにより、本実施
形態では従来よりもドロス２７の発生量が大幅に少なく
なる。これにより、付着したドロス２７が後で脱落する
ことが回避され、配線パターンの電気的短絡や誤動作等
の不具合を防止することができる。

【００２８】また、ダムバー２４切断時には、通常、リ
ード２３の痩せを避けるためリード２３側壁ぎりぎりま
で切断されることはなく、リード２３側壁から少し突出
するように切り残される。従って、ハーフエッチング部
（凹部）２５の一部は必ず残ることになる。一方、図７
に示すように、アシストガスの流れる方向（図中矢印Ｅ
で示す）は、樹脂モールド２２の影響を受けてその樹脂
モールド２２より遠ざかる方向となるため、ドロス２７
は樹脂モールド２２より遠い側の裏面側に多く付着しよ
うとする。従って、ダムバー２４の切断後には、図８に
示すように残ったハーフエッチング部２５の内部にドロ
ス２７が収容されて隠れるようになり、そのため、リー
ド２３裏面からドロス２７が突出することがなく、その
後の曲げ加工時の変形の仕方が各リード２３でほぼ等し
くなる。その結果、曲げ加工後のリード２３先端部の平
坦精度が向上する。

【００２９】さらに、ハーフエッチング部２５はダムバ
ー２４の樹脂モールド２２よりも遠い側に形成されるた
め、ダムバー２４の樹脂モールド２２に対面する側は元
々のリードフレーム２１の厚みが保たれており、リード
２３間への樹脂モールドの流出を防ぎ、かつ各リード２
３を補強するというダムバー２４本来の役割には遜色な
い。

【００３０】以上のような本実施形態によれば、ダムバ
ー２４にハーフエッチング部２５を形成するので、従来
よりもドロス２７の量を大幅に減少することができ、そ
の結果、ドロス２７の脱落、配線パターンの電気的短
絡、誤動作等の不具合を防止することができる。また、
ハーフエッチング部２５内部にドロス２７が収容される
ため、リード２３裏面からドロス２７が突出することが
なくなり、曲げ加工後のリード２３先端部の平坦精度を
向上することができる。さらに、ダムバー２４の樹脂モ
ールド２２側は元々のリードフレーム２１の厚みが保た
れるので、ダムバー２４本来の役割に遜色ない。

【００３１】本発明による他のいくつかの実施形態につ
いて、図９から図１２を参照しながら説明する。

【００３２】図９は、前述の実施形態よりもさらに細長
いスポット３１となるようにレーザ光を変換し、１つの
ダムバー２４を２箇所で切断する実施形態を示す図であ
る。このような複数のパルスにより切断する場合におい
ても、ドロスの付着状況は図１〜図８で説明した実施形
態とほぼ同様となり、同様の効果が得られる。

【００３３】図１０および図１１は、細長い楕円断面の
レーザ光を用いずに円形断面のレーザ光を用い、そのレ
ーザ光による円形のスポットをスキャンさせる実施形態
を示す図である。図１０では円形のスポット３２をリー
ド２３の長手方向に同一直線上でスキャンさせており、
図１１では円形のスポット３３をリード２３の長手方向
に往復させている。このようにスポットをスキャンさせ
る場合でも、やはりドロスの付着状況は図１〜図８で説
明した実施形態とほぼ同様となり、同様の効果が得られ
る。

【００３４】図１２は、ハーフエッチング部２５ａの幅
を図４の場合よりも狭くし、１つのダムバーにつき２箇
所のハーフエッチング部２５ａをリード２３側壁付近に
形成する実施形態を示す図である。この場合にも、ドロ
スの付着状況は図１〜図８で説明した実施形態とほぼ同
様となり、同様の効果が得られる。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、ダムバーの少なくとも
レーザ光を照射する面とは反対の面における半導体チッ
プの搭載部分よりも遠い側にハーフエッチングを施すの
で、ドロス量を大幅に減少することができ、その結果、
ドロスの脱落、配線パターンの電気的短絡、誤動作等の
不具合を防止することができる。また、ハーフエッチン
グされた部分の内部にドロスが収容されるため、リード
裏面からドロスが突出することがなくなり、曲げ加工後
のリード先端部の平坦精度を向上することができる。さ
らに、ダムバーの樹脂モールド側は元々のリードフレー
ムの厚みが保たれるので、ダムバー本来の役割に遜色な
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態で使用するダムバーの切断
装置の全体構成図である。

【図２】図１のダムバーの切断装置におけるレーザ発振
ユニット及びレーザ加工ヘッドを詳細に示す図である。

【図３】半導体装置を複数個まとめたフレームの一例を
示す平面図である。

【図４】半導体装置のダムバー付近の拡大平面図であ
る。

【図５】ダムバーにハーフエッチング部を形成する方法
を説明する図であって、（ａ）はレジスト膜をリードフ
レームの材料に被覆した状態を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）のＢ-Ｂ方向から見た断面図、（ｃ）は（ａ）の
Ｃ-Ｃ方向から見た断面図である。

【図６】細長い楕円断面のレーザ光によるスポットとダ
ムバーとの位置関係を示す図である。

【図７】ダムバーを切断する際のアシストガスの流れと
ダムバーとの関係を示す断面図である。

【図８】ダムバー切断後の断面図である。

【図９】本発明による他の実施形態を説明する図であ
る。

【図１０】本発明によるさらに他の実施形態を説明する
図である。

【図１１】本発明によるさらに他の実施形態を説明する
図である。

【図１２】本発明によるさらに他の実施形態を説明する
図である。

【図１３】従来技術によりダムバー切断を行った場合の
ドロスの付着状況を説明する図であって、（ａ）はその
平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ-Ｂ方向の断面図である。

【図１４】図１３のようなダムバー切断後に、押さえ治
具でによりダムバー付近が押えられ、リードの曲げ加工
が行われる様子を説明する図である。

【図１５】図１４のリードの曲げ加工後の状態を示す図
である。

【図１６】図１５のIV方向から見た図であって、（ａ）
は曲げ加工後のリードの先端部が同一平面上に載ってい
る状態を示す図、（ｂ）はドロス付着の影響でリードの
先端部が同一平面上に載らずに千鳥配置となってしまっ
た状態を示す図である。

【符号の説明】 １ フレーム １ａ 半導体装置 ５ 加工テーブル ６ レーザ発振ユニット ６ａ レーザ発振器 ６ｂ ビームフォーマ ７ レーザ加工ヘッド ８ 位置検出用カメラ ９ 制御部 １０ 電源 １１，１１ａ，１１ｂ レーザ光 １１ｃ スポット １２ ベンディングミラー １３ ノズル １４ 集光レンズ １５ アシストガス供給部 ２１ リードフレーム ２２ 樹脂モールド部 ２３ リード ２４ ダムバー ２５ ハーフエッチング部 ２５ａ ハーフエッチング部 ２６ レジスト膜 ２７ ドロス ３１，３２，３３ スポット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長野 義也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 下村 義昭 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 奥村 信也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 美野本 泰 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機エ ンジニアリング株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードフレームに半導体チップを搭載後
   に樹脂モールドで一体に封止し、前記リードフレームに
   おける前記樹脂モールド堰止め用のダムバーをノズルよ
   りアシストガスを放出しながらレーザ光を照射して切断
   する半導体装置の製造方法において、 前記リードフレームへの前記半導体チップ搭載前に、前
   記ダムバーの少なくとも前記レーザ光を照射する面とは
   反対の面における前記半導体チップ搭載部分よりも遠い
   側に、ハーフエッチングを施しておくことを特徴とする
   半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、前記ダムバーに照射するレーザ光として、細長
   い断面形状を有するレーザ光を使用することを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
   造方法により製造された半導体装置。
4. 【請求項４】 半導体チップが搭載された後、樹脂モー
   ルドで一体に封止される半導体装置用のリードフレーム
   において、前記樹脂モールド堰止め用のダムバーの少な
   くとも片面における前記半導体チップの搭載部分よりも
   遠い側にハーフエッチングを施したことを特徴とするリ
   ードフレーム。