JPH09153639A - 光起電力型赤外線受光素子とその製造方法 - Google Patents
光起電力型赤外線受光素子とその製造方法Info
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- JPH09153639A JPH09153639A JP7311974A JP31197495A JPH09153639A JP H09153639 A JPH09153639 A JP H09153639A JP 7311974 A JP7311974 A JP 7311974A JP 31197495 A JP31197495 A JP 31197495A JP H09153639 A JPH09153639 A JP H09153639A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 14
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 12
- 229910021474 group 7 element Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 10
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｉ族元素による不純物ドーピングで良好な特性
の出る光起電力型赤外線受光素子とＧａＡｓやＳｉ基板
上でも再現性よく所望のデバイス構造が得られる光起電
力型赤外線受光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】Ａｇで２×１０16ｃｍ-3にドーピングされ
たｐ型ＭＣＴ層１の一部に、Ｂのイオン注入により１×
１０18ｃｍ-3のｎ型領域２が形成される。ｐ型ＭＣＴ層
１の表面はＣｄＴｅ保護膜３により覆われている。Ｃｄ
Ｔｅ保護膜３の一部には電極形成のためのコンタクトホ
ールが形成され、ｐ型ＭＣＴ層１の上にｐ側電極４、ｎ
型領域２の上にｎ側電極５が形成される。
の出る光起電力型赤外線受光素子とＧａＡｓやＳｉ基板
上でも再現性よく所望のデバイス構造が得られる光起電
力型赤外線受光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】Ａｇで２×１０16ｃｍ-3にドーピングされ
たｐ型ＭＣＴ層１の一部に、Ｂのイオン注入により１×
１０18ｃｍ-3のｎ型領域２が形成される。ｐ型ＭＣＴ層
１の表面はＣｄＴｅ保護膜３により覆われている。Ｃｄ
Ｔｅ保護膜３の一部には電極形成のためのコンタクトホ
ールが形成され、ｐ型ＭＣＴ層１の上にｐ側電極４、ｎ
型領域２の上にｎ側電極５が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光起電力型赤外線
受光素子とその製造方法に関するものである。
受光素子とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】赤外線受光素子材料として用いられるＨ
ｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ）結晶の伝導型制御を行う方法とし
て、水銀雰囲気中アニール、イオン注入、不純物ドーピ
ングなどがある。水銀雰囲気中アニールおよびイオン注
入で光起電力型素子を作成した例としては、分子線エピ
タキシー（ＭＢＥ）を用いたもの（ＳＰＩＥ、２０２０
巻、４１頁、１９９３年）や、液層エピタキシー（ＬＰ
Ｅ）を用いたもの（ＳＰＩＥ、２０２０巻、４９頁、１
９９３年）などがある。不純物ドーピングにより作成し
た例では、ＬＰＥによりＡｓ、Ｉｎドーピングによりｐ
−ｏｎ−ｎ接合を形成したもの（ＳＰＩＥ、１７３５
巻、１０９頁、１９９２年）などがある。
ｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ）結晶の伝導型制御を行う方法とし
て、水銀雰囲気中アニール、イオン注入、不純物ドーピ
ングなどがある。水銀雰囲気中アニールおよびイオン注
入で光起電力型素子を作成した例としては、分子線エピ
タキシー（ＭＢＥ）を用いたもの（ＳＰＩＥ、２０２０
巻、４１頁、１９９３年）や、液層エピタキシー（ＬＰ
Ｅ）を用いたもの（ＳＰＩＥ、２０２０巻、４９頁、１
９９３年）などがある。不純物ドーピングにより作成し
た例では、ＬＰＥによりＡｓ、Ｉｎドーピングによりｐ
−ｏｎ−ｎ接合を形成したもの（ＳＰＩＥ、１７３５
巻、１０９頁、１９９２年）などがある。
【０００３】また、特開平１−２２３７７９には、Ｃｄ
Ｔｅなどの基板上にｐ−ＣｄＨｇＴｅ層およびＣｄＴｅ
保護膜を連続して設け、ＣｄＴｅ保護膜の開口からボロ
ンをイオン注入してｎ+ 領域をｐ−ＣｄＨｇＴｅ層に形
成した赤外線受光素子が示されている。
Ｔｅなどの基板上にｐ−ＣｄＨｇＴｅ層およびＣｄＴｅ
保護膜を連続して設け、ＣｄＴｅ保護膜の開口からボロ
ンをイオン注入してｎ+ 領域をｐ−ＣｄＨｇＴｅ層に形
成した赤外線受光素子が示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】伝導型制御を行うため
の３種類の方法（水銀雰囲気中アニール、イオン注入、
不純物ドーピング）のうち、水銀雰囲気中アニールは低
キャリヤ濃度ｎ型から高キャリヤ濃度ｐ型の範囲で、任
意にキャリヤ濃度を制御できるというメリットを持つ。
しかし、Ｈｇの大きい拡散係数のため、素子の深さ方向
にキャリヤ濃度のプロファイルをつけることは非常に困
難である。そのため、アニールだけでｐｎ接合を形成す
ることは不可能で、イオン注入などの他の伝導型制御方
法と併用する必要がある。また、水銀空孔もしくは格子
間水銀は２価であることから、１価の不純物ドーピング
によるものと比較してキャリヤ寿命が小さく、デバイス
特性を悪化させる。
の３種類の方法（水銀雰囲気中アニール、イオン注入、
不純物ドーピング）のうち、水銀雰囲気中アニールは低
キャリヤ濃度ｎ型から高キャリヤ濃度ｐ型の範囲で、任
意にキャリヤ濃度を制御できるというメリットを持つ。
しかし、Ｈｇの大きい拡散係数のため、素子の深さ方向
にキャリヤ濃度のプロファイルをつけることは非常に困
難である。そのため、アニールだけでｐｎ接合を形成す
ることは不可能で、イオン注入などの他の伝導型制御方
法と併用する必要がある。また、水銀空孔もしくは格子
間水銀は２価であることから、１価の不純物ドーピング
によるものと比較してキャリヤ寿命が小さく、デバイス
特性を悪化させる。
【０００５】次に、イオン注入による方法は高エネルギ
ーイオンをＭＣＴに照射するため、注入ダメージが避け
られない。イオン注入後にアニールをする事により、損
傷を回復させる方法もあるが、プロセスの複雑化や積層
構造の変化につながる。
ーイオンをＭＣＴに照射するため、注入ダメージが避け
られない。イオン注入後にアニールをする事により、損
傷を回復させる方法もあるが、プロセスの複雑化や積層
構造の変化につながる。
【０００６】以上より、不純物ドーピングによる伝導型
制御が素子形成のための手段として望ましい方法である
が、現在この方法で安定して素子形成ができるのは、水
銀メルトを用いたＬＰＥ法のみである（ＳＰＩＥ、１７
３５巻、１０９頁、１９９２年）。ＬＰＥは高温成長で
あるため複雑な積層構造を形成することは不可能という
問題がある。また、Ｖ族不純物によるｐ型ドーピングが
できるのは、成長に非常に技術を要する水銀メルトから
成長する方法に限られ、ＬＰＥで一般的なＴｅメルトか
らの成長では不可能である。またＬＰＥ成長では、Ｇａ
ＡｓやＳｉ基板を用いた成長が不可能である。
制御が素子形成のための手段として望ましい方法である
が、現在この方法で安定して素子形成ができるのは、水
銀メルトを用いたＬＰＥ法のみである（ＳＰＩＥ、１７
３５巻、１０９頁、１９９２年）。ＬＰＥは高温成長で
あるため複雑な積層構造を形成することは不可能という
問題がある。また、Ｖ族不純物によるｐ型ドーピングが
できるのは、成長に非常に技術を要する水銀メルトから
成長する方法に限られ、ＬＰＥで一般的なＴｅメルトか
らの成長では不可能である。またＬＰＥ成長では、Ｇａ
ＡｓやＳｉ基板を用いた成長が不可能である。
【０００７】それに対してＭＢＥ法は低温成長が可能な
ことから、所望のデバイス構造を作成するのに非常に好
都合な成長方法である。また、ＧａＡｓやＳｉ基板を用
いても高品質のＭＣＴ結晶が得られる。しかし、Ｖ族の
ｐ型ドーピングは非常に困難であり、仮に可能であった
としても再現性に問題があったり、成長後の高温アニー
ルが必要であったりする。高温アニールはＭＢＥの低温
成長という特徴を無くしてしまうもので、複雑な積層構
造形成はできない。Ｉ族のｐ型ドーピングは非常に簡単
であるが（ジャーナル・オブ・アプライド・フィジック
ス、６５巻、１５５０頁、１９８９年）、（アプライド
・フィジックス・レターズ、５１巻、２０２５頁、１９
８７年）、拡散係数が非常に大きいため、ＭＢＥによる
低温成長であっても満足な素子は得られていない。
ことから、所望のデバイス構造を作成するのに非常に好
都合な成長方法である。また、ＧａＡｓやＳｉ基板を用
いても高品質のＭＣＴ結晶が得られる。しかし、Ｖ族の
ｐ型ドーピングは非常に困難であり、仮に可能であった
としても再現性に問題があったり、成長後の高温アニー
ルが必要であったりする。高温アニールはＭＢＥの低温
成長という特徴を無くしてしまうもので、複雑な積層構
造形成はできない。Ｉ族のｐ型ドーピングは非常に簡単
であるが（ジャーナル・オブ・アプライド・フィジック
ス、６５巻、１５５０頁、１９８９年）、（アプライド
・フィジックス・レターズ、５１巻、２０２５頁、１９
８７年）、拡散係数が非常に大きいため、ＭＢＥによる
低温成長であっても満足な素子は得られていない。
【０００８】また、上記特開平１−２２３７７９に開示
された赤外線受光素子においても、ｐ−ＣｄＨｇＴｅ層
をｐ型ドーピング材として何を用い、如何にして製造す
るかについては記述していない。
された赤外線受光素子においても、ｐ−ＣｄＨｇＴｅ層
をｐ型ドーピング材として何を用い、如何にして製造す
るかについては記述していない。
【０００９】本発明は、このような従来の事情に鑑みて
なされたもので、Ｉ族元素による不純物ドーピングで良
好な特性の出る光起電力型赤外線受光素子とＧａＡｓや
Ｓｉ基板上でも再現性よく所望のデバイス構造が得られ
る光起電力型赤外線受光素子の製造方法を提供すること
を目的とする。
なされたもので、Ｉ族元素による不純物ドーピングで良
好な特性の出る光起電力型赤外線受光素子とＧａＡｓや
Ｓｉ基板上でも再現性よく所望のデバイス構造が得られ
る光起電力型赤外線受光素子の製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明の光起電力型赤外線受光素子において
は、ＩＩ−ＶＩ族半導体を用いた光起電力型赤外線受光
素子において、Ｉ族元素により低濃度にドーピングされ
たｐ型層と、イオン注入により高濃度にドーピングされ
たｎ型層とを組み合わせてｐｎ接合を形成することを特
徴としている。さらに前記ｎ型層は、ＩＩＩ族元素もし
くはＶＩＩ族元素を高濃度がドーピングされたものでも
良い。
め、第１の発明の光起電力型赤外線受光素子において
は、ＩＩ−ＶＩ族半導体を用いた光起電力型赤外線受光
素子において、Ｉ族元素により低濃度にドーピングされ
たｐ型層と、イオン注入により高濃度にドーピングされ
たｎ型層とを組み合わせてｐｎ接合を形成することを特
徴としている。さらに前記ｎ型層は、ＩＩＩ族元素もし
くはＶＩＩ族元素を高濃度がドーピングされたものでも
良い。
【００１１】また、第２の発明の光起電力型赤外線受光
素子の製造方法においては、ＭＢＥ法により２００℃以
下の低温成長による低濃度Ｉ族元素ドープｐ型層成長お
よび保護膜形成と、イオン注入による高濃度ｎ型領域の
形成を行うことを特徴とするものである。
素子の製造方法においては、ＭＢＥ法により２００℃以
下の低温成長による低濃度Ｉ族元素ドープｐ型層成長お
よび保護膜形成と、イオン注入による高濃度ｎ型領域の
形成を行うことを特徴とするものである。
【００１２】第３の発明の光起電力型赤外線受光素子の
製造方法においては、ＭＢＥ法により２００℃以下の低
温成長による低濃度Ｉ族元素ドープｐ型層成長、それに
引き続きＩＩＩ族もしくはＶＩＩ族元素による高濃度ｎ
型層成長、および保護膜形成を行うことを特徴とするも
のである。
製造方法においては、ＭＢＥ法により２００℃以下の低
温成長による低濃度Ｉ族元素ドープｐ型層成長、それに
引き続きＩＩＩ族もしくはＶＩＩ族元素による高濃度ｎ
型層成長、および保護膜形成を行うことを特徴とするも
のである。
【００１３】このような手段を備えた第１の発明におけ
る光起電力型赤外線素子においては、不純物拡散の可能
性があるｐ型領域をｎ型領域よりも低キャリヤ濃度とす
ることで、仮にｎ型領域にＩ族元素が拡散したとして
も、それによりｐ／ｎ接合が壊れることはない。ｎ型領
域をイオン注入により形成する場合は、メサエッチング
が不要であるため工程が簡略になる。また、ｎ型領域を
ＩＩＩ族もしくはＶＩＩ族元素によりドーピングする場
合は、イオン注入によるダメージが避けられ、高特性の
素子が得られる。
る光起電力型赤外線素子においては、不純物拡散の可能
性があるｐ型領域をｎ型領域よりも低キャリヤ濃度とす
ることで、仮にｎ型領域にＩ族元素が拡散したとして
も、それによりｐ／ｎ接合が壊れることはない。ｎ型領
域をイオン注入により形成する場合は、メサエッチング
が不要であるため工程が簡略になる。また、ｎ型領域を
ＩＩＩ族もしくはＶＩＩ族元素によりドーピングする場
合は、イオン注入によるダメージが避けられ、高特性の
素子が得られる。
【００１４】第２の発明における光起電力型赤外線受光
素子の製造方法においては、ＭＢＥ法による低温成長を
用いており、工程中に高温処理を含まないため、複雑な
構造の素子を形成することが可能である。また、ＧａＡ
ｓやＳｉ基板上でも高品質のＭＣＴ結晶が得られる。ま
た、保護膜をＭＢＥ成長時に行っており、工程が低減さ
れ、表面特性も改善する。
素子の製造方法においては、ＭＢＥ法による低温成長を
用いており、工程中に高温処理を含まないため、複雑な
構造の素子を形成することが可能である。また、ＧａＡ
ｓやＳｉ基板上でも高品質のＭＣＴ結晶が得られる。ま
た、保護膜をＭＢＥ成長時に行っており、工程が低減さ
れ、表面特性も改善する。
【００１５】第３の発明における光起電力型赤外線受光
素子の製造方法においては、ｐｎ接合をＭＢＥ成長中に
形成しており、損傷の無い理想的なｐｎ接合を形成する
ことが可能である。
素子の製造方法においては、ｐｎ接合をＭＢＥ成長中に
形成しており、損傷の無い理想的なｐｎ接合を形成する
ことが可能である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態にお
ける光起電力型受光素子の断面図で、Ｉ族元素のＡｇを
約２×１０16ｃｍ-3にドーピングしたｐ型ＭＣＴ層１の
一部に、Ｂのイオン注入により約１×１０18ｃｍ-3のｎ
型領域２が形成される。ＭＣＴのＣｄ組成は０．２２５
で、波長１０μｍ帯の赤外線を検知する。ｐ型ＭＣＴ層
１の表面はＣｄＴｅ保護膜３により覆われている。Ｃｄ
Ｔｅ保護膜３の一部には電極形成のためのコンタクトホ
ールが形成され、ｐ型ＭＣＴ層１の上にｐ側電極４、ｎ
型領域２の上にｎ側電極５が形成される。本発明の素子
でダイオード特性を７７Ｋで測定したところ、ＲｏＡ値
として２０Ωｃｍ2 が得られ、良好な特性が得られた。
して説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態にお
ける光起電力型受光素子の断面図で、Ｉ族元素のＡｇを
約２×１０16ｃｍ-3にドーピングしたｐ型ＭＣＴ層１の
一部に、Ｂのイオン注入により約１×１０18ｃｍ-3のｎ
型領域２が形成される。ＭＣＴのＣｄ組成は０．２２５
で、波長１０μｍ帯の赤外線を検知する。ｐ型ＭＣＴ層
１の表面はＣｄＴｅ保護膜３により覆われている。Ｃｄ
Ｔｅ保護膜３の一部には電極形成のためのコンタクトホ
ールが形成され、ｐ型ＭＣＴ層１の上にｐ側電極４、ｎ
型領域２の上にｎ側電極５が形成される。本発明の素子
でダイオード特性を７７Ｋで測定したところ、ＲｏＡ値
として２０Ωｃｍ2 が得られ、良好な特性が得られた。
【００１７】次にこの光起電力型赤外線受光素子の製造
方法について図３を用いて説明する。ＣｄＺｎＴｅ基板
上にＭＢＥ法によりＡｇによるｐ型ＭＣＴ成長９を行
い、ＣｄＴｅ保護膜成長１０を行う。ＣｄＴｅ保護膜成
長１０は、ＭＢＥ成長装置内でＭＣＴ成長後に連続して
行った。基板温度は共に１８０℃である。次にコンタク
トホール形成１１を行い、Ｂイオン注入１２を行ってｐ
ｎ接合を形成した。最後に電極形成１３を行った。ｎ型
領域２の電極としてＩｎ、ｐ型ＭＣＴ層の電極としてＡ
ｕ／Ｔｉを用いた。なお、基板温度としては１５０〜２
００℃が適しており、ドーピングされるＩ族元素は２×
１０15〜１×１０17ｃｍ-3，ＩＩＩ族元素は２×１０17
〜１×１０19ｃｍ-3の範囲が適当である。
方法について図３を用いて説明する。ＣｄＺｎＴｅ基板
上にＭＢＥ法によりＡｇによるｐ型ＭＣＴ成長９を行
い、ＣｄＴｅ保護膜成長１０を行う。ＣｄＴｅ保護膜成
長１０は、ＭＢＥ成長装置内でＭＣＴ成長後に連続して
行った。基板温度は共に１８０℃である。次にコンタク
トホール形成１１を行い、Ｂイオン注入１２を行ってｐ
ｎ接合を形成した。最後に電極形成１３を行った。ｎ型
領域２の電極としてＩｎ、ｐ型ＭＣＴ層の電極としてＡ
ｕ／Ｔｉを用いた。なお、基板温度としては１５０〜２
００℃が適しており、ドーピングされるＩ族元素は２×
１０15〜１×１０17ｃｍ-3，ＩＩＩ族元素は２×１０17
〜１×１０19ｃｍ-3の範囲が適当である。
【００１８】本発明の製造方法で得られたｐ型ＭＣＴ層
１の電気特性を測定したところ、キャリヤ濃度は約２×
１０16ｃｍ-3で所望の値が得られた。また、二次イオン
質量分析（ＳＩＭＳ）から得られたデータと比較したと
ころ、ほぼ１００％の活性化率が得られた。ドーピング
の再現性は良好で、かつ基板としてＣｄＺｎＴｅ、Ｇａ
Ａｓ、Ｓｉのいずれを用いた場合でも変化は無かった。
なお、ｐ型ＭＣＴ層１のＣｄ組成は０．２２５である。
ｎ型領域２のキャリヤ濃度についても約１×１０18ｃｍ
-3という所望の濃度が得られた。
１の電気特性を測定したところ、キャリヤ濃度は約２×
１０16ｃｍ-3で所望の値が得られた。また、二次イオン
質量分析（ＳＩＭＳ）から得られたデータと比較したと
ころ、ほぼ１００％の活性化率が得られた。ドーピング
の再現性は良好で、かつ基板としてＣｄＺｎＴｅ、Ｇａ
Ａｓ、Ｓｉのいずれを用いた場合でも変化は無かった。
なお、ｐ型ＭＣＴ層１のＣｄ組成は０．２２５である。
ｎ型領域２のキャリヤ濃度についても約１×１０18ｃｍ
-3という所望の濃度が得られた。
【００１９】図２は、本発明の第２の実施の形態におけ
る光起電力型受光素子の断面図で、ｎ層形成をＩＩＩ族
元素であるＩｎドーピングにより行った例である。Ｉ族
元素のＡｇを約２×１０16ｃｍ-3ドーピングしたｐ型Ｍ
ＣＴ層６の上に、Ｉｎで１×１０18ｃｍ-3までドーピン
グされたｎ型ＭＣＴ層７が形成される。ＭＣＴのＣｄ組
成は０．２２５で、波長１０μｍ帯の赤外線を検知す
る。約３０μｍ径のダイオード部を残してｎ型ＭＣＴ層
７はエッチングされ、エッチング領域にはＺｎＳ保護膜
８が形成される。ｐ型ＭＣＴ層６の上にｐ側電極４、ｎ
型ＭＣＴ層７の上にｎ側電極５が形成される。本発明の
素子でダイオード特性を７７Ｋで測定したところ、Ｒｏ
Ａ値として５４Ωｃｍ2 が得られ、非常に良好な特性が
得られた。
る光起電力型受光素子の断面図で、ｎ層形成をＩＩＩ族
元素であるＩｎドーピングにより行った例である。Ｉ族
元素のＡｇを約２×１０16ｃｍ-3ドーピングしたｐ型Ｍ
ＣＴ層６の上に、Ｉｎで１×１０18ｃｍ-3までドーピン
グされたｎ型ＭＣＴ層７が形成される。ＭＣＴのＣｄ組
成は０．２２５で、波長１０μｍ帯の赤外線を検知す
る。約３０μｍ径のダイオード部を残してｎ型ＭＣＴ層
７はエッチングされ、エッチング領域にはＺｎＳ保護膜
８が形成される。ｐ型ＭＣＴ層６の上にｐ側電極４、ｎ
型ＭＣＴ層７の上にｎ側電極５が形成される。本発明の
素子でダイオード特性を７７Ｋで測定したところ、Ｒｏ
Ａ値として５４Ωｃｍ2 が得られ、非常に良好な特性が
得られた。
【００２０】次にこの光起電力型赤外線受光素子の製造
方法について図４を用いて説明する。ＣｄＺｎＴｅ基板
上にＭＢＥ法によりＡｇをドーピングしたｐ型ＭＣＴ成
長９を行い、ｎ型ＭＣＴ成長１４を行う。基板温度は１
８０℃である。次に約３０μｍ径のダイオード部を残し
てメサエッチング１５を行い、さらにＺｎＳ保護膜形成
１６を行う。次にコンタクトホール形成１１を行い、最
後に電極形成１３を行った。ｎ型ＭＣＴ層７の電極とし
てＩｎ、ｐ型ＭＣＴ層６の電極としてＡｕ／Ｔｉを用い
た。
方法について図４を用いて説明する。ＣｄＺｎＴｅ基板
上にＭＢＥ法によりＡｇをドーピングしたｐ型ＭＣＴ成
長９を行い、ｎ型ＭＣＴ成長１４を行う。基板温度は１
８０℃である。次に約３０μｍ径のダイオード部を残し
てメサエッチング１５を行い、さらにＺｎＳ保護膜形成
１６を行う。次にコンタクトホール形成１１を行い、最
後に電極形成１３を行った。ｎ型ＭＣＴ層７の電極とし
てＩｎ、ｐ型ＭＣＴ層６の電極としてＡｕ／Ｔｉを用い
た。
【００２１】この製造方法で得られたｐ型ＭＣＴ層６の
電気特性を測定したところ、キャリヤ濃度は約２×１０
16ｃｍ-3で所望の値が得られた。また、ＳＩＭＳから得
られたデータと比較したところ、ほぼ１００％の活性化
率が得られた。なお、ｐ型ＭＣＴ層６のＣｄ組成は０．
２２５である。ｎ型ＭＣＴ層７のキャリヤ濃度について
も約１×１０18ｃｍ-3という所望の濃度が得られ、ＳＩ
ＭＳとのデータ比較から活性化率はほぼ１００％である
ことがわかった。ｐ型ｎ型共にドーピングの再現性は良
好で、かつ基板としてＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、Ｓｉの
いずれを用いた場合でも再現性に変化は無かった。
電気特性を測定したところ、キャリヤ濃度は約２×１０
16ｃｍ-3で所望の値が得られた。また、ＳＩＭＳから得
られたデータと比較したところ、ほぼ１００％の活性化
率が得られた。なお、ｐ型ＭＣＴ層６のＣｄ組成は０．
２２５である。ｎ型ＭＣＴ層７のキャリヤ濃度について
も約１×１０18ｃｍ-3という所望の濃度が得られ、ＳＩ
ＭＳとのデータ比較から活性化率はほぼ１００％である
ことがわかった。ｐ型ｎ型共にドーピングの再現性は良
好で、かつ基板としてＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、Ｓｉの
いずれを用いた場合でも再現性に変化は無かった。
【００２２】
【発明の効果】本発明の方法により、Ｉ族元素による不
純物ドーピングであっても良好な特性が得られ、またＧ
ａＡｓやＳｉ基板上でも再現性よく所望のデバイス構造
が得られた。
純物ドーピングであっても良好な特性が得られ、またＧ
ａＡｓやＳｉ基板上でも再現性よく所望のデバイス構造
が得られた。
【図１】本発明の第１の実施の形態の光起電力型赤外線
受光素子を示す断面図である。
受光素子を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の光起電力型赤外線
受光素子を示す断面図である。
受光素子を示す断面図である。
【図３】第１の実施の形態の受光素子の製造工程を示す
図である。
図である。
【図４】第２の実施の形態の受光素子の製造工程を示す
図である。
図である。
１，６ ｐ型ＭＣＴ層 ２ ｎ型領域 ３ ＣｄＴｅ保護膜 ４ ｐ側電極 ５ ｎ側電極 ７ ｎ型ＭＣＴ層 ８ ＺｎＳ保護膜
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩＩ−ＶＩ族半導体を用いた光起電力型
赤外線受光素子において、Ｉ族元素により低濃度にドー
ピングされたｐ型層と、イオン注入により高濃度にドー
ピングされたｎ型層とを組み合わせてｐｎ接合を形成し
たことを特徴とする光起電力型赤外線受光素子。 - 【請求項２】 前記ｎ型層をＩＩＩ族元素もしくはＶＩ
Ｉ族元素を高濃度にドーピングすることによりｐｎ接合
を形成したことを特徴とする請求項１記載の光起電力型
赤外線受光素子。 - 【請求項３】 分子線エピタキシーを用いた光起電力型
赤外線受光素子の製造方法において、２００℃以下の低
温成長による低濃度Ｉ族元素ドープｐ型層成長および保
護膜形成と、イオン注入による高濃度ｎ型領域の形成を
行うことを特徴とする光起電力型赤外線受光素子の製造
方法。 - 【請求項４】 分子線エピタキシーを用いた光起電力型
赤外線受光素子の製造方法において、２００℃以下の低
温成長による低濃度Ｉ族元素ドープｐ型層成長、それに
引き続きＩＩＩ族もしくはＶＩＩ族元素による高濃度ｎ
型層成長、および保護膜形成を行うことを特徴とする光
起電力型赤外線受光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311974A JPH09153639A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 光起電力型赤外線受光素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311974A JPH09153639A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 光起電力型赤外線受光素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153639A true JPH09153639A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18023685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7311974A Pending JPH09153639A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 光起電力型赤外線受光素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153639A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101958330A (zh) * | 2010-07-23 | 2011-01-26 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种金属化共用离子注入窗口的碲镉汞光伏探测芯片 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582078A (ja) * | 1981-06-24 | 1983-01-07 | イギリス国 | 赤外線検出フォトダイオード |
| JPH0330479A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-08 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置 |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP7311974A patent/JPH09153639A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582078A (ja) * | 1981-06-24 | 1983-01-07 | イギリス国 | 赤外線検出フォトダイオード |
| JPH0330479A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-08 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置 |
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|---|---|---|---|---|
| CN101958330A (zh) * | 2010-07-23 | 2011-01-26 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种金属化共用离子注入窗口的碲镉汞光伏探测芯片 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980317 |