JPS582078A - 赤外線検出フォトダイオード - Google Patents
赤外線検出フォトダイオードInfo
- Publication number
- JPS582078A JPS582078A JP57107503A JP10750382A JPS582078A JP S582078 A JPS582078 A JP S582078A JP 57107503 A JP57107503 A JP 57107503A JP 10750382 A JP10750382 A JP 10750382A JP S582078 A JPS582078 A JP S582078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- type
- cdte
- photodiode according
- layer
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/184—Infrared image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/016—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of thin-film-based image sensors
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトダイオードに関する。
フォトダイオードは、一枚のｐ−形材料に取り付けられ
た一方の端子と、２種のタイプの材料間のｐ−ｎ接合に
よって一枚のｎ−形材料に接続されたもう一つの端子と
を有する、二端子半導体デバイスである。適当な波長の
電磁放射線によって照らされた際に、このｐ−ｎ接合を
横切って電子流が生ずる。 ・ ・ 公知のフォトダイオードの一つは、ＺｎＳ層を成長させ
たｐ−形のＣｄｘ山１−２Ｔｅ（Ｃ，Ｍ、Ｔ、）基材（
サブストレート）から成る亀のである。このこと社、例
えば、Ｍ、 Ｌａｎ ｌ ｒ等のＡｐｐ、 Ｐｈｙ、Ｌ
ｓｔｔｓ、 ３４ （１）。
た一方の端子と、２種のタイプの材料間のｐ−ｎ接合に
よって一枚のｎ−形材料に接続されたもう一つの端子と
を有する、二端子半導体デバイスである。適当な波長の
電磁放射線によって照らされた際に、このｐ−ｎ接合を
横切って電子流が生ずる。 ・ ・ 公知のフォトダイオードの一つは、ＺｎＳ層を成長させ
たｐ−形のＣｄｘ山１−２Ｔｅ（Ｃ，Ｍ、Ｔ、）基材（
サブストレート）から成る亀のである。このこと社、例
えば、Ｍ、 Ｌａｎ ｌ ｒ等のＡｐｐ、 Ｐｈｙ、Ｌ
ｓｔｔｓ、 ３４ （１）。
Ｉ Ｊａｎ、１９７９の５０頁〜５２頁に記載されてい
る。ＺｎＳ層を介してのイオン注入法によってＣｄＨｇ
Ｔ＠からなる塊状物中にｐ ’−ｎ接合が形成される。
る。ＺｎＳ層を介してのイオン注入法によってＣｄＨｇ
Ｔ＠からなる塊状物中にｐ ’−ｎ接合が形成される。
そのようなデバイには赤外放射に鋭敏であり、従って光
景の温度面＠ （ｔｈｅｒｍａｌ ｉｍａｇｅ）が測定
されて、陰極管上に可視ディスプレイを形成するのに用
いられる場合には、そのようなデバイスは温度像形成シ
ステＡ （ｔｈｅｒｍａｌ １ｍｇｉｎｇ ｓｙｓｔｅ
ｍｓ）に有用である。
景の温度面＠ （ｔｈｅｒｍａｌ ｉｍａｇｅ）が測定
されて、陰極管上に可視ディスプレイを形成するのに用
いられる場合には、そのようなデバイスは温度像形成シ
ステＡ （ｔｈｅｒｍａｌ １ｍｇｉｎｇ ｓｙｓｔｅ
ｍｓ）に有用である。
本発明によれば、赤外検出フォトダイ芽−Ｐは、ｐ＝形
材料とｎ−形材料に接続された端子によってｐ−ｎ接合
を形成する、ＣｄｘＨｇ１−ＸＴｅ体とＣｄＴｅ体とか
らなる。このＣｄＸＨｇ１−ｘＴｅはｐ−形であっても
よく、この場合にはＣｄＴｅはｎ−形である、もしくは
この逆であってもよい。
材料とｎ−形材料に接続された端子によってｐ−ｎ接合
を形成する、ＣｄｘＨｇ１−ＸＴｅ体とＣｄＴｅ体とか
らなる。このＣｄＸＨｇ１−ｘＴｅはｐ−形であっても
よく、この場合にはＣｄＴｅはｎ−形である、もしくは
この逆であってもよい。
頂部に蒸着し、ＣｄＴ・中に拡散して、ｎ−形ＣｄＴ・
を形成する第１ａ族又は第■族のドナード、ｅントの層
を伴つ九半絶縁性層（ＧＥＭＳ −ｉｎｓｕｌａｔｉｎ
ｇｌ凰ｙ＠ｒ ）としてロー形ＣｄＴｅを成長させても
よい。
を形成する第１ａ族又は第■族のドナード、ｅントの層
を伴つ九半絶縁性層（ＧＥＭＳ −ｉｎｓｕｌａｔｉｎ
ｇｌ凰ｙ＠ｒ ）としてロー形ＣｄＴｅを成長させても
よい。
ドーｌＱントはＩｎ′″Ｃわってもよい。ｐ−形ＣｄＴ
ｅ層は、ドー／ｑントとしてＰ％Ａβ、Ａｇ又はＡｕを
用いる類似の方法で成長されうる。
ｅ層は、ドー／ｑントとしてＰ％Ａβ、Ａｇ又はＡｕを
用いる類似の方法で成長されうる。
代替法として、Ｉｎ ドープ（ントを用いる分子ビーム
エピタキシャル技術によってＣｄＴ・をｎ；形に成長さ
せてもよい。
エピタキシャル技術によってＣｄＴ・をｎ；形に成長さ
せてもよい。
フォトダイオードの配列として組立てられる場合には、
ダイオード接合を形成しないｃ、ｇ’ｒ、の領域を半絶
縁性ＣｄＴ＠層によって不働態化してもよい。
ダイオード接合を形成しないｃ、ｇ’ｒ、の領域を半絶
縁性ＣｄＴ＠層によって不働態化してもよい。
適当な１エビタΦシヤル成長技術、例えばＭ、Ｂ、Ｅ、
、気相成長等によってＣｄＴｅ層を成長させてもよい。
、気相成長等によってＣｄＴｅ層を成長させてもよい。
Ｍ、Ｂ 、Ｅ技術を用いる舖成長は、１９７７年アム２
チルダムのＮｏｒｔｈ Ｈｏ１ｌａｎｄ Ｐｕｂｌｉｓ
ｈｉｎｇ Ｃｏ’、によって出版され九Ｅ、Ｋａｌｄｌ
ｓ及Ｕ Ｈ，Ｊ、５ｃｈｅｅｌの編集によるＣｒｙｓｔ
ａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ＆Ｍａｔｅｒｉａ１ｍの第１．７
章に記載されている。
チルダムのＮｏｒｔｈ Ｈｏ１ｌａｎｄ Ｐｕｂｌｉｓ
ｈｉｎｇ Ｃｏ’、によって出版され九Ｅ、Ｋａｌｄｌ
ｓ及Ｕ Ｈ，Ｊ、５ｃｈｅｅｌの編集によるＣｒｙｓｔ
ａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ＆Ｍａｔｅｒｉａ１ｍの第１．７
章に記載されている。
添付図面を参照しながら、実施例に上って本発明を以下
に説明する。
に説明する。
第１図のフォトダイオードは、厚み１０〜３０μｍのｐ
−形Ｃｄ ｘＨｇ ｔ−ＸＴ ｅ （Ｃ０Ｍ、Ｔ 、）
基材（基板）１を”有する。典型的には、Ｘは０．２〜
０．３であシ、アクセゾター濃度ＮＡは１×１０〜５
ｘ １０１６．、−ＩＩである。基板１は切断され、清
浄にされ、磨かれテ１分子ビームエピタキシャル（Ｍ、
Ｂ、Ｅ、’） 成長室中に置かれる。この成長室に門、
い゛て、基材表面全体にＣｄＴａの保護不働態化層２．
３を成長さ姦”る。
−形Ｃｄ ｘＨｇ ｔ−ＸＴ ｅ （Ｃ０Ｍ、Ｔ 、）
基材（基板）１を”有する。典型的には、Ｘは０．２〜
０．３であシ、アクセゾター濃度ＮＡは１×１０〜５
ｘ １０１６．、−ＩＩである。基板１は切断され、清
浄にされ、磨かれテ１分子ビームエピタキシャル（Ｍ、
Ｂ、Ｅ、’） 成長室中に置かれる。この成長室に門、
い゛て、基材表面全体にＣｄＴａの保護不働態化層２．
３を成長さ姦”る。
基板ｌの頂部上の層２の代表的な厚みは０．５μｍであ
るが、一般に約０．２〜１μｍの範囲内の値であシ得る
。次いで、例えば蒸着によってＣｄ Ｔｅ ｘ ２の頂
部表面上にＩｎの丘状物４を析出させる。次にこの構成
物を一般に７０〜１２０℃で４〜４０時間加熱し、Ｉｎ
をＣｄＴ＠２中に拡散させ丘状物４の下にｎ−形に多量
に（例′えば、電子数、ｎ）５ Ｘ １０１６（１１１
” ） ｆ−ゾされた領域８を形成し得る。更に１この
加熱が、Ｃ，［Ｔ、とＣｄＴ・界面（ｐ−ｎ接合７）で
相互拡散を生起させ、ＨｇはＣｄＴｅ層２の中に拡散し
、ｄはＣ，Ｍ、Ｔ、の中に拡散する。このことがゆるや
かな物質組成変化を生じさせ、傾斜へテロ構造（ｇｒａ
ｄｅｄ ｈｅｔｅｒｏａｔｒｕｃ’ｔｕｒｅ）を作シ出
す。この場合ｐ−ｎ接合はへテロ）ヤンクシｉン（ｈ＠
ｔ＠ｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ）Ｋ＠似している。裏面電極
５、例えばＡｕか゛らなる裏面電極、は底部ＣｄＴｅ層
中の開口を介して基板上に直接形成される。
るが、一般に約０．２〜１μｍの範囲内の値であシ得る
。次いで、例えば蒸着によってＣｄ Ｔｅ ｘ ２の頂
部表面上にＩｎの丘状物４を析出させる。次にこの構成
物を一般に７０〜１２０℃で４〜４０時間加熱し、Ｉｎ
をＣｄＴ＠２中に拡散させ丘状物４の下にｎ−形に多量
に（例′えば、電子数、ｎ）５ Ｘ １０１６（１１１
” ） ｆ−ゾされた領域８を形成し得る。更に１この
加熱が、Ｃ，［Ｔ、とＣｄＴ・界面（ｐ−ｎ接合７）で
相互拡散を生起させ、ＨｇはＣｄＴｅ層２の中に拡散し
、ｄはＣ，Ｍ、Ｔ、の中に拡散する。このことがゆるや
かな物質組成変化を生じさせ、傾斜へテロ構造（ｇｒａ
ｄｅｄ ｈｅｔｅｒｏａｔｒｕｃ’ｔｕｒｅ）を作シ出
す。この場合ｐ−ｎ接合はへテロ）ヤンクシｉン（ｈ＠
ｔ＠ｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ）Ｋ＠似している。裏面電極
５、例えばＡｕか゛らなる裏面電極、は底部ＣｄＴｅ層
中の開口を介して基板上に直接形成される。
Ｉｎ丘状物４のそれぞれに対して別々に頂部端子接続部
が形成される。
が形成される。
代案として、Ｃ，Ｍ、ＴＪｉ材を厚くすることができる
、その場合には底部表面の不働態化は不必要であるけれ
ども、これを上記の如く行うことも可能である。
、その場合には底部表面の不働態化は不必要であるけれ
ども、これを上記の如く行うことも可能である。
ｐ−ｎ接合７上に入射する赤外放射が、″″測定うる電
圧、又は電流の流れ″（外部電気回路機構に依存する）
を端子５．６に発生させる。
圧、又は電流の流れ″（外部電気回路機構に依存する）
を端子５．６に発生させる。
第２図は別の型の配列体、すなわち、ｎ−形にドープさ
れたＣｄＴｅからなる丘状物１２と、その下側のｐ−形
Ｃｄｘｔ（ｇ ｔ−ｘＴ”基板１１からなるフォトダイ
オード配列体を示す図面である。威圧状物１２とその次
の丘状物１２との間に半絶縁性のＣｄＴｅ層１３が存在
する。ＣｄＴｅがら成る不働態化層１４が残余の基材表
面を覆っている。Ｃｄソース及びＴｏンソーに加えてＩ
ｎドーパントソースを用いる分子ビームエピタキシャル
室中でｎ−形ＣｄＴｅ材料１２を成長させる。あるいは
、ＣｄＴｅ層の化学量（ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｙ
）を調節して、半絶縁性層又は半導体層を形成させても
よい。頂部層にある複数種の区域をそれぞれ画定するた
めに、写真平板技術が用いられる。例えば、基板の頂部
表面上にホトレジストめ丘状物が形成できる。丘状物及
び基板の頂部に亘ってＣｄＴｅからなる半絶縁一層を成
長させる。次にホトレジストを取シ去シ開口部を残し、
この開口部を介してｎ−形ＣｄＴｅを成長させる。
れたＣｄＴｅからなる丘状物１２と、その下側のｐ−形
Ｃｄｘｔ（ｇ ｔ−ｘＴ”基板１１からなるフォトダイ
オード配列体を示す図面である。威圧状物１２とその次
の丘状物１２との間に半絶縁性のＣｄＴｅ層１３が存在
する。ＣｄＴｅがら成る不働態化層１４が残余の基材表
面を覆っている。Ｃｄソース及びＴｏンソーに加えてＩ
ｎドーパントソースを用いる分子ビームエピタキシャル
室中でｎ−形ＣｄＴｅ材料１２を成長させる。あるいは
、ＣｄＴｅ層の化学量（ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｙ
）を調節して、半絶縁性層又は半導体層を形成させても
よい。頂部層にある複数種の区域をそれぞれ画定するた
めに、写真平板技術が用いられる。例えば、基板の頂部
表面上にホトレジストめ丘状物が形成できる。丘状物及
び基板の頂部に亘ってＣｄＴｅからなる半絶縁一層を成
長させる。次にホトレジストを取シ去シ開口部を残し、
この開口部を介してｎ−形ＣｄＴｅを成長させる。
前述のように各丘状物と基板１１の底部に端子接続ｓ１
ｓ、−ｉｓを設ける。
ｓ、−ｉｓを設ける。
この構成物を例えば７０−１２０”Ｃで４〜４０時間加
熱して、前述の如＜ｐ−ｎ接合１７において拡散を起さ
せる。
熱して、前述の如＜ｐ−ｎ接合１７において拡散を起さ
せる。
あるい社、分子ビームエピタキシャル成長の間にｎ−形
ＣｄＴ・の組成を変更してもよい。例えば、初めに合金
ＣｄＸＨｇ１−Ｘ’ｒｅを成長させ、そして、ドープさ
れたＣｄＴ・のみが成長するようになるまでＩ（ｇソー
スの量を徐々に減少させてもよい。第１図のデ・層イス
に於いて亀、そのような傾斜組成のものを用いてもよい
。
ＣｄＴ・の組成を変更してもよい。例えば、初めに合金
ＣｄＸＨｇ１−Ｘ’ｒｅを成長させ、そして、ドープさ
れたＣｄＴ・のみが成長するようになるまでＩ（ｇソー
スの量を徐々に減少させてもよい。第１図のデ・層イス
に於いて亀、そのような傾斜組成のものを用いてもよい
。
第３図はフォトダイオード配列のもう一つの形態を示す
。このフォトダイオード配列はＣｄＴｅからなるｐ−形
半導体基板２０を有し、このＣｄＴｅ上にＣｄｘＨｇｌ
−２Ｔｅのｐ−形層２１を一般に１０〜３０μｍ厚さに
成長（又は研磨、ラップ仕上げ）させる。
。このフォトダイオード配列はＣｄＴｅからなるｐ−形
半導体基板２０を有し、このＣｄＴｅ上にＣｄｘＨｇｌ
−２Ｔｅのｐ−形層２１を一般に１０〜３０μｍ厚さに
成長（又は研磨、ラップ仕上げ）させる。
この層上及び、第１図に於ける如きＣｄＴｅ２２上に蒸
着されたＩｎの丘状物２３の上にＣｄＴｅ ２２の半絶
縁性層を成長させる。前述のように、デバイスを加熱し
て１ｎ２３をＣｄＴｅ層２７中２７中させ且つｐ−ｎ接
合２４でも拡散を起させる。前述の如く、頂部と底部に
端子２５．２６を接続する。
着されたＩｎの丘状物２３の上にＣｄＴｅ ２２の半絶
縁性層を成長させる。前述のように、デバイスを加熱し
て１ｎ２３をＣｄＴｅ層２７中２７中させ且つｐ−ｎ接
合２４でも拡散を起させる。前述の如く、頂部と底部に
端子２５．２６を接続する。
あるいは、他の適当な材料の支持基体上に［Ｂ、Ｅ。
によってＣ１１Ｔｅ ２０ を成長させてもよい。裏
側表面上の電極２６の代替とし、て、Ｃ，Ｍ、Ｔ、２１
の、頂部表面上で丘状物２３の一方の側に電極を配置し
てもよい。
側表面上の電極２６の代替とし、て、Ｃ，Ｍ、Ｔ、２１
の、頂部表面上で丘状物２３の一方の側に電極を配置し
てもよい。
液相エピタキシャル技術、気相エピタキシャル技術又は
分子ビームエピタキシャル技術により、もしく＃ｉｍ雰
囲雰囲気中Ｃｄ基板２０上を、アルキルカドミウムとア
ルキルテルルを流動させ、Ｃ０ＬＴ、 ２１を成長させ
てもよい。このような技術は英国特許出願公開第２，０
７８，６９５Ａ号、米国特許出願第２２６，０４６号に
記載されている。
分子ビームエピタキシャル技術により、もしく＃ｉｍ雰
囲雰囲気中Ｃｄ基板２０上を、アルキルカドミウムとア
ルキルテルルを流動させ、Ｃ０ＬＴ、 ２１を成長させ
てもよい。このような技術は英国特許出願公開第２，０
７８，６９５Ａ号、米国特許出願第２２６，０４６号に
記載されている。
あるいは、ｉｎを添加した分子ビームエピタキシャル技
術を用いて第２図の場合と同様な操作を行い、第３図の
ｎ−形Ｃｄ’ｒ＠ を形成してもよい。
術を用いて第２図の場合と同様な操作を行い、第３図の
ｎ−形Ｃｄ’ｒ＠ を形成してもよい。
あるい社、Ｉｎイオンの注入によりＣｄＴｅ層を選択的
にｎ−形ドープしてもよい。
にｎ−形ドープしてもよい。
又・傾斜組成即ちＣ，４Ｔ・を成長、させる３と１出発
し、徐々に環ソースを減少することによってＣｄＴ・層
を形成してもよい。
し、徐々に環ソースを減少することによってＣｄＴ・層
を形成してもよい。
第１図はＣ，Ｍ、Ｔ、基板上に形成されたフォトダイオ
ード配列体の断面図、第２図は別の具体例を示す図、及
び第３図はＣｄＴ・基板上に成長したフォートダイオー
ドを示す図である。 １．１１．２０−・−・−・・・ＣｄＸＩ（ｇ １−ｘ
Ｔ”基板、２．１３．２２・・・・・・・・・ｐ−ｎ接
合から離れた領域（半絶縁性ＣｄＴｅの不働態化層）、 ５．６，１５，１６，２５．２６・・・・・・・・端
子、７．１７．２４・・・・・・・・・傾斜へテロ構造
（ｐ−ｎ接合）、８．１２．２７・・・・・・・・・ド
ープされたＣｄＴｅ領域。 第１頁の続き ０発 明 者 ロビン・フレトリック・チャールズ・フ
ァロウ イギリス国ウスターシャー・マ ルヴアーン・ウェルズ・ウェル ズ・ロード１９０ ０発 明 者 ピエロ・ミグリオラートイタリー国ロー
マ０００１３ ）ルル パラ・ディ・メンターナ・コル レヴエルデ・ヴイア・モンテグ ラッパ４８
ード配列体の断面図、第２図は別の具体例を示す図、及
び第３図はＣｄＴ・基板上に成長したフォートダイオー
ドを示す図である。 １．１１．２０−・−・−・・・ＣｄＸＩ（ｇ １−ｘ
Ｔ”基板、２．１３．２２・・・・・・・・・ｐ−ｎ接
合から離れた領域（半絶縁性ＣｄＴｅの不働態化層）、 ５．６，１５，１６，２５．２６・・・・・・・・端
子、７．１７．２４・・・・・・・・・傾斜へテロ構造
（ｐ−ｎ接合）、８．１２．２７・・・・・・・・・ド
ープされたＣｄＴｅ領域。 第１頁の続き ０発 明 者 ロビン・フレトリック・チャールズ・フ
ァロウ イギリス国ウスターシャー・マ ルヴアーン・ウェルズ・ウェル ズ・ロード１９０ ０発 明 者 ピエロ・ミグリオラートイタリー国ロー
マ０００１３ ）ルル パラ・ディ・メンターナ・コル レヴエルデ・ヴイア・モンテグ ラッパ４８
Claims (9)
- （１）ｐ−形材料とｎ−形材料に接続された端子を有す
るｐ−ｎ接続を構成するｃｄｘＨｇ□−ＸＴｅ体とＣｄ
Ｔｌ体とを含有する赤外検出フォトダイオード。 - （２）二つの材料間に傾斜へテロ構造が存在することを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のフォトダイオ
ード。 - （３）ｐ−ｎ接合から離れた位置のＣｄｘＨｇ１−ｘＴ
ｅ領域を半絶縁性ＣｄＴｅ層によって不動・態化したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のフォトダ
イオード。 - （４） ドープされたＣｄＴｅからなシ且つ半絶縁性
ＣｄＴ・の不働態化層によって区分され九領域を有し、
かつ同一のＣｄ、Ｈｇ１−ＸＴｏ片上に７オトダイオ一
ド配列体の形に形成されたことを特徴とする特許請求の
範囲第３項に記載のフォトダイオード。 - （５） ｃａ−匈１−ＩＴ・がｐ−形のものであシ、
ＣｄＴ・がｎ−形のものであゐことを特徴とする特許請
求の範ｍ第１項に記載のフォトダイオード。 - （６）第１ａ族又は第１族のドナードー／ＱントをＣｄ
Ｔ・の半絶縁性層中に拡散させることによりｎ−形Ｃｄ
Ｔ・が形成されたことを特徴とする特許請求の範囲第５
項に記載のフォトダイオード。 - （７） ドーノｑントがＩｎであることを特徴とする
特許請求の範囲第６項に記載のフォトダイオード。 - （８） Ｃｄビーム、Ｔｅビーム及びドー／彎ントビ
ームを用い、分子ビームエピタキシャル成長によってｎ
−形ＣｄＴ・が形成されたことを特徴とする特許請求の
範囲第６項に記載のフォトダイオード。 - （９）７０〜１２０℃の範囲に加熱した際に、ＣｄｘＨ
ｇ １−２ Ｔｅ材料とＣｄＴｅ材料間の拡散によって
傾斜ヘテロジャンクションが形成されたことを特徴とす
る特許請求の範囲第２項に記載のフォトダイオード。 ０４ Ｘが０．２〜０．３の範囲であＦ） 、ＣｄｘＨ
ｇ１−ＸＴｅ材料中のアクセプター濃度がＩ Ｘ １０
”〜５Ｘ１０１６ＣＩＩ−３の範囲であることを特徴
とする特許請求の範囲第５項に記載のフォトダイオード
。 Ｑｌ） ＣｄＴｅ （Ｄ ｎ−影領域がドープされて
電子数がｎ）５Ｘ１０ α となるようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第５項に記載のフォトダイオ
ード。 ａり Ｃｄ工珈□−ｚ Ｔｅがｎ−形のものであり、Ｃ
ｄＴ・がｐ−形のものであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載のフォトダイオード。 （１３ＣｄＴｅが０．２〜１μｍの：′範囲の厚みを有
する層であることを特徴とする特許請求の範囲第３項に
記載のフォトダイオード。 （１４＋ 半絶縁性ＣｄＴｅの層で不働態化された表
面を有するｐ−形ＣｄＸＨｇ１−ＸＴｅの基板と、Ｃｄ
Ｔｅ上に選択的に蒸着され且つ７０〜１２０’Ｃの範囲
に加熱することによってＣｄＴｅ中に拡散したＩｎによ
って形成され九ｎ−形ＣｄＴ・領域？ｎ−形ＣｄＴ・の
領域それぞれがフォトダイオードを構成Ｃう皆々のｎ−
形領竣及び基板と協働する電気接点とを有する配列体に
形成されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のフォトダイオード。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8119440 | 1981-06-24 | ||
| GB8119440 | 1981-06-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582078A true JPS582078A (ja) | 1983-01-07 |
| JPH0366820B2 JPH0366820B2 (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=10522768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57107503A Granted JPS582078A (ja) | 1981-06-24 | 1982-06-22 | 赤外線検出フォトダイオード |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4494133A (ja) |
| EP (1) | EP0068652B1 (ja) |
| JP (1) | JPS582078A (ja) |
| DE (1) | DE3278553D1 (ja) |
| GB (1) | GB2100927B (ja) |
| IL (1) | IL66037A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599977A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS6126269A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-02-05 | イギリス国 | 光検出器 |
| JPH0346279A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-27 | Santa Barbara Res Center | ヘテロ接合フォトダイオードアレイ |
| JPH09153639A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Nec Corp | 光起電力型赤外線受光素子とその製造方法 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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