JPH09157073A - カーボン製反応容器 - Google Patents
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Abstract
素被膜を施してなるカーボン製反応容器。
Description
外面が炭化珪素被膜により被覆されたカーボン製反応容
器に関し、詳しくは、ハロゲン化珪素と水素との高温反
応において、腐食や割れが発生しないカーボン製反応容
器に関する。
等の素子に使用される高純度シリコンの原料として益々
需要の増加が見込まれており、従来からこれらを効率良
く製造することが要望されている。この製法の一部とし
て、例えば、テトラクロルシランと水素によるトリクロ
ルシラン、ジクロルシランの製造があり、この反応用容
器として、カーボン製反応容器等が知られている。これ
らの容器は、長時間の使用で水素等に起因する腐食及び
割れ等が発生する恐れがあり、特に、カーボン製反応容
器は、水素や耐火材より由来する水などが存在すると腐
食や割れを生じたり、又、内面のカーボンの均質性や純
度に問題があり、この改良が望まれている。
を解決するものであり、クロルシラン類と水素との反応
による製法等において、反応容器として、高温で効率的
に反応させることのできるカーボン製反応容器を得るこ
とを種々検討した結果、炭化珪素被膜を有するカーボン
製反応容器を見いだし、本発明の目的であるカーボン製
反応容器に到達した。
の発明は、容器の内面、外面又は内外面に、炭化珪素被
膜を施してなることを特徴とするカーボン製反応容器で
ある。本発明の第2の発明は、第1の発明のカーボン製
反応容器が、数個の略円筒状物を積み重ねて形成された
ことを特徴とするカーボン製反応容器である。本発明の
第3の発明は、第1の発明の炭化珪素被膜が、CVD法
により形成された厚さ10〜500μmの炭化珪素被膜
であることを特徴とするカーボン製反応容器である。本
発明の第4の発明は、ハロゲン化珪素と水素を反応させ
るための反応容器であることを特徴とする第1の発明の
カーボン製反応容器である。本発明の第5の発明は、第
1の発明のカーボン製反応容器のカーボンが黒鉛である
ことを特徴とするカーボン製反応容器である。
ず、本発明は、容器の内面、外面又は内外面に、炭化珪
素被膜を施してなるカーボン製反応容器である。カーボ
ン製反応容器の形状については、特に制限はないが、一
般的には、反応容器の強度保持及び炭化珪素被膜が剥離
しないために、カーボンの厚さは0.5〜20cmで、
好ましくは1.5〜15cmのものである。前記炭化珪
素被膜に特に制限はないが、CVD法により形成された
厚さ10〜500μmの炭化珪素被膜が好ましい。又、
カーボン製容器を形成するカーボンは、等方性材質構造
を有するカーボン又は黒鉛が好ましく、特に、高純度処
理を施した気密性の等方性材質構造を有する黒鉛が好ま
しい。
に、CVD法で炭化珪素被膜を形成するためには、例え
ばテトラクロルシラン又はトリクロルシランのようなハ
ロゲン化珪素化合物とメタンやプロパンなどの混合ガス
を用いる方法、またはメチルトリクロロシラン、トリフ
ェニルクロロシラン、メチルジクロロシラン、ジメチル
ジクロロシラン、トリメチルクロロシランのような炭化
水素基を有するハロゲン化珪素化合物を、水素で熱分解
しながら、加熱されたカーボン材質面に直接的に炭化珪
素を被覆させる方法で行われる。形成された炭化珪素被
膜は、緻密均質なピンホールのない被膜であり、化学安
定性に優れ、この反応容器中でハロゲン化珪素と水素と
の高温反応を行っても、腐食及び割れが発生しないもの
である。CVD法により形成された炭化珪素被膜の厚さ
は、10〜500μmであり、30〜300μmが好ま
しい。10μm未満では、炭化珪素被膜の腐食、割れ防
止効果が発揮されず、500μmを越えるとカーボン素
材の割れ助長、膜のひび割れを起こし、経済的に高価と
なる。
ラクロルシラン、トリクロルシラン、ジクロルシラン、
クロルシラン、メチルトリクロロシラン、フェニルトリ
クロロシラン、メチルジクロロシラン、ジメチルジクロ
ロシラン、トリメチルクロロシラン等である。
を存在させた高温反応とは、具体的には、例えば、下記
(1)式で示される反応があり、又、トリクロルシラン
からモノシランを合成する場合の、次の(2)〜(4)
の不均斉化反応等がある。本発明の反応容器は、特に
(1)及び(2)の反応に適するものである。 SiCl4 +H2 ⇔SiHCl3 +HCl (1) 2SiHCl3 ⇔SiCl4 +SiH2 Cl2 (2) 2SiH2 Cl2 ⇔SiHCl3 +SiH3 Cl (3) 2SiH3 Cl ⇔SiH2 Cl2 +SiH4 (4) 前述のごとく、本発明の反応容器中には、ハロゲン化珪
素以外の原料、生成物及び触媒を含有してもよい。本発
明における反応温度は、(1)においては、一般的に8
00℃以上、好ましくは、1000℃以上であり、
(2)〜(4)においては、50℃以上である。また、
製造を効率化するために、原料を連続的に供給し、生成
物を連続的に取り出すこともできる。
ン化珪素を存在させ、高温反応させることができる反応
容器である。本発明の反応容器は、略円筒状カーボン製
反応容器であり、形状には特に制限はない。この容器は
一体型でもよいが、数個の略円筒状物を積み重ねて形成
されたカーボン製反応容器が好ましい。又、カーボン製
反応容器の上蓋部及び下底部を形成する部分も、内面、
外面又は内外面に、炭化珪素被膜を施してなるものが好
ましい。
明する。 実施例1 直径15cm、高さ10cm、厚さ3cmの等方性黒鉛
からなる黒鉛製略円筒状物をCVD反応装置内に設置
し、内部をアルゴンガスで置換したのち、前記黒鉛製円
筒状物を1200℃に加熱した。ついで、CVD反応装
置内にトリクロルメチルシランと水素の混合ガス(モル
比1:5)を導入し、CVD法により円筒状物の内外面
に厚さ200μmの炭化珪素被膜を形成した。この操作
を繰り返し、3個の円筒状物の内外面に炭化珪素被膜を
形成した。次に、この3個の円筒状物を積み重ねて密閉
反応容器を形成し、この密閉カーボン製反応容器に配管
及び加熱装置をセットし反応装置として整えた。この反
応装置に、テトラクロルシランと水素(モル=1:1)
を供給し、常圧、反応温度1100℃で反応を行い、生
成物であるトリクロルシランを得た。この操作を連続的
に2000時間行い、終了後、反応容器の内外面を観察
し、腐食及び割れの有無を調べたが、内外面に特に異常
はなかった。
同様に行った。連続的に2000時間反応を行い、終了
後、反応容器の内外面を観察し、腐食及び割れの有無を
調べたが、内外面に特に異常はなかった。
0μmの炭化珪素被膜を形成した以外は、同様に行っ
た。連続的に2000時間反応を行い、終了後、反応容
器の内外面を観察し、腐食及び割れの有無を調べたが、
内外面に特に異常はなかった。
被膜を形成しない以外は、同様に行った。連続的に20
00時間反応を行い、終了後、反応容器の内外面を観察
し、腐食及び割れの有無を調べたが、内外面の腐食がひ
どく、割れもあった。
状カーボン製反応容器の内面、外面又は内外面に、CV
D法により形成された炭化珪素被膜を有するカーボン製
反応容器は、ハロゲン化珪素の高温反応が可能で、腐食
や割れの発生防止に効果的なカーボン製反応容器を提供
する。
Claims (5)
- 【請求項1】 容器の内面、外面又は内外面に、炭化珪
素被膜を施してなることを特徴とするカーボン製反応容
器。 - 【請求項2】 請求項1記載のカーボン製反応容器が、
数個の略円筒状物を積み重ねて形成されたことを特徴と
するカーボン製反応容器。 - 【請求項3】 請求項1記載の炭化珪素被膜が、CVD
法により形成された厚さ10〜500μmの炭化珪素被
膜であることを特徴とするカーボン製反応容器。 - 【請求項4】 ハロゲン化珪素と水素を反応させるため
の反応容器であることを特徴とする請求項1記載のカー
ボン製反応容器。 - 【請求項5】 請求項1記載のカーボン製反応容器のカ
ーボンが黒鉛であることを特徴とするカーボン製反応容
器。
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|---|---|
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Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6780250B2 (en) * | 2000-01-28 | 2004-08-24 | Texas Instruments Incorporated | System and method for integrated oxide removal and processing of a semiconductor wafer |
| WO2006019110A1 (ja) * | 2004-08-19 | 2006-02-23 | Tokuyama Corporation | クロロシラン類の反応装置 |
| WO2008053750A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
| WO2008053759A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
| WO2008053786A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
| JP2009256114A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置 |
| WO2010016133A1 (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | 電気化学工業株式会社 | カーボン製反応装置 |
| WO2010016134A1 (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | 電気化学工業株式会社 | カーボン製反応容器 |
| JP2010507552A (ja) * | 2006-10-25 | 2010-03-11 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | トリクロロシランの製造方法 |
| US7727483B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-06-01 | Tokuyama Corporation | Reactor for chlorosilane compound |
| WO2010087001A1 (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | 電気化学工業株式会社 | 炭素含有材料からなる反応容器を備える反応装置、その反応装置の腐食防止方法およびその反応装置を用いたクロロシラン類の生産方法 |
| WO2010113322A1 (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | 電気化学工業株式会社 | カーボン製反応容器の破損防止方法 |
| WO2010113323A1 (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | 電気化学工業株式会社 | カーボン製反応容器の破損防止方法 |
| EP2003092A4 (en) * | 2006-10-31 | 2011-01-19 | Mitsubishi Materials Corp | DEVICE FOR PREPARING TRICHLOROSILANES |
| US8282904B2 (en) | 2004-06-22 | 2012-10-09 | Tokuyama Corporation | Cylindrical vessel made of carbon and process for making silicon |
| FR3042993A1 (fr) * | 2015-11-04 | 2017-05-05 | Commissariat Energie Atomique | Matrice et piston d'appareil de sps, appareil de sps les comprenant, et procede de frittage, densification ou assemblage sous une atmosphere oxydante utilisant cet appareil |
-
1995
- 1995-12-01 JP JP31449295A patent/JP3529070B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6780250B2 (en) * | 2000-01-28 | 2004-08-24 | Texas Instruments Incorporated | System and method for integrated oxide removal and processing of a semiconductor wafer |
| US8282904B2 (en) | 2004-06-22 | 2012-10-09 | Tokuyama Corporation | Cylindrical vessel made of carbon and process for making silicon |
| WO2006019110A1 (ja) * | 2004-08-19 | 2006-02-23 | Tokuyama Corporation | クロロシラン類の反応装置 |
| JP4804354B2 (ja) * | 2004-08-19 | 2011-11-02 | 株式会社トクヤマ | クロロシラン類の反応装置 |
| US7727483B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-06-01 | Tokuyama Corporation | Reactor for chlorosilane compound |
| JP2010507552A (ja) * | 2006-10-25 | 2010-03-11 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | トリクロロシランの製造方法 |
| WO2008053786A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
| US9493359B2 (en) | 2006-10-31 | 2016-11-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus for producing trichlorosilane |
| US9416014B2 (en) | 2006-10-31 | 2016-08-16 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for producing trichlorosilane |
| JP2008133168A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置 |
| JP2008133170A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置 |
| US7998428B2 (en) | 2006-10-31 | 2011-08-16 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus for producing trichlorosilane |
| WO2008053759A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
| WO2008053750A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Trichlorosilane production apparatus |
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