JPH09160785A - 割込発生装置及びその方法 - Google Patents

割込発生装置及びその方法

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JPH09160785A JP8312621A JP31262196A JPH09160785A JP H09160785 A JPH09160785 A JP H09160785A JP 8312621 A JP8312621 A JP 8312621A JP 31262196 A JP31262196 A JP 31262196A JP H09160785 A JPH09160785 A JP H09160785A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 MCUの入出力ポートに多数の割込信号がき
たときに、その多数の信号による過電流によってMCU
が誤動作するのを防止できる割込発生装置及びその方法
を提供すること。 【解決手段】 多数の入出力ポートを介してし入出力さ
れる信号を格納する第1格納手段と、前記第1格納手段
で格納された信号の印加を受けてそれらのハイ/ローレ
ベルを判定する第1比較手段と、前記第1比較手段から
出力される前記レベルの信号(O1〜ON)を符号化する
符号化手段と、MCUバスを通して伝送される信号を格
納する第2格納手段と、前記符号化手段から出力される
符号化された信号(X1〜Xi)と前記第2格納手段に格
納された信号とを比較してレベルを判定する第2比較手
段と、前記第2比較手段から出力されるレベルの信号に
応じて割込要求信号を発生する割込要求信号発生手段と
を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は割込発生装置及び割
込方法に係り、特にマイクロコントローラ(以下MCU
という)で特定個数以上のポート入出力状態信号がハイ
或いはローであるとき、割込を発生するようにした割込
発生装置及びその方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、マイクロコンピュータは、演算
データの処理及び制御機能を担当するCPUとしてマイ
クロプロセッサを使用する。そして、データの入出力を
行う入出力装置(I/O部)と、プログラム及びデータ
を格納するメモリ機能を備えている。従って、ワンチッ
プマイクロコンピュータ或いはMCUとは、前記マイク
ロコンピュータを一つのチップに集積したコンピュータ
のことを意味する。
【0003】以下、従来のMCUにおける割込発生装置
について添付図面を参照して説明する。図1は従来のM
CUにおける割込発生回路のブロック構成図である。ま
ず、従来のMCUにおける割込発生回路は図1に示すよ
うに、ポートA〜N、割込エッジ検出部1、エッジ選択
レジスタ部2、割込要求信号発生部3、割込イネーブル
部4及びMCUバス5によって構成される。上記ポート
A〜NはMCU内のI/Oからの入力部であると同時に
割込信号の入力ポートともなっている。
【0004】ここで、前記割込エッジ検出部1はMCU
からN個のポートを通して加えられる信号のエッジ信号
(立上がり又は立下がり)を検出し、前記エッジ選択レ
ジスタ部2は前記割込エッジ検出部1が入力信号の立上
がり、立下がりかのいずれを選択するかを決定する。例
えば、エッジ選択レジスタ部2に立上がりを選択するよ
うにMCUバスを介して書き込むと、ポートA〜Nへの
信号が立上がるときにその信号を検出する。前記割込要
求信号発生部3は前記割込エッジ検出部1から出力され
るエッジ検出信号を受けてMCUに割込要求信号を発生
させる。
【0005】一方、前記割込イネーブル部4は、前記割
込要求信号発生部3に発生した割込要求信号を使用する
か否かを決定する。前記エッジ選択レジスタ部2と割込
イネーブル部4にデータを書き込むことができるよう
に、これらはCPUから信号を伝送する前記MCUバス
5に接続されている。ここで、割込要求信号が複数同時
に発生し、前記割込イネーブル部4がイネーブルになる
と、割込要求発生部3は、割込優先順位に従って、第1
順位に該当する割込要求信号を1つだけCPUに送る。
割込の優先順位はハードウエア的に決定される。
【0006】以下、このように構成された従来の割込発
生回路の動作を説明する。図1に示すようにCPUから
MCUバス5を通してエッジ選択レジスタ部2にデータ
を書き込むと、そのデータに基づいて割込エッジ検出部
1はポートA〜ポートNの入力がハイからローへ、或い
はローからハイへ遷移するときのエッジ信号を検出す
る。割込エッジ検出部1で検出されたエッジ信号は割込
要求信号発生部3に加えられる。それによって、その割
込要求信号発生部3は、割り込み要求信号を発生させ、
それをCPUに出力する。従って、CPUが前記MCU
バス5を介して割込イネーブル部4に、前記各ポートA
〜Nに加えられた信号中のイネーブルビットのうち、割
込をしようとするビットだけをセットさせると、割込要
求信号発生部3で発生した割込要求信号に応じて割込を
発生する。このとき、割込要求信号部3に発生した割込
は設定された順位に基づいて優先順位の高い順に割り込
む。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
のMCUにおける割込発生装置は、多数の入出力ポート
に入出力された信号の入力/出力エッジのうち、一つの
入出力エッジのみを検出して一つの割込を発生させる。
従って、前記入出力ポートがある個数以上ハイになった
状態では過電流の発生によってMCUの誤動作が発生す
るおそれがある。
【0008】従って、本発明の割込発生装置及びその方
法はかかる従来の問題点を解決するためのもので、その
目的はMCUで入出力ポートの状態信号が特定個数以上
ハイ或いはローであるとき、過電流によるMCUの誤動
作を防止できる割込発生装置及びその方法を提供するこ
とにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の割込発生装置は、多数の入出力ポートを介
して入力した割込信号を格納する第1格納手段と、前記
第1格納手段で格納された信号の印加を受けてハイ/ロ
ーレベルを判定し、入力された割込信号に応じた信号
(O1〜ON)を出力する第1比較手段と、前記第1比較
手段から出力された信号を符号化する符号化手段と、M
CUバスを通して伝送される信号を格納する第2格納手
段と、前記符号化手段から出力される符号化された信号
(X1〜Xi)と前記第2格納手段に格納された信号とを
比較判定する第2比較手段と、前記第2比較手段から出
力される信号に応じて割込要求信号を発生する割込要求
信号発生手段と、前記割込要求信号発生手段の要求信号
に基づいて割込を使用するか否かを決定する割込イネー
ブル手段とからなることを特徴とする。
【0010】なお、本発明の割込発生方法は、多数個の
入出力ポートを介して入力される信号と、MCUバスを
通して伝送される信号とを格納する第1ステップと、前
記第1ステップで格納された信号(A〜N)のハイ及び
ローを判定する第2ステップと、前記第2ステップで比
較判定された信号のハイ及びロー(O1〜ON)を符号化
してMCUバスを通して格納される信号と比較してハイ
信号を出力する第3ステップと、第3ステップから出力
されるハイ信号に基づいて割込発生情報ビットをセット
し、割込要求信号を発生してMCUに印加して、前記M
CUで割込イネーブル状況を判断する第4ステップと、
第4ステップで割込イネーブル状況であれば、前記MC
Uでは割込の応答を伝達して割込を使用するか否かを決
定することにより、セットされた割込発生情報ビットに
応じて割込を発生する第5ステップとからなることを特
徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明による割込発生装置
及びその割込発生方法を添付図面を参照して説明する。
図2は本発明による割込発生装置のブロック構成図であ
り、図3は本発明による図2の第1比較手段の詳細回路
構成図を示す図面であり、図4は本発明による割込発生
方法を示す動作フローチャートである。
【0012】まず、本発明による割込発生装置は図2に
示すように、第1格納手段6、第1比較手段7、符号化
手段8、第2比較手段9、第2格納手段10、割込要求
発生手段11及び割込イネーブル手段12で構成され
る。
【0013】前記第1格納手段6は多数個の入出力ポー
ト(ポートA〜ポートN)を通して入出力されるデータ
の入出力状態を格納し、第1比較手段7では前記第1格
納手段6から出力される出力信号A〜Nのうちハイ状態
のデータを比較判定して出力する。前記符号化手段8は
前記第1比較手段7で比較判定された出力信号O1〜ON
を符号化する。前記第2格納手段10はMCUから伝送
されるデータをMCUバス13を通して格納する。この
第2格納手段10に格納されたデータと前記符号化手段
8から出力される信号X1〜Xiとを前記第2比較手段9
で比較して前記割込要求信号発生手段11に印加する。
ここに、X1〜Xi信号はポートA〜ポートNのハイの個
数を示す。割込要求信号発生手段11は前記第2比較手
段9から出力される信号を受けて割込要求信号を発生
し、前記割込イネーブル手段12が割込を行うことを決
定すると、前記割込要求信号発生手段11は割込を発生
させる。
【0014】前記第1比較手段7は図3に示すように、
ドレイン端子に電源電圧VCCが印加され、ゲート端子を
接地したPMOSトランジスタと、前記第1格納手段6
から出力される多数個の出力信号をそれぞれのゲート端
子に入力し、前記PMOSトランジスタのソース端子に
それぞれドレイン端子が接続され、並列に連結された多
数個のNMOSトランジスタと、前記多数個のNMOS
トランジスタのドレイン端子と接続され、それぞれ並列
に連結された多数個のインバーターC1〜CNとからな
る。
【0015】以下、このように構成された本発明による
割込発生装置の動作及び割込発生方法を図4のフローチ
ャートを参照して説明する。まず、図2に示すように、
第1格納手段6は多数個の入出力ポートの入出力を決定
する部分と、前記入出力ポートを介して入出力されるデ
ータを格納する部分とからなる。この第1格納手段6
は、多数の入出力ポート(ポートA〜N)を介して入出
力される信号と、MCUバス13を通して伝送されるデ
ータとを格納し(S101)、第1比較手段7に出力す
る。第1比較手段7は第1格納手段6から出力されるデ
ータを受けて前記入力信号のうちハイ状態のデータを比
較判定する(S102)。第1比較手段7は図3に示す
ように、多数個の各NMOSトランジスタのW/Lが全
て同一のものでなされる。なお、前記NMOSトランジ
スタの入力ポートは前記第1格納手段6の出力値A〜N
をそのまま受け入れ、PMOSトランジスタのゲート入
力は接地されている。
【0016】もし、複数のNMOSトランジスタへN個
の信号が入力されたと仮定すると、N個の入力値に応じ
て図3のノード14にはNレベルの電圧が表れる。即
ち、前記NMOSトランジスタのターンオンした個数に
応じて並列トランジスタの抵抗が変化し、オンになって
いるトランジスタの数に応じた電圧を出力する。その出
力はロジックしきい値電圧が互いに異なるインバーター
1〜CNに印加される。インバーターC1〜CNのロジッ
クしきい値電圧はN個の互いに異なる値を有し、NMO
Sへの入力数に応じてノード14に生じた電圧に応じ
て、出力O1〜ONが発生する。
【0017】前記インバーターC1〜CNの出力信号O1
〜ONは、符号化手段8に印加されて符号化され、前記
N個の第1格納手段のハイ値を有する信号の数に相当す
る信号を出力する(S103)。この符号化手段8の出
力信号X1〜Xiは第2比較手段9に印加される。第2比
較手段9は符号化手段8からの信号とMCUバス13を
通して第2格納手段10に格納されたデータ値とを比較
して、その比較した結果を割込要求信号発生手段11に
加える(S104)。前記割込要求信号発生手段11は
割込要求信号を発生させて(S105)、それをCPU
に加えると、前記CPUは、割込イネーブル手段12か
ら割込使用有無の決定信号に基づいて、割込順位に応じ
て処理するか否かを決定する(S106)。もし、割込
許可、即ち割込イネーブル状態であれば、前記割込要求
信号発生手段11に割込応答が伝達される。これによ
り、割込要求信号発生手段11で割込を発生する(S1
07)。ここで、前記割込要求はMCUバス13からの
セット及びリセット信号、即ちイネーブル状態に応じて
発生したり無視される。なお、前記MCUにおける割込
応答時間は割込発生時間から割込処理ルーチンが始まる
までの時間であって、短いほどよい。
【0018】
【発明の効果】上述したように本発明の割込発生装置及
びその方法は、ポートのハイとなっているピンの個数に
応じて割込を発生できるようにして、電流を沢山ドライ
ブするポートである場合、過電流によって発生するMC
Uの誤動作を除去することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の技術による割込発生回路のブロック構
成図である。
【図2】 本発明による割込発生装置のブロック構成図
である。
【図3】 本発明による図2の第1比較手段の詳細回路
構成図である。
【図4】 本発明による割込発生方法を示す動作フロー
チャートである
【符号の説明】
6、10 第1、2格納手段 7、9 第1、2比較手段 8 符号化手段 11 割込要求信号発生手段 12 割込イネーブル手段 13 MCUバス C1〜CN インバーター

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多数の入出力ポートを介して入力した割
    込信号を格納する第1格納手段と、 前記第1格納手段で格納された信号の印加を受けてハイ
    /ローレベルを判定し、入力された割込信号に応じた信
    号(O1〜ON)を出力する第1比較手段と、 前記第1比較手段から出力された信号を符号化する符号
    化手段と、 MCUバスを通して伝送される信号を格納する第2格納
    手段と、 前記符号化手段から出力される符号化された信号(X1
    〜Xi)と前記第2格納手段に格納された信号とを比較
    判定する第2比較手段と、 前記第2比較手段から出力される信号に応じて割込要求
    信号を発生する割込要求信号発生手段と、 前記割込要求信号発生手段の要求信号に基づいて割込を
    使用するか否かを決定する割込イネーブル手段とを有す
    ることを特徴とする割込発生装置。
  2. 【請求項2】 前記第1格納手段は各ポートの入出力を
    決定する部分と、入出力されるデータを格納する部分と
    からなることを特徴とする請求項1記載の割込発生装
    置。
  3. 【請求項3】 前記第1比較手段はドレイン端子に電源
    電圧Vccが印加され、ゲート端子を接地させたPMO
    Sトランジスタと、 前記第1格納手段から出力される多数個の出力信号をそ
    れぞれのゲート端子に入力し、前記PMOSトランジス
    タのソース端子にそれぞれドレイン端子が接続されて相
    互並列に連結された多数個のNMOSトランジスタと、 前記多数個のNMOSトランジスタのドレイン端子と接
    続され、前記ドレイン端子の出力信号を入力としてそれ
    ぞれ相互並列に連結構成されたインバーター(C1
    N)とからなることを特徴とする請求項1記載の割込
    発生装置。
  4. 【請求項4】 前記多数個のNMOSトランジスタは相
    互に同一のW/Lの大きさを有することを特徴とする請
    求項3記載の割込発生装置。
  5. 【請求項5】 前記多数個のインバーターは互いに異な
    るロジックしきい値電圧を有することを特徴とする請求
    項3記載の割込発生装置。
  6. 【請求項6】 前記多数個のインバーターの各入力ノー
    ドには前記NMOSトランジスタの入力信号に応じる互
    いに異なる電圧レベルを有することを特徴とする請求項
    3記載の割込発生装置。
  7. 【請求項7】 多数個の入出力ポートを介して入出力さ
    れる信号と、MCUバスを通して伝送される信号を格納
    する第1ステップと、 前記第1ステップで格納された信号(A〜N)のハイ及
    びローレベルを判定する第2ステップと、 前記第2ステップで比較判定された信号のハイ及びロー
    レベル(O1〜ON)を符号化してMCUバスを通して格
    納される信号と比較してハイ信号を出力する第3ステッ
    プと、 第3ステップから出力されるハイ信号に基づいて割込発
    生情報ビットをセットしながら割込要求信号を発生して
    MCUに印加すると、前記MCUで割込イネーブル状況
    を判断する第4ステップと、 第4ステップで割込イネーブル状況であれば、前記MC
    Uでは割込の応答を伝達して割込を使用するか否かを決
    定することにより、セットされた割込発生情報ビットに
    応じて割込を発生する第5ステップとからなることを特
    徴とする割込発生方法。
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