JPH0916122A - 画像表示装置およびその駆動方法 - Google Patents
画像表示装置およびその駆動方法Info
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- JPH0916122A JPH0916122A JP7163176A JP16317695A JPH0916122A JP H0916122 A JPH0916122 A JP H0916122A JP 7163176 A JP7163176 A JP 7163176A JP 16317695 A JP16317695 A JP 16317695A JP H0916122 A JPH0916122 A JP H0916122A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 241001663154 Electron Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 入力電圧と発光制御用の非線形素子に流れる
電流を一次比例関係にすることで、入力映像信号に忠実
な薄膜画素素子の輝度を得ることを目的とする。 【構成】 一画素毎に、薄膜画素素子と、該薄膜画素素
子の発光制御用の非線形素子と、該非線形素子のゲート
電極に接続された信号保持用のキヤパシタと、該キヤパ
シタへのデータ書き込み用の非線形素子と、前記発光制
御用の非線形素子と同様の特性を持つ第２の非線形素子
２と、該第２の非線形素子２の出力を参照して調整され
た画像信号ＶＬｏを、前記発光制御用の非線形素子に入
力する参照変換部１とを有する。
電流を一次比例関係にすることで、入力映像信号に忠実
な薄膜画素素子の輝度を得ることを目的とする。 【構成】 一画素毎に、薄膜画素素子と、該薄膜画素素
子の発光制御用の非線形素子と、該非線形素子のゲート
電極に接続された信号保持用のキヤパシタと、該キヤパ
シタへのデータ書き込み用の非線形素子と、前記発光制
御用の非線形素子と同様の特性を持つ第２の非線形素子
２と、該第２の非線形素子２の出力を参照して調整され
た画像信号ＶＬｏを、前記発光制御用の非線形素子に入
力する参照変換部１とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像表示装置に係り、
例えば有機ＥＬ画像表示装置のような、エレクトロルミ
ネセンス（ＥＬ）画像表示装置およびその駆動方法に関
する。
例えば有機ＥＬ画像表示装置のような、エレクトロルミ
ネセンス（ＥＬ）画像表示装置およびその駆動方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図４、図５は従来例を示した図である。
以下、これらの図面に基づいて従来例を説明する。
以下、これらの図面に基づいて従来例を説明する。
【０００３】図４（Ａ）は、パネルブロック図であり、
ディスプレイ（表示）パネル１０には、ディスプレイ画
面１１、Ｘ軸のシフトレジスタ１２、Ｙ軸のシフトレジ
スタ１３が設けてある。
ディスプレイ（表示）パネル１０には、ディスプレイ画
面１１、Ｘ軸のシフトレジスタ１２、Ｙ軸のシフトレジ
スタ１３が設けてある。
【０００４】ディスプレイ画面１１には、ＥＬ電源が供
給されており、またＸ軸のシフトレジスタ１２には、シ
フトレジスタ電源の供給とＸ軸同期信号の入力が行われ
る。さらにＹ軸のシフトレジスタ１３には、シフトレジ
スタ電源の供給とＹ軸同期信号の入力が行われる。ま
た、Ｘ軸のシフトレジスタ１２の出力部に画像データ信
号の出力が設けてある。
給されており、またＸ軸のシフトレジスタ１２には、シ
フトレジスタ電源の供給とＸ軸同期信号の入力が行われ
る。さらにＹ軸のシフトレジスタ１３には、シフトレジ
スタ電源の供給とＹ軸同期信号の入力が行われる。ま
た、Ｘ軸のシフトレジスタ１２の出力部に画像データ信
号の出力が設けてある。
【０００５】図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＡ部の拡大説
明図であり、ディスプレイ画面１１の１画素（点線の四
角で示す）は、トランジスタが２個、コンデンサが１
個、ＥＬ素子が１個より構成されている。
明図であり、ディスプレイ画面１１の１画素（点線の四
角で示す）は、トランジスタが２個、コンデンサが１
個、ＥＬ素子が１個より構成されている。
【０００６】この１画素の発光動作は、例えば、Ｙ軸の
シフトレジスタ１３で選択信号Ｙ１の出力があり、また
Ｘ軸のシフトレジスタ１２で選択信号Ｘ１の出力があっ
た場合、トランジスタＴｙ１１とトランジスタＴｘ１が
オンとなる。
シフトレジスタ１３で選択信号Ｙ１の出力があり、また
Ｘ軸のシフトレジスタ１２で選択信号Ｘ１の出力があっ
た場合、トランジスタＴｙ１１とトランジスタＴｘ１が
オンとなる。
【０００７】このため、画像データ（映像信号）ＶＬ
は、非線形素子（ＢＩＡＳ ＴＦＴ）Ｍ１１である薄膜
トランジスタのゲートに入力される。これにより、この
ゲート電圧に応じた電流がＥＬ電源から非線形素子Ｍ１
１のドレイン、ソース間に流れ、ＥＬ素子ＥＬ１１が発
光する。
は、非線形素子（ＢＩＡＳ ＴＦＴ）Ｍ１１である薄膜
トランジスタのゲートに入力される。これにより、この
ゲート電圧に応じた電流がＥＬ電源から非線形素子Ｍ１
１のドレイン、ソース間に流れ、ＥＬ素子ＥＬ１１が発
光する。
【０００８】次のタイミングでは、Ｘ軸のシフトレジス
タ１２は、選択信号Ｘ１の出力をオフとし、選択信号Ｘ
２を出力することになるが、非線形素子Ｍ１１のゲート
電圧は、コンデンサＣ１１で保持されるため、次にこの
画素が選択されるまでＥＬ素子ＥＬ１１の前記発光は、
持続することになる。
タ１２は、選択信号Ｘ１の出力をオフとし、選択信号Ｘ
２を出力することになるが、非線形素子Ｍ１１のゲート
電圧は、コンデンサＣ１１で保持されるため、次にこの
画素が選択されるまでＥＬ素子ＥＬ１１の前記発光は、
持続することになる。
【０００９】図５に一画素を抜き出して示す如く、一画
素毎のＥＬ素子を発光制御用の非線形素子（ＢＩＡＳ
ＴＦＴ）Ｍに直列接続し、この非線形素子（ＢＩＡＳ
ＴＦＴ）Ｍのゲート電極に信号保持用のキャパシタＣを
接続する。
素毎のＥＬ素子を発光制御用の非線形素子（ＢＩＡＳ
ＴＦＴ）Ｍに直列接続し、この非線形素子（ＢＩＡＳ
ＴＦＴ）Ｍのゲート電極に信号保持用のキャパシタＣを
接続する。
【００１０】そしてこの信号保持用のキャパシタＣにデ
ータ書き込み用の非線形素子（ＳＥＬＥＣＴ−ＳＷ用Ｔ
ＦＴ）Ｔｙを接続し、このデータ書き込み用の非線形素
子（ＳＥＬＥＣＴ−ＳＷ用ＴＦＴ）ＴｙにＹ座標選択信
号ＹｎとＸ座標選択信号により選択された画像データ
（映像信号）ＶＬを印加する。
ータ書き込み用の非線形素子（ＳＥＬＥＣＴ−ＳＷ用Ｔ
ＦＴ）Ｔｙを接続し、このデータ書き込み用の非線形素
子（ＳＥＬＥＣＴ−ＳＷ用ＴＦＴ）ＴｙにＹ座標選択信
号ＹｎとＸ座標選択信号により選択された画像データ
（映像信号）ＶＬを印加する。
【００１１】この画像データＶＬにより前記信号保持用
のキャパシタＣに電荷を蓄積し、この信号保持用のキャ
パシタＣに蓄積された電圧により前記発光制御用の非線
形素子（ＢＩＡＳ ＴＦＴ）Ｍに流れる電流を制御する
ことにより、ＥＬ素子の発光強度が決定される。（“Ａ
６×６−in 20−lpi Electroluminescent DisplayPan
el ”T.P.BRODY,FANG CHEN LUO,et.al.IEEE Trans.Elec
tron Devices,Vol.ED-22,No.9,Sept.1975、p739〜p749
参照）
のキャパシタＣに電荷を蓄積し、この信号保持用のキャ
パシタＣに蓄積された電圧により前記発光制御用の非線
形素子（ＢＩＡＳ ＴＦＴ）Ｍに流れる電流を制御する
ことにより、ＥＬ素子の発光強度が決定される。（“Ａ
６×６−in 20−lpi Electroluminescent DisplayPan
el ”T.P.BRODY,FANG CHEN LUO,et.al.IEEE Trans.Elec
tron Devices,Vol.ED-22,No.9,Sept.1975、p739〜p749
参照）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところが、発光制御用
の非線形素子（ＢＩＡＳ ＴＦＴ）Ｍに流れる電流と、
キャパシタＣに蓄積された電圧との特性関係は必ずしも
一次比例の関係ではない。このため入力された映像信号
の大きさとＥＬ素子の発光輝度との関係が直線的でない
ため、入力映像信号に忠実にＥＬ素子の発光輝度が得ら
れないため、映像信号の大きさに忠実な発光輝度の再現
が難しかった。
の非線形素子（ＢＩＡＳ ＴＦＴ）Ｍに流れる電流と、
キャパシタＣに蓄積された電圧との特性関係は必ずしも
一次比例の関係ではない。このため入力された映像信号
の大きさとＥＬ素子の発光輝度との関係が直線的でない
ため、入力映像信号に忠実にＥＬ素子の発光輝度が得ら
れないため、映像信号の大きさに忠実な発光輝度の再現
が難しかった。
【００１３】例えばこの非線形素子Ｍが電界効果トラン
ジスタ（ＴＦＴ）の場合、これに流れる電流は飽和領域
で次式のものとなる。 Ｉｄｓ＝（１／２）（Ｗ／Ｌ）μ0 Ｃ0 （Ｖｇｓ−Ｖｔ
ｈ）2 Ｉｄｓ ＴＦＴに流れる電流 Ｖｇｓ ゲートソース間電圧（キャパシタＣに蓄積され
た電圧） Ｃ0 単位面積当りのゲート容量 μ0 移動度 Ｗ ＴＦＴのゲートのチャネル幅 Ｌ ＴＦＴのゲートのチャネル長 Ｖｔｈ ＴＦＴの閾値電圧 前記式より明らかな如く、ＩｄｓとＶｇｓとは比例関係
でなく、このため映像信号に比例した発光輝度を得るこ
とができなかった。
ジスタ（ＴＦＴ）の場合、これに流れる電流は飽和領域
で次式のものとなる。 Ｉｄｓ＝（１／２）（Ｗ／Ｌ）μ0 Ｃ0 （Ｖｇｓ−Ｖｔ
ｈ）2 Ｉｄｓ ＴＦＴに流れる電流 Ｖｇｓ ゲートソース間電圧（キャパシタＣに蓄積され
た電圧） Ｃ0 単位面積当りのゲート容量 μ0 移動度 Ｗ ＴＦＴのゲートのチャネル幅 Ｌ ＴＦＴのゲートのチャネル長 Ｖｔｈ ＴＦＴの閾値電圧 前記式より明らかな如く、ＩｄｓとＶｇｓとは比例関係
でなく、このため映像信号に比例した発光輝度を得るこ
とができなかった。
【００１４】本発明は、前記従来の課題を解決し、入力
電圧と発光制御用の非線形素子に流れる電流を一次比例
関係にすることで、入力映像信号に忠実な薄膜画素素子
の輝度を得ることを目的とする。
電圧と発光制御用の非線形素子に流れる電流を一次比例
関係にすることで、入力映像信号に忠実な薄膜画素素子
の輝度を得ることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、図１に示す如く、発光用の薄膜画素素
子（ＥＬ素子）とその発光制御用の非線形素子（ＢＩＡ
Ｓ ＴＦＴ）と選択用のスイッチ用ＴＦＴ等で構成され
たパネル１０とは別に前記発光制御用の非線形素子と同
じ電圧−電流特性を有する参照用（第２の）非線形素子
２を設ける。
め、本発明では、図１に示す如く、発光用の薄膜画素素
子（ＥＬ素子）とその発光制御用の非線形素子（ＢＩＡ
Ｓ ＴＦＴ）と選択用のスイッチ用ＴＦＴ等で構成され
たパネル１０とは別に前記発光制御用の非線形素子と同
じ電圧−電流特性を有する参照用（第２の）非線形素子
２を設ける。
【００１６】一方、入力信号である画像信号ＶＬを参照
変換部１に入力し、この参照変換部１の一方の出力を参
照用非線形素子２に入力して、参照用非線形素子２に入
力画像信号の大きさに比例した電流を流すとともに、そ
のときの参照用非線形素子２に印加する制御信号ＶＬｏ
をパネル１０内の発光制御用の非線形素子に印加する。
変換部１に入力し、この参照変換部１の一方の出力を参
照用非線形素子２に入力して、参照用非線形素子２に入
力画像信号の大きさに比例した電流を流すとともに、そ
のときの参照用非線形素子２に印加する制御信号ＶＬｏ
をパネル１０内の発光制御用の非線形素子に印加する。
【００１７】
【作用】これにより発光制御用の非線形素子にも、参照
用非線形素子２と同様に、入力画像信号ＶＬの大きさに
比例した電流を流すことができるので、発光用のＥＬ素
子を、入力画像信号の大きさに忠実に比例した輝度で制
御することができる。
用非線形素子２と同様に、入力画像信号ＶＬの大きさに
比例した電流を流すことができるので、発光用のＥＬ素
子を、入力画像信号の大きさに忠実に比例した輝度で制
御することができる。
【００１８】
【実施例】本発明の一実施例を図２に基づき説明する。
図２（Ａ）は本発明の一実施例の構成図であり、参照変
換部１は画像信号ＶＬが一方の入力部に入力される演算
増幅器（オペアンプ）ＯＰを具備し、その出力が参照用
の第２の非線形素子Ｍ１であるＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）のゲート電圧となる。また参照用の非線形素子Ｍ１
には参照抵抗Ｒｓが接続されている。そして参照用の非
線形素子Ｍ１の参照電位Ｖｓが演算増幅器ＯＰの他方の
入力部に入力される。
図２（Ａ）は本発明の一実施例の構成図であり、参照変
換部１は画像信号ＶＬが一方の入力部に入力される演算
増幅器（オペアンプ）ＯＰを具備し、その出力が参照用
の第２の非線形素子Ｍ１であるＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）のゲート電圧となる。また参照用の非線形素子Ｍ１
には参照抵抗Ｒｓが接続されている。そして参照用の非
線形素子Ｍ１の参照電位Ｖｓが演算増幅器ＯＰの他方の
入力部に入力される。
【００１９】従って、画像信号ＶＬが演算増幅器ＯＰに
入力されると、演算増幅器ＯＰは入力画像信号ＶＬと参
照電位Ｖｓが等しくなるように非線形素子Ｍ１を制御す
るので、画像信号ＶＬに比例した電流が参照用の非線形
素子Ｍ１の電流Ｉｓとして流れる。
入力されると、演算増幅器ＯＰは入力画像信号ＶＬと参
照電位Ｖｓが等しくなるように非線形素子Ｍ１を制御す
るので、画像信号ＶＬに比例した電流が参照用の非線形
素子Ｍ１の電流Ｉｓとして流れる。
【００２０】このときの演算増幅器ＯＰの出力電圧ＶＬ
ｏをパネル１０側の発光制御用の非線形素子のゲート電
圧に印加すれば、この非線形素子には、これまた画像信
号ＶＬに比例した電流が流れるので、これに接続された
薄膜画素素子であるＥＬ素子を画像信号ＶＬに比例した
輝度で発光制御することができる。
ｏをパネル１０側の発光制御用の非線形素子のゲート電
圧に印加すれば、この非線形素子には、これまた画像信
号ＶＬに比例した電流が流れるので、これに接続された
薄膜画素素子であるＥＬ素子を画像信号ＶＬに比例した
輝度で発光制御することができる。
【００２１】図２（Ｂ）は参照変換部１に入力される画
像信号ＶＬとパネル１０側の選択された薄膜画素素子
（ＥＬ素子）に流れる電流Ｉｄｓとの関係が一次比例関
係であることを示している。
像信号ＶＬとパネル１０側の選択された薄膜画素素子
（ＥＬ素子）に流れる電流Ｉｄｓとの関係が一次比例関
係であることを示している。
【００２２】この実施例においては、パネル側の非線形
素子であるＴＦＴと、参照用の非線形素子Ｍ１であるＴ
ＦＴを同一の基板上に同時に形成することにより、これ
らのＴＦＴの特性をほぼ同一のものとして容易に構成す
ることができる。
素子であるＴＦＴと、参照用の非線形素子Ｍ１であるＴ
ＦＴを同一の基板上に同時に形成することにより、これ
らのＴＦＴの特性をほぼ同一のものとして容易に構成す
ることができる。
【００２３】本発明の他の実施例を図３に基づき説明す
る。参照変換部１には、トランジスタＱ１と該トランジ
スタＱ１のベースに接続された抵抗Ｒ１とエミッタに接
続された抵抗Ｒ２が設けてあり、この参照変換部１は画
像信号ＶＬに比例した電流を出力する電流源となるもの
である。
る。参照変換部１には、トランジスタＱ１と該トランジ
スタＱ１のベースに接続された抵抗Ｒ１とエミッタに接
続された抵抗Ｒ２が設けてあり、この参照変換部１は画
像信号ＶＬに比例した電流を出力する電流源となるもの
である。
【００２４】参照用非線形素子２には、参照用の非線形
素子Ｍ１であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けてあ
り、参照変換部１の出力（トランジスタＱ１のコレク
タ）がこのＴＦＴに接続される。そして、このＴＦＴの
出力電圧ＶＬｏをパネル１０側の発光制御用の非線形素
子であるＴＦＴのゲート電圧に印加する。これにより、
参照用の非線形素子Ｍ１であるＴＦＴと発光制御用の非
線形素子であるＴＦＴとは、カレントミラーとして機能
する。
素子Ｍ１であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けてあ
り、参照変換部１の出力（トランジスタＱ１のコレク
タ）がこのＴＦＴに接続される。そして、このＴＦＴの
出力電圧ＶＬｏをパネル１０側の発光制御用の非線形素
子であるＴＦＴのゲート電圧に印加する。これにより、
参照用の非線形素子Ｍ１であるＴＦＴと発光制御用の非
線形素子であるＴＦＴとは、カレントミラーとして機能
する。
【００２５】従って、画像信号ＶＬが抵抗Ｒ１に入力さ
れると、それに比例した電流Ｉｓが非線形素子Ｍ１、ト
ランジスタＱ１、抵抗Ｒ２、共通電位（アース）に流れ
る。このように画像信号ＶＬに比例した電流が参照用の
非線形素子Ｍ１に流れ、これと同じ電流が発光制御用の
非線形素子に流れることになる。
れると、それに比例した電流Ｉｓが非線形素子Ｍ１、ト
ランジスタＱ１、抵抗Ｒ２、共通電位（アース）に流れ
る。このように画像信号ＶＬに比例した電流が参照用の
非線形素子Ｍ１に流れ、これと同じ電流が発光制御用の
非線形素子に流れることになる。
【００２６】このため、パネル１０側の発光制御用の非
線形素子には、画像信号ＶＬに比例した電流が流れるの
で、これに接続された薄膜画素素子であるＥＬ素子を画
像信号ＶＬに比例した輝度で発光制御することができ
る。
線形素子には、画像信号ＶＬに比例した電流が流れるの
で、これに接続された薄膜画素素子であるＥＬ素子を画
像信号ＶＬに比例した輝度で発光制御することができ
る。
【００２７】この実施例においても、パネル側の非線形
素子であるＴＦＴと、参照用の非線形素子Ｍ１であるＴ
ＦＴを同一の基板上に同時に形成することにより、これ
らのＴＦＴの特性をほぼ同一のものとして容易に構成す
ることができる。
素子であるＴＦＴと、参照用の非線形素子Ｍ１であるＴ
ＦＴを同一の基板上に同時に形成することにより、これ
らのＴＦＴの特性をほぼ同一のものとして容易に構成す
ることができる。
【００２８】また、この参照用の非線形素子Ｍ１は複数
個設ける必要はなく、パネル側の発光制御用の非線形素
子であるＴＦＴのチャネルの形等にあわせ一個で対応す
ることができる。
個設ける必要はなく、パネル側の発光制御用の非線形素
子であるＴＦＴのチャネルの形等にあわせ一個で対応す
ることができる。
【００２９】なお、前記実施例では非線形素子として薄
膜で製造したＴＦＴを用いた場合の説明をしたが、これ
に限定されるものではなく、他の製法で製造した非線形
素子を用いることもできる。
膜で製造したＴＦＴを用いた場合の説明をしたが、これ
に限定されるものではなく、他の製法で製造した非線形
素子を用いることもできる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 ：請求項１記載によれば、発光制御用の非線形素子と
同様な特性を持つ第２の非線形素子を用いて入力する画
像信号を前記発光素子制御用の非線形素子に適した画像
信号に変換し、これをこの発光制御用の非線形素子の制
御電圧として入力するので映像信号に忠実な輝度を再現
することができる。
のような効果がある。 ：請求項１記載によれば、発光制御用の非線形素子と
同様な特性を持つ第２の非線形素子を用いて入力する画
像信号を前記発光素子制御用の非線形素子に適した画像
信号に変換し、これをこの発光制御用の非線形素子の制
御電圧として入力するので映像信号に忠実な輝度を再現
することができる。
【００３１】：請求項２記載によれば、発光制御用の
非線形素子と、第２の非線形素子とを同時に構成したも
のを使用するので、これらの特性をほとんど同様の特性
のものにすることができ、従って映像信号に忠実な輝度
を再現する画像表示装置を提供することができる。
非線形素子と、第２の非線形素子とを同時に構成したも
のを使用するので、これらの特性をほとんど同様の特性
のものにすることができ、従って映像信号に忠実な輝度
を再現する画像表示装置を提供することができる。
【００３２】：請求項３記載によれば、参照変換部に
演算増幅器を用いるので入力映像信号に忠実な薄膜画素
素子の輝度を得ることができる。 ：請求項４記載によれば、参照変換部に電流源を用
い、第２の非線形素子と発光制御用の非線形素子とでカ
レントミラーを構成するので、演算増幅器等の複雑な回
路を必要とせず、入力映像信号に忠実な薄膜画素素子の
輝度を得ることができる。
演算増幅器を用いるので入力映像信号に忠実な薄膜画素
素子の輝度を得ることができる。 ：請求項４記載によれば、参照変換部に電流源を用
い、第２の非線形素子と発光制御用の非線形素子とでカ
レントミラーを構成するので、演算増幅器等の複雑な回
路を必要とせず、入力映像信号に忠実な薄膜画素素子の
輝度を得ることができる。
【００３３】：請求項５記載によれば、発光制御用の
非線形素子と同様の電圧−電流特性を持つ第２の非線形
素子を設け、この第２の非線形素子の出力を参照して調
整された画像信号で、前記発光制御用の非線形素子を駆
動する方法としたので、入力映像信号に忠実な薄膜画素
素子の輝度を得ることができる。
非線形素子と同様の電圧−電流特性を持つ第２の非線形
素子を設け、この第２の非線形素子の出力を参照して調
整された画像信号で、前記発光制御用の非線形素子を駆
動する方法としたので、入力映像信号に忠実な薄膜画素
素子の輝度を得ることができる。
【００３４】：請求項６記載によれば、発光制御用の
非線形素子を駆動する方法において、第２の非線形素子
は、発光制御用の非線形素子と同時に形成したものを用
いるので、これらの特性をほとんど同様の特性のものに
することができ、映像信号に忠実な輝度を再現する画像
表示装置の駆動方法を提供することができる。
非線形素子を駆動する方法において、第２の非線形素子
は、発光制御用の非線形素子と同時に形成したものを用
いるので、これらの特性をほとんど同様の特性のものに
することができ、映像信号に忠実な輝度を再現する画像
表示装置の駆動方法を提供することができる。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の一実施例の説明図である。
【図３】本発明の他の実施例の説明図である。
【図４】従来例の説明図（１）である。
【図５】従来例の説明図（２）である。
１ 参照変換部 ２ 第２の非線形素子（参照用非線形素子） １０ パネル ＶＬ 画像信号 ＶＬｏ 参照変換部の出力
Claims (6)
- 【請求項１】 一画素毎に、薄膜画素素子と、該薄膜画
素素子の発光制御用の非線形素子と、該非線形素子のゲ
ート電極に接続された信号保持用のキヤパシタと、該キ
ヤパシタへのデータ書き込み用の非線形素子と、前記発
光制御用の非線形素子と同様の特性を持つ第２の非線形
素子と、該第２の非線形素子の出力を参照して調整され
た画像信号を、前記発光制御用の非線形素子に入力する
参照変換部とを有することを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項２】 前記第２の非線形素子は前記発光制御用
の非線形素子と同時に形成されたものであることを特徴
とする請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項３】 前記参照変換部に演算増幅器を用いるこ
とを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項４】 前記参照変換部に電流源を用い、前記第
２の非線形素子と前記発光制御用の非線形素子とでカレ
ントミラーを構成することを特徴とする請求項１記載の
画像表示装置。 - 【請求項５】 一画素毎に薄膜画素素子と、該薄膜画素
素子の発光制御用の非線形素子と、該非線形素子のゲー
ト電極に接続された信号保持用のキヤパシタと、該キヤ
パシタへのデータ書き込み用の非線形素子を有する画像
表示装置の駆動方法において、 前記発光制御用の非線形素子と同様の電圧−電流特性を
持つ第２の非線形素子を設け、この第２の非線形素子の
出力を参照して調整された画像信号を、前記発光制御用
の非線形素子に入力することを特徴とする画像表示装置
の駆動方法。 - 【請求項６】 前記第２の非線形素子は、前記発光制御
用の非線形素子と同時に形成したものであることを特徴
とする請求項５記載の画像表示装置の駆動方法。
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