JPH09162341A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH09162341A JPH09162341A JP31902795A JP31902795A JPH09162341A JP H09162341 A JPH09162341 A JP H09162341A JP 31902795 A JP31902795 A JP 31902795A JP 31902795 A JP31902795 A JP 31902795A JP H09162341 A JPH09162341 A JP H09162341A
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- semiconductor element
- insulating base
- radiator
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Abstract
(57)【要約】
【課題】放熱体と絶縁基体との熱膨張係数の相異に起因
して発生する熱応力によって絶縁基体にクラックや割れ
が発生し、半導体素子を収容する容器の気密封止が破れ
る。 【解決手段】上面に半導体素子３が載置される載置部１
ａを有し、下面に放熱体９がロウ材１０を介して接合さ
れている絶縁基体１と、蓋体２とから成り、内部に半導
体素子３を収容するための空所を有する半導体素子収納
用パッケージであって、前記絶縁基体１と放熱体９の熱
膨張差が１０×１０-6／℃以上であり、且つ絶縁基体１
と放熱体９とが、半導体素子３の載置される載置部１ａ
と対向する領域の外側に枠状の非接合領域１０ａを設け
て接合されている。
して発生する熱応力によって絶縁基体にクラックや割れ
が発生し、半導体素子を収容する容器の気密封止が破れ
る。 【解決手段】上面に半導体素子３が載置される載置部１
ａを有し、下面に放熱体９がロウ材１０を介して接合さ
れている絶縁基体１と、蓋体２とから成り、内部に半導
体素子３を収容するための空所を有する半導体素子収納
用パッケージであって、前記絶縁基体１と放熱体９の熱
膨張差が１０×１０-6／℃以上であり、且つ絶縁基体１
と放熱体９とが、半導体素子３の載置される載置部１ａ
と対向する領域の外側に枠状の非接合領域１０ａを設け
て接合されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＳＩ（大規模集積
回路素子）等の半導体素子を収容するための半導体素子
収納用パッケージに関するものである。
回路素子）等の半導体素子を収容するための半導体素子
収納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージは、酸化アルミニウム質焼結体
やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化
珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、上面に半導体
素子を載置収容するための凹部及び該凹部周辺から外周
縁にかけて導出されたタングステン、モリブデン、マン
ガン等の高融点金属粉末から成る複数個のメタライズ配
線層を有する絶縁基体と、半導体素子を外部電気回路に
接続するために前記メタライズ配線層に銀ロウ等のロウ
材を介し取着された外部リード端子と、蓋体とから構成
されており、絶縁基体の凹部底面に半導体素子をロウ
材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して載置固定するとと
もに該半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介し
てメタライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、絶縁
基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収
容することによって製品としての半導体装置となる。
体素子収納用パッケージは、酸化アルミニウム質焼結体
やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化
珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、上面に半導体
素子を載置収容するための凹部及び該凹部周辺から外周
縁にかけて導出されたタングステン、モリブデン、マン
ガン等の高融点金属粉末から成る複数個のメタライズ配
線層を有する絶縁基体と、半導体素子を外部電気回路に
接続するために前記メタライズ配線層に銀ロウ等のロウ
材を介し取着された外部リード端子と、蓋体とから構成
されており、絶縁基体の凹部底面に半導体素子をロウ
材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して載置固定するとと
もに該半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介し
てメタライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、絶縁
基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収
容することによって製品としての半導体装置となる。
【０００３】上述の半導体素子収納用パッケージは、ま
た絶縁基体の下面にタングステンやモリブデン等の高融
点金属粉末から成るメタライズ金属層とニッケルメッキ
層が順次被着されており、該ニッケルメッキ層が被着さ
れたメタライズ金属層には銅から成る放熱体が銀ロウ等
のロウ材を介して接合されている。
た絶縁基体の下面にタングステンやモリブデン等の高融
点金属粉末から成るメタライズ金属層とニッケルメッキ
層が順次被着されており、該ニッケルメッキ層が被着さ
れたメタライズ金属層には銅から成る放熱体が銀ロウ等
のロウ材を介して接合されている。
【０００４】前記放熱体は半導体素子が作動時に発する
熱を吸収するとともに該吸収した熱を大気中に放散させ
る作用を為し、これによって半導体素子は常に適温とし
て熱破壊や特性に熱変化を招来することなく安定に作動
することが可能となっている。
熱を吸収するとともに該吸収した熱を大気中に放散させ
る作用を為し、これによって半導体素子は常に適温とし
て熱破壊や特性に熱変化を招来することなく安定に作動
することが可能となっている。
【０００５】尚、前記絶縁基体の下面に被着させたメタ
ライズ金属層への放熱体の接合は絶縁基体下面のメタラ
イズ金属層上に放熱体を間に板状の銀ロウ材を介在させ
て載置し、しかる後、前記銀ロウを還元雰囲気中、約８
５０℃の温度で加熱溶融させることによって行われてい
る。
ライズ金属層への放熱体の接合は絶縁基体下面のメタラ
イズ金属層上に放熱体を間に板状の銀ロウ材を介在させ
て載置し、しかる後、前記銀ロウを還元雰囲気中、約８
５０℃の温度で加熱溶融させることによって行われてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージでは、放熱体が銅で形
成されており、該銅はその熱膨張係数が１７×１０-6／
℃で絶縁基体を構成する酸化アルミニウム質焼結体やム
ライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素
質焼結体等の熱膨張係数（酸化アルミニウム質焼結体の
熱膨張係数は約７×１０-6／℃、ムライト質焼結体の熱
膨張係数は約４×１０-6／℃、窒化アルミニウム質焼結
体の熱膨張係数は約４×１０-6／℃、炭化珪素質焼結体
の熱膨張係数は約３×１０-6／℃）とは約１０×１０-6
／℃以上相異すること、及び放熱体はその一面全面が絶
縁基体の下面に広く接合されるようになっていること等
から、絶縁基体の下面に放熱体を銀ロウ等のロウ材を介
して接合させる際、絶縁基体と放熱体との間に両者の熱
膨張係数の相異に起因する大きな熱応力が生じるととも
に、該熱応力によって絶縁基体に割れやクラックが発生
してしまい、その結果、容器の気密封止が破れ、容器内
部に収容する半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安
定に作動させることができないという欠点を有してい
た。
来の半導体素子収納用パッケージでは、放熱体が銅で形
成されており、該銅はその熱膨張係数が１７×１０-6／
℃で絶縁基体を構成する酸化アルミニウム質焼結体やム
ライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素
質焼結体等の熱膨張係数（酸化アルミニウム質焼結体の
熱膨張係数は約７×１０-6／℃、ムライト質焼結体の熱
膨張係数は約４×１０-6／℃、窒化アルミニウム質焼結
体の熱膨張係数は約４×１０-6／℃、炭化珪素質焼結体
の熱膨張係数は約３×１０-6／℃）とは約１０×１０-6
／℃以上相異すること、及び放熱体はその一面全面が絶
縁基体の下面に広く接合されるようになっていること等
から、絶縁基体の下面に放熱体を銀ロウ等のロウ材を介
して接合させる際、絶縁基体と放熱体との間に両者の熱
膨張係数の相異に起因する大きな熱応力が生じるととも
に、該熱応力によって絶縁基体に割れやクラックが発生
してしまい、その結果、容器の気密封止が破れ、容器内
部に収容する半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安
定に作動させることができないという欠点を有してい
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面に半導体
素子が載置される載置部を有し、下面に放熱体がロウ材
を介して接合されている絶縁基体と、蓋体とから成り、
内部に半導体素子を収容するための空所を有する半導体
素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体と放熱体
の熱膨張差が１０×１０-6／℃以上であり、且つ絶縁基
体と放熱体とが、半導体素子の載置される載置部と対向
する領域の外側に枠状の非接合領域を設けて接合されて
いることを特徴とするものである。
素子が載置される載置部を有し、下面に放熱体がロウ材
を介して接合されている絶縁基体と、蓋体とから成り、
内部に半導体素子を収容するための空所を有する半導体
素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体と放熱体
の熱膨張差が１０×１０-6／℃以上であり、且つ絶縁基
体と放熱体とが、半導体素子の載置される載置部と対向
する領域の外側に枠状の非接合領域を設けて接合されて
いることを特徴とするものである。
【０００８】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
れば、絶縁基体と放熱体とを、半導体素子の載置される
載置部と対向する領域の外側に枠状の非接合領域を設け
て接合させたことから、絶縁基体と放熱体の熱膨張差が
１０×１０-6／℃以上あり、絶縁基体と放熱体とを接合
させる際に両者間に大きな熱応力が生じたとしてもその
熱応力は非接合領域で吸収分散されて小さくなり、その
結果、絶縁基体に割れやクラックが発生することは殆ど
なく、これによって容器の気密封止を完全となすことが
できる。
れば、絶縁基体と放熱体とを、半導体素子の載置される
載置部と対向する領域の外側に枠状の非接合領域を設け
て接合させたことから、絶縁基体と放熱体の熱膨張差が
１０×１０-6／℃以上あり、絶縁基体と放熱体とを接合
させる際に両者間に大きな熱応力が生じたとしてもその
熱応力は非接合領域で吸収分散されて小さくなり、その
結果、絶縁基体に割れやクラックが発生することは殆ど
なく、これによって容器の気密封止を完全となすことが
できる。
【０００９】また前記非接合領域は半導体素子の載置さ
れる載置部と対向する領域の外側に形成されており、半
導体素子が載置される載置部と対向する領域には放熱体
が完全に接合していることから、半導体素子の作動時に
発する熱は絶縁基体を介して放熱体に良好に伝達吸収さ
れ、その結果、半導体素子を常に適温として安定、且つ
正常に作動させることもできる。
れる載置部と対向する領域の外側に形成されており、半
導体素子が載置される載置部と対向する領域には放熱体
が完全に接合していることから、半導体素子の作動時に
発する熱は絶縁基体を介して放熱体に良好に伝達吸収さ
れ、その結果、半導体素子を常に適温として安定、且つ
正常に作動させることもできる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１１】図１は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収容する絶
縁容器４が構成される。
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収容する絶
縁容器４が構成される。
【００１２】前記絶縁基体１はその上面に半導体素子３
が載置収容される凹状の載置部１ａを有しており、該載
置部１ａ上には半導体素子３が載置され、ガラス、樹
脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定される。
が載置収容される凹状の載置部１ａを有しており、該載
置部１ａ上には半導体素子３が載置され、ガラス、樹
脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定される。
【００１３】前記絶縁基体１は酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸
化アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミ
ニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム
等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混
合して泥漿物を作るとともに、該泥漿物をドクターブレ
ード法やカレンダーロール法を採用することによってセ
ラミックグリーンシート（セラミック生シート）と成
し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な
打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約１
６００℃の温度で焼成することによって製作される。
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸
化アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミ
ニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム
等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混
合して泥漿物を作るとともに、該泥漿物をドクターブレ
ード法やカレンダーロール法を採用することによってセ
ラミックグリーンシート（セラミック生シート）と成
し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な
打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約１
６００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００１４】また前記絶縁基体１は凹状の載置部１ａ周
辺から外周縁にかけて複数個のメタライズ配線層５が被
着形成されており、該メタライズ配線層５の載置部１ａ
周辺部には半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ
６を介して電気的に接続され、また絶縁基体１の上面外
周縁に導出された部位には外部電気回路と接続される外
部リード端子７が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取
着されている。
辺から外周縁にかけて複数個のメタライズ配線層５が被
着形成されており、該メタライズ配線層５の載置部１ａ
周辺部には半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ
６を介して電気的に接続され、また絶縁基体１の上面外
周縁に導出された部位には外部電気回路と接続される外
部リード端子７が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取
着されている。
【００１５】前記メタライズ配線層５は半導体素子３の
各電極を外部電気回路に接続する際の導電路として作用
し、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末により形成されている。
各電極を外部電気回路に接続する際の導電路として作用
し、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末により形成されている。
【００１６】尚、前記メタライズ配線層５はタングステ
ン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な
有機バインダー、溶剤等を添加混合して得た金属ペース
トを絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め
従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷
塗布しておくことによって絶縁基体１の凹状の載置部１
ａ周辺から外周縁にかけて被着形成される。
ン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な
有機バインダー、溶剤等を添加混合して得た金属ペース
トを絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め
従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷
塗布しておくことによって絶縁基体１の凹状の載置部１
ａ周辺から外周縁にかけて被着形成される。
【００１７】また前記メタライズ配線層５はその露出す
る表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材と
の濡れ性に優れる金属を１．０μｍ〜２０μｍの厚みに
メッキ法により層着させておくと、メタライズ配線層５
の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメタ
ライズ配線層５への外部リード端子７のロウ付けを強固
となすことができる。従って、前記メタライズ配線層５
は、その露出する表面にニッケル、金等の耐蝕性に優
れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属を１．０μｍ〜
２０μｍの厚みに層着しておくことが好ましい。
る表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材と
の濡れ性に優れる金属を１．０μｍ〜２０μｍの厚みに
メッキ法により層着させておくと、メタライズ配線層５
の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメタ
ライズ配線層５への外部リード端子７のロウ付けを強固
となすことができる。従って、前記メタライズ配線層５
は、その露出する表面にニッケル、金等の耐蝕性に優
れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属を１．０μｍ〜
２０μｍの厚みに層着しておくことが好ましい。
【００１８】更に前記メタライズ配線層５には外部リー
ド端子７が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着され
ており、該外部リード端子７は容器４内部に収容する半
導体素子３の各電極を外部電気回路に電気的に接続する
作用を為し、外部リード端子７を外部電気回路に接続す
ることによって容器４内部に収容される半導体素子３は
メタライズ配線層５及び外部リード端子７を介して外部
電気回路に接続されることとなる。
ド端子７が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着され
ており、該外部リード端子７は容器４内部に収容する半
導体素子３の各電極を外部電気回路に電気的に接続する
作用を為し、外部リード端子７を外部電気回路に接続す
ることによって容器４内部に収容される半導体素子３は
メタライズ配線層５及び外部リード端子７を介して外部
電気回路に接続されることとなる。
【００１９】前記外部リード端子７は鉄−ニッケル−コ
バルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る
インゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従
来周知の金属加工法を採用することによって所定の形状
に形成される。
バルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る
インゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従
来周知の金属加工法を採用することによって所定の形状
に形成される。
【００２０】更に前記外部リード端子７が取着された絶
縁基体１はまたその下面にメタライズ金属層８が被着さ
れており、該メタライズ金属層８に放熱体９が銀ロウ等
のロウ材１０を介して取着されている。
縁基体１はまたその下面にメタライズ金属層８が被着さ
れており、該メタライズ金属層８に放熱体９が銀ロウ等
のロウ材１０を介して取着されている。
【００２１】前記メタライズ金属層８は放熱体９を絶縁
基体１に取着するための下地金属層として作用し、タン
グステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成り、前
述のメタライズ配線層５と同様の方法によって絶縁基体
１の下面に被着される。
基体１に取着するための下地金属層として作用し、タン
グステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成り、前
述のメタライズ配線層５と同様の方法によって絶縁基体
１の下面に被着される。
【００２２】また前記メタライズ金属層８にロウ材１０
を介して取着される放熱体９は半導体素子３が作動時に
発する熱を吸収するとともに大気中に放散させる作用を
為し、銅やアルミニウム等の金属材料によって形成され
ている。
を介して取着される放熱体９は半導体素子３が作動時に
発する熱を吸収するとともに大気中に放散させる作用を
為し、銅やアルミニウム等の金属材料によって形成され
ている。
【００２３】前記放熱体９は例えば、無酸素銅等の銅で
形成されている場合、該銅の熱伝導率が約４００Ｗ／ｍ
Ｋと高く、熱を伝導し易いため、半導体素子３が作動時
に発する熱は絶縁基体１を介して放熱体９に良好に吸収
されるとともに大気中に効率良く放散され、その結果、
半導体素子３は常に適温となって、長期間にわたり正
常、且つ安定に作動することが可能となる。
形成されている場合、該銅の熱伝導率が約４００Ｗ／ｍ
Ｋと高く、熱を伝導し易いため、半導体素子３が作動時
に発する熱は絶縁基体１を介して放熱体９に良好に吸収
されるとともに大気中に効率良く放散され、その結果、
半導体素子３は常に適温となって、長期間にわたり正
常、且つ安定に作動することが可能となる。
【００２４】尚、前記放熱体９は、例えば、銅等の金属
材料から成るインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き
加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所
定の板状に形成される。
材料から成るインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き
加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所
定の板状に形成される。
【００２５】また前記放熱体９の絶縁基体１の下面への
取着は、絶縁基体１下面のメタライズ金属層８上に銀ロ
ウ粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得たロウ材ペー
ストを印刷塗布する、或いは板状の銀ロウ等のロウ材を
配置させるとともにその上に放熱体９を載置させ、しか
る後、これを還元雰囲気中、約８５０℃の温度に加熱
し、ロウ材ペースト中のロウ材や板状のロウ材をを溶融
させることによって行われる。
取着は、絶縁基体１下面のメタライズ金属層８上に銀ロ
ウ粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得たロウ材ペー
ストを印刷塗布する、或いは板状の銀ロウ等のロウ材を
配置させるとともにその上に放熱体９を載置させ、しか
る後、これを還元雰囲気中、約８５０℃の温度に加熱
し、ロウ材ペースト中のロウ材や板状のロウ材をを溶融
させることによって行われる。
【００２６】更に前記絶縁基体１下面への放熱体９のロ
ウ材１０を介しての取着において、半導体素子３の載置
される載置部１ａと対向する領域の外側に枠状の非接合
領域１０ａが設けてあり、該非接合領域１０ａによっ
て、絶縁基体１が酸化アルミニウム質焼結体、ムライト
質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結
体等で、放熱体９が銅等から成り、絶縁基体１と放熱体
９の熱膨張差が１０×１０-6／℃以上で、絶縁基体１と
放熱体９とを接合させる際に両者間に大きな熱応力が生
じたとしてもその熱応力は非接合領域１０ａで吸収分散
されて小さくなり、その結果、絶縁基体１に割れやクラ
ックが発生することは殆どなく、これによって容器の気
密封止を完全となすことができる。
ウ材１０を介しての取着において、半導体素子３の載置
される載置部１ａと対向する領域の外側に枠状の非接合
領域１０ａが設けてあり、該非接合領域１０ａによっ
て、絶縁基体１が酸化アルミニウム質焼結体、ムライト
質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結
体等で、放熱体９が銅等から成り、絶縁基体１と放熱体
９の熱膨張差が１０×１０-6／℃以上で、絶縁基体１と
放熱体９とを接合させる際に両者間に大きな熱応力が生
じたとしてもその熱応力は非接合領域１０ａで吸収分散
されて小さくなり、その結果、絶縁基体１に割れやクラ
ックが発生することは殆どなく、これによって容器の気
密封止を完全となすことができる。
【００２７】前記非接合領域１０ａはまた半導体素子３
の載置される載置部１ａと対向する領域の外側に形成さ
れていることから、絶縁基体１下面の半導体素子３が載
置される載置部１ａと対向する領域が放熱体９にロウ材
１０を介して完全に接合し、その結果、半導体素子３の
作動時に発する熱は絶縁基体１を介して放熱体９に良好
に伝達吸収され、半導体素子３を常に適温として安定、
且つ正常に作動させることもできる。
の載置される載置部１ａと対向する領域の外側に形成さ
れていることから、絶縁基体１下面の半導体素子３が載
置される載置部１ａと対向する領域が放熱体９にロウ材
１０を介して完全に接合し、その結果、半導体素子３の
作動時に発する熱は絶縁基体１を介して放熱体９に良好
に伝達吸収され、半導体素子３を常に適温として安定、
且つ正常に作動させることもできる。
【００２８】尚、前記絶縁基体１下面と放熱体９との間
に形成される非接合領域１０ａは、絶縁基体１の下面に
予め被着形成されているメタライズ金属層８の半導体素
子３の載置される載置部１ａと対向する領域の外側に枠
状の切欠部を設けておくことによって所定位置に形成さ
れる。
に形成される非接合領域１０ａは、絶縁基体１の下面に
予め被着形成されているメタライズ金属層８の半導体素
子３の載置される載置部１ａと対向する領域の外側に枠
状の切欠部を設けておくことによって所定位置に形成さ
れる。
【００２９】また前記枠状の非接合領域１０ａはその面
積が絶縁基体１下面と放熱体９上面との全対向面積に対
して１０％未満であると、絶縁基体１と放熱体９との熱
膨張係数の相異に起因して発生する熱応力を非接合領域
１０ａで完全に吸収するのが困難となり、また５０％を
超えると絶縁基体１を介して放熱体９に半導体素子３の
発する熱を効率良く伝達吸収させることが困難となる。
従って、前記枠状の非接合領域１０ａはその面積が絶縁
基体１下面と放熱体９上面との全対向面積に対して１０
％〜５０％の範囲としておくことが好ましい。
積が絶縁基体１下面と放熱体９上面との全対向面積に対
して１０％未満であると、絶縁基体１と放熱体９との熱
膨張係数の相異に起因して発生する熱応力を非接合領域
１０ａで完全に吸収するのが困難となり、また５０％を
超えると絶縁基体１を介して放熱体９に半導体素子３の
発する熱を効率良く伝達吸収させることが困難となる。
従って、前記枠状の非接合領域１０ａはその面積が絶縁
基体１下面と放熱体９上面との全対向面積に対して１０
％〜５０％の範囲としておくことが好ましい。
【００３０】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３
をガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着剤を介して載置
固定するとともに該半導体素子３の各電極をボンディン
グワイヤ６を介して所定のメタライズ配線層５に接続さ
せ、しかる後、前記絶縁基体１の上面に蓋体２をガラ
ス、樹脂、ロウ材等から成る封止材を介して接合させ、
絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４内部に半導体素子
３を気密に収容することによって製品としての半導体装
置となる。
ジによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３
をガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着剤を介して載置
固定するとともに該半導体素子３の各電極をボンディン
グワイヤ６を介して所定のメタライズ配線層５に接続さ
せ、しかる後、前記絶縁基体１の上面に蓋体２をガラ
ス、樹脂、ロウ材等から成る封止材を介して接合させ、
絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４内部に半導体素子
３を気密に収容することによって製品としての半導体装
置となる。
【００３１】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
【００３２】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、絶縁基体と放熱体とを、半導体素子の載置され
る載置部と対向する領域の外側に枠状の非接合領域を設
けて接合させたことから、絶縁基体と放熱体の熱膨張差
が１０×１０-6／℃以上あり、絶縁基体と放熱体とを接
合させる際に両者間に大きな熱応力が生じたとしてもそ
の熱応力は非接合領域で吸収分散されて小さくなり、そ
の結果、絶縁基体に割れやクラックが発生することは殆
どなく、これによって容器の気密封止を完全となすこと
ができる。
よれば、絶縁基体と放熱体とを、半導体素子の載置され
る載置部と対向する領域の外側に枠状の非接合領域を設
けて接合させたことから、絶縁基体と放熱体の熱膨張差
が１０×１０-6／℃以上あり、絶縁基体と放熱体とを接
合させる際に両者間に大きな熱応力が生じたとしてもそ
の熱応力は非接合領域で吸収分散されて小さくなり、そ
の結果、絶縁基体に割れやクラックが発生することは殆
どなく、これによって容器の気密封止を完全となすこと
ができる。
【００３３】また前記非接合領域は半導体素子の載置さ
れる載置部と対向する領域の外側に形成されており、半
導体素子が載置される載置部と対向する領域には放熱体
が完全に接合していることから、半導体素子の作動時に
発する熱は絶縁基体を介して放熱体に良好に伝達吸収さ
れ、その結果、半導体素子を常に適温として安定、且つ
正常に作動させることもできる。
れる載置部と対向する領域の外側に形成されており、半
導体素子が載置される載置部と対向する領域には放熱体
が完全に接合していることから、半導体素子の作動時に
発する熱は絶縁基体を介して放熱体に良好に伝達吸収さ
れ、その結果、半導体素子を常に適温として安定、且つ
正常に作動させることもできる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１・・・・・・・・絶縁基体 １ａ・・・・・・・半導体素子載置部 ２・・・・・・・・蓋体 ３・・・・・・・・半導体素子 ４・・・・・・・・絶縁容器 ５・・・・・・・・メタライズ配線層 ７・・・・・・・・外部リード端子 ８・・・・・・・・メタライズ金属層 ９・・・・・・・・放熱体 １０・・・・・・・ロウ材 １０ａ・・・・・・非接合領域
Claims (2)
- 【請求項１】上面に半導体素子が載置される載置部を有
し、下面に放熱体がロウ材を介して接合されている絶縁
基体と、蓋体とから成り、内部に半導体素子を収容する
ための空所を有する半導体素子収納用パッケージであっ
て、前記絶縁基体と放熱体の熱膨張差が１０×１０-6／
℃以上であり、且つ絶縁基体と放熱体とが、半導体素子
の載置される載置部と対向する領域の外側に枠状の非接
合領域を設けて接合されていることを特徴とする半導体
素子収納用パッケージ。 - 【請求項２】前記枠状の非接合領域の面積が絶縁基体と
放熱体の全対向面積に対し１０乃至５０％の面積である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子収納用パ
ッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31902795A JPH09162341A (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31902795A JPH09162341A (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162341A true JPH09162341A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18105699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31902795A Pending JPH09162341A (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162341A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006324392A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板，発光素子収納用パッケージ，発光装置および照明装置 |
| JP2011040714A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Everlight Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
-
1995
- 1995-12-07 JP JP31902795A patent/JPH09162341A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006324392A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板，発光素子収納用パッケージ，発光装置および照明装置 |
| JP2011040714A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Everlight Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
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