JPH09164366A - 異種成分基板表面に均質な層を塗布するための方法 - Google Patents
異種成分基板表面に均質な層を塗布するための方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、金属の層を塗布するための方法、
より詳細には、材料の均質な層を異種成分基板の表面に
塗布するための方法に関する。 【解決手段】 本発明は、出願人の、加熱された異種成
分基板上に堆積される膜の不均質性は、大きなエリアの
金属構造をパターン化することによって大幅に低減でき
るという発見に基づく。より詳細には、約２mm2 以上の
エリアを持つ金属構造がその金属が金属の端から１ｍｍ
以内に来るようにパターン化される。こうして、例え
ば、ガラス基板上の通常はパターンを持たないクロム結
合パッドが、１ｍｍのクロムラインから成るパターン化
された開かれた格子として適当に製造される。このよう
なパターンを持つ場合、その後堆積される窒化ケイ素の
層は、エッチング速度の一様性が改善されるのを含め
て、大きなエリアを通じて、均質性が改善される。
より詳細には、材料の均質な層を異種成分基板の表面に
塗布するための方法に関する。 【解決手段】 本発明は、出願人の、加熱された異種成
分基板上に堆積される膜の不均質性は、大きなエリアの
金属構造をパターン化することによって大幅に低減でき
るという発見に基づく。より詳細には、約２mm2 以上の
エリアを持つ金属構造がその金属が金属の端から１ｍｍ
以内に来るようにパターン化される。こうして、例え
ば、ガラス基板上の通常はパターンを持たないクロム結
合パッドが、１ｍｍのクロムラインから成るパターン化
された開かれた格子として適当に製造される。このよう
なパターンを持つ場合、その後堆積される窒化ケイ素の
層は、エッチング速度の一様性が改善されるのを含め
て、大きなエリアを通じて、均質性が改善される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属の層を塗布するた
めの方法、より詳細には、材料の均質な層を異種成分基
板の表面に塗布するための方法に関する。
めの方法、より詳細には、材料の均質な層を異種成分基
板の表面に塗布するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】材料の薄い膜の塗布は、様々な商業プロ
セスにおいて有益である。例えば、窒化ケイ素の薄い層
の塗布が、集積回路の製造において、高品質誘電体の薄
い従順な層を提供するために使用される。このような用
途においては、窒化物が、典型的には、異種成分基板
（heterogeneous substrates）、例えば、シリコン上に
パターン化された金属上に塗布される。このような用途
における最も大きな金属要素は、典型的には、数十平方
ミクロンを超えないエリアを持つ。
セスにおいて有益である。例えば、窒化ケイ素の薄い層
の塗布が、集積回路の製造において、高品質誘電体の薄
い従順な層を提供するために使用される。このような用
途においては、窒化物が、典型的には、異種成分基板
（heterogeneous substrates）、例えば、シリコン上に
パターン化された金属上に塗布される。このような用途
における最も大きな金属要素は、典型的には、数十平方
ミクロンを超えないエリアを持つ。
【０００３】より最近では、平坦なパネルディスプレイ
の製造において、窒化ケイ素の層が大きなエリアの異種
成分基板、例えば、ガラス上にパターン化されたクロム
上に塗布される。この用途においては、平方ミリメート
ルあるいはそれ以上のエリアを持つパターン化された金
属要素が要望されるが、ただし、これら異種成分の表面
上に堆積される窒化ケイ素の膜は、多くの点で均質でな
い。例えば、堆積された窒化ケイ素のエッチング速度
は、位置によって大幅に変動し、ディスプレイの設計お
よび製造を、困難で、かつ、高価なものにする。他の薄
膜、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯx ）およびアモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の塗布においても、それら
が低圧環境内で加熱された異種成分基板上に堆積された
場合、類似の不均質性が観察される。
の製造において、窒化ケイ素の層が大きなエリアの異種
成分基板、例えば、ガラス上にパターン化されたクロム
上に塗布される。この用途においては、平方ミリメート
ルあるいはそれ以上のエリアを持つパターン化された金
属要素が要望されるが、ただし、これら異種成分の表面
上に堆積される窒化ケイ素の膜は、多くの点で均質でな
い。例えば、堆積された窒化ケイ素のエッチング速度
は、位置によって大幅に変動し、ディスプレイの設計お
よび製造を、困難で、かつ、高価なものにする。他の薄
膜、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯx ）およびアモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の塗布においても、それら
が低圧環境内で加熱された異種成分基板上に堆積された
場合、類似の不均質性が観察される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、異種成分基板
上に均質な層を塗布するための改善された方法に対する
需要が存在する。
上に均質な層を塗布するための改善された方法に対する
需要が存在する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、出願人の、加
熱された異種成分基板上に堆積される膜の不均質性は、
大きなエリアの金属構造をパターン化することによって
大幅に低減できるという発見に基づく。より詳細には、
約２mm2 以上のエリアを持つ金属構造がその金属が金属
の端から１ｍｍ以内に来るようにパターン化される。こ
うして、例えば、ガラス基板上の通常はパターンを持た
ないクロム結合パッドが、１ｍｍのクロムラインから成
るパターン化された開かれた格子として適当に製造され
る。このようなパターンを持つ場合、その後堆積される
窒化ケイ素の層は、エッチング速度の一様性が改善され
るのを含めて、大きなエリアを通じて、均質性が改善さ
れる。
熱された異種成分基板上に堆積される膜の不均質性は、
大きなエリアの金属構造をパターン化することによって
大幅に低減できるという発見に基づく。より詳細には、
約２mm2 以上のエリアを持つ金属構造がその金属が金属
の端から１ｍｍ以内に来るようにパターン化される。こ
うして、例えば、ガラス基板上の通常はパターンを持た
ないクロム結合パッドが、１ｍｍのクロムラインから成
るパターン化された開かれた格子として適当に製造され
る。このようなパターンを持つ場合、その後堆積される
窒化ケイ素の層は、エッチング速度の一様性が改善され
るのを含めて、大きなエリアを通じて、均質性が改善さ
れる。
【０００６】
【実施例】図面の説明に入るが、図１は、塗布される層
の均質性を向上させるための好ましいプロセスのステッ
プを示す流れ図である。図１のブロックＡに示されるよ
うに、第一のステップは、基板を提供することから成
る。さまざまな広範囲の絶縁および半導体基板を使用す
ることができるが、平坦なパネルディスプレイを製造す
るためのこの一例の用途においては、好ましい基板とし
ては、Corning 7059などのガラスが使用される。
の均質性を向上させるための好ましいプロセスのステッ
プを示す流れ図である。図１のブロックＡに示されるよ
うに、第一のステップは、基板を提供することから成
る。さまざまな広範囲の絶縁および半導体基板を使用す
ることができるが、平坦なパネルディスプレイを製造す
るためのこの一例の用途においては、好ましい基板とし
ては、Corning 7059などのガラスが使用される。
【０００７】ブロックＢ内に示される次のステップは、
金属の層を基板の作業表面に塗布するステップから成
る。真空蒸着やスパッタリングなどを含む金属を塗布す
るのに適当なさまざまな広い範囲の技術が存在する。デ
ィスプレイの製造のためには、好ましい金属としては、
クロムが使用され、好ましい塗布プロセスとしては、ス
パッタリングが使用される。
金属の層を基板の作業表面に塗布するステップから成
る。真空蒸着やスパッタリングなどを含む金属を塗布す
るのに適当なさまざまな広い範囲の技術が存在する。デ
ィスプレイの製造のためには、好ましい金属としては、
クロムが使用され、好ましい塗布プロセスとしては、ス
パッタリングが使用される。
【０００８】ブロックＣは、第三のステップを示すが、
これは、メタルをパターン化することにより、小さなエ
リアのパターンから成る一つあるいはそれ以上の大きな
エリアのユニットを作製することから成る。より詳細に
は、こうしてパターン化された金属エリアの中には、表
面上に、約２mm2 を超える総エリアを持つ一つあるいは
複数のユニットが存在することが要求される。これら大
きなエリアのユニットは、金属のバルク（＞９０％）が
金属パターンの端から１mm以内に来るようにパターン化
されるべきである。
これは、メタルをパターン化することにより、小さなエ
リアのパターンから成る一つあるいはそれ以上の大きな
エリアのユニットを作製することから成る。より詳細に
は、こうしてパターン化された金属エリアの中には、表
面上に、約２mm2 を超える総エリアを持つ一つあるいは
複数のユニットが存在することが要求される。これら大
きなエリアのユニットは、金属のバルク（＞９０％）が
金属パターンの端から１mm以内に来るようにパターン化
されるべきである。
【０００９】このステップは、図２を参照することによ
ってより良く理解できるが、図２には、基板２０が示さ
れる。基板２０は、平坦な主表面を持ち、この主表面
は、複数の大きなエリアの金属ユニット（２mm2 以上の
エリア）、例えば、結合パッドコンタクト２３およびフ
レーム２４を含む。これら大きなエリアのユニットは、
おのおの、金属のバルクがパターンの端から１mm以内に
来るような内部パターンを持つ。
ってより良く理解できるが、図２には、基板２０が示さ
れる。基板２０は、平坦な主表面を持ち、この主表面
は、複数の大きなエリアの金属ユニット（２mm2 以上の
エリア）、例えば、結合パッドコンタクト２３およびフ
レーム２４を含む。これら大きなエリアのユニットは、
おのおの、金属のバルクがパターンの端から１mm以内に
来るような内部パターンを持つ。
【００１０】図３および図４の拡大図内に示されるよう
に、大きなエリアの金属ユニット２３、２４は、金属の
バルクが金属の端から１mm以内に来るように、約１mmの
幅の相互接続され交差されたストリップ２５に構成され
る。このパターン化は、従来のホトリソグラフィー、シ
ルクスクリーニングなどを含む様々なパターン化プロセ
スの任意の一つによって達成することができる。
に、大きなエリアの金属ユニット２３、２４は、金属の
バルクが金属の端から１mm以内に来るように、約１mmの
幅の相互接続され交差されたストリップ２５に構成され
る。このパターン化は、従来のホトリソグラフィー、シ
ルクスクリーニングなどを含む様々なパターン化プロセ
スの任意の一つによって達成することができる。
【００１１】ブロックＤ内に示される次のステップは、
誘電材料の層、例えば、窒化ケイ素を、パターン化され
た大きなエリアの金属ユニットを通じて、作業表面上に
塗布するステップから成る。誘電材料は、低圧環境内で
基板を加熱するステップを含む様々な周知のプロセスの
任意の一つによって塗布することができる。ディスプレ
イ用途に対しては、誘電材料は、好ましくは、窒化ケイ
素とされ、これは、好ましくは、プラズマ強化化学蒸着
（ＰＥＣＶＤ）によって塗布される。典型的な厚さは、
２０００−５０００ｎｍの範囲とされる。
誘電材料の層、例えば、窒化ケイ素を、パターン化され
た大きなエリアの金属ユニットを通じて、作業表面上に
塗布するステップから成る。誘電材料は、低圧環境内で
基板を加熱するステップを含む様々な周知のプロセスの
任意の一つによって塗布することができる。ディスプレ
イ用途に対しては、誘電材料は、好ましくは、窒化ケイ
素とされ、これは、好ましくは、プラズマ強化化学蒸着
（ＰＥＣＶＤ）によって塗布される。典型的な厚さは、
２０００−５０００ｎｍの範囲とされる。
【００１２】第五のステップは、塗布された誘電材料の
層をパターン化することから成る。これは、典型的に
は、誘電層をホトレジストにてマスクし、マスクされて
ない部分をエッチングにて除去することから成る。窒化
ケイ素に対しては、フッ化水素酸（ＢＨＦ）が好ましい
エッチング剤として用いられる。図１の長所が明らかに
なるのはこのステップにおいてである。従来の金属パタ
ーン化の場合は、エッチング速度が、ガラスが露出する
基板表面の領域と、大きなパターン化を持たないエリア
から成る金属ユニットの内側領域との間で幅広く変動
し、このために、エッチングプロセスの設計および制御
が困難となる。これとは対照的に、図３および図４のパ
ターン化においては、エッチング速度は、表面を横断し
て実質的に一様であり、設計および制御が簡単になる。
図２の特定の実施例においては、結合パッドコンタクト
２３上の窒化物が除去され、フレーム２４上の窒化物は
残される。
層をパターン化することから成る。これは、典型的に
は、誘電層をホトレジストにてマスクし、マスクされて
ない部分をエッチングにて除去することから成る。窒化
ケイ素に対しては、フッ化水素酸（ＢＨＦ）が好ましい
エッチング剤として用いられる。図１の長所が明らかに
なるのはこのステップにおいてである。従来の金属パタ
ーン化の場合は、エッチング速度が、ガラスが露出する
基板表面の領域と、大きなパターン化を持たないエリア
から成る金属ユニットの内側領域との間で幅広く変動
し、このために、エッチングプロセスの設計および制御
が困難となる。これとは対照的に、図３および図４のパ
ターン化においては、エッチング速度は、表面を横断し
て実質的に一様であり、設計および制御が簡単になる。
図２の特定の実施例においては、結合パッドコンタクト
２３上の窒化物が除去され、フレーム２４上の窒化物は
残される。
【００１３】エッチングの不均一性の問題、および均一
性の向上の程度は、以下の特定の例を考察することによ
ってより良く理解できるものである。 例１ パターン化を持たない大きなエリアの金属ユニッ
ト クロム金属（１００ｎｍ）が、Corning 7059ガラス基板
（３２０×４００×１．１mm）上に、Leybold ZV6000イ
ンラインツールを使用して、スパッター堆積された。Ｔ
ＥＬアメリカンクラスタツールを使用して、３００ｎｍ
のＳｉＮ：Ｈが、０．７５torrのＳｉＨ4 （２００scc
m）、ＮＨ3 （２４００sccm）、およびＮ2 （２４００s
ccm）を通じて７００Ｗのプラズマをランすることによ
って堆積された。基板がその上に固定される電極の温度
は、３３０℃に維持された。
性の向上の程度は、以下の特定の例を考察することによ
ってより良く理解できるものである。 例１ パターン化を持たない大きなエリアの金属ユニッ
ト クロム金属（１００ｎｍ）が、Corning 7059ガラス基板
（３２０×４００×１．１mm）上に、Leybold ZV6000イ
ンラインツールを使用して、スパッター堆積された。Ｔ
ＥＬアメリカンクラスタツールを使用して、３００ｎｍ
のＳｉＮ：Ｈが、０．７５torrのＳｉＨ4 （２００scc
m）、ＮＨ3 （２４００sccm）、およびＮ2 （２４００s
ccm）を通じて７００Ｗのプラズマをランすることによ
って堆積された。基板がその上に固定される電極の温度
は、３３０℃に維持された。
【００１４】堆積の後に、ホトレジストが塗布され、ス
タイラスプロフィロメータ（DektakFPD 450）を使用し
てエッチング深さが測定できるように、ラインと空間の
格子が窒化物内にパターン化された。プレートをＢＨＦ
のタブ内に約５分間浸けることによってエッチングが遂
行された。エッチングは攪拌には左右されず、エッチン
グは表面速度によってのみ制限され、輸送によっては制
限されないことが示された。図５は、ガラスの水平（ｘ
−軸）方向に沿っての関数として測定されたエッチング
速度を示す。より詳細には、図５は、それぞれ、パター
ン化されてないガラスから成る下側基板、半分のアース
されたクロムとハーフガラスから成る基板、および半分
のフローティングクロムと半分のガラスから成る基板上
にプラズマ強化化学蒸着されたａ−ＳｉＮ：Ｈに対する
ＢＨＦエッチング速度を示す。パターン化されてないガ
ラス表面の場合は、ガラスの両端に向ってのＢＨＦエッ
チング速度の系統的な増加が見られる。この大きなスケ
ールの不均一性は、ガラス両端上に使用されたアースさ
れた非加熱の固定具によって生成されるプラズマの不均
一性に起因する。
タイラスプロフィロメータ（DektakFPD 450）を使用し
てエッチング深さが測定できるように、ラインと空間の
格子が窒化物内にパターン化された。プレートをＢＨＦ
のタブ内に約５分間浸けることによってエッチングが遂
行された。エッチングは攪拌には左右されず、エッチン
グは表面速度によってのみ制限され、輸送によっては制
限されないことが示された。図５は、ガラスの水平（ｘ
−軸）方向に沿っての関数として測定されたエッチング
速度を示す。より詳細には、図５は、それぞれ、パター
ン化されてないガラスから成る下側基板、半分のアース
されたクロムとハーフガラスから成る基板、および半分
のフローティングクロムと半分のガラスから成る基板上
にプラズマ強化化学蒸着されたａ−ＳｉＮ：Ｈに対する
ＢＨＦエッチング速度を示す。パターン化されてないガ
ラス表面の場合は、ガラスの両端に向ってのＢＨＦエッ
チング速度の系統的な増加が見られる。この大きなスケ
ールの不均一性は、ガラス両端上に使用されたアースさ
れた非加熱の固定具によって生成されるプラズマの不均
一性に起因する。
【００１５】例２ パターン化された大きなエリアの金
属ユニット 同じように製造された基板のセット内に、大きなエリア
のクロム領域が２から１０mmの範囲のライン／空間寸法
にてパターン化され、窒化物のエッチング速度が測定さ
れた。図６は位置（従って、ライン／空間の寸法）の関
数としてのエッチング速度をグラフにプロットしたもの
である。図からわかるように、ＢＨＦエッチング速度
は、ガラス上に堆積された膜に対して、およびガラスに
隣接するクロムに対して、一貫して、高い。ライン／空
間の寸法が２mmに縮められると、ＢＨＦエッチング速度
は、下側のパターンと関係がなくなる。
属ユニット 同じように製造された基板のセット内に、大きなエリア
のクロム領域が２から１０mmの範囲のライン／空間寸法
にてパターン化され、窒化物のエッチング速度が測定さ
れた。図６は位置（従って、ライン／空間の寸法）の関
数としてのエッチング速度をグラフにプロットしたもの
である。図からわかるように、ＢＨＦエッチング速度
は、ガラス上に堆積された膜に対して、およびガラスに
隣接するクロムに対して、一貫して、高い。ライン／空
間の寸法が２mmに縮められると、ＢＨＦエッチング速度
は、下側のパターンと関係がなくなる。
【００１６】本発明に対しては必要ではないが、出願人
は、パターン化されてない大きなエリアのクロムユニッ
ト上の窒化物膜を横断しての不均質性は、クロムとガラ
スとの間の温度差に起因するものと信じる。これら温度
差は、今度は、窒化膜内の不均質性の原因となる。これ
ら温度の効果は熱消散性の差に起因するために、窒化ケ
イ素以外の他の誘電体およびクロム以外の他の金属が使
用された場合も類似する効果が現われると考えられる。
は、パターン化されてない大きなエリアのクロムユニッ
ト上の窒化物膜を横断しての不均質性は、クロムとガラ
スとの間の温度差に起因するものと信じる。これら温度
差は、今度は、窒化膜内の不均質性の原因となる。これ
ら温度の効果は熱消散性の差に起因するために、窒化ケ
イ素以外の他の誘電体およびクロム以外の他の金属が使
用された場合も類似する効果が現われると考えられる。
【００１７】堆積された膜特性の、下側パターンへのこ
のような依存性は、平坦なパネルディスプレイに対する
ａ−ＳｉＮ：Ｈ膜のエッチングの際に、大きなエリアの
金属パッド上のコンタクトウインドウをきれいにするた
めにオーバーエッチングが必要となるために問題とな
る。隣接する金属ライン間の距離が、１−２ｍｍ以下で
ある場合は、生じる温度差は小さく、均一な窒化物コー
ティングを塗布することが可能である。
のような依存性は、平坦なパネルディスプレイに対する
ａ−ＳｉＮ：Ｈ膜のエッチングの際に、大きなエリアの
金属パッド上のコンタクトウインドウをきれいにするた
めにオーバーエッチングが必要となるために問題とな
る。隣接する金属ライン間の距離が、１−２ｍｍ以下で
ある場合は、生じる温度差は小さく、均一な窒化物コー
ティングを塗布することが可能である。
【００１８】本発明の好ましい実施例は、窒化ケイ素膜
の塗布に関するが、本発明の方法は、ＳｉＯx およびａ
−Ｓｉなどのような他の誘電材料の塗布に対しても同様
に適用するものである。本発明は、放射熱損失のメカニ
ズムの下で機能する堆積システム、つまり、異種成分基
板が低圧容器内で周囲の容器よりも高い温度に加熱さ
れ、容器内の圧力が数Torrよりも（約５torr）よりも低
くされるようなシステムにおいて使用するのに適する。
この背景下においては、異種成分基板は、その上にパタ
ーン化された材料の層（ここで、このパターンは、約２
mm2 以上の大きなエリアを持つ）を含む任意の異種成分
基板（ここで、この材料は、下側の均質な基板の材料と
異なる熱放射性を持つ）であり得る。
の塗布に関するが、本発明の方法は、ＳｉＯx およびａ
−Ｓｉなどのような他の誘電材料の塗布に対しても同様
に適用するものである。本発明は、放射熱損失のメカニ
ズムの下で機能する堆積システム、つまり、異種成分基
板が低圧容器内で周囲の容器よりも高い温度に加熱さ
れ、容器内の圧力が数Torrよりも（約５torr）よりも低
くされるようなシステムにおいて使用するのに適する。
この背景下においては、異種成分基板は、その上にパタ
ーン化された材料の層（ここで、このパターンは、約２
mm2 以上の大きなエリアを持つ）を含む任意の異種成分
基板（ここで、この材料は、下側の均質な基板の材料と
異なる熱放射性を持つ）であり得る。
【図１】塗布される窒化ケイ素の層の均質性を向上させ
るためのプロセスの流れを示す図である。
るためのプロセスの流れを示す図である。
【図２】図１のプロセスを使用して製造された平坦なパ
ネルディスプレイ用のパネルワークピースを示す図であ
る。
ネルディスプレイ用のパネルワークピースを示す図であ
る。
【図３】図２のパネルワークピースの部分の拡大図であ
る。
る。
【図４】図２のパネルワークピースの部分の拡大図であ
る。
る。
【図５】パターン化された大きなエリアの構造を持たな
い基板上に塗布された窒化ケイ素薄膜のエッチング速度
の変動を示すグラフである。
い基板上に塗布された窒化ケイ素薄膜のエッチング速度
の変動を示すグラフである。
【図６】金属ライン幅の減少と共に窒化ケイ素膜のエッ
チング速度の一様性が改善されることを示すグラフであ
る。
チング速度の一様性が改善されることを示すグラフであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 16/50 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ Ｈ０１Ｌ 21/31 21/90 Ｑ (72)発明者 ジェフレイ アラン グレガス アメリカ合衆国 18017 ペンシルヴァニ ア，ベスレヘム，フィフティーンス スト リート 2424 (72)発明者 ポー−エン ルー アメリカ合衆国 07945 ニュージャーシ ィ，メンダム，カライス ロード 33
Claims (8)
- 【請求項１】 誘電材料の層をパターン化された金属構
造を持つ基板上にコーティングするための方法であっ
て、この方法が：平坦な主表面を持つ基板を提供するス
テップ；前記の表面に金属のコーティングを塗布するス
テップ；および前記の金属コーティングを２mm2 を超え
るエリアを持つ一つあるいは複数の金属構造が形成され
るようにパターン化するステップを含み、このパターン
が前記の金属のバルクが金属の端から１mm以内に来るよ
うに構成され；この方法がさらに前記のパターン化され
た金属の上に誘電材料のコーティングを塗布するステッ
プを含むことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記の誘電層が約５Torr以下の圧力を持
つ低圧容器内で塗布され、前記の基板が前記の容器以上
の温度に加熱されることを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項３】 前記のパターンが一連の交差する金属ス
トリップに構成されることを特徴とする請求項１の方
法。 - 【請求項４】 前記の誘電材料のコーティングがプラズ
マ強化化学蒸着（PECVD） によって塗布されることを特
徴とする請求項１の方法。 - 【請求項５】 前記の基板がガラスであり、前記の誘電
材料が窒化ケイ素であり、前記の窒化ケイ素がＰＥＣＶ
Ｄによって塗布されることを特徴とする請求項１の方
法。 - 【請求項６】 前記の金属がクロムであることを特徴と
する請求項３の方法。 - 【請求項７】 前記の基板が絶縁材料から成ることを特
徴とする請求項１の方法。 - 【請求項８】 前記の金属がスパッタリングによって塗
布されることを特徴とする請求項１の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US53719895A | 1995-09-29 | 1995-09-29 | |
| US08/537198 | 1995-09-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09164366A true JPH09164366A (ja) | 1997-06-24 |
| JP3453032B2 JP3453032B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=24141635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25522596A Expired - Fee Related JP3453032B2 (ja) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | 異種成分基板表面に均質な層を塗布するための方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5976637A (ja) |
| EP (1) | EP0766304A2 (ja) |
| JP (1) | JP3453032B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7585704B2 (en) * | 2005-04-01 | 2009-09-08 | International Business Machines Corporation | Method of producing highly strained PECVD silicon nitride thin films at low temperature |
| TWI496916B (zh) * | 2010-12-27 | 2015-08-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 被覆件及其製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5346601A (en) * | 1993-05-11 | 1994-09-13 | Andrew Barada | Sputter coating collimator with integral reactive gas distribution |
| TW272310B (en) * | 1994-11-09 | 1996-03-11 | At & T Corp | Process for producing multi-level metallization in an integrated circuit |
-
1996
- 1996-09-17 EP EP96306731A patent/EP0766304A2/en not_active Withdrawn
- 1996-09-27 JP JP25522596A patent/JP3453032B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-06 US US08/746,184 patent/US5976637A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3453032B2 (ja) | 2003-10-06 |
| US5976637A (en) | 1999-11-02 |
| EP0766304A2 (en) | 1997-04-02 |
| EP0766304A3 (ja) | 1997-04-09 |
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