JPH09167319A - 交換結合型薄膜ｍｒヘッド - Google Patents
交換結合型薄膜ｍｒヘッドInfo
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- JPH09167319A JPH09167319A JP34690195A JP34690195A JPH09167319A JP H09167319 A JPH09167319 A JP H09167319A JP 34690195 A JP34690195 A JP 34690195A JP 34690195 A JP34690195 A JP 34690195A JP H09167319 A JPH09167319 A JP H09167319A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 浮上面における磁極のうねりを抑制し且つ導
電膜の電気抵抗も十分小さくできるようにする。 【解決手段】 下部シールド２０と上部シールド兼下部
磁極２２の間に位置するＭＲ素子１６を有する読出し部
の上に、上部シールド兼下部磁極と上部磁極２８とでギ
ャップ膜２６を挾むと共に内部に磁界発生用のコイル３
２を有する書込み部を積層する構造をなし、前記ＭＲ素
子の両側に交換結合バイアスを発生させる反強磁性膜１
８を形成し、その上に導電膜を形成した交換結合型薄膜
ＭＲヘッドである。導電膜は、Ｔａ／Ｗの下層１９ａと
Ｗ／Ｔａの上層１９ｂとの２層構造とし、下層は前記反
強磁性膜を覆いフロントギャップ側の前端が浮上面に露
出するように形成され、それに対して上層はそのフロン
トギャップ側の前端がエイペックスラインよりもバック
側に位置するように形成される。
電膜の電気抵抗も十分小さくできるようにする。 【解決手段】 下部シールド２０と上部シールド兼下部
磁極２２の間に位置するＭＲ素子１６を有する読出し部
の上に、上部シールド兼下部磁極と上部磁極２８とでギ
ャップ膜２６を挾むと共に内部に磁界発生用のコイル３
２を有する書込み部を積層する構造をなし、前記ＭＲ素
子の両側に交換結合バイアスを発生させる反強磁性膜１
８を形成し、その上に導電膜を形成した交換結合型薄膜
ＭＲヘッドである。導電膜は、Ｔａ／Ｗの下層１９ａと
Ｗ／Ｔａの上層１９ｂとの２層構造とし、下層は前記反
強磁性膜を覆いフロントギャップ側の前端が浮上面に露
出するように形成され、それに対して上層はそのフロン
トギャップ側の前端がエイペックスラインよりもバック
側に位置するように形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＲ素子の両側に
交換結合バイアスを発生させる反強磁性膜を形成し、そ
の上にＴａ／Ｗ／Ｔａの導電膜を形成する薄膜ＭＲヘッ
ドに関するものである。更に詳しく述べると本発明は、
前記導電膜を、Ｔａ／Ｗの下層とＷ／Ｔａの上層との２
層構造とし、上層のフロントギャップ側の前端がエイペ
ックスラインよりもバック側に位置するように形成する
ことで、スライダ加工後に浮上面に露出しないように
し、それによって読出しギャップのうねりを少なく、書
込み側の磁極のうねりも小さくして、ヘッド特性の劣化
を低減した交換結合型薄膜ＭＲヘッドに関するものであ
る。
交換結合バイアスを発生させる反強磁性膜を形成し、そ
の上にＴａ／Ｗ／Ｔａの導電膜を形成する薄膜ＭＲヘッ
ドに関するものである。更に詳しく述べると本発明は、
前記導電膜を、Ｔａ／Ｗの下層とＷ／Ｔａの上層との２
層構造とし、上層のフロントギャップ側の前端がエイペ
ックスラインよりもバック側に位置するように形成する
ことで、スライダ加工後に浮上面に露出しないように
し、それによって読出しギャップのうねりを少なく、書
込み側の磁極のうねりも小さくして、ヘッド特性の劣化
を低減した交換結合型薄膜ＭＲヘッドに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの一種にＭＲヘッドがあ
る。これは、磁界又は磁化により電気抵抗が変化するＭ
Ｒ効果（磁気抵抗効果）を情報の読出し（再生）に利用
するものであって、セラミックス基板上に、ＭＲ素子を
有する読出し部と磁界発生用のコイルを有する書込み部
を積み重ねた構成である。読出し部は下部シールドと上
部シールドの間にＭＲ素子がギャップを介して設けられ
ており、書込み部は下部磁極と上部磁極とでギャップ膜
を挾み、コイルに通電することで書込み用の磁界を発生
させる構成である。このようなＭＲヘッドには、読出し
部の上部シールドと書込み部の下部磁極とを分離層を介
して別々に設ける分離型と、読出し部の上部シールドと
書込み部の下部磁極とを兼用させる共有型とがある。そ
れらのうち共有型は、形成する層数が少なく、その分工
程が簡略化されることもあって、現在ではＭＲヘッドの
主流となっている。ところでＭＲヘッドでは、バルクハ
ウゼンノイズを抑制するため、バイアス磁界を印加して
磁区を制御することが行われており、その方法として、
反強磁性層による交換結合バイアス法とハード膜による
ハードバイアス法がある。
る。これは、磁界又は磁化により電気抵抗が変化するＭ
Ｒ効果（磁気抵抗効果）を情報の読出し（再生）に利用
するものであって、セラミックス基板上に、ＭＲ素子を
有する読出し部と磁界発生用のコイルを有する書込み部
を積み重ねた構成である。読出し部は下部シールドと上
部シールドの間にＭＲ素子がギャップを介して設けられ
ており、書込み部は下部磁極と上部磁極とでギャップ膜
を挾み、コイルに通電することで書込み用の磁界を発生
させる構成である。このようなＭＲヘッドには、読出し
部の上部シールドと書込み部の下部磁極とを分離層を介
して別々に設ける分離型と、読出し部の上部シールドと
書込み部の下部磁極とを兼用させる共有型とがある。そ
れらのうち共有型は、形成する層数が少なく、その分工
程が簡略化されることもあって、現在ではＭＲヘッドの
主流となっている。ところでＭＲヘッドでは、バルクハ
ウゼンノイズを抑制するため、バイアス磁界を印加して
磁区を制御することが行われており、その方法として、
反強磁性層による交換結合バイアス法とハード膜による
ハードバイアス法がある。
【０００３】共有型の交換結合型薄膜ＭＲヘッドの一例
を図４に示す。同図において、Ａは薄膜ＭＲヘッドの垂
直断面を示しており、Ｂは浮上面側から見た状態、Ｃは
成膜面より見た状態を表している。前述のように、セラ
ミックス基板１０上に読出し部１２を設け、その上に書
込み部１４を積み重ねるように設ける構造である。読出
し部１２は、ＭＲ素子１６を有し、その両側に反強磁性
膜１８と導電膜１９が重なるように設けられており、そ
れらが下部シールド２０と上部シールド兼下部磁極２２
との間に設けられ、間にギャップ層２４が介在する構成
である。書込み部１４は、前記上部シールド兼下部磁極
２２、書込み用のギャップ層２６、上部磁極２８を有
し、浮上面から奥まった位置で上部シールド兼下部磁極
２２と上部磁極２８との間に絶縁層３０で挾まれた単層
或いは複数層の磁界発生用のコイル３２を配置した構成
である。なお符号３４は読出し部側の引き出し線パッ
ド、符号３６は書込み側の引き出し線パッドを表してい
る。
を図４に示す。同図において、Ａは薄膜ＭＲヘッドの垂
直断面を示しており、Ｂは浮上面側から見た状態、Ｃは
成膜面より見た状態を表している。前述のように、セラ
ミックス基板１０上に読出し部１２を設け、その上に書
込み部１４を積み重ねるように設ける構造である。読出
し部１２は、ＭＲ素子１６を有し、その両側に反強磁性
膜１８と導電膜１９が重なるように設けられており、そ
れらが下部シールド２０と上部シールド兼下部磁極２２
との間に設けられ、間にギャップ層２４が介在する構成
である。書込み部１４は、前記上部シールド兼下部磁極
２２、書込み用のギャップ層２６、上部磁極２８を有
し、浮上面から奥まった位置で上部シールド兼下部磁極
２２と上部磁極２８との間に絶縁層３０で挾まれた単層
或いは複数層の磁界発生用のコイル３２を配置した構成
である。なお符号３４は読出し部側の引き出し線パッ
ド、符号３６は書込み側の引き出し線パッドを表してい
る。
【０００４】なお図４のＡに示すように、上部磁極２８
は、絶縁膜３０やコイル膜３２を覆う関係上、狭幅の磁
極先端部から広幅のヨーク部分へ傾斜部を経て盛り上が
るように成膜されている。この傾斜部の立ち上がり部
（絶縁膜の端縁）が、エイペックスApexと呼ばれている
箇所である。エイペックスから浮上面までの距離がギャ
ップデプスと呼ばれるヘッド特性上極めて重要な寸法で
あり、この寸法が適切な値となるようにスライダ加工
（切断・研磨加工）が行われる。
は、絶縁膜３０やコイル膜３２を覆う関係上、狭幅の磁
極先端部から広幅のヨーク部分へ傾斜部を経て盛り上が
るように成膜されている。この傾斜部の立ち上がり部
（絶縁膜の端縁）が、エイペックスApexと呼ばれている
箇所である。エイペックスから浮上面までの距離がギャ
ップデプスと呼ばれるヘッド特性上極めて重要な寸法で
あり、この寸法が適切な値となるようにスライダ加工
（切断・研磨加工）が行われる。
【０００５】ＭＲ素子、反強磁性膜及び導電膜の形状を
図５に拡大して示す。ｘ−ｘはスライダ加工ライン（こ
のラインまで研磨して浮上面を形成する）である。この
薄膜ＭＲヘッドの浮上面側から見た詳細を図６に示す。
ＭＲ素子１６は、例えばＳＡＬ（Soft Adjacent Layer
）と呼ばれる軟磁性膜とＴａ膜とＭＲ膜の積層構造で
ある。反強磁性膜１８は、ＢＣＳ（Boundary Controlle
d Stabilization ）バイアス層とも呼ばれ、ＭＲ膜の異
方性の容易軸方向に第１のバイアス磁界を印加して該Ｍ
Ｒ膜の磁区を制御し、バルクハウゼンノイズを制御する
ものである。またＳＡＬに流れる電流によってＭＲ膜の
困難軸方向に磁界を発生させ、それによる第２のバイア
ス磁界によってＭＲ膜の磁化方向を制御する。反強磁性
膜１８は、ＭＲ素子１６への引出し線を兼ねているが、
それだけでは不十分なため、その上に導電膜１９を連続
して積層する。導電膜１９は、Ｔａ／Ｗ／Ｔａからな
り、反強磁性膜１８と同一寸法形状でそれを覆うように
設けられる。その理由は、反強磁性膜として一般に用い
られている材料であるＦｅＭｎは腐食し易い性質を有す
ることから、Ｔａ／Ｗ／Ｔａを連続して成膜することで
腐食を防止するためである。
図５に拡大して示す。ｘ−ｘはスライダ加工ライン（こ
のラインまで研磨して浮上面を形成する）である。この
薄膜ＭＲヘッドの浮上面側から見た詳細を図６に示す。
ＭＲ素子１６は、例えばＳＡＬ（Soft Adjacent Layer
）と呼ばれる軟磁性膜とＴａ膜とＭＲ膜の積層構造で
ある。反強磁性膜１８は、ＢＣＳ（Boundary Controlle
d Stabilization ）バイアス層とも呼ばれ、ＭＲ膜の異
方性の容易軸方向に第１のバイアス磁界を印加して該Ｍ
Ｒ膜の磁区を制御し、バルクハウゼンノイズを制御する
ものである。またＳＡＬに流れる電流によってＭＲ膜の
困難軸方向に磁界を発生させ、それによる第２のバイア
ス磁界によってＭＲ膜の磁化方向を制御する。反強磁性
膜１８は、ＭＲ素子１６への引出し線を兼ねているが、
それだけでは不十分なため、その上に導電膜１９を連続
して積層する。導電膜１９は、Ｔａ／Ｗ／Ｔａからな
り、反強磁性膜１８と同一寸法形状でそれを覆うように
設けられる。その理由は、反強磁性膜として一般に用い
られている材料であるＦｅＭｎは腐食し易い性質を有す
ることから、Ｔａ／Ｗ／Ｔａを連続して成膜することで
腐食を防止するためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来技術
においては、反強磁性膜１８とその上の導電膜１９とは
同一の形状である。反強磁性膜は２５０Å程度の厚さで
あるが、導電膜１９は、電気抵抗を低減するためにかな
りの厚さが必要であり、通常、３０００〜４０００Åで
ある。そのため図６に示すように、反強磁性膜１８と共
に厚い導電膜１９も浮上面に露出することになり、その
厚い導電膜１９によって読出しギャップのうねりが大き
くなるばかりでなく、その上に形成する書込み側の磁極
にも大きなうねりを生じる。
においては、反強磁性膜１８とその上の導電膜１９とは
同一の形状である。反強磁性膜は２５０Å程度の厚さで
あるが、導電膜１９は、電気抵抗を低減するためにかな
りの厚さが必要であり、通常、３０００〜４０００Åで
ある。そのため図６に示すように、反強磁性膜１８と共
に厚い導電膜１９も浮上面に露出することになり、その
厚い導電膜１９によって読出しギャップのうねりが大き
くなるばかりでなく、その上に形成する書込み側の磁極
にも大きなうねりを生じる。
【０００７】書込みギャップの大きなうねりは、書込み
情報に対する読出し信号の位相差をもたらすためヘッド
特性に悪影響を及す。書込みギャップのうねりを抑える
ために導電膜を薄くすることが考えられるが、薄くすれ
ば電気抵抗が増大する。薄膜ＭＲヘッドにおける読出し
は、理想的にはＭＲ素子自体の電気抵抗を検出すること
であり、他の部分の電気抵抗が増大することはＭＲ効果
を低下させることにつながり読出し感度が下がるため好
ましくない。そこで、導電膜による電気抵抗を増大させ
ることなくギャップのうねりを抑制し、ヘッド特性の劣
化を低減することが望まれている。
情報に対する読出し信号の位相差をもたらすためヘッド
特性に悪影響を及す。書込みギャップのうねりを抑える
ために導電膜を薄くすることが考えられるが、薄くすれ
ば電気抵抗が増大する。薄膜ＭＲヘッドにおける読出し
は、理想的にはＭＲ素子自体の電気抵抗を検出すること
であり、他の部分の電気抵抗が増大することはＭＲ効果
を低下させることにつながり読出し感度が下がるため好
ましくない。そこで、導電膜による電気抵抗を増大させ
ることなくギャップのうねりを抑制し、ヘッド特性の劣
化を低減することが望まれている。
【０００８】本発明の目的は、上記のような技術的課題
を解決し、浮上面における磁極のうねりが低減され且つ
導電膜の電気抵抗が増大することもないような交換結合
型薄膜ＭＲヘッドを提供することである。
を解決し、浮上面における磁極のうねりが低減され且つ
導電膜の電気抵抗が増大することもないような交換結合
型薄膜ＭＲヘッドを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、下部シールド
と上部シールドの間に位置するＭＲ素子を有する読出し
部の上に、下部磁極と上部磁極とでギャップ膜を挾むと
共に内部に磁界発生用のコイルを有する書込み部を積層
する構造をなし、前記ＭＲ素子の両側に交換結合バイア
スを発生させる反強磁性膜を形成し、該反強磁性膜上に
導電膜を形成した交換結合型薄膜ＭＲヘッドである。こ
こで本発明の特徴は、反強磁性膜の上に積層する導電膜
を、Ｔａ／Ｗの下層とＷ／Ｔａの上層との２層構造と
し、下層は前記反強磁性膜を覆いフロントギャップ側の
前端が浮上面に露出するように形成され、それに対して
上層はそのフロントギャップ側の前端がエイペックスラ
インよりもバック側に位置するように形成されている点
にある。実際には、下層（Ｔａ／Ｗ）の厚さが導電膜全
体の厚さの１／３以下とするのが望ましい。
と上部シールドの間に位置するＭＲ素子を有する読出し
部の上に、下部磁極と上部磁極とでギャップ膜を挾むと
共に内部に磁界発生用のコイルを有する書込み部を積層
する構造をなし、前記ＭＲ素子の両側に交換結合バイア
スを発生させる反強磁性膜を形成し、該反強磁性膜上に
導電膜を形成した交換結合型薄膜ＭＲヘッドである。こ
こで本発明の特徴は、反強磁性膜の上に積層する導電膜
を、Ｔａ／Ｗの下層とＷ／Ｔａの上層との２層構造と
し、下層は前記反強磁性膜を覆いフロントギャップ側の
前端が浮上面に露出するように形成され、それに対して
上層はそのフロントギャップ側の前端がエイペックスラ
インよりもバック側に位置するように形成されている点
にある。実際には、下層（Ｔａ／Ｗ）の厚さが導電膜全
体の厚さの１／３以下とするのが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係る交換結合型薄膜ＭＲ
ヘッドは、シールド共有型にも適用できるし分離型にも
適用できる。薄膜ＭＲヘッドを製造する基本的な工程
は、反強磁性膜上に形成する導電膜の成膜工程を除けば
従来技術と同様であってよい。セラミックス基板上にＭ
Ｒ素子を有する読出し部を設け、その上に磁界発生用の
コイルを有する書込み部を積み重ねるように設ける。
ヘッドは、シールド共有型にも適用できるし分離型にも
適用できる。薄膜ＭＲヘッドを製造する基本的な工程
は、反強磁性膜上に形成する導電膜の成膜工程を除けば
従来技術と同様であってよい。セラミックス基板上にＭ
Ｒ素子を有する読出し部を設け、その上に磁界発生用の
コイルを有する書込み部を積み重ねるように設ける。
【００１１】本発明では、導電膜をＴａ／Ｗの下層とＷ
／Ｔａの上層との２層構造とし、下層は反強磁性膜と同
じ形状であるが、上層はフロントギャップ部が短く、そ
の前端がエイペックスラインよりもバック側に後退した
形状であるため、スライダ加工を行った後の浮上面に
は、下層は露出するが上層は露出しない状態となる。こ
の結果、浮上面においては導電膜の厚さが実質的に薄く
なるために、読出しギャップのうねりが少なくなり、そ
れに伴い書込みギャップのうねりも小さくなる。そのた
めＭＲ素子による読出し信号の位相差が無くなり、書込
みと読出しの位相差によるヘッド特性の悪化を低減する
ことができる。エイペックスラインよりもバック側にお
いては、導電膜は下層と上層とが積層した構造となり、
十分な厚みを持たせることができるため、電気抵抗を十
分低くすることが可能である。
／Ｔａの上層との２層構造とし、下層は反強磁性膜と同
じ形状であるが、上層はフロントギャップ部が短く、そ
の前端がエイペックスラインよりもバック側に後退した
形状であるため、スライダ加工を行った後の浮上面に
は、下層は露出するが上層は露出しない状態となる。こ
の結果、浮上面においては導電膜の厚さが実質的に薄く
なるために、読出しギャップのうねりが少なくなり、そ
れに伴い書込みギャップのうねりも小さくなる。そのた
めＭＲ素子による読出し信号の位相差が無くなり、書込
みと読出しの位相差によるヘッド特性の悪化を低減する
ことができる。エイペックスラインよりもバック側にお
いては、導電膜は下層と上層とが積層した構造となり、
十分な厚みを持たせることができるため、電気抵抗を十
分低くすることが可能である。
【００１２】
【実施例】図１は本発明に係る交換結合型薄膜ＭＲヘッ
ドの一実施例を示しており、Ａは成膜面から見た図、Ｂ
はその断面図である。これらはスライダ加工を行う前の
状態を図示しており、ｘ−ｘはスライダ加工位置を示し
ている。またスライダ加工後のフロントギャップ部近傍
の断面を図２に示し、その浮上面から見た状態を図３に
示す。この実施例は、基本的には従来同様、基板上にＭ
Ｒ素子と反強磁性膜及び導電膜を有する読出し部を設
け、該読出し部の上に、コイル膜を有する書込み部を積
層する構造のシールド共有型である。
ドの一実施例を示しており、Ａは成膜面から見た図、Ｂ
はその断面図である。これらはスライダ加工を行う前の
状態を図示しており、ｘ−ｘはスライダ加工位置を示し
ている。またスライダ加工後のフロントギャップ部近傍
の断面を図２に示し、その浮上面から見た状態を図３に
示す。この実施例は、基本的には従来同様、基板上にＭ
Ｒ素子と反強磁性膜及び導電膜を有する読出し部を設
け、該読出し部の上に、コイル膜を有する書込み部を積
層する構造のシールド共有型である。
【００１３】読出し部は、基板上に設けた下部シールド
２０（膜厚２〜３μｍ）、第１ギャップ層２４ａ（膜厚
１０００〜２０００Å）、ＭＲ素子１６（膜厚５００〜
１０００Å）、反強磁性膜１８及び導電膜（下層１９ａ
と上層１９ｂ）、第２ギャップ層２４ｂ（膜厚１０００
〜２０００Å）を有する。第１ギャップ層２４ａ及び第
２ギャップ層２４ｂは共にアルミナ等からなる。この第
２ギャップ層２４ｂの上方に上部シールド兼下部磁極２
２を設ける。ここでＭＲ素子１６はＳＡＬ／Ｔａ／ＭＲ
膜からなり、反強磁性膜１８は、例えば鉄−マンガン
（ＦｅＭｎ）からなる。
２０（膜厚２〜３μｍ）、第１ギャップ層２４ａ（膜厚
１０００〜２０００Å）、ＭＲ素子１６（膜厚５００〜
１０００Å）、反強磁性膜１８及び導電膜（下層１９ａ
と上層１９ｂ）、第２ギャップ層２４ｂ（膜厚１０００
〜２０００Å）を有する。第１ギャップ層２４ａ及び第
２ギャップ層２４ｂは共にアルミナ等からなる。この第
２ギャップ層２４ｂの上方に上部シールド兼下部磁極２
２を設ける。ここでＭＲ素子１６はＳＡＬ／Ｔａ／ＭＲ
膜からなり、反強磁性膜１８は、例えば鉄−マンガン
（ＦｅＭｎ）からなる。
【００１４】書込み部は、従来同様、前記上部シールド
兼下部磁極２２、書込みギャップ層２６（膜厚０．５〜
１μｍ）、上部磁極２８（膜厚３〜４μｍ）を有し、浮
上面から奥まった位置で上部シールド兼下部磁極２２と
上部磁極２８との間に、絶縁層３０で挾まれたコイル膜
３２を有する構成となっている。
兼下部磁極２２、書込みギャップ層２６（膜厚０．５〜
１μｍ）、上部磁極２８（膜厚３〜４μｍ）を有し、浮
上面から奥まった位置で上部シールド兼下部磁極２２と
上部磁極２８との間に、絶縁層３０で挾まれたコイル膜
３２を有する構成となっている。
【００１５】本発明の特徴は、交換結合バイアスを発生
させる反強磁性膜１８の上に積層する導電膜を、Ｔａ／
Ｗからなる下層１９ａとＷ／Ｔａからなる上層１９ｂと
の２層構造とし、下層１９ａは前記反強磁性膜１８と同
じ寸法形状であって該反強磁性膜１８を完全に覆うよう
に形成され、上層１９ｂはフロントギャップＦＧ側の前
端（符号ｅで示す位置）がエイペックスラインよりもバ
ック側に位置するように形成されている点である。
させる反強磁性膜１８の上に積層する導電膜を、Ｔａ／
Ｗからなる下層１９ａとＷ／Ｔａからなる上層１９ｂと
の２層構造とし、下層１９ａは前記反強磁性膜１８と同
じ寸法形状であって該反強磁性膜１８を完全に覆うよう
に形成され、上層１９ｂはフロントギャップＦＧ側の前
端（符号ｅで示す位置）がエイペックスラインよりもバ
ック側に位置するように形成されている点である。
【００１６】前述のように、反強磁性膜１８はＦｅＭｎ
からなり、腐食し易い材料であるため、その上面をＴａ
／Ｗの導電膜下層１９ａで覆うことにより腐食を防止す
る。この導電膜下層１９ａは、完成後のＭＲ抵抗が従来
の薄膜ヘッドと比べて大きくならない程度の膜厚に薄く
成膜すればよい。導電膜の上層１９ｂは、第２ギャップ
層２４ｂの絶縁がとれる範囲で、ある程度膜厚を厚くし
て電気抵抗を下げるように成膜すればよい。この下層１
９ａと上層１９ｂとが導電膜を構成し、下層と上層を合
わせた導電膜全体の膜厚は、従来技術よりも厚くても構
わない。好ましくは、導電膜の下層１９ａの膜厚を導電
膜全体の厚さの１／３程度以下とする。なお、上層１９
ｂのフロントギャップ側の前端の位置は、通常、浮上面
よりも数μｍ程度バック側となる。好ましくは上層１９
ｂは、ＭＲ素子１６よりもバック側に設ける。例えば図
２に示す例では、約１μｍ後方に設けている。
からなり、腐食し易い材料であるため、その上面をＴａ
／Ｗの導電膜下層１９ａで覆うことにより腐食を防止す
る。この導電膜下層１９ａは、完成後のＭＲ抵抗が従来
の薄膜ヘッドと比べて大きくならない程度の膜厚に薄く
成膜すればよい。導電膜の上層１９ｂは、第２ギャップ
層２４ｂの絶縁がとれる範囲で、ある程度膜厚を厚くし
て電気抵抗を下げるように成膜すればよい。この下層１
９ａと上層１９ｂとが導電膜を構成し、下層と上層を合
わせた導電膜全体の膜厚は、従来技術よりも厚くても構
わない。好ましくは、導電膜の下層１９ａの膜厚を導電
膜全体の厚さの１／３程度以下とする。なお、上層１９
ｂのフロントギャップ側の前端の位置は、通常、浮上面
よりも数μｍ程度バック側となる。好ましくは上層１９
ｂは、ＭＲ素子１６よりもバック側に設ける。例えば図
２に示す例では、約１μｍ後方に設けている。
【００１７】このようにすると、図３に示すように、浮
上面にはＭＲ素子１６の上に薄い下層１９ａのみが現
れ、その上には第２のギャップ層２４ａを介して上部シ
ールド兼下部磁極２２が載ることになる。つまり、浮上
面近傍では導電膜の上層が現れないために、実質的に導
電膜が薄くなったようになり、その分だけ、その上に載
る上部シールド兼下部磁極、書込みギャップ層、上部磁
極などのうねりが抑えられるのである。
上面にはＭＲ素子１６の上に薄い下層１９ａのみが現
れ、その上には第２のギャップ層２４ａを介して上部シ
ールド兼下部磁極２２が載ることになる。つまり、浮上
面近傍では導電膜の上層が現れないために、実質的に導
電膜が薄くなったようになり、その分だけ、その上に載
る上部シールド兼下部磁極、書込みギャップ層、上部磁
極などのうねりが抑えられるのである。
【００１８】例えば反強磁性膜１８の膜厚は約２５０Å
程度である。導電膜の下層１９ａの膜厚は、Ｔａ／Ｗで
２５０Å程度にすることは可能である。従って、浮上面
に現れる反強磁性膜１８と導電膜下層１９ａの膜厚の合
計は、具体的には、５００〜１０００Å程度に薄くする
ことができる。これは従来技術の１／３〜１／４の薄さ
である。その結果、図３からも明らかなように、浮上面
から見た時に導電膜の厚さが従来技術よりもはるかに薄
くなり、その上に形成するギャップ層や磁極等のうねり
が少なくなり、ヘッド特性を改善することができる。
程度である。導電膜の下層１９ａの膜厚は、Ｔａ／Ｗで
２５０Å程度にすることは可能である。従って、浮上面
に現れる反強磁性膜１８と導電膜下層１９ａの膜厚の合
計は、具体的には、５００〜１０００Å程度に薄くする
ことができる。これは従来技術の１／３〜１／４の薄さ
である。その結果、図３からも明らかなように、浮上面
から見た時に導電膜の厚さが従来技術よりもはるかに薄
くなり、その上に形成するギャップ層や磁極等のうねり
が少なくなり、ヘッド特性を改善することができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明は上記のように、反強磁性膜の上
に積層する導電膜を、Ｔａ／Ｗの下層とＷ／Ｔａの上層
とに分割し、上層のフロントギャップ側の前端をエイペ
ックスラインよりもバック側に設けるように構成したか
ら、浮上面に現れる導電膜が薄くなり、磁極のうねりが
低減する。この結果、書込みギャップのうねりが小さく
なるために、ヘッド特性が向上することになる。つま
り、記録トラックに情報を書込んだ時の磁化の境界線と
ＭＲ素子とが平行になり、読出し信号に位相差が生じ
ず、特性劣化を低減できる。また本発明では、導電膜の
上層を厚くすることができるため、導電膜全体として電
気抵抗を十分に下げることができ、感度の低下を抑える
ことができる。これらによってヘッド特性は著しく向上
する。
に積層する導電膜を、Ｔａ／Ｗの下層とＷ／Ｔａの上層
とに分割し、上層のフロントギャップ側の前端をエイペ
ックスラインよりもバック側に設けるように構成したか
ら、浮上面に現れる導電膜が薄くなり、磁極のうねりが
低減する。この結果、書込みギャップのうねりが小さく
なるために、ヘッド特性が向上することになる。つま
り、記録トラックに情報を書込んだ時の磁化の境界線と
ＭＲ素子とが平行になり、読出し信号に位相差が生じ
ず、特性劣化を低減できる。また本発明では、導電膜の
上層を厚くすることができるため、導電膜全体として電
気抵抗を十分に下げることができ、感度の低下を抑える
ことができる。これらによってヘッド特性は著しく向上
する。
【図１】本発明に係る薄膜ＭＲヘッドの一実施例を示す
説明図。
説明図。
【図２】そのフロントギャップ部近傍の拡大断面図。
【図３】その浮上面側から見た説明図。
【図４】薄膜ＭＲヘッドの一例を示す説明図。
【図５】従来技術におけるＭＲ素子、反強磁性膜及び導
電膜の形状を示す説明図。
電膜の形状を示す説明図。
【図６】従来の薄膜ＭＲヘッドの浮上面側から見た説明
図。
図。
１０ セラミックス基板 １２ 読出し部 １４ 書込み部 １６ ＭＲ素子 １８ 反強磁性膜 １９ 導電膜 １９ａ 導電膜の下層 １９ｂ 導電膜の上層 ２０ 下部シールド ２２ 上部シールド兼下部磁極 ２８ 上部磁極 ３２ 磁界発生用のコイル
Claims (3)
- 【請求項１】 下部シールドと上部シールドの間に位置
するＭＲ素子を有する読出し部の上に、下部磁極と上部
磁極とでギャップ膜を挾むと共に内部に磁界発生用のコ
イルを有する書込み部を積層する構造をなし、前記ＭＲ
素子の両側に交換結合バイアスを発生させる反強磁性膜
を形成し、該反強磁性膜上に導電膜を形成した交換結合
型の薄膜ＭＲヘッドにおいて、 反強磁性膜の上に積層する導電膜を、Ｔａ／Ｗの下層と
Ｗ／Ｔａの上層との２層構造とし、下層は前記反強磁性
膜を覆いフロントギャップ側の前端が浮上面に露出する
ように形成され、上層はフロントギャップ側の前端がエ
イペックスラインよりもバック側に位置するように形成
されていることを特徴とする交換結合型薄膜ＭＲヘッ
ド。 - 【請求項２】 Ｔａ／Ｗの下層の厚さが、導電膜全体の
厚さの１／３以下である請求項１記載の交換結合型薄膜
ＭＲヘッド。 - 【請求項３】 書込み部の下部磁極と読出し部の上部シ
ールドとを兼用させる共有型である請求項１又は２記載
の交換結合型薄膜ＭＲヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34690195A JPH09167319A (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 交換結合型薄膜ｍｒヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34690195A JPH09167319A (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 交換結合型薄膜ｍｒヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167319A true JPH09167319A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18386593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34690195A Pending JPH09167319A (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 交換結合型薄膜ｍｒヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09167319A (ja) |
-
1995
- 1995-12-13 JP JP34690195A patent/JPH09167319A/ja active Pending
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